CN111951718A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种显示装置，其包括多个像素。至少一像素包括发光单元及驱动电路。驱动电路在脉冲宽度调制模式下驱动发光单元以呈现小于或等于预定灰阶的第一灰阶，并在电流模式下驱动发光单元以呈现大于预定灰阶的第二灰阶。

Description

显示装置
技术领域
本发明是有关一种显示装置，特别是指一种具有脉冲宽度调制模式及电流模式的显示装置。
背景技术
电子装置，例如显示装置，已成为现代人的日常必需品，举凡工作、学习和娱乐都有使用的需求。随着便携式电子装置的蓬勃发展，消费者不仅追求电子装置具有更高的质量(例如显示画面的质量)、更快的反应、更长的使用寿命或更高的可靠度，也对产品的功能或稳定性有更多样性的要求。
发明内容
本发明的一实施例提供一种显示装置。显示装置包括多个像素。至少一像素包括发光单元及驱动电路。驱动电路用以在脉冲宽度调制模式下驱动发光单元以呈现小于或等于预定灰阶的第一灰阶，并在电流模式下驱动发光单元以呈现大于预定灰阶的第二灰阶。
附图说明
图1是本发明一实施例的显示装置的示意图。
图2说明驱动电流的强度与所呈现的灰阶之间的关系。
图3说明驱动电流的占空比与所呈现的灰阶之间的关系。
图4是图1的像素的示意图。
图5是驱动图1的像素的时序图。
图6是本发明另一实施例的像素的示意图。
图7是驱动图2的像素的时序图。
图8是本发明另一实施例的像素的示意图。
图9是驱动图3的像素的时序图。
图10是本发明另一实施例的像素的示意图。
附图标记说明：10-显示装置；100(1,1)至100(M,N)、200、300、400-像素；110、410-发光单元；120、220、320、420-驱动电路；DL1至DLN-数据线；SCL1至SCLM-扫描线；121、421-驱动薄膜晶体管；122、422-发光控制薄膜晶体管；123、423-扫描薄膜晶体管；124、324、424-重置薄膜晶体管；125、126、325、425、426-补偿薄膜晶体管；C1-第一电容；C2-第二电容；C3-第三电容；NV1-第一电压端；NV2-第二电压端；VDD-第一电压；VSS-第二电压；NVREF-参考电压端；VREF-参考电压；NVRST-重置电压端；VRST-重置电压；SIGDATA-数据信号；SIGRST-重置信号；SIGSC1-扫描信号；SIGCMP-补偿信号；SIGEM-发光控制信号；330-信号控制电路。
具体实施方式
图1是本发明一实施例的显示装置10的示意图。显示装置10包括多个像素100(1,1)至100(M,N)，其中M≥2且N≥2，但本发明并不以此为限。
像素100(1,1)至100(M,N)中的至少一像素可耦接至扫描线SCL1至SCLM中对应的扫描线及数据线DL1至DLN中对应的数据线。此外，像素100(1,1)至100(M,N)中的至少一像素可包括发光单元110及驱动电路120。以下将以像素100(1,1)为例进行说明，而对于像素100(1,1)所做的说明也可以适用到至少一其他像素。发光单元110可以是发光二极管(light emitting diode，LED)、有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)、无机发光二极管(inorganic light emitting diode)、次毫米发光二极管(mini LED，mini-meter-sized LED)、微发光二极管(micro LED，micro-meter-sized LED)或量子点发光二极管(quantum dot，QD)。
在有些实施例中，驱动电路120可以在脉冲宽度调制(pulse width modulation，PWM)模式或电流模式下驱动发光单元110。在电流模式下，驱动电流的强度可以根据所欲呈现的灰阶来决定。也就是说，为呈现亮度较大的灰阶，驱动电路120可以产生较大的驱动电流。然而，为了避免在呈现低亮度的灰阶时，驱动电流过低而导致色偏问题，驱动电路120可以在呈现低亮度灰阶时转换到脉冲宽度调制模式。在脉冲宽度调制模式下，驱动电路120不会产生低强度的驱动电流，而会产生适当强度的驱动电流，并通过调制驱动电流的占空比来控制亮度。
也就是说，驱动电路120可以在脉冲宽度调制模式下驱动发光单元110以呈现小于或等于预定灰阶亮度的灰阶，以减少色偏问题。此外，驱动电路120可以在电流模式下驱动发光单元110以呈现大于预定灰阶亮度的灰阶，以提升电能效率。
图2说明驱动电流的强度与所呈现的灰阶之间的关系，而图3说明驱动电流的占空比与所呈现的灰阶之间的关系。举例来说，若像素100(1,1)至100(M,N)被设计成能够呈现256个灰阶，则可将预定灰阶设定在第8灰阶。也就是说，当欲使发光单元110呈现第9至第256灰阶时，驱动电路120会以电流模式驱动发光单元110；而当欲使发光单元110呈现第1至第8灰阶时，驱动电路120会以脉冲宽度调制模式驱动发光单元110。在本实施例中，预定灰阶是设定在第8灰阶，然而本领域具有通常知识者应可理解预定灰阶可以根据需求设定为其他灰阶。在有些实施例中，预定灰阶可以是第K灰阶，而K可以介于3及64之间(3≤K≤64)，例如但不限于是4、6、10、16、24、32、40、50或60。
因此，在图2中，当呈现第1至第8灰阶时，驱动电流可以固定在适当的强度，而当呈现第9至第256灰阶时，驱动电流则会随着所欲呈现的灰阶的亮度增加，而从较低的强度调整至较高的强度。此外，在图3中，当呈现第1至第8灰阶时，驱动电流的占空比会随着所欲呈现的灰阶的亮度增加，而提高占空比，驱动电路120所产生的驱动电流可具有小于100％的占空比，而在呈现第9至第256灰阶时，驱动电流的占空比则可以是固定的，驱动电路120所产生的驱动电流可具有100％的占空比。
再者，在有些实施例中，在电流模式下，驱动电流的占空比可以根据系统的需求来调整。举例来说，驱动电路120所产生的驱动电流可具有小于100％的占空比。此外，在脉冲宽度调制模式下，在呈现不同灰阶时，驱动电流也可以根据系统的需求而有不同的强度。也就是说，在脉冲宽度调制模式下，发光单元110也可以通过可变的驱动电流来驱动。
图4是本发明一实施例的像素100(1,1)的示意图。在图4中，驱动电路120可以包括驱动薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)121、发光控制薄膜晶体管122、扫描薄膜晶体管123、重置薄膜晶体管124、补偿薄膜晶体管125及126以及电容C1、C2及C3。在有些实施例中，前述的薄膜晶体管可以由其他类型但具有相同或相似功能的开关来代替，本发明并不以此为限。
驱动薄膜晶体管121具有第一端、第二端及控制端，驱动薄膜晶体管121的第一端耦接至第一电压端NV1以接收第一电压VDD。发光控制薄膜晶体管122具有第一端、第二端及控制端，发光控制薄膜晶体管122的第一端耦接至驱动薄膜晶体管121的第二端，发光控制薄膜晶体管122的第二端耦接至发光单元110，而发光控制薄膜晶体管122的控制端可接收发光控制信号SIGEM。发光单元110具有第一端及第二端，发光单元110的第一端可例如为阳极，而发光单元110的第二端可例如为阴极。发光单元110的第一端耦接至发光控制薄膜晶体管122的第二端，而发光单元110的第二端耦接至第二电压端NV2以接收第二电压VSS。
电容C1具有第一端及第二端，电容C1的第一端耦接至驱动薄膜晶体管121的控制端。扫描薄膜晶体管123具有第一端、第二端及控制端，扫描薄膜晶体管123的第一端耦接至数据线DL1，扫描薄膜晶体管123的第二端耦接至电容C1的第二端，而扫描薄膜晶体管123的控制端可自扫描线SCL1接收扫描信号SIGSC1。电容C2具有第一端及第二端，电容C2的第一端可耦接至驱动薄膜晶体管121的第一端，而电容C2的第二端可耦接至驱动薄膜晶体管121的控制端。电容C3具有第一端及第二端，电容C3的第一端可耦接至驱动薄膜晶体管121的第一端，而电容C3的第二端可耦接至电容C1的第二端。
再者，重置薄膜晶体管124具有第一端、第二端及控制端，重置薄膜晶体管124的第一端耦接至驱动薄膜晶体管121的控制端，重置薄膜晶体管124的第二端耦接至重置电压端NVRST以接收重置电压VRST，而重置薄膜晶体管124的控制端可接收重置信号SIGRST。补偿薄膜晶体管125具有第一端、第二端及控制端，补偿薄膜晶体管125的第一端耦接至重置薄膜晶体管124的第一端，补偿薄膜晶体管125的第二端耦接至驱动薄膜晶体管121的第二端，而补偿薄膜晶体管125的控制端可接收补偿信号SIGCMP。补偿薄膜晶体管126具有第一端、第二端及控制端，补偿薄膜晶体管126的第一端耦接至电容C1的第二端，补偿薄膜晶体管126的第二端耦接至参考电压端NVREF以接收参考电压VREF，而补偿薄膜晶体管126的控制端可接收补偿信号SIGCMP。
图5是本发明一实施例的驱动像素100(1,1)的时序图。在图5中，驱动过程可包括重置操作、补偿操作及扫描操作。
请参考图4及图5。在重置操作期间，扫描信号SIGSC1、发光控制信号SIGEM及补偿信号SIGCMP可以在高电压，而扫描薄膜晶体管123、发光控制薄膜晶体管122、补偿薄膜晶体管125及补偿薄膜晶体管126可以被截止。此外，重置信号SIGRST可以在低电压，而重置薄膜晶体管124可被导通。
在此情况下，驱动薄膜晶体管121的控制端可以被重置成重置电压VRST，而驱动薄膜晶体管121的栅极-源极电压Vgs可以表示成重置电压VRST及第一电压VDD之间的压差(VRST-VDD)。在有些实施例中，重置电压VRST可以设定成低到足以导通驱动薄膜晶体管121。举例来说，重置电压VRST可以例如但不限于是(-1V)，第一电压VDD可以是8V，而第二电压VSS可以是0V。
在补偿操作期间，扫描信号SIGSC1、发光控制信号SIGEM及重置信号SIGRST可处在高电压，而扫描薄膜晶体管123、发光控制薄膜晶体管122及重置薄膜晶体管124可以被截止。此外，补偿信号SIGCMP可以处在低电压，而补偿薄膜晶体管125及126可以被导通。
在此情况下，电容C1的第二端可以接收参考电压VREF，而驱动薄膜晶体管121的控制端可耦接至(VDD-|Vth|)，其中Vth是驱动薄膜晶体管121的临界电压。在有些实施例中，参考电压VREF可以例如但不限于是(-|Vth|)。通过将驱动薄膜晶体管121的临界电压Vth导入至栅极源极电压Vgs，不同像素中驱动薄膜晶体管之间的临界电压变异就可以在发光期间获得补偿。在有些实施例中，发光期间指的是发光控制信号SIGEM处在低电压以将发光控制薄膜晶体管122导通，并使发光单元110发光的期间。
在扫描操作期间，补偿信号SIGCMP及重置信号SIGRST可以在高电压，而补偿薄膜晶体管125、补偿薄膜晶体管126及重置薄膜晶体管124可以被截止。此外，扫描信号SIGSC1及发光控制信号SIGEM可以处在低电压，使得扫描薄膜晶体管123及发光控制薄膜晶体管122被导通，而驱动薄膜晶体管121的控制端可通过扫描薄膜晶体管123及电容C1接收数据线DL1上的数据信号SIGDATA。
在此情况下，驱动薄膜晶体管121的控制端的电压可以是VDD-|Vth|+(Vdata-VREF)×C1/(C1+C2)，而驱动薄膜晶体管121的栅极源极电压可以是VDD-|Vth|+(Vdata-VREF)×C1/(C1+C2)–VDD，亦即(Vdata-VREF)×C1/(C1+C2)-|Vth|，其中Vdata是扫描薄膜晶体管123被低电压的扫描信号SIGSC1导通时，自数据线DL1通过扫描薄膜晶体管123接收的电压。由于驱动薄膜晶体管121的栅极源极电压与第一电压VDD无关，因此可以减少因为第一电压VDD分布不均匀而导致显示装置10的显示质量下降的问题。
在图5中，驱动电路120可以在脉冲宽度调制模式下驱动发光单元110。也就是说，数据信号SIGDATA的占空比可以根据所欲呈现的灰阶来决定，当驱动薄膜晶体管121驱动发光单元110以呈现第一灰阶时，数据信号SIGDATA的占空比根据所述第一灰阶来决定。举例来说，当显示第8灰阶时，数据信号SIGDATA的占空比可以在70％至90％的范围内，亦即占空比大于等于70％且小于等于90％，例如但不限于是75％、80％或85％，而当显示第二灰阶时，数据信号SIGDATA的占空比可以在5％至20％的范围内，亦即占空比大于等于5％且小于等于20％，例如但不限于是10％或15％。在此情况下，发光控制信号SIGEM可以在扫描操作中被设定在低电压，使得发光控制薄膜晶体管122被导通，而发光单元110就可以在扫描操作期间开始根据数据信号SIGDATA发光。
然而，在有些实施例中，当欲呈现亮度较高的灰阶时，驱动电路120可以在电流模式下驱动发光单元110。在此情况下，数据信号SIGDATA的电压可由所欲呈现的灰阶来决定。举例来说，若驱动薄膜晶体管121是P型晶体管，则对应到较高灰阶的数据信号SIGDATA的电压会小于对应到较低灰阶的数据信号SIGDATA的电压。若驱动薄膜晶体管121是N型晶体管，则对应到较高灰阶的数据信号SIGDATA的电压会大于对应到较低灰阶的数据信号SIGDATA的电压。然而本发明并不以此为限。
在有些实施例中，电容C2可以记录数据信号SIGDATA的电压。因此，在电容C2对数据信号SIGDATA进行取样之后，扫描薄膜晶体管123就无需持续导通而可以被截止。举例来说，像素100(1,1)可以在扫描操作之后执行维持操作。在有些实施中，扫描操作及维持操作之间可有间隙，然而本发明并不以此为限。在维持操作期间，扫描信号SIGSC1可以设定至高电压，而发光控制信号SIGEM可以设定在低电压。如此一来，扫描薄膜晶体管123就会被截止，发光控制薄膜晶体管122仍会被导通，而发光单元110仍可根据电容C2所记录的电压对应地维持发光状态。
在图4中，电容C3可以用来维持电容C1的第二端的电压，以避免压降产生的漏电流。然而，在有些实施例中，如果薄膜晶体管所产生的漏电流可忽略不计，则也可以将电容C3省略，本发明并未加以限定。此外，在有些实施例中，电容C3的第一端也可以不耦接到驱动薄膜晶体管121的第一端，而改成接收参考电压VREF或重置电压VRST。
图6是本发明一实施例的像素200的示意图。像素200与像素100(1,1)具有相似的结构并且可以根据相似的原理来操作。在有些实施例中，像素200可以用来代替显示装置10中像素100(1,1)至100(M,N)中的至少一个像素。然而，像素200中的驱动电路220可将像素100(1,1)中驱动电路120的补偿薄膜晶体管126省略。
图7是本发明一实施例的像素200的驱动时序图。在图7中，重置操作可与图5使用相同的条件来执行。然而，在图7中，在补偿操作中，扫描信号SIGSC1及补偿信号SIGCMP可以处在低电压，而数据线DL1可以处在参考电压VREF。因此，扫描薄膜晶体管123会被导通，而电容C1的第二端可以通过扫描薄膜晶体管123接收到参考电压VREF。如此一来，通过执行补偿操作，像素200就能够对驱动薄膜晶体管121的临界电压变异进行补偿。此外，像素200的其他操作则可与像素100(1,1)使用相同的条件来执行。在有些实施例中，电压Vpwm-on可以是足以让驱动薄膜晶体管121导通的电压，且电压Vpwm-on可以是例如但不限于为脉冲宽度调制驱动而优化的电压。电压Voff可以例如但不限于是能够将驱动薄膜晶体管121截止的电压，而电压VRST可以例如但不限于是能够将驱动薄膜晶体管121导通的电压。
图8是本发明一实施例的像素300的示意图。像素300与像素100(1,1)具有相似的结构并且可以根据相似的原理来操作。在有些实施例中，像素300可以用来代替显示装置10中像素100(1,1)至100(M,N)中的至少一个像素。然而，像素300中的驱动电路320可包括重置薄膜晶体管324及补偿薄膜晶体管325。
重置薄膜晶体管324具有第一端、第二端及控制端，重置薄膜晶体管324的第一端可耦接至电容C1的第二端，重置薄膜晶体管324的第二端可耦接至电容C1的第一端，而重置薄膜晶体管324的控制端可接收重置信号SIGRST。补偿薄膜晶体管325具有第一端、第二端及控制端，补偿薄膜晶体管325的第一端可耦接至重置薄膜晶体管324的第二端，补偿薄膜晶体管325的第二端可耦接至驱动薄膜晶体管121的第二端，而补偿薄膜晶体管325的控制端可接收补偿信号SIGCMP。
图9是本发明一实施例的驱动像素300的时序图。在图9中，在重置操作期间，扫描信号SIGSC1可以处在低电压，补偿信号SIGCMP可以处在高电压，而数据线DL1可以处在重置电压VRST。在有些实施例中，重置电压VRST未必会对应至逻辑低电压，而参考电压VREF也未必会对应至逻辑高电压。在此情况下，补偿薄膜晶体管325可以被截止，扫描薄膜晶体管123可以被导通，而驱动薄膜晶体管121的控制端可通过扫描薄膜晶体管123及重置薄膜晶体管324接收到重置电压VRST。
此外，在补偿操作期间，重置信号SIGRST可以处在高电压，扫描信号SIGSC1及补偿信号SIGCMP可以处在低电压，而数据线DL1可以处在参考电压VREF。因此，重置薄膜晶体管324将被截止，而扫描薄膜晶体管123及补偿薄膜晶体管325将被导通。如此一来，电容C1的第二端就可通过扫描薄膜晶体管123接收到参考电压VREF。
如此一来，像素300可以利用较少的薄膜晶体管来实作，而当显示装置10利用像素300来实作时，也可以减少其所需的面积。在有些实施例中，当显示装置10利用像素300来实作时，显示装置10还可包括信号控制电路330，信号控制电路330可以根据像素300的操作提供对应的电压，例如参考电压VREF、重置电压VRST及数据信号SIGDATA。
虽然像素100(1,1)至100(M,N)、200及300是由P型晶体管实作，然而在有些实施例中，显示装置10也可以利用N型晶体管来实作。
图10是本发明一实施例的像素400的示意图。像素400及像素100(1,1)具有相似的结构并且可根据相似的原理操作。在有些实施例中，像素400可以取代显示装置10中的像素100(1,1)至100(M,N)。然而，像素400包括发光单元410及驱动电路420。
在图10中，驱动电路420可包括驱动薄膜晶体管421、发光控制薄膜晶体管422、扫描薄膜晶体管423、重置薄膜晶体管424、补偿薄膜晶体管425及426，以及电容C1、C2及C3。由于驱动薄膜晶体管421发光控制薄膜晶体管422、扫描薄膜晶体管423、重置薄膜晶体管424、补偿薄膜晶体管425及426都是N型晶体管，因此可以将图5中扫描信号SIGSC1、重置信号SIGRST、补偿信号SIGCMP及发光控制信号SIGEM的波型逆变，以使驱动电路420能够执行重置操作、补偿操作及扫描操作。
在有些实施例中，若第一电压VDD为8V而第二电压VSS为0V，则为执行重置操作及补偿操作，可将施加到驱动电路420的参考电压VREF设定在1V，而将施加到驱动电路420的重置电压VRST设定在9V。在其他实施例中，参考电压VREF可以设定在0.5V及2V之间(0.5V≤VREF≤2V)，而重置电压VRST可以设定在6V及12V之间(6V≤VREF≤12V)，例如但不限于是8V或10V。
综上所述，本发明的实施例所提供的显示装置可以根据所欲呈现的灰阶而选择使用电流模式或脉冲宽度调制模式来驱动像素。也就是说，当欲使像素呈现较低亮度的灰阶时，驱动电路可以在脉冲宽度调制模式下来驱动像素中的发光单元以减少色偏问题，而当欲使像素呈现较高亮度的灰阶时，驱动电路可以在电流模式下来驱动像素中的发光单元以提供较佳的电能效率。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。

Claims (20)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
多个像素，其中至少一像素包括发光单元及驱动电路；
其中：
所述驱动电路用以在脉冲宽度调制模式下驱动所述发光单元以呈现小于或等于预定灰阶的第一灰阶，及用以在电流模式下驱动所述发光单元以呈现大于所述预定灰阶的第二灰阶。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述驱动电路在所述脉冲宽度调制模式下所产生的驱动电流具有小于100％的占空比。
3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在所述电流模式下，所述发光单元通过可变驱动电流来驱动。
4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述驱动电路包括：
驱动薄膜晶体管，具有耦接至第一电压端的第一端、耦接至所述发光单元的第二端及控制端；及
扫描薄膜晶体管，具有耦接至数据线的第一端、耦接至所述驱动薄膜晶体管的所述控制端的第二端及用以接收扫描信号的控制端。
5.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述驱动电路还包括第二电容，具有耦接至所述驱动薄膜晶体管的所述第一端的第一端及耦接至所述驱动薄膜晶体管的所述控制端的第二端。
6.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，在扫描操作期间：
所述扫描薄膜晶体管被导通，及所述驱动薄膜晶体管的所述控制端通过所述扫描薄膜晶体管接收所述数据线上的数据信号。
7.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于，在所述扫描操作期间，当所述驱动薄膜晶体管在所述脉冲宽度调制模式下驱动所述发光单元以呈现所述第一灰阶时：
所述数据信号的占空比是根据所述第一灰阶来决定。
8.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于，在所述扫描操作期间后的维持操作期间，当所述驱动薄膜晶体管在所述电流模式下驱动所述发光单元以呈现所述第二灰阶时：
所述扫描薄膜晶体管被截止；及
所述数据信号的电压根据所述第二灰阶来决定。
9.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述驱动电路还包括：
发光控制薄膜晶体管，具有耦接于所述驱动薄膜晶体管的所述第二端的第一端、耦接于所述发光单元的第二端及用以接收发光控制信号的控制端；及
第一电容，具有耦接于所述驱动薄膜晶体管的所述控制端的第一端及耦接于所述扫描薄膜晶体管的所述第二端的第二端。
10.如权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述驱动电路还包括：
重置薄膜晶体管，具有耦接至所述驱动薄膜晶体管的所述控制端的第一端、耦接至重置电压端的第二端及用以接收重置信号的控制端。
11.如权利要求10所述的显示装置，其特征在于，在重置操作期间：
所述扫描薄膜晶体管被截止；及
所述重置薄膜晶体管被导通。
12.如权利要求10所述的显示装置，其特征在于，所述驱动电路还包括：
第一补偿薄膜晶体管，具有耦接至所述重置薄膜晶体管的所述第一端的第一端、耦接至所述驱动薄膜晶体管的所述第二端的第二端及用以接收补偿信号的控制端。
13.如权利要求12所述的显示装置，其特征在于，在补偿操作期间：
所述扫描薄膜晶体管及所述第一补偿薄膜晶体管被导通；及
所述数据线被耦接至参考电压端。
14.如权利要求12所述的显示装置，其特征在于，所述驱动电路还包括：
第二补偿薄膜晶体管，具有耦接至所述第一电容的所述第二端的第一端、耦接至参考电压端的第二端及用以接收补偿信号的控制端。
15.如权利要求14所述的显示装置，其特征在于，在补偿操作期间：
所述扫描薄膜晶体管被截止；及
所述第一补偿薄膜晶体管及所述第二补偿薄膜晶体管被导通。
16.如权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述驱动电路还包括：
重置薄膜晶体管，具有耦接至所述第一电容的所述第二端的第一端、耦接至所述第一电容的所述第一端的第二端及用以接收重置信号的控制端；及
补偿薄膜晶体管，具有耦接至所述重置薄膜晶体管的所述第二端的第一端、耦接至所述驱动薄膜晶体管的所述第二端的第二端及用以接收补偿信号的控制端。
17.如权利要求16所述的显示装置，其特征在于，在重置操作期间：
所述扫描薄膜晶体管及所述重置薄膜晶体管被导通；
所述补偿薄膜晶体管被截止；及
所述数据线被耦接至重置电压端。
18.如权利要求16所述的显示装置，其特征在于，在补偿操作期间：
所述扫描薄膜晶体管及所述补偿薄膜晶体管被导通；
所述重置薄膜晶体管被截止；及
所述数据线被耦接至参考电压端。
19.如权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述驱动电路还包括：
第三电容，具有耦接至所述驱动薄膜晶体管的所述第一端的第一端及耦接至所述第一电容的所述第二端的第二端。
20.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括：
信号控制电路，用以根据所述像素的操作提供参考电压、重置电压或数据信号。
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