CN111977942B - 熔融玻璃传送装置、玻璃制造装置及玻璃制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种熔融玻璃传送装置、玻璃制造装置及玻璃制造方法，本发明涉及一种熔融玻璃传送装置，具备：熔融玻璃用导管结构体，包括至少一根由铂或铂合金构成的导管；第一陶瓷结构体，设置在所述导管中的至少一根导管的周围；第二陶瓷结构体，设置在所述第一陶瓷结构体的周围；及第三陶瓷结构体，设置在所述第一陶瓷结构体与所述第二陶瓷结构体之间，所述第三陶瓷结构体具有气体流路，向所述气体流路供给200℃以上的气体。
Description
技术领域
本发明涉及熔融玻璃传送装置、玻璃制造装置及玻璃制造方法。
背景技术
玻璃制造装置具备熔化装置、澄清装置(包括减压脱泡装置、高温澄清装置)、成形装置、及将这些装置连结的熔融玻璃传送装置等。
熔融玻璃传送装置多使用铂或铂合金作为材质。铂或铂合金是熔点高且耐热性优异的耐热金属，此外，相对于熔融玻璃的反应性比其他的耐热金属低。而且，高温下的耐氧化性优异，即使在高温下也能够将强度确保一定程度。
然而，根据玻璃的组成的不同，当熔融玻璃与由铂或铂合金构成的铂材料接触时，有时会产生较多的气泡。由于熔融玻璃中包含的水分与铂材料接触而离解的情况，或者基于通过经由熔融玻璃流动的电流而诱发的电气分解进行离解的情况，以生成的氧为起因而形成该气泡。当在制造的玻璃中残留有气泡时，可能会导致玻璃的品质下降。
作为防止上述的气泡的产生的方法，专利文献1记载了一种闭环控制装置，该闭环控制装置具备将至少一个容器包围的密封容器，以将该容器的非玻璃接触表面的周围的氢分压维持为一定的水平以上的方式控制所述密封容器内的氢的分压。
【在先技术文献】
【专利文献】
【专利文献1】日本国特表2008-539160号公报
【发明要解决的课题】
然而，密封容器及闭环控制装置由于对其进行构筑用的投资费用及运行费用这两者高而成本高。
另外，向容器的非玻璃接触表面的周围供给的水蒸气等气体的温度最多不过120～150℃左右。因此，充满熔融玻璃的由铂或铂合金构成的导管(1300～1500℃左右)由于与该气体接触而其外表面被冷却，导管内的熔融玻璃产生温度差。由此，导管内的熔融玻璃的饱和氧溶解度产生差别，当在此形成电路时，一方面氧溶解，另一方面产生氧的气泡这样的氧化还原发生。担心该氧的气泡引起的玻璃的品质下降。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而作出的发明，其目的在于提供一种能够抑制从由铂或铂合金构成的导管的内部的熔融玻璃产生的气泡，并能够抑制玻璃制造费用的熔融玻璃传送装置、玻璃制造装置及玻璃制造方法。
【用于解决课题的方案】
本发明涉及一种熔融玻璃传送装置，具备：熔融玻璃用导管结构体，包括至少一根由铂或铂合金构成的导管；第一陶瓷结构体，设置在所述导管中的至少一根导管的周围；第二陶瓷结构体，设置在所述第一陶瓷结构体的周围；及第三陶瓷结构体，设置在所述第一陶瓷结构体与所述第二陶瓷结构体之间，所述第三陶瓷结构体具有气体流路，向所述气体流路供给200℃以上的气体。
【发明效果】
根据本发明的熔融玻璃传送装置、玻璃制造装置及玻璃制造方法，能够抑制从由铂或铂合金构成的导管内部的熔融玻璃产生的气泡，并抑制玻璃制造费用。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式的熔融玻璃传送装置的剖视图。
图2是用于说明图1中的熔融玻璃用导管结构体的I-I截面部分的气体供给系统的概略图。
图3(A)及图3(B)是图1所示的第一陶瓷结构体、第二陶瓷结构体及第三陶瓷结构体的放大剖视图，是表示第三陶瓷结构体中的气体流路的形态的图。
图4是用于说明第三陶瓷结构体中的气体流路的一形态的概略剖视图。
图5是用于说明气体流路的一形态的第三陶瓷结构体的立体图。
图6是用于说明第三陶瓷结构体中的气体流路的一形态的概略剖视图。
图7是用于说明第三陶瓷结构体中的气体流路的一形态的概略剖视图。
图8是表示本发明的第一实施方式的玻璃制造装置的图。
图9是表示本发明的第二实施方式的玻璃制造装置的图。
图10是表示本发明的第三实施方式的玻璃制造装置的图。
【标号说明】
1、1A 熔融玻璃传送装置
10 第一陶瓷结构体
20 第二陶瓷结构体
22 底部砖
30、30A、30B 第三陶瓷结构体
32A～32F 气体流路
40 熔融玻璃用导管结构体
41 主管
42、43 分支管
44 搅拌器
50 气体供给系统
51 气体生成装置
52 调节阀
54A～54D 供给管
56A、56B 排气管
60 构件
100 熔化装置
200 减压脱泡装置
250 澄清装置
300 成形装置
500、600、700 玻璃制造装置
G 熔融玻璃
GL 熔融玻璃水平
具体实施方式
以下，参照附图，说明用于实施本发明的方式。在本说明书中，表示数值范围的“～”是指包含其前后的数值的范围。
[熔融玻璃传送装置]
图1是表示本发明的一实施方式的熔融玻璃传送装置的剖视图。图2是用于说明图1所示的熔融玻璃传送装置中的熔融玻璃用导管结构体的I-I截面部分的气体供给系统的概略图。
熔融玻璃传送装置1具备熔融玻璃用导管结构体40、第一陶瓷结构体10、第二陶瓷结构体20、底部砖22、第三陶瓷结构体30，优选还具备气体供给系统50。
第三陶瓷结构体30具有气体流路(在图1及图2中未图示)，对第一陶瓷结构体10中使用的非定形耐火物进行支承。优选在第三陶瓷结构体30连结气体供给系统50中的供给管54A～54D、排气管56A、56B，能够使气体遍布气体流路。
熔融玻璃用导管结构体40包括至少一根由铂或铂合金构成的导管。在图1中，构成熔融玻璃用导管结构体40的导管是主管41及分支管42、43。在这些导管的周围设置第一陶瓷结构体10，在第一陶瓷结构体10的周围设置第二陶瓷结构体20。第三陶瓷结构体30设置在第一陶瓷结构体10与第二陶瓷结构体20之间。
熔融玻璃用导管结构体40优选具有：沿铅垂方向具有中心轴的主管41；与主管41连通并沿水平方向具有中心轴的两根分支管42、43。在图1所示的实施方式中，一根分支管42从主管41的下部侧方分支，另一根分支管43从主管41的上部侧方分支。主管41及分支管42、43都为圆筒状，使熔融玻璃G在内部流动。熔融玻璃G从分支管42流入，在主管41中向上流动，向分支管43流出。需要说明的是，两根分支管只要高度互不相同即可，也可以设置成熔融玻璃从主管41的上部侧方流入，在主管41中向下流动，向主管41的下部侧方流出。
构成熔融玻璃用导管结构体40的导管(主管41及分支管42、43)由铂或铂合金构成。铂合金例如为铂-金合金、铂-铑合金、铂-铱合金。而且，导管也可以使用使Al2O3、ZrO2、Y2O3那样的金属氧化物粒子分散在铂或铂合金中的强化铂。
熔融玻璃用导管结构体并不局限于图1所示的实施方式，可以仅由成为主管的一根导管构成，也可以由主管和分支管的两根以上的导管构成。而且，由第一陶瓷结构体覆盖的导管可以为主管，也可以为分支管，还可以将主管和分支管一起覆盖。
另外，也可以是将沿水平方向具有中心轴的导管设为主管的结构。在该情况下，熔融玻璃用导管结构体可以使用于后述的图9的第一供给管251、第二供给管252、第三供给管253、图10的第一传送管111、第二传送管112等。需要说明的是，该导管可以沿水平方向不延伸而倾斜，并不局限于直管，也可以是弯曲管。
在图1中，主管41在下端具有底壁2。在底壁2也可以设置将熔融玻璃G的一部分向外部排出的排出口。而且，主管41也可以在上端设置防止从熔融玻璃G的散热的盖构件。
主管41的内部的熔融玻璃G的高度(以下，称为“熔融玻璃水平GL”。)优选比分支管43的上端高。因此，分支管43的内部全部由熔融玻璃G充满。由此，在分支管43中，防止硼酸成分等从熔融玻璃表层部蒸发而熔融玻璃发生异质化的情况，进而能够防止玻璃产生波筋(条纹)等缺陷。
构成熔融玻璃用导管结构体40的导管(主管41及分支管42、43)的内径优选为50mm以上，更优选为100mm以上。而且，内径优选为500mm以下，更优选为450mm以下。而且，径向上的厚度优选为0.1mm以上，且优选为3mm以下。主管41的高度(轴向长度)优选为500mm以上，更优选为800mm以上。而且，高度优选为3000mm以下，更优选为2700mm以下。而且，分支管42、43的轴向长度优选为50mm以上，更优选为150mm以上。而且，轴向长度优选为1500mm以下，更优选为1300mm以下。需要说明的是，在如分支管42、43那样熔融玻璃用导管结构体包含多个分支管的情况下，这多个分支管的大小可以分别相同，也可以不相同。
在图1中，熔融玻璃用导管结构体40的两根分支管42、43在其一端侧分别与主管41连通。也可以是分支管42、43在其另一端侧还与另一主管连通的结构。
主管41不必要求其中心轴在严格的意义上为铅垂方向，也可以是其中心轴相对于铅垂方向倾斜一定程度的结构。而且，关于分支管42、43也同样地不必要求其中心轴在严格的意义上为水平方向，也可以是其中心轴相对于水平方向倾斜一定程度的结构。
主管41或分支管42、43也可以将在周向上360度连续的凸部及凹部沿轴向交替设置，形成蛇腹状的外形。
主管41也可以在内部设置用于搅拌熔融玻璃G的搅拌器。搅拌器的至少与熔融玻璃G接触的部分通过由铂或铂合金形成的材料构成。
第一陶瓷结构体10的通气率优选为1.0×10-13m2以上，更优选为1.0×10-11m2以上。而且，该通气率优选比第二陶瓷结构体20的通气率高。需要说明的是，在本说明书中，通气率是指遵照JIS R 2115：2008记载的方法而测定的值。
当第一陶瓷结构体10的通气率为1.0×10-13m2以上时，在第三陶瓷结构体30中的气体流路内流动的气体透过第一陶瓷结构体10，能够使气体遍布熔融玻璃用导管结构体40。此外，由于第一陶瓷结构体10的通气率比第二陶瓷结构体20的通气率高，因而能够抑制气体透过第二陶瓷结构体20的情况，因此能够削减气体供给量。特别是第一陶瓷结构体10的通气率为1.0×10-11m2以上时，由于比在第二陶瓷结构体20中优选使用的绝热砖(例如，后述的SP15、RB180，都为商品名，日本丸窑业株式会社制)的通气率高，因此能够使来自第三陶瓷结构体30的气体流路的气体高效地遍布熔融玻璃用导管结构体40。
第一陶瓷结构体10的平均开气孔率优选为20％以上，更优选为25％以上，而且，优选为60％以下，更优选为50％以下。在此，平均开气孔率通过基于阿基米德法或压汞计的测定能够求出。
当该平均开气孔率为20％以上时，能够防止第一陶瓷结构体10的耐热冲击性的下降。而且，当该平均开气孔率为60％以下时，能够防止对于熔融玻璃G的耐蚀性的下降。
第一陶瓷结构体10设置在充满熔融玻璃G的熔融玻璃用导管结构体40的周围，因此优选对于特别高温的熔融玻璃，具体而言，对于1450℃以上的熔融玻璃的耐蚀性优异。
优选在构成熔融玻璃用导管结构体40的导管(主管41及分支管42、43)与第一陶瓷结构体10之间实质上不存在间隙。具体而言，间隙优选小于0.5mm。由此，能够抑制从熔融玻璃G施加的膨胀压力引起的导管的变形。
第一陶瓷结构体10的在导管的径向上的厚度优选为15mm以上，更优选为20mm以上，而且，优选为50mm以下，更优选为40mm以下。当该厚度为15mm～50mm时，向构成熔融玻璃用导管结构体40的导管与第二陶瓷结构体20之间的间隙填充成为第一陶瓷结构体10的浆料体并使其烧结而形成第一陶瓷结构体10时的施工性优异。
第一陶瓷结构体10优选为在构成熔融玻璃用导管结构体40的导管与第二陶瓷结构体20之间的间隙填充有氧化铝浇注料那样的非定形的陶瓷材料而成的结构。根据上述的结构，在产生温度变化时，导管与第二陶瓷结构体20能够稍微相对移动，因此能够防止在导管产生裂纹。氧化铝浇注料是指以氧化铝(Al2O3)为主成分的浇注料耐火物，Al2O3含量优选为90重量％以上。可以取代氧化铝浇注料而还优选使用含有90质量％以上的SiO2的陶瓷材料或含有60质量％以上的ZrO2的陶瓷材料。
第二陶瓷结构体20的通气率优选小于1.0×10-11m2，更优选小于1.0×10-13m2。当第二陶瓷结构体20的通气率小于1.0×10-11m2时，能够抑制气体透过第二陶瓷结构体20的情况，能够削减气体供给量。特别是当第二陶瓷结构体20的通气率小于1.0×10-13m2时，通常比第一陶瓷结构体10的通气率低，能够更高效地削减气体供给量。
第二陶瓷结构体20优选使用以选自由氧化铝、氧化镁、锆石及硅石构成的组中的至少1个为主体的绝热砖。作为具体例，可列举硅石/氧化铝质绝热砖、氧化锆质绝热砖、氧化镁质绝热砖等。作为市售品，可列举SP-15(日本丸窑业株式会社制)、RB180(日本丸窑业株式会社制)、LBK3000(伊索来特(ISOLITE)工业株式会社制)等。
在图1所示的实施方式中，底部砖22设置在主管41的底壁2的下侧，对于主管41、在主管41的周围设置的第一陶瓷结构体10及第三陶瓷结构体30进行支承。底部砖22优选使用以选自由氧化铝、氧化镁、锆石及硅石构成的组中的至少1个为主体的绝热砖作为耐蚀性优异的砖。作为具体例，可列举氧化铝/锆石质绝热砖等。作为市售品，可列举硅石/氧化铝质绝热砖、ZM-C(AGC陶瓷株式会社制)、RB180(日本丸窑业株式会社制)等。
熔融玻璃传送装置1也可以取代底部砖22而在主管41的轴向上从上依次设置第一陶瓷结构体和第二陶瓷结构体。而且，也可以在第一陶瓷结构体与第二陶瓷结构体之间设置第三陶瓷结构体。
第三陶瓷结构体30位于第一陶瓷结构体10与第二陶瓷结构体20之间，具有气体流路。
第三陶瓷结构体30具有气体流路，从而能够抑制熔融玻璃与由铂或铂合金构成的导管接触而产生的气泡(以下，称为“氢透过泡”。)的生成。作为铂材料的导管的内部与外部的氢分压差越大，则氢透过泡越容易产生。相对于此，通过使气体遍布第三陶瓷结构体30或第一陶瓷结构体10而提高导管的外部的氢分压，通过减小氢分压差而能够抑制氢透过泡。在此，熔融玻璃中包含的水分越多(后述的β-OH值越高)，则导管的内部的氢分压越升高。
从使气体也遍布第三陶瓷结构体30的观点出发，第三陶瓷结构体30的通气率优选为1.0×10-12m2以上，更优选为1.0×10-11m2以上，进一步优选为1.0×10-10m2以上。
第三陶瓷结构体30与第一陶瓷结构体10及第二陶瓷结构体20可以接触，也可以不接触。而且，也可以是一部分的区域接触而其他的区域不接触。
第三陶瓷结构体30在第一陶瓷结构体10及第二陶瓷结构体20的至少一部分的区域接触，由此能够抑制从熔融玻璃G施加的膨胀压力引起的导管的变形。
在第三陶瓷结构体30与第一陶瓷结构体10及第二陶瓷结构体20在全部的区域接触的情况下，气体流路形成于第三陶瓷结构体30的内部(参照图3(A))。而且，在全部的区域为不接触的情况下，在第三陶瓷结构体30与第一陶瓷结构体10及第二陶瓷结构体20之间分别配置介有的另外的构件。而且，也可以在第三陶瓷结构体30的不接触的区域的至少一部分形成气体流路。
另外，在第三陶瓷结构体30与第一陶瓷结构体10或第二陶瓷结构体20在一部分的区域接触且在其他的区域不接触的情况下，在所述不接触的区域，也可以在第三陶瓷结构体30形成气体流路(参照图3(B))。而且，也可以与此同时或将其取代而设置所述另外的构件。
第三陶瓷结构体的在导管的径向上的厚度优选为5mm～20mm。当该厚度为5mm～20mm时，容易调整气体的透过速度，能够使气体高效地遍布第三陶瓷结构体30。
图3(A)及图3(B)是图1所示的第一陶瓷结构体、第二陶瓷结构体及第三陶瓷结构体的放大剖视图，是表示第三陶瓷结构体中的气体流路的形态的图。而且，图4、图6及图7是表示第三陶瓷结构体中的气体流路的一形态的图。图5是用于说明气体流路的一形态的、第三陶瓷结构体的立体图。
图3(A)所示的第三陶瓷结构体30A在其内部具有气体流路32A。这是第三陶瓷结构体与第一陶瓷结构体及第二陶瓷结构体接触时采取的形态。
图3(B)所示的第三陶瓷结构体30B与第二陶瓷结构体20的一部分不接触，在所述不接触的区域具有气体流路32B。而且，第三陶瓷结构体也可以与第一陶瓷结构体10的一部分不接触，在所述不接触的区域具有气体流路。
在气体流路形成于第三陶瓷结构体30的内部的情况下，气体流路的截面优选一条边为3mm～20mm的矩形形状或直径为3mm～20mm的圆形形状。而且，气体流路的截面尺寸优选为5mm2～400mm2。
在气体流路形成于第三陶瓷结构体30的表面的情况下，气体流路成为槽状。气体流路的形状没有特别限定，也可以是槽深度恒定的平面槽或槽深度不恒定的槽。槽深度不恒定的槽除了例如相对于槽侧方而槽中央部变深的三角槽或圆筒槽之外，也可以是相对于槽侧方而槽中央部变浅的形状。槽的宽度优选为3mm～20mm，槽的深度优选为3mm～20mm。
从气体流路的端部至相邻的气体流路的端部的距离优选为10mm～100mm。
从抑制自熔融玻璃施加的膨胀压力引起的导管的变形的观点出发，第三陶瓷结构体30优选具有至少一部分与第一陶瓷结构体10及第二陶瓷结构体20中的至少任一方接触的区域。而且，第三陶瓷结构体30更优选具有至少一部分与第一陶瓷结构体10及第二陶瓷结构体20这两方接触的区域。
第三陶瓷结构体30的气体流路优选沿导管的周向及轴向中的至少任一方的方向形成。
例如如图4所示，气体流路32C、32D沿导管的轴向形成。该气体流路优选形成2个以上并沿导管的周向隔开间隔设置。需要说明的是，气体流路32C在第三陶瓷结构体30中形成于与第二陶瓷结构体20不接触的区域。气体流路32D在第三陶瓷结构体30中形成于与第一陶瓷结构体10不接触的区域。
另外，气体流路32E沿导管的周向形成。该气体流路优选形成2个以上并沿导管的轴向隔开间隔地设置。需要说明的是，气体流路32E在第三陶瓷结构体30中形成于与第二陶瓷结构体20不接触的区域。即，气体流路32E形成于第三陶瓷结构体30的外侧表面(与第二陶瓷结构体20的交界)。
图4所示的气体流路一并存在有在与第一陶瓷结构体10不接触的区域形成的气体流路32D和在与第二陶瓷结构体20不接触的区域形成的气体流路32C。
此外，第三陶瓷结构体30的气体流路一并具有沿导管的周向形成的气体流路32E和沿导管的轴向形成的气体流路32C、32D。
气体流路在第三陶瓷结构体30的外侧的表面，即，在与第二陶瓷结构体20不接触的区域形成时的一例作为第三陶瓷结构体30的立体图如图5所示。
在图5中，沿导管的轴向形成的气体流路32C和沿导管的周向形成的气体流路32E分别形成各2条。这些气体流路32C、32E都连通，但也可以不连通而分别独立且按照气体流路与供给管连接来供给气体。而且，也可以是连通的气体流路与独立的气体流路并存。
气体流路优选具有2条以上的沿导管的轴向形成的气体流路32C或32D和2条以上的沿周向形成的气体流路32E或32F(参照图6)，它们连通而形成网眼状的气体流路。
另外，气体流路也可以在导管的表面形成为螺旋状。
在图6所示的第三陶瓷结构体30中，除了气体流路32D之外，气体流路32F沿导管的周向形成。气体流路32F形成于第三陶瓷结构体30的与第一陶瓷结构体10不接触的区域。即，气体流路32F形成于第三陶瓷结构体30的内侧表面(与第一陶瓷结构体10的交界)。在本实施方式中，气体流路32D与气体流路32F连通，但也可以不连通而独立且按照气体流路与供给管连接来供给气体。而且，也可以是连通的气体流路与独立的气体流路并存。
在设置气体流路时，如图7所示，也可以在第三陶瓷结构体30与第一陶瓷结构体10之间的至少一部分的区域还具备构件60。构件60设置成与第一陶瓷结构体10及第三陶瓷结构体30的至少一部分接触并覆盖气体流路32D的至少一部分。
构件60是在熔融玻璃传送装置的制造方法中，在形成了熔融玻璃用导管结构体40和第三陶瓷结构体30之后形成第一陶瓷结构体10时有用的形态。在该情况下，在第三陶瓷结构体30，在与第一陶瓷结构体10不接触的区域形成气体流路32D。而且，与气体流路32D一起或者取代气体流路32D而形成气体流路32F的情况下，上述形态也有用。即，在构件60设置成与第一陶瓷结构体10及第三陶瓷结构体30的至少一部分接触并覆盖气体流路32F的至少一部分的情况下，上述形态也有用。
在这样的制造方法中，先形成熔融玻璃用导管结构体40及第三陶瓷结构体30，通过在上述的间隙填充成为第一陶瓷结构体的浆料体并使其烧结而形成第一陶瓷结构体10。气体流路32D、32F形成于第三陶瓷结构体30的内侧的表面，即，形成于第一陶瓷结构体10侧的表面。因此，在填充浆料体时，不仅在所述间隙，而且在气体流路32D、32F也填充有浆料体，气体流路32D、32F可能会被闭塞。相对于此，利用构件60覆盖气体流路32D、32F的一部分而妨碍浆料体的流入，从而在填充浆料体时，能够防止气体流路32D、32F的闭塞。
构件60不仅覆盖第三陶瓷结构体30的气体流路，而且也覆盖其他的部分。而且，也可以在第一陶瓷结构体10与第三陶瓷结构体30之间的全部的区域具备构件60。需要说明的是，构件60不会妨碍气体的透过。此外，构件60以作为盖的方式设置于气体流路32D、32F，因此对于气体在气体流路中的流通不会造成任何妨碍。
构件60也可以是在熔融玻璃传送装置1中使用之际，在高温下熔融、气化那样的构件。而且，也可以是即使在高温下也不熔融、气化而残存那样的构件，在该情况下，可以优选使用陶瓷膜或耐热性纤维体。在此，耐热性在玻璃纤维的情况下是指玻璃纤维具有比使用温度高的软化点的意思，在陶瓷纤维的情况下是指陶瓷纤维具有比使用温度高的熔点的意思。
作为耐热性纤维体，优选包含玻璃纤维或陶瓷纤维，或者优选为这些纤维的集合体。其方式没有特别限定，可以是将多个纤维编织成布状的方式，也可以是将多个纤维缠绕成块状的方式。编织成布状的耐热性纤维体在柔性、加工性上优异。因此，也能够以沿着熔融玻璃用导管结构体40、第一陶瓷结构体10的形状那样的形态覆盖较宽的范围。
从能够更有效地防止成为第一陶瓷结构体10的浆料体向气体流路的流入的观点出发，包含玻璃纤维或陶瓷纤维的耐热性纤维体以氧化物基准的质量％表示计而更优选包含50％以上的SiO2。
同样，从防止浆料体的流入的观点出发，构件60的厚度优选为0.5mm以上。而且，当过厚时第一陶瓷结构体10或第三陶瓷结构体30的强度可能会下降，因此其厚度优选为20mm以下。需要说明的是，构件的厚度是指其平均值。
如图1及图2所示，熔融玻璃传送装置1优选还具备气体供给系统50。气体供给系统50优选具有生成气体的气体生成装置51、对生成的气体进行加热的气体加热装置、及将加热后的气体向所述气体流路供给的供给管54A～54D。更优选还具有将通过了所述气体流路的气体排出的排气管56A、56B。
在图1及图2中，气体供给系统50具有生成气体的气体生成装置51、调节气体的流量的调节阀52、将气体向第三陶瓷结构体30的气体流路供给的四根供给管54A～54D、将通过了第三陶瓷结构体30的气体流路的气体排出的两根排气管56A、56B。通过具有多个供给管54A～54D，能够使气体高效地遍布第三陶瓷结构体30的气体流路。需要说明的是，气体供给系统50可以对应于在第三陶瓷结构体30形成的气体流路的形态而适当变更供给管、排气管的根数、设置部位等。
气体生成装置51例如为了生成水蒸气而使用锅炉。而且，也可以与气体生成装置51一起或将其取代而使用填充有所希望的气体的气瓶。通过上述的形态，能够供给所希望的单体气体或混合气体。
需要说明的是，气体加热装置虽然未图示，但是生成的气体由气体加热装置加热，通过供给管54A～54D向气体流路导入。在气体加热装置中，以向气体流路供给的气体成为200℃以上的方式进行加热。
调节阀52优选在供给管54A～54D各设置1个，由此，能够独立地控制供给管54A～54D的气体供给量。
在本实施方式中，供给管54A～54D贯通第二陶瓷结构体20，与第三陶瓷结构体30的气体流路连接。而且，在从外部能够视觉辨认所述气体流路的端部的情况下，供给管54A～54D也可以不贯通第二陶瓷结构体20而直接与气体流路连接。
在图1中，供给管54A、54B的铅垂方向的位置为主管41的轴向中央部。供给管54C、54D的铅垂方向的位置为主管41的轴向下部。供给管54A、54C的水平方向的位置为熔融玻璃G的流动方向上游侧。供给管54B、54D的水平方向的位置为熔融玻璃G的流动方向下游侧。但是，供给管的配置根据气体流路而适当变更，没有限定为上述方式。
例如，在图1中，供给管的铅垂方向的位置也可以为主管41的轴向上部。而且，水平方向的位置也可以为图2的纸面上下方向(与熔融玻璃G的流动方向正交的方向)的上侧或下侧。
供给管54A～54D向第三陶瓷结构体30的气体流路供给的气体的温度为200℃以上。由此，即使在导管内部充满熔融玻璃G而成为高温的情况下，也能够抑制与导管内的熔融玻璃G被冷却的情况相伴的电气分解引起的气泡的产生。向气体流路供给的气体的温度优选为250℃以上。
另外，从利用不锈钢(SUS)等通用的金属构成配管的观点出发，气体的温度优选为600℃以下，更优选为550℃以下。
气体的种类只要能够抑制上述电气分解引起的气泡的产生即可，没有特别限定，可列举例如水蒸气(H2O)、N2、H2、O2、Ar、He、Ne、Xe、CO2、CO等。这些气体可以使用1种，也可以使用2种以上。
另外，除了电气分解之外，熔融玻璃中包含水分，该水分在形成导管的Pt界面处被分解而生成O2和H2，由此也会产生气泡(氧)。为了抑制该气泡(氧)的产生，优选提高导管外部的氢分压而避免氢分子(H2)通过导管。这样，为了提高导管外部的氢分压，向气体流路供给的气体优选包含氢原子，更优选使用包含水蒸气及H2中的至少任一方的气体。
此外，从抑制导管的铂或铂合金被氧化而成为PtO2的观点出发，向气体流路供给的气体优选包含非活性气体，更优选包含选自由N2、Ar、He、Ne、Xe及CO2构成的组中的至少1种气体。而且，除了包含上述氢原子的气体之外，更优选设为还包含非活性气体的混合气体。
供给管54A～54D向第三陶瓷结构体30的气体流路供给的气体压力优选为1Pa～24kPa，更优选为1kPa以下，进一步优选为50Pa以下。当该气体压力为1Pa以上时，能够使气体充分地遍布第三陶瓷结构体30的气体流路。而且，当该气体压力为24kPa以下时，主管41等的导管的外部压力不会过高，能够防止导管的变形。
图2所示的供给管在从气体生成装置51朝向第三陶瓷结构体30的气体流路的中途分支成供给管54A、54B。需要说明的是，没有限定为该方式，例如，与气体生成装置51和第三陶瓷结构体30的气体流路连接的供给管也可以不在中途分支而独立设置。
排气管56A、56B与供给管54A～54D同样地贯通第二陶瓷结构体20，并与第三陶瓷结构体30的气体流路连接。而且，在从外部能够视觉辨认所述气体流路的端部的情况下，排气管也可以不贯通第二陶瓷结构体20而与气体流路直接连接。
在图1中，排气管56A、56B的位置的铅垂方向的位置为主管41的轴向上部。排气管56A的水平方向的位置为熔融玻璃G的流动方向上游侧。排气管56B的水平方向的位置为熔融玻璃G的流动方向下游侧。但是，排气管的配置根据气体流路而适当变更，没有限定为上述方式。
例如，在图1中，排气管的铅垂方向的位置也可以为主管41的轴向中央部或下部。而且，水平方向的位置也可以为图2的纸面上下方向(与熔融玻璃G的流动方向正交的方向)的上侧或下侧。
排气管56A、56B优选设置在主管41内部的比熔融玻璃的高度(熔融玻璃水平GL)低的位置。这是因为，如果在比熔融玻璃水平GL高的位置设置排气管，则主管41的内部压力比外部压力减小，主管41可能会变形。
另外，在熔融玻璃用导管结构体40具有至少各一根的主管和分支管的情况下，优选供给管及排气管中的至少任一方设置在比主管41内部的熔融玻璃水平GL低的位置。需要说明的是，在此的主管41沿铅垂方向具有中心轴，与主管41连通的分支管沿水平方向具有中心轴。
供给管54A～54D及排气管56A、56B在贯通第二陶瓷结构体20的部分及与第三陶瓷结构体30的气体流路连接的部分优选为耐热性优异的绝缘管。熔融玻璃用导管结构体40有时也被通电加热，因此通过使用绝缘管，能够防止电流向供给管及排气管的流动。绝缘管优选使用陶瓷管，作为其具体例，可列举瓷管等。
熔融玻璃传送装置1能够使200℃以上的气体通过第三陶瓷结构体30的气体流路向熔融玻璃用导管结构体40的外部遍布。因此，能够抑制电气分解引起的气泡的产生。而且，当使用包含氢原子的气体时，即使在熔融玻璃中包含的水分多(后述的β-OH值高)的条件下制造玻璃，也能够抑制氢透过泡的形成。此外，当使用包含非活性气体的气体时，能够抑制PtO2形成。而且，不需要构筑现有技术所示那样的密封容器及闭环控制装置，因此能够抑制投资费用及运行费用这两方。
[玻璃制造装置及玻璃制造方法]
(第一实施方式)
图8是表示本发明的第一实施方式的玻璃制造装置的图。使用图8，说明本发明的第一实施方式的玻璃制造装置及玻璃制造方法。需要说明的是，图8省略了配置于熔融玻璃传送装置1、1A、上升管202及下降管203的周围并将它们绝热包覆的绝热用砖等绝热材料。
玻璃制造装置500具备熔化装置100、减压脱泡装置200、成形装置300及熔融玻璃传送装置1、1A。熔融玻璃传送装置1A设置在熔化装置100与减压脱泡装置200之间，将熔化装置100与减压脱泡装置200连接。而且，熔融玻璃传送装置1设置在减压脱泡装置200与成形装置300之间，将减压脱泡装置200与成形装置300连接。
熔化装置100具备被供给玻璃原料的熔化槽104和用于对玻璃原料进行熔融的燃烧器102。燃烧器102通过将天然气或重油等燃料与气体混合并燃烧而形成火焰，通过将火焰朝向玻璃原料放射而从上方对玻璃原料进行加热。
在此，将主要使用空气作为气体的燃烧器称为空气燃烧燃烧器，将主要使用氧作为气体的燃烧器称为氧燃烧燃烧器。氧燃烧燃烧器与空气燃烧燃烧器相比排气量少，因此在热效率高且CO2排出量、NOx排出量少的点上优异。燃烧器102优选设置多个。可以全部使用氧燃烧燃烧器，也可以并用氧燃烧燃烧器和空气燃烧燃烧器。
减压脱泡装置200具备减压脱泡槽201、上升管202、下降管203及减压壳体204。
设为圆筒形状的减压脱泡槽201以其长轴配向成水平方向的方式收纳配置于减压壳体204内。在减压脱泡槽201的一端的下表面安装有配向成垂直方向的上升管202，在另一端的下表面安装有下降管203。上升管202及下降管203的一部分位于减压壳体204内。
上升管202与减压脱泡槽201连通，将来自熔化槽104的熔融玻璃G经由熔融玻璃传送装置1A向减压脱泡槽201导入。下降管203与减压脱泡槽201连通，将减压脱泡后的熔融玻璃G经由熔融玻璃传送装置1向成形装置300导出。在减压壳体204内，在减压脱泡槽201、上升管202及下降管203的周围配置将它们绝热包覆的绝热用砖等绝热材料。
减压脱泡槽201、上升管202及下降管203是熔融玻璃的导管，因此使用耐热性及对于熔融玻璃的耐蚀性优异的材料制造。列举一例的话，为铂制、铂合金制、或者使金属氧化物分散在铂或铂合金中而成的强化铂制。而且，也可以为陶瓷系的非金属无机材料制，即，致密质耐火物制。而且，还可以是在致密质耐火物内衬有铂或铂合金的结构。
在成形装置300中，对熔融玻璃G进行成形，得到规定形状的成形玻璃。成形玻璃在被缓冷之后，根据需要进行切断、加工而成为产品。
成形装置300为了得到玻璃板作为产品而使用浮法成形装置或熔化成形装置。浮法成形装置是向浴槽内的熔融锡的浴面连续供给熔融玻璃而成形为带板状的装置。熔化成形装置是向截面大致V字状的桶的内部连续供给熔融玻璃，使从桶向左右两侧溢出的熔融玻璃在桶的下缘汇合而成形为带板状的装置。
成形装置300为了得到玻璃容器或玻璃管作为产品，使用基于吹塑法、风箱法、下拉法或冲压法作为成形方法的成形装置。
熔融玻璃传送装置1对应于前述的图1所示的熔融玻璃传送装置1而具备主管41、分支管42、43及搅拌器44。主管41在内部设有用于对熔融玻璃G进行搅拌的搅拌器44。分支管42与下降管203连接，将熔融玻璃G向主管41传送。分支管43与成形装置300连接，将熔融玻璃G向成形装置300传送。
熔融玻璃传送装置1A具备主管41A、分支管42A、43A及搅拌器44。熔融玻璃传送装置1A以熔融玻璃G从主管41A的上部侧方流入并在主管41A内向下流动而向主管41A的下部侧方流出的方式，设置分支管42A、43A，在这一点上与熔融玻璃传送装置1不同，但是其他的装置结构共通。
需要说明的是，玻璃制造装置500只要熔融玻璃传送装置1及熔融玻璃传送装置1A中的至少任一方具备第三陶瓷结构体30及气体供给系统50即可，另一方也可以是不具备第三陶瓷结构体30及气体供给系统50的结构。向该第三陶瓷结构体30的气体流路供给200℃以上的气体。
玻璃制造装置也可以取代减压脱泡装置200而使用高温澄清类型的澄清装置(以下，称为“高温澄清装置”。)(作为第二实施方式而详情后述。)。高温澄清装置是以如下方式运行的装置：为了高效地进行脱泡，将在澄清槽中流动的熔融玻璃的温度设定得尽可能高而降低熔融玻璃的粘性，增大泡的生长速度而使泡的直径增大，从而提高泡的上浮速度，能够脱泡。
本发明的第一实施方式的玻璃制造方法使用玻璃制造装置500，通过利用熔化装置100将玻璃原料熔融而制造熔融玻璃G，利用减压脱泡装置200对熔融玻璃G进行脱泡处理，利用成形装置300得到规定形状的成形玻璃。成形玻璃在缓冷之后，根据需要被切断而成为产品(例如玻璃板)。
(第二实施方式)
图9是表示本发明的第二实施方式的玻璃制造装置的图。使用图9，说明本发明的第二实施方式的玻璃制造装置及玻璃制造方法。在此，熔化装置100、成形装置300及熔融玻璃传送装置1A关于与第一实施方式的记载重复的部分省略说明。需要说明的是，图9省略了配置在澄清装置250、熔融玻璃传送装置1A、第一供给管251、第二供给管252及第三供给管253的周围并将它们绝热包覆的绝热用砖等绝热材料。
玻璃制造装置600具备熔化装置100、澄清装置250、成形装置300及熔融玻璃传送装置1A。熔融玻璃传送装置1A优选设置于熔化装置100与澄清装置250之间、及澄清装置250与成形装置300之间中的至少任一方。
作为玻璃制造方法，依次包括熔化工序、澄清工序及成形工序，在熔化工序与澄清工序之间、以及澄清工序与成形工序之间中的至少任一方还包括熔融玻璃传送工序。在熔融玻璃传送工序中，使用熔融玻璃传送装置1A，向熔融玻璃传送装置1A中的第三陶瓷结构体的气体流路供给200℃以上的气体。
在图9中，玻璃制造装置600具备熔化装置100、澄清装置250、成形装置300、熔融玻璃传送装置1A、第一供给管251、第二供给管252及第三供给管253。
第一供给管251将熔化装置100与澄清装置250连接。熔融玻璃传送装置1A设置在澄清装置250与成形装置300之间。第二供给管252将澄清装置250与熔融玻璃传送装置1A连接。第三供给管253将熔融玻璃传送装置1A与成形装置300连接。
在熔化装置100中，利用燃烧器102将玻璃原料加热，得到例如1500℃～1630℃的熔融玻璃G。熔化槽104的熔融玻璃G流过第一供给管251而向澄清装置250供给。
在澄清装置250中，调整熔融玻璃G的温度，将熔融玻璃G中包含的气体成分除去。澄清装置250优选为高温澄清装置。在该情况下，熔融玻璃G升温至例如1500℃～1700℃。澄清后的熔融玻璃G流过第二供给管252而向熔融玻璃传送装置1A供给。
在熔融玻璃传送装置1A中，利用搅拌器44搅拌熔融玻璃G，实现熔融玻璃G的成分的均质化。主管41A内的熔融玻璃G的温度例如为1250℃～1450℃。主管41A内的熔融玻璃G的粘度例如为500泊～1300泊。均质化后的熔融玻璃G向第三供给管253流入，在第三供给管253之中流动的过程中，一边被控制温度一边被冷却，而向成形装置300供给。
需要说明的是，在图9中，省略熔融玻璃传送装置1A的分支管42A、43A，但是分支管42A、43A分别与第二供给管252、第三供给管253连接。
(第三实施方式)
图10是表示本发明的第三实施方式的玻璃制造装置的图。使用图10，说明本发明的第三实施方式的玻璃制造装置及玻璃制造方法。在此，熔化装置100、成形装置300及熔融玻璃传送装置1A关于与第一实施方式的记载重复的部分省略说明。需要说明的是，图10省略了配置在熔融玻璃传送装置1A、第一传送管111及第二传送管112的周围并将它们绝热包覆的绝热用砖等绝热材料。
玻璃制造装置700具备熔化装置100、成形装置300、熔融玻璃传送装置1A、第一传送管111及第二传送管112。熔融玻璃传送装置1A设置在熔化装置100与成形装置300之间。第一传送管111将熔化装置100与熔融玻璃传送装置1A连接。第二传送管112将熔融玻璃传送装置1A与成形装置300连接。
在熔化装置100中，利用燃烧器102将玻璃原料加热，得到熔融玻璃G。熔融玻璃G由熔化槽104实施澄清处理。在此，钠钙玻璃或碱硼硅酸玻璃等的含碱玻璃即使不具备第一实施方式的减压脱泡装置200或第二实施方式的澄清装置250，也能够利用熔化槽104进行澄清处理。澄清后的熔融玻璃G流过第一传送管111而向熔融玻璃传送装置1A供给。
在熔融玻璃传送装置1A中，利用搅拌器44搅拌熔融玻璃G，实现熔融玻璃G的成分的均质化。均质化后的熔融玻璃G向第二传送管112流入，在第二传送管112之中流动的过程中，一边被控制温度一边被冷却，而向成形装置300供给。
需要说明的是，在图10中，省略熔融玻璃传送装置1A的分支管42A、43A，但是分支管42A、43A分别与第一传送管111、第二传送管112连接。
(玻璃)
通过具备上述熔融玻璃传送装置的玻璃制造装置制造的玻璃根据需要被切断、加工，成为例如玻璃板的产品。作为产品的玻璃板在使用于各种显示器用玻璃基板的情况下，优选为无碱玻璃基板。无碱玻璃是指实质上不含有Na2O、K2O等碱金属氧化物的玻璃。实质上不含有是指碱金属氧化物的含量的总量为0.1质量％以下。
玻璃板优选以氧化物基准的质量％表示计，由含有
SiO2：54～66％
Al2O3：10～23％
B2O3：0～12％
MgO：0～12％
CaO：0～15％
SrO：0～16％
BaO：0～15％
MgO+CaO+SrO+BaO：8～26％
的无碱玻璃构成。
得到的玻璃的β-OH值优选为0.15mm-1～0.5mm-1，更优选为0.25mm-1以上，进一步优选为0.35mm-1以上。β-OH值是作为玻璃中的水分量的指标而使用的值。
当玻璃的β-OH值为0.15mm-1～0.5mm-1时，减压脱泡装置或澄清装置内的熔融玻璃中包含的气泡容易生长，能促进脱泡处理或澄清处理。而且，当该β-OH值为0.35mm-1以上时，能够提高燃烧器燃烧的氧燃烧比率，抑制废气的生成，因此能够降低玻璃制造的运行费用。
切断将脱泡处理后或澄清处理后的熔融玻璃成形为板状的玻璃试验片或玻璃容器等，使用傅里叶变换红外分光光度计(FT-IR)测定利用研磨机加工成板状的玻璃试验片的透过率，通过下述式能够求出β-OH值。
β-OH值＝(1/X)log10(T1/T2)
X：玻璃板厚(mm)
T1：参照波数4000cm-1下的透过率(％)
T2：氢氧基吸收波数3570cm-1附近的最小透过率(％)
β-OH值受到玻璃原料中的水分量、熔化槽中的水蒸气浓度、熔化槽中的燃烧器燃烧方法(氧燃烧、空气燃烧)等的影响。特别是通过调整燃烧器燃烧方法，能够简便地调整β-OH值。具体而言，为了提高β-OH值而提高燃烧器燃烧的氧燃烧比率，为了降低β-OH值而提高燃烧器燃烧的空气燃烧比率。
玻璃板在作为显示器用的罩盖玻璃使用的情况下，优选为化学强化用玻璃。对化学强化用玻璃进行了化学强化处理后的化学强化玻璃作为罩盖玻璃使用。化学强化处理通过将玻璃表面中包含的碱离子中的离子半径小的离子(例如Na离子)置换成离子半径大的离子(例如K离子)而形成距玻璃表面为规定的深度的压缩应力层。
玻璃板在作为窗玻璃或车辆用玻璃使用的情况下，优选为钠钙玻璃。
作为产品的玻璃在作为烧杯等玻璃制物理学和化学设备或玻璃容器等耐热烹饪器具使用的情况下，优选为硼硅酸玻璃。
【实施例】
以下，使用实施例及比较例进一步说明本发明。需要说明的是，本发明没有限定为上述的记载。
[实验例1、2及比较例1]
使用图8所示的玻璃制造装置500，关于增多熔融玻璃中的水分量时产生的气泡，按照向第三陶瓷结构体的气体流路供给的气体的温度进行了评价。需要说明的是，该气泡是熔融玻璃与作为导管的铂材料接触而产生的气泡。
玻璃制造装置500中的熔融玻璃传送装置1是在主管41及分支管42、43的周围依次设有第一陶瓷结构体10、第三陶瓷结构体30及第二陶瓷结构体20的构造。第三陶瓷结构体30中的气体流路设置在与第一陶瓷结构体不接触的区域，沿主管41的轴向设置40条，沿主管41的周向设置15条。各气体流路连通。气体流路以20mm～70mm间距设置。
需要说明的是，气体流路设为每一条为2mm左右的宽度的平面槽。槽的深度为2mm左右。
熔融玻璃传送装置1中的第一陶瓷结构体10、第二陶瓷结构体20、第三陶瓷结构体30的通气率分别为5.7×10-13m2、2.2×10-12m2、9.9×10-12m2。
在熔融玻璃传送装置1中，利用气体供给系统50向第三陶瓷结构体30的气体流路供给了水蒸气。此时的水蒸气的供给温度及供给压力如表1所示。需要说明的是，在本实施例中，熔融玻璃传送装置1A不具备第三陶瓷结构体30及气体供给系统50。
通过利用熔化槽104将无碱玻璃组成的玻璃原料熔融而制造熔融玻璃G，利用减压脱泡装置200对熔融玻璃G进行脱泡处理，利用浮法将熔融玻璃成形为带板状的玻璃带，对玻璃带进行缓冷并切断，得到了板厚为0.50mm的玻璃板(实施例1、2及比较例1)。
实施例1、2及比较例1的玻璃组成以氧化物基准的质量％表示计为SiO2：59.8％，Al2O3：17.2％，B2O3：7.8％，MgO：3.1％，CaO：4.1％，SrO：7.7％，BaO：0.1％，Cl：0.2％。
另外，通过前述的方法求出了得到的玻璃板的β-OH值。结果如表1所示。
对于得到的玻璃板，在暗室之中从玻璃板侧面照射光，通过对玻璃板主表面进行检查的边缘光检查，研究尺寸超过20μm的泡缺陷的个数，算出了所述泡缺陷的密度。在此，泡缺陷的密度是指玻璃板主表面的每单位面积(m2)的泡缺陷的个数。结果如表1所示。
【表1】
表1
| 实施例1 | 实施例2 | 比较例1 | |
| 水蒸气的供给温度(℃) | 300 | 500 | 120 |
| 水蒸气的供给压力(Pa) | 5 | 5 | 5 |
| 板厚(mm) | 0.5 | 0.5 | 0.5 |
| β-OH值(mm-1) | 0.34 | 0.34 | 0.29 |
| 尺寸超过20μm的泡缺陷的密度(个/m2) | 0.02 | 0.02 | 1 |
根据上述结果，根据本发明，通过使向气体流路供给的气体的供给温度成为200℃以上，与气体供给温度为120℃的情况相比，能够使尺寸超过20μm的泡缺陷的密度成为1/50。
由于能够抑制该泡缺陷的形成，从而可知能够有效地抑制得到的玻璃产品的品质下降。
虽然详细地而且参照特定的实施方式地说明了本发明，但是不脱离本发明的主旨和范围而能够施加各种变更、修正的情况对于本领域技术人员来说不言自明。
本申请基于在2019年5月22日提出申请的日本专利申请2019-096279，并将其内容作为参照而援引于此。
【工业实用性】
制造的玻璃的用途可列举建筑用、车辆用、液晶显示器用、有机EL显示器用、罩盖玻璃用、物理学和化学设备用、烹饪器具用、或其他的各种用途。
Claims (18)
1.一种熔融玻璃传送装置，具备：
熔融玻璃用导管结构体，包括至少一根由铂或铂合金构成的导管；
第一陶瓷结构体，设置在所述导管中的至少一根导管的周围；
第二陶瓷结构体，设置在所述第一陶瓷结构体的周围；及
第三陶瓷结构体，设置在所述第一陶瓷结构体与所述第二陶瓷结构体之间，
所述第三陶瓷结构体具有气体流路，向所述气体流路供给200℃以上的气体。
2.根据权利要求1所述的熔融玻璃传送装置，其中，
所述气体为600℃以下。
3.根据权利要求1或2所述的熔融玻璃传送装置，其中，
所述气体是包含氢原子的气体。
4.根据权利要求3所述的熔融玻璃传送装置，其中，
所述气体是还包含非活性气体的混合气体。
5.根据权利要求1或2所述的熔融玻璃传送装置，其中，
所述第三陶瓷结构体在内部具有所述气体流路。
6.根据权利要求1或2所述的熔融玻璃传送装置，其中，
所述第三陶瓷结构体与所述第一陶瓷结构体及所述第二陶瓷结构体中的至少任一方的至少一部分不接触，在不接触的区域具有所述气体流路。
7.根据权利要求1或2所述的熔融玻璃传送装置，其中，
所述气体流路沿所述导管中的至少一根导管的周向及轴向中的至少任一方的方向形成。
8.根据权利要求7所述的熔融玻璃传送装置，其中，
所述气体流路沿所述轴向形成有两个以上，且沿所述周向隔开间隔地形成。
9.根据权利要求7所述的熔融玻璃传送装置，其中，
所述气体流路沿所述周向形成有两个以上，且沿所述轴向隔开间隔地形成。
10.根据权利要求1或2所述的熔融玻璃传送装置，其中，
所述熔融玻璃传送装置在所述第一陶瓷结构体与所述第三陶瓷结构体之间的至少一部分的区域还具备构件，
所述构件设置成与所述第一陶瓷结构体及所述第三陶瓷结构体接触，并覆盖所述气体流路的至少一部分。
11.根据权利要求10所述的熔融玻璃传送装置，其中，
所述构件包含玻璃纤维或陶瓷纤维，以氧化物基准的质量%表示，SiO2含量为50%以上。
12.根据权利要求10所述的熔融玻璃传送装置，其中，
所述构件的厚度为0.5mm以上。
13.根据权利要求1或2所述的熔融玻璃传送装置，其中，
所述熔融玻璃传送装置还具备气体供给系统，
所述气体供给系统具有生成气体的气体生成装置、对生成的所述气体进行加热的气体加热装置以及将加热后的所述气体向所述气体流路供给的供给管。
14.根据权利要求13所述的熔融玻璃传送装置，其中，
所述气体供给系统还具有将通过了所述气体流路的所述气体排出的排气管。
15.根据权利要求14所述的熔融玻璃传送装置，其中，
所述熔融玻璃用导管结构体具有至少各一根的主管和分支管作为所述导管，所述主管在铅垂方向上具有中心轴，所述分支管与所述主管连通并在水平方向上具有中心轴，
所述供给管及所述排气管中的至少任一方设置在比所述主管中充满的熔融玻璃的高度低的位置。
16.一种玻璃制造装置，具备熔化装置、澄清装置及成形装置，其中，
所述玻璃制造装置还具备权利要求1~15中任一项所述的熔融玻璃传送装置，
在所述熔化装置与所述澄清装置之间及所述澄清装置与所述成形装置之间中的至少任一方设置有所述熔融玻璃传送装置。
17.一种玻璃制造方法，依次包括熔化工序、澄清工序及成形工序，其中，
所述玻璃制造方法在所述熔化工序与所述澄清工序之间以及所述澄清工序与所述成形工序之间中的至少任一方还包括熔融玻璃传送工序，
在所述熔融玻璃传送工序中，使用权利要求1~15中任一项所述的熔融玻璃传送装置，向所述熔融玻璃传送装置中的第三陶瓷结构体的气体流路供给200℃以上的气体。
18.根据权利要求17所述的玻璃制造方法，其中，
得到的玻璃的β-OH值为0.15mm-1~0.5mm-1。
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| GR01 | Patent grant | ||
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