CN111968565B - 自发光型像素电路及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种自发光型像素电路，其包括设置于第一可变电位、第二可变电位之间相连接的驱动模块和发光模块；驱动模块按照时序控制流经发光模块的电流大小；本申请提供的自发光型像素电路，通过第一可变电位和第二可变电位能够切换为更高的亮度调整范围，进而可以进一步提升其灰阶数。

Description

自发光型像素电路及显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及自发光显示技术领域，具体涉及一种自发光型像素电路及显示面板。
背景技术
一直以来，显示面板不断在向着薄型化、轻型化和柔性化方向发展，有机电致发光、量子点电致发光、微型电致发光的自发光型显示面板在这些方面具有天然的优势。自发光型显示的发光器件，其发光亮度与施加的电压、电流均成正相关的关系。
在传统技术方案中，应用于上述自发光型显示面板的自发光型像素电路，发光亮度范围小，导致其灰阶数较低，无法满足进一步提升其灰阶数的市场需求。
发明内容
本申请提供一种自发光型像素电路，解决了自发光型像素电路的发光亮度范围小，导致其灰阶数较低的问题。
第一方面，本申请提供一种自发光型像素电路，其包括设置于第一可变电位、第二可变电位之间的驱动模块和发光模块；所述驱动模块与所述发光模块电性连接；驱动模块按照时序控制流经发光模块的电流大小；其中，发光模块包括亮度不同且并联设置的第一发光单元和第二发光单元；当第二可变电位大于第一可变电位时，第一发光单元工作于低阶亮度；当第一可变电位大于第二可变电位时，第二发光单元工作于高阶亮度。
基于第一方面，在第一方面的第一种实施方式中，第二可变电位与发光模块的第一端连接；发光模块的第二端与驱动模块的第一端连接；驱动模块的第二端与第一可变电位连接。
基于第一方面，在第一方面的第二种实施方式中，第二可变电位与驱动模块的第一端连接；驱动模块的第二端与发光模块的第一端；发光模块的第二端与第一可变电位连接连接。
基于第一方面的第一种实施方式或者的第二种实施方式，在第一方面的第三种实施方式中，第一发光单元配置有至少一个第一发光器件；第二发光单元配置有至少两个依次串接的第二发光器件；第一发光单元与第二发光单元的工作周期相异。
基于第一方面的第三种实施方式，在第一方面的第四种实施方式中，自发光型像素电路还包括写入模块；写入模块的控制端与扫描信号连接；写入模块的输入端与数据信号连接；写入模块的输出端与驱动模块的控制端连接。
基于第一方面的第四种实施方式，在第一方面的第五种实施方式中，自发光型像素电路还包括存储模块；存储模块的第一端与写入模块的输出端和驱动模块的控制端连接；存储模块的第二端与零电位连接。
基于第一方面的第五种实施方式，在第一方面的第六种实施方式中，驱动模块包括第一薄膜晶体管；第二可变电位与第一发光单元的输入端和第二发光单元的输出端连接；第一薄膜晶体管的漏极与第一发光单元的输出端和第二发光单元的输入端连接；第一薄膜晶体管的源极与第一可变电位连接。
基于第一方面的第六种实施方式，在第一方面的第七种实施方式中，写入模块包括第二薄膜晶体管；数据信号与第二薄膜晶体管的输入端连接；扫描信号与第二薄膜晶体管的栅极连接；第二薄膜晶体管的输出端与第一薄膜晶体管的栅极连接。
基于第一方面的第七种实施方式，在第一方面的第八种实施方式中，存储模块包括存储电容；存储电容的第一端与第二薄膜晶体管的输出端和第一薄膜晶体管的栅极连接；存储电容的第二端与零电位连接。
第二方面，本申请提供一种显示面板，其包括上述任一实施方式中的自发光型像素电路。
本申请提供的自发光型像素电路，通过第一可变电位和第二可变电位能够切换为更高的亮度调整范围，进而可以进一步提升其灰阶数。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例提供的自发光型像素电路的第一种结构示意图。
图2为本申请实施例提供的自发光型像素电路的第二种结构示意图。
图3为本申请实施例提供的自发光型像素电路的第三种结构示意图。
图4为图3所示的自发光型像素电路的电路原理图。
图5为图4所示自发光型像素电路的时序示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
如图1或者图2所示，本实施例提供了一种自发光型像素电路，其包括设置于第一可变电位V1、第二可变电位V2之间相连接的驱动模块20和发光模块10；驱动模块20按照时序控制流经发光模块10的电流大小；其中，发光模块10包括亮度不同且并联设置的第一发光单元11和第二发光单元12；当第二可变电位V2大于第一可变电位V1时，第一发光单元11工作于低阶亮度；当第一可变电位V1大于第二可变电位V2时，第二发光单元12工作于高阶亮度。
如图4或者图5所示，需要进行说明的是，第二发光单元12的发光亮度大于第一发光单元11的发光亮度：第一发光单元11配置有至少一个第一发光器件LED1；第二发光单元12配置有至少两个依次串接的第二发光器件LED2；第一发光单元11与第二发光单元12的工作周期相异即该两个发光单元在任一时刻只有一个发光单元处于发光显示状态。
可以理解的是，第一发光器件LED1可以但不限于与第二发光器件LED2相同，也可以为不同。第一发光器件LED1、第二发光器件LED2均可以为有机电致发光器件、量子点电致发光器件以及微型电致发光器件中的一种。
需要进行说明的是，不同的发光单元进行工作时，第一可变电位V1与第二可变电位V2之间的电位差可以不同，其电位差可以根据对应的发光单元中发光器件的数量进行对应调整，以满足不同发光单元进行工作时所需要的电位差。
如图3所示，可以理解的是，驱动模块20按照时序控制流经发光模块10的电流大小：根据写入模块30控制存储模块40的充电状态和驱动模块20对存储模块40的放电状态所构造出的时序来空发光模块10的发光时间和发光亮度。自发光型像素电路还包括写入模块30；写入模块30的控制端与扫描信号SS连接；写入模块30的输入端与数据信号DS连接；写入模块30的输出端与驱动模块20的控制端连接。
如图3所示，自发光型像素电路还包括存储模块40；存储模块40的第一端与写入模块30的输出端和驱动模块20的控制端连接；存储模块40的第二端与零电位VSS连接。
如图1所示，在其中一个实施例中，第二可变电位V2与发光模块10的第一端连接；发光模块10的第二端与驱动模块20的第一端连接；驱动模块20的第二端与第一可变电位V1连接。
如图2所示，在其中一个实施例中，第二可变电位V2与驱动模块20的第一端连接；驱动模块20的第二端与发光模块10的第一端；发光模块10的第二端与第一可变电位V1连接连接。
如图4所示，在其中一个实施例中，驱动模块20包括第一薄膜晶体管T1；第二可变电位V2与第一发光单元11的输入端和第二发光单元12的输出端连接；第一薄膜晶体管T1的漏极与第一发光单元11的输出端和第二发光单元12的输入端连接；第一薄膜晶体管T1的源极与第一可变电位V1连接。
可以理解的是，保证第一薄膜晶体管T1可以打开的情况下，即其阈值电压大于栅极与源极之间的电压，第一薄膜晶体管T1的漏极和源极可以调换使用。
如图4所示，在其中一个实施例中，写入模块30包括第二薄膜晶体管T2；数据信号DS与第二薄膜晶体管T2的输入端连接；扫描信号SS与第二薄膜晶体管T2的栅极连接；第二薄膜晶体管T2的输出端与第一薄膜晶体管T1的栅极连接。
可以理解的是，第二薄膜晶体管T2的输入端和输出端可以调换使用，且可以为源极或者漏极中不同的一种。
需要进行说明的是，第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2可以但不限于为N型薄膜晶体管。
如图4所示，在其中一个实施例中，存储模块40包括存储电容CS；存储电容CS的第一端与第二薄膜晶体管T2的输出端和第一薄膜晶体管T1的栅极连接；存储电容CS的第二端与零电位VSS连接。
如图5所示，本申请的工作过程：扫描信号SS处于高电位状态时，第二薄膜晶体管T2打开，高电位的数据信号DS写入到存储电容CS，进入发光阶段时，存储电容CS进行放电以打开第二薄膜晶体管T2的栅极：若第二可变电位V2大于第一可变电位V1时，此时第二发光单元12不发光，第一发光单元11工作于低阶亮度，具有传统技术方案中的灰阶数；当第一可变电位V1大于第二可变电位V2时，此时第一发光单元11不发光，第二发光单元12工作于高阶亮度，具有更高的灰阶数。
在其中一个实施例中，本申请提供一种显示面板，其包括上述任一实施例中的自发光型像素电路。
可以理解的是，多个自发光型像素电路在所述显示面板内呈阵列分布。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的自发光型像素电路和显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种自发光型像素电路，其特征在于，包括设置于第一可变电位、第二可变电位之间的驱动模块和发光模块；所述驱动模块与所述发光模块电性连接；所述驱动模块按照时序控制流经所述发光模块的电流大小；
其中，所述发光模块包括亮度不同且并联设置的第一发光单元和第二发光单元；当所述第二可变电位大于所述第一可变电位时，所述第一发光单元工作于低阶亮度；当所述第一可变电位大于所述第二可变电位时，所述第二发光单元工作于高阶亮度。
2.根据权利要求1所述的自发光型像素电路，其特征在于，所述第二可变电位与所述发光模块的第一端连接；所述发光模块的第二端与所述驱动模块的第一端连接；所述驱动模块的第二端与所述第一可变电位连接。
3.根据权利要求1所述的自发光型像素电路，其特征在于，所述第二可变电位与所述驱动模块的第一端连接；所述驱动模块的第二端与所述发光模块的第一端；所述发光模块的第二端与所述第一可变电位连接连接。
4.根据权利要求2所述的自发光型像素电路，其特征在于，所述第一发光单元配置有至少一个第一发光器件；所述第二发光单元配置有至少两个依次串接的第二发光器件；所述第一发光单元与所述第二发光单元的工作周期相异。
5.根据权利要求4所述的自发光型像素电路，其特征在于，所述自发光型像素电路还包括写入模块；
所述写入模块的控制端与扫描信号连接；所述写入模块的输入端与数据信号连接；所述写入模块的输出端与所述驱动模块的控制端连接。
6.根据权利要求5所述的自发光型像素电路，其特征在于，所述自发光型像素电路还包括存储模块；
所述存储模块的第一端与所述写入模块的输出端和所述驱动模块的控制端连接；所述存储模块的第二端与零电位连接。
7.根据权利要求6所述的自发光型像素电路，其特征在于，所述驱动模块包括第一薄膜晶体管；
所述第二可变电位与所述第一发光单元的输入端和所述第二发光单元的输出端连接；所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第一发光单元的输出端和所述第二发光单元的输入端连接；所述第一薄膜晶体管的源极与所述第一可变电位连接。
8.根据权利要求7所述的自发光型像素电路，其特征在于，所述写入模块包括第二薄膜晶体管；
所述数据信号与所述第二薄膜晶体管的输入端连接；所述扫描信号与所述第二薄膜晶体管的栅极连接；所述第二薄膜晶体管的输出端与所述第一薄膜晶体管的栅极连接。
9.根据权利要求8所述的自发光型像素电路，其特征在于，所述存储模块包括存储电容；
所述存储电容的第一端与所述第二薄膜晶体管的输出端和所述第一薄膜晶体管的栅极连接；所述存储电容的第二端与零电位连接。
10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的自发光型像素电路。
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