CN111952480B - 一种光色转换膜及其发光器件 - Google Patents

一种光色转换膜及其发光器件 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种光色转换膜及其发光器件，涉及光电技术领域。本发明通过将至少一种折射率小于等于2.0的低折射率材料和至少一种折射率大于等于2.0的高折射率材料适配形成单层混合物薄膜，得到本发明所述的一种光色转换膜。本发明所述的光色转换膜综合了高折射率材料的优点与低折射率材料的优点，具有光输出效率高、UV光吸收率高的优点，将本发明所述的光色转换膜应用于发光器件中作为覆盖层，可有效解决目前覆盖层材料可见光波段整体适用性差，抗UV损伤能力差，光输出效率不理想的问题，其发光器件具有高外量子效率的优点。

Description

一种光色转换膜及其发光器件
技术领域
本发明涉及光电技术领域，具体涉及一种光色转换膜及其发光器件。
背景技术
在有机电致发光器件中，根据材料功能的不同，有机物层大致可分为以下几种类别：空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等；根据发光机制的不同，发光层所用的发光材料可分为荧光材料和磷光材料；跟据发光颜色的不同，发光层所用的发光材料可分为蓝色、绿色、红色发光材料。一般的有机电致发光器件结构是在基板的上部形成阳极，阳极上部依次有空穴传输层，发光层，电子传输层以及阴极，其中空穴传输层、发光层、电子传输层是由有机化合物形成的有机薄膜。具有上述结构的有机发光器件的驱动原理如下：在上述的阳极与阴极之间施加电压，从阳极注入的空穴经过空穴传输层向发光层移动，从阴极注入的电子经过电子传输层向发光层移动，上述空穴与电子在发光层结合形成激子，激子从激发态变为基态的过程中产生光。
有机发光器件的发光效率一般分为内量子效率和外量子效率。内量子效率与在第一电极与第二电极之间介入的有机层中能够产生多少激子，进而实现光电转换相关，理论上荧光材料的内量子效率是25％，磷光材料的内量子效率是100％。外量子效率是指有机层中生成的光向有机发光器件外部输出的效率，外量子效率一般约为内量子效率的20～30％。也就是说仅有20～30％的发光是有效的，其余光能由于全反射等以非辐射方式耗散在器件内部，造成极大的光损失。为了防止光的全反射造成光损失、提高光输出效率，目前业界主要致力于开发一些具有高折射率且薄膜稳定性好的有机材料，将这些材料设置在出光侧电极背离有机物层的外侧作为覆盖层，用以提高器件的外量子效率，进而改善有机发光器件的发光性能。
然而因构成像素的R、G、B的波长各不相同，具有高折射率的覆盖层对在各个波段光的折射率不同，很难找到适用可见光波段整体最优化的覆盖层。由于覆盖层具有高折射率，覆盖层的厚度与普通折射率材料厚度相比要薄，加之蓝光，绿光，红光的透过率具有差异，因此覆盖层对不同波段光输出的最优化厚度也各不相同。大部分高折射率覆盖材料在薄厚度下具有最优的光提取特性，有较高的UV光吸收特性，采用高折射率材料的覆盖层，在未达到优化厚度时，随着覆盖层厚度的增加，有机电致发光器件的光输出效率逐渐提高，在优化厚度时，光输出效率达到最大值，但是当覆盖层厚度在优化厚度基础上继续增加时，光输出效率反而低于低折射率材料。低折射率覆盖材料在厚厚度下具有最优的光提取特性，但一般UV吸收都很弱。有机电致发光器件及包含有机电致发光器件的照明或显示装置，应避免UV光的照射，此外，有机电致发光器件中柔性材料在封装工艺过程中一般使用UV光固化，可能会直接对有机物造成损伤。因此开发一种对可见光波段整体光输出效率高、抗UV损伤的光色转换膜，及其外量子效率高的有机电致发光器件成为亟待解决的问题。
发明内容
为了解决目前覆盖层材料可见光波段整体适用性差，抗UV损伤能力差，光输出效率不理想的问题，本发明提供了一种光色转换膜及其发光器件。
本发明提供了一种光色转换膜，所述光色转换膜是包含至少一种低折射率材料和至少一种高折射率材料的单层混合物薄膜，其中，所述低折射率材料的折射率小于等于2.0，所述高折射率材料的折射率大于等于2.0。
优选的，所述高折射率材料与所述低折射率材料的折射率差值大于0.1。
优选的，所述高折射率材料选自有机物、无机物、金属配合物中的任意一种。
优选的，所述低折射率材料选自有机物、无机物、金属配合物中的任意一种。
再优选的，所述低折射率材料、所述高折射率材料中至少一个选自有机物。
再优选的，所述低折射率材料、所述高折射率材料独立地选自无机物、金属配合物中的任意一种。
最优选的，所述光色转换膜采用共蒸或混合蒸镀工艺形成。
本发明还提供了一种发光器件，所述发光器件包含本发明所述的光色转换膜中的任意一种。
优选的，本发明所述发光器件包括有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包含基板、第一电极、有机物层、第二电极，覆盖层，其中，所述有机物层位于所述第一电极和所述第二电极之间，所述有机物层包含空穴注入层、空穴传输层、发光辅助层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少一层；所述覆盖层位于第一电极背离有机物一侧或第二电极背离有机物层一侧，所述覆盖层包含本发明所述的光色转换膜中的任意一种。
本发明还提供了一种照明或显示装置，所述照明或显示装置包含本发明所述的发光器件中的任意一种。
有益效果
本发明提供了一种光色转化膜及其发光器件。
本发明通过将至少一种折射率小于等于2.0的低折射率材料和至少一种折射率大于等于2.0的高折射率材料适配形成单层混合物薄膜，得到本发明所述的一种光色转换膜。本发明所述的光色转换膜综合了高折射率材料的优点与低折射率材料的优点，能够有效避免单独采用高折射率材料时超过优化厚度后光输出效率减小的问题，也能够有效避免单独采用低折射率材料时出光效率低、UV光吸收率低的问题，从而本发明所述的光色转换膜具有光输出效率高、UV光吸收率高的优点，将本发明所述的光色转换膜应用于发光器件中作为覆盖层，尤其是在有机电致发光器件中，可有效提高器件的光输出效率，且能够抑制UV光对有机电致发光器件内部材料的损伤，进而提高器件的外量子效率。
附图说明
图1表示本发明的示例性第一实施方案的有机电致发光器件结构图；
图2表示本发明的示例性第二实施方案的有机电致发光器件结构图；
图3表示化合物S-H、S-L的折射率和光吸收曲线；
图4表示对比实施例1～8、实施例1～4的QE曲线；
图5表示实施例1～20的QE曲线；
图6表示对比实施例1～4、9～12、实施例21～24的QE曲线；
图7表示实施例21～40的QE曲线；
图8表示对比实施例13～20、实施例41～44的QE曲线；
图9表示实施例41～60的QE曲线。
具体实施方式
为了简洁和清楚的说明，附图中各要素不一定按比例绘制。并且不同附图中的相同附图标记指代相同或相似的要素，并且执行相似的功能。下面将参考附图并结合本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。此外，为了描述的简洁，会省略已知步骤和要素的描述和细节。所描述的附图及实施例仅仅是本发明一部分附图及实施例，而不是全部的附图及实施例。基于本发明中的附图及实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明的保护范围。
本发明提供了一种光色转换膜，所述光色转换膜是包含至少一种低折射率材料和至少一种高折射率材料的单层混合物薄膜，其中，所述低折射率材料的折射率小于等于2.0，所述高折射率材料的折射率大于等于2.0。
优选的，所述高折射率材料与所述低折射率材料的折射率差值大于0.1。
优选的，所述高折射率材料选自有机物、无机物、金属配合物中的任意一种。
所述高折射率有机物选自芳胺衍生物、苯并噁唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯并咪唑衍生物、苯并三氮唑衍生物、咔唑衍生物、蒽衍生物、芘衍生物、嘧啶衍生物、吡啶衍生物、三嗪衍生物、菲罗啉衍生物、硼衍生物、芴衍生物、呋喃衍生物、噻吩衍生物、二苯并呋喃衍生物、二苯并噻吩衍生物、氮杂苯并噻吩衍生物、噻二唑衍生物、噁二唑衍生物、三唑衍生物、膦衍生物等中的任意一种。优选的，所述高折射率有机物可选自如下化学式Ⅰ-Ⅵ中的任意一种：
Figure BDA0002644030210000031
L1、L2、L3、La、Lb、Lc、Ld独立地选自单键、取代或未取代的C6～C60的亚芳基、取代或未取代的C2～C60的亚杂芳基中的任意一种；Ar1、Ar2、Ar3、Ar4独立地选自取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C2～C60的杂芳基中的任意一种。
优选的，L1、L2、L3、La、Lb、Lc、Ld独立地选自单键、取代或未取代的如下基团中的任意一种：亚苯基、亚联苯基、亚萘基、亚蒽基、亚芘基、亚芴基、亚螺二芴基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚咔唑基、亚苯并噁唑基、亚苯并噻唑基、亚苯并咪唑基、亚苯并三氮唑基、亚呋喃基、亚噻吩基、亚吡咯基等，但并不限于此。
优选的Ar1、Ar2、Ar3、Ar4中至少一个选自取代或未取代的如下基团：苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并三氮唑基、苯并咪唑基、苯并三氮唑基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、萘基、芘基、喹喔啉基、氮杂萘基、菲基、氮杂菲基、三亚苯基、氮杂三亚苯基等，但并不限于此。
Figure BDA0002644030210000041
X1、X2、X3独立地选自C或N；
L4、L5、L6独立地选自单键、取代或未取代的C6～C60的亚芳基、取代或未取代的C2～C60的亚杂芳基中的任意一种；Ar5、Ar6、Ar7独立地选自取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C2～C60的杂芳基中的任意一种。
优选的，L4、L5、L6独立地选自单键、取代或未取代的如下基团中的任意一种：亚苯基、亚联苯基、亚萘基、亚蒽基、亚芘基、亚芴基、亚螺二芴基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚咔唑基、亚苯并噁唑基、亚苯并噻唑基、亚苯并咪唑基、亚苯并三氮唑基、亚呋喃基、亚噻吩基、亚吡咯基等，但并不限于此。
优选的，Ar5、Ar6、Ar7中至少有一个选自取代或未取代的如下基团：苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并三氮唑基、苯并咪唑基、苯并三氮唑基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、萘基、芘基、喹喔啉基、氮杂萘基、菲基、氮杂菲基、三亚苯基、氮杂三亚苯基等，但并不限于此。
Figure BDA0002644030210000042
X4、X5、X6独立地选自C或N；
L7、L8、L9独立地选自单键、取代或未取代的C6～C60的亚芳基、取代或未取代的C2～C60的亚杂芳基中的任意一种；Ar8、Ar9、Ar10、Ar11独立地选自取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C2～C60的杂芳基中的任意一种。
优选的，L7、L8、L9独立地选自单键、取代或未取代的如下基团中的任意一种：亚苯基、亚联苯基、亚萘基、亚蒽基、亚芘基、亚芴基、亚螺二芴基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚咔唑基、亚苯并噁唑基、亚苯并噻唑基、亚苯并咪唑基、亚苯并三氮唑基、亚呋喃基、亚噻吩基、亚吡咯基等，但并不限于此。
优选的，Ar5、Ar6、Ar7中至少一个选自取代或未取代的如下基团：苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并三氮唑基、苯并咪唑基、苯并三氮唑基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、萘基、芘基、喹喔啉基、氮杂萘基、菲基、氮杂菲基、三亚苯基、氮杂三亚苯基等，但并不限于此。
Figure BDA0002644030210000043
L10、L11、L12独立地选自单键、取代或未取代的C6～C60的亚芳基、取代或未取代的C2～C60的亚杂芳基中的任意一种；Ar12、Ar13、Ar14独立地选自取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C2～C60的杂芳基中的任意一种。
优选的，L10、L11、L12独立地选自单键、取代或未取代的如下基团中的任意一种：亚苯基、亚联苯基、亚萘基、亚蒽基、亚芘基、亚芴基、亚螺二芴基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚咔唑基、亚苯并噁唑基、亚苯并噻唑基、亚苯并咪唑基、亚苯并三氮唑基、亚呋喃基、亚噻吩基、亚吡咯基等，但并不限于此。
优选的，Ar12、Ar13、Ar14中至少一个选自取代或未取代的如下基团：苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并三氮唑基、苯并咪唑基、苯并三氮唑基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、萘基、芘基、喹喔啉基、氮杂萘基、菲基、氮杂菲基、三亚苯基、氮杂三亚苯基等，但并不限于此。
Figure BDA0002644030210000051
X7、X8、X9、X10独立地选自C或N；
L13选自取代或未取代的C6～C60的亚芳基、取代或未取代的C2～C60的亚杂芳基中的任意一种；
R1、R2独立地选自H、取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C2～C60的杂芳基中的任意一种，m、n独立地选自0～8的整数中的而任意一种。
优选的，X7、X8、X9、X10同时为N。
Figure BDA0002644030210000052
L14、L15、L16独立地选自单键、取代或未取代的C6～C60的亚芳基、取代或未取代的C2～C60的亚杂芳基中的任意一种；Ar15、Ar16、Ar17独立地选自取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C2～C60的杂芳基、取代或未取代的C6～C60的芳胺基中的任意一种。
优选的，优选的，L10、L11、L12独立地选自单键、取代或未取代的如下基团中的任意一种：亚苯基、亚联苯基、亚萘基、亚蒽基、亚芘基、亚芴基、亚螺二芴基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚咔唑基、亚苯并噁唑基、亚苯并噻唑基、亚苯并咪唑基、亚苯并三氮唑基、亚呋喃基、亚噻吩基、亚吡咯基等，但并不限于此。
优选的，Ar15、Ar16、Ar17中至少一个选自取代或未取代的如下基团：苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并三氮唑基、苯并咪唑基、苯并三氮唑基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、萘基、芘基、喹喔啉基、氮杂萘基、菲基、氮杂菲基、三亚苯基、氮杂三亚苯基等，但并不限于此。
上述化学式Ⅰ-Ⅵ结构仅为所述高折射率有机物中的一部分，所述高折射率有机物的结构并不局限于此。
所述高折射率无机物选自无机非金属、金属、金属合金、氧化物、碳化物、氮化物、氮氧化物、卤化物、硫化物、硒化物、硅化物、金属氢氧化物等中的任意一种。优选的，高折射率无机物选自石墨烯(C60)、Si、Ge、Se、Pt、W、Hf、Mo、Ti、V、Cr、Au-Pt合金、Pt-Pd合金、氮化硅、碳化硅、氮化铝、氮氧化铝、氮氧化硅、氮化镓、氮化铟、氮化硼、氮化钕、氮化钽、氮化钛、氮化钒、氮化镱、氮化锆、氧化钛、氧化铌、氧化钽、氧化钨、氧化镍、氧化钼、氧化钒、氧化锑、氧化钪、氧化锆、氧化硒、氧化铟、氧化锡、氧化铪(HfO)、氧化镱、氧化镧、氧化钇、氧化钍、氧化镁、氧化镓、氧化铋、氧化铬、氧化铜、氧化铁、氧化锌、氧化锰、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、LiNbO3、La2Ti2O7、SnI2、SnI4、CuI2、AgCl、AgBr、TiBr3、TiCl3、PbCl2、PbF2、CdI2、ZnS、ZnSe、CdS、CdSe、CaS、Sd2S3、BaS、Ag2S、WSi中的任意一种，但不局限于此。
所述高折射率金属配合物选自主族金属配合物、过渡金属配合物中的任意一种，优选的，所述高折射率金属配合物选自如下化合物中任意一种：铂配合物、铝配合物、铜配合物、金配合物、锌配合物、镁配合物、钛配合物、镓配合物、铟配合物、铍配合物、硼配合物、锂配合物等，但不限于此。
优选的，所述低折射率材料选自有机物、无机物、金属配合物中的任意一种。
所述低折射率有机物选自芳胺衍生物、苯并噁唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯并咪唑衍生物、苯并三氮唑衍生物、咔唑衍生物、芘衍生物、嘧啶衍生物、吡啶衍生物、三嗪衍生物、菲罗啉衍生物、硼衍生物、芴衍生物、呋喃衍生物、噻吩衍生物、二苯并呋喃衍生物、二苯并噻吩衍生物、氮杂苯并噻吩衍生物、噻二唑衍生物、噁二唑衍生物、三唑衍生物、膦衍生物、聚合物等中的任意一种。优选的，所述低折射率有机物选自如下结构中的任意一种：N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、1,4,5,8,9,11-六氮杂苯甲腈(HAT-CN)、N4,N4,N4',N4'-四(4-甲氧基苯基)-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(MeO-TPD)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(BCP)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、3,3-二(9H-咔唑-9-基)联苯(mCBP)、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)、三(2,4,6-三甲基-3-(吡啶-2-基)苯基)硼烷(3TPYMB)、9,9'-(2,2'-二甲基-[1,1'-联苯]-4,4'-二基)双(9H-咔唑)(CDBP)、9-(4-(10-苯基蒽-9-基)苯基)-9H-咔唑(CzPA)、4,4'-双((E)-2-(9-乙基-9H-咔唑-3-基)乙烯基)-1,1'-联苯(BCzVBi)、4,4'-双(2,2-二苯基乙烯基)-1,1'-联苯(DPVBi)、4,4',4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、1,3,5-三[N,N-双-(2-甲基苯基)-氨基]苯(o-MTDAB)、1,3,5-三[N,N-双(3-甲基苯基)-氨基]苯(m-MTDAB)、1,3,5-三[N,N-双(4-甲基苯基)氨基]苯(p-MTDAB)、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、2,9-二(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(NBphen)、1,3,5-三(9-咔唑基)苯(TCB)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、2,4,6-三(1,1'-联苯基)-1,3,5-三嗪(T2T)、sDPVBi、3,3'-[5'-[3-(3-吡啶基)苯基](TmPyPb)、1,3,5-三(N-苯基-2-苯并咪唑)苯(TPBi)、2,5-二-(4-萘基)-1,3,4-恶二唑(BND)、9,9',9”-三苯基-9H,9'H,9”H-3,3',3”-叔咔唑(TrisPCZ)、N,N,N',N'-四联苯联苯二胺(BPA)、4,4',4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺(TDATA)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二(苯基)-2,2'-二甲基联苯胺(α-NPD)、4,4'-双[N,N-双(3-甲基苯基)-氨基]二苯基甲烷(BPPM)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-t-丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑(PBD)、4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(4-二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃(DCM)、4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-氯代烷基-9-烯基-4H-吡喃(DCM2)、4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(1,1,7,7-四甲基七氟烷基-9-烯基)-4H-吡喃(DCJT)、4-(二氰基亚甲基)-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基七氟烷基-4-基-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、2-(2-叔丁基-6-(2-(2,6,6-三甲基-2,4,5,6-四氢-1H-吡咯[3,2,1-ij]喹啉8-基)乙烯基)-4H-吡喃-4-亚烷基)丙二腈(DCQTB)、N4,N41'-双-(4-叔丁基-苯基)-N4,N4'-二氟蒽-3-基-二苯醚-4,4'-二胺(OYSE)、(4-(4-(1,2,2-三苯基乙烯基)苯基)-7-(5-(4-(1,2,2-三苯基乙烯基)苯基)噻吩-2-基)苯并[c][1,2,5]噻二唑)(BTPETTD)、3-(4-(二苯氨基)苯氨基)苯基)-1-苯基丙-2-烯-1-酮(DPPO)、2-(2-(4-(二甲基氨基)-3-甲基苯乙烯基)-6-甲基-4H-吡喃-4-亚烷基)丙二腈(M-DCM)、丙烯酸、环氧树脂、硅酮、硅氧烷、聚碳酸酯、聚氨酯、聚酰亚胺、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)、掺杂PEDOT的聚(苯乙烯磺酸盐)(PSS)、聚乙烯对苯二甲酸酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、掺杂的聚(4,4-二辛基环戊并二噻吩)等中的任意一种，但并不局限于此。
所述低折射率无机物选自无机非金属、金属、金属合金、氧化物、碳化物、氮化物、氮氧化物、卤化物、硫化物、硒化物、硅化物、金属氢氧化物等中的任意一种。优选的，低折射率无机物选自Mg、Cu、Ag、Ni、Pd、Ba、Au、Nb、Mg-Ag合金、Li-Al合金、Au-Pt合金、Au-Pd合金、Pd-Ag合金、Pt-Pd合金、氧化镁、氧化铝、氧化铍、氧化硼、氧化鎘、氧化锂、氧化钙、氧化硅、氮氧化硅、氟化锂，氟化钠、氟化钾、氟化钙，氟化锶、氟化钠，氟化铝，氟化镁，氟化钡，氟化镱，氟化钇，氟化镨，氟化钆，氟化镧，氟化钕，氟化铈，碘化锂、碘化钠、碘化钾、碘化铯、碘化镁、碘化钙、碘化铍、碘化锶、碘化钡、硫化铋、氢氧化镁、氢氧化铝、氢氧化钙、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化锂、氢氧化铬等中的任意一种，但并不局限于此。
所述低折射率金属配合物选自主族金属配合物、过渡金属配合中的任意一种，优选的，所述低折射率金属配合物选自如下化合物中的任意一种：铂配合物、铝配合物、铜配合物、金配合物、锌配合物、镁配合物、钛配合物、镓配合物、铟配合物、铍配合物、硼配合物、锂配合物等，再优选的，所述低折射率金属配合物选自二(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯酚)合铝(III)(BAlq)、三(8-羟基喹啉)合铝(III)(Alq3)、8-羟基喹啉锂(Liq)、铜酞菁、四甲基酞菁铜、锌酞菁、氧化钛酞菁、镁酞菁等中的任意一种，但并不局限于此。
再优选的，所述低折射率材料、所述高折射率材料中至少一个选自有机物。
再优选的，所述低折射率材料、所述高折射率材料独立地选自无机非金属化合物、金属配合物中的任意一种。
最优选的，所述光色转换膜光色转换膜采用共蒸或混合蒸镀工艺形成。
本发明所述的光色转换膜是包含至少一种低折射率材料和至少一种高折射率材料的单层混合物薄膜，根据蒸镀工艺可分为：共蒸、混合蒸镀。共蒸是指两种或两种以上材料采用独立蒸发源，当依据蒸镀工艺条件进行气相蒸镀时，各种材料通过控制蒸发速度按照特定比率同时进行蒸镀形成单层混合物薄膜；混合蒸镀是指两种或两种以上材料在气相蒸镀之前按照特定比例混合形成混合物，采用一个蒸发源，之后依据蒸镀工艺条件进行气相蒸镀形成单层混合物薄膜。
本发明提供了一种发光器件，所述发光器件包含本发明所述的光色转换膜中的任意一种。
其中本发明所述的发光器件包含光致发光器件、电致发光器件，具体包括传统CCFL(冷阴极荧光灯管)，LED(光致发光器件)、QLED(量子点发光器件)、OLED(有机电致发光器件)、mini-LED、micro-LED、micro-OLED等，但并不局限于此。
优选的，本发明所述发光器件包括有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包含基板、第一电极、有机物层、第二电极，覆盖层，其中，所述有机物层位于所述第一电极和所述第二电极之间，所述有机物层包含空穴注入层、空穴传输层、发光辅助层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少一层；所述覆盖层位于第一电极或第二电极背离有机物层一侧，所述覆盖层包含本发明所述的光色转换膜中的任意一种。
有机电致发光器件按照出光方式可分为底发射有机电致发光器件和顶发射有机电致发光器件。
底发射有机电致发光结构是较为常见的传统OLED器件结构，其器件结构依次包含基板、阳极、各有机物层、阴极。其中阳极为出光侧，其发光层产生的光子经过器件底部的透明阳极与基板发射到外界，在底发射有机电致发光器件中本发明所述的覆盖层位于透明阳极背离各有机物层一侧，即透明阳极和基板之间。
顶发射有机电致器件结构依次包含基板、不透明阳极、各有机物层、透明阴极。其中采用阴极为出光侧，顶部阴极为透明或半透明金属，其发光层产生的光子经过器件顶部的透明阴极发射到外界，在顶发射有机电致发光器件中本发明所述的覆盖层位于透明阴极背离各有机物层一侧。
本发明所述的有机电致发光器件包括底发射有机电致发光器件，其器件结构依次包含基板、覆盖层、透明阳极、有机物层、阴极。所述有机物层包含空穴注入层、空穴传输层、发光辅助层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少一层；所述覆盖层包含本发明所述的光色转换膜中的任意一种。
本发明所述的有机电致发光器件包括顶发射有机电致发光器件，其器件结构依次包含基板、阳极、有机物层、阴极、覆盖层，其中部分器件在所述覆盖层背离所述阴极一侧包括填充层和封装层。所述有机物层包含空穴注入层、空穴传输层、发光辅助层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少一层；所述覆盖层包含本发明所述的光色转换膜中的任意一种。
本发明还提供了一种照明或显示装置，所述照明或显示元件包含本发明所述的发光器件中的任意一种。优选的，本发明所述的照明或显示装置包含本发明所述的有机电致发光器件中的任意一种。
本发明还提供了两种含有覆盖层的顶发射有机电致发光器件的结构，下面结合附图中的图1、图2和实施例对本发明做进一步的详细说明。本发明提供这些附图及实施方案，目的仅仅是为了使本发明公开的更加完整、透彻，易于本领域技术人员的理解，然而，本发明所保护的内容也可以不同形式实施，下述附图和实施例不应解释为局限于本文所述的实施方案。
图1表示本发明的示例性第一实施方案的有机电致发光器件结构图，图2表示本发明的示例性第二实施方案的有机电致发光器件结构图，图1和图2大部分结构相同，仅有个别功能层的不同，下面就图1和图2做进一步的说明。
图1所示，有机电致发光器件包括基板1000，以及在基板1000上依次形成的第一电极(阳极)2000、空穴注入/传输层100、发光辅助层200、发光层300、电子传输层400、电子注入层500、第二电极(阴极)3000、覆盖层600、封装(Glass)4000。
图2所示，有机电致发光器件包括基板1000，以及在基板1000上依次形成的第一电极(阳极)2000、空穴注入/传输层100、发光辅助层200、发光层300、电子传输层400、电子注入层500、第二电极(阴极)3000、覆盖层600、填充层700、封装(Glass或者TFE)4001。
本发明所述基板可选用有机电致发光器件中使用的任何基板，要求其具有良好的机械强度、热稳定性、透明性、表面平整度、可操作性以及防水性，可以是刚性或柔性的，可以是透明的或不透明的。
其中，透明的基板包括聚合物、玻璃、石英等。其中聚合物包括聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚芳酯、聚醚砜、聚芳酯、聚醚砜等；玻璃包括钠钙玻璃、铅玻璃、铝硅酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃、钡硼硅酸盐玻璃等。
其中，不透明基板包括聚合物、硅、不锈钢、陶瓷、金属化合物等，其中聚合物包括聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚芳酯、聚醚砜、聚芳酯、聚醚砜等；硅包括单晶硅、多晶硅、无定形硅等；金属化合物包括金属氧化物、金属卤化物、金属氢氧化物、金属硫化物等。
本发明所述的图1和图2中所述的基板1000采用上述不透明基板。
本发明所述的第一电极(阳极)具有注入空穴的作用，可以使用任何适宜的阳极，包括透明或不透明，发射或不发射的阳极，阳极可以是由单一物质构成的单层结构，也可以是由两种或两种以上物质构成的单层或多层结构，阳极选自非金属、金属、金属氧化物、聚合物或者其混合物等，具体选自石墨烯、金、铂、铜、锌、钒、铬、铝、钼、镍、镱、锑、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌、氧化锌铝、氧化镓、氧化铟镓、氧化锡、聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯等，多层阳极选自如下结构：金属/金属、金属氧化物/金属、金属氧化物/金属/金属氧化物、金属/金属氧化物/金属等，具体选自Al/Ag、Al/Au、ZnO/Al、SnO2/Sb、ITO/Ag/ITO、Ag/ITO/Ag等，但并不局限于此。
本发明图1和图2中所述的第一电极(阳极)2000选自上述透明阳极
本发明所述的空穴注入/传输层具有减小第一电极(阳极)2000和发光辅助层200的界面势垒、提高空穴注入及传输能力的作用。空穴注入/传输层可以是有单一物质构成的单层结构，也可以是由两种或两种以上物质构成的单层或多层结构，空穴注入/传输层材料选自金属氧化物、酞菁类化合物、芳胺类化合物、咔唑衍生物、吡唑啉类化合物、腙类化合物、苯乙烯类化合物、丁二烯类化合物等小分子材料以及聚合物材料等。具体选自：三氧化钼、氧化银、五氧化二钒、三氧化钨、氧化钌、氧化镍、氧化铜、二氧化钛、三氧化二铝，酞菁铜(II)(CuPc)、氧钛酞菁(TiOPC)、N,N'-二(N,N'-二苯基-4-氨基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-二氨基-1,1'-联苯、N4,N4,N4',N4'-四([1,1'-联苯]-4-基)-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺、4,4'4"-三(N,N-二苯基氨基)三苯基胺(NATA)、4,4',4”-三(N-(萘-1-基)-N-苯基-氨基)三苯胺(1T-NATA)、4,4',4”-三[2-萘基苯基氨基]三苯基胺(2T-NATA)、4,4',4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N4,N4,N4',N4'-四(4-甲氧基苯基)-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(MeO-TPD)、2,7-二[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨]-9,9-螺二[9H-芴](MeO-Spiro-TPD)、N,N'-二[4-二(间甲苯基)氨基苯基]-N,N'-二苯基联苯胺(DNTPD)、7,7,8,8-四氰基对苯二醌二甲烷(TCNQ)、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌(F4-TCNQ)、吡唑并[2,3-F][1,10]菲啰啉-2,3-二腈(PPDN)、1,4,5,8,9,11-六氮杂苯甲腈(HAT-CN)、聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)、聚(4-乙烯基三苯胺)(PVTPA)、聚[N,N’-二(4-丁基苯基)-N,N’-二(苯基)联苯胺](Poly-TPD)、聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)、N4,N4,N4',N4'-四([1,1'-联苯]-4-基)-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺、4,4',4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺(TDATA)、4,4',4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯胺(MTDATA)、N,N'-二苯基-N,N'-二菲-9-基-4,4'-联苯二胺(PPD)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二(苯基)-2,2'-二甲基联苯胺(α-NPD)、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、N,N'-二(萘-2-基)-N,N'-二(苯基)联苯-4,4'-二胺(β-NPB)、N,N'-二苯基-N,N'-二(α-萘基)-1,1'-联萘-4,4'-二胺(α-NPN)、4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、2,2,7,7-四(二苯基氨基)-9,9-螺二芴(Spiro-TAD)，3,3'-(1,4-亚苯基)二(1,5-二苯基-4,5-二氢-1H-吡唑)(PYR-D1)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)；聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)、4-(N,N-二对甲基苯基)氨基苯甲醛-1,1-二苯基腙、1,4-二[4-(N,N-二对甲基苯基氨基)苯乙烯基]苯(DPD)等。
本发明所述的空穴注入/传输层100选自上述空穴注入/传输材料，其可以是单一物质构成的单层结构，也可以是由上述两种或两种以上物质构成的单层结构或多层结构，但并不局限于此。本发明所述的空穴注入/传输层100的厚度范围是
Figure BDA0002644030210000101
可根据需求进行适当调整，此外，可以依据空穴注入/传输层表面电荷发生层的需要，也可以进行追加蒸镀。
本发明所述的发光辅助层具有提高空穴传输效率、阻挡电子或激子向阳极侧逸散的作用。所述发光辅助层可以是单一物质构成的单层结构，也可以是由两种或两种以上物质构成的单层或多层结构。材料多选自芳香族胺类衍生物、吡唑啉类化合物、咔唑衍生物、腙类化合物、苯乙烯类化合物、丁二烯类化合物等小分子材料以及聚合物材料，但不限于此。具体选自如下结构中的任意一种或多种：N4,N4,N4',N4'-四([1,1'-联苯]-4-基)-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺、4,4',4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺(TDATA)、4,4',4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯胺(MTDATA)、N,N'-二苯基-N,N'-二菲-9-基-4,4'-联苯二胺(PPD)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二(苯基)-2,2'-二甲基联苯胺(α-NPD)、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、N,N'-二(萘-2-基)-N,N'-二(苯基)联苯-4,4'-二胺(β-NPB)、N,N'-二苯基-N,N'-二(α-萘基)-1,1'-联萘-4,4'-二胺(α-NPN)、4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、2,2,7,7-四(二苯基氨基)-9,9-螺二芴(Spiro-TAD)，3,3'-(1,4-亚苯基)二(1,5-二苯基-4,5-二氢-1H-吡唑)(PYR-D1)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)；聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)、4-(N,N-二对甲基苯基)氨基苯甲醛-1,1-二苯基腙、1,4-二[4-(N,N-二对甲基苯基氨基)苯乙烯基]苯(DPD)等。
本发明所述的发光辅助层200选自上述发光辅助层材料，本发明所述的发光辅助层200可以是上述单一物质构成的单层结构，也可以是由上述两种或两种以上物质构成的单层结构或多层结构，但并不局限于此。本发明所述发光辅助层200的厚度范围是10～1000nm，优选的，厚度范围是20～150nm，可根据需求进行适当调整。
本发明所述的发光层是实现发光的有机物层，其所使用的发光层材料可以是单一物质发光材料，也可以是主体材料和客体掺杂材料组成的混合发光材料。单一物质发光材料一般包括热活化延迟荧光材料、聚集诱导发光材料、金属配合物等。主体和客体掺杂材料形成的混合发光材料一般采用荧光材料加磷光材料掺杂的形式，其目的是为了防止光猝灭现象。
其中主体材料多选自铝配合物、锌配合物等金属配合物、芴衍生物、蒽衍生物、咔唑衍生物等，但不限于此。具体选自如下结构中的任意一种或多种：三(8-羟基喹啉)合铝(III)(Alq3)、8-羟基喹啉锌(Znq2)、2,7-二[9,9-二(4-甲基苯基)-芴-2-基]-9,9-二(4-甲基苯基)芴(TDAF)、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、9-(1-萘基)-10-[4-(2-萘基)苯基]蒽、1,3,5-三(9-咔唑基)苯(TCP)、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(MCP)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)等，但不限于此。主体材料可以是单一物质，也可是多种物质组成的多主体混合材料。
客体掺杂材料根据发射光波长可以分为蓝色发光材料、绿色发光材料、红色发光材料。
其中，蓝色发光材料多选自芘衍生物、蒽衍生物、芴衍生物、苝衍生物、苯乙烯基胺衍生物、金属配合物等，但不限于此。具体结构选自如下结构中的任意一种或多种：N1,N6-二([1,1'-联苯]-2-基)-N1,N6-二([1,1'-联苯]-4-基)芘-1,6-二胺、9,10-二-(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-二-2-萘基蒽(MADN)、2,7-二(4-二苯胺基苯基)-9,9-二(4-二苯胺基苯基)芴(XB10)、2,5,8,11-四叔丁基苝(TBPe)、4,4'-二[4-(二苯氨基)苯乙烯基]联苯(BDAVBi)、4,4'-二[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)、1,4-二[4-(N,N-二苯基)氨基]苯乙烯(DSA-Ph)、三[1-(2,6-二异丙基苯基)-2-苯基-1H-咪唑]合铱(fac-Ir(iprpmi)3)、二(2-羟基苯基吡啶)合铍(Bepp2)、二(4,6-二氟苯基吡啶-C2,N)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、二(2,4-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸铱(III)(Fir6)等，但不限于此。
绿色发光材料多选自香豆素染料、喹吖啶铜类衍生物、多环芳香烃、二胺蒽类衍生物、咔唑衍生物、金属配合物等，但不限于此。具体结构选自如下结构中的任意一种或多种：香豆素6(C-6)、香豆素545T(C-525T)、喹吖啶铜(QA)、N,N'-二甲基喹吖啶酮(DMQA)、5,12-二苯基萘并萘(DPT)、N10，N10，N10'，N10'-四苯基-9,9'-二蒽-10,10'-二胺(BA-TAD)、N10,N10'-二苯基-N10,N10'-二苯二甲酰-9,9'-二蒽-10,10'-二胺(BA-NPB)、9,9',9”-(5-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯-1,2,3-三基)三(3,6-二甲基-9H-咔唑)(TmCzTrz)、三(8-羟基喹啉)合铝(III)(Alq3)、三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)2(acac))、三[2-(对甲苯基)吡啶-C2,N]合铱(III)(Ir(mppy)3)、三[2-(3-甲基-2-吡啶基)苯基]铱(Ir(3mppy)3)、二[2-(2-苯并噻唑基)苯酚]锌(Zn(BTZ)2)等，但不限于此。
红色发光材料多选自DCM系列材料、金属配合物等，但不限于此。具体结构选自如下结构中的任意一种或多种：4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(4-二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃(DCM)、4-(二氰基甲撑)-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼啶-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB、二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)铱(III)(Ir(piq)2(acac))、八乙基卟啉铂(PtOEP)、二(2-(2'-苯并噻吩基)吡啶-N,C3')(乙酰丙酮)合铱(Ir(btp)2(acac)、二[1-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-异喹啉](乙酰丙酮)铱(III)(Ir(fliq)2(acac))、二[2-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-喹啉](乙酰丙酮)铱(III)(Ir(flq)2(acac))、三(二苯甲酰基甲烷)单(菲罗啉)铕(III)(Eu(dbm)3(Phen))等，但不限于此。上述客体掺杂材料根据自身的性质，有的既可以单独作为发光层，也可以作为客体掺杂材料，匹配合适的主体材料共同作为发光层。有的由于发光机制不同，只能作为客体掺杂材料，匹配合适的主体材料共同形成本发明所述的发光层。
本发明所所述的发光层300选自上述发光层物质，其可以是单一物质发光材料，也可以是主体材料和客体掺杂材料组成的混合发光材料。本发明所述发光层300的厚度范围是10～1000nm，优选的，厚度范围是20～150nm，可根据需求进行适当调整。
本发明所述的电子传输层具有提高电子在有机电致发光器件中的传输效率、阻挡空穴或激子向阴极侧逸散的作用，本发明所述的电子传输层可以是单一化合物构成的单层结构、也可以是两种或两种以上化合物构成的单层结构或多层结构。其所使用的电子传输层材料多选自铝配合物、铍配合物、锌配合物等金属配合物、恶唑衍生物、咪唑衍生物、三唑类化合物、菲啰啉衍生物、吡啶衍生物芳香族杂环化合物、聚合物等，但不限于此。具体结构选自如下结构中的任意一种或多种：三(8-羟基喹啉)合铝(III)(简称:Alq3)、三(4-甲基-8-羟基喹啉)合铝(简称:Almq3)、二(10-羟基苯并[h]喹啉)铍(简称:Bepq2)、二(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯酚)合铝(III)(简称:BAlq)、二(8-羟基喹啉)合锌(II)(简称:Znq)，2,5-二-(4-萘基)-1,3,4-恶二唑(简称:BND)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑(简称:PBD)、2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并[d]咪唑、1,3,5-三(N-苯基-2-苯并咪唑)苯(简称:TPBi)、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(简称:Bphen)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(简称:BCP)、2,9-二(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(简称:NBphen)、3,3'-[5'-[3-(3-吡啶基)苯基](简称:TmPyPB)、1,3,5-三(4-吡啶-3-基苯基)苯(简称:TpPyPB)、1,3,5-三(6-(3-(3-吡啶基)苯基)吡啶-2-基)苯(简称:Tm3PyP26PyB)、2,4,6-三(3-(3-吡啶基)-(1,1'-联苯基)-3-基)-1,3,5-三嗪(简称:TmPPPyTz)、聚[9,9-二[6'-(N，N，N-三甲基铵)己基]芴-alt-co-1,4-亚苯基]溴化物(简称:FPQ-Br)等，但不限于此。本发明的电子传输层400还可以是由上述电子传输材料和下述电子注入材料相互掺杂形成的混合材料，例如Alq3/LiF、Alq3/Liq、BAlq/LiF、BAlq/Liq等，但不限于此。
本发明所述的电子传输层400选自上述电子传输层材料，其可以是单一化合物构成的单层结构、也可以是两种或两种以上化合物构成的单层结构或多层结构。本发明所述电子传输层400的厚度范围是10～1000nm，优选的，厚度范围是20～150nm，可根据需求进行适当调整。
本发明所述的电子注入层具有降低阴极和电子传输层之前的注入势垒、提高电子的注入率的作用。本发明所述的电子注入层选自单一化合物构成的单层结构、两种或两种以上化合物构成的单层结构或多层结构。其所使用的电子注入层材料多选自碱金属、碱土金属或者含有碱金属、碱土金属的化合物等，但不限于此。具体结构选自如下结构中的任意一种或多种：Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Yd、氟化锂、氟化钠、氟化钾、氟化铷、氟化铯、氟化镁、氟化钙、氧化锂、碳酸铯、偏硼酸锂、硅酸钾、醋酸锂、醋酸钠、醋酸铷、醋酸钾、醋酸铯、四(8-羟基喹啉)硼锂、8-羟基喹啉锂等，但不限于此。
本发明所述的电子注入层500选自上述电子注入层材料，其可以是单一化合物构成的单层结构、也可以是两种或两种以上化合物构成的单层结构或多层结构。本发明所述电子注入层500的厚度范围是10～1000nm，优选的，厚度范围是20～150nm，可根据需求进行适当调整。
本发明所述的阴极具有注入电子的作用，本发明所述的阴极可以是单一化合物构成的单层结构，也可以是两种或两种以上化合物构成的单层结构或多层结构。其所使用的电子注入层材料多选自主族金属、碱金属、碱土金属、过渡金属、镧系金属等或者上述金属的合金，具体包含：Al、Ca、Mg、Li、Ag、Au、In、W、Ni、Pt、Yb、Cr、Sm、Sr、Sn、镁银合金、钙镁合金、锂铝合金、锂钙镁合金等，但并不局限于此。本发明所述的阴极3000选自上述阴极材料。
本发明所述的覆盖层具有提高光输出效率，防止UV损伤器件内部有机层的作用，其使用的覆盖层包含本发明所述的光色转换膜中的任意一种，其可以是由本发明所述的光色转换膜构成的单一结构，也可以是包含本发明所述的光色转换膜和其它有机物的单层或多层结构。其他可用做覆盖层的物质包含常规的覆盖层材料选自有机物、无机物、金属配合物中的任意一种。其中有机物选自芳胺衍生物、苯并噁唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯并咪唑衍生物、苯并三氮唑衍生物、咔唑衍生物、芘衍生物、嘧啶衍生物、吡啶衍生物、三嗪衍生物、菲罗啉衍生物、硼衍生物、芴衍生物、呋喃衍生物、噻吩衍生物、二苯并呋喃衍生物、二苯并噻吩衍生物、氮杂苯并噻吩衍生物、噻二唑衍生物、噁二唑衍生物、三唑衍生物、膦衍生物中的任意一种，但不限于此；无机物选自无机非金属、金属、金属合金氧化物、碳化物、氮化物、氮氧化物、卤化物、硫化物、硒化物、硅化物、金属氢氧化物等中的任意一种，但不限于此；金属配合物选自主族金属配合物、过渡金属配合中的任意一种，优选的，所述高折射率金属配合物选自如下化合物中任意一种：铂配合物、铝配合物、铜配合物、金配合物、锌配合物、镁配合物、钛配合物等，但不限于此。
本发明所述的覆盖层600选自上述覆盖层材料，所述覆盖层600包含本发明所述的光色转换膜中的任意一种，其可以是由本发明所述的光色转换膜构成的单一结构，也可以是包含本发明所述的光色转换膜和其它有机物的单层或多层结构，所述其他有机物选自上述覆盖层其它化合物。根据使用材料的不同，本发明所述覆盖层600的厚度范围是10～100nm，优选的，厚度范围是30～100nm，在此厚度区间内，可有效避免覆盖层透过率低下的问题。
对本发明的含有覆盖层的有机电致发光器件的各功能层的形成方法，没有特别限制，可以采用干式成膜法、湿式成膜法等公知的方法。干式成膜法包括真空蒸镀法、溅射法、等离子法、铸涂法等。湿式成膜法包括旋涂法、浸渍法、喷墨法、刮涂法、喷雾法、丝网印刷法、辊涂法、LB(Langmuir-Blodgett)法等，但不限于此。
所述填充层700，用于填充所述覆盖层600与所述封装4001的间隙，具有防止器件外部水氧腐蚀、阻挡UV损伤的作用，其所使用填充材料选自无机物、有机物、无机物与有机物交替形成物中的任意一种，无机物包括无机氧化物，具体如：氧化铝、氧化钛、氧化锆、氧化硅、氮氧化铝、氮氧化硅、氧化锌、氧化钽等，有机物包括聚合物，具体如：丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺、聚乙烯等，但并不局限于此。
所述封装4000或4001，封装采用玻璃或是薄膜封装(TFE,Thin FilmEncapsulation)，当采用薄膜封装工艺时，工艺流程中包含UV固化工艺步骤，以此阻挡UV光，充当阻挡剂的作用。
然而，上述有机电致发光器件的结构并不限于此。本发明所述的有机电致发光器件可根据器件参数要求及材料的特性进行选择及组合，也可增加或省略部分有机层。
本发明有机电致发光器件的制备与性能测试
器件的制备采用真空蒸镀系统，在真空不间断条件下连续蒸发制备完成。所用材料分别在不同的蒸发源石英坩埚中，蒸发源的温度可以单独控制。有机材料或掺杂母体有机材料的热蒸发速率一般定在0.1nm/s，掺杂材料蒸发速率调节按掺杂比率进行；电极金属蒸发速率在0.4～0.6nm/s。将处理好的玻璃基板放置到OLED真空镀膜机中，在薄膜制作过程中，系统真空度应该维持在5×10-5Pa以下，通过更换掩膜板分别来蒸镀有机层和金属电极。制备完成的有机发光器件的性能测试由吉时利2635B源测量单位(Keithley2635BSource measuremet unit)施加电压，注入电子与空穴，利用柯尼卡美能达分光辐射亮度计(Konica Minolta CS2000)，测量放出光时的亮度、电流效率、色坐标、外量子效率(QE)，测试的环境为大气环境，温度为室温。
对比实施例1
ITO-Ag-ITO玻璃基板用5％的玻璃清洗液超声清洗20min，再经蒸馏水超声清洗3次，每次5min，依次使用丙酮、异丙醇超声清洗20min，120℃烘干、然后将基板放置于等离子设备中进行清洗5min。之后将处理好的ITO玻璃基板放入真空蒸镀机中，在薄膜制备过程中，系统真空度维持在系统真空度应该维持在5×10-4Pa以下，之后再ITO-Ag-ITO基板上依次蒸镀
Figure BDA0002644030210000141
厚度的HATCN作为空穴注入层，蒸镀
Figure BDA0002644030210000142
厚度的α-NPD作为空穴传输层，
Figure BDA0002644030210000143
厚度的BH:BD 3wt％掺杂作为发光层。
Figure BDA0002644030210000144
厚度的ET01:Liq(1:1)作为电子传输层，
Figure BDA0002644030210000145
厚度的Yb作为电子注入层，
Figure BDA0002644030210000146
厚度的Mg:Ag(1:9)作为阴极，在上述阴极上蒸镀
Figure BDA0002644030210000147
厚度的S-H作为覆盖层。将此器件放入手套箱进行封装，由此制备对比实施例1。
Figure BDA0002644030210000148
对比实施例2
将对比实施例1中的覆盖层S-H的厚度更换为
Figure BDA0002644030210000149
其它步骤相同，得到对比实施例2。
对比实施例3
将对比实施例1中的覆盖层S-H的厚度更换为
Figure BDA00026440302100001410
其它步骤相同，得到对比实施例3。
对比实施例4
将对比实施例1中的覆盖层S-H的厚度更换为
Figure BDA00026440302100001411
其它步骤相同，得到对比实施例4。
对比实施例5
将对比实施例1中的覆盖层
Figure BDA00026440302100001412
厚度的S-H更换为
Figure BDA00026440302100001413
厚度的S-L，其它步骤相同，得到对比实施例5。
对比实施例6
将对比实施例1中的覆盖层
Figure BDA00026440302100001414
厚度的S-H更换为
Figure BDA00026440302100001415
厚度的S-L，其它步骤相同，得到对比实施例6。
对比实施例7
将对比实施例1中的覆盖层
Figure BDA0002644030210000151
厚度的S-H更换为
Figure BDA0002644030210000152
厚度的S-L，其它步骤相同，得到对比实施例7。
对比实施例8
将对比实施例1中的覆盖层
Figure BDA0002644030210000153
厚度的S-H更换为
Figure BDA0002644030210000154
厚度的S-L，其它步骤相同，得到对比实施例8。
实施例1
将对比实施例1中的覆盖层
Figure BDA0002644030210000155
厚度的S-H更换为
Figure BDA0002644030210000156
厚度的S-H：S-L＝5：5，二者采用单独蒸发源，采用5：5的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例1。
实施例2
将对比实施例1中的覆盖层
Figure BDA0002644030210000157
厚度的S-H更换为
Figure BDA0002644030210000158
厚度的S-H：S-L＝5：5，二者采用单独蒸发源，采用5：5的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例2。
实施例3
将对比实施例1中的覆盖层
Figure BDA0002644030210000159
厚度的S-H更换为
Figure BDA00026440302100001510
厚度的S-H：S-L＝5：5，二者采用单独蒸发源，采用5：5的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例3。
实施例4
将对比实施例1中的覆盖层
Figure BDA00026440302100001511
厚度的S-H更换为
Figure BDA00026440302100001512
厚度的S-H：S-L＝5：5，二者采用单独蒸发源，采用5：5的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例4。
实施例5
将对比实施例1中的覆盖层
Figure BDA00026440302100001513
厚度的S-H更换为
Figure BDA00026440302100001514
厚度的S-H：S-L＝9：1，二者采用单独蒸发源，采用9：1的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例5。
实施例6
将对比实施例1中的覆盖层
Figure BDA00026440302100001515
厚度的S-H更换为
Figure BDA00026440302100001516
厚度的S-H：S-L＝9：1，二者采用单独蒸发源，采用9：1的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例6。
实施例7
将对比实施例1中的覆盖层
Figure BDA00026440302100001517
厚度的S-H更换为
Figure BDA00026440302100001518
厚度的S-H：S-L＝9：1，二者采用单独蒸发源，采用9：1的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例7。
实施例8
将对比实施例1中的覆盖层
Figure BDA00026440302100001519
厚度的S-H更换为
Figure BDA00026440302100001520
厚度的S-H：S-L＝9：1，二者采用单独蒸发源，采用9：1的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例8。
实施例9
将对比实施例1中的覆盖层
Figure BDA00026440302100001521
厚度的S-H更换为
Figure BDA00026440302100001522
厚度的S-H：S-L＝7：3，二者采用单独蒸发源，采用7：3的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例9。
实施例10
将对比实施例1中的覆盖层
Figure BDA0002644030210000161
厚度的S-H更换为
Figure BDA0002644030210000162
厚度的S-H：S-L＝7：3，二者采用单独蒸发源，采用7：3的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例10。
实施例11
将对比实施例1中的覆盖层
Figure BDA0002644030210000163
厚度的S-H更换为
Figure BDA0002644030210000164
厚度的S-H：S-L＝7：3，二者采用单独蒸发源，采用7：3的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例11。
实施例12
将对比实施例1中的覆盖层
Figure BDA0002644030210000165
厚度的S-H更换为
Figure BDA0002644030210000166
厚度的S-H：S-L＝7：3，二者采用单独蒸发源，采用7：3的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例12。
实施例13
将对比实施例1中的覆盖层
Figure BDA0002644030210000167
厚度的S-H更换为
Figure BDA0002644030210000168
厚度的S-H：S-L＝3：7，二者采用单独蒸发源，采用3：7的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例13。
实施例14
将对比实施例1中的覆盖层
Figure BDA0002644030210000169
厚度的S-H更换为
Figure BDA00026440302100001610
厚度的S-H：S-L＝3：7，二者采用单独蒸发源，采用3：7的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例14。
实施例15
将对比实施例1中的覆盖层
Figure BDA00026440302100001611
厚度的S-H更换为
Figure BDA00026440302100001612
厚度的S-H：S-L＝3：7，二者采用单独蒸发源，采用3：7的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例15。
实施例16
将对比实施例1中的覆盖层
Figure BDA00026440302100001613
厚度的S-H更换为
Figure BDA00026440302100001614
厚度的S-H：S-L＝3：7，二者采用单独蒸发源，采用3：7的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例16。
实施例17
将对比实施例1中的覆盖层
Figure BDA00026440302100001615
厚度的S-H更换为
Figure BDA00026440302100001616
厚度的S-H：S-L＝1：9，二者采用单独蒸发源，采用1：9的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例17。
实施例18
将对比实施例1中的覆盖层
Figure BDA00026440302100001617
厚度的S-H更换为
Figure BDA00026440302100001618
厚度的S-H：S-L＝1：9，二者采用单独蒸发源，采用1：9的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例18。
实施例19
将对比实施例1中的覆盖层
Figure BDA00026440302100001619
厚度的S-H更换为
Figure BDA00026440302100001620
厚度的S-H：S-L＝1：9，二者采用单独蒸发源，采用1：9的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例19。
实施例20
将对比实施例1中的覆盖层
Figure BDA00026440302100001621
厚度的S-H更换为
Figure BDA00026440302100001622
厚度的S-H：S-L＝1：9，二者采用单独蒸发源，采用1：9的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例20。
对比实施例1中覆盖层材料S-H、S-L折射率及光吸收强度测试：
测试样品：S-H、S-L，单独测试；
测试设备：M-2000光谱型椭偏仪(美国J.A.Woollam公司)；
测试方法：在硅胶基板上分别采用真空蒸镀设备蒸镀测试样品50nm厚度膜，在205nm～850nm范围内分别测量S-H、S-L的折射率和光吸收强度，其折射率曲线和光吸收曲线如图3所示。
其中，当膜厚是50nm时，覆盖层材料S-H在450nm下的折射率n＝2.34，在380nm紫外光下的吸收系数是0.99，S-H具有较高的折射率及紫外光吸收能力；当膜厚是50nm时，覆盖层材料S-L在450nm下的折射率n＝1.85，在380nm紫外光下的吸收系数是0.30，S-L的紫外光吸收能力相对于S-H较低。
本发明对比实施例1～8、实施例1～20的光学性能Cd/A/y、QE测试如下表1、附图4～5所示：
表1
Figure BDA0002644030210000171
Figure BDA0002644030210000181
表1及附图4～5结果表明，采用高折率有机材料S-H和低折射率有机材料S-L共蒸形成的本发明所述的光色转换膜应用于有机电致发光器件中作为覆盖层，通过调整共蒸比例，在不同覆盖层厚度下均取得比高折射率有机材料或低折射率有机材料单独使用更高的外量子效率，有机电致发光器件的发光效率从而得到提高。
对比实施例9
ITO-Ag-ITO玻璃基板用5％的玻璃清洗液超声清洗20min，再经蒸馏水超声清洗3次，每次5min，依次使用丙酮、异丙醇超声清洗20min，120℃烘干、然后将基板放置于等离子设备中进行清洗5min。之后将处理好的ITO玻璃基板放入真空蒸镀机中，在薄膜制备过程中，系统真空度维持在系统真空度应该维持在5×10-4Pa以下，之后再ITO-Ag-ITO基板上依次蒸镀
Figure BDA0002644030210000182
厚度的HATCN作为空穴注入层，蒸镀
Figure BDA0002644030210000183
厚度的α-NPD作为空穴传输层，
Figure BDA0002644030210000184
厚度的BH:BD 3wt％掺杂作为发光层。
Figure BDA0002644030210000185
厚度ET01:Liq(1:1)的作为电子传输层，
Figure BDA0002644030210000186
厚度的Yb作为电子注入层，
Figure BDA0002644030210000187
厚度的Mg:Ag(1:9)作为阴极，在上述阴极上蒸镀
Figure BDA0002644030210000188
厚度的LiF作为覆盖层。将此器件放入手套箱进行封装，由此制备对比实施例9。
对比实施例10
将对比实施例9中的覆盖层LiF的厚度更换为
Figure BDA00026440302100001815
其它步骤相同，得到对比实施例10。
对比实施例11
将对比实施例9中的覆盖层LiF的厚度更换为
Figure BDA00026440302100001816
其它步骤相同，得到对比实施例11。
对比实施例12
将对比实施例9中的覆盖层LiF的厚度更换为
Figure BDA00026440302100001817
其它步骤相同，得到对比实施例12。
实施例21
将对比实施例9中的覆盖层550厚度的LiF更换为
Figure BDA00026440302100001812
厚度的S-H：LiF＝5：5，二者采用单独蒸发源，采用5：5的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例21。
实施例22
将对比实施例9中的覆盖层
Figure BDA00026440302100001813
厚度的LiF更换为
Figure BDA00026440302100001814
厚度的S-H：LiF＝5：5，二者采用单独蒸发源，采用5：5的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例22。
实施例23
将对比实施例9中的覆盖层
Figure BDA0002644030210000191
厚度的LiF更换为
Figure BDA0002644030210000192
厚度的S-H：LiF＝5：5，二者采用单独蒸发源，采用5：5的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例23。
实施例24
将对比实施例9中的覆盖层
Figure BDA0002644030210000193
厚度的LiF更换为
Figure BDA0002644030210000194
厚度的S-H：LiF＝5：5，二者采用单独蒸发源，采用5：5的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例24。
实施例25
将对比实施例9中的覆盖层
Figure BDA0002644030210000195
厚度的LiF更换为
Figure BDA0002644030210000196
厚度的S-H：LiF＝9：1，二者采用单独蒸发源，采用9：1的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例25。
实施例26
将对比实施例9中的覆盖层
Figure BDA0002644030210000197
厚度的LiF更换为
Figure BDA0002644030210000198
厚度的S-H：LiF＝9：1，二者采用单独蒸发源，采用9：1的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例26。
实施例27
将对比实施例9中的覆盖层
Figure BDA0002644030210000199
厚度的LiF更换为
Figure BDA00026440302100001910
厚度的S-H：LiF＝9：1，二者采用单独蒸发源，采用9：1的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例27。
实施例28
将对比实施例9中的覆盖层
Figure BDA00026440302100001911
厚度的LiF更换为
Figure BDA00026440302100001912
厚度的S-H：LiF＝9：1，二者采用单独蒸发源，采用9：1的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例28。
实施例29
将对比实施例9中的覆盖层
Figure BDA00026440302100001913
厚度的LiF更换为
Figure BDA00026440302100001914
厚度的S-H：LiF＝7：3，二者采用单独蒸发源，采用7：3的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例29。
实施例30
将对比实施例9中的覆盖层
Figure BDA00026440302100001915
厚度的LiF更换为
Figure BDA00026440302100001916
厚度的S-H：LiF＝7：3，二者采用单独蒸发源，采用7：3的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例30。
实施例31
将对比实施例9中的覆盖层
Figure BDA00026440302100001917
厚度的LiF更换为
Figure BDA00026440302100001918
厚度的S-H：Al2O3＝7：3，二者采用单独蒸发源，采用7：3的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例31。
实施例32
将对比实施例9中的覆盖层
Figure BDA00026440302100001919
厚度的LiF更换为
Figure BDA00026440302100001920
厚度的S-H：Al2O3＝7：3，二者采用单独蒸发源，采用7：3的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例32。
实施例33
将对比实施例9中的覆盖层
Figure BDA00026440302100001921
厚度的LiF更换为
Figure BDA00026440302100001922
厚度的S-H：LiF＝3：7，二者采用单独蒸发源，采用3：7的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例33。
实施例34
将对比实施例9中的覆盖层
Figure BDA0002644030210000202
厚度的LiF更换为
Figure BDA0002644030210000203
厚度的S-H：LiF＝3：7，二者采用单独蒸发源，采用3：7的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例34。
实施例35
将对比实施例9中的覆盖层
Figure BDA0002644030210000204
厚度的LiF更换为
Figure BDA0002644030210000205
厚度的S-H：LiF＝3：7，二者采用单独蒸发源，采用3：7的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例35。
实施例36
将对比实施例9中的覆盖层
Figure BDA0002644030210000206
厚度的LiF更换为
Figure BDA0002644030210000207
厚度的S-H：LiF＝3：7，二者采用单独蒸发源，采用3：7的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例36。
实施例37
将对比实施例9中的覆盖层
Figure BDA0002644030210000208
厚度的LiF更换为
Figure BDA0002644030210000209
厚度的S-H：LiF＝1：9，二者采用单独蒸发源，采用1：9的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例37。
实施例38
将对比实施例9中的覆盖层
Figure BDA00026440302100002010
厚度的LiF更换为
Figure BDA00026440302100002011
厚度的S-H：LiF＝1：9，二者采用单独蒸发源，采用1：9的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例38。
实施例39
将对比实施例9中的覆盖层
Figure BDA00026440302100002012
厚度的LiF更换为
Figure BDA00026440302100002013
厚度的S-H：LiF＝1：9，二者采用单独蒸发源，采用1：9的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例39。
实施例40
将对比实施例9中的覆盖层
Figure BDA00026440302100002014
厚度的LiF更换为
Figure BDA00026440302100002015
厚度的S-H：LiF＝1：9，二者采用单独蒸发源，采用1：9的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例40。
对比实施例9中覆盖层材料LiF折射率测试：
测试设备：M-2000光谱型椭偏仪(美国J.A.Woollam公司)；
测试方法：在硅胶基板上分别采用真空蒸镀设备蒸镀测试样品50nm厚度膜，仪器扫描范围205nm～850nm。
覆盖层材料LiF在450nm下的折射率n＝1.40@450nm。
本发明对比实施例1～4、9～12、实施例21～40的光学性能Cd/A/y、QE测试如下表2、附图6～7所示：
表2
Figure BDA0002644030210000201
Figure BDA0002644030210000211
表2及附图6～7结果表明，采用高折率有机材料S-H和低折射率无机材料LiF共蒸形成的本发明所述的光色转换膜应用于有机电致发光器件中作为覆盖层，通过调整共蒸比例，在不同覆盖层厚度下均取得比高折射率有机材料或低折射率无机材料单独使用更高的外量子效率，有机电致发光器件的发光效率从而得到提高。
对比实施例13
ITO-Ag-ITO玻璃基板用5％的玻璃清洗液超声清洗20min，再经蒸馏水超声清洗3次，每次5min，依次使用丙酮、异丙醇超声清洗20min，120℃烘干、然后将基板放置于等离子设备中进行清洗5min。之后将处理好的ITO玻璃基板放入真空蒸镀机中，在薄膜制备过程中，系统真空度维持在系统真空度应该维持在5×10-4Pa以下，之后再ITO-Ag-ITO基板上依次蒸镀
Figure BDA0002644030210000222
厚度的HATCN作为空穴注入层，蒸镀
Figure BDA0002644030210000223
厚度的α-NPD作为空穴传输层，
Figure BDA0002644030210000224
厚度的BH:BD 3wt％掺杂作为发光层。
Figure BDA0002644030210000225
厚度ET01:Liq(1:1)的作为电子传输层，
Figure BDA0002644030210000226
厚度的Yb作为电子注入层，
Figure BDA0002644030210000227
厚度的Mg:Ag(1:9)作为阴极，在上述阴极上蒸镀
Figure BDA0002644030210000228
厚度的S-H1作为覆盖层。将此器件放入手套箱进行封装，由此制备对比实施例13。
Figure BDA0002644030210000221
对比实施例14
将对比实施例13中的覆盖层S-H1的厚度更换为
Figure BDA00026440302100002220
其它步骤相同，得到对比实施例14。
对比实施例15
将对比实施例13中的覆盖层S-H1的厚度更换为
Figure BDA00026440302100002221
其它步骤相同，得到对比实施例15。
对比实施例16
将对比实施例13中的覆盖层S-H1的厚度更换为
Figure BDA00026440302100002222
其它步骤相同，得到对比实施例16。
对比实施例17
将对比实施例13中的覆盖层
Figure BDA00026440302100002212
厚度的S-H1更换为
Figure BDA00026440302100002213
厚度的Alq3，其它步骤相同，得到对比实施例17。
对比实施例18
将对比实施例13中的覆盖层
Figure BDA00026440302100002214
厚度的S-H1更换为
Figure BDA00026440302100002215
厚度的Alq3，其它步骤相同，得到对比实施例18。
对比实施例19
将对比实施例13中的覆盖层
Figure BDA00026440302100002216
厚度的S-H1更换为
Figure BDA00026440302100002217
厚度的Alq3，，其它步骤相同，得到对比实施例19。
对比实施例20
将对比实施例13中的覆盖层
Figure BDA00026440302100002218
厚度的S-H1更换为
Figure BDA00026440302100002219
厚度的Alq3，，其它步骤相同，得到对比实施例20。
实施例41
将对比实施例13中的覆盖层
Figure BDA0002644030210000231
厚度的S-H1更换为
Figure BDA0002644030210000232
厚度的S-H1：Alq3＝5：5，二者采用单独蒸发源，采用5：5的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例41。
实施例42
将对比实施例13中的覆盖层
Figure BDA0002644030210000233
厚度的S-H1更换为
Figure BDA0002644030210000234
厚度的S-H1：Alq3＝5：5，二者采用单独蒸发源，采用5：5的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例42。
实施例43
将对比实施例13中的覆盖层
Figure BDA0002644030210000235
厚度的S-H1更换为
Figure BDA0002644030210000236
厚度的S-H1：Alq3＝5：5，二者采用单独蒸发源，采用5：5的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例43。
实施例44
将对比实施例13中的覆盖层
Figure BDA0002644030210000237
厚度的S-H1更换为
Figure BDA0002644030210000238
厚度的S-H1：Alq3＝5：5，二者采用单独蒸发源，采用5：5的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例44。
实施例45
将对比实施例13中的覆盖层
Figure BDA0002644030210000239
厚度的S-H1更换为
Figure BDA00026440302100002310
厚度的S-H1：Alq3＝9：1，二者采用单独蒸发源，采用9：1的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例45。
实施例46
将对比实施例13中的覆盖层
Figure BDA00026440302100002311
厚度的S-H1更换为
Figure BDA00026440302100002312
厚度的S-H1：Alq3＝9：1，二者采用单独蒸发源，采用9：1的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例46。
实施例47
将对比实施例13中的覆盖层
Figure BDA00026440302100002313
厚度的S-H1更换为
Figure BDA00026440302100002314
厚度的S-H1：Alq3＝9：1，二者采用单独蒸发源，采用9：1的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例47。
实施例48
将对比实施例13中的覆盖层
Figure BDA00026440302100002315
厚度的S-H1更换为
Figure BDA00026440302100002316
厚度的S-H1：Alq3＝9：1，二者采用单独蒸发源，采用9：1的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例48。
实施例49
将对比实施例13中的覆盖层
Figure BDA00026440302100002317
厚度的S-H1更换为
Figure BDA00026440302100002318
厚度的S-H1：Alq3＝7：3，二者采用单独蒸发源，采用7：3的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例49。
实施例50
将对比实施例13中的覆盖层
Figure BDA00026440302100002319
厚度的S-H1更换为
Figure BDA00026440302100002320
厚度的S-H1：Alq3＝7：3，二者采用单独蒸发源，采用7：3的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例50。
实施例51
将对比实施例13中的覆盖层
Figure BDA00026440302100002321
厚度的S-H1更换为
Figure BDA00026440302100002322
厚度的S-H1：Alq3＝7：3，二者采用单独蒸发源，采用7：3的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例51。
实施例52
将对比实施例13中的覆盖层
Figure BDA0002644030210000241
厚度的S-H1更换为
Figure BDA0002644030210000242
厚度的S-H1：Alq3＝7：3，二者采用单独蒸发源，采用7：3的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例52。
实施例53
将对比实施例13中的覆盖层
Figure BDA0002644030210000243
厚度的S-H1更换为
Figure BDA0002644030210000244
厚度的S-H1：Alq3＝3：7，二者采用单独蒸发源，采用3：7的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例53。
实施例54
将对比实施例13中的覆盖层
Figure BDA0002644030210000245
厚度的S-H1更换为
Figure BDA0002644030210000246
厚度的S-H1：Alq3＝3：7，二者采用单独蒸发源，采用3：7的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例54。
实施例55
将对比实施例13中的覆盖层
Figure BDA0002644030210000247
厚度的S-H1更换为
Figure BDA0002644030210000248
厚度的S-H1：Alq3＝3：7，二者采用单独蒸发源，采用3：7的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例55。
实施例56
将对比实施例13中的覆盖层
Figure BDA0002644030210000249
厚度的S-H1更换为
Figure BDA00026440302100002410
厚度的S-H1：Alq3＝3：7，二者采用单独蒸发源，采用3：7的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例56。
实施例57
将对比实施例13中的覆盖层
Figure BDA00026440302100002411
厚度的S-H1更换为
Figure BDA00026440302100002412
厚度的S-H1：Alq3＝1：9，二者采用单独蒸发源，采用1：9的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例57。
实施例58
将对比实施例13中的覆盖层
Figure BDA00026440302100002413
厚度的S-H1更换为
Figure BDA00026440302100002414
厚度的S-H1：Alq3＝1：9，二者采用单独蒸发源，采用1：9的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例58。
实施例59
将对比实施例13中的覆盖层
Figure BDA00026440302100002415
厚度的S-H1更换为
Figure BDA00026440302100002416
厚度的S-H1：Alq3＝1：9，二者采用单独蒸发源，采用1：9的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例59。
实施例60
将对比实施例13中的覆盖层
Figure BDA00026440302100002417
厚度的S-H1更换为
Figure BDA00026440302100002418
厚度的S-H1：Alq3＝1：9，二者采用单独蒸发源，采用1：9的蒸发速度，其它步骤相同，共蒸得到实施例60。
对比实施例13、17中覆盖层材料S-H1、Alq3折射率测试：
测试设备：M-2000光谱型椭偏仪(美国J.A.Woollam公司)；
测试方法：在硅胶基板上分别采用真空蒸镀设备蒸镀测试样品50nm厚度膜，仪器扫描范围205nm～850nm。
覆盖层材料S-H1在450nm下的折射率n＝2.26@450nm。
覆盖层材料Alq3在450nm下的折射率n＝1.72@450nm。
本发明对比实施例13～20、实施例41～60的光学性能Cd/A/y、QE测试如下表3、附图8～9所示：
表3
Figure BDA0002644030210000251
表3及附图8～9结果表明，采用高折率有机材料S-H1和低折射率金属配合物Alq3共蒸形成的本发明所述的光色转换膜应用于有机电致发光器件中作为覆盖层，通过调整共蒸比例，在不同覆盖层厚度下均取得比高折射率有机材料或低折射率金属配合物材料单独使用更高的外量子效率，有机电致发光器件的发光效率从而得到提高。
显然，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于所述技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。

Claims (5)

1.一种光色转换膜，其特征在于，所述光色转换膜是包含至少一种低折射率材料和至少一种高折射率材料的单层混合物薄膜，其中，所述低折射率材料的折射率小于等于2.0，所述高折射率材料的折射率大于等于2.0，所述低折射率材料、所述高折射率材料中至少一个选自有机物，所述光色转换膜采用共蒸或混合蒸镀工艺形成，所述共蒸是指两种或两种以上材料采用独立蒸发源，当依据蒸镀工艺条件进行气相蒸镀时，各种材料通过控制蒸发速率按照特定比率同时进行蒸镀形成单层混合物薄膜，所述混合蒸镀是指两种或两种以上材料在气相蒸镀之前按照特定比例混合形成混合物，采用一个蒸发源，之后依据蒸镀工艺条件进行气相蒸镀形成单层混合物薄膜，所述低折射率材料选自：N4,N4,N4',N4'-四(4-甲氧基苯基)-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺（MeO-TPD）、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（TPD）、4,4'-二(9-咔唑)联苯（CBP）、3,3-二（9H-咔唑-9-基）联苯（mCBP）、9,9'-（2,2'-二甲基-[1,1'-联苯]-4,4'-二基）双（9H-咔唑）（CDBP）、4,4'-双（（E）-2-（9-乙基-9H-咔唑-3-基）乙烯基）-1,1'-联苯（BCzVBi）、4,4'-双（2,2-二苯基乙烯基）-1,1'-联苯（DPVBi）、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、2,9-二(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（NBphen）、2,4,6-三(1,1'-联苯基)-1,3,5-三嗪（T2T）、N,N,N',N'-四联苯联苯二胺（BPA）、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-t-丁基苯基-1,2,4-三唑（TAZ）或2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑（PBD），或者，所述低折射率材料选自：LiF、Al2O3、二(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯酚)合铝(III)(BAlq)或8-羟基喹啉锂(Liq)；所述高折射率材料选自化合物IV，
Figure DEST_PATH_IMAGE001
，其中，L10、L11、L12独立地选自单键、取代或未取代的如下基团中的任意一种：亚苯基、亚联苯基、亚萘基、亚蒽基、亚芘基、亚芴基、亚螺二芴基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚咔唑基、亚苯并噁唑基、亚苯并噻唑基、亚苯并咪唑基、亚苯并三氮唑基、亚呋喃基、亚噻吩基或亚吡咯基，Ar12、Ar13、Ar14中至少一个选自取代或未取代的如下基团：苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并三氮唑基、苯并咪唑基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、萘基、芘基、喹喔啉基、氮杂萘基、菲基、氮杂菲基、三亚苯基或氮杂三亚苯基，或者，所述高折射率材料选自化合物VI，
Figure 309063DEST_PATH_IMAGE002
，其中，L14、L15、L16独立地选自单键、取代或未取代的C6~C60的亚芳基、取代或未取代的C2~C60的亚杂芳基中的任意一种，Ar15、Ar16、Ar17中至少一个选自取代或未取代的如下基团：苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并三氮唑基、苯并咪唑基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、萘基、芘基、喹喔啉基、氮杂萘基、菲基、氮杂菲基、三亚苯基或氮杂三亚苯基，或者，所述高折射率材料选自
Figure DEST_PATH_IMAGE003
或
Figure 865684DEST_PATH_IMAGE004
。
2.根据权利要求1所述的一种光色转换膜，其特征在于，所述高折射率材料与所述低折射率材料的折射率差值大于0.1。
3.一种发光器件，其特征在于，所述发光器件包含权利要求1或权利要求2所述的光色转换膜中的任意一种。
4.根据权利要求3所述的一种发光器件，其特征在于，所述发光器件包括有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包含基板、第一电极、有机物层、第二电极，覆盖层，其中，所述有机物层位于所述第一电极和所述第二电极之间，所述有机物层包含空穴注入层、空穴传输层、发光辅助层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少一层；所述覆盖层位于第一电极背离有机物层一侧或第二电极背离有机物层一侧，所述覆盖层包含权利要求1或权利要求2所述的光色转换膜中的任意一种。
5.一种照明或显示装置，其特征在于，所述照明或显示装置包含权利要求3或4所述的发光器件中的任意一种。
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