CN111945137A - 一种抛物面顶环形天线式金刚石膜沉积装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种抛物面顶环形天线式金刚石膜沉积装置，包括微波发生单元；圆柱形上腔体，内部设置抛物面顶；抛物面顶构成环形天线，用于将微波反射并汇聚；抛物面顶内顶部设置可调反射部，可调反射部能够上下调节；圆柱形上腔体具有进气口；圆柱形上腔体内具有微波通道，用于将微波导入抛物面顶内，微波通道的微波输入口连接微波发生单元；圆柱形下腔体，底部设置圆柱形下反射体，圆柱形下反射体中部开孔设置可调节式沉积台，可调节式沉积台上设置用于沉积金刚石膜的基片；圆柱形下反射体设置出气口。可调反射部和可调节式沉积台的设置，强化了微波谐振腔的调谐手段，可以实时优化等离子体的分布，实现高质量和高效率的金刚石膜制备。

Description

一种抛物面顶环形天线式金刚石膜沉积装置
技术领域
本发明涉及化学气相沉积技术领域，尤其涉及一种抛物面顶环形天线式金刚石膜沉积装置。
背景技术
金刚石膜具有硬度高、强度大、导热性好、热膨胀系数小、光学性能优异、化学稳定性高、抗辐照能力强、声传播速度快、介电性能好、透射波段宽、禁带宽度大、介电系数小等优点。根据金刚石膜的质量不同，常将其分为工具级、热沉级、光学级、电子级(又称探测器级)。除常见的金刚石刀具之外，金刚石膜还可以用于高功率半导体器件、高功率微波窗口、高性能扬声器振膜、声表面波器件、红外光学窗口材料等领域。众多优异的性能，使得金刚石有广阔的应用范围，同时也带来了广泛的应用需求。自然金刚石是在高温高压下生成的且开采非常困难，加之其应用领域特别广泛，这使得金刚石弥足珍贵。因此发展人造金刚石成为解决这一困境的重要方向。
目前国内外的几种不同的2.45GHz的高功率MPCVD金刚石膜沉积装置虽然均可在6-8kW功率条件下工作，但它们都或多或少地存在着一些问题。如椭球谐振腔式MPCVD装置的微波输入功率受到石英钟罩的限制；多模非圆柱(环形天线)式MPCVD装置的真空密封性能(即其洁净性)不够理想；TM021模式的圆柱谐振腔式MPCVD装置的沉积室内易出现沉积物；而所谓的穹顶谐振腔式MPCVD装置的观察窗口设计空间受到限制以及微波窗口易被污染等。由此，高功率MPCVD金刚石膜沉积装置和方法中存在的诸多问题，亟待解决。
发明内容
本发明公开一种抛物面顶环形天线式金刚石膜沉积装置，旨在解决现有技术中存在的技术问题。
本发明采用下述技术方案：
一种抛物面顶环形天线式金刚石膜沉积装置，包括：
-微波发生单元；
-圆柱形上腔体，所述圆柱形上腔体内部设置抛物面顶；所述抛物面顶构成环形天线，用于将微波反射并汇聚；所述抛物面顶内顶部设置可调反射部，所述可调反射部能够上下调节；所述圆柱形上腔体具有进气口；所述圆柱形上腔体内具有微波通道，用于将微波导入所述抛物面顶内，所述微波通道的微波输入口连接所述微波发生单元；
-圆柱形下腔体，所述圆柱形下腔体底部设置圆柱形下反射体，所述圆柱形下反射体中部开孔设置可调节式沉积台，所述可调节式沉积台上设置用于沉积金刚石膜的基片；所述圆柱形下反射体设置出气口；
其中，所述可调节式沉积台被设置为，在其高度调节范围内至少有一个位置使所述基片处于所述抛物面顶的焦点位置。
作为优选的技术方案，所述抛物面顶的下边缘与所述圆柱形下腔体的上边缘连接，形成用于微波等离子体化学气相沉积的密闭空间；所述密闭空间内形成低压。
作为优选的技术方案，所述微波通道的微波输入口连接同轴圆柱腔，所述同轴圆柱腔内层连接所述进气口，所述同轴圆柱腔外层连接所述微波发生单元的微波输出端。
作为优选的技术方案，所述圆柱形上腔体还包括可调节式抛物面顶升降机构，驱动所述可调反射部上下运动，进行微波调谐；所述可调反射部具有反射部开孔，所述反射部开孔的位置对应所述进气口。
作为优选的技术方案，所述可调节式沉积台具有XYZ三轴调节动作装置，其中，通过Z轴上下调节，进行微波调谐。
作为优选的技术方案，所述圆柱形下腔体侧壁设置观察窗口。
作为优选的技术方案，所述微波通道内设置石英窗口，所述石英窗口设置在所述圆柱形上腔体内壁与圆柱形上腔体外壁之间。
作为优选的技术方案，所述石英窗口周围设置橡胶环密封，用于阻隔气体进入所述微波通道内。
作为优选的技术方案，所述可调节式沉积台内设置有冷水通路，用于冷却可调节式沉积台及其上的所述基片；优选地，圆柱形上腔体内也具有冷水通路，用于冷却圆柱形上腔体及其所述抛物面顶。
作为优选的技术方案，所述圆柱形上腔体设置红外测温孔，所述红外测温孔的探测方向穿过所述抛物面顶的焦点，一红外传感器设置于所述红外测温孔中；
作为优选的技术方案，还包括控制装置，所述控制装置连接所述红外传感器、XYZ三轴调节动作装置以及可调节式抛物面顶升降机构；所述控制装置被设置为根据所述红外传感器的信号，调节所述XYZ三轴调节动作装置以及可调节式抛物面顶升降机构的位置。
本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果：1.通过采用抛物面顶，腔体聚焦能力强，可在腔体内形成强场区，激发等离子体位置稳定，并且没有次生等离子体产生，避免对腔体的刻蚀与污染。2.可以上下调节的抛物面顶和沉积台可以根据实际情况进行实时双向调节，以期得到最优的等离子体分布。3.腔体各部分距离沉积台中心在6/7λ左右，距离高温等离子体区域比较远，可以减少等离子体对腔体的热辐射和避免腔体内部沉积碳的化合物。4.装置的各个金属部件均设置了冷水水路，采用水冷散热，可以保障装置可以在高温下稳定运行。5.环形石英窗口设置在环形天线之中，避免了等离子体的过度加热与污染而造成损坏，与橡胶环结合可以提升装置的密封效果，使得装置可以应用于高功率的微波输入。6.该装置与大部分2.45GHz的MPCVD设备相比体积更加小，实现了装置小型化。7.设置了观察窗口及各种辅助测量装置，可以很好的检测腔体内部的情况。此装置可以在高功率条件(6-10kW)下沉积大面积(直径大于60mm)高品质的金刚石膜。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为本发明公开的一种抛物面顶环形天线式微波等离子体化学气相沉积装置的结构图示意图。
附图标记如下：1-微波输入口；2-同轴圆柱腔；20-微波发生单元；3-石英窗口；4-出气口；5-观察窗口；6-圆柱形上腔体外壁；7-红外测温孔；8-圆柱形上腔体内壁；9-进气口；10-抛物面顶；11-圆柱形下腔体；12-可调节式沉积台；13-基片；14-圆柱形下反射体；15-可调反射部；151-可调节式抛物面顶升降机构；151-反射部开孔；16-微波通道。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明具体实施例及相应的附图对本发明技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
针对现有技术中在的诸多问题，根据图1所示，本实施例提供一种抛物面顶环形天线式金刚石膜沉积装置，也即一种抛物面顶环形天线式微波等离子体化学气相沉积装置，通过可调反射部和可调节式沉积台的设置，强化了微波谐振腔的调谐手段，可以实时优化等离子体的分布，实现高质量和高效率的金刚石膜制备。装置包括：
微波发生单元20；圆柱形上腔体，圆柱形上腔体内部设置抛物面顶10；抛物面顶10构成环形天线，用于将微波反射并汇聚；抛物面顶10内顶部设置可调反射部15，可调反射部15能够上下调节；圆柱形上腔体具有进气口9；圆柱形上腔体内具有微波通道16，用于将微波导入抛物面顶内10，微波通道16的微波输入口连接微波发生单元20。
圆柱形下腔体11，底部设置圆柱形下反射体14，圆柱形下反射体14中部开孔设置可调节式沉积台12，可调节式沉积台12上设置用于沉积金刚石膜的基片13；圆柱形下反射体14设置出气口。
可调节式沉积台12被设置为，在其高度调节范围内至少有一个位置使基片13处于抛物面顶的焦点位置。当然，本领域技术人员应理解，可调节式沉积台12调节范围的最高点应当高于或等于上述焦点位置，可调节式沉积台12调节范围的最低点应当低于或等于上述焦点位置，通过调节位置得到最优的等离子体分布，达到更好的沉积效果。
抛物面顶10的下边缘与圆柱形下腔体的上边缘连接，形成用于微波等离子体化学气相沉积的密闭空间；密闭空间内能够形成低压。即使在腔体受热膨胀后，依然能够保持密闭。
微波通道16的微波输入口连接同轴圆柱腔2，同轴圆柱腔2内层连接进气口9，同轴圆柱腔2外层连接微波发生单元20的微波输出端。
圆柱形上腔体还包括可调节式抛物面顶升降机构151，驱动可调反射部15上下运动，进行微波调谐；可调反射部15具有反射部开孔152，反射部开孔152的位置对应进气口9，以使得气体原料能够从进气口直接进入抛物面顶10内。优选的，反射部开孔152位于可调反射部15的中心位置。可调反射部15可以看做是一个曲面的圆环。
可调节式抛物面顶升降机构151具有至少3个螺旋升降电机，三者同步移动控制可调反射部15的升降。升降电机优选为步进电机，并与控制装置信号连接。
可调节式沉积台具有XYZ三轴调节动作装置，本领域技术人员应理解该动作装置可以采用本领域常规的三轴平台。其中，通过Z轴上下调节，进行微波调谐。通过X和Y轴的移动，可以控制沉积位置和/或沉积厚度的精确控制。
圆柱形下腔体11的侧壁设置观察窗口5。
微波通道内设置石英窗口3，具体而言，石英窗口3为环形，优选为环形石英玻璃，设置在圆柱形上腔体内壁与圆柱形上腔体外壁之间。
英窗口3周围设置橡胶环密封，用于阻隔气体进入所述微波通道内。优选在英窗口3的上下两侧边缘均设置环形的橡胶环。优选该橡胶环为耐热橡胶环。
可调节式沉积台12内设置有冷水通路，用于冷却可调节式沉积台12及其上的基片13。
优选地，圆柱形上腔体内也具有冷水通路，用于冷却圆柱形上腔体及其抛物面顶10，以避免高温对设备造成损坏，并提高使用寿命和可靠性。
优选地，同轴圆柱腔2，圆柱形上腔体，圆柱形下腔体11，抛物面顶10均为金属结构，内部设置有冷却水路，可以直接对结构进行水冷，确保装置在高功率微波输入下稳定运行。优选地，上述的冷水通路连接制冷设备和制冷循环泵。
圆柱形上腔体设置红外测温孔7，红外测温孔7的探测方向穿过抛物面顶10的焦点，一红外传感器设置于红外测温孔7中。优选，红外测温孔7贯穿圆柱形上腔体，延伸至可调节式沉积台12的大致中心位置。
控制装置，连接红外传感器、XYZ三轴调节动作装置以及可调节式抛物面顶升降机构151。控制装置被设置为根据红外传感器的信号，调节所述XYZ三轴调节动作装置以及可调节式抛物面顶升降机构的位置。
本实施例中，微波谐振腔结构由抛物面顶10、石英窗口3、圆柱形下腔体11、圆柱形下反射体14、可调节式沉积台12以及基片13围成。
其中抛物面顶10的内壁的曲面由方程：y＝-kx2得出。其中k值在0.0045至0.0055之间，其中圆柱形下腔体11的内壁与抛物面顶10最大直径相连，圆柱形下腔体11的内壁直径约为220mm至300mm。优选地，圆柱形下腔体11的高度为35mm-70mm，针对不同的k值最优高度不同。
微波发生单元20发射的2.45GHz微波，经过以下过程输入：微波通过BJ26型矩形波导进行传输，波导与同轴圆柱腔2相连，然后由同轴圆柱腔2将微波能量馈入腔体内。
进气口9的管道内嵌于同轴圆柱腔2与抛物面顶10中心，气体从进气口9输入，并从对称的多个出气口4排出，让气体在可调节式沉积台12上方均匀流动，充分电离，这有利于在可调节式沉积台12上方形成密度更大等离子体。
优选地，微波谐振腔各部分内壁距离沉积台中心的距离均大于6/7λ，λ为导入微波的波长，可以减弱高温等离子体对腔体内壁的热辐射以及沉积碳的化合物。
该装置由分段或阶梯型环形微波耦合系统，设置于环形天线分段或阶梯处的环形石英微波窗口、抛物线面顶微波谐振腔、可调节沉积台、上进气口和基座部分的下进气口、测温孔和观察窗等组成。本实施例的装置利用抛物面有一个固定焦点的特性，将沉积台放在抛物面的焦点处或焦点附近，电场分布集中，激发等离子体位置稳定、密度高。可调节的抛物面和沉积台可以实时优化等离子体的分布。装置各金属部件采用水冷，可在大功率下运行，实现大面积高品质金刚石的沉积。
上面结合附图对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本发明的保护之内。

Claims (10)

1.一种抛物面顶环形天线式金刚石膜沉积装置，其特征在于，包括：
-微波发生单元；
-圆柱形上腔体，所述圆柱形上腔体内部设置抛物面顶；所述抛物面顶构成环形天线，用于将微波反射并汇聚；所述抛物面顶内顶部设置可调反射部，所述可调反射部能够上下调节；所述圆柱形上腔体具有进气口；所述圆柱形上腔体内具有微波通道，用于将微波导入所述抛物面顶内，所述微波通道的微波输入口连接所述微波发生单元；
-圆柱形下腔体，所述圆柱形下腔体底部设置圆柱形下反射体，所述圆柱形下反射体中部开孔设置可调节式沉积台，所述可调节式沉积台上设置用于沉积金刚石膜的基片；所述圆柱形下反射体设置出气口；
其中，所述可调节式沉积台被设置为，在其高度调节范围内至少有一个位置使所述基片处于所述抛物面顶的焦点位置。
2.根据权利要求1所述的一种抛物面顶环形天线式金刚石膜沉积装置，其特征在于，所述抛物面顶的下边缘与所述圆柱形下腔体的上边缘连接，形成用于微波等离子体化学气相沉积的密闭空间；所述密闭空间内形成低压。
3.根据权利要求1所述的一种抛物面顶环形天线式金刚石膜沉积装置，其特征在于，所述微波通道的微波输入口连接同轴圆柱腔，所述同轴圆柱腔内层连接所述进气口，所述同轴圆柱腔外层连接所述微波发生单元的微波输出端。
4.根据权利要求1所述的一种抛物面顶环形天线式金刚石膜沉积装置，其特征在于，所述圆柱形上腔体还包括可调节式抛物面顶升降机构，驱动所述可调反射部上下运动，进行微波调谐；所述可调反射部具有反射部开孔，所述反射部开孔的位置对应所述进气口。
5.根据权利要求1所述的一种抛物面顶环形天线式金刚石膜沉积装置，其特征在于，所述可调节式沉积台具有XYZ三轴调节动作装置，其中，通过Z轴上下调节，进行微波调谐。
6.根据权利要求1所述的一种抛物面顶环形天线式金刚石膜沉积装置，其特征在于，所述圆柱形下腔体侧壁设置观察窗口。
7.根据权利要求1所述的一种抛物面顶环形天线式金刚石膜沉积装置，其特征在于，所述微波通道内设置石英窗口，所述石英窗口设置在所述圆柱形上腔体内壁与圆柱形上腔体外壁之间。
8.根据权利要求7所述的一种抛物面顶环形天线式金刚石膜沉积装置，其特征在于，所述石英窗口周围设置橡胶环密封，用于阻隔气体进入所述微波通道内。
9.根据权利要求1所述的一种抛物面顶环形天线式金刚石膜沉积装置，其特征在于，所述可调节式沉积台内设置有冷水通路，用于冷却可调节式沉积台及其上的所述基片；优选地，圆柱形上腔体内也具有冷水通路，用于冷却圆柱形上腔体及其所述抛物面顶。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的一种抛物面顶环形天线式金刚石膜沉积装置，其特征在于，所述圆柱形上腔体设置红外测温孔，所述红外测温孔的探测方向穿过所述抛物面顶的焦点，一红外传感器设置于所述红外测温孔中；
还包括控制装置，所述控制装置连接所述红外传感器、XYZ三轴调节动作装置以及可调节式抛物面顶升降机构；所述控制装置被设置为根据所述红外传感器的信号，调节所述XYZ三轴调节动作装置以及可调节式抛物面顶升降机构的位置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114438473A (zh) * 2021-12-27 2022-05-06 杭州电子科技大学 一种高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103305816A (zh) * 2012-03-14 2013-09-18 北京科技大学 一种高功率的微波等离子体金刚石膜化学气相沉积装置
CN104164658A (zh) * 2014-08-06 2014-11-26 北京科技大学 一种椭球形高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置
CN108624870A (zh) * 2018-07-05 2018-10-09 成都纽曼和瑞微波技术有限公司 一种可调谐圆抛腔式高功率微波等离子体化学气相沉积装置
CN109778138A (zh) * 2019-03-21 2019-05-21 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 一种微波等离子体金刚石膜沉积设备

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103305816A (zh) * 2012-03-14 2013-09-18 北京科技大学 一种高功率的微波等离子体金刚石膜化学气相沉积装置
CN104164658A (zh) * 2014-08-06 2014-11-26 北京科技大学 一种椭球形高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置
CN108624870A (zh) * 2018-07-05 2018-10-09 成都纽曼和瑞微波技术有限公司 一种可调谐圆抛腔式高功率微波等离子体化学气相沉积装置
CN109778138A (zh) * 2019-03-21 2019-05-21 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 一种微波等离子体金刚石膜沉积设备

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN114438473A (zh) * 2021-12-27 2022-05-06 杭州电子科技大学 一种高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置

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