CN111865257A - 一种声波谐振器及其制备方法 - Google Patents
一种声波谐振器及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111865257A CN111865257A CN202010627339.XA CN202010627339A CN111865257A CN 111865257 A CN111865257 A CN 111865257A CN 202010627339 A CN202010627339 A CN 202010627339A CN 111865257 A CN111865257 A CN 111865257A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- single crystal
- acoustic
- thin film
- film layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 88
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 26
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 230
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 63
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 14
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 12
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 9
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 235000019687 Lamb Nutrition 0.000 claims description 8
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 8
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 8
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 4
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 4
- UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N potassium;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [K+].[O-][Nb](=O)=O UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical group O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 12
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 4
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 Polydimethylsiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
本申请涉及一种声波谐振器及其制备方法，制备方法包括：获取支撑衬底；在支撑衬底上通过离子束剥离和键合法形成单晶薄膜层；在单晶薄膜层上外延形成高声速层；在高声速层上形成压电层；在压电层上形成图案化电极；其中，高声速层中传播的体波声速大于压电层中传播的目标弹性波声速。本申请通过在压电层下设置高声速层，可以有效提高器件的工作频率和品质因子；且利用离子束剥离和键合技术可重复转移价格昂贵或无法直接在衬底上外延得到的单晶薄膜层，如此，可以降低制备成本；同时利用外延技术在单晶薄膜层上沉积高声速层，得到约束声波能量的最佳厚度的高声速层，如此，可以提高声波谐振器的带宽和品质因子。
Description
技术领域
本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种声波谐振器及其制备方法。
背景技术
声波谐振器被广泛用于通信领域，其可作为声波滤波器的电子部件。高 性能的声波谐振器可以提升声波滤波器的品质，并拓宽其应用领域。
高速通信时代要求声波滤波器的工作频段越来越高，与此同时需要不俗的 带宽以及品质因子(Q值)表现。然而，目前声波滤波器中声表面波(Surface Acoustic Wave，SAW)滤波器的普遍工作频率低于2GHz。这是因为声波谐 振器的压电材料的本征目标弹性波声速不高；且特征尺寸的减小虽然有效 地提高了工作频率，但同时也增加了工艺难度，还带来了不可忽略的电学损 耗等问题，导致滤波器的带宽以及品质因子的表现大幅下降。
发明内容
本申请实施例提供了一种声波谐振器及其制备方法，可以解决声表面 波滤波器工作频率低的问题，且工艺简单，制造成本低，有利于大规模生产 及使用。
一方面，本申请实施例提供了一种声波谐振器的制备方法，包括：获取 支撑衬底；在支撑衬底上通过离子束剥离和键合法形成单晶薄膜层；在单晶 薄膜层上外延形成高声速层；在高声速层上形成压电层；在压电层上形成图 案化电极；其中，高声速层中传播的体波声速大于压电层中传播的目标弹性 波声速。
可选地，在高声速层上形成压电层，包括：通过离子束剥离与键合法在 高声速层上形成压电层；或；在高声速层上外延形成压电层。
可选地，高声速层的材料包括金刚石、类金刚石、碳化硅、蓝宝石、石 英、氮化镓、氧化镓、砷化镓、氧化锌、氮化铝和硅中的任一种。
可选地，单晶薄膜层的材料与高声速层的材料相同。
可选地，在支撑衬底上通过离子束剥离和键合法形成单晶薄膜层，包括： 获取单晶材料；对单晶材料进行氢离子注入或氦离子注入或氢、氦共注，得 到离子注入后的单晶材料；将离子注入后的单晶材料与支撑衬底进行亲水 性键合或热键合或表面活化键合或间接键合，得到键合后的单晶材料；对键 合后的单晶材料进行剥离，得到单晶薄膜层。
可选地，在单晶薄膜层上外延形成高声速层，包括：在单晶薄膜层上采 用化学气相沉积、物理气相沉积、分子束外延、原子层沉积、脉冲激光沉积、 溅射和电子束蒸发中的任一种形成高声速层。
可选地，压电层的材料包括铌酸锂、铌酸钾、钽酸锂、氮化铝、石英和 氧化锌中的任一种。
可选地，支撑衬底的材料包括硅、锗、石英、蓝宝石、铌酸锂、钽酸锂、 氮化镓、氧化镓和砷化镓中的至少一种。
可选地，对离子注入后的单晶材料进行剥离，得到单晶薄膜层之后，将 支撑衬底上与单晶薄膜层进行亲水性键合或热键合或表面活化键合或间接 键合之前，包括：在支撑衬底上形成键合介质层。
另一方面，本申请实施例提供了一种声波谐振器，包括：支撑衬底；位 于支撑衬底上的单晶薄膜层；单晶薄膜层是在支撑衬底上通过离子束剥离 和键合法形成的；位于单晶薄膜层上的高声速层；高声速层是在单晶薄膜层 上表面通过外延形成的；位于高声速层上的压电层；位于压电层上的图案化 电极；其中，高声速层中传播的体波声速大于压电层中传播的目标弹性波声 速。
可选地，目标弹性波包括对称型兰姆波、反对称型兰姆波、剪切横波或 瑞利波中的至少一种。
可选地，图案化电极的材料包括铝、钨、铬、钛、铜、银和金中至少一 种金属材料；图案化电极的厚度小于压电层的厚度。
可选地，还包括：位于图案化电极上的覆膜层。
可选地，还包括：位于高声速层与压电层之间的底电极。
可选地，支撑衬底为氧化铝；单晶薄膜层为第一单晶碳化硅层；高声速 层为第二单晶碳化硅层；压电层为通过离子束剥离与建合法形成的单晶铌 酸锂压电层。
可选地，支撑衬底为硅；单晶薄膜层为第一单晶碳化硅层；高声速层为 第二单晶碳化硅层；压电层为通过外延形成的单晶氮化铝薄膜。
本申请实施例提供的一种声波谐振器及其制备方法具有如下有益效果：
通过获取支撑衬底；在支撑衬底上通过离子束剥离和键合法形成单晶 薄膜层；在单晶薄膜层上外延形成高声速层；在高声速层上形成压电层；在 压电层上形成图案化电极；其中，高声速层中传播的体波声速大于压电层中 传播的目标弹性波声速。本申请通过在压电层下设置高声速层，可以有效提 高压电层中的目标弹性波的声速，从而提高器件的工作频率；且利用离子束 剥离和键合技术可重复转移价格昂贵的单晶薄膜层，如此，可以降低制备成 本；同时利用外延技术在单晶薄膜层上沉积所需厚度的高声速层，可弥补离子束剥离和键合技术只能切割厚度有限的单晶薄膜层的缺点，得到约束声 波能量的最佳厚度的高声速层，如此，可以极大地提高界面间声波的能量反 射，从而可以提高声波谐振器的带宽和品质因子。本申请实施例提供的声波 谐振器的制备方法，成本低、性能高，且工艺简单，有利于大规模生产和使 用。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述 中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是 本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动 的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的一种声波谐振器的制备方法的流程示意图；
图2是本申请实施例提供的一种声波谐振器的制备过程的示意图；
图3是本申请实施例提供的一种通过离子束剥离和键合法形成单晶薄 膜层的过程示意图；
图4是本申请实施例提供的另一种LN-SiC-Al2O3结构下LN层内激发 的S0弹性波的导纳曲线图以及振动能量图；
图5是本申请实施例提供的另一种LN-SiC-Al2O3结构下LN层内激发 的S0弹性波的导纳曲线图以及振动能量图；
图6是本申请实施例提供的一种现有技术中LN-SiO2-Si结构下LN层 内激发的S0弹性波的导纳曲线图以及振动能量图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进 行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例， 而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有 做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的 范围。
需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第 一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先 后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的 本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此 外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的 包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或服务器 不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或 对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
为了解决目前SAW滤波器工作频率低的问题，现有技术中，通过在压 电层下设置高声速层，可以提高压电层中目标弹性波声速，从而提高滤波器 工作频率。然而，基于目前的制备方法得到的声波谐振器仍然存在如下问题：
1、采用单晶高声速材料作支撑衬底，在其上形成压电层进行谐振器生 产。由于声波主要在压电层中传播，其下的高声速层利用率低，且单晶高声 速材料造价普遍较高，因此，以单晶高声速材料作支撑衬底的声波谐振器成 本高，不利于大规模生产及使用，且采用新型高声速单晶材料作为衬底，可 能与目前大规模成熟的CMOS产线冲突，这意味着需要建设新产线或者开 发摸索新工艺。
2、在普通支撑衬底上采用外延沉积得到的高声速材料层取向杂乱，对 于提高压电层中传播的目标弹性波声速及性能的提升不明显；且外延沉积 需要考虑到支撑衬底与高声速材料的晶格失配等问题，找到合适的沉积衬 底也是一大难题。
鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请实施例提供了一种声波谐振器 的制备方法。请参阅图1和图2，图1是本申请实施例提供的一种声波谐振 器的制备方法的流程示意图，图2是本申请实施例提供的一种声波谐振器 的制备过程的示意图，包括：
S101：获取支撑衬底210。
S103：在支撑衬底210上通过离子束剥离和键合法形成单晶薄膜层211。
S105：在单晶薄膜层211上外延形成高声速层212。
S107：在高声速层212上形成压电层213。
S109：在压电层213上形成图案化电极214。
可选的，基于步骤S101-S109的制备方法或图2所示的制备过程得到 的声波谐振器，可以参考图2中(e)所示的结构。
可选的，图案化电极214可以是叉指电极(Interdigital Transducers，IDT)。
本申请实施例中，通过在压电层213下设置高声速层212，高声速层 212中传播的体波声速大于压电层213中传播的目标弹性波声速，如此，可 以有效激发压电层213中的高声速模式，且在一定程度上提高压电层213 中的目标弹性波的声速，从而提高器件的工作频率；且利用离子束剥离和键 合技术可重复转移价格昂贵的单晶薄膜层211，如此，可以降低制备成本； 同时利用外延技术在单晶薄膜层211上沉积所需厚度的高声速层212，可弥补离子束剥离和键合技术只能切割厚度有限的单晶薄膜层211的缺点，得 到约束声波能量的最佳厚度的高声速层212，如此，可以极大地提高界面间 声波的能量反射，从而可以提高声波谐振器的带宽和品质因子。本申请实施 例提供的声波谐振器的制备方法，成本低、性能高，且工艺简单，有利于大 规模生产和使用。
一种可选的实施方式中，支撑衬底210的材料包括硅、锗、石英、蓝宝 石、铌酸锂、钽酸锂、氮化镓、氧化镓、砷化镓中的至少一种。
一种可选的在支撑衬底210上通过离子束剥离和键合法形成单晶薄膜 层211的实施方式中，包括：获取单晶材料；对单晶材料进行氢离子注入或 氦离子注入或氢、氦共注，得到离子注入后的单晶材料；将离子注入后的单 晶材料与支撑衬底210进行亲水性键合或热键合或表面活化键合或间接键 合，得到键合后的单晶材料；对键合后的单晶材料进行剥离，得到单晶薄膜 层211。
具体的，如图3所示，图3是本申请实施例提供的一种通过离子束剥 离和键合法形成单晶薄膜层的过程示意图，如图3(a)所示，对获取的晶 材料进行氢离子注入或氦离子注入或氢、氦共注；如图3(b)所示，将离 子注入后的单晶材料与支撑衬底210进行键合；如图3(c)所示，对单晶 材料进行剥离，得到单晶薄膜层211。剥离完剩余的单晶体材料可以进行抛 光，实现重复利用。
一种可选的实施方式中，得到单晶薄膜层211后，还包括进行化学机械 抛光、离子束轰击或湿法腐蚀对单晶薄膜层211表面损伤层进行去除以及 平滑表面的操作，以对表面粗糙度进行优化。
一种可选的实施方式中，对离子注入后的单晶材料进行剥离，得到单晶 薄膜层211之后，将支撑衬底210上与单晶薄膜层211进行亲水性键合或 热键合或表面活化键合或间接键合之前，包括：在支撑衬底210上形成键 合介质层。
具体的，键合介质层的材料可以包括SiO2、Al2O3、Si或苯并环丁烯 (BCB)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚酰亚胺(PI)等高聚物。
一种可选的实施方式中，单晶薄膜层211的材料与高声速层212的材 料相同。
一种可选的实施方式中，高声速层212的材料包括金刚石、类金刚石、 碳化硅、蓝宝石、石英、氮化镓、氧化镓、砷化镓、氧化锌、氮化铝和硅中 的任一种。
一种可选的在单晶薄膜层211上外延形成高声速层212的实施方式中， 包括：在单晶薄膜层211上采用化学气相沉积、物理气相沉积、分子束外 延、原子层沉积、脉冲激光沉积、溅射和电子束蒸发中的任一种形成高声速 层212。
本申请实施例中，通过外延技术在单晶薄膜层211上沉积所需厚度的 高声速层212，得到约束声波能量的最佳厚度的高声速层，如此，可以极大 地提高界面间声波的能量反射，从而可以提高声波谐振器的带宽和品质因 子。
一种可选的在高声速层212上形成压电层213的实施方式中，包括： 通过离子束剥离与键合法在高声速层212上形成压电层213。其中，对键合 对的处理方法包括：热处理或湿法腐蚀。
另一种可选的在高声速层212上形成压电层213的实施方式中，包括： 在高声速层212上外延形成压电层213。
一种可选的实施方式中，压电层213的材料包括铌酸锂、铌酸钾、钽酸 锂、氮化铝、石英和氧化锌中的任一种。
一种可选的实施方式中，在高声速层212上形成压电层213之前，还 包括：在高声速层212上沉积底电极的步骤。
下面通过一个具体的例子对基于本申请实施例提供的一种声波谐振器 的制备方法得到的声波谐振器的性能进行说明。通过上述步骤S101-S109和 图2所示的制备过程得到的声波谐振器，其支撑衬底210为蓝宝石，单晶 薄膜层211为碳化硅(SiC)材料，高声速层212也为SiC材料，压电层213 为铌酸锂LiNbO3(LN)，即LN-SiC-Al2O3结构。
以激发LN层中S0弹性波为例继续说明。对比现有技术常见声波谐振 器LN-SiO2-Si结构，图4至图6示出了本申请与现有技术两种结构下LN 层内激发的S0弹性波的导纳曲线图以及对应的振动能量图，振动能量图表 示器件能量局限和向下层泄露的情况。
如图4所示，图4(a)表示基于本申请实施例提供的声波谐振器的制 备方法，在SiC层的厚度为4微米的情况下，LN层内激发的S0弹性波的 导纳曲线图，图4(b)为对应的振动能量图。
如图5所示，图5(a)表示基于本申请实施例提供的声波谐振器的制 备方法，在SiC层的厚度为6微米的情况下，LN层内激发的S0弹性波的 导纳曲线图，图5(b)为对应的振动能量图。
如图6所示，图6(a)表示现有技术中LN-SiO2-Si结构的声波谐振器， 在SiO2层的厚度为4微米的情况下的导纳曲线图，图6(b)为对应的振动 能量图。
由图4至图5可知，压电层下的SiC层能够有效激发频率高达3.2GHz 的S0模式(如虚线框所示)，然而由图6可知，传统结构中的SiO2层无法 有效激发该高声速模式，且整个频率范围内的杂波很多。且由对应的振动能 量图可知，基于本申请实施例提供的制备方法得到的LN-SiC-Al2O3结构的 声波谐振器，相较于传统LN-SiO2-Si结构，能够更加有效的约束声波能量， 防止向下层泄露，从而可以提高声波谐振器的带宽和品质因子。
此外，对于不同厚度的SiC层来说，激发的S0 mode性能表现不同。 根据仿真结果可知，SiC厚度为1微米时，机电耦合系数仅为8％ (fp＝3160MHz，fs＝3030MHz)；SiC厚度为4微米与6微米时，机电耦合 系数均增加至22.8％(fp＝3495MHz，fs＝3210MHz)；且SiC厚度为4微米 时，fp与fs间有杂波出现(如图4中圆圈所示)。因此，采用外延得到较 厚的高声速层212，更加有利于制备高频高性能的声波谐振器。
本申请实施例中，压电层213激发的目标弹性波包括对称型兰姆波、 反对称型兰姆波、剪切横波或瑞利波中的至少一种。当高声速层212中传 播的体波声速小于压电层213激发的目标弹性波的本征声速时，可以通过 增加图案化电极214的厚度或提高图案化电极214的材料密度，或者，在 压电层213及图案化电极214上表面形成覆膜层，以降低目标弹性波在压 电层213中的传播速度，使高声速层212中传播的体波声速大于压电层213 中传播的目标弹性波声速。
一种可选的实施方式中，图案化电极214的材料包括铝、钨、铬、钛、 铜、银和金中至少一种金属材料；图案化电极的厚度小于压电层的厚度。
一种可选的实施方式中，图案化电极214可以是由上述多种金属材料 形成的多层电极结构。
具体的，图案化电极214的材料可以是铜，其密度为8500kg/m3；或金， 其密度为19320kg/m3；或银，其密度为10502kg/m3；此外，图案化电极214 的材料还可以是铝，其密度为2700kg/m3；或铂，其密度为21450kg/m3。
一种可选的实施方式中，覆膜层的材料可以包括SiOx、TiO2、Si3N4中 任一种。
本申请实施例还提供了一种声波谐振器，基于制备方法实施例中步骤 S101-S109的制备方法或图2所示的制备过程可以得到该声波谐振器，请结 合图2中(e)，声波谐振器包括：支撑衬底210；位于支撑衬底210上的 单晶薄膜层211；单晶薄膜层211是在支撑衬底上通过离子束剥离和键合法 形成的；位于单晶薄膜层211上的高声速层212；高声速层212是在单晶薄 膜层211上表面通过外延形成的；位于高声速层212上的压电层213；位于 压电层213上的图案化电极214；其中，高声速层212中传播的体波声速大 于压电层213中传播的目标弹性波声速。
本申请实施例中，利用离子束剥离和键合技术可重复转移价格昂贵的 单晶薄膜层211，利用外延技术在单晶薄膜层211上沉积所需厚度的高声速 层212，可弥补离子束剥离和键合技术只能切割厚度有限的单晶薄膜层211 的缺点，得到约束声波能量的最佳厚度的高声速层212，如此，可以极大地 提高界面间声波的能量反射，从而可以提高声波谐振器的带宽和品质因子。
一种可选的实施方式中，支撑衬底210的材料包括硅、锗、石英、蓝宝 石、铌酸锂、钽酸锂、氮化镓、氧化镓、砷化镓中的任一种或多种。
一种可选的实施方式中，单晶薄膜层211的材料与高声速层212的材 料相同。
一种可选的实施方式中，高声速层212的材料包括金刚石、类金刚石、 碳化硅、蓝宝石、石英、氮化镓、氧化镓、砷化镓、氧化锌、氮化铝和硅中 的任一种。
一种可选的实施方式中，还包括：位于高声速层212与压电层213之 间的底电极。
一种可选的实施方式中，压电层213的材料包括铌酸锂、铌酸钾、钽酸 锂、氮化铝、石英和氧化锌中的任一种。
一种可选的实施方式中，压电层213激发的目标弹性波包括对称型兰 姆波、反对称型兰姆波、剪切横波或瑞利波中的至少一种。
一种可选的实施方式中，图案化电极214的材料包括铝、钨、铬、钛、 铜、银和金中至少一种金属材料；图案化电极214的厚度小于压电层的厚 度。
一种可选的实施方式中，图案化电极214可以是由上述多种金属材料 形成的多层电极结构。
一种可选的实施方式中，还包括：位于图案化电极214上的覆膜层。
本申请实施例中的声波谐振器与声波谐振器的制备方法实施例基于同 样地申请构思。
需要说明的是：上述本申请实施例先后顺序仅仅为了描述，不代表实施 例的优劣。且上述对本说明书特定实施例进行了描述。其它实施例在所附权 利要求书的范围内。在一些情况下，在权利要求书中记载的动作或步骤可以 按照不同于实施例中的顺序来执行并且仍然可以实现期望的结果。另外，在 附图中描绘的过程不一定要求示出的特定顺序或者连续顺序才能实现期望 的结果。在某些实施方式中，多任务处理和并行处理也是可以的或者可能是 有利的。
以上所述仅为本申请的较佳实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请 的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申 请的保护范围之内。
Claims (16)
1.一种声波谐振器的制备方法，其特征在于，包括：
获取支撑衬底；
在所述支撑衬底上通过离子束剥离和键合法形成单晶薄膜层；
在所述单晶薄膜层上外延形成高声速层；
在所述高声速层上形成压电层；
在所述压电层上形成图案化电极；
其中，所述高声速层中传播的体波声速大于所述压电层中传播的目标弹性波声速。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述高声速层上形成压电层，包括：
通过离子束剥离与键合法在所述高声速层上形成所述压电层；
或；在所述高声速层上外延形成所述压电层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高声速层的材料包括金刚石、类金刚石、碳化硅、蓝宝石、石英、氮化镓、氧化镓、砷化镓、氧化锌、氮化铝和硅中的任一种。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述单晶薄膜层的材料与所述高声速层的材料相同。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述支撑衬底上通过离子束剥离和键合法形成单晶薄膜层，包括：
获取单晶材料；
对所述单晶材料进行氢离子注入或氦离子注入或氢、氦共注，得到离子注入后的单晶材料；
将所述离子注入后的单晶材料与所述支撑衬底进行亲水性键合或热键合或表面活化键合或间接键合，得到键合后的单晶材料；
对所述键合后的单晶材料进行剥离，得到所述单晶薄膜层。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述单晶薄膜层上外延形成高声速层，包括：
在所述单晶薄膜层上采用化学气相沉积、物理气相沉积、分子束外延、原子层沉积、脉冲激光沉积、溅射和电子束蒸发中的任一种形成所述高声速层。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述压电层的材料包括铌酸锂、铌酸钾、钽酸锂、氮化铝、石英和氧化锌中的任一种。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述支撑衬底的材料包括硅、锗、石英、蓝宝石、铌酸锂、钽酸锂、氮化镓、氧化镓和砷化镓中的至少一种。
9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述对所述离子注入后的单晶材料进行剥离，得到单晶薄膜层之后，所述将所述支撑衬底上与所述单晶薄膜层进行亲水性键合或热键合或表面活化键合或间接键合之前，包括：
在所述支撑衬底上形成键合介质层。
10.一种声波谐振器，其特征在于，包括：
支撑衬底；
位于所述支撑衬底上的单晶薄膜层；所述单晶薄膜层是在所述支撑衬底上通过离子束剥离和键合法形成的；
位于所述单晶薄膜层上的高声速层；所述高声速层是在所述单晶薄膜层上表面通过外延形成的；
位于所述高声速层上的压电层；
位于所述压电层上的图案化电极；
其中，所述高声速层中传播的体波声速大于所述压电层中传播的目标弹性波声速。
11.根据权利要求10所述的声波谐振器，其特征在于，所述目标弹性波包括对称型兰姆波、反对称型兰姆波、剪切横波或瑞利波中的至少一种。
12.根据权利要求10所述的声波谐振器，其特征在于，所述图案化电极的材料包括铝、钨、铬、钛、铜、银和金中至少一种金属材料；
所述图案化电极的厚度小于所述压电层的厚度。
13.根据权利要求10所述的声波谐振器，其特征在于，还包括：
位于所述图案化电极上的覆膜层。
14.根据权利要求10所述的声波谐振器，其特征在于，还包括：
位于所述高声速层与所述压电层之间的底电极。
15.根据权利要求书10所述的声波谐振器，其特征在于，
所述支撑衬底为氧化铝；
所述单晶薄膜层为第一单晶碳化硅层；
所述高声速层为第二单晶碳化硅层；
所述压电层为通过离子束剥离与建合法形成的单晶铌酸锂压电层。
16.根据权利要求书10所述的声波谐振器，其特征在于，
所述支撑衬底为硅；
所述单晶薄膜层为第一单晶碳化硅层；
所述高声速层为第二单晶碳化硅层；
所述压电层为通过外延形成的单晶氮化铝薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010627339.XA CN111865257B (zh) | 2020-07-02 | 2020-07-02 | 一种声波谐振器及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010627339.XA CN111865257B (zh) | 2020-07-02 | 2020-07-02 | 一种声波谐振器及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111865257A true CN111865257A (zh) | 2020-10-30 |
| CN111865257B CN111865257B (zh) | 2021-10-19 |
Family
ID=72989085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010627339.XA Active CN111865257B (zh) | 2020-07-02 | 2020-07-02 | 一种声波谐振器及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111865257B (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113300683A (zh) * | 2021-05-25 | 2021-08-24 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种声表面波谐振器及其制备方法 |
| CN113708739A (zh) * | 2021-08-27 | 2021-11-26 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种声波滤波器 |
| CN113904645A (zh) * | 2021-10-26 | 2022-01-07 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种氮化铝/碳化硅复合声波谐振器的制备方法及谐振器 |
| CN114070227A (zh) * | 2021-10-26 | 2022-02-18 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种氮化铝声波谐振器的制备方法及谐振器 |
| CN114362710A (zh) * | 2021-12-03 | 2022-04-15 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种声波谐振器 |
| CN114362705A (zh) * | 2021-12-03 | 2022-04-15 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种声波谐振器及其制备方法 |
| WO2023087211A1 (zh) * | 2021-11-18 | 2023-05-25 | 华为技术有限公司 | 一种saw谐振器及saw滤波器 |
Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040074437A1 (en) * | 2002-10-16 | 2004-04-22 | Fang Yean Kuen | Method of growing single crystal Gallium Nitride on silicon substrate |
| CN1588631A (zh) * | 2004-07-28 | 2005-03-02 | 中国科学院物理研究所 | 在(La,Sr)(Al,Ta)O3上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法 |
| CN1606233A (zh) * | 2004-09-20 | 2005-04-13 | 南京大学 | 多层异质结构组成的体声波器件及其制备方法 |
| CN101273472A (zh) * | 2005-09-27 | 2008-09-24 | 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 | 用于生长ⅲ-ⅴ发光器件的复合主体-晶种衬底 |
| CN106160691A (zh) * | 2016-07-05 | 2016-11-23 | 电子科技大学 | 一种基于Si基的高频SAW器件及其制备方法 |
| CN106209003A (zh) * | 2016-07-06 | 2016-12-07 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 利用薄膜转移技术制备薄膜体声波器件的方法 |
| CN108493326A (zh) * | 2018-04-09 | 2018-09-04 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 基于单晶压电薄膜的声波谐振器及其制备方法 |
| CN109309483A (zh) * | 2018-10-10 | 2019-02-05 | 华南理工大学 | 一种支撑型薄膜体声波谐振器的制备方法 |
| CN109671618A (zh) * | 2018-11-13 | 2019-04-23 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种高平坦度异质集成薄膜结构的制备方法 |
| CN110138356A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-08-16 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种高频声表面波谐振器及其制备方法 |
| CN110137341A (zh) * | 2018-02-02 | 2019-08-16 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 单晶压电薄膜异质衬底的制备方法 |
| CN110600436A (zh) * | 2019-09-05 | 2019-12-20 | 方天琦 | 多层复合基板结构及其制备方法 |
| CN111130485A (zh) * | 2019-07-25 | 2020-05-08 | 珠海晶讯聚震科技有限公司 | 用于将电子组件封装在具有有机背端部的封装件的方法 |
-
2020
- 2020-07-02 CN CN202010627339.XA patent/CN111865257B/zh active Active
Patent Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040074437A1 (en) * | 2002-10-16 | 2004-04-22 | Fang Yean Kuen | Method of growing single crystal Gallium Nitride on silicon substrate |
| CN1588631A (zh) * | 2004-07-28 | 2005-03-02 | 中国科学院物理研究所 | 在(La,Sr)(Al,Ta)O3上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法 |
| CN1606233A (zh) * | 2004-09-20 | 2005-04-13 | 南京大学 | 多层异质结构组成的体声波器件及其制备方法 |
| CN101273472A (zh) * | 2005-09-27 | 2008-09-24 | 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 | 用于生长ⅲ-ⅴ发光器件的复合主体-晶种衬底 |
| CN106160691A (zh) * | 2016-07-05 | 2016-11-23 | 电子科技大学 | 一种基于Si基的高频SAW器件及其制备方法 |
| CN106209003A (zh) * | 2016-07-06 | 2016-12-07 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 利用薄膜转移技术制备薄膜体声波器件的方法 |
| CN110137341A (zh) * | 2018-02-02 | 2019-08-16 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 单晶压电薄膜异质衬底的制备方法 |
| CN108493326A (zh) * | 2018-04-09 | 2018-09-04 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 基于单晶压电薄膜的声波谐振器及其制备方法 |
| CN109309483A (zh) * | 2018-10-10 | 2019-02-05 | 华南理工大学 | 一种支撑型薄膜体声波谐振器的制备方法 |
| CN109671618A (zh) * | 2018-11-13 | 2019-04-23 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种高平坦度异质集成薄膜结构的制备方法 |
| CN110138356A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-08-16 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种高频声表面波谐振器及其制备方法 |
| CN111130485A (zh) * | 2019-07-25 | 2020-05-08 | 珠海晶讯聚震科技有限公司 | 用于将电子组件封装在具有有机背端部的封装件的方法 |
| CN110600436A (zh) * | 2019-09-05 | 2019-12-20 | 方天琦 | 多层复合基板结构及其制备方法 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113300683A (zh) * | 2021-05-25 | 2021-08-24 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种声表面波谐振器及其制备方法 |
| CN113300683B (zh) * | 2021-05-25 | 2023-03-10 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种声表面波谐振器及其制备方法 |
| CN113708739A (zh) * | 2021-08-27 | 2021-11-26 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种声波滤波器 |
| CN113904645A (zh) * | 2021-10-26 | 2022-01-07 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种氮化铝/碳化硅复合声波谐振器的制备方法及谐振器 |
| CN114070227A (zh) * | 2021-10-26 | 2022-02-18 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种氮化铝声波谐振器的制备方法及谐振器 |
| WO2023087211A1 (zh) * | 2021-11-18 | 2023-05-25 | 华为技术有限公司 | 一种saw谐振器及saw滤波器 |
| CN114362710A (zh) * | 2021-12-03 | 2022-04-15 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种声波谐振器 |
| CN114362705A (zh) * | 2021-12-03 | 2022-04-15 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种声波谐振器及其制备方法 |
| CN114362710B (zh) * | 2021-12-03 | 2024-03-29 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种声波谐振器 |
| CN114362705B (zh) * | 2021-12-03 | 2024-04-02 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种声波谐振器及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111865257B (zh) | 2021-10-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN111865257B (zh) | 一种声波谐振器及其制备方法 | |
| JP5879652B2 (ja) | 弾性波デバイスを製造するための方法 | |
| JP5000820B2 (ja) | 音響共振器及びその製造方法 | |
| US9209779B2 (en) | Heterogenous acoustic structure formed from a homogeneous material | |
| CN109417124B (zh) | 用于表面声波器件的混合结构 | |
| WO2014035530A2 (en) | Microelectronic structures with suspended lithium-based thin films | |
| JP6847957B2 (ja) | 温度補償表面音響波デバイスまたはバルク音響波デバイス用の基板 | |
| JP2003017967A (ja) | 弾性表面波素子及びその製造方法 | |
| JP2007228356A (ja) | 圧電薄膜デバイス | |
| CN105978520B (zh) | 一种多层结构的saw器件及其制备方法 | |
| JP7057288B2 (ja) | 表面弾性波デバイス用のハイブリッド構造 | |
| CN113300683B (zh) | 一种声表面波谐振器及其制备方法 | |
| Reinhardt et al. | Acoustic filters based on thin single crystal LiNbO 3 films: status and prospects | |
| US11871671B2 (en) | Assembly of piezoelectric material substrate and supporting substrate, and method for manufacturing same | |
| Park et al. | Wafer-level heterointegration process of SAW devices and LSI | |
| CN116054773A (zh) | 体声波谐振器及其制备方法 | |
| Acosta et al. | Suppression of Transverse Spurious Modes on 30° YX-Cut Lithium Niobate-On-Insulator SH 0 Resonators Through Electrode Rhomboidal Apodization | |
| JP2006109129A (ja) | 圧電薄膜素子の製造方法 | |
| CN116155232A (zh) | 兰姆波谐振器及其制作方法 | |
| JP2007228321A (ja) | 圧電薄膜デバイス |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |