CN111063472B - 新型石墨烯增强铝导线及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种新型石墨烯增强铝导线,为铝层和石墨烯层叠加形成的双层结构沿顺时针或逆时针经卷绕形成的柱状实心结构,在所述柱状实心结构的径向上,所述铝层和所述石墨烯层交替设置且相邻的所述铝层和所述石墨烯层之间贴合设置。本发明还公开了一种新型石墨烯增强铝导线的制备方法,包括:提供所述铝层和所述石墨烯层叠加并卷绕形成的所述柱状结构;以及沿所述柱状结构的径向对所述柱状结构进行挤压,相邻的所述铝层和所述石墨烯层之间贴合设置,形成所述柱状实心结构。
Description
技术领域
本发明涉及导线技术领域,特别是涉及一种新型石墨烯增强铝导线及其制备方法。
背景技术
第二次工业革命之后,电的发明和应用对人们的生活产生了巨大的影响,电力应用分为两个重要部分,其一为发电,其二为电力输送。在电力输送过程中,电线及电缆对于电力传输效率起到了决定性的作用。对于电线和电缆主要性能要求为力学性能和电学性能,具体为抗拉强度和导电率,因为电缆架设过程中一般采用大跨度建设,以减少架设成本,如果电缆的强度不够,会在运行过程中受自身重力的影响而下垂,并最终断裂;而电缆的导电性较差时,会极大的影响电缆的传输效率且因电阻产生的热量也会严重影响电缆的寿命。
目前常用的电缆材料为铜芯及铝芯,铜的强度及导电性基本能够满足电缆的性能要求,但是大规模应用时,成本成为了铜芯电缆的短板;铝芯电缆相比于铜芯电缆,其强度的短板在各种制备工艺的组合下已经能够满足输电电缆的要求,但是其导电性仍有不足。
发明内容
基于此,有必要提供一种兼具力学强度和导电性的新型石墨烯增强铝导线及其制备方法。
一种新型石墨烯增强铝导线,为铝层和石墨烯层叠加形成的双层结构沿顺时针或逆时针经卷绕形成的柱状实心结构,在所述柱状实心结构的径向上,所述铝层和所述石墨烯层交替设置且相邻的所述铝层和所述石墨烯层之间贴合设置。
在其中一个实施例中,单层的所述铝层与单层的所述石墨烯层的厚度比为(3×103~104):1。
在其中一个实施例中,所述柱状实心结构的直径为15mm~25mm。
一种所述的新型石墨烯增强铝导线的制备方法,包括:
提供所述铝层和所述石墨烯层叠加并卷绕形成的所述柱状结构;以及
沿所述柱状结构的径向对所述柱状结构进行挤压,使相邻的所述铝层和所述石墨烯层之间贴合设置,形成所述柱状实心结构。
在其中一个实施例中,所述挤压的温度为350℃~550℃。
在其中一个实施例中,挤压后的所述柱状实心结构的直径与挤压前的所述柱状结构的直径的比值1:(1.1~3)。
在其中一个实施例中,提供所述柱状结构的步骤包括:
在卷对卷化学气相沉积装置的进气口段放置镍板;
将铝箔放入所述卷对卷化学气相沉积装置中,真空环境下,在等离子发生区域通入工作气体载入气态碳源,从而所述铝箔上沉积形成所述石墨烯层;
将生长完所述石墨烯层的双层结构沿顺时针或逆时针经卷绕形成所述柱状结构。
在其中一个实施例中,所述工作气体选自氢气、氩气、氦气和氮气中的一种或多种。
在其中一个实施例中,所述气态碳源选自甲烷、甲醇、乙醇、甲酸甲酯、乙炔的一种或多种。
在其中一个实施例中,所述工作气体的流速为80sccm~120sccm,所述气态碳源的流速为5sccm~30sccm。
在其中一个实施例中,采用卷对卷化学气相沉积工艺在所述铝箔上沉积形成所述石墨烯层的真空度小于5×10-3Pa,温度为550℃~500℃,等离子体功率为100W~300W,步行速度为1mm/s~30mm/s。
本发明通过将铝层和石墨烯层叠加先形成双层结构,然后将双层结构沿顺时针或逆时针经卷绕形成柱状实心结构的新型石墨烯增强铝导线,铝层、石墨烯层的双层结构经卷绕形成的柱状结构的铝层和石墨烯层交替设置且相邻的铝层和石墨烯层之间贴合设置,使石墨烯能够在螺旋形的导线结构中连续起来,利用石墨烯极高的载流子迁移速率来提高最终成型的新型石墨烯增强铝导线,且能够在一定程度上对导线的强度起到增强作用。
进一步,该新型石墨烯增强铝导线的制备方法简单,避免了粉末冶金或者熔融铸造法制备石墨烯铝复合材料过程中的石墨烯和铝的不均匀分散问题,适用于工业化制备兼具力学性能和导电性的石墨烯增强铝导线。
附图说明
图1为本发明一实施例的新型石墨烯增强铝导线制备中的卷绕过程结构示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明,下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是,本发明可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
请参阅图1,本发明实施例提供一种新型石墨烯增强铝导线,为铝层20和石墨烯层40叠加形成的双层结构沿顺时针或逆时针经卷绕形成的柱状实心结构,在所述柱状实心结构的径向上,所述铝层20和所述石墨烯层40交替设置且相邻的所述铝层20和所述石墨烯层40之间贴合设置。
本发明实施例通过将铝层20和石墨烯层40叠加先形成双层结构,然后将双层结构沿顺时针或逆时针经卷绕形成柱状实心结构的新型石墨烯增强铝导线,铝层20、石墨烯层40的双层结构经卷绕形成的柱状结构的铝层20和石墨烯层40交替设置且相邻的铝层20和石墨烯层40之间贴合设置,使石墨烯能够在螺旋形的导线结构中连续起来,利用石墨烯极高的载流子迁移速率来提高最终成型的新型石墨烯增强铝导线,且能够在一定程度上对导线的强度起到增强作用。
在一实施例中,单层的所述铝层20与单层的所述石墨烯层40的厚度比可以为(3×103~104):1。铝层20与石墨烯层40在该厚度比范围内能够导线在强度增强的同时,导电性也得到提高,并且导线的重量适合作为常规电缆使用。在一实施例中,单层铝层20的厚度可为5μm~15μm。
在一实施例中,所述柱状实心结构的直径可以为15mm~25mm。进一步,柱状实心结构的直径可以为15mm~20mm或10mm~25mm。
本发明实施例还提供一种上述任一实施例的新型石墨烯增强铝导线的制备方法,包括:
S100,提供所述铝层20和所述石墨烯层40叠加并卷绕形成的所述柱状结构;以及
S200,沿所述柱状结构的径向对所述柱状结构进行挤压,使相邻的所述铝层20和所述石墨烯层40之间贴合设置,形成所述柱状实心结构。
本发明实施例的新型石墨烯增强铝导线的制备方法简单,避免了粉末冶金或者熔融铸造法制备石墨烯铝复合材料过程中的石墨烯和铝的不均匀分散问题,适用于工业化制备兼具力学性能和导电性的石墨烯增强铝导线。
步骤S100中,所述柱状结构的制备方法可以为先将铝层20和石墨烯层40整体叠加形成双层结构,然后将双层结构进行卷绕得到柱形结构。或者可以为在进行叠加的同时进行卷绕,也就是在一端进行叠加后立即将已叠加的部分卷绕,边叠加边卷绕,从而能够避免石墨烯
在一实施例中,提供所述柱状结构的步骤可以包括:
S120,在卷对卷化学气相沉积装置的进气口段放置镍板;
S140,将铝箔放入所述卷对卷化学气相沉积装置中,真空环境下,在等离子发生区域通入工作气体载入气态碳源,从而所述铝箔上沉积形成所述石墨烯层40;以及
S150,将生长完所述石墨烯层40的双层结构沿顺时针或逆时针经卷绕形成所述柱状结构。
本实施例中,镍板作为催化剂,促进石墨烯在铝箔表面的生长。镍在石墨烯催化生长的过程中的原理为作为碳的沉降析出的载体和催化剂,相比于铜的表面催化,能够更好的在铝箔表面生成石墨烯。由于镍的溶碳量较高,较多的碳原子能够沉降进镍板里,随着溶碳量的增加,达到溶碳极限后,碳原子会逐渐析出,并在析出的过程中被镍催化为石墨烯片层,同时在气流的作用下,飘到铝箔表面成为石墨烯形核点,有助于铝箔表面生长出质量更好的石墨烯层40。
镍板尺寸没有具体要求,只要能放进卷对卷化学气相沉积装置内即可。
在一实施例中,所述工作气体可选自氢气、氩气、氦气和氮气中的一种或多种。
在一实施例中,所述气态碳源可选自甲烷、甲醇、乙醇、甲酸甲酯、乙炔的一种或多种。
在一实施例中,所述工作气体的流速可以为80sccm~120sccm。进一步的,该流速可以为80sccm~90sccm、90sccm~100sccm、100sccm~110sccm或110sccm~120sccm。
在一实施例中,所述气态碳源的流速可以为5sccm~30sccm。进一步的,该流速可以为5sccm~10sccm、10sccm~20sccm或20sccm~30sccm。
在一实施例中,采用卷对卷化学气相沉积工艺在所述铝箔上沉积形成所述石墨烯层40的真空度可小于5×10-3Pa,避免石墨烯或铝箔的氧化。在一实施例中,铝箔上沉积形成石墨烯层40的温度可为550℃~500℃,等离子体功率可为100W~300W,步行速度可为1mm/s~30mm/s。
在步骤S200中,通过在径向进行挤压,使得可能存在间隙的柱状结构形成实心,从而增强整体导线的结构紧凑型,进而增强导线的导电性和机械性能。在一实施例中,该挤压的方式可以为热等静压或热挤压中的任一种。在一实施例中,挤压的温度可以为350℃~550℃。进一步,该挤压的温度可以为350℃~400℃、400℃~450℃或450℃~500℃。
在一实施例中,挤压后的所述柱状实心结构的直径与挤压前的所述柱状结构的直径的比值1:(1.1~3)。进一步,该直径比可以为1:(1.1~1.5)、1:(1.5~2)或1:(2~3)。
实施例1
在卷对卷化学气相沉积装置进气口的一段放置一块20mm×20mm×2mm的镍板,作为远端催化的催化体,将厚度为8μm的铝箔放入卷对卷化学气相沉积装置中,对该装置内进行抽真空处理,使真空度低于5×10-3Pa,同时升温至550℃,通入20sccm CH4和100sccm H2,启动等离子体发射器,等离子功率为150W,步进速度为5mm/s,形成铝层20石墨烯层40叠加的双层结构。
将生长完石墨烯的双层结构以螺旋式进行卷绕,使其致密,得到柱形结构,卷绕后柱形结构直径为20mm。
将卷绕完成的柱形结构进行热挤压,挤压温度为500℃,挤压比为2:1,获得实心的石墨烯增强铝导线。
实施例2
在卷对卷化学气相沉积装置进气口的一段放置一块10mm×10mm×10mm的镍板,作为远端催化的催化体,将厚度为15μm的铝箔放入卷对卷化学气相沉积装置中,对该装置内进行抽真空处理,使真空度低于5×10-3Pa,同时升温至500℃,通入20sccm乙醇、40sccm Ar和80sccm H2,启动等离子体发射器,等离子功率为100W,步进速度为30mm/s,形成铝层20石墨烯层40叠加的双层结构。
将生长完石墨烯的双层结构以螺旋式进行卷绕,使其致密,得到柱形结构,卷绕后柱形结构直径为30mm。
将卷绕完成的柱形结构进行热等静压,温度为350℃,挤压比为1.5:1,获得实心的石墨烯增强铝导线。
对比例1
对比例1与实施例1基本相同,区别仅在于不通入CH4,用等流量的H2代替,最后不形成石墨烯层40。
对比例2
对比例2与实施例1基本相同,区别仅在于将铝箔厚度改为20μm。
对比例3
对比例3与实施例1基本相同,区别仅在于将步进速度改为50mm/s。
将实施例1-2及对比例1-3获得的最终电缆裁成400mm长,分别进行导电性和拉伸性能测试,测试结果如表1所示。
表1
组别 | 抗拉强度/MPa | 导电性/IACS% |
实施例1 | 352 | 55 |
实施例2 | 338 | 53 |
对比例1 | 155 | 55 |
对比例2 | 259 | 52 |
对比例3 | 190 | 50 |
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (7)
1.一种新型石墨烯增强铝导线的制备方法,包括:
在卷对卷化学气相沉积装置的进气口段放置镍板;
将铝箔放入所述卷对卷化学气相沉积装置中,真空环境下,在等离子发生区域通入工作气体载入气态碳源,从而在所述铝箔上沉积形成石墨烯层,真空度小于5×10-3Pa,温度为550℃~600℃,等离子体功率为100W~300W,步进速度为1mm/s~30mm/s;
将生长完所述石墨烯层的双层结构沿顺时针或逆时针经卷绕形成铝层和石墨烯层叠加并卷绕形成的柱状结构;以及
沿所述柱状结构的径向对所述柱状结构进行挤压,使相邻的所述铝层和所述石墨烯层之间贴合设置,形成柱状实心结构,单层铝层的厚度为5μm~15μm,单层的所述铝层与单层的所述石墨烯层的厚度比为(3×103~104):1。
2.根据权利要求1所述的新型石墨烯增强铝导线的制备方法,其特征在于,所述挤压的温度为350℃~550℃。
3.根据权利要求2所述的新型石墨烯增强铝导线的制备方法,其特征在于,挤压后的所述柱状实心结构的直径与挤压前的所述柱状结构的直径的比值1:(1.1~3)。
4.根据权利要求1所述的新型石墨烯增强铝导线的制备方法,其特征在于,所述工作气体选自氢气、氩气、氦气和氮气中的一种或多种。
5.根据权利要求4所述的新型石墨烯增强铝导线的制备方法,其特征在于,所述气态碳源选自甲烷、甲醇、乙醇、甲酸甲酯、乙炔的一种或多种。
6.根据权利要求4所述的新型石墨烯增强铝导线的制备方法,其特征在于,所述工作气体的流速为80sccm~120sccm,所述气态碳源的流速为5sccm~30sccm。
7.如权利要求1~6任一项所述的制备方法制备得到的新型石墨烯增强铝导线,其特征在于,所述柱状实心结构的直径为15mm~25mm。
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