CN102591398B - 一种带有非线性温度补偿的多路输出带隙基准电路 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种带有非线性温度补偿的多路输出带隙基准电路，至少包括用以产生IPTAT电流的负温度系数电流产生单元，用以产生PTAT电流的正温度系数电流产生单元，连接所述负温度系数电流产生单元及正温度系数电流产生单元，用以对所述正温度系数电流产生单元中三极管基极与发射极之间的电压进行温度检测，将检测信号转化为非线性温度系数电流的温度检测单元，以及用于将非线性温度系数电流、IPTAT与PTAT电流进行叠加后输出零温度系数基准电流的基准电流输出单元，本发明的多路输出带隙基准电路，用以降低传统带隙基准电路的温度系数，实现接近零温度系数的基准电压或电流，进而解决现有技术中出现的补偿稳定性差以及电流转换精度不易控制等问题。

Description

一种带有非线性温度补偿的多路输出带隙基准电路

技术领域

本发明涉及集成电路设计领域，特别涉及一种具有温度补偿且多路输出的低温度系数带隙电压基准源电路。

背景技术

带隙电压基准电路是模拟以及数模混合信号集成电路系统中不可或缺的基础模块之一。其主要作用是为系统中其他子系统或模块提供稳定的参考电压或偏置电流。

传统的带隙电压基准电路是基于两种温度特性相反的电压通过加权叠加之后产生一个与温度和电源电压以及工艺无关的基准电压。其具体实现方式为：利用两个三极管基极-发射极电压差ΔV_EB产生正温度系数电压与三极管基极与发射极电压两端电压V_EB负温度系数线性叠加。在一般对基准电压要求不高的系统中，一阶基准电压能够满足应用要求。但是，由于三极管基极-发射极电压随温度变化呈现一定的非线性特性，因此在精密仪表或是在高精度系统中应用中，一阶基准电压的温度系数已经对系统精度产生了制约，所以，如何提供一种具有温度补偿的带隙基准电路是高精度系统实现的关键因素之一。

在现有技术中，通常采用高阶温度补偿技术实现较低温度系数的基准电压，所述的高阶温度补偿技术一般是利用额外高阶补偿电路产生非线性正温度系数电压与一阶基准电压叠加以实现低温度系数的基准电路。

例如公开号为CN101950191A(申请号：201010283053.0)的专利文献中公开了一种具有高阶温度补偿电路的电压基准参考源，该发明利用是基于V-I转换电路来产生负温度系数电流，以及非线性正温度系数补偿电流，然后通过将这两种温度特性电流与正温度系数电流叠加求和，然后产生基准电压。尽管该发明能能够实现低温度系数基准电压和基准电流，但是在实际中，由于其V-I转换电路是基于NMOS电流镜实现运放作用，因此，如果支路电流存在失配，则电流转换精度无法很好的控制，并且在非线性温度补偿电流是一个较小的量，如果系统失配较大，则有可能在实际应用中无法很好的实现高阶补偿。

再例如公开号为CN1811656A(申请号：200610020154.2)的专利文献中公布了一种基于负温度补偿电流产生电路的温度补偿电流基准源。该发明的高阶补偿方式为，通过实现二阶正温度补偿电流产生电路和三阶负温度系数电流补偿电路，从而来抵消传统一阶基准电流的非线性温度系数。尽管该发明能够对一阶基准电流非线性温度系数进行有效的抵消，但是，在实际电路中，由于其二阶正温度系数电流与三阶负温度系数电流会有较大的偏差，因此，会对基准电流的初始精度造成较大的影响，使其实用性具有一定的局限性。

因而，如何提供一种多路输出带隙基准电路，用以解决现有技术中出现的补偿稳定性差、电流转换精度不易控制等问题，实已成为本领域从业者亟待解决的课题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种带有非线性温度补偿的多路输出带隙基准电路，用以降低传统带隙基准电路的温度系数，实现接近零温度系数的基准电压或电流进而解决现有技术中出现的补偿稳定性差以及电流转换精度不易控制等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种带有非线性温度补偿的多路输出带隙基准电路，至少包括：基准电路系统启动单元，用以在上电后发出脉冲信号；负温度系数电流产生单元，用以接收到脉冲信号后产生线性负温度系数IPTAT电流并进行镜像传输；正温度系数电流产生单元，用以接收到脉冲信号后产生线性正温度系数PTAT电流并进行镜像传输；温度检测单元，连接所述负温度系数电流产生单元以及正温度系数电流产生单元，用以对所述正温度系数电流产生单元中三极管基极与发射极之间的电压进行温度检测，将检测信号转化为非线性温度系数电流，并传输至该负温度系数电流产生单元；基准电压产生单元，连接所述温度检测单元，用以产生零温度系数基准电压并提供给所述温度检测单元；基准电流输出单元，连接所述负温度系数电流产生单元、正温度系数电流产生单元、以及温度检测单元，将非线性温度系数电流、该线性负温度系数IPTAT电流、与线性正温度系数PTAT电流进行叠加后输出零温度系数基准电流。

在本发明的多路输出带隙基准电路中，所述负温度系数电流产生单元由PMOS管PM3，NMOS管NM1，电阻R3，R4以及运算放大器OP2组成，其中，所述PMOS管PM3的源极连接VDD电源，所述PMOS管PM3的栅极与漏极共同连接所述NMOS管NM1的漏极，所述NMOS管NM1的源极连接电阻R3的第一端以及所述运算放大器OP2的正相输入端，所述运算放大器OP2的反相输入端连接所述基准电路系统启动单元，所述运算放大器OP2的输出端连接所述NMOS管NM1的栅极，所述电阻R3的第二端连接所述电阻R4的第一端，所述电阻R4的第二端接地。

在本发明的多路输出带隙基准电路中，所述正温度系数电流产生单元由三极管Q1、Q0，电阻R0，PMOS管PM1、PM2以及运算放大器OP1组成，其中，所述PMOS管PM1及PM2的源极连接VDD电源，所述PMOS管PM1及PM2的漏极分别连接所述运算放大器OP1的反相输入端与正相输入端，所述PMOS管PM1及PM2的栅极连接所述运算放大器OP1的输出端，所述三极管Q1的发射极连接所述基准电路系统启动单元、PMOS管PM1的漏极、运算放大器OP1及OP2的反相输入端，所述三极管Q2的发射极连接所述电阻R0的第一端，所述电阻R0的第二端连接所述PMOS管PM2的漏极以及所述运算放大器OP1的正相输入端，所述三极管Q1与Q2的集电极、基极共同接地。

在本发明的多路输出带隙基准电路中，所述温度检测单元由PMOS管PM6、PM7、PMA、PMB以及NMOS管NMA、NMB、NM2组成，其中，所述PMOS管PM6及PM7的源极连接VDD电源，所述PMOS管PM6及PM7的漏极连接所述PMOS管PMA及PMB的源极，所述PMOS管PM6的栅极连接所述PMOS管PM1、PM2的栅极，所述PMOS管PM7的栅极连接所述PMOS管PM3的栅极，所述PMOS管PMA的栅极连接所述运算放大器OP1及OP2的反相输入端，所述PMOS管PMA的漏极连接所述NMOS管NMA的漏极以及NMA、NM2的栅极，所述PMOS管PMB的栅极连接所述基准电压产生单元，所述PMOS管PMB的漏极连接所述NMOS管NMB的漏极与栅极，所述NMOS管NMA、NMB、NM2的源极接地，所述NMOS管NM2的漏极连接所述电阻R3的第二端与电阻R4的第一端。

在本发明的多路输出带隙基准电路中，所述基准电压产生单元由PMOS管PM4、PM5以及电阻R1，R2组成，其中，所述PMOS管PM4、PM5的源极连接VDD电源，所述PMOS管PM4的栅极连接所述PMOS管PM6、PM1、PM2的栅极，所述PMOS管PM5的栅极连接所述PMOS管PM3的栅极，所述PMOS管PM4、PM5的漏极连接一基准电压输出端以及所述电阻R1的第一端，所述电阻R1的第二端连接所述电阻R2的第一端以及所述PMOS管PMB的栅极，所述电阻R2的第二端接地。

在本发明的多路输出带隙基准电路中，所述基准电流输出单元由PMOS管PM8、PM9组成，其中，所述PMOS管PM8、PM9的源极连接VDD电源，所述PMOS管PM8的栅极连接所述PMOS管PM6、PM4、PM1、PM2的栅极，所述PMOS管PM9的栅极连接所述PMOS管PM7、PM5、PM3的栅极，所述PMOS管PM8、PM9的漏极连接一基准电流输出端。

在本发明的多路输出带隙基准电路中，所述基准电流输出单元还连接有用于将输出的基准电流转换为基准电压的可调电阻。

如上所述，本发明带有非线性温度补偿的多路输出带隙基准电路，与现有技术相比较，本发明的基准电路是基于对非线性负温度特性电压的温度特性进行检测，同时将检测信号转换为非线性补偿电流进行非线性温度系数补偿，其具有较高的补偿稳定性，且对基准电压初始精度影响较小，同时基于CMOS工艺，有效降低成本。本发明实现了非线性温度系数补偿方法，且补偿结构简单，能够同时获得高阶温度补偿的基准电压和电流。

附图说明

图1显示为带有高阶温度系数补偿的基准电压产生原理图。

图2显示为本发明带有非线性温度补偿的多路输出带隙基准电路结构示意图。

图3显示为本发明中非线性温度补偿基准电流温度特性对比示意图。

图4显示为本发明中基准电压产生方式原理图。

元件标号说明

101        基准电路系统启动单元

102        正温度系数电流产生单元

103        负温度系数电流产生单元

104        温度检测单元

105        基准电压产生单元

106        基准电流输出单元

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图1至图4。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

本发明提供一种带有非线性温度补偿的多路输出带隙基准电路，通过其中的温度感应电路，对三极管基极-发射极电压进行温度检测，将检测信号转化为非线性温度补偿电流，将该电流与线性PTAT(Proportion To Absolute Temperature)电流，线性IPTAT(Inverse ProportionTo Absolute Temperature)电流进行叠加，产生与温度无关的电流，将该电流在输出支路上转化为基准电压，产生温度系数极低的带隙基准电压。请参阅图1，显示为带有高阶温度系数补偿的基准电压产生原理图，如图所示，即正温度系数(PTAT)电流、负温度系数(IPTAT)电流、以及非线性温度补偿电流(NL)在输出支路电阻上进行叠加，并转换为零温度系数输出基准电压(Vref)。本发明正是基于温度感应的方式产生一种非线性温度补偿电流来实现近似零温度系数基准电压和电流，容后详述。

请参阅图2，显示为本发明带有非线性温度补偿的多路输出带隙基准电路结构示意图，如图所示，本发明带有非线性温度补偿的多路输出带隙基准电路至少包括：基准电路系统启动单元101，负温度系数电流产生单元103，正温度系数电流产生单元102，温度检测单元104，基准电压产生单元105，以及基准电流输出单元106。

所述基准电路系统启动单元101用以在上电后发出脉冲信号，在实际的实施例中，凡能够使基准电路在电路上电后发出脉冲信号，以令基准电路系统正常工作的启动电路均适用于本发明，故在此不予赘述。

所述负温度系数电流产生单元103用以接收到脉冲信号后产生线性负温度系数IPTAT电流并进行镜像传输，在本实施例中，所述负温度系数电流产生单元103由PMOS管PM3，NMOS管NM1，电阻R3，R4以及运算放大器OP2组成，其中，所述PMOS管PM3的源极连接VDD电源，所述PMOS管PM3的栅极与漏极共同连接所述NMOS管NM1的漏极，所述NMOS管NM1的源极连接电阻R3的第一端以及所述运算放大器OP2的正相输入端，所述运算放大器OP2的反相输入端连接所述基准电路系统启动单元101，所述运算放大器OP2的输出端连接所述NMOS管NM1的栅极，所述电阻R3的第二端连接所述电阻R4的第一端，所述电阻R4的第二端接地。

所述负温度系数电流产生单元103利用运算放大器OP2的虚短特性以及所述正温度系数电流产生单元102中三极管Q1的V_EB电压的负温度特性，在电阻R3和R4的串联支路中产生负温度特性IPTAT电流，由于三极管Q1的V_EB电压具有非线性温度特性，因此利用温度检测单元104中产生的非线性温度补偿电流在R4上产生一非线性PTAT电压对三极管Q1的V_EB中的非线性温度系数进行抵消，因此PMOS管PM3中电流具有线性IPTAT特性，该电流通过PM3将进行镜像传输。

所述正温度系数电流产生单元102用以接收到脉冲信号后产生线性正温度系数PTAT电流并进行镜像传输。在本实施例中，所述正温度系数电流产生单元102由三极管Q1、QO，电阻R0，PMOS管PM1、PM2以及运算放大器OP1组成，其中，所述PMOS管PM1及PM2的源极连接VDD电源，所述PMOS管PM1及PM2的漏极分别连接所述运算放大器OP1的反相输入端与正相输入端，所述PMOS管PM1及PM2的栅极连接所述运算放大器OP1的输出端，所述三极管Q1的发射极连接所述基准电路系统启动单元101、PMOS管PM1的漏极、运算放大器OP1及OP2的反相输入端，所述三极管Q2的发射极连接所述电阻R0的第一端，所述电阻R0的第二端连接所述PMOS管PM2的漏极以及所述运算放大器OP1的正相输入端，所述三极管Q1与Q2的集电极、基极共同接地。

所述正温度系数电流产生单元102基于其中的运算放大器OP1的虚短特性A，B两节点(图示中的A、B两个节点)电位相同，因此在电阻R0两端产生ΔV_EB压降，从而产生线性正温度系数PTAT电流，该PTAT电流通过由所述PMOS管PM1及PM2组成的电流镜电流进行镜像传输。

所述基准电压产生单元105连接所述温度检测单元104，用以产生零温度系数基准电压并提供给所述温度检测单元104。在本实施例中，所述基准电压产生单元105由PMOS管PM4、PM5以及电阻R1，R2组成，其中，所述PMOS管PM4、PM5的源极连接VDD电源，所述PMOS管PM4的栅极连接所述PMOS管PM6、PM1、PM2的栅极，所述PMOS管PM5的栅极连接所述PMOS管PM3的栅极，所述PMOS管PM4、PM5的漏极连接一基准电压输出端以及所述电阻R1的第一端，所述电阻R1的第二端连接所述电阻R2的第一端以及所述PMOS管PMB的栅极，所述电阻R2的第二端接地。

所述基准电压产生单元105中，由于所述PMOS管PM4中电流与PM3中电流温度特性一致为线性IPTAT特性，同时PMOS管PM5中电流特性与PM2和PM3中电流温度特性相同为线性PTAT特性，因此Io(图示中箭头所示的Io)为零温度系数电流，该电流在电阻R1和R2上产生零温度系数基准电压，并将该零温度系数基准电压提供给所述温度检测单元104。

所述温度检测单元104连接所述负温度系数电流产生单元103以及正温度系数电流产生单元102，用以对所述正温度系数电流产生单元102中三极管基极与发射极之间的电压进行温度检测，将检测信号转化为非线性温度系数电流，并传输至该负温度系数电流产生单元103。在本实施例中，所述温度检测单元104由PMOS管PM6、PM7、PMA、PMB以及NMOS管NMA、NMB、NM2组成，其中，所述PMOS管PM6及PM7的源极连接VDD电源，所述PMOS管PM6及PM7的漏极连接所述PMOS管PMA及PMB的源极，所述PMOS管PM6的栅极连接所述PMOS管PM1、PM2的栅极，所述PMOS管PM7的栅极连接所述PMOS管PM3的栅极，所述PMOS管PMA的栅极连接所述运算放大器OP1及OP2的反相输入端，所述PMOS管PMA的漏极连接所述NMOS管NMA的漏极以及NMA、NM2的栅极，所述PMOS管PMB的栅极连接所述基准电压产生单元105，所述PMOS管PMB的漏极连接所述NMOS管NMB的漏极与栅极，所述NMOS管NMA、NMB、NM2的源极接地，所述NMOS管NM2的漏极连接所述电阻R3的第二端与电阻R4的第一端。

所述温度检测单元104中PMOS管PM6和PM7电流叠加为产生零温度度系数偏置电流，PMOS管PMA栅极电位为基准电压，PMOS管PMB电压为三极管Q1的V_EB电压。所述温度检测单元104产生的非线性温度系数电流由NMOS管NMA，NM2电流镜镜像传输至带有温度补偿的所述负温度系数电流产生单元103。

所述基准电流输出单元106连接所述负温度系数电流产生单元103、正温度系数电流产生单元102、以及温度检测单元104，将非线性温度系数电流、该线性负温度系数IPTAT电流、与线性正温度系数PTAT电流进行叠加后输出零温度系数基准电流。在本实施例中，所述基准电流输出单元106由PMOS管PM8、PM9组成，其中，所述PMOS管PM8、PM9的源极连接VDD电源，所述PMOS管PM8的栅极连接所述PMOS管PM6、PM4、PM1、PM2的栅极，所述PMOS管PM9的栅极连接所述PMOS管PM7、PM5、PM3的栅极，所述PMOS管PM8、PM9的漏极连接一基准电流输出端，所述基准电流输出端还连接有用于将输出的基准电流转换为基准电压的可调电阻，以利用该电流在不同电阻转化能够实现多路输出基准电压。

为进一步阐明本发明的原理及功效，假设Q1和Q0发射结面积之比为1∶N，则线性PTAT电流为：

$I_{\mathrm{PTAT}}=\frac{{\mathrm{\ΔV}}_{\mathrm{EB}3}}{R0}=\frac{V_T\ln N}{R0}---\left(1\right)$

其中，V_T＝KT/q为热电压，K为波尔兹曼常数，T为绝对温度，三极管Q1基极-发射极电压差ΔV_EB；

若非线性补偿电流为INL，则线性IPTAT电流为：

$I_{\mathrm{IPTAT}}=\frac{V_{\mathrm{EB}0}+I_{\mathrm{NL}}\·R_4}{R_3+R_4}---\left(2\right)$

其中 $V_{\mathrm{EB}0}=V_{G0}-[V_{G0}-V_{\mathrm{BE}}\left(T_0\right)]\frac{T_0}{T}-(\mathrm{\γ}-\mathrm{\α})\·V_T\ln \frac{T_0}{T},$ 式中V_G0为0K下硅材料的带隙电压，典型值为1.205V，常温T0＝300K，γ、α分别为与三极管基区空穴迁移率和集电极电流指数温度系数相关的系数。

如果将三极管Q₁的V_EB中非线性项通过I_NL(T)·R₄动态补偿或抵消，则能够获得线性IPTAT电流，将该线性IPTAT电流与线性PTAT电流叠加产生零温度系数基准电流。

本发明提出的负温度系数电流产生单元103能够随着温度变化产生自适应非线性PTAT补偿电流，该电流在电阻R4上产生非线性自适应PTAT温度补偿电压，从而实现对三极管Q1中非线性负温度项的补偿，自适应非线性PTAT温度补偿电流原理如下：如图2温度检测单元104所示，PMOS管PMA，PMB为差分输入对，PMOS管PM8，PM9为该差分对管的尾电流源，在T0，即参考温度下，调整参数可以使PMOS管PMA，PMB栅电位相等，VPMA，G＝VPMB，G，由于PMA栅极电位是基准电压的分压所得，因此该电压几乎不随温度变化，而PMB的栅电压为三级管Q1的V_EB节电压，该电压随着温度变化呈现非线性负温度特性。由于差分对尾电流为基准电流，该电流随温度变化较小，当温度从低温向高温变化，PMOS输入管PMB的栅电压由高变低，因此PMB中电流受其栅电压控制向相反方向变化，产生非线性PTAT电流。请参阅图3，显示为本发明中非线性温度补偿基准电流温度特性对比示意图。如图所示，曲线A为一阶补偿的基准电流温度特性，曲线B为非线性温度系数补偿后基准电流温度特性曲线。

需要特别说明的是，基于本发明提出的非线性温度补偿方法，可以通过电流直接叠加的方式实现零温度系数电流，请参阅图4，显示为本发明中基准电压产生方式原理图，如图所示：PMOS管PMA，PMB，PMC中分别传输正温度，负温度，非线性正温度特性电流，三路电流最终在电阻R上叠加产生零温度系数基准电压。

基于本发明提出的非线性温度补偿基准电路，可以在很大程度上抵消V_EB电压非线性温度系数，使三极管Q1中V_EB的温度特性呈现一个近似线性的IPTAT特性，从而与线性PTAT电流叠加而产生一个零温度系数基准电流，并且利用该电流实现多路输出基准电压。

综上所述，如上所述，本发明带有非线性温度补偿的多路输出带隙基准电路，与现有技术相比较，本发明的基准电路是基于对非线性负温度特性电压的温度特性进行检测，同时将检测信号转换为非线性补偿电流进行非线性温度系数补偿，其具有较高的补偿稳定性，且对基准电压初始精度影响较小，同时基于CMOS工艺，有效降低成本。本发明实现了非线性温度系数补偿方法，且补偿结构简单，能够同时获得高阶温度补偿的基准电压和电流。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (6)

1.一种带有非线性温度补偿的多路输出带隙基准电路，其特征在于，所述多路输出带隙基准电路至少包括：

基准电路系统启动单元，用以在上电后发出脉冲信号；

负温度系数电流产生单元，用以接收到脉冲信号后产生线性负温度系数IPTAT电流并进行镜像传输；所述负温度系数电流产生单元由PMOS管PM3，NMOS管NM1，电阻R3，R4以及运算放大器OP2组成，其中，所述PMOS管PM3的源极连接VDD电源，所述PMOS管PM3的栅极与漏极共同连接所述NMOS管NM1的漏极，所述NMOS管NM1的源极连接电阻R3的第一端以及所述运算放大器OP2的正相输入端，所述运算放大器OP2的反相输入端连接所述基准电路系统启动单元，所述运算放大器OP2的输出端连接所述NMOS管NM1的栅极，所述电阻R3的第二端连接所述电阻R4的第一端，所述电阻R4的第二端接地；

正温度系数电流产生单元，用以接收到脉冲信号后产生线性正温度系数PTAT电流并进行镜像传输；

温度检测单元，连接所述负温度系数电流产生单元以及正温度系数电流产生单元，用以对所述正温度系数电流产生单元中三极管基极与发射极之间的电压进行温度检测，将检测信号转化为非线性温度系数电流，并传输至该负温度系数电流产生单元；

基准电压产生单元，连接所述温度检测单元，用以产生零温度系数基准电压并提供给所述温度检测单元；

基准电流输出单元，连接所述负温度系数电流产生单元、正温度系数电流产生单元、以及温度检测单元，将非线性温度系数电流、该线性负温度系数IPTAT电流、与线性正温度系数PTAT电流进行叠加后输出零温度系数基准电流。

2.根据权利要求1所述的带有非线性温度补偿的多路输出带隙基准电路，其特征在于：所述正温度系数电流产生单元由三极管Q1、Q0，电阻R0，PMOS管PM1、PM2以及运算放大器OP1组成，其中，所述PMOS管PM1及PM2的源极连接VDD电源，所述PMOS管PM1及PM2的漏极分别连接所述运算放大器OP1的反相输入端与正相输入端，所述PMOS管PM1及PM2的栅极连接所述运算放大器OP1的输出端，所述三极管Q1的发射极连接所述基准电路系统启动单元、PMOS管PM1的漏极、运算放大器OP1及OP2的反相输入端，所述三极管Q2的发射极连接所述电阻R0的第一端，所述电阻R0的第二端连接所述PMOS管PM2的漏极以及所述运算放大器OP1的正相输入端，所述三极管Q1与Q2的集电极、基极共同接地。

3.根据权利要求2所述的带有非线性温度补偿的多路输出带隙基准电路，其特征在于：所述温度检测单元由PMOS管PM6、PM7、PMA、PMB以及NMOS管NMA、NMB、NM2组成，其中，所述PMOS管PM6及PM7的源极连接VDD电源，所述PMOS管PM6及PM7的漏极连接所述PMOS管PMA及PMB的源极，所述PMOS管PM6的栅极连接所述PMOS管PM1、PM2的栅极，所述PMOS管PM7的栅极连接所述PMOS管PM3的栅极，所述PMOS管PMA的栅极连接所述运算放大器OP1及OP2的反相输入端，所述PMOS管PMA的漏极连接所述NMOS管NMA的漏极以及NMA、NM2的栅极，所述PMOS管PMB的栅极连接所述基准电压产生单元，所述PMOS管PMB的漏极连接所述NMOS管NMB的漏极与栅极，所述NMOS管NMA、NMB、NM2的源极接地，所述NMOS管NM2的漏极连接所述电阻R3的第二端与电阻R4的第一端。

4.根据权利要求3所述的带有非线性温度补偿的多路输出带隙基准电路，其特征在于：所述基准电压产生单元由PMOS管PM4、PM5以及电阻R1，R2组成，其中，所述PMOS管PM4、PM5的源极连接VDD电源，所述PMOS管PM4的栅极连接所述PMOS管PM6、PM1、PM2的栅极，所述PMOS管PM5的栅极连接所述PMOS管PM3的栅极，所述PMOS管PM4、PM5的漏极连接一基准电压输出端以及所述电阻R1的第一端，所述电阻R1的第二端连接所述电阻R2的第一端以及所述PMOS管PMB的栅极，所述电阻R2的第二端接地。

5.根据权利要求4所述的带有非线性温度补偿的多路输出带隙基准电路，其特征在于：所述基准电流输出单元由PMOS管PM8、PM9组成，其中，所述PMOS管PM8、PM9的源极连接VDD电源，所述PMOS管PM8的栅极连接所述PMOS管PM6、PM4、PM1、PM2的栅极，所述PMOS管PM9的栅极连接所述PMOS管PM7、PM5、PM3的栅极，所述PMOS管PM8、PM9的漏极连接一基准电流输出端。

6.根据权利要求1所述的带有非线性温度补偿的多路输出带隙基准电路，其特征在于：所述基准电流输出单元还连接有用于将输出的基准电流转换为基准电压的可调电阻。

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