CN112005455A - 半导体激光驱动装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

在该半导体激光驱动装置中，减小了半导体激光器和激光驱动器电连接时的布线电感。半导体激光驱动装置包括基板、激光驱动器和半导体激光器。激光驱动器包含在基板内。半导体激光器安装在半导体激光驱动装置的基板的一个表面上。连接布线以0.5纳亨以下的布线电感电连接激光驱动器和半导体激光器。

Description

半导体激光驱动装置及其制造方法
技术领域
本技术涉及半导体激光驱动装置。更具体地，本技术涉及包括内置有激光驱动器的基板和半导体激光器的半导体激光驱动装置及其制造方法基板。
背景技术
传统上，在具有距离测量功能的电子装置中，称为飞行时间(ToF)方法的距离测量方法是众所周知的。ToF是一种方法，其中，发光单元用正弦波或矩形波的照射光照射物体，光接收单元接收来自物体的反射光，以及距离测量和计算单元根据照射光和反射光之间的相位差测量距离。为了实现这种距离测量功能，已知一种光学模块，其中，发光元件和用于驱动发光元件的电子半导体芯片容纳并集成在壳体中。例如，已经提出了一种光学模块，该光学模块设置有在基板的电极图案上排列并安装的激光二极管阵列、以及电连接到激光二极管阵列的驱动器IC(例如，参见专利文献1)。
引用列表
专利文献
专利文献1：日本专利申请公开号2009-170675
发明内容
本发明要解决的问题
在上述传统技术中，激光二极管阵列和驱动器IC被整体配置为光学模块。然而，在传统技术中，激光二极管阵列和驱动器IC通过多条导线电连接，并且其间的布线电感变大，并且半导体激光器的驱动波形可能失真。这在以几百兆赫驱动半导体激光驱动装置的ToF中是一个特别的问题。
鉴于前述内容，已经创建了本技术，并且本技术旨在降低半导体激光驱动装置中的半导体激光器和激光驱动器之间的布线电感。
问题的解决方案
已经形成本技术以解决上述问题，并且本技术的第一方面是半导体激光驱动装置，包括：基板，内置有激光驱动器；半导体激光器，安装在基板的一个表面上；以及连接布线，被配置为通过0.5纳亨(nanohenry，毫微亨)以下的布线电感电连接激光驱动器和半导体激光器，以及电子装置，包括半导体激光驱动装置。这产生了通过0.5纳亨以下的布线电感电连接激光驱动器和半导体激光器的效果。
此外，在第一方面，连接布线的长度理想地为0.5毫米以下。此外，连接布线的长度更有利地为0.3毫米以下。
此外，在第一方面，可以经由设置在基板中的连接通孔来提供连接布线。这产生了缩短布线长度的效果。
此外，在第一方面，半导体激光器的一部分可以设置在激光驱动器上方。此外，在第一方面，半导体激光器的具有半导体激光器的50％以下面积的部分可以设置在激光驱动器上方。
此外，在第一方面，基板可以在安装半导体激光器的位置处包括热通孔。这产生了促进散热的效果。
此外，在第一方面中，还可以包括：外壁，包围基板的一个表面中包括半导体激光器的区域；以及扩散板，覆盖由外壁包围的区域的上方。
此外，在第一方面，还可以包括光电二极管，光电二极管安装在基板的一个表面上并被配置为监测从半导体激光器发射的激光的光强。这产生了保持半导体激光器的输出恒定的效果。
此外，在第一方面中，还可以包括连接端子，在基板的一个表面的相对表面上与外部连接。这产生了确保与外部连接的效果。在这种情况下，连接端子可以由焊球、铜芯球、铜柱凸块和接合盘网格阵列中的至少一种形成。
此外，本技术的第二方面是制造半导体激光驱动装置的方法，该方法包括：在支撑板的上表面上形成激光驱动器的过程；形成激光驱动器的连接布线以形成内置有激光驱动器的基板的过程；以及在基板的一个表面上安装半导体激光器并形成连接布线的过程，该连接布线经由连接布线以0.5纳亨以下的布线电感电连接激光驱动器和半导体激光器。这产生了制造通过0.5纳亨以下的布线电感电连接激光驱动器和半导体激光器的半导体激光驱动装置的效果。
本发明的效果
根据本技术，半导体激光驱动装置可以发挥降低半导体激光器和激光驱动器之间的布线电感的优异效果。注意，本文描述的效果不一定受到限制，并且可以显示本公开中描述的任何效果。
附图说明
[图1]是示出根据本技术的实施例的半导体激光驱动装置10的俯视图的示例的示图；
[图2]是示出根据本技术的实施例的半导体激光驱动装置10的剖视图的示例的示图；
[图3]是示出根据本技术的实施例的激光驱动器200和半导体激光器300之间的重叠量的定义的示图；
[图4]是示出在通过加成法形成布线图案的情况下布线电感相对于布线长度L和布线宽度W的数值示例的示图；
[图5]是示出在通过减数法形成布线图案的情况下布线电感相对于布线长度L和布线宽度W的数值示例的示图；
[图6]是示出根据本技术的实施例的在制造激光驱动器200的过程中处理铜接盘和铜布线层(RDL)的步骤的示例的第一示图；
[图7]是示出根据本技术的实施例的在制造激光驱动器200的过程中处理铜接盘和铜布线层(RDL)的步骤的示例的第二示图；
[图8]是示出根据本技术的实施例的制造基板100的步骤的示例的第一示图；
[图9]是示出根据本技术的实施例的制造基板100的步骤的示例的第二示图；
[图10]是示出根据本技术的实施例的制造基板100的步骤的示例的第三示图；
[图11]是示出根据本技术的实施例的制造基板100的步骤的示例的第四示图；
[图12]是示出根据本技术的实施例的制造基板100的步骤的示例的第五示图；
[图13]是示出作为本技术的实施例的应用的电子装置800的系统配置示例的示图；
[图14]是示出作为本技术的实施例的应用的电子装置800的外部配置示例的示图。
具体实施方式
在下文中，将描述实现本技术的模式(以下称为实施例)。将按照以下顺序进行描述。
1.实施例(半导体激光驱动装置)
2.应用(电子装置)
<1.实施例>
[半导体激光驱动装置]
图1是示出根据本技术的实施例的半导体激光驱动装置10的俯视图的示例的示图。
假设半导体激光驱动装置10通过ToF测量距离。尽管不如结构光那样精确，ToF也具有高深度精度的特点，并且即使在黑暗的环境中也可以无困难地操作。此外，与诸如结构光和立体相机的其他方法相比，ToF在装置配置的简单性、成本等方面具有许多优势。
在半导体激光驱动装置10中，通过接合在内置有激光驱动器200的基板100的表面上的引线，电连接并安装半导体激光器300、光电二极管400和无源组件500。印刷线路板用作基板100。
半导体激光器300是使电流流过化合物半导体的PN结以发射激光的半导体装置。在此处，作为要使用的化合物半导体，例如，采用砷化铝镓(AlGaAs)、磷化砷镓铟(InGaAsP)、磷化铝镓铟(AlGaInP)、氮化镓(GaN)等。
激光驱动器200是用于驱动半导体激光器300的驱动器集成电路(IC)。激光驱动器200以面朝上的状态内置在基板100中。关于与半导体激光器300的电连接，因为需要减小布线电感，所述希望使布线长度尽可能短。下面将描述具体的数值。
光电二极管400是用于检测光的二极管。光电二极管400用于自动功率控制(APC控制)，以监测半导体激光器300的光强并使得半导体激光器300的输出恒定。
无源组件500是除了诸如电容器和电阻器的有源元件之外的电路组件。无源组件500包括用于驱动半导体激光器300的去耦电容器。
图2是示出根据本技术的实施例的半导体激光驱动装置10的剖视图的示例的示图。
如上所述，基板100内置有激光驱动器200，并且半导体激光器300等安装在基板100的表面上。经由连接通孔101来执行半导体激光器300和激光驱动器200之间的连接。通过使用连接通孔101，可以缩短布线长度。注意，连接通孔101是权利要求中描述的连接布线的示例。
此外，基板100包括用于散热的热通孔102。安装在基板100上的每个组件都是热源。通过使用热通孔102，每个组件中产生的热量可以从基板100的背面辐射。
安装在基板100的表面上的半导体激光器300、光电二极管400和无源组件500被侧壁600包围。作为侧壁600的材料，例如，采用塑料材料或金属。
由侧壁600包围的上表面覆盖有扩散板700。扩散板700是用于扩散来自半导体激光器300的激光的光学元件，也称为扩散器。
图3是示出根据本技术的实施例的激光驱动器200和半导体激光器300之间的重叠量的定义的示图。
如上所述，由于假设经由连接通孔101来执行半导体激光器300和激光驱动器200之间的连接，所以当从上表面观察时，半导体激光器300和激光驱动器200被设置成重叠。同时，期望在半导体激光器300的下表面中设置热通孔102，并且需要确保其区域。因此，为了阐明激光驱动器200和半导体激光器300之间的位置关系，如下定义激光驱动器200和半导体激光器300之间的重叠量。
在图3中的a所示的布置中，当从上表面观察时，在半导体激光器300和激光驱动器200之间不存在重叠区域。在这种情况下，重叠量被定义为0％。同时，在图3中的c所示的布置中，当从上表面观察时，整个半导体激光器300与激光驱动器200重叠。在这种情况下，重叠量被定义为100％。
然后，在图3中的b所示的布置中，当从上表面观察时，半导体激光器300的一半区域与激光驱动器200重叠。在这种情况下，重叠量被定义为50％。
在本实施例中，重叠量理想地大于0％，以便为上述连接通孔101提供区域。同时，考虑到一定数量的热通孔102设置在半导体激光器300的正下方，重叠量理想地为50％以下。因此，通过将重叠量设定为大于0％且小于等于50％，可以使布线电感变小，并且可以获得良好的散热特性。
[布线电感]
如上所述，在半导体激光器300和激光驱动器200之间的连接中，布线电感是问题所在。所有的导体都有一个电感组件，在这种ToF系统的高频区域，即使是非常短的导线的电感也可能是有害的。即，在高频操作时，由于布线电感的影响，来自激光驱动器200的用于驱动半导体激光器300的驱动波形可能失真，并且操作可能变得不稳定。
在此处，检查计算布线电感的理论公式。例如，具有圆形横截面且长度为L[mm]和半径为R[mm]的直导线的电感IDC[μH]在自由空间中由以下表达式表示。注意，ln表示自然对数。
IDC＝0.0002L·(ln(2L/R)-0.75)
此外，例如，具有长度L[mm]、宽度W[mm]和厚度H[mm]的带状线(基板布线图案)的电感IDC[μH]在自由空间中由以下表达式表示。
IDC＝0.0002L·(ln(2L/(W+H))
+0.2235((W+H)/L)+0.5)
图4和图5是示出内置在印刷线路板中的激光驱动器和电连接到印刷线路板上部的半导体激光器之间的布线电感[nH]的试算表。
图4是示出在通过加成法(additive method，叠加法)形成布线图案的情况下布线电感相对于布线长度L和布线宽度W的数值示例的示图。加成法是通过仅在绝缘树脂表面的必要部分沉积铜来形成图案的方法。
图5是示出在通过减数法(subtractive method)形成布线图案的情况下布线电感相对于布线长度L和布线宽度W的数值示例的示图。减数法是通过蚀刻覆铜层压板的不必要部分来形成图案的方法。
在诸如ToF系统的半导体激光驱动装置的情况下，假设以几百兆赫驱动半导体激光驱动装置，布线电感理想地为0.5nH以下，更有利地为0.3nH以下。因此，考虑到上述试算结果，认为半导体激光器300和激光驱动器200之间的布线长度理想地为0.5毫米以下，更有利地为0.3毫米以下。
[制造方法]
图6和图7是示出根据本技术的实施例的在制造激光驱动器200的过程中处理铜接盘和铜布线层(再分布层(RDL))的步骤的示例的示图。
首先，如图6中的a所示，在半导体晶片上形成使用例如铝形成的I/O焊盘210。然后，在表面上形成诸如SiN的保护绝缘层220，并且I/O焊盘210的区域被开放。
接下来，如图6中的b所示，使用聚酰亚胺(PI)或聚苯并噁唑(PBO)形成的表面保护膜230被形成，并且I/O焊盘210的区域被开放。
接下来，如图6中的c所示，厚度为几十至100nm的钛钨(TiW)和厚度为100nm至1000nm的铜(Cu)被连续溅射，以形成粘合层和种子层240。在此处，作为粘合层，除了钛钨(TiW)之外，可以应用高熔点金属，例如，铬(Cr)、镍(Ni)、钛(Ti)、钛铜(TiCu)或铂(Pt)或其合金。此外，作为种子层，除铜(Cu)之外，还可以应用镍(Ni)、银(Ag)、金(Au)或其合金。
接下来，如图7中的d所示，光刻胶(photoresist，光致抗蚀剂)250被图案化，以便形成用于电连接的铜接盘和铜布线层。具体地，通过表面清洁、抗蚀剂涂覆、干燥、曝光和显影的步骤形成光刻胶250。
接下来，如图7中的e所示，通过电镀方法在粘合层和种子层240上形成用于电连接的铜接盘和铜布线层(RDL)260。在此处，作为电镀方法，例如，可以使用电解镀铜方法、电解镀镍方法或其他方法。此外，铜接盘的直径理想地为约50微米至100微米，铜布线层的厚度理想地为约3微米至10微米，并且铜布线层的最小宽度理想地为约10微米。
接下来，如图7中的f所示，去除光刻胶250，并且掩膜和干蚀刻半导体芯片的铜接盘和铜布线层(RDL)260。在此处，对于干法蚀刻，可以使用例如用于发射氩离子束的离子铣削。通过干法蚀刻，可以选择性地去除不必要区域中的粘合层和种子层240，并且使铜接盘和铜布线层分离。注意，可以通过用王水、或硝酸铈铵、氢氧化钾等的水溶液进行湿法蚀刻来去除不需要的区域，但是考虑到侧面蚀刻和构成铜接盘和铜布线层的金属层的厚度减小，干法蚀刻是理想的。
图8至图12是示出根据本技术的实施例的制造基板100的步骤的示例的示图。
首先，如图8中的a所示，具有超薄铜箔132和载体铜箔131的两层结构的可剥离铜箔130经由粘合树脂层120通过辊层压或层压压机热接合在支撑板110的一侧上。
作为支撑板110，可以使用利用无机材料、金属材料、树脂材料等形成的基板。例如，可以使用硅(Si)、玻璃、陶瓷、铜、铜合金、铝、铝合金、不锈钢、聚酰亚胺树脂或环氧树脂。
作为可剥离铜箔130，通过将厚度为18微米至35微米的载体铜箔131与厚度为2微米至5微米的超薄铜箔132彼此真空接合而获得铜箔。作为可剥离铜箔130，可以使用例如3FD-P3/35(由Furukawa Circuit Foil公司制造)、MT-18S5DH(由Mitsui Mining&Smelting公司制造)等。
作为粘合树脂层120的树脂材料，可以使用包含玻璃纤维增强材料的有机树脂，例如，环氧树脂、聚酰亚胺树脂、PPE树脂、酚醛树脂、PTFE树脂、硅树脂、聚丁二烯树脂、聚酯树脂、三聚氰胺树脂、尿素树脂、PPS树脂或PPO树脂。此外，作为增强材料，可以使用除玻璃纤维之外的芳纶无纺布、芳纶纤维、聚酯纤维等。
接下来，如图8中的b所示，通过化学镀铜处理(electroless copper platingtreatment，无电镀铜处理)，在可剥离铜箔130的超薄铜箔132的表面上形成厚度为0.5微米至3微米的电镀基底导电层(未示出)。注意，化学镀铜处理形成电解镀铜的基底导电层，用于接下来形成布线图案。注意，可以省略化学镀铜处理，并且用于电解镀铜的电极可以直接与可剥离铜箔130接触，并且电解镀铜处理可以直接应用于可剥离铜箔130，以形成布线图案。
接下来，如图8中的c所示，通过辊层压将光敏抗蚀剂附着到支撑板的表面，以形成用于布线图案的抗蚀剂图案(阻焊剂140)。作为光敏抗蚀剂，例如，可以使用干膜电镀抗蚀剂。
接下来，如图8中的d所示，通过电解镀铜处理形成厚度约为15微米的布线图案150。
接下来，如图9中的e所示，剥离电镀抗蚀剂。然后，作为形成层间绝缘树脂的预处理，布线图案的表面被粗糙化，以提高层间绝缘树脂和布线图案之间的粘附性。注意，粗糙化处理可以通过氧化-还原处理或基于过氧化氢-硫酸的软蚀刻处理通过黑化处理来执行。
接下来，如图9中的f所示，层间绝缘树脂161通过辊层压或层压压力热接合在布线图案上。例如，辊压和层压厚度为45微米的环氧树脂。在使用玻璃环氧树脂的情况下，通过层压压机来层压并热压具有任意厚度的铜箔。作为层间绝缘树脂161的树脂材料，可以使用有机树脂，例如，环氧树脂、聚酰亚胺树脂、PPE树脂、酚醛树脂、PTFE树脂、硅树脂、聚丁二烯树脂、聚酯树脂、三聚氰胺树脂、尿素树脂、PPS树脂或PPO树脂。此外，这些树脂中的每一种都可以单独使用，或者也可以使用例如通过混合多种树脂或制备化合物的树脂组合。此外，也可以使用通过在这些材料中包含无机填料或混合玻璃纤维增强材料而获得的层间绝缘树脂。
接下来，如图9中的g所示，通过激光方法或光刻方法形成用于层间电连接的通孔。在层间绝缘树脂161是热固性树脂的情况下，通过激光方法形成通孔。作为激光，可以使用例如谐波YAG激光器或准分子激光器的紫外激光器，或者使用例如二氧化碳气体激光器的红外激光器。注意，在使用激光形成通孔的情况下，薄树脂膜可能保留在通孔的底部，因此进行去污处理。在去污处理中，用强碱使树脂溶胀，并通过使用氧化剂(例如，铬酸或高锰酸盐水溶液)分解和去除树脂。此外，可以通过等离子体处理或用研磨剂进行喷砂处理来去除树脂。在层间绝缘树脂161是光敏树脂的情况下，通过光刻方法形成通孔170。即，通过使用紫外线穿过掩模暴露层间绝缘树脂161，然后进行显影，来形成通孔170。
接下来，在粗糙化处理之后，在通孔170的壁表面和层间绝缘树脂161的表面上执行无电镀处理。接下来，通过辊层压将光敏抗蚀剂附着到已经应用了无电镀处理的层间绝缘树脂161的表面。作为这种情况下的光敏抗蚀剂，例如，可以使用干膜光敏电镀抗蚀剂膜。该光敏电镀抗蚀剂膜被曝光，然后显影，以形成电镀抗蚀剂图案，其中，通孔170和布线图案被打开。接下来，将厚度为15微米的电解镀铜处理应用于电镀抗蚀剂图案中的开口。接下来，剥离电镀抗蚀剂，并且通过基于过氧化氢-硫酸的快速蚀刻等去除残留在层间绝缘树脂上的无电镀，由此形成如图9中的h所示的填充有镀铜的通孔170和布线图案。然后，重复执行使布线图案粗糙化的类似步骤和形成层间绝缘树脂162的类似步骤。
接下来，如图10中的i所示，以面朝上的状态安装激光驱动器200，该激光驱动器通过将减薄至约30微米至50微米厚度的铜接盘和铜布线层附着到管芯附接膜(DAF)290而获得。
接下来，如图10中的j所示，层间绝缘树脂163通过辊层压或层压压机热接合。
接下来，如图10中的k和图11中的l所示，执行类似于上述的通孔处理、去污处理、粗糙化处理、无电镀处理和电解镀处理。注意，同时执行在激光驱动器200的铜接盘中的浅通孔171的处理、在一个较低层中的深通孔172的处理、去污处理和粗糙化处理。
在此处，浅通孔171是用镀铜填充的填充通孔。每个通孔的尺寸和深度约为20微米至30微米。此外，接合盘的直径尺寸约为60微米至80微米。
同时，深通孔172是所谓的共形通孔，具有仅施加到通孔外部的镀铜。每个通孔的尺寸和深度约为80微米至150微米。此外，接合盘的直径尺寸约为150微米至200微米。注意，深通孔172理想地经由绝缘树脂设置在距激光驱动器200的外部形状大约100微米的距离处。
接下来，如图11中的m所示，通过辊层压或层压压机热接合类似于上述的层间绝缘树脂。此时，共形通孔的内部填充有层间绝缘树脂。接下来，进行与上述类似的通孔处理、去污处理、粗糙化处理、无电镀处理和电解电镀处理。
接下来，如图11中的n所示，通过从可剥离铜箔130的载体铜箔131和超薄铜箔132之间的界面剥离，来分离支撑板110。
接下来，如图12中的o所示，使用基于硫酸-过氧化氢的软蚀刻去除超薄铜箔132和电镀基底导电层，由此可以获得内置有组件的具有暴露的布线图案的基板。
接下来，如图12中的p所示，在暴露的布线图案上印刷具有在布线图案的接合盘部分具有开口的图案的阻焊剂180。注意，阻焊剂180可以使用薄膜类型通过辊涂机形成。接下来，在阻焊剂180的开口接合盘部分上形成厚度为3微米以上的无电镀镍，并且在无电镀镍上形成厚度为0.03微米以上的无电镀金。无电镀金可以形成为1微米以上的厚度。此外，无电镀金可以用焊料预涂覆。或者，可以在阻焊剂180的开口中形成厚度为3微米以上的电解镀镍，并且可以在电解镀镍上形成厚度为0.5微米以上的电解镀金。此外，除了金属电镀之外，有机防锈膜可以形成在阻焊剂180的开口中。
或者，可以施加和印刷膏状焊料，以将焊球网格阵列(BGA)作为连接端子安装在用于外部连接的接合盘(land，焊盘)上。此外，作为连接端子，可以使用铜芯球、铜柱凸块、接合盘网格阵列(LGA)等。
如图12中的q所示，安装半导体激光器300、光电二极管400和无源组件500，并且侧壁600和扩散板700附接到如上所述制造的基板100的表面。通常，在作为集合基板进行制造之后，外部形状由切片机等处理，以分离成单独的件。
注意，在上述步骤中，已经描述了使用可剥离铜箔130和支撑板110的示例。可以使用覆铜层压板(CCL)来代替可剥离铜箔130和支撑板110。此外，作为将组件结合到基板中的制造方法，可以使用在基板中形成空腔并安装组件的方法。
如上所述，根据本技术的实施例，经由连接通孔101来执行半导体激光器300和激光驱动器200之间的电连接，由此可以减小布线电感。具体地，半导体激光器300和激光驱动器200之间的电连接的布线长度被设置为0.5毫米以下，由此布线电感可以被设置为0.5纳亨以下。此外，半导体激光器300和激光驱动器200之间的重叠量被设置为50％以下，由此一定数量的热通孔102可以设置在半导体激光器300的正下方，并且可以获得良好的散热特性。
<2.应用>
[电子装置]
图13是示出作为本技术的实施例的应用的电子装置800的系统配置示例的示图。
电子装置800是配备有根据上述实施例的半导体激光驱动装置10的移动终端。电子装置800包括成像单元810、半导体激光驱动装置820、快门按钮830、电源按钮840、控制单元850、存储单元860、无线通信单元870、显示单元880和电池890。
成像单元810是捕获对象图像的图像传感器。半导体激光驱动装置820是根据上述实施例的半导体激光驱动装置10。
快门按钮830是从电子装置800的外部给出关于成像单元810的成像时间的指令的按钮。电源按钮840是从电子装置800的外部给出打开/关闭电子装置800的电源的指令的按钮。
控制单元850是控制整个电子装置800的处理单元。存储单元860是存储电子装置800的操作所需的数据和程序的存储器。无线通信单元870执行与电子装置800外部的无线通信。显示单元880是显示图像等的显示器。电池890是向电子装置800的每个单元供电的电源。
用于控制成像单元810和半导体激光驱动装置820的发光控制信号的具体相位(例如，上升时间)被设置为0°，以及从0°到180°的光接收量被检测为Q1，并且从180°到360°的光接收量被检测为Q2。此外，成像单元810将从90°到270°的光接收量检测为Q3，并将从270°到90°的光接收量检测为Q4。控制单元850通过以下表达式计算从这些光接收量Q1至Q4到对象的距离d，并且在显示单元880上显示距离d。
d＝(c/4πf)×arctan{(Q3-Q4)/(Q1-Q2)}
在上述表达式中，距离d的单位是例如米(m)。c表示光速，以及光速的单位是例如米每秒(m/s)。反正切是正切函数的反函数。“(Q3-Q4)/(Q1-Q2)”的值表示照射光和反射光之间的相位差。π表示pi。此外，f表示照射光的频率，其单位是例如兆赫(MHz)。
图14是示出作为本技术的实施例的应用的电子装置800的外部配置示例的示图。
电子装置800容纳在外壳801中，在侧面包括电源按钮840并且在表面上包括显示单元880和快门按钮830。此外，成像单元810和半导体激光驱动装置820的光学区域设置在背面。
结果，根据使用ToF的距离测量结果，显示单元880不仅可以显示正常捕获图像881，还可以显示深度图像882。
注意，在该应用示例中，移动终端(例如，智能手机)已经被示为电子装置800，但是电子装置800不限于该示例，并且可以是例如数码相机、游戏机、可穿戴装置等。
注意，上述实施例描述了体现本技术的示例，并且实施例中的事项和权利要求中用于指定本发明的事项分别具有对应关系。类似地，在权利要求中用于指定本发明的事项和本技术的实施例中具有相同名称的事项分别具有对应关系。然而，本技术不限于实施例，并且可以通过在不脱离本技术的主旨的情况下对实施例应用各种修改来体现。
注意，在本说明书中描述的效果仅仅是示例，并且不限于此，并且还可以显示其他效果。
注意，本技术也可以具有以下配置。
(1)一种半导体激光驱动装置，包括：
基板，内置有激光驱动器；
半导体激光器，安装在基板的一个表面上；以及
连接布线，被配置为通过0.5纳亨以下的布线电感电连接激光驱动器和半导体激光器。
(2)根据(1)的半导体激光驱动装置，其中，
连接布线的长度为0.5毫米以下。
(3)根据(1)或(2)的半导体激光驱动装置，其中，
经由设置在基板中的连接通孔来提供连接布线。
(4)根据(1)至(3)中任一项的半导体激光驱动装置，其中，
半导体激光器的一部分设置在激光驱动器上方。
(5)根据(4)的半导体激光驱动装置，其中，
半导体激光器的具有半导体激光器的50％以下面积的部分设置在激光驱动器上方。
(6)根据(1)至(5)中任一项的半导体激光驱动装置，其中，
基板在安装半导体激光器的位置包括热通孔。
(7)根据(1)至(6)中任一项的半导体激光驱动装置，还包括：
外壁，包围基板的一个表面中包括半导体激光器的区域；以及
扩散板，覆盖由外壁包围的区域的上方。
(8)根据(1)至(7)中任一项的半导体激光驱动装置，还包括：
光电二极管，安装在基板的一个表面上，并被配置为监测从半导体激光器发射的激光的光强。
(9)根据(1)至(8)中任一项的半导体激光驱动装置，还包括：
连接端子，在基板的一个表面的相对表面上与外部连接。
(10)根据(9)的半导体激光驱动装置，其中，
连接端子由焊球、铜芯球、铜柱凸块和接合盘网格阵列中的至少一种形成。
(11)一种电子装置，包括：
基板，内置有激光驱动器；
半导体激光器，安装在基板的一个表面上；以及
连接布线，被配置为通过0.5纳亨以下的布线电感电连接激光驱动器和半导体激光器。
(12)一种制造半导体激光驱动装置的方法，方法包括：
在支撑板的上表面形成激光驱动器的过程；
形成激光驱动器的连接布线以形成内置有激光驱动器的基板的过程；以及
在基板的一个表面上安装半导体激光器并形成连接布线的过程，该连接布线经由连接布线通以0.5纳亨以下的布线电感电连接激光驱动器和半导体激光器。
附图标记列表
10、820 半导体激光驱动装置
100 基板
101 连接通孔
102 热通孔
110 支撑板
120 粘合树脂层
130 可剥离铜箔
131 载体铜箔
132 超薄铜箔
140、180 阻焊剂
150 布线图案
161～163 层间绝缘树脂
170～172 通孔
200 激光驱动器
210 I/O焊盘
220 保护绝缘层
230 表面保护膜
240 粘合层/种子层
250 光刻胶
260 铜接盘和铜布线层(RDL)
290 管芯附接膜(DAF)
300 半导体激光器
400 光电二极管
500 无源组件
600 侧壁
700 扩散板
800 电子装置
801 外壳
810 成像单元
830 快门按钮
840 电源按钮
850 控制单元
860 存储单元
870 无线通信单元
880 显示单元
890 电池。

Claims (12)

1.一种半导体激光驱动装置，包括：
基板，内置有激光驱动器；
半导体激光器，安装在所述基板的一个表面上；以及
连接布线，被配置为以0.5纳亨以下的布线电感电连接所述激光驱动器和所述半导体激光器。
2.根据权利要求1所述的半导体激光驱动装置，其中，
所述连接布线的长度为0.5毫米以下。
3.根据权利要求1所述的半导体激光驱动装置，其中，
经由设置在所述基板中的连接通孔来提供所述连接布线。
4.根据权利要求1所述的半导体激光驱动装置，其中，
所述半导体激光器的一部分设置在所述激光驱动器上方。
5.根据权利要求4所述的半导体激光驱动装置，其中，
所述半导体激光器的具有所述半导体激光器的50％以下面积的部分设置在所述激光驱动器上方。
6.根据权利要求1所述的半导体激光驱动装置，其中，
所述基板在安装所述半导体激光器的位置包括热通孔。
7.根据权利要求1所述的半导体激光驱动装置，还包括：
外壁，包围所述基板的所述一个表面中包括所述半导体激光器的区域；以及
扩散板，覆盖由所述外壁包围的区域的上方。
8.根据权利要求1所述的半导体激光驱动装置，还包括：
光电二极管，安装在所述基板的所述一个表面上并被配置为监测从所述半导体激光器发射的激光的光强。
9.根据权利要求1所述的半导体激光驱动装置，还包括：
连接端子，在所述基板的所述一个表面的相对表面上与外部连接。
10.根据权利要求9所述的半导体激光驱动装置，其中，
所述连接端子由焊球、铜芯球、铜柱凸块和接合盘网格阵列中的至少一种形成。
11.一种电子装置，包括：
基板，内置有激光驱动器；
半导体激光器，安装在所述基板的一个表面上；以及
连接布线，被配置为以0.5纳亨以下的布线电感电连接所述激光驱动器和所述半导体激光器。
12.一种制造半导体激光驱动装置的方法，所述方法包括：
在支撑板的上表面上形成激光驱动器的过程；
形成所述激光驱动器的连接布线以形成内置有所述激光驱动器的基板的过程；以及
在所述基板的一个表面上安装半导体激光器，并形成所述连接布线的过程，经由所述连接布线以0.5纳亨以下的布线电感电连接所述激光驱动器和所述半导体激光器。
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