CN111917384A - 放大器非线性偏移漂移校正 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及放大器非线性偏移漂移校正。放大器电路包括:差分输入级,被配置为接收差分输入信号,其中所述差分输入级容易受到包括线性偏移误差部分和非线性偏移误差部分的偏移误差的影响;和偏移误差校正电路,耦合到所述差分输入级并被配置为向所述差分输入级施加二阶误差校正信号以减小所述偏移误差的非线性部分。
Description
技术领域
该文件涉及集成电路,尤其涉及放大器电路。
背景技术
放大器电路或放大器在集成电路中有许多用途。运算放大器可用于放大信号或隔离出现在其输入端的信号。差动放大器可用于放大放大器输入端存在的电信号差。仪表放大器可用于测量和测试设备。放大器电路很容易受到输入端的失调电压影响,该失调电压会在输出端反射。希望减少或消除失调电压,尤其是在需要精确测量和控制的地方。
发明内容
该文献通常涉及放大器电路,并且更具体地涉及减小放大器电路中的偏移。在一些方面,放大器电路包括差分输入级,被配置为接收差分输入信号。所述差分输入级容易受到包括线性偏移误差部分和非线性偏移误差部分的偏移误差的影响。放大器还包括偏移误差校正电路,耦合到所述差分输入级并被配置为向所述差分输入级施加二阶误差校正信号以减小所述偏移误差的非线性部分。
在一些方面,一种校正放大器电路中的偏移误差的方法包括:产生包括恒定信号分量、一阶温度依赖性信号分量和二阶温度依赖性信号分量的二阶误差校正信号;和将产生的二阶误差校正信号施加于所述放大器电路的差分输入级,以减小包括线性偏移误差部分和非线性偏移误差部分的偏移误差,并且二阶温度依赖性信号分量包括幅度和极性以减少所述非线性偏移误差部分。
在一些方面,运算放大器电路包括:差分输入级,被配置为接收差分输入信号,其中所述差分输入级容易受到包括线性偏移误差部分和非线性偏移误差部分的偏移误差的影响;耦合到所述差分输入级的输出缓冲器级;和耦合到差分输入级的偏移误差校正电路。偏移误差校正电路被配置为产生包括一阶温度依赖性信号分量和二阶温度依赖性信号分量的误差校正信号;和将所述误差校正信号施加到所述差分输入级,以减小所述偏移误差的线性偏移误差部分和非线性偏移误差部分。
本部分旨在提供本专利申请的主题的概述。并不旨在提供本发明的排他性或详尽的解释。包括详细描述以提供关于本专利申请的更多信息。
附图说明
在不一定按比例绘制的附图中,相似的数字可以在不同的视图中描述相似的组件。具有不同字母后缀的相似数字可以表示相似组件的不同实例。附图通过示例而非限制的方式大体上示出了本文档中讨论的各种实施例。
图1是放大电路的示例的电路示意图。
图2A和2B是示出放大器偏移电压随温度漂移的示例波形的曲线图。
图3是一种校正放大器电路中的偏移误差的方法的示例的流程图。
图4是偏移误差校正电路的各部分的示例的图。
图5是示出与减小偏移误差相关的波形的图。
图6是产生二阶温度依赖性电流的基准电流电路的图。
图7是用于修整误差校正信号的电流修整电路的图。
图8A和图8B是放大器电路的差分输入级电路的示例的电路示意图。
图9是放大器电路的差分输入级电路的另一示例的电路示意图。
图10至图12是示出了用于放大器的偏移误差校正的示例的仿真结果。
具体实施方式
图1是放大器电路100的示例的电路示意图。该放大器电路包括差分输入级102和用于缓冲差分输入级的输出的输出级104。如上所述,放大器电路容易受到偏移电压的影响。由于工艺变化和电路封装带来的压力,所有放大器不可避免地会有一些随机偏移电压。失调电压经常随温度漂移。失调电压及其温度漂移都会严重限制放大器的使用范围。
图2A是示出放大器偏移电压随温度漂移的示例波形205的曲线图。波形205示出了偏移电压随温度的变化包括线性分量和非线性分量,其给出了波形曲线。为了降低失调电压,可以在两个温度T1和T2处调整放大器电路。放大器电路的微调将两个温度下的偏移设置为零伏。这在图2A的波形210中示出。波形210示出了双温修整只能去除漂移的线性部分。电压漂移的非线性分量仍然存在,并且在波形210的曲率中很明显。一种改进的方法是校正吃水的非线性分量以及线性分量。
应当注意,图2A仅是偏移电压随温度漂移的一个示例。尽管偏移漂移将具有线性和非线性分量,但是由于工艺变化和封装应力,漂移的大小和漂移的极性(例如波形210可以反转)是随机的。
图2B是示出放大器失调电压随温度漂移的其他示例波形的图。这些示例显示了偏移电压随温度变化的幅度和极性的随机性。对于波形215,误差首先随温度升高而增大,然后减小。对于波形220,误差首先随温度升高而减小,然后减小得更慢。对于波形225,误差首先随着温度升高而减小,然后增大。对于波形230,误差首先随温度升高而增大,然后如波形215所示减小,但幅度不同。偏移电压波形的非线性成分主要是由于偏移电压漂移的二阶项引起的。包括电压或电流随温度平方(T2)而变化的误差校正信号可用于修整和减少偏移电压漂移的非线性分量。误差校正方法需要考虑失调电压漂移的大小和极性的随机性。
图3是校正放大器电路中的偏移误差的方法300的示例的流程图。在305处,产生二阶误差校正信号。二阶误差校正信号包括二阶温度依赖性信号分量,以校正放大器电路的偏移电压的非线性部分。在某些方面,二阶温度依赖性信号分量与绝对温度平方(PTAT2)信号分量成比例。在某些方面,二阶温度依赖性信号分量是绝对温度平方(CTAT2)信号分量的互补。在一些方面,二阶误差校正信号包括恒定信号分量、一阶温度依赖性信号分量和二阶温度依赖性信号分量。一阶温度依赖性信号分量可以与绝对温度(PTAT)信号分量成比例或与绝对温度(CTAT)信号分量成互补。在310处,将所产生的二阶误差校正信号施加到放大器电路的差分输入级(例如图1的示例中的差分输入级102)以校正包括线性偏移误差部分和非线性偏移误差部分的偏移误差。
图4是用于减小放大器电路中的偏移漂移电压的偏移误差校正电路406的各部分的示例的图。偏移误差校正电路406产生可用于减小放大器电路中的偏移的电压差信号(V2-V1)。电路406包括两个电流源(I1和I2),每个电流源提供与绝对温度(PTAT)成比例的电流。电阻R1具有温度系数为正的电阻。在变化形式中,电阻器R1可以是多晶硅电阻器、扩散电阻器或n阱电阻器。电阻器R2具有与R1(例如零温度系数)不同的温度系数的电阻。电阻器R2可以是薄膜电阻器。
图5是示出所得波形V1和V2的曲线图。为了产生偏移误差校正信号,应设置R2的电阻,以使温度T2处的电压差(V2-V1)与温度T1处的电压相同,或者(T2)处的(V2-V1)=(T1)处的(V2-V1)。
图5示出了具有期望值R2的波形(V2-V1)。可以将恒定偏移量(VO)应用于(V2-V1)信号,以将图4中的(V2-V1)波形减小为(V2-V1-VO)波形。电阻器R2可以是可微调的电阻器,以便为偏移电压的随机变化设置期望值。当信号(V1-V2)可用时,可以产生误差校正信号的二阶温度相关分量(PTAT2或CTAT2),甚至可以用于进一步减小(V2-V1-VO)波形的弯曲部分。
图6是基准电流电路608的图,该参考电流电路608产生与绝对温度平方的参考电流成比例的电流(PTAT2 iref),该电流用于校正偏移误差的非线性部分。在其他方面,基准电流电路产生与绝对温度平方成正比的参考电流(CTAT2 iref)。该电路从图4的偏移误差校正电路406接收电压V2和V1,并且使用电压差V2-V1产生PTAT2参考电流。单位增益放大器610将电压V1和V2施加到电阻器R。PTAT2参考电流在求和节点612处产生,作为(V2-V1)/R和零温度系数参考电流(零TC iref)的和。
图7是用于修整偏移误差校正电路的误差校正信号的电流修整电路714的图。误差校正信号包括恒定值参考电流(零TC iref)、PTAT参考电流(PTAT iref)和PTAT2参考电流(PTAT2 iref)。在其他方面,误差校正信号包括恒定值参考电流,CTAT参考电流和CTAT2参考电流。电流修整电路714可以包括用于PTAT2电流、PTAT电流和恒定值电流中的每一个的单独的数模转换器(DAC)电路。DAC电路716使用n个修整位(vos-tm<n-1:1>)修整恒定值电流(零TC iref),DAC电路718使用m个修整位(drift-tm<m-1:1>)修整PTAT电流(PTAT iref),并且DAC电路720使用k个修整位(曲率tm<k-1:1>)修整PTAT2电流(PTAT2 iref)。使用开关电路722对误差校正信号进行组合以产生误差校正电流信号Ip,并且对误差校正信号的反相进行组合以产生误差校正电流信号In。误差校正电流信号Ip和In施加到差分输入级以校正偏移误差。
图8A和图8B是放大器电路的差分输入级电路的示例的电路示意图。差分输入级802A、802B每个包括差分输入晶体管对,其晶体管的栅极耦合到放大器电路的差分输入(vp和vn)。在图8A和8B的示例中,误差校正电流信号Ip和In被直接施加到差分输入对以校正偏移误差。因为Ip和In各自包含二阶温度依赖性信号分量,所以误差校正电流信号Ip和In减小或校正了在差分输入级出现的偏移误差的非线性部分。
图9是放大器电路的差分输入级电路的另一示例的电路示意图。差分输入级902包括初级差分输入晶体管对并且偏移误差校正电路包括辅助差分输入晶体管对924。辅助差分输入晶体管对的晶体管与初级差分输入晶体管对的晶体管匹配。误差校正电流信号Ip和In被直接施加到辅助差分输入晶体管对,以产生误差校正电压信号,该信号被施加到初级差分输入晶体管对以校正偏移误差。因为使用包括二阶校正信号分量的误差校正电流信号Ip和In来导出误差校正电压信号,所以误差校正电压信号包括二阶电压信号分量,以减小或校正出现在初级差分输入级的偏移误差的非线性部分。
本文描述的装置、系统和方法提供了一种对工作温度的变化具有鲁棒性的放大器电路。在本文所述的误差校正电路的示例中,在修整误差校正信号的非线性部分之前,可以在温度T1和T2(例如-40摄氏度(℃)和55℃)处修整误差校正信号的常数值和误差校正信号的线性或漂移部分。
图10至图12是示出用于以商业CMOS半导体工艺设计的放大器的偏移误差校正的示例的仿真结果。这些示例是使用设备统计模型进行的1111次试验的蒙特卡洛模拟结果。图10是示出在从-40℃到150℃的不同温度下1111个放大器的偏移电压的分布的曲线图。每条曲线代表一个放大器。X轴是温度,Y轴是以毫伏(mV)为单位的偏移误差。如果图10的示例中未应用补偿,则图10的示例中的偏移误差在mV范围内。
图11是示出在使用一阶温度依赖性信号在-40℃和150℃下校正偏移误差之后的残留偏移电压的分布的曲线图。原则上,通过一阶校正将所有一阶偏移误差电压从放大器中去除。在图11中未应用非线性或二阶误差补偿。可以看出,通过一阶补偿将图11的示例中的偏移误差减小至微伏(μV)。在图11中可以看出,在一阶校正之后,非线性或二阶误差变得占优势。还可以看出,二阶误差在大小上是随机的,并且极性也是随机的。原则上,校准温度为-40℃和150℃时的误差应为零伏。但是,由于DAC电路(例如图7中的DAC电路718)的分辨率有限,因此-40℃和150℃时的误差在-10μV至10μV之间。DAC电路可用于调整误差校正信号的幅度和极性(例如图7中In和Ip的二阶分量)。
图12是示出在利用二阶温度依赖性信号校正了55℃下的二阶误差之后的残留偏移误差电压的曲线图。在图12中可以看出,现在残留误差电压被大大降低了。现在残留的残留误差归因于有限的DAC分辨率和更高阶的非线性误差,其中有限的DAC分辨率是主要的误差源。
在图10-12中可以看出,使用具有二阶信号分量的误差校正信号可以显着减小偏移,以产生精密放大器电路(例如精密运算放大器、差动放大器或仪表放大器)。可以在使用封装内保险丝进行封装后,执行模拟中产生结果的实际修整。
其他说明和方面
方面1可以包括主旨(例如放大器电路),包括差分输入级和耦合到差分输入级的偏移误差校正电路。差分输入级被配置为接收差分输入信号,并且所述差分输入级容易受到包括线性偏移误差部分和非线性偏移误差部分的偏移误差的影响。偏移误差校正电路被配置为向所述差分输入级施加二阶误差校正信号以减小所述偏移误差的非线性部分。
在方面2,方面1的主旨任选地包括偏移误差校正电路,被配置为产生与所述放大器电路的工作温度的平方成比例的二阶误差校正信号,以减小所述偏移误差的非线性部分。
在方面3,方面2的主旨任选地包括偏移误差校正电路,包括:第一电流源和第二电流源,均提供对温度具有一阶依赖性的电流;第一电路组件,具有第一温度系数的电阻并电耦合至所述第一电流源;和第二电路组件,具有第二温度系数的电阻并电耦合至所述第二电流源,其中所述第二温度系数与所述第一温度系数不同。
在方面4,方面3的主旨任选地包括:第一电路组件包括在由多晶硅电阻器、扩散电阻器和n阱电阻器组成的组中,并且其中所述第二电路组件是薄膜电阻器。
在方面5,方面3的主旨任选地包括:第二电路组件是微调薄膜电阻器。
在方面6,例子1-5的任意组合中的一个的主旨任选地包括:所述偏移误差校正电路包括基准电流电路,该基准电流电路被配置为产生对温度具有二阶依赖性的电流信号作为所述二阶误差校正信号,并根据所述偏移误差的非线性部分来设置所述电流信号的幅度和极性。
在方面7,方面6的主旨任选地包括:所述基准电流电路被配置为使用具有二阶温度依赖性电压信号分量的电压差信号来产生电流信号。
在方面8,方面6和7中的一个或两个的主旨任选地包括:所述偏移误差校正电路包括配置为提供一阶温度依赖性电流的第一电流源,以及配置为提供具有恒定电流值的恒定电流的第二电流源。二阶误差校正信号是包括第二温度依赖性电流、所述一阶温度依赖性电流和所述恒定电流的电流信号。
在方面9,方面6-8中一个或任意组合的主旨任选地包括:所述偏移误差校正电路包括电流修整电路,该电流修整电路被配置为修整所述二阶温度依赖性电流、所述一阶温度电流和所述恒定电流的值。
在方面10,方面9的主旨任选地包括:所述电流修整电路包括独立的数模转换器(DAC)电路用于所述二阶温度依赖性电流、所述一阶温度依赖性电流和恒定电流中的每个。
在方面11,方面1-10中一个或任意组合的主旨任选地包括:差分输入级包括初级差分输入晶体管对;和所述偏移误差校正电路包括:辅助差分输入晶体管对,匹配所述初级差分输入晶体管对并电耦合所述初级差分输入晶体管对;和基准电流电路,被配置为产生二阶电流信号,并将所述二阶电流信号施加到所述辅助差分输入晶体管对,以产生二阶电压信号作为所述二阶误差校正信号。
在方面12,方面1-11中一个或任意组合的主旨任选地包括:所述差分输入级包括差分输入晶体管对;和所述偏移误差校正电路被配置为:产生二阶误差校正信号,该二阶误差校正信号是包括与绝对温度平方(PTAT2)分量成比例或与绝对温度平方(CTAT2)互补的电流信号;和将所述电流信号直接施加到所述差分输入晶体管对。
方面13可以包含主旨(例如一种校正放大器电路中的偏移误差的方法),也可以选择与方面1-12中的一项或任意组合组合以包含主旨,包括:产生包括恒定信号分量、一阶温度依赖性信号分量和二阶温度依赖性信号分量的二阶误差校正信号,和将产生的二阶误差校正信号施加于所述放大器电路的差分输入级,以减小包括线性偏移误差部分和非线性偏移误差部分的偏移误差,并且二阶温度依赖性信号分量包括幅度和极性以减少所述非线性偏移误差部分。
在方面14,方面13的主旨任选地包括:将产生的二阶误差校正电流信号施加于所述放大器电路的差分输入级的差分输入晶体管对。
在方面15,方面13和14中的一个或两个的主旨任选地包括:将产生的二阶误差校正电流信号施加于匹配所述差分输入级的初级差分输入晶体管对的辅助差分输入晶体管对,以产生二阶误差校正电压信号,和将产生的二阶误差校正电压信号施加于所述初级差分输入晶体管对以校正所述偏移误差,
在方面16,方面13-15中一个或任意组合的主旨任选地包括:使用具有PTAT2电压信号分量的电压差信号来产生二阶温度依赖性信号分量。
在方面17,方面13-16中一个或任意组合的主旨任选地包括:产生二阶误差校正信号会产生二阶温度依赖性电流、一阶温度依赖性电流和恒定电流的微调值。
方面18可以包括主旨(例如,运算放大器电路),也可以选择与示例1-17中的一个或任意组合结合使用,以包含这样的主旨,包括:差分输入级,被配置为接收差分输入信号,其中所述差分输入级容易受到包括线性偏移误差部分和非线性偏移误差部分的偏移误差的影响,耦合到所述差分输入级的输出缓冲器级,和耦合到差分输入级的偏移误差校正电路。偏移误差校正电路被配置为产生包括一阶温度依赖性信号分量和二阶温度依赖性信号分量的误差校正信号,和将所述误差校正信号施加到所述差分输入级,以减小所述偏移误差的线性偏移误差部分和非线性偏移误差部分。
在方面19,方面18的主旨任选地包括:所述差分输入包括初级差分输入晶体管对;和所述偏移误差校正电路包括:辅助差分输入晶体管对,匹配所述初级差分输入晶体管对并电耦合所述初级差分输入晶体管对,和基准电流电路,被配置为产生二阶误差校正电流信号,并将二阶误差校正电流信号施加于辅助差分输入晶体管对,以产生二阶误差校正电压信号作为所述误差校正信号。
在方面20,方面18和19中的一个或两个的主旨任选地包括:所述差分输入级包括差分输入晶体管对;和所述偏移误差校正电路包括基准电流电路,该基准电流电路被配置为产生二阶误差校正电流信号,并将该二阶误差校正电流信号直接施加于所述差分输入晶体管对,以减小所述偏移误差的线性偏移误差部分和非线性偏移误差部分。
这些非限制性方面可以以任何排列或组合来组合。上面的详细描述包括对附图的引用,这些附图形成了详细描述的一部分。附图通过说明的方式示出了可以实施本发明的特定实施例。这些实施例在本文中也称为“示例”。该文件中引用的所有出版物、专利和专利文件都通过引用整体并入本文,就像通过引用将其单独并入一样。如果本文档与通过引用方式并入的那些文档之间的用法不一致,则应将所并入的引用中的用法视为对本文档的补充;对于不一致的不一致之处,以本文档中的用法为准。
在本文件中,术语“一个”或“一种”用于专利文件中,包括一个或多个、独立于“至少一个”或“一个或多个”的任何其他情况或用法。在本文档中,除非另有说明,否则术语“或”用于表示非排他性或,例如“A或B”包括“A但不包括B”、“B但不包括A”和“A和B”。在所附权利要求中,术语“包括”和“其中”被用作相应术语“包括”和“其中”的普通等效词。另外,在以下权利要求中,术语“包括”和“包含”是开放式的,即,系统、设备、物品或过程中除了在权利要求中此术语之后列出的元素之外,还包括其他元素,仍然被认为属于该权利要求的范围。此外,在所附权利要求中,术语“第一”、“第二”和“第三”等仅用作标签,并且不旨在对其对象施加数字要求。本文描述的方法示例可以至少部分地是机器或计算机实现的。
上面的描述旨在是说明性的,而不是限制性的。例如,上述示例(或其一个或多个方面)可以彼此组合使用。在回顾以上描述之后,例如可以由本领域的普通技术人员使用其他实施例。提供摘要以符合37C.F.R.§1.72(b),以允许读者快速确定技术公开的性质。提交本文档时,应理解为不会将其用于解释或限制权利要求的范围或含义。另外,在以上详细描述中,各种特征可以被分组在一起以简化本公开。这不应被解释为意在意欲使未声明的公开特征对于任何声明都是必不可少的。而是,发明的主旨可以在于少于特定公开的实施例的所有特征。因此,以下权利要求据此被结合到详细描述中,其中每个权利要求独立地作为单独的实施例。本发明的范围应参考所附权利要求书以及这些权利要求书所赋予的等效物的全部范围来确定。
Claims (20)
1.放大器电路,包括:
差分输入级,被配置为接收差分输入信号,其中,所述差分输入级容易受到包括线性偏移误差部分和非线性偏移误差部分的偏移误差的影响;和
偏移误差校正电路,耦合到所述差分输入级并被配置为向所述差分输入级施加二阶误差校正信号以减小所述偏移误差的非线性部分。
2.权利要求1所述的放大器电路,其中所述误差校正电路被配置为产生与所述放大器电路的工作温度的平方成比例的二阶误差校正信号,以减小所述偏移误差的非线性部分。
3.权利要求2所述的放大器电路,其中所述偏移误差校正电路包括:
第一电流源和第二电流源,均提供对温度具有一阶依赖性的电流;
第一电路组件,具有第一温度系数的电阻并电耦合至所述第一电流源;和
第二电路组件,具有第二温度系数的电阻并电耦合至所述第二电流源,其中所述第二温度系数与所述第一温度系数不同。
4.权利要求3所述的放大器电路,其中所述第一电路组件包括在由多晶硅电阻器、扩散电阻器和n阱电阻器组成的组中,并且其中所述第二电路组件是薄膜电阻器。
5.权利要求3所述的放大器电路,其中所述第二电路组件是微调薄膜电阻器。
6.权利要求1所述的放大器电路,其中所述偏移误差校正电路包括基准电流电路,该基准电流电路被配置为产生对温度具有二阶依赖性的电流信号作为所述二阶误差校正信号,并根据所述偏移误差的非线性部分来设置所述电流信号的幅度和极性。
7.权利要求6所述的放大器电路,其中所述基准电流电路被配置为使用具有二阶温度依赖性电压信号分量的电压差信号来产生电流信号。
8.权利要求6所述的放大器电路,其中所述偏移误差校正电路包括配置为提供一阶温度依赖性电流的第一电流源,以及配置为提供具有恒定电流值的恒定电流的第二电流源,并且所述二阶误差校正信号是包括第二温度依赖性电流、所述一阶温度依赖性电流和所述恒定电流的电流信号。
9.权利要求6所述的放大器电路,其中所述偏移误差校正电路包括电流修整电路,该电流修整电路被配置为修整所述二阶温度依赖性电流、所述一阶温度电流和所述恒定电流的值。
10.权利要求9所述的放大器电路,其中所述电流修整电路包括独立的数模转换器(DAC)电路用于所述二阶温度依赖性电流、所述一阶温度依赖性电流和恒定电流中的每个。
11.权利要求1所述的放大器电路,其中:
所述差分输入级包括初级差分输入晶体管对;和
所述偏移误差校正电路包括:
辅助差分输入晶体管对,匹配所述初级差分输入晶体管对并电耦合所述初级差分输入晶体管对;和
基准电流电路,被配置为产生二阶电流信号,并将所述二阶电流信号施加到所述辅助差分输入晶体管对,以产生二阶电压信号作为所述二阶误差校正信号。
12.权利要求1所述的放大器电路,其中:
所述差分输入级包括差分输入晶体管对;和
所述偏移误差校正电路被配置为:
产生二阶误差校正信号,该二阶误差校正信号是包括与绝对温度平方(PTAT2)分量成比例或与绝对温度平方(CTAT2)互补的电流信号;和
将所述电流信号直接施加到所述差分输入晶体管对。
13.一种校正放大器电路中的偏移误差的方法,该方法包括:
产生包括恒定信号分量、一阶温度依赖性信号分量和二阶温度依赖性信号分量的二阶误差校正信号;和
将产生的二阶误差校正信号施加于所述放大器电路的差分输入级,以减小包括线性偏移误差部分和非线性偏移误差部分的偏移误差,并且二阶温度依赖性信号分量包括幅度和极性以减少所述非线性偏移误差部分。
14.权利要求13所述的方法,其中将产生的二阶误差校正信号施加于所述放大器电路的差分输入级包括将产生的二阶误差校正电流信号施加于所述放大器电路的差分输入级的差分输入晶体管对。
15.权利要求13所述的方法,其中将产生的二阶误差校正信号施加于所述放大器电路的差分输入级包括:
将产生的二阶误差校正电流信号施加于匹配所述差分输入级的初级差分输入晶体管对的辅助差分输入晶体管对,以产生二阶误差校正电压信号;和
将产生的二阶误差校正电压信号施加于所述初级差分输入晶体管对以校正所述偏移误差。
16.权利要求13所述的方法,包括使用具有与绝对温度平方(PTAT2)电压信号分量成比例的电压差信号来产生所述二阶温度依赖性信号分量。
17.权利要求13所述的方法,其中产生二阶误差校正信号会产生二阶温度依赖性电流、一阶温度依赖性电流和恒定电流的微调值。
18.运算放大器电路,包括:
差分输入级,被配置为接收差分输入信号,其中所述差分输入级容易受到包括线性偏移误差部分和非线性偏移误差部分的偏移误差的影响;
耦合到所述差分输入级的输出缓冲器级;和
偏移误差校正电路,耦合到所述差分输入级并被配置为:
产生包括一阶温度依赖性信号分量和二阶温度依赖性信号分量的误差校正信号;和
将所述误差校正信号施加到所述差分输入级,以减小所述偏移误差的线性偏移误差部分和非线性偏移误差部分。
19.权利要求18所述的运算放大器电路,其中:
所述差分输入包括初级差分输入晶体管对;和
所述偏移误差校正电路包括:
辅助差分输入晶体管对,匹配所述初级差分输入晶体管对并电耦合所述初级差分输入晶体管对;和
基准电流电路,被配置为产生二阶误差校正电流信号,并将二阶误差校正电流信号施加于辅助差分输入晶体管对,以产生二阶误差校正电压信号作为所述误差校正信号。
20.权利要求18所述的运算放大器电路,其中:
所述差分输入级包括差分输入晶体管对;和
所述偏移误差校正电路包括基准电流电路,该基准电流电路被配置为产生二阶误差校正电流信号,并将该二阶误差校正电流信号直接施加于所述差分输入晶体管对,以减小所述偏移误差的线性偏移误差部分和非线性偏移误差部分。
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---|---|---|---|---|
US11714446B1 (en) * | 2020-09-11 | 2023-08-01 | Gigajot Technology, Inc. | Low noise bandgap circuit |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4843342A (en) * | 1987-12-09 | 1989-06-27 | Vtc Incorporated | Differential amplifier with input bias current cancellation |
GB9721908D0 (en) * | 1997-10-17 | 1997-12-17 | Philips Electronics Nv | Voltage regulator circuits and semiconductor circuit devices |
CN101030085A (zh) * | 2007-01-16 | 2007-09-05 | 西安交通大学 | 一种参考电压模块及其温度补偿方法 |
CN102480271A (zh) * | 2010-11-24 | 2012-05-30 | 阿尔特拉公司 | 用于连续时间电路的偏移消除 |
CN102780461A (zh) * | 2006-07-07 | 2012-11-14 | 雅马哈株式会社 | 偏移电压校正电路和d类放大器 |
CN103365331A (zh) * | 2013-07-19 | 2013-10-23 | 天津大学 | 一种二阶补偿基准电压产生电路 |
CN104811404A (zh) * | 2015-04-14 | 2015-07-29 | 华南理工大学 | 直流偏移校正方法和装置 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5744993A (en) * | 1995-09-27 | 1998-04-28 | Lucent Technologies, Inc. | Read channel for at least partially offsetting nonlinear signal effects associated with the use of magneto-resistive heads |
US5848383A (en) * | 1997-05-06 | 1998-12-08 | Integrated Sensor Solutions | System and method for precision compensation for the nonlinear offset and sensitivity variation of a sensor with temperature |
US6188281B1 (en) * | 1998-09-30 | 2001-02-13 | Maxim Integrated Products, Inc. | Linear transconductance circuits having class AB amplifiers parallel coupled with concave compensation circuits |
US6255807B1 (en) | 2000-10-18 | 2001-07-03 | Texas Instruments Tucson Corporation | Bandgap reference curvature compensation circuit |
US6593812B2 (en) * | 2001-04-23 | 2003-07-15 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson | Automatic optimization of linearity for envelope feedback RF amplifier linearization |
CN1508643A (zh) | 2002-12-20 | 2004-06-30 | 上海贝岭股份有限公司 | 采用二阶温度补偿能隙基准电压的电压源及其方法 |
US7398173B2 (en) * | 2005-05-04 | 2008-07-08 | Ami Semiconductor, Inc. | Providing nonlinear temperature compensation for sensing means by use of Padé approximant function emulators |
CN100456197C (zh) | 2005-12-23 | 2009-01-28 | 深圳市芯海科技有限公司 | 低温度系数带隙基准参考电压源 |
US7840193B2 (en) * | 2007-10-11 | 2010-11-23 | Panasonic Corporation | Transmitter and communication apparatus |
JP2009118049A (ja) * | 2007-11-05 | 2009-05-28 | Panasonic Corp | 離散時間型増幅回路及びアナログ・ディジタル変換器 |
US8233871B2 (en) * | 2009-06-16 | 2012-07-31 | California Institute Of Technology | Incompressible RF receiver |
CN101901020A (zh) | 2010-06-13 | 2010-12-01 | 东南大学 | 基于高阶温度补偿的低温漂cmos带隙基准电压源 |
CN102122190B (zh) | 2010-12-30 | 2014-05-28 | 钜泉光电科技(上海)股份有限公司 | 电压基准源电路 |
CN102279611B (zh) | 2011-05-11 | 2013-06-12 | 电子科技大学 | 一种可变曲率补偿的带隙电压基准源 |
CN202110463U (zh) | 2011-05-11 | 2012-01-11 | 电子科技大学 | 一种可变曲率补偿的带隙电压基准源 |
CN102591398B (zh) | 2012-03-09 | 2014-02-26 | 钜泉光电科技(上海)股份有限公司 | 一种带有非线性温度补偿的多路输出带隙基准电路 |
CN102981545B (zh) | 2012-12-03 | 2014-08-13 | 东南大学 | 一种高阶曲率补偿的带隙基准电压电路 |
CN105320199B (zh) | 2014-07-10 | 2018-08-17 | 广州市力驰微电子科技有限公司 | 一种具有高阶补偿的基准电压源 |
CN104375554B (zh) | 2014-12-11 | 2015-11-25 | 无锡新硅微电子有限公司 | 一种双边温度补偿的带隙基准电路 |
CN104714588B (zh) | 2015-01-05 | 2016-04-20 | 江苏芯力特电子科技有限公司 | 一种基于vbe线性化的低温漂带隙基准电压源 |
CN204440214U (zh) | 2015-01-05 | 2015-07-01 | 江苏芯力特电子科技有限公司 | 一种基于vbe线性化的低温漂带隙基准电压源 |
CN107092297B (zh) | 2017-06-13 | 2019-04-16 | 成都芯进电子有限公司 | 用于信号放大器的二阶补偿带隙基准电路 |
CN206757446U (zh) | 2017-06-13 | 2017-12-15 | 成都芯进电子有限公司 | 用于信号放大器的二阶补偿带隙基准电路 |
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CN207067835U (zh) | 2017-06-20 | 2018-03-02 | 上海灿瑞科技股份有限公司 | 一种具有高阶温度补偿的带隙基准电压源电路 |
CN108664072B (zh) | 2018-06-11 | 2020-05-12 | 上海艾为电子技术股份有限公司 | 一种高阶温度补偿带隙基准电路 |
-
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-
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4843342A (en) * | 1987-12-09 | 1989-06-27 | Vtc Incorporated | Differential amplifier with input bias current cancellation |
GB9721908D0 (en) * | 1997-10-17 | 1997-12-17 | Philips Electronics Nv | Voltage regulator circuits and semiconductor circuit devices |
CN102780461A (zh) * | 2006-07-07 | 2012-11-14 | 雅马哈株式会社 | 偏移电压校正电路和d类放大器 |
CN101030085A (zh) * | 2007-01-16 | 2007-09-05 | 西安交通大学 | 一种参考电压模块及其温度补偿方法 |
CN102480271A (zh) * | 2010-11-24 | 2012-05-30 | 阿尔特拉公司 | 用于连续时间电路的偏移消除 |
CN103365331A (zh) * | 2013-07-19 | 2013-10-23 | 天津大学 | 一种二阶补偿基准电压产生电路 |
CN104811404A (zh) * | 2015-04-14 | 2015-07-29 | 华南理工大学 | 直流偏移校正方法和装置 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
王春华;曹捷;李仁发;: "基于MOCCII差分式二阶电流模式滤波器", 电路与系统学报, no. 06 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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