CN111939673A

CN111939673A - 一种滤网及空调器

Info

Publication number: CN111939673A
Application number: CN202010877558.3A
Authority: CN
Inventors: 温博; 李云蹊; 郝玉密; 马令庆
Original assignee: Hisense Shandong Air Conditioning Co Ltd
Current assignee: Hisense Shandong Air Conditioning Co Ltd
Priority date: 2020-08-27
Filing date: 2020-08-27
Publication date: 2020-11-17

Abstract

本发明公开了一种滤网及空调器，属于空调滤网领域。滤网由疏水改性后的树脂材料制备得到，疏水改性后的树脂材料包括80‑98质量％的树脂基材，0.01‑5质量％的增韧剂，0.1‑5质量％的相容剂，以及1‑15质量％的经疏水改性的半导体复合物；半导体复合物通过硅烷偶联剂处理纳米级半导体复合物制备得到；纳米级半导体复合物选自二氧化硅、二氧化钛、氧化锌、氧化铜、氧化铝、氧化铁、氧化亚铜、氧化镍中的至少两种；纳米级半导体复合物粒径小于200nm。本发明解决了现有针对空调滤网的改进技术均需要对制备成型的滤网进行二次加工、增加生产工序、提高了制造成本的技术问题，具有清洁效果好、能够保持滤网干燥、不易破损、滤网风阻不增大且具有除菌效果、除菌持久的特点。

Description

一种滤网及空调器

技术领域

本发明属于空调滤网领域，尤其涉及一种滤网及空调器。

背景技术

初效过滤网是家用空调器产品用以滤除空气中粒径在5μm以上颗粒的重要部件。然而，初效滤网在使用过程中存在大量灰尘积聚在表面，从而易滋生细菌等微生物的问题，同时，当空气流经空调器初效滤网时，滤网表面的灰尘、微生物再次进入空气环境，造成二次污染。另外，现有空调器初效过滤网难以洗净，这不仅影响过滤网使用寿命，且易造成因长期使用空调器能效降低的问题。此外，用水刷洗滤网后需要长时间的等待，在滤网晾干后才可再使用，浪费时间，影响用户的使用体验。另外，现有的滤网抗微生物方案多为重金属缓慢释放的方案，其抗菌性能随使用时间的增长而显著下降。同时，在滤网中添加重金属元素具有造成环境污染的潜在风险。

中国专利CN107621024A提供了一种空调器室内机滤网的清洁方案，主要设计了一种使用清洁装置的喷孔喷出水流对涂覆有疏水涂层的空调器滤网进行清洗；中国专利CN205948511U公开了一种空调自清洁滤网，该发明在滤网的下侧滤网的网框框边设计有外翻边，第一外翻边与下框边之间围成开口向上的集尘槽对灰尘进行收集；同时，滤网主体的表面涂有超疏水纳米涂层便于清洁。

然而，上述两项专利主要涉及滤网清洗机构、滤网的集尘部件的改进，未设涉及处理滤网用的疏水涂层的配方、处理条件、经处理后滤网的疏水性等滤网部品性能进行研究；同时，上述专利技术均需要对制备成型的滤网进行二次加工，增加生产工序，提高了制造成本。

发明内容

针对现有技术存在的不足之处，本发明所要解决的技术问题是克服现有针对空调滤网的改进技术均需要对制备成型的滤网进行二次加工、增加生产工序、提高了制造成本的技术问题，提出一种清洁效果好、能够保持滤网干燥、不易破损、滤网风阻不增大且具有除菌效果、除菌持久的一种滤网及空调器。

为解决所述技术问题，本发明采用的技术方案为：

本发明提供一种滤网，所述滤网由疏水改性后的树脂材料制备得到，所述疏水改性后的树脂材料包括80-98质量％的树脂基材，0.01-5质量％的增韧剂，0.1-5质量％的相容剂，以及1-15质量％的经疏水改性的半导体复合物；所述经疏水改性的半导体复合物通过硅烷偶联剂处理纳米级半导体复合物制备得到；所述纳米级半导体复合物选自二氧化硅、二氧化钛、氧化锌、氧化铜、氧化铝、氧化铁、氧化亚铜、氧化镍中的至少两种；所述纳米级半导体复合物粒径小于200nm。

优选的，所述纳米级半导体复合物由第一纳米级半导体和第二纳米级半导体组成，所述第一纳米级半导体占所述纳米级半导体复合物总量的60-95％；所述第二纳米级半导体占所述纳米级半导体复合物总量的5-40％；所述第一纳米级半导体与所述第二纳米级半导体可选自金属氧化物或非金属氧化物，所述第一纳米级半导体与所述第二纳米级半导体半导体禁带宽度低于8eV。

优选的，任选地，所述第一纳米级半导体选自二氧化硅、二氧化钛、氧化锌、氧化铜、氧化铝、氧化铁、氧化亚铜、氧化镍中的任意一种；任选地，所述第二纳米级半导体选自二氧化硅、二氧化钛、氧化锌、氧化铜、氧化铝、氧化铁、氧化亚铜、氧化镍中的至少一种；所述第一纳米级半导体和第二纳米级半导体不为同一种物质。

优选的，所述纳米级半导体复合物通过溶胶-凝胶法、水热法、气相氧化法、固相法、浸渍法中的任意一种制备得到。

优选的，所述纳米级半导体复合物通过所述溶胶-凝胶法制备得到：将所述第一纳米级半导体的前驱体与所述第二纳米级半导体的前驱体加入溶剂中，调节pH为4.0-5.5，陈化得到半导体复合物凝胶；烘干、研磨后，煅烧得到所述纳米级半导体复合物；所述第一纳米级半导体的前驱体可选自金属醇盐、无机盐中的一种；所述第二纳米级半导体的前驱体可选自金属醇盐、无机盐中的一种；且所述第一纳米级半导体的前驱体与所述第二纳米级半导体的前驱体不为同一种物质；所述第一纳米级半导体的前驱体与所述第二纳米级半导体的前驱体的质量比为(1-8):(2-9)；所述溶剂由乙醇和水组成，所述乙醇和水的质量比为(7-9):(1-3)；煅烧温度为350-650℃，煅烧时间为0.5-3h。

优选的，所述第一纳米级半导体的前驱体与所述第二纳米级半导体的前驱体选自正硅酸四乙酯、醋酸锌、钛酸四正丁酯、硝酸铁中的任意一种；所述第一纳米级半导体的前驱体与所述第二纳米级半导体的前驱体不为同一种物质。

优选的，所述经疏水改性的半导体复合物通过硅烷偶联剂改性，所述经疏水改性的半导体复合物由以下方法制备得到：称取所述纳米级半导体复合物加入到水与醇的混合溶剂中配置悬浊液,充分搅拌分散；将硅烷偶联剂加入悬浊液中，混合均匀，将悬浊液温度调整至15-30℃，并将pH调整为4-6；所述水与醇的质量比为(1-8)：(2-9)；过滤、烘干、洗涤得到修饰后的半导体复合物。

优选的，所述疏水改性后的树脂材料包括85-97质量％的树脂基材，0.05-3质量％的增韧剂，0.7-4质量％的相容剂，以及2-10质量％的经疏水改性的半导体复合物。

优选的，所述树脂基材选自ABS、PP、PE、PBT、PET中的至少一种；有机硅乳液类、环状酸酐型表面活性剂、羧酸型表面活性剂、离子型表面活性剂、酰亚胺型相容剂、羧酸型相容剂、恶唑啉型相容剂中的至少一种；所述增韧剂为有机硅乳液类、液体聚硫橡胶、液体丙烯酸酯橡胶、液体丁二烯橡胶中的至少一种；所述硅烷偶联剂选自氨基硅烷偶联剂、环氧基硅烷偶联剂、硫基硅烷偶联剂、氯烃硅烷偶联剂、甲基丙烯酰氧基硅烷偶联剂、乙烯基硅烷偶联剂、脲基硅烷偶联剂、氟硅烷偶联剂、异氰酸酯基硅烷偶联剂中的至少一种。

优选的，所述树脂基材选自ABS、PP、PET中的至少一种；所述相容剂选自有机硅乳液类；所述增韧剂选自有机硅乳液类。

优选的，所述滤网由以下方法制备得到：将所述增韧剂、经疏水改性的半导体复合物加入搅拌机混合均匀；将所述树脂基材、相容剂加入搅拌机，搅拌分散，并控制温度为70-140℃，得到所述疏水改性后的树脂材料，混合均匀；控制温度为170-240℃，将所述疏水改性后的树脂材料挤出、造粒、拉丝、注塑，得到所述滤网。

本发明另一方面还提供一种空调器，包括以上任一项所述的滤网。

优选的，所述滤网为所述空调器的初效滤网。

与现有技术相比，本发明的有益效果在于：

1、本发明提供一种滤网，该滤网通过结合疏水材质与滤网的多孔结构，疏液性能好，具有化学、物理层面的双效自清洁效用，可以快速、有效地对沉降及吸附在滤网网材表面的灰尘起到清洁作用，并保持滤网干燥，不易破损，滤网风阻不增大，且由于半导体的能带匹配，可起到材料表面抑菌作用、且除菌持久；

2、本发明提供一种空调器，不需要对制备成型的滤网进行二次加工，具有清洁效果好、抑菌、使用寿命长、能够保障滤网后续的可加工性和搭载滤网空调的整机风量的特点。

具体实施方式

下面将对本发明具体实施例中的技术方案进行详细、完整的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明总的技术方案的部分具体实施方式，而非全部的实施方式。基于本发明的总的构思，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都落于本发明保护的范围。

本发明提供一种滤网，所述滤网由疏水改性后的树脂材料制备得到，所述疏水改性后的树脂材料包括80-98质量％的树脂基材，0.01-5质量％的增韧剂，0.1-5质量％的相容剂，以及1-15质量％的经疏水改性的半导体复合物；所述经疏水改性的半导体复合物通过硅烷偶联剂处理纳米级半导体复合物制备得到；所述纳米级半导体复合物选自二氧化硅、二氧化钛、氧化锌、氧化铜、氧化铝、氧化铁、氧化亚铜、氧化镍中的至少两种；所述纳米级半导体复合物粒径小于200nm。通过对滤网原材料进行改性，最终制备出一种具有疏水易清洁性能的空调器初效滤网，而不需要对滤网进行喷涂、浸渍等二次加工，相对于现有技术，简化了生产工序，减少了生产成本，同时保证了滤网的清洁效果。两种或多种的纳米级半导体复合后，当受到光、热等因子激发时候，电子从窄禁带半导体的价带跃迁到另一种半导体导带，电子、空穴在几种半导体相互转移，这样不仅有效地提高了光生载流子的分离效率，还缩短了禁带宽度，拓宽了复合材料对光、热的利用范围，从而，半导体复合物更易使得物质内的电子-空穴对分离并催化空气生成活性基团，从而使得起到除微生物效果。本技术方案限定了纳米级二氧化硅粒径小于200nm，原因在于，二氧化硅粒径大于200nm时，二氧化硅制得的硅氧烷难以在滤网丝线中分布均匀，滤网丝线的力学性能下降，滤网网线易发生断裂。本技术方案还限定了树脂基材、增韧剂、相容剂及硅氧烷的用量，原因在于，以上配比可以保证材料疏水效果的同时，保证滤网韧性等力学性能，超出该比例将导致涂层力学性能下降，滤网易折断，滤网网线易脱落、断开。可以理解的是，树脂基材的含量还可以是82％、84％、86％、88％、90％、92％、94％、96％及其范围内的任意点值；增韧剂的含量还可以是1％、2％、3％、4％及其范围内的任意点值；相容剂的含量还可以是1％、2％、3％、4％及其范围内的任意点值；硅氧烷的含量还可以是3％、5％、7％、9％、11％、13％及其范围内的任意点值。

在一优选实施例中，所述纳米级半导体复合物由第一纳米级半导体和第二纳米级半导体组成，所述第一纳米级半导体占所述纳米级半导体复合物总量的60-95％；所述第二纳米级半导体占所述纳米级半导体复合物总量的5-40％；所述第一纳米级半导体与所述第二纳米级半导体可选自金属氧化物或非金属氧化物，所述第一纳米级半导体与所述第二纳米级半导体半导体禁带宽度低于8eV。。本技术方案具体限定了第一纳米级半导体的组成及量，和第二纳米级半导体的组成和量，原因在于，此种组成及量的半导体复合物更易使得物质内的电子-空穴对分离并催化空气生成活性基团，除微生物效果更好。本发明技术方案限定了半导体禁带宽度低于8eV，该条件下易受到能量激发，且制备工艺难度低、制备成本低。可以理解的是，第一纳米级半导体的含量还可以是65％、70％、75％、80％、85％、90％及其范围内的任意点值；第二纳米级半导体的含量还可以是10％、15％、20％、25％、30％、35％及其范围内的任意点值。

在一优选实施例中，任选地，所述第一纳米级半导体选自二氧化硅、二氧化钛、氧化锌、氧化铜、氧化铝、氧化铁、氧化亚铜、氧化镍中的任意一种；任选地，所述第二纳米级半导体选自二氧化硅、二氧化钛、氧化锌、氧化铜、氧化铝、氧化铁、氧化亚铜、氧化镍中的至少一种；所述第一纳米级半导体和第二纳米级半导体不为同一种物质。

在一优选实施例中，所述纳米级半导体复合物通过溶胶-凝胶法、水热法、气相氧化法、固相法、浸渍法中的任意一种制备得到。

在一优选实施例中，所述纳米级半导体复合物通过所述溶胶-凝胶法制备得到：将所述第一纳米级半导体的前驱体与所述第二纳米级半导体的前驱体加入溶剂中，调节pH为4.0-5.5，陈化得到半导体复合物凝胶；烘干、研磨后，煅烧得到所述纳米级半导体复合物；所述第一纳米级半导体的前驱体可选自金属醇盐、无机盐中的一种；所述第二纳米级半导体的前驱体可选自金属醇盐、无机盐中的一种；且所述第一纳米级半导体的前驱体与所述第二纳米级半导体的前驱体不为同一种物质；所述第一纳米级半导体的前驱体与所述第二纳米级半导体的前驱体的质量比为(1-8):(2-9)；所述溶剂由乙醇和水组成，所述乙醇和水的质量比为(7-9):(1-3)；煅烧温度为350-650℃，煅烧时间为0.5-3h。溶胶-凝胶法反应容易进行，工艺难度低，半导体复合均匀。在此煅烧温度、时间下煅烧，可保证半导体复合物的晶相稳定，晶型禁带宽度窄。

在一优选实施例中，所述第一纳米级半导体的前驱体与所述第二纳米级半导体的前驱体选自正硅酸四乙酯、醋酸锌、钛酸四正丁酯、硝酸铁中的任意一种；所述第一纳米级半导体的前驱体与所述第二纳米级半导体的前驱体不为同一种物质。

在一优选实施例中，所述经疏水改性的半导体复合物通过硅烷偶联剂改性，所述经疏水改性的半导体复合物由以下方法制备得到：称取所述纳米级半导体复合物加入到水与醇的混合溶剂中配置悬浊液,充分搅拌分散；将硅烷偶联剂加入悬浊液中，混合均匀，将悬浊液温度调整至15-30℃，并将pH调整为4-6；所述水与醇的质量比为(1-8)：(2-9)；过滤、烘干、洗涤得到修饰后的半导体复合物。该技术方案限定了悬浊液温度调整至15-30℃，并将pH调整为4-6，此温度、pH条件反应效果最好，产物速度快，产物均一稳定；进一步限定了水与醇的质量比为(1-8)：(2-9)，此配比可保障硅烷偶联剂的水解速率可控。

在一优选实施例中，所述疏水改性后的树脂材料包括85-97质量％的树脂基材，0.05-3质量％的增韧剂，0.7-4质量％的相容剂，以及2-10质量％的经疏水改性的半导体复合物。本技术方案进一步限定了树脂基材、增韧剂、相容剂、半导体复合物的含量，有利于在提高材料疏水效果及抗菌性能的同时，进一步保证滤网韧性等力学性能。

在一优选实施例中，所述树脂基材选自ABS、PP、PE、PBT、PET中的至少一种；有机硅乳液类、环状酸酐型表面活性剂、羧酸型表面活性剂、离子型表面活性剂、酰亚胺型相容剂、羧酸型相容剂、恶唑啉型相容剂中的至少一种；所述增韧剂为有机硅乳液类、液体聚硫橡胶、液体丙烯酸酯橡胶、液体丁二烯橡胶中的至少一种；所述硅烷偶联剂选自氨基硅烷偶联剂、环氧基硅烷偶联剂、硫基硅烷偶联剂、氯烃硅烷偶联剂、甲基丙烯酰氧基硅烷偶联剂、乙烯基硅烷偶联剂、脲基硅烷偶联剂、氟硅烷偶联剂、异氰酸酯基硅烷偶联剂中的至少一种。本技术方案具体限定了树脂基材、增韧剂、相容剂、硅烷偶联剂，可以理解的是，树脂基材、增韧剂、相容剂、硅烷偶联剂还可以是本领域技术人员结合本领域公知常识合理选择的其它物质。

需要说明的是，所述有机硅乳液类选自二甲基硅油、甲基乙氧基硅油、甲基苯基硅油、甲基氯苯基硅油、甲基羟基硅油、甲基乙烯基硅油中的至少一种；所述环状酸酐型表面活性剂可选自马来酸酐；所述羧酸型表面活性剂可选自丙烯酸酐、磺酸酐；所述酰亚胺型相容剂选自邻磺酰苯甲酰亚胺、邻苯二甲酰亚胺中的至少一种；所述恶唑啉型相容剂选自恶唑啉；所述离子型表面活性剂可选自卵磷脂、氨基酸、季铵盐、脂肪酸皂、十八烷基三甲基氯化铵中的至少一种。增韧剂可以选自二甲基硅油、甲基乙氧基硅油、甲基苯基硅油、甲基氯苯基硅油、甲基羟基硅油、甲基乙烯基硅油、十八烷基三甲基氯化铵、液体聚硫橡胶、液体丙烯酸酯橡胶、液体丁二烯橡胶中的一种或多种。

在一优选实施例中，所述树脂基材选自ABS、PP、PET中的至少一种；所述相容剂选自有机硅乳液类；所述增韧剂选自有机硅乳液类。该技术方案进一步限定了树脂基材选自ABS、PP、PET中的至少一种，所述相容剂及增韧剂选自有机硅乳液类，原因在于，相较于其它相容剂、增韧剂，有机硅促进半导体复合物与树脂基材结合、增韧效果更好；同时，可对增强材料疏水性能及抗菌性能起到促进作用。

在一优选实施例中，所述滤网由以下方法制备得到：将所述增韧剂、经疏水改性的半导体复合物加入搅拌机混合均匀；将所述树脂基材、相容剂加入搅拌机，搅拌分散，并控制温度为70-140℃，得到所述疏水改性后的树脂材料，混合均匀；控制温度为170-240℃，将所述疏水改性后的树脂材料挤出、造粒、拉丝、注塑，得到所述滤网。该技术方案限定了首先加入增韧剂和半导体复合物，混合均匀后，再将树脂基材、相容剂加入搅拌机，原因在于，使得各物质在树脂中分散更均匀，减少团聚现象。

本发明还提供一种空调器，包括以上任一项所述的滤网。该空调器不需要对制备成型的滤网进行二次加工，具有清洁效果好、抗菌性能好、抗菌持久性强、使用寿命长、能够保障滤网后续的可加工性和搭载滤网空调的整机风量的特点。

在一优选实施例中，所述滤网为所述空调器的初效滤网。本技术方案限定了该滤网用作空调初效滤网，原因在于，初效滤网便于清洗，冲洗后可重复使用。

为了更清楚详细地介绍本发明实施例所提供的一种滤网及空调器，下面将结合具体实施例进行描述。

实施例1

原料：将树脂基材-PP 92％，增韧剂-甲基苯基硅油1.5％，相容剂-十八烷基三甲基氯化铵1％，经疏水改性的半导体复合物5.5％(注：原料二氧化钛-二氧化硅粒径25nm；二氧化钛-二氧化硅使用甲基丙烯酰氧基硅烷偶联剂改性)。

制备过程：将所述增韧剂、经疏水改性的半导体复合物加入搅拌机混合均匀；

将所述树脂基材、相容剂加入搅拌机，搅拌分散，并控制混合温度为90℃，得到所述疏水改性后的树脂材料；

将所述疏水改性后的树脂材料挤出、造粒、拉丝、注塑，得到40目初效滤网。

其中，二氧化钛-二氧化硅制备方法：

将正硅酸四乙酯、钛酸四正丁酯为前驱体，以质量比8：2的比例倒入溶剂(乙醇：水＝9：1质量比)中，加入醋酸控制溶液pH为5.5，陈化得到半导体复合物凝胶。烘干、研磨后，煅烧得到复合的半导体产物。煅烧温度未550℃，煅烧时间为2h。

实施例2

原料：将树脂基材-PET 93.5％，增韧剂-液体聚硫橡胶0.5％，相容剂-二甲基硅油1.5％，经疏水改性的半导体复合物4.5％(注：原料氧化锌-二氧化硅粒径40nm；氧化锌-二氧化硅使用乙烯基硅烷偶联剂改性)。

将所述树脂基材、相容剂加入搅拌机，搅拌分散，并控制混合温度为110℃，得到所述疏水改性后的树脂材料；

其中，氧化锌-二氧化硅制备方法：

将醋酸锌、正硅酸四乙酯为前驱体，以质量比7：3的比例倒入溶剂(乙醇：水＝8：2质量比)中，加入醋酸控制溶液pH为5.0，陈化得到半导体复合物凝胶。烘干、研磨后，煅烧得到复合的半导体产物。煅烧温度未550℃，煅烧时间为2h。

实施例3

原料：将树脂基材-PP 92％，增韧剂-甲基苯基硅油2.2％，相容剂-马来酸酐0.8％，经疏水改性的半导体复合物7.5％(注：原料氧化锌-二氧化钛粒径18nm；使用甲基丙烯酰氧基硅烷偶联剂改性)。

将所述树脂基材、相容剂加入搅拌机，搅拌分散，并控制混合温度为80℃，得到所述疏水改性后的树脂材料；

其中，氧化锌-二氧化钛制备方法：

将醋酸锌、钛酸四正丁酯为前驱体，以质量比1：9的比例倒入溶剂(乙醇：水＝8：2质量比)中，加入硝酸控制溶液pH为4.0，陈化得到半导体复合物凝胶。烘干、研磨后，煅烧得到复合的半导体产物。煅烧温度未600℃，煅烧时间为1h。

实施例4

原料：将树脂基材-PET 93.5％，增韧剂-液体聚硫橡胶0.5％，相容剂-二甲基硅油1.5％，经疏水改性的半导体复合物4.5％(注：原料氧化铁-二氧化硅粒径25nm；二氧化硅使用氟硅烷偶联剂改性)。

将所述树脂基材、相容剂加入搅拌机，搅拌分散，并控制混合温度为120℃，得到所述疏水改性后的树脂材料；

其中，氧化铁-二氧化硅制备方法：

将硝酸铁、正硅酸四乙酯为前驱体，以质量比2：8的比例倒入溶剂(乙醇：水＝7：3质量比)中，加入硝酸控制溶液pH为4.5，陈化得到半导体复合物凝胶。烘干、研磨后，煅烧得到复合的半导体产物。煅烧温度未500℃，煅烧时间为1.5h。

对比例1

使用未经过改性的PP，制备为常规空调器过滤网。

对比例2

原料：将树脂基材-PP 92％，增韧剂-甲基乙烯基硅油1.5％，相容剂-十八烷基三甲基氯化铵1％，经疏水改性的半导体复合物5.5％(注：原料二氧化钛-二氧化硅粒径300nm；二氧化硅使用异氰酸酯基硅烷偶联剂改性)。

将所述树脂基材、相容剂加入搅拌机，搅拌分散，并控制温度为100℃，得到所述疏水改性后的树脂材料；

对比例3

原料：将树脂基材-PET 80％，增韧剂-甲基乙烯基硅油1％，相容剂-甲基乙烯基硅油1％，经疏水改性的半导体复合物18％(注：原料二氧化硅粒径30nm；二氧化硅使用甲基丙烯酰氧基硅烷偶联剂改性)。

将所述树脂基材、相容剂加入搅拌机，搅拌分散，并控制混合温度为100℃，得到所述疏水改性后的树脂材料；

对比例4

原料：将树脂基材-PP 91％，增韧剂-甲基苯基硅油2.0％，相容剂-马来酸酐1.0％，经疏水改性的半导体复合物7.5％(注：原料二氧化硅粒径20nm；使用甲基丙烯酰氧基硅烷偶联剂改性)。

性能检测

对实施例1-4及对比例1-4制备得到的滤网进行试验测试，测试方法如表1所述。对实施例与对照例进行试验测试，如表1。实验结果如后续表格所示。

表1实验方案

测试结果见表2-5。

表2滤网疏水性能

表3滤网力学性能

表4抑菌率

表5整机风量测试

由上述结果可以发现，本发明通过结合疏水材质与滤网的多孔结构，疏液性能好，使滤网获得化学、物理层面的双效自清洁效用。当水流经过，可以快速、有效地对沉降及吸附在过滤网网材表面的灰尘起到清洁作用，并保持滤网干燥。并且由于半导体的能带匹配，可起到材料表面抑菌的作用。同时，滤网不易破损，滤网风阻不增大，保障滤网后续的可加工性和搭载滤网空调的整机风量。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims

1.一种滤网，其特征在于，所述滤网由疏水改性后的树脂材料制备得到，所述疏水改性后的树脂材料包括80-98质量％的树脂基材，0.01-5质量％的增韧剂，0.1-5质量％的相容剂，以及1-15质量％的经疏水改性的半导体复合物；

所述经疏水改性的半导体复合物通过硅烷偶联剂处理纳米级半导体复合物制备得到；

所述纳米级半导体复合物选自二氧化硅、二氧化钛、氧化锌、氧化铜、氧化铝、氧化铁、氧化亚铜、氧化镍中的至少两种；

所述纳米级半导体复合物粒径小于200nm。

2.根据权利要求1所述的滤网，其特征在于，所述纳米级半导体复合物由第一纳米级半导体和第二纳米级半导体组成，所述第一纳米级半导体占所述纳米级半导体复合物总量的60-95％；所述第二纳米级半导体占所述纳米级半导体复合物总量的5-40％；

所述第一纳米级半导体与所述第二纳米级半导体可选自金属氧化物或非金属氧化物，所述第一纳米级半导体与所述第二纳米级半导体半导体禁带宽度低于8eV。

3.根据权利要求2所述的滤网，其特征在于，

任选地，所述第一纳米级半导体选自二氧化硅、二氧化钛、氧化锌、氧化铜、氧化铝、氧化铁、氧化亚铜、氧化镍中的任意一种；

任选地，所述第二纳米级半导体选自二氧化硅、二氧化钛、氧化锌、氧化铜、氧化铝、氧化铁、氧化亚铜、氧化镍中的至少一种；

所述第一纳米级半导体和第二纳米级半导体不为同一种物质。

4.根据权利要求2所述的滤网，其特征在于，所述纳米级半导体复合物通过溶胶-凝胶法、水热法、气相氧化法、固相法、浸渍法中的任意一种制备得到。

5.根据权利要求4所述的滤网，其特征在于，所述纳米级半导体复合物通过所述溶胶-凝胶法制备得到：

将所述第一纳米级半导体的前驱体与所述第二纳米级半导体的前驱体加入溶剂中，调节pH为4.0-5.5，陈化得到半导体复合物凝胶；烘干、研磨后，煅烧得到所述纳米级半导体复合物；

所述第一纳米级半导体的前驱体可选自金属醇盐、无机盐中的一种；所述第二纳米级半导体的前驱体可选自金属醇盐、无机盐中的一种；且所述第一纳米级半导体的前驱体与所述第二纳米级半导体的前驱体不为同一种物质；

所述第一纳米级半导体的前驱体与所述第二纳米级半导体的前驱体的质量比为(1-8):(2-9)；

所述溶剂由乙醇和水组成，所述乙醇和水的质量比为(7-9):(1-3)；

煅烧温度为350-650℃，煅烧时间为0.5-3h。

6.根据权利要求5所述的滤网，其特征在于，所述第一纳米级半导体的前驱体与所述第二纳米级半导体的前驱体选自正硅酸四乙酯、醋酸锌、钛酸四正丁酯、硝酸铁中的任意一种；所述第一纳米级半导体的前驱体与所述第二纳米级半导体的前驱体不为同一种物质。

7.根据权利要求5所述的滤网，其特征在于，所述经疏水改性的半导体复合物通过硅烷偶联剂改性，所述经疏水改性的半导体复合物由以下方法制备得到：

称取所述纳米级半导体复合物加入到水与醇的混合溶剂中配置悬浊液,充分搅拌分散；

将硅烷偶联剂加入悬浊液中，混合均匀，将悬浊液温度调整至15-30℃，并将pH调整为4-6；

所述水与醇的质量比为(1-8)：(2-9)；

过滤、烘干、洗涤得到修饰后的半导体复合物。

8.根据权利要求1所述的滤网，其特征在于，所述疏水改性后的树脂材料包括85-97质量％的树脂基材，0.05-3质量％的增韧剂，0.7-4质量％的相容剂，以及2-10质量％的经疏水改性的半导体复合物。

9.根据权利要求1所述的滤网，其特征在于，所述树脂基材选自ABS、PP、PE、PBT、PET中的至少一种；有机硅乳液类、环状酸酐型表面活性剂、羧酸型表面活性剂、离子型表面活性剂、酰亚胺型相容剂、羧酸型相容剂、恶唑啉型相容剂中的至少一种；所述增韧剂为有机硅乳液类、液体聚硫橡胶、液体丙烯酸酯橡胶、液体丁二烯橡胶中的至少一种；所述硅烷偶联剂选自氨基硅烷偶联剂、环氧基硅烷偶联剂、硫基硅烷偶联剂、氯烃硅烷偶联剂、甲基丙烯酰氧基硅烷偶联剂、乙烯基硅烷偶联剂、脲基硅烷偶联剂、氟硅烷偶联剂、异氰酸酯基硅烷偶联剂中的至少一种。

10.根据权利要求9所述的滤网，其特征在于，所述树脂基材选自ABS、PP、PET中的至少一种；所述相容剂选自有机硅乳液类；所述增韧剂选自有机硅乳液类。

11.根据权利要求9所述的滤网，其特征在于，所述滤网由以下方法制备得到：

将所述增韧剂、经疏水改性的半导体复合物加入搅拌机混合均匀；

将所述树脂基材、相容剂加入搅拌机，搅拌分散，并控制温度为70-140℃，得到所述疏水改性后的树脂材料，混合均匀；

控制温度为170-240℃，将所述疏水改性后的树脂材料挤出、造粒、拉丝、注塑，得到所述滤网。

12.一种空调器，其特征在于，包括权利要求1-11任一项所述的滤网。

13.根据权利要求12所述的空调器，其特征在于，所述滤网为所述空调器的初效滤网。