CN111874893A - 石墨烯柔性复合层及其制备方法和应用 - Google Patents

石墨烯柔性复合层及其制备方法和应用 Download PDF

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CN111874893A CN202010067783.0A CN202010067783A CN111874893A CN 111874893 A CN111874893 A CN 111874893A CN 202010067783 A CN202010067783 A CN 202010067783A CN 111874893 A CN111874893 A CN 111874893A
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Abstract

本申请公开了一种石墨烯柔性复合层及其制备方法和应用。所述石墨烯柔性复合层依次包括第一石墨烯薄膜层、第一金属衬底、非金属衬底、第二金属衬底和第二石墨烯薄膜层。石墨烯柔性复合层的制备方法，包括步骤一：将第一金属衬底‑非金属衬底‑第二金属衬底柔性复合层置于卷对卷连续生长设备的从动辊和主动辊上，和步骤二：在第一金属衬底‑非金属衬底‑第二金属衬底柔性复合层上卷对卷连续生长石墨烯。石墨烯柔性复合层可应用于电磁屏蔽、抗静电、导电、导热产品中，还可提高制备石墨烯薄膜的生产率。

Description

石墨烯柔性复合层及其制备方法和应用
技术领域
本公开涉及石墨烯及其制备方法和应用，尤其是一种石墨烯柔性复合层及其制备方法和应用。
背景技术
现有石墨烯卷对卷连续生长工艺，采用单层金属衬底进行石墨烯的连续生长，主要包括三个步骤：①首先将金属衬底卷(例如铜箔)放入进料舱，牵引金属衬底穿过生长室，与收集舱的收卷辊相连；然后关闭反应腔室，抽真空至一定压力下，然后通入惰性气体(例如氩气)，并开启升温程序，升温至目标温度；②进入恒温阶段，通入碳源气体(例如甲烷)，开启电机使收卷辊转动，从而使得金属衬底持续运行通过生长室再卷绕到收卷辊，恒温一定时间；③生长结束，关闭碳源气体，继续通惰性气体使设备冷却至室温，取出收卷料。收卷料即表面生长石墨烯的石墨烯/金属衬底卷。
现有技术制备的石墨烯/金属衬底是两面都生长有石墨烯的金属衬底，在应用时常常需要将金属衬底上的石墨烯转移至合适的基底表面。图1显示了目前常见的石墨烯转移流程：将石墨烯/金属衬底的一面与基底贴合，再去除另一面的石墨烯和其它污染物；然后将金属衬底完全刻蚀，从而将石墨烯转移至基底。通过该示意图能够明显地看出，石墨烯-金属复合材料上只有一面的石墨烯能有效转移，而另一面在转移过程中被废弃。
发明内容
本公开要解决的技术问题是，一方面，现有石墨烯/金属衬底只能有效转移部分石墨烯，生产效率较低；另一方面，提供一种新型石墨烯柔性复合层，可有效提高石墨烯转移量，还可用于电磁屏蔽、抗静电、导电、导热产品中。
本发明人将两层金属衬底之间夹设非金属衬底制得的第一金属衬底-非金属衬底-第二金属衬底柔性复合层(简称“复合层衬底”)作为初始衬底，复合层衬底经过生长室时，石墨烯仅在复合层衬底的裸露金属面生长，而不在金属衬底与非金属衬底的贴合面生长，从而得到石墨烯柔性复合层。生长结束后，分离石墨烯柔性复合层中的两层金属衬底，可对金属衬底上的石墨烯分别进行转移应用。本发明人采用复合层衬底进行卷对卷连续生长，使得石墨烯柔性复合层两面生长得到的石墨烯都得到了有效利用。
具体来说，本公开提出了如下技术方案：
一方面，本公开的一些实施方式提供了一种石墨烯柔性复合层，所述石墨烯柔性复合层依次包括第一石墨烯薄膜层、第一金属衬底、非金属衬底、第二金属衬底和第二石墨烯薄膜层。
本公开的一些实施方式中，所述非金属衬底的厚度为30～200μm；
优选地，所述非金属衬底为石墨纸，更优选地，所述石墨纸的含碳量为99.90wt.％以上。
本公开的一些实施方式中，所述第一金属衬底和/或第二金属衬底的厚度为5～105μm，优选地，所述第一金属衬底和/或第二金属衬底的厚度为20～30μm；
更优选地，所述第一金属衬底和第二金属衬底为相同或不同的过渡金属衬底，更优选地，所述过渡金属选自镍、钴、铁、铂、金、铬、铜、锰、钼、钌、钽、钛、钨中的一种或任意两种或两种以上组成的合金；更优选地，所述过渡金属选自铜或镍或其合金。
本公开的一些实施方式中，所述第一石墨烯薄膜层和/或第二石墨烯薄膜层为单层碳原子石墨烯或双层碳原子石墨烯，优选地，所述第一石墨烯薄膜层和第二石墨烯薄膜层为单层碳原子石墨烯。
另一方面，本公开提供了石墨烯柔性复合层的制备方法或一种石墨烯的制备方法，包括以下步骤：
步骤一：将第一金属衬底-非金属衬底-第二金属衬底柔性复合层置于卷对卷连续生长设备的从动辊和主动辊上，和，
步骤二：在第一金属衬底-非金属衬底-第二金属衬底柔性复合层上卷对卷连续生长石墨烯，得到石墨烯柔性复合层或生长在石墨烯柔性复合层的石墨烯。
本公开的一些实施方式中，所述步骤二包括：
向石墨烯生长室通入惰性气体，并根据需要通入氢气；
将石墨烯生长区的温度设置为400～1020℃；和，
向石墨烯生长室通入碳源气体。
本公开的一些实施方式中，所述惰性气体选自氦气、氖气、氩气或者它们的任意混合气体；
优选地，所述碳源气体为含有1～7个碳原子的烷烃、烯烃或炔烃，更优选地，所述碳源气体为甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、乙烯、丙烯或乙炔，更优选地，所述碳源气体为甲烷；更优选地，通入石墨烯生长室的碳源气体、氢气和惰性气体的流量比例为碳源气体：氢气：惰性气体＝2～4：0～2：0～5，优选4：1：5，4：2：5、3：1：5，2：2：5、4：1：0或4：0：5；
优选地，所述石墨烯生长室内气压为20～200Pa，例如20Pa、30Pa、50Pa、65Pa、80Pa、95Pa，120Pa、150Pa、180Pa或200Pa；
优选地，所述石墨烯生长室的碳源气体的流量为10～80sccm，例如10sccm、15sccm、20sccm、30sccm、40sccm、45sccm、50sccm、60sccm、70sccm或80sccm；通入氢气的流量为0～80sccm，例如不通入，或流量为5sccm、7.5sccm、10sccm、20sccm、30sccm、40sccm、50sccm、60sccm、70sccm或80sccm；通入惰性气体的流量为0～200sccm，例如不通入，或流量为15sccm、20sccm、30sccm、40sccm、50sccm、60sccm、70sccm、80sccm、90sccm、100sccm、110sccm、120sccm、130sccm、140sccm、150sccm、160sccm、170sccm、180sccm、190sccm或200sccm。
本公开的一些实施方式中，所述步骤二包括：
开启等离子体发生器，将石墨烯生长室的温度设置为400～600℃，例如400℃，450℃，500℃，550℃或600℃；或者，不开启等离子体发生器，将石墨烯生长室的温度设置为850～1020℃，例如850℃、870℃、900℃、920℃、940℃、960℃、980℃、1000℃或1020℃。
本公开的一些实施方式中，提供了上述的制备方法制得的石墨烯柔性复合层或石墨烯。
另一方面，本公开的一些实施方式提供了石墨烯柔性复合层在电磁屏蔽、抗静电、导电、导热产品中的应用。
本公开的有益效果包括：
1.本公开采用复合层衬底制备了石墨烯柔性复合层，将可转移的石墨烯面积提高了一倍，大大提高了可应用石墨烯的生产效率。
2.本公开采用复合层衬底进行卷对卷连续生长制备石墨烯，使得石墨烯能够连续生长，获得的石墨烯品质和一致性高。
3.采用高纯石墨纸作为两金属衬底中间的衬底时，石墨纸表面光滑、稳定性高，在非氧化介质中可长期稳定，耐受温度高，保证了石墨烯生长过程中两层金属衬底的有效隔离与金属层衬底的表面光滑，从而获得品质良好的石墨烯薄膜层，同时，石墨纸不产生污染，能避免生长的石墨烯被污染。
4.本公开的石墨烯柔性复合层可应用于电磁屏蔽、抗静电、导电、导热产品中。
附图说明
图1是现有技术中石墨烯转移流程图；
图2是可用于复合层衬底制备的一种卷绕支架示意图；
图3是实施例2制备得到的镍箔-石墨纸-铜箔复合层示意图；
图4是实施例2制备得到的石墨烯柔性复合层；
图中：1-石墨烯薄膜，2-金属衬底，3-转移基底，4-石墨纸，5-镍箔，6-铜箔，7-第一石墨烯薄膜层，8-第二石墨烯薄膜层。
具体实施方式
下面将结合附图对本公开的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，基于本公开中的具体实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本公开保护的范围。
需要注意的是，本文所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本公开的示例性实施方式。
在本文的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“石墨烯”是一种由碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的二维碳纳米材料。石墨烯是一种由单层碳原子堆积组成的二维碳纳米材料，其厚度为0.335nm，是目前发现的世界上最薄的材料，具备高强度、高导热、高透明度等优异的物理特性，具有重要的应用前景。石墨烯一般分为两种形态，石墨烯薄膜和石墨烯粉体。
术语“CVD”：Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积，是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法。CVD法制备石墨烯是使用含碳有机气体，在高温CVD炉内的过渡金属表面气相沉积制得石墨烯薄膜。这是目前生产高质量、大尺寸石墨烯薄膜最有效的方法。
术语“石墨纸”是指用石墨制成的柔性薄型片材，通常是将高碳磷片石墨经化学处理，高温膨胀轧制而成。
本公开提供了一种石墨烯柔性复合层，所述石墨烯柔性复合层依次包括第一石墨烯薄膜层、第一金属衬底、非金属衬底、第二金属衬底和第二石墨烯薄膜层。两层柔性金属衬底之间夹设了柔性非金属衬底，两层金属衬底的外表面均生长了石墨烯薄膜。
本公开的一些实施方式中，非金属衬底为石墨纸，其厚度为30～200μm，例如30μm，50μm，100μm，150μm等。
在一些实施方式中，石墨纸的含碳量为99.90wt.％以上，例如99.90～99.99wt.％。石墨纸中含碳量越高，其高温稳定性越好，制得的石墨烯质量越好。
在一些实施方式中，第一金属衬底可用铜箔或镍箔，第二金属衬底可用铜箔或镍箔，第一金属衬底和第二金属衬底可以用相同的材料，也可以用不同的材料。可选地，铜箔或镍箔采用退火铜箔或退火镍箔，退火铜箔或退火镍箔表面更为平整，有利于生成平整度高的石墨烯薄膜。
本公开的一些实施方式中，第一石墨烯薄膜层和/或第二石墨烯薄膜层为单层碳原子石墨烯或双层碳原子石墨烯，单层碳原子石墨烯相比双层碳原子石墨烯通常具有更好的质量。
本公开提供的石墨烯柔性复合层，可用于电磁屏蔽、抗静电，例如用于笔记本电脑或者手机中，避免电磁信号干扰；石墨烯柔性复合层具有优异的电性能和机械性能，可用于电机、变压器、变流器、电缆等设备中的导体材料；石墨烯柔性复合层中各层材料具有有益的导热性和机械性能，作为高效复合柔韧导热用于各类导热、散热产品中。
本公开的一些实施方式中还提供了制备石墨烯柔性复合层或石墨烯的方法，可选地，采用石墨烯卷对卷生长设备，石墨烯卷对卷生长设备通常具有进料舱、收料舱和位于进料舱和收料舱之间的生长室，生长室内有石墨烯生长区，该区域温度可升高至石墨烯的生长温度。将第一金属衬底-非金属衬底-第二金属衬底柔性复合层(简称“复合层衬底”)置于进料舱内的从动辊上，牵引复合层衬底至收料舱内卷绕在主动辊(收卷辊)上；将生长室抽真空至1Pa以下，然后通入惰性气体到生长室中；将石墨烯生长区的温度升至石墨烯的生长温度；进入恒温阶段，再通入碳源气体到生长室中；开启主动辊带动复合层衬底运行，经过石墨烯生长区的复合层衬底上沉积石墨烯。待石墨烯生长完成得到石墨烯柔性复合层。
在一些实施方式中，非金属衬底为石墨纸，石墨纸表面光滑，柔韧性好，与金属衬底贴合可保持金属衬底表面平整性，从而提供石墨烯生长的完好平面；另外，石墨纸在卷绕过程中基本不会出现掉渣，不会污染生长室或影响石墨烯生长。
本公开的一些实施方式中，通入碳源气体时，可以通入氢气，可还原金属衬底表面氧化物，使得金属衬底更洁净；辅助碳源气体裂解；刻蚀掉生长过程中的非SP2杂化结构，使得制得的石墨烯质量更好。
本公开的一些实施方式中，上述碳源气体为含有1～7个碳原子的烷烃、烯烃或炔烃，碳源优选常温常压下呈气态的烷烃、烯烃或炔烃。具体地例子有甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、乙烯、丙烯或者乙炔，优选甲烷。
本公开的一些实施方式中，上述惰性气体不局限于氦气、氖气、氩气或者它们的任意混合气体，优选氩气。
本公开的一些实施方式中，通入石墨烯生长室的碳源气体、氢气和惰性气体的流量比例为碳源气体：氢气：惰性气体＝2～4：0～2：0～5，例如4：1：5，4：2：5，3：1：5，2：2：5，4：1：0或4：0：5。
本公开的一些实施方式中，所述石墨烯生长室内气压为20～200Pa，例如20Pa，30Pa，50Pa，65Pa，80Pa，95Pa，120Pa，150Pa，180Pa或200Pa。
本公开的一些实施方式中，通入石墨烯生长室的碳源气体的流量为10～80sccm，例如10sccm、15sccm、20sccm、30sccm、40sccm、45sccm、50sccm、60sccm、70sccm或80sccm；通入氢气的流量为0～80sccm，例如不通入，或流量为5sccm、7.5sccm、10sccm、20sccm、30sccm、40sccm、50sccm、60sccm、70sccm或80sccm；通入惰性气体的流量为0～200sccm，例如不通入，或流量为15sccm、20sccm、30sccm、40sccm、50sccm、60sccm、70sccm、80sccm、90sccm、100sccm、110sccm、120sccm、130sccm、140sccm、150sccm、160sccm、170sccm、180sccm、190sccm或200sccm。
本公开的一些实施方式中，石墨烯生长区的温度设置为850～1020℃，例如850℃、870℃、900℃、920℃、940℃、960℃、980℃、1000℃或1020℃。
本公开的一些实施方式中，当石墨烯生长区设有等离子体发生器时，开启等离子体发生器，可将石墨烯生长温度降低至400～600℃。此时可将石墨烯生长区的温度设置为400～600℃，例如400℃、450℃、500℃、550℃或600℃。
本公开还提供了复合层衬底的制备，采用卷绕支架制作复合层衬底，如图2所示，卷绕支架一端的三辊支架设有三个主动辊，依次为上主动辊、中主动辊和下主动辊，卷绕支架另一端的单辊支架设有一个主动辊，将第一金属衬底和第二金属衬底分别放在上主动辊和下主动辊上，非金属衬底放在中主动辊上，依次牵引下主动辊、中主动辊和上主动辊上的衬底到单辊支架上的主动辊上，启动单辊支架上的主动辊转动并使得第一金属衬底、非金属衬底和第二金属衬底贴合并卷绕成卷，得到复合层衬底。
本公开的一些实施方式中还提供了石墨烯柔性复合层或石墨烯的制备方法，可选地，采用石墨烯卷对卷连续生长设备，包括以下步骤：
将两层金属衬底与一层石墨纸复合形成的金属衬底-石墨纸-金属衬底复合层衬底，装入进料舱的从动辊，并牵引到收料舱的主动辊上，关闭舱门；
开启真空机组，将石墨烯生长室内气压抽至1Pa以下，再通入惰性气体和氢气，并开启加热炉，升温至目标温度(没有等离子体发生器时，设置在850-1020℃，开启等离子体发生器时，设置在400～600℃)；
进入恒温阶段，通入碳源气体，开启旋转电机，收料舱中的主动辊开始旋转，金属衬底-石墨纸-金属衬底复合层衬底从进料舱经过生长室，此阶段石墨烯生长于金属衬底-石墨纸-金属衬底复合层的金属衬底与石墨纸的非贴合面，金属衬底-石墨纸-金属衬底复合层继续运行至主动辊卷绕收集；
当整卷金属衬底-石墨纸-金属衬底复合层生长石墨烯完成后，关闭电机，停止通入碳源气体和氢气，关闭加热炉，石墨烯生长室冷却至室温，停止通入惰性气体，关闭真空机组，打开出料舱门，将生长完成的石墨烯柔性复合层卷卸下。
本公开的一些实施方式中还提供了将石墨烯柔性复合层卷中的石墨烯-金属衬底和石墨纸分离的方法：将石墨烯柔性复合层卷放在卷绕支架的单辊支架上的主动辊上，分离上下两层石墨烯/金属衬底和石墨纸(用镊子等工具可容易地分离金属衬底和石墨纸的贴合面)，并分别牵引到三辊支架的主动辊上，开启上主动辊、中主动辊和下主动辊转动，在上主动辊和下主动辊卷绕得到石墨烯/金属衬底卷，中主动辊卷绕得到石墨纸卷，石墨纸卷可重复利用。
下面通过具体实施例对本公开的实施方式做进一步说明。
实施例1
采用图2中的卷绕支架，纯度99.99％、厚度25μm的两铜箔卷分别置于左边的上主动辊和下主动辊上，将纯度99.99％、厚度50μm的石墨纸放在中主动辊上，并牵引到右边的主动辊上，启动右边的主动辊，形成铜箔-石墨纸-铜箔复合层衬底卷。
将铜箔-石墨纸-铜箔复合层衬底卷装入卷对卷连续生长设备的进料舱的从动辊上，牵引复合层衬底通过石墨烯生长室(石英管)，与收料舱的收卷轴相连，关闭舱门。开启真空机组，将石墨烯生长室内气压抽至1Pa以下，再通入氩气和氢气，并开启加热炉，升温至960℃。进入恒温阶段，通入甲烷，设置通入气体流量为甲烷流量在60sccm，氢气流量在20sccm，氩气流量在150sccm，生长室气体压强为64.1Pa，开启旋转电机，设置复合层衬底运行速度为1.25cm/min，收料舱中的主动辊开始旋转，复合层衬底从进料舱经过生长室，石墨烯在复合层衬底的两个外表面生长。当整卷复合层衬底生长完成后，关闭电机，停止通入甲烷和氢气，关闭加热炉，待生长室温度冷却至室温，停止通入氩气。关闭真空机组，打开出料舱门，将生长完成的石墨烯柔性复合层卷卸下，得到石墨烯柔性复合层。石墨烯柔性复合层依次包括石墨烯薄膜层、铜箔、石墨纸、铜箔和石墨烯薄膜层。经检测，石墨烯柔性复合层两面的石墨烯薄膜层均为单层碳原子石墨烯。
实施例2
采用图2中的卷绕支架，纯度99.99％、厚度25μm的镍箔卷和纯度99.99％、厚度25μm的铜箔卷分别置于左边的上主动辊和下主动辊上，将纯度99.99％、厚度50μm的石墨纸放在中主动辊上，并牵引到右边的主动辊上，启动右边的主动辊，形成镍箔-石墨纸-铜箔复合层卷。镍箔-石墨纸-铜箔复合层如图3所示，依次包括镍箔5、石墨纸4和铜箔6。
将镍箔-石墨纸-铜箔复合层衬底卷装入卷对卷连续生长设备的进料舱的从动辊上，牵引复合层衬底通过石墨烯生长室(石英管)，与收料舱的收卷轴相连，关闭舱门。开启真空机组，将石墨烯生长室内气压抽至1Pa以下，再通入氢气，并开启加热炉和等离子体发生器，等离子体发生器功率设置100W，升温至600℃。进入恒温阶段，通入甲烷，设置通入气体流量为甲烷流量在45sccm，氢气流量在15sccm，生长室气体压强为33.4Pa，开启旋转电机，设置复合层衬底运行速度为5cm/min，收料舱中的主动辊开始旋转，复合层衬底从进料舱经过生长室，石墨烯在复合层衬底的两个外表面生长。当整卷复合层衬底生长完成后，关闭电机，停止通入甲烷和氢气，关闭加热炉，待生长室温度冷却至室温，停止通入氩气。关闭真空机组，打开出料舱门，将生长完成的的石墨烯柔性复合层卷卸下，得到石墨烯柔性复合层。石墨烯柔性复合层依次包括第一石墨烯薄膜层7、镍箔5、石墨纸4、铜箔6和第二石墨烯薄膜层8，如图4所示。

Claims (10)

1.一种石墨烯柔性复合层，其特征在于，所述石墨烯柔性复合层依次包括第一石墨烯薄膜层、第一金属衬底、非金属衬底、第二金属衬底和第二石墨烯薄膜层。
2.根据权利要求1所述的石墨烯柔性复合层，其中，所述非金属衬底的厚度为30～200μm；
优选地，所述非金属衬底为石墨纸，更优选地，所述石墨纸的含碳量为99.90wt.％以上。
3.根据权利要求1或2所述的石墨烯柔性复合层，其中，所述第一金属衬底和/或第二金属衬底的厚度为5～105μm，优选地，所述第一金属衬底和/或第二金属衬底的厚度为20～30μm；
更优选地，所述第一金属衬底和第二金属衬底为相同或不同的过渡金属衬底，更优选地，所述过渡金属选自镍、钴、铁、铂、金、铬、铜、锰、钼、钌、钽、钛、钨中的一种或任意两种或两种以上组成的合金；更优选地，所述过渡金属选自铜或镍或其合金。
4.根据权利要求1-3任一项的石墨烯柔性复合层，其中，所述第一石墨烯薄膜层和/或第二石墨烯薄膜层为单层碳原子石墨烯或双层碳原子石墨烯，优选地，所述第一石墨烯薄膜层和第二石墨烯薄膜层为单层碳原子石墨烯。
5.一种权利要求1-4任一项所述的石墨烯柔性复合层的制备方法或一种石墨烯的制备方法，包括以下步骤：
步骤一：将第一金属衬底-非金属衬底-第二金属衬底柔性复合层置于卷对卷连续生长设备的从动辊和主动辊上，和，
步骤二：在第一金属衬底-非金属衬底-第二金属衬底柔性复合层上卷对卷连续生长石墨烯，得到石墨烯柔性复合层或生长在石墨烯柔性复合层的石墨烯。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其中，所述步骤二包括：
向石墨烯生长室通入惰性气体，并根据需要通入氢气；
将石墨烯生长区的温度设置为400～1020℃；和，
向石墨烯生长室通入碳源气体。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其中，所述惰性气体选自氦气、氖气、氩气或者它们的任意混合气体；
优选地，所述碳源气体为含有1～7个碳原子的烷烃、烯烃或炔烃，更优选地，所述碳源气体为甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、乙烯、丙烯或乙炔，更优选地，所述碳源气体为甲烷；更优选地，通入石墨烯生长室的碳源气体、氢气和惰性气体的流量比例为碳源气体：氢气：惰性气体＝2～4：0～2：0～5，优选4：1：5，4：2：5、3：1：5，2：2：5、4：1：0或4：0：5；
优选地，所述石墨烯生长室内气压为20～200Pa，例如20Pa、30Pa、50Pa、65Pa、80Pa、95Pa，120Pa、150Pa、180Pa或200Pa；
优选地，所述石墨烯生长室的碳源气体的流量为10～80sccm，例如10sccm、15sccm、20sccm、30sccm、40sccm、45sccm、50sccm、60sccm、70sccm或80sccm；通入氢气的流量为0～80sccm，例如不通入，或流量为5sccm、7.5sccm、10sccm、20sccm、30sccm、40sccm、50sccm、60sccm、70sccm或80sccm；通入惰性气体的流量为0～200sccm，例如不通入，或流量为15sccm、20sccm、30sccm、40sccm、50sccm、60sccm、70sccm、80sccm、90sccm、100sccm、110sccm、120sccm、130sccm、140sccm、150sccm、160sccm、170sccm、180sccm、190sccm或200sccm。
8.根据权利要求6或7所述的制备方法，其中，所述步骤二包括：
开启等离子体发生器，将石墨烯生长室的温度设置为400～600℃，例如400℃，450℃，500℃，550℃或600℃；或者，不开启等离子体发生器，将石墨烯生长室的温度设置为850～1020℃，例如850℃、870℃、900℃、920℃、940℃、960℃、980℃、1000℃或1020℃。
9.权利要求5～8任一项所述的制备方法制得的石墨烯柔性复合层。
10.权利要求1-4任一项或权利要求9所述的石墨烯柔性复合层在电磁屏蔽、抗静电、导电、导热产品中的应用。
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