CN111976039B - 一种无损耗电感的纳米晶圆刀冲压方法 - Google Patents

一种无损耗电感的纳米晶圆刀冲压方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111976039B
CN111976039B CN202010840813.7A CN202010840813A CN111976039B CN 111976039 B CN111976039 B CN 111976039B CN 202010840813 A CN202010840813 A CN 202010840813A CN 111976039 B CN111976039 B CN 111976039B
Authority
CN
China
Prior art keywords
shaft
press
feeding
cutter
nano
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010840813.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111976039A (zh
Inventor
王春生
庞从武
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Anjie Technology Co Ltd
Original Assignee
Suzhou Anjie Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou Anjie Technology Co Ltd filed Critical Suzhou Anjie Technology Co Ltd
Priority to CN202010840813.7A priority Critical patent/CN111976039B/zh
Publication of CN111976039A publication Critical patent/CN111976039A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111976039B publication Critical patent/CN111976039B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0064—Devices for the automatic drive or the program control of the machines
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Perforating, Stamping-Out Or Severing By Means Other Than Cutting (AREA)

Abstract

本发明一种无损耗电感的纳米晶圆刀冲压方法，通过纳米晶圆刀冲压装置进行冲压，纳米晶圆刀冲压装置包括沿走料方向依次平行排布的十四根压轴，第四压轴底轴与第七压轴上轴降低轴面，与其它轴面和料带不接触；纳米晶走料方式为从下料开始全程直走，无弯折走料。本发明提供的无损耗电感的纳米晶圆刀冲压方法，将常规压轴换成与料带不接触的降面轴，减少压轴对纳米晶造成的压力，避免碎磁，纳米晶走料始终保持直线走料，底轴叠刀，有效避免因角度弯折拉料造成的碎磁等，走料更为平稳，减少不良外观现象，纳米晶走料全程降低各压轴之间的张力，避免张力过大造成碎磁，共通过14根轴即可满足制程需求，比常规采用的16根轴少用2轴，降低成本。

Description

一种无损耗电感的纳米晶圆刀冲压方法
技术领域
本发明属于模切技术领域，具体涉及一种无损耗电感的纳米晶圆刀冲压方法。
背景技术
模切产品在汽车制造领域、电子行业领域等得到迅猛发展，随着经济社会的快速发展，模切方法从传统的对印刷品的模切逐渐扩展到对电子产品的辅助材料的生产，例如通过模切工艺制备用于电子产品粘结、绝缘材料、防尘、防震、绝缘、屏蔽的胶粘制品和膜类制品。如图1所示，现有冲压工艺对纳米晶进行冲压时，需要采用16根刀轴，具体步骤如下：
第一轴L36Y23L8-004E下料，第二轴冲压无胶区A刀并收卷自带膜废边；第三轴下料FTBM005SP-ESD，并收卷自带膜废边；第四轴为叠刀冲压完纳米晶后与冲压完A刀的L36Y23L8-004E复合；第五轴冲压纳米晶外形B刀，并收卷废边；第六轴叠刀下料纳米晶加底膜料带AJ-0502并收卷自带膜；第七轴收卷AJ0502、纳米晶自带膜；第八轴用封箱胶带沾去多余的废料后与纳米晶复合；第九轴叠刀下料JZ24R1-5PEW+FTBM005SP-ESD+T5025-002G复合料后冲压导热膜C刀并排去废料；第十轴收卷T5025-002G；第十一轴复合轻膜AJ-6-025W6；第十二轴冲压产品成型刀D刀并排去废边；第十三轴下料封箱胶带并排去剩余的废边；第十四轴下料pet5005；第十五轴冲压E刀切片；第十六轴收取产品。圆刀在切料过程中，压轴会压到纳米晶造成二次碎磁，降低了纳米晶电感，而且采用弯折走料方式，不良率较高，成本较为高昂。
发明内容
为解决现有技术中存在的技术问题，本发明的目的在于提供一种无损耗电感的纳米晶圆刀冲压方法。
为实现上述目的，达到上述技术效果，本发明采用的技术方案为：
一种无损耗电感的纳米晶圆刀冲压方法，通过纳米晶圆刀冲压装置进行冲压，所述纳米晶圆刀冲压装置包括沿走料方向依次平行排布的十四根压轴，包括第一压轴、第二压轴、第三压轴、第四压轴、第五压轴、第六压轴、第七压轴、第八压轴、第九压轴、第十压轴、第十一压轴、第十二压轴和第十三压轴，第四压轴底轴与第七压轴上轴降低轴面，与其它轴面和料带不接触；
纳米晶走料方式为从下料开始全程直走，无弯折走料；
所述冲压方法包括以下步骤：
步骤一、第一压轴上料纳米晶，收卷自带膜，纳米晶底面自带膜复合AJ-0502料带；
步骤二、第二压轴冲压纳米晶外形A刀，收卷冲切后的废边；
步骤三、第四压轴采用降面轴，底轴为空轴，上轴叠刀下复合料FT BM005SP-ESD并冲压导热膜FT BM005SP-ESD外形B刀后收卷废料；
步骤四、第三压轴作为叠刀复合FT BM005SP-ESD外形轴，下料封箱胶带，收卷多余的废料；
步骤五、第五压轴收卷AJ-0502料带以及纳米晶自带膜；
步骤六、第七压轴上轴采用降面轴，下轴为C刀冲压L36Y23L8-004E无胶区，从最底轴复合料带3601-LL叠刀上料并冲压无胶区后收卷纳米晶自带膜废边；
步骤七、第六压轴下料FTBM005SP-ESD，并收卷纳米晶自带膜废边后与纳米晶贴合走料；
步骤八、第八压轴收卷T5025-002G；
步骤九、第九压轴复合轻膜；
步骤十、第十压轴冲压产品成型刀D刀并排去废边；
步骤十一、第十一压轴下料封箱胶带并排去剩余的废边；
步骤十二、第十二压轴下料PET5005；
步骤十三、第十三压轴冲压E刀切片，随后通过第十四压轴收取产品。
进一步的，步骤二中，第二压轴冲压纳米晶外形A刀，通过二条5mm宽的PT253收卷冲切后的废边。
进一步的，步骤三中，第四压轴叠刀下料JZ24R1-5PEW FTBM005SP-ESD T5025-002G复合料并冲压导热膜FTBM005SP-ESD外形B刀后收卷废料。
进一步的，步骤六中，第七压轴从底轴叠刀上料L36Y23L8-004E及料带3601-LL并冲压无胶区后收卷自带膜废边。
进一步的，步骤九中，第九压轴复合轻膜AJ-6-025W6。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：
本发明公开了一种无损耗电感的纳米晶圆刀冲压方法，通过纳米晶圆刀冲压装置进行冲压，纳米晶圆刀冲压装置包括沿走料方向依次平行排布的十四根压轴，包括第一压轴、第二压轴、第三压轴、第四压轴、第五压轴、第六压轴、第七压轴、第八压轴、第九压轴、第十压轴、第十一压轴、第十二压轴和第十三压轴，第四压轴底轴与第七压轴上轴降低轴面，与其它轴面和料带不接触；纳米晶走料方式为从下料开始全程直走，无弯折走料。本发明提供的无损耗电感的纳米晶圆刀冲压方法，将常规压轴换成与料带不接触的降面轴，减少压轴对纳米晶造成的压力，避免碎磁，纳米晶由常规叠刀下料工艺改为直线走料，底轴叠刀，纳米晶走料始终保持直线走料，有效避免因角度弯折拉料造成的碎磁等，走料更为平稳，减少了不良外观现象，纳米晶走料全程降低各个压轴之间的张力，避免张力过大造成碎磁，共通过14根轴就可以满足制程需求，比常规采用的16根轴少用2轴，降低成本。
附图说明
图1为现有技术的冲压方法图；
图2为本发明的冲压方法图。
具体实施方式
下面对本发明的实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
如图2所示，一种无损耗电感的纳米晶圆刀冲压方法，通过纳米晶圆刀冲压装置进行冲压，所述纳米晶圆刀冲压装置包括沿走料方向依次平行排布的十四根压轴，包括第一压轴、第二压轴、第三压轴、第四压轴、第五压轴、第六压轴、第七压轴、第八压轴、第九压轴、第十压轴、第十一压轴、第十二压轴和第十三压轴，第四压轴底轴与第七压轴上轴降低轴面，与其它轴面和料带不接触；
纳米晶走料方式为从下料开始全程直走，无弯折走料；
冲压方法包括以下步骤：
第一压轴上料纳米晶，并排去自带膜，纳米晶底面自带膜复合AJ-0502料带。第二压轴冲压纳米晶外形A刀，新通过二条5mm宽的PT253收卷冲切后的废边。第四压轴采用降面轴，底轴为空轴，上轴叠刀下复合料FT BM005SP-ESD并冲压导热膜FT BM005SP-ESD外形B刀后收卷废料。第三压轴作为叠刀复合FT BM005SP-ESD外形轴，下料封箱胶带，收卷多余的废料。第五压轴收卷AJ-0502料带以及纳米晶自带膜，其中Aj-0502可重复利用一次。第七压轴最上面轴采用降面轴，下轴为C刀冲压L36Y23L8-004E无胶区，从最底轴复合料带3601-LL叠刀上料并冲压无胶区后收卷纳米晶自带膜废边。第六压轴下料FTBM005SP-ESD，并收卷纳米晶自带膜废边后与纳米晶贴合走料。第八轴收卷T5025-002G，第九轴复合轻膜AJ-6-025W6；第十压轴冲压产品成型刀D刀并排去废边；第十一压轴下料封箱胶带并排去剩余的废边；第十二压轴下料pet5005；第十三压轴冲压E刀切片；第十四压轴收取产品。
与现有技术相比，本发明创造性设计了第一压轴至第七压轴。
现有第一轴下料L36Y23L8-004E，第二轴冲压无胶区，而本发明的第一压轴下料纳米晶，第二轴冲压纳米晶外形；现有第三轴下料FTBM005SP-ESD，而改善后则第三压轴则作为叠刀复合FTBM005SP-ESD外形轴；现有第四轴为L36Y23L8-004E与纳米晶叠刀复合轴，改善后则底轴为空轴，并B刀叠刀冲压FTBM005SP-ESD外形；现有第五轴为冲压纳米晶外形轴，本发明的第五压轴为收卷纳米晶底膜与底膜AJ-0502；现有第六轴为下料纳米晶与底膜AJ-0502轴，本发明的第六压轴为复合导热膜FTBM005SP-ESD的L36Y23L8-004E与纳米晶叠刀复合轴；现有第七轴为收卷纳米晶及底膜膜AJ-0502的轴，本发明的第七压轴最上轴降面轴，下轴为C刀冲压L36Y23L8-004E无胶区。
本发明所得纳米晶圆刀的性能测试结果为：
磁导率(u＇)：2800-3200@100KHZ
磁损率(u")：＜200@100KHZ
电感(Ls)：8.30-8.45uH@100KHZ
电阻(Rs):≤265mΩ@100KHZ
饱和电流≤1.8％@5A
自谐振频率：Fra≥2MHz
圆刀面平整光滑、无折印、褶皱、压痕、分层、鼓包等不良现象，良品率高。
本发明的有益效果为：
1.由于圆刀在切料过程中，加压刀轴会压到纳米晶造成二次碎磁，降低了纳米晶电感，故换成与料带不接触的降面轴，减少压轴对纳米晶造成的压力，避免造成碎磁；
2.纳米晶由之前的叠刀下料工艺改为现在的直线走料，底膜叠刀，这样纳米晶走料始终保持直线走料，有效的避免的因角度弯折拉料造成的碎磁；走料也更为平稳，减少了不良外观现象；
3.纳米晶走料全程降低各个轴之间的张力，避免张力过大造成碎磁；
4.改善后圆刀14轴就可以满足制程需求，比改善前16轴少用2轴，机械使用上降低成本。
本发明未具体描述的部分采用现有技术，未详细描述的部件采用现有产品即可，在此不做赘述。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (5)

1.一种无损耗电感的纳米晶圆刀冲压方法，其特征在于，通过纳米晶圆刀冲压装置进行冲压，所述纳米晶圆刀冲压装置包括沿走料方向依次平行排布的十四根压轴，包括第一压轴、第二压轴、第三压轴、第四压轴、第五压轴、第六压轴、第七压轴、第八压轴、第九压轴、第十压轴、第十一压轴、第十二压轴和第十三压轴，第四压轴底轴与第七压轴上轴降低轴面，与其它轴面和料带不接触；
纳米晶走料方式为从下料开始全程直走，无弯折走料；
所述冲压方法包括以下步骤：
步骤一、第一压轴上料纳米晶，收卷自带膜，纳米晶底面自带膜复合AJ-0502料带；
步骤二、第二压轴冲压纳米晶外形A刀，收卷冲切后的废边；
步骤三、第四压轴采用降面轴，底轴为空轴，上轴叠刀下复合料FT BM005SP-ESD并冲压导热膜FT BM005SP-ESD外形B刀后收卷废料；
步骤四、第三压轴作为叠刀复合FT BM005SP-ESD外形轴，下料封箱胶带，收卷多余的废料；
步骤五、第五压轴收卷AJ-0502料带以及纳米晶自带膜；
步骤六、第七压轴上轴采用降面轴，下轴为C刀冲压L36Y23L8-004E无胶区，从最底轴复合料带3601-LL叠刀上料并冲压无胶区后收卷纳米晶自带膜废边；
步骤七、第六压轴下料FTBM005SP-ESD，并收卷纳米晶自带膜废边后与纳米晶贴合走料；
步骤八、第八压轴收卷T5025-002G；
步骤九、第九压轴复合轻膜；
步骤十、第十压轴冲压产品成型刀D刀并排去废边；
步骤十一、第十一压轴下料封箱胶带并排去剩余的废边；
步骤十二、第十二压轴下料PET5005；
步骤十三、第十三压轴冲压E刀切片，随后通过第十四压轴收取产品。
2.根据权利要求1所述的一种无损耗电感的纳米晶圆刀冲压方法，其特征在于，步骤二中，第二压轴冲压纳米晶外形A刀，通过二条5mm宽的PT253收卷冲切后的废边。
3.根据权利要求1所述的一种无损耗电感的纳米晶圆刀冲压方法，其特征在于，步骤三中，第四压轴叠刀下料JZ24R1-5PEW FTBM005SP-ESD T5025-002G复合料并冲压导热膜FTBM005SP-ESD外形B刀后收卷废料。
4.根据权利要求1所述的一种无损耗电感的纳米晶圆刀冲压方法，其特征在于，步骤六中，第七压轴从底轴叠刀上料L36Y23L8-004E及料带3601-LL并冲压无胶区后收卷自带膜废边。
5.根据权利要求1所述的一种无损耗电感的纳米晶圆刀冲压方法，其特征在于，步骤九中，第九压轴复合轻膜AJ-6-025W6。
CN202010840813.7A 2020-08-20 2020-08-20 一种无损耗电感的纳米晶圆刀冲压方法 Active CN111976039B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010840813.7A CN111976039B (zh) 2020-08-20 2020-08-20 一种无损耗电感的纳米晶圆刀冲压方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010840813.7A CN111976039B (zh) 2020-08-20 2020-08-20 一种无损耗电感的纳米晶圆刀冲压方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111976039A CN111976039A (zh) 2020-11-24
CN111976039B true CN111976039B (zh) 2022-03-29

Family

ID=73443354

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010840813.7A Active CN111976039B (zh) 2020-08-20 2020-08-20 一种无损耗电感的纳米晶圆刀冲压方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111976039B (zh)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4341449B2 (ja) * 2004-03-31 2009-10-07 三菱マテリアル株式会社 多結晶シリコンロッドの切断装置
US8962378B2 (en) * 2012-07-16 2015-02-24 The Boeing Company Photodiode and method for making the same
CN110323055B (zh) * 2019-06-28 2021-01-26 横店集团东磁股份有限公司 一种纳米晶产品的制备装置以及制备方法
CN110394855B (zh) * 2019-07-24 2021-04-09 苏州安洁科技股份有限公司 一种纳米晶卷料冲压工艺
CN210651373U (zh) * 2019-08-13 2020-06-02 洛阳理工学院 纳米晶卷加工用碎磁切割装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN111976039A (zh) 2020-11-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106541449B (zh) 一种带内框模切件的模切排废装置和模切排废方法
CN101319127B (zh) 一种多单元免裁剪双面胶带的生产方法
CN211335010U (zh) 一种镂空异形双面胶模切件的生产系统
CN207909999U (zh) 一种新型模切分条一体机
CN114102754B (zh) 一种避免人工排废的无刀印泡棉模切件的制作方法
CN113580262B (zh) 含有多块双面胶元件的双面胶产品的模切方法及模切系统
CN212948202U (zh) 含有多块双面胶元件的双面胶产品的模切系统
CN111976039B (zh) 一种无损耗电感的纳米晶圆刀冲压方法
CN112573269B (zh) 一种用于较软且发泡孔较大的泡棉模切件的生产系统
CN210589657U (zh) 一种具有全排废装置的小尺寸边框胶屏幕的模切生产线
CN110481047B (zh) 四层1:1结构的oca光学胶的滚刀模切系统及方法
CN212170681U (zh) 一种麦拉模切件的生产系统
CN212425936U (zh) 双面胶包裹泡棉组件及其精确定位包裹设备
CN205739700U (zh) 剔除模切产品局部胶的模切机
CN112829427A (zh) 一种镂空异形双面胶模切件的生产系统
CN113977686B (zh) 一种带铜箔模切件的制备方法
CN114683352B (zh) 一种组合刀模及其使用方法
CN112847637B (zh) 一种宽度窄回粘快且带长提手的双面胶冲切方法
CN112743631B (zh) 一种利用圆刀生产加工双面胶产品的工艺
CN210651877U (zh) 铜箔卷装生产线
JP2005199381A (ja) 打ち抜き加工方法及び打ち抜き装置
CN117690723B (zh) 一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺
CN211222430U (zh) 一种转移纸pet基膜回用装置
CN217195786U (zh) 一种包装箱多版组合模切装置
CN216189844U (zh) 一种不干胶膜纸分切机

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant