CN111863094A - 一种控制擦除性能的方法以及装置 - Google Patents

一种控制擦除性能的方法以及装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111863094A
CN111863094A CN201910357584.0A CN201910357584A CN111863094A CN 111863094 A CN111863094 A CN 111863094A CN 201910357584 A CN201910357584 A CN 201910357584A CN 111863094 A CN111863094 A CN 111863094A
Authority
CN
China
Prior art keywords
erasing
state machine
operation state
erase
flash memory
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910357584.0A
Other languages
English (en)
Inventor
刘言言
许梦
付永庆
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
GigaDevice Semiconductor Beijing Inc
Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd
Hefei Geyi Integrated Circuit Co Ltd
Original Assignee
Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd
Hefei Geyi Integrated Circuit Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd, Hefei Geyi Integrated Circuit Co Ltd filed Critical Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd
Priority to CN201910357584.0A priority Critical patent/CN111863094A/zh
Publication of CN111863094A publication Critical patent/CN111863094A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10Programming or data input circuits
    • G11C16/14Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)

Abstract

本发明提供了一种控制擦除性能的方法以及装置。所述方法应用于NOR flash存储器,所述NOR flash存储器包括:温度传感器、时钟频率发生器、擦除操作状态机以及擦除存储单元,所述擦除操作状态机包括:计数器,所述方法包括:通过擦除操作状态机接收擦除操作指令,根据擦除操作指令执行擦除验证操作和擦除加压操作,擦除加压操作包括:接收温度传感器发送的NOR flash存储器的工作温度,根据工作温度调整单次擦除加压操作的时间,根据调整后的时间完成擦除加压操作。本发明在执行擦除加压操作时,根据NOR flash存储器的工作温度,调整单次擦除加压操作的时间,完成擦除加压操作,控制擦除验证操作和擦除加压操作的循环周期,提高NOR flash存储器的擦除性能。

Description

一种控制擦除性能的方法以及装置
技术领域
本发明涉及存储领域,尤其涉及一种控制擦除性能的方法以及装置。
背景技术
目前NOR flash存储器采用隧穿的方式实现擦除操作,研究结果表明,随着温度的降低,电子活跃度也会随着降低,导致擦除时电子难以从浮栅层通过隧道氧化层隧穿到衬底,从而造成擦除时间增长。
参照图1,示出了现有NOR flash存储器擦除原理示意图,在执行擦除操作时,为了使电子从浮栅层隧穿到衬底,需要给栅端(G)加一个负压,衬底加正压,漏端(D)和源端(S)悬空,研究表明,擦除加压的时间越长,对NOR flash存储器中待擦除存储单元的擦除效果越好,擦除操作的成功率越大。
目前擦除操作过程中,时钟频率发生器(CLK发生器)的频率和擦除操作状态机中控制擦除加压时间的计数器的最大值,在出厂时是确定好的,然而,随着温度降低,电子活跃度下降,单次擦除加压操作的时间固定,擦除成功的概率下降,使得擦除操作所执行的擦除验证操作和擦除加压操作的循环周期也会增大,完成整个擦除所需要的时间就会越长,甚至最终无法完成擦除任务。
发明内容
本发明提供的一种控制擦除性能的方法以及装置,解决了温度降低,单次擦除加压操作的时间固定,完成整个擦除操作所需要擦除加压时间就会越长,甚至最终无法完成擦除任务的问题。
为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种控制擦除性能的方法,所述方法应用于NOR flash存储器,所述NOR flash存储器包括:温度传感器、擦除操作状态机、时钟频率发生器以及擦除存储单元,所述擦除操作状态机包括:计数器,所述温度传感器与所述时钟频率发生器连接,所述擦除操作状态机分别与所述时钟频率发生器和所述擦除存储单元连接,所述方法包括:
通过所述擦除操作状态机接收擦除操作指令,所述擦除操作指令包括:所需擦除存储单元的地址;
根据所述擦除操作指令,通过所述擦除操作状态机执行擦除加压操作,所述擦除加压操作为对所述擦除存储单元持续施加预设电压值的操作,所述持续施加预设电压值的时间为所述计数器的最大值与所述时钟频率发生器的周期的乘积;
其中,通过所述擦除操作状态机执行擦除加压操作,包括:
所述NOR flash存储器接收所述温度传感器发送的所述NOR flash存储器的工作温度;
所述NOR flash存储器调用所述NOR flash存储器的工作温度区间与所述时钟频率发生器的产生频率关系表,其中,工作温度越低的工作温度区间对应的时钟频率发生器的产生频率越慢;
所述NOR flash存储器根据所述工作温度与所述关系表,调整所述时钟频率发生器的产生频率;
根据所述调整后的所述时钟频率发生器的产生频率,通过所述擦除操作状态机调整所述时间;
根据调整后的时间,通过所述擦除操作状态机,完成所述擦除加压操作。
可选地,所述NOR flash存储器根据所述工作温度与所述关系表,调整所述时钟频率发生器的产生频率,包括:
所述NOR flash存储器根据所述工作温度,从所述NOR flash存储器的工作温度区间中确定所述工作温度所属的目标工作温度区间;
所述NOR flash存储器从所述关系表中查找对应于所述目标工作温度区间的目标频率值;
所述NOR flash存储器将所述时钟频率发生器的产生频率调整为所述目标频率值。
可选地,根据调整后的时间,通过所述擦除操作状态机,完成所述擦除加压操作,包括:
通过所述擦除操作状态机判断所述计数器的计数值是否达到其最大值;
若所述计数器未达到其最大值,通过所述擦除操作状态机在调整后的时间内持续执行本次所述擦除加压操作;
若所述计数器达到其最大值,通过所述擦除操作状态机结束本次所述擦除加压操作。
可选地,若所述计数器达到其最大值,通过所述擦除操作状态机结束本次所述擦除加压操作之后,所述方法还包括:
通过所述擦除操作状态机判断所述擦除加压操作的循环次数是否达到第一预设值;
若循环次数达到所述第一预设值,通过所述擦除操作状态机结束所述擦除操作指令对应的擦除操作;
若循环次数未达到所述第一预设值,通过所述擦除操作状态机执行下一次擦除验证操作,所述擦除验证操作为验证所需擦除存储单元的阈值电压是否小于第一预设电压,若小于第一预设电压则验证通过,若不小于第一预设电压则验证不通过;
若所述验证通过,通过所述擦除操作状态机结束所述擦除操作指令对应的擦除操作;
若所述验证不通过,通过所述擦除操作状态机执行下一次所述擦除加压操作。
可选地,在根据所述擦除操作指令,通过所述擦除操作状态机执行擦除加压操作之前,所述方法还包括:
通过所述擦除操作状态机验证所需擦除单元的阈值电压是否小于第一预设电压,若小于第一预设电压则所述擦除操作状态机结束所述擦除操作指令对应的擦除操作;
根据所述擦除操作指令,通过所述擦除操作状态机执行擦除加压操作,包括:
若不小于第一预设电压,根据所述擦除操作指令,通过所述擦除操作状态机执行擦除加压操作。
本发明实施例还提供了一种控制擦除性能的装置,所述装置应用于NOR flash存储器,所述NOR flash存储器包括:温度传感器、擦除操作状态机、时钟频率发生器以及擦除存储单元,所述擦除操作状态机包括:计数器,所述温度传感器与所述时钟频率发生器连接,所述擦除操作状态机分别与所述时钟频率发生器和所述擦除存储单元连接,所述装置包括:
第一接收模块,用于通过所述擦除操作状态机接收擦除操作指令,所述擦除操作指令包括:所需擦除存储单元的地址;
执行模块,用于根据所述擦除操作指令,通过所述擦除操作状态机执行擦除加压操作,所述擦除加压操作为对所述擦除存储单元持续施加预设电压值的操作,所述持续施加预设电压值的时间为所述计数器的最大值与所述时钟频率发生器的周期的乘积;
其中,执行模块包括:
第二接收模块,用于所述NOR flash存储器接收所述温度传感器发送的所述NORflash存储器的工作温度;
调用模块,用于所述NOR flash存储器调用所述NOR flash存储器的工作温度区间与所述时钟频率发生器的产生频率关系表,其中,工作温度越低的工作温度区间对应的时钟频率发生器的产生频率越慢;
调整模块,用于所述NOR flash存储器根据所述工作温度与所述关系表,调整所述时钟频率发生器的产生频率;
调整时间模块,用于根据所述调整后的所述时钟频率发生器的产生频率,通过所述擦除操作状态机调整所述时间;
完成模块,用于根据调整后的时间,通过所述擦除操作状态机完成所述擦除加压操作。
可选地,所述调整模块包括:
确定区间子模块,用于所述NOR flash存储器根据所述工作温度,从所述NORflash存储器的工作温度区间中确定所述工作温度所属的目标工作温度区间;
查找频率子模块,用于所述NOR flash存储器从所述关系表中查找对应于所述目标工作温度区间的目标频率值;
调整频率子模块,用于所述NOR flash存储器将所述时钟频率发生器的产生频率调整为所述目标频率值。
可选地,所述完成模块包括:
判断子模块,用于通过所述擦除操作状态机判断所述计数器的计数值是否达到其最大值;
继续执行子模块,用于若所述计数器未达到其最大值,通过所述擦除操作状态机在调整后的时间内持续执行本次所述擦除加压操作;
完成子模块,用于若所述计数器达到其最大值,通过所述擦除操作状态机结束本次所述擦除加压操作。
可选地,所述装置还包括:
判断结束执行子模块,用于通过所述擦除操作状态机判断所述擦除加压操作的循环次数是否达到第一预设值;
还用于若循环次数达到所述第一预设值,通过所述擦除操作状态机结束所述擦除操作指令对应的擦除操作;若循环次数未达到所述第一预设值,则所述擦除操作状态机执行下一次擦除验证操作,所述擦除验证操作为验证所需擦除存储单元的阈值电压是否小于第一预设电压,若小于第一预设电压则验证通过,若不小于第一预设电压则验证不通过;
结束子模块,用于若所述验证通过,通过所述擦除操作状态机结束所述擦除操作指令对应的擦除操作;
执行加压模块,用于若所述验证不通过,通过所述擦除操作状态机执行下一次所述擦除加压操作。
可选地,所述装置还包括:
验证结束模块,用于通过所述擦除操作状态机验证所需擦除单元的阈值电压是否小于第一预设电压,若小于第一预设电压则所述擦除操作状态机结束所述擦除操作指令对应的擦除操作。
与现有技术相比,本发明提供的一种控制擦除性能的方法和装置,在执行擦除加压操作时,擦除操作状态机根据温度传感器发送的NOR flash存储器的工作温度,确定对应的工作温度区间,查找到对应的时钟频率发生器的产生频率,调整单次擦除加压操作的时间,完成擦除加压操作,控制擦除验证操作和擦除加压操作的循环周期,提高NOR flash存储器的擦除性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有NOR flash存储器擦除原理示意图;
图2是本发明实施例的一种控制擦除性能方法的流程图;
图3是本发明实施例擦除操作状态机执行擦除加压操作的具体流程图;
图4是本发明实施例步骤102c的具体流程图;
图5是本发明实施例步骤102d的具体流程图;
图6是本发明实施例步骤102d的另一具体流程图;
图7是本发明实施例的设备示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
图2示出了本发明实施例的一种控制擦除性能方法的流程图。该方法应用于NORflash存储器,NOR flash存储器包括:温度传感器、擦除操作状态机、时钟频率发生器(CLK发生器)以及擦除存储单元,擦除操作状态机包括:计数器,温度传感器与时钟频率发生器连接,擦除操作状态机分别与时钟频率发生器和擦除存储单元连接,控制擦除性能的方法包括如下步骤:
步骤101:通过擦除操作状态机接收擦除操作指令,擦除操作指令包括:所需擦除存储单元的地址。
本发明实施例中,NOR flash存储器包括:温度传感器、擦除操作状态机、CLK发生器以及擦除存储单元,其中温度传感器的作用是:检测NOR flash存储器工作温度的传感器,其将工作温度发送给NOR flash存储器,擦除操作状态机为NOR flash存储器内控制擦除状态的元件,其包括:计数器。CLK发生器为NOR flash存储器中产生时间周期的发生器,计数器为擦除操作状态机中计数的元件,两者结合起来,可以控制擦除操作状态机的每次擦除加压操作的时间,擦除存储单元为NOR flash存储器中需要执行擦除操作的存储单元,因为NOR flash存储器的自身特性,其是以块为单位执行擦除操作,所以执行擦除操作的存储单元可能存储着数据,也可能没有存储任何数据,存储着数据的存储单元执行擦除操作,则其内存储的数据将会被擦除,成为没有存储数据的存储单元。
擦除操作状态机接收由上位机发送的擦除操作指令,擦除操作指令中包括有擦除存储单元的地址,即需要执行擦除操作的存储单元的地址,擦除操作是指从接收擦除操作指令起,到完成待擦除存储单元擦除操作的整个过程,即NOR flash存储器完成整个擦除操作的过程都是通过擦除操作状态机来实现的,而控制擦除加压操作的时间是通过CLK的频率和计数器的最大值来实现的,其中CLK的频率的改变是NOR flash存储器根据工作温度区间与时钟频率发生器的产生频率关系表,和具体工作温度来实现的。本发明实施例对以上所述不作详细限定,可以根据实际情况进行设置。
步骤102:根据擦除操作指令,通过擦除操作状态机执行擦除加压操作,擦除加压操作为对擦除存储单元持续施加预设电压值的操作,持续施加预设电压值的时间为计数器的最大值与时钟频率发生器的周期的乘积。
本发明实施例中,擦除操作状态机接收擦除操作指令后,根据擦除操作指令,执行擦除加压操作,所谓擦除加压操作是指:擦除操作状态机对擦除存储单元持续施加预设电压值的操作,持续施加预设电压值的时间即为本次擦除加压操作的时间,其大小为计数器的最大值与时钟频率发生器周期的乘积,假设计数器最大值为100,CLK发生器的频率为50赫兹,则CLK发生器的周期为0.02秒,那么单次擦除加压操作的时间就为0.02*100=2秒,计数器的最大值由擦除操作状态机设定,其计数规则由CLK发生器发出的脉冲信号决定,CLK发生器发出的脉冲信号每当上升沿出现时,计数器的计数加1,在100个上升沿后,计数器的计数清零,重新开始计数,预设电压值为NOR flash存储器在一般情况下,完成擦除操作所需对擦除存储单元施加的电压值,该值是结合大量仿真测试、实际测试和经验公式计算等方式综合得到。本发明实施例对此不作详细限定,可以根据实际情况进行设置。
可选地,步骤102之前,该方法还包括:
步骤1002:通过擦除操作状态机验证所需擦除单元的阈值电压是否小于第一预设电压,若小于第一预设电压则擦除操作状态机结束擦除操作指令对应的擦除操作。
本发明实施例中,擦除操作状态机在执行擦除加压操作之前,擦除操作状态机在接收擦除操作指令后,首先执行一个擦除验证操作,验证擦除存储单元的阈值电压是否小于第一预设电压,第一预设电压为擦除操作的验证电压,NOR flash存储器规定存储单元阈值电压小于验证电压的,擦除操作成功,大于等于验证电压的,擦除操作失败。之所以执行擦除验证操作,是因为可能存在所需擦除存储单元阈值电压已经小于验证电压的情况,若是已经小于验证电压,则认为擦除成功,擦除操作状态机结束本次擦除操作。在执行擦除加压操作之前,擦除操作状态机需要对所需擦除存储单元执行擦除验证操作,若是所需擦除存储单元阈值电压大于等于验证电压,则验证不通过,才会执行擦除加压操作。本发明实施例对此不作详细限定,可以根据实际情况进行设置。
可选地,参照图3,擦除操作状态机执行擦除加压操作具体包括以下步骤:
步骤102a:NOR flash存储器接收温度传感器发送的NOR flash存储器的工作温度。
本发明实施例中,温度传感器会实时地将检测到的NOR flash存储器的工作温度发送给NOR flash存储器,该温度是随时变化的,一般情况下,NOR flash存储器的工作温度取决于外界环境温度和工作状况,假设NOR flash存储器工作在外界环境温度极低的情况,即使执行编程、擦除或者读取等操作,虽然随着使用时间越长,温度可能就越高,但外界温度导致NOR flash存储器工作温度不会升到很高。例如外界环境温度-23℃,NOR flash存储器开始工作时工作温度可能为-22℃,在工作一段时间后,温度可能上升到-20℃,执行编程、擦除或者读取等操作后,温度可能会上升到-10℃,外界环境温度极低,导致NOR flash存储器温度上升不会很高,甚至远达不到一般情况下正常室温;另一种情况,若是外界环境温度较合适或者较高,假设室温23℃,NOR flash存储器开始工作时工作温度可能为28℃,在工作一段时间后,温度可能上升到40℃,执行编程、擦除或者读取等操作后,温度可能会上升到70℃以上,这个温度差异比较大。在执行擦除加压操作过程时,NOR flash存储器会接收到温度传感器发送的NOR flash存储器工作温度。本发明实施例对此不作详细限定,可以根据实际情况进行设置。
步骤102b:NOR flash存储器调用NOR flash存储器的工作温度区间与时钟频率发生器的产生频率关系表,其中,工作温度越低的工作温度区间对应的时钟频率发生器的产生频率越慢。
本发明实施例中,擦除操作状态机执行擦除加压操作时,NOR flash存储器会调用NOR flash存储器的工作温度区间与CLK发生器的产生频率的关系表,该表为NOR flash存储器工作温度区间与CLK发生器的产生频率的对应关系表,该对应关系表同样也是结合大量仿真测试、实际测试和经验公式计算等方式综合得到,工作温度越低的工作温度区间对应的CLK发生器的产生频率越慢,例如在工作温度90℃以上区间,CLK发生器的产生频率为50赫兹,在工作温度61℃~90℃区间,CLK发生器的产生频率40赫兹,在工作温度0℃~20℃区间,CLK发生器的产生频率20赫兹,在工作温度-10℃~0℃区间,CLK发生器的产生频率10赫兹,在工作温度-10℃以下区间,CLK发生器的产生频率5赫兹,需要说明的是,上述数据只是为了更好的解释本发明实施例而列举的数字,并不代表实际应用中的具体数字。
步骤102c:NOR flash存储器根据工作温度与关系表,调整时钟频率发生器的产生频率。
本发明实施例中,NOR flash存储器根据工作温度与关系表,来调整CLK发生器的产生频率,例如NOR flash存储器的当前工作温度为18℃,在工作温度0℃~20℃区间,则对应关系表中对应的CLK发生器的产生频率为20赫兹,NOR flash存储器调整CLK发生器的产生频率为20赫兹。本发明实施例对此不作详细限定,可以根据实际情况进行设置。
可选地,参照图4,步骤102c包括:
步骤102c1:NOR flash存储器根据工作温度,从NOR flash存储器的工作温度区间中确定工作温度所属的目标工作温度区间。
本发明实施例中,NOR flash存储器在执行擦除加压操作时,NOR flash存储器根据工作温度,从NOR flash存储器的工作温度区间中确定工作温度所属的目标工作温度区间,例如NOR flash存储器的当前工作温度为-8℃,则其所属的目标工作温度区间为工作温度-10℃~0℃区间,NOR flash存储器的当前工作温度为98℃,则其所属的目标工作温度区间为工作温度90℃以上区间。本发明实施例对此不作详细限定,可以根据实际情况进行设置。
步骤102c2:NOR flash存储器从关系表中查找对应于目标工作温度区间的目标频率值。
本发明实施例中,确定了目标工作温度区间后,NOR flash存储器从关系表中查找对应于目标工作温度区间的目标最大值,例如目标工作温度-10℃以下区间,对应的CLK发生器的产生频率为5赫兹,目标工作温度0℃~20℃区间,对应的CLK发生器的产生频率为20赫兹。本发明实施例对此不作详细限定,可以根据实际情况进行设置。
步骤102c3:NOR flash存储器将时钟频率发生器的产生频率调整为目标频率值。
本发明实施例中,确定了CLK发生器的产生频率后,NOR flash存储器会将本次擦除加压操作时CLK发生器的产生频率调整为目标频率值。本发明实施例对此不作详细限定,可以根据实际情况进行设置。
步骤102d:根据调整后的时钟频率发生器的产生频率,通过擦除操作状态机调整时间。
本发明实施例中,在NOR flash存储器调整时钟频率发生器的产生频率后,计数器的最大值不变,则擦除加压操作的时间就通过擦除操作状态机改变,即通过擦除操作状态机调整擦除加压操作的时间。
步骤102e:根据调整后的时间,通过擦除操作状态机完成擦除加压操作。
本发明实施例中,NOR flash存储器调整CLK发生器的产生频率后,单次擦除加压操作的时间就会改变,例如计数器的最大计数值为100,执行第一次擦除加压操作时,CLK发生器的产生频率为20赫兹,则CLK发生器的周期为0.05秒,那么第一次擦除加压操作的时间就为5秒;执行第二次擦除加压操作时,CLK发生器的产生频率为10赫兹,则CLK发生器的周期为0.1秒,那么第二次擦除加压操作的时间就为10秒,则擦除操作状态机根据调整后的时间,完成擦除加压操作,即第一次擦除加压操作持续加压的时间为5秒,第二次擦除加压操作持续加压的时间为10秒。
可选地,参照图5,步骤102e具体包括:
102e1:通过擦除操作状态机判断计数器的计数值是否达到其最大值。
本发明实施例中,在单次擦除加压操作时,擦除操作状态机需要判断计数器的当前计数值是否达到最大值,例如计数器最大值为100,针对本次擦除加压操作,擦除操作状态机需要判断本次加压操作过程中,计数器是否达到最大值100。本发明实施例对此不作详细限定,可以根据实际情况进行设置。
102e2:若计数器未达到其最大值,通过擦除操作状态机在调整后的时间内持续执行本次擦除加压操作。
本发明实施例中,若是擦除操作状态机判断本次计数器未达到最大值,假设最大值为100,而计数器此刻计数到80,则擦除操作状态机继续执行本次擦除加压操作,直到计数器计数到100为止。本发明实施例对此不作详细限定,可以根据实际情况进行设置。
102e3:若计数器达到其最大值,通过擦除操作状态机结束本次擦除加压操作。
本发明实施例中,在计数器计数达到最大值时,擦除操作状态机就会结束本次擦除加压操作,下一步将会执行下一次擦除验证操作。本发明实施例对此不作详细限定,可以根据实际情况进行设置。
可选地,参照图6,若计数器达到其最大值,通过擦除操作状态机结束本次擦除加压操作之后,步骤102e还包括:
102e4:通过擦除操作状态机判断擦除加压操作的循环次数是否达到第一预设值;
本发明实施例中,通过擦除操作状态机结束本次擦除加压操作之后,下一步需要执行擦除验证操作,在执行擦除验证操作之前,判断擦除加压操作的循环次数是否达到第一预设值。擦除操作状态机接收擦除操作指令后,首先执行擦除验证操作,若是擦除存储单元阈值电压不小于验证电压(即第一预设电压),验证不通过,则执行第一次擦除加压操作,第一次擦除加压操作结束时,即为第一次擦除循环,擦除循环是指:擦除操作状态机执行第一次擦除验证操作,若是验证不通过,则执行第一次擦除加压操作,该次擦除加压操作结束时,即为第一次擦除循环,其中完成上述两个步骤,执行第一次擦除验证操作,则擦除验证操作循环次数为1,执行第一次擦除加压操作,则擦除加压操作循环次数为1,在第一次擦除加压操作结束后,擦除操作状态机就执行第二次擦除验证操作,若是验证不通过,则执行第二次擦除加压操作,第二次擦除加压操作结束时,即为第二次擦除循环,执行第二次擦除验证操作,则擦除验证操作循环次数为2,执行第二次擦除加压操作,则擦除加压操作循环次数为2,在第二次擦除加压操作结束后,擦除操作状态机就执行第三次擦除验证操作,若是验证不通过,则执行第三次擦除加压操作,第三次擦除加压操作结束时,即为第三次擦除循环,执行第三次擦除验证操作,则擦除验证操作循环次数为3,执行第三次擦除加压操作,则擦除加压操作循环次数为3,依次类推,在每次执行擦除验证操作之前,擦除操作状态机需要判断擦除加压操作的循环次数是否达到第一预设值,第一预设值为人为设定的一个上限值,设定该值是为了使得NOR flash存储器更高效率的工作,假设一次擦除操作,因为各方面的原因,导致擦除存储单元阈值电压无法降低到验证电压以下,若是没有循环次数上限,那么擦除操作状态机需要无休止地执行擦除加压操作,则NOR flash存储器就会永远处于擦除操作状态,相当于死机,无法处理其他任何工作。本发明实施例对此不作详细限定,可以根据实际情况进行设置。
102e5:若循环次数达到第一预设值,通过擦除操作状态机结束擦除操作指令对应的擦除操作。
本发明实施例中,若是循环次数达到第一预设值,例如第一预设值为十万次,则执行擦除加压操作的循环次数最高为十万次,当达到该数值后,则擦除操作状态机不会再执行擦除验证操作和操作加压操作,假如第十万次循环过程中擦除验证操作通过,则本次擦除操作成功,本次擦除操作结束;假如第十万次循环过程中擦除验证操作未通过,擦除存储单元阈值电压没有降低到验证电压以下,则本次擦除操作也结束。
102e6:若循环次数未达到第一预设值,通过擦除操作状态机执行下一次擦除验证操作,擦除验证操作为验证所需擦除存储单元的阈值电压是否小于第一预设电压,若小于第一预设电压则验证通过,若不小于第一预设电压则验证不通过。
本发明实施例中,若是循环次数未达到第一预设值,并且擦除验证操作没有通过,假设并没有达到十万,则擦除操作状态机将执行下一次擦除验证操作,验证在擦除操作状态机结束本次擦除加压操作后,擦除存储单元阈值电压是否小于验证电压(即第一预设电压)。本发明实施例对此不作详细限定,可以根据实际情况进行设置。
102e7:若验证通过,通过擦除操作状态机结束擦除操作指令对应的擦除操作。
本发明实施例中,擦除操作状态机执行擦除验证操作,若是擦除存储单元阈值电压小于验证电压(即第一预设电压),则验证通过,擦除操作状态机结束擦除操作指令对应的擦除操作。本发明实施例对此不作详细限定,可以根据实际情况进行设置。
102e8:若验证不通过,通过擦除操作状态机执行下一次擦除加压操作。
本发明实施例中,若是擦除验证操作结果验证没有通过,则擦除操作状态机将执行下一次擦除加压操作。本发明实施例对此不作详细限定,可以根据实际情况进行设置。
参照图7,示出了本发明实施例的设备示意图,NOR flash存储器包括:温度传感器、擦除操作状态机、时钟频率发生器(CLK发生器)和擦除存储单元,擦除操作状态机包括:计数器,温度传感器与CLK发生器连接,擦除操作状态机分别与擦除存储单元和时钟频率发生器连接,擦除操作状态机接收上位机发送的擦除操作指令,该擦除操作指令中会包括有擦除存储单元的地址,即需要执行擦除操作的擦除存储单元,擦除操作状态机首先执行擦除验证操作,验证对应地址的擦除存储单元阈值电压是否小于验证电压,若小于,则本次擦除操作结束,本次擦除操作成功;若不小于,则擦除操作状态机将执行擦除加压操作。
假设以-2.5V电压执行本次擦除操作,计数器的最大值为100,NOR flash存储器的工作温度为-18℃,执行第一次擦除验证操作,但擦除验证操作未通过,则擦除操作状态机将执行第一次擦除加压操作,NOR flash存储器接收到温度传感器发送的NOR flash存储器工作温度为-18℃,调用关系表,确定工作温度-18℃在工作温度区间表中的所属为工作温度-10℃以下区间,其对应的CLK发生器的产生频率5赫兹,则NOR flash存储器调整第一次擦除加压操作CLK发生器的产生频率5赫兹,CLK发生器的产生频率5赫兹,则CLK发生器的周期为0.2秒,那么第一次擦除加压操作的时间就为20秒,即擦除操作状态机持续以-2.5V电压对擦除存储单元加压20秒,使得擦除存储单元阈值电压下降。此时擦除加压操作的循环次数为1,擦除验证操作的循环次数为1,之后将执行第二次擦除验证操作。
在执行第二次擦除验证操作之前,擦除操作状态机首先判断擦除加压操作的循环次数是否达到上限值,若未达到上限值,则执行第二次擦除验证操作。如果第二次擦除验证操作验证未通过,此时需要执行第二次擦除加压操作,NOR flash存储器接收到温度传感器发送的NOR flash存储器工作温度为-7℃,调用关系表,确定工作温度-7℃在工作温度区间表中的所属为工作温度-10℃~0℃区间,其对应的CLK发生器的产生频率10赫兹,则NORflash存储器调整第二次擦除加压操作CLK发生器的产生频率10赫兹(即从5赫兹调整到10赫兹),CLK发生器的频率为10赫兹,则CLK发生器的周期为0.1秒,那么第二次擦除加压操作的时间就为10秒,即擦除操作状态机持续以-2.5V电压对擦除存储单元加压10秒,使得擦除存储单元阈值电压下降。此时擦除加压操作的循环次数为2,擦除验证操作的循环次数为2,之后将执行第三次擦除验证操作。
在执行第三次擦除验证操作之前,擦除操作状态机首先判断擦除加压操作的循环次数是否达到上限值,若未达到上限值,则执行第三次擦除验证操作。如果第三次擦除验证操作验证未通过,此时需要执行第三次擦除加压操作,NOR flash存储器接收到温度传感器发送的NOR flash存储器工作温度为14℃,调用关系表,确定工作温度14℃在工作温度区间表中的所属为工作温度0℃~20℃区间,其对应的CLK发生器的产生频率20赫兹(即从10赫兹调整到20赫兹),则NOR flash存储器调整第三次擦除加压操作CLK发生器的产生频率20赫兹,CLK发生器的频率为20赫兹,则CLK发生器的周期为0.05秒,那么第三次擦除加压操作的时间就为5秒,即擦除操作状态机持续以-2.5V电压对擦除存储单元加压5秒,使得擦除存储单元阈值电压下降。此时擦除加压操作的循环次数为3,擦除验证操作的循环次数为3,之后执行第四次擦除验证操作。
在执行第四次擦除验证操作之前,擦除操作状态机首先判断擦除加压操作的循环次数是否达到上限值,若未达到上限值,则执行第四次擦除验证操作。如果第四次擦除验证操作,验证通过,即待擦除存储单元阈值电压小于验证电压,则本次擦除操作结束,并且擦除成功。
假如上述过程中,擦除加压操作的循环次数上限为4次,擦除操作状态机首先判断擦除加压操作的循环次数达到上限值,擦除操作状态机将结束本次擦除操作,而在第4次擦除验证操作后,若待擦除存储单元阈值电压小于验证电压,则本次擦除操作成功;若待擦除存储单元阈值电压不小于验证电压,则执行第4次擦除加压操作,执行第4次擦除加压操作后,结束本次擦除操作。
可选地,本发明实施例一种控制擦除性能装置的框图,该装置应用于NOR flash存储器,NOR flash存储器包括:温度传感器、擦除操作状态机、时钟频率发生器以及擦除存储单元,擦除操作状态机包括:计数器,温度传感器与时钟频率发生器连接,擦除操作状态机分别与时钟频率发生器和擦除存储单元连接,控制擦除性能的装置包括:
第一接收模块,用于通过擦除操作状态机接收擦除操作指令,擦除操作指令包括:所需擦除存储单元的地址;
执行模块,用于根据擦除操作指令,通过擦除操作状态机执行擦除加压操作,擦除加压操作为对擦除存储单元持续施加预设电压值的操作,持续施加预设电压值的时间为计数器的最大值与时钟频率发生器的周期的乘积;
其中,执行模块包括:
第二接收模块,用于NOR flash存储器接收温度传感器发送的NOR flash存储器的工作温度;
调用模块,用于NOR flash存储器调用NOR flash存储器的工作温度区间与时钟频率发生器的产生频率关系表,其中,工作温度越低的工作温度区间对应的时钟频率发生器的产生频率越慢;
调整模块,用于NOR flash存储器根据工作温度与关系表,调整时钟频率发生器的产生频率,以调整时间;
调整时间模块,用于根据调整后的时钟频率发生器的产生频率,通过擦除操作状态机调整时间;
完成模块,用于根据调整后的时间,通过擦除操作状态机完成擦除加压操作。
可选地,调整模块包括:
确定区间子模块,用于NOR flash存储器根据工作温度,从NOR flash存储器的工作温度区间中确定工作温度所属的目标工作温度区间;
查找频率子模块,用于NOR flash存储器从关系表中查找对应于目标工作温度区间的目标频率值;
调整频率子模块,用于NOR flash存储器将时钟频率发生器的产生频率调整为目标频率值。
可选地,完成模块包括:
判断子模块,用于通过擦除操作状态机判断计数器的计数值是否达到其最大值;
继续执行子模块,用于若计数器未达到其最大值,通过擦除操作状态机在调整后的时间内持续执行本次擦除加压操作;
完成子模块,用于若计数器达到其最大值,通过擦除操作状态机结束本次擦除加压操作。
可选地,控制擦除性能的装置还包括:
判断结束执行子模块,用于通过擦除操作状态机判断擦除加压操作的循环次数是否达到第一预设值;
还用于若循环次数达到第一预设值,通过擦除操作状态机结束擦除操作指令对应的擦除操作;若循环次数未达到第一预设值,则擦除操作状态机执行下一次擦除验证操作,擦除验证操作为验证所需擦除存储单元的阈值电压是否小于第一预设电压,若小于第一预设电压则验证通过,若不小于第一预设电压则验证不通过;
结束子模块,用于若验证通过,通过擦除操作状态机结束擦除操作指令对应的擦除操作;
执行加压模块,用于若验证不通过,通过擦除操作状态机执行下一次擦除加压操作。
可选地,控制擦除性能的装置还包括:
验证结束模块,用于通过擦除操作状态机验证所需擦除单元的阈值电压是否小于第一预设电压,若小于第一预设电压则擦除操作状态机结束擦除操作指令对应的擦除操作。
通过上述实施例,本发明在擦除操作时,首先执行擦除验证操作,判断待擦除存储单元阈值电压是否小于验证电压,若擦除存储单元阈值电压小于验证电压,则直接结束擦除操作;在不小于时,擦除操作状态机执行擦除加压操作,擦除操作状态机根据温度传感器发送的NOR flash存储器的工作温度,查找对应的工作温度区间,利用关系表,确定单次擦除加压操作时钟频率发生器的产生频率,根据时钟频率发生器的产生频率来确定擦除加压时间,在达到计数最大值结束擦除加压操作后,根据擦除加压操作的循环次数,决定是否执行下一次擦除验证操作,达到控制擦除验证操作和擦除加压操作的循环周期,提高NORflash存储器的擦除性能。
最后,还需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,本文中,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。
上面结合附图对本发明的实施例进行了描述,但是本发明并不局限于上述的具体实施方式,上述的具体实施方式仅仅是示意性的,而不是限制性的,本领域的普通技术人员在本发明的启示下,在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下,还可做出很多形式,这些均属于本发明的保护之内。

Claims (10)

1.一种控制擦除性能的方法,其特征在于,所述方法应用于NOR flash存储器,所述NORflash存储器包括:温度传感器、擦除操作状态机、时钟频率发生器以及擦除存储单元,所述擦除操作状态机包括:计数器,所述温度传感器与所述时钟频率发生器连接,所述擦除操作状态机分别与所述时钟频率发生器和所述擦除存储单元连接,所述方法包括:
通过所述擦除操作状态机接收擦除操作指令,所述擦除操作指令包括:所需擦除存储单元的地址;
根据所述擦除操作指令,通过所述擦除操作状态机执行擦除加压操作,所述擦除加压操作为对所述擦除存储单元持续施加预设电压值的操作,所述持续施加预设电压值的时间为所述计数器的最大值与所述时钟频率发生器的周期的乘积;
其中,通过所述擦除操作状态机执行擦除加压操作,包括:
所述NOR flash存储器接收所述温度传感器发送的所述NOR flash存储器的工作温度;
所述NOR flash存储器调用所述NOR flash存储器的工作温度区间与所述时钟频率发生器的产生频率关系表,其中,工作温度越低的工作温度区间对应的时钟频率发生器的产生频率越慢;
所述NOR flash存储器根据所述工作温度与所述关系表,调整所述时钟频率发生器的产生频率;
根据所述调整后的所述时钟频率发生器的产生频率,通过所述擦除操作状态机调整所述时间;
根据调整后的时间,通过所述擦除操作状态机,完成所述擦除加压操作。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述NOR flash存储器根据所述工作温度与所述关系表,调整所述时钟频率发生器的产生频率,包括:
所述NOR flash存储器根据所述工作温度,从所述NOR flash存储器的工作温度区间中确定所述工作温度所属的目标工作温度区间;
所述NOR flash存储器从所述关系表中查找对应于所述目标工作温度区间的目标频率值;
所述NOR flash存储器将所述时钟频率发生器的产生频率调整为所述目标频率值。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,根据调整后的时间,通过所述擦除操作状态机,完成所述擦除加压操作,包括:
通过所述擦除操作状态机判断所述计数器的计数值是否达到其最大值;
若所述计数器未达到其最大值,通过所述擦除操作状态机在调整后的时间内持续执行本次所述擦除加压操作;
若所述计数器达到其最大值,通过所述擦除操作状态机结束本次所述擦除加压操作。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,若所述计数器达到其最大值,通过所述擦除操作状态机结束本次所述擦除加压操作之后,所述方法还包括:
通过所述擦除操作状态机判断所述擦除加压操作的循环次数是否达到第一预设值;
若循环次数达到所述第一预设值,通过所述擦除操作状态机结束所述擦除操作指令对应的擦除操作;
若循环次数未达到所述第一预设值,通过所述擦除操作状态机执行下一次擦除验证操作,所述擦除验证操作为验证所需擦除存储单元的阈值电压是否小于第一预设电压,若小于第一预设电压则验证通过,若不小于第一预设电压则验证不通过;
若所述验证通过,通过所述擦除操作状态机结束所述擦除操作指令对应的擦除操作;
若所述验证不通过,通过所述擦除操作状态机执行下一次所述擦除加压操作。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在根据所述擦除操作指令,通过所述擦除操作状态机执行擦除加压操作之前,所述方法还包括:
通过所述擦除操作状态机验证所需擦除单元的阈值电压是否小于第一预设电压,若小于第一预设电压则所述擦除操作状态机结束所述擦除操作指令对应的擦除操作;
根据所述擦除操作指令,通过所述擦除操作状态机执行擦除加压操作,包括:
若不小于第一预设电压,根据所述擦除操作指令,通过所述擦除操作状态机执行擦除加压操作。
6.一种控制擦除性能的装置,其特征在于,所述装置应用于NOR flash存储器,所述NORflash存储器包括:温度传感器、擦除操作状态机、时钟频率发生器以及擦除存储单元,所述擦除操作状态机包括:计数器,所述温度传感器与所述时钟频率发生器连接,所述擦除操作状态机分别与所述时钟频率发生器和所述擦除存储单元连接,所述装置包括:
第一接收模块,用于通过所述擦除操作状态机接收擦除操作指令,所述擦除操作指令包括:所需擦除存储单元的地址;
执行模块,用于根据所述擦除操作指令,通过所述擦除操作状态机执行擦除加压操作,所述擦除加压操作为对所述擦除存储单元持续施加预设电压值的操作,所述持续施加预设电压值的时间为所述计数器的最大值与所述时钟频率发生器的周期的乘积;
其中,执行模块包括:
第二接收模块,用于所述NOR flash存储器接收所述温度传感器发送的所述NOR flash存储器的工作温度;
调用模块,用于所述NOR flash存储器调用所述NOR flash存储器的工作温度区间与所述时钟频率发生器的产生频率关系表,其中,工作温度越低的工作温度区间对应的时钟频率发生器的产生频率越慢;
调整模块,用于所述NOR flash存储器根据所述工作温度与所述关系表,调整所述时钟频率发生器的产生频率;
调整时间模块,用于根据所述调整后的所述时钟频率发生器的产生频率,通过所述擦除操作状态机调整所述时间;
完成模块,用于根据调整后的时间,通过所述擦除操作状态机完成所述擦除加压操作。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述调整模块包括:
确定区间子模块,用于所述NOR flash存储器根据所述工作温度,从所述NOR flash存储器的工作温度区间中确定所述工作温度所属的目标工作温度区间;
查找频率子模块,用于所述NOR flash存储器从所述关系表中查找对应于所述目标工作温度区间的目标频率值;
调整频率子模块,用于所述NOR flash存储器将所述时钟频率发生器的产生频率调整为所述目标频率值。
8.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述完成模块包括:
判断子模块,用于通过所述擦除操作状态机判断所述计数器的计数值是否达到其最大值;
继续执行子模块,用于若所述计数器未达到其最大值,通过所述擦除操作状态机在调整后的时间内持续执行本次所述擦除加压操作;
完成子模块,用于若所述计数器达到其最大值,通过所述擦除操作状态机结束本次所述擦除加压操作。
9.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:
判断结束执行子模块,用于通过所述擦除操作状态机判断所述擦除加压操作的循环次数是否达到第一预设值;
还用于若循环次数达到所述第一预设值,通过所述擦除操作状态机结束所述擦除操作指令对应的擦除操作;若循环次数未达到所述第一预设值,则所述擦除操作状态机执行下一次擦除验证操作,所述擦除验证操作为验证所需擦除存储单元的阈值电压是否小于第一预设电压,若小于第一预设电压则验证通过,若不小于第一预设电压则验证不通过;
结束子模块,用于若所述验证通过,通过所述擦除操作状态机结束所述擦除操作指令对应的擦除操作;
执行加压模块,用于若所述验证不通过,通过所述擦除操作状态机执行下一次所述擦除加压操作。
10.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:
验证结束模块,用于通过所述擦除操作状态机验证所需擦除单元的阈值电压是否小于第一预设电压,若小于第一预设电压则所述擦除操作状态机结束所述擦除操作指令对应的擦除操作。
CN201910357584.0A 2019-04-29 2019-04-29 一种控制擦除性能的方法以及装置 Pending CN111863094A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910357584.0A CN111863094A (zh) 2019-04-29 2019-04-29 一种控制擦除性能的方法以及装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910357584.0A CN111863094A (zh) 2019-04-29 2019-04-29 一种控制擦除性能的方法以及装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111863094A true CN111863094A (zh) 2020-10-30

Family

ID=72965418

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910357584.0A Pending CN111863094A (zh) 2019-04-29 2019-04-29 一种控制擦除性能的方法以及装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111863094A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117789798A (zh) * 2023-12-28 2024-03-29 湖南进芯电子科技有限公司 一种Flash状态转换时间可调的方法

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11283388A (ja) * 1998-12-17 1999-10-15 Hitachi Ltd 半導体不揮発性記憶装置およびその情報消去方法
US6092164A (en) * 1997-03-13 2000-07-18 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Microcomputer having division of timing signals to initialize flash memory
CN101154454A (zh) * 2006-09-29 2008-04-02 海力士半导体有限公司 闪速存储器件及其擦除方法
US20120033503A1 (en) * 2010-08-09 2012-02-09 Juhyung Kim Charge trap flash memory device and an erasing method thereof
CN103578544A (zh) * 2012-07-25 2014-02-12 飞思卡尔半导体公司 调整nvm单元编程/擦除操作的偏置条件以降低性能退化的方法和系统
CN103578558A (zh) * 2012-08-08 2014-02-12 爱思开海力士有限公司 半导体存储器件及其操作方法
CN104134459A (zh) * 2013-04-30 2014-11-05 飞思卡尔半导体公司 带有可变验证操作的非易失性存储器(nvm)
CN105957554A (zh) * 2016-05-10 2016-09-21 北京兆易创新科技股份有限公司 一种非易失性存储器的擦除方法及非易失性存储器
US9922714B1 (en) * 2017-04-10 2018-03-20 Sandisk Technologies Llc Temperature dependent erase in non-volatile storage
CN108109645A (zh) * 2016-11-24 2018-06-01 北京兆易创新科技股份有限公司 一种存储单元的读取方法及装置
CN108109659A (zh) * 2016-11-24 2018-06-01 北京兆易创新科技股份有限公司 一种存储单元的擦除方法及装置
CN108665942A (zh) * 2017-04-01 2018-10-16 北京兆易创新科技股份有限公司 一种nand闪存芯片的测试方法及设备

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6092164A (en) * 1997-03-13 2000-07-18 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Microcomputer having division of timing signals to initialize flash memory
JPH11283388A (ja) * 1998-12-17 1999-10-15 Hitachi Ltd 半導体不揮発性記憶装置およびその情報消去方法
CN101154454A (zh) * 2006-09-29 2008-04-02 海力士半导体有限公司 闪速存储器件及其擦除方法
US20120033503A1 (en) * 2010-08-09 2012-02-09 Juhyung Kim Charge trap flash memory device and an erasing method thereof
CN103578544A (zh) * 2012-07-25 2014-02-12 飞思卡尔半导体公司 调整nvm单元编程/擦除操作的偏置条件以降低性能退化的方法和系统
CN103578558A (zh) * 2012-08-08 2014-02-12 爱思开海力士有限公司 半导体存储器件及其操作方法
CN104134459A (zh) * 2013-04-30 2014-11-05 飞思卡尔半导体公司 带有可变验证操作的非易失性存储器(nvm)
CN105957554A (zh) * 2016-05-10 2016-09-21 北京兆易创新科技股份有限公司 一种非易失性存储器的擦除方法及非易失性存储器
CN108109645A (zh) * 2016-11-24 2018-06-01 北京兆易创新科技股份有限公司 一种存储单元的读取方法及装置
CN108109659A (zh) * 2016-11-24 2018-06-01 北京兆易创新科技股份有限公司 一种存储单元的擦除方法及装置
CN108665942A (zh) * 2017-04-01 2018-10-16 北京兆易创新科技股份有限公司 一种nand闪存芯片的测试方法及设备
US9922714B1 (en) * 2017-04-10 2018-03-20 Sandisk Technologies Llc Temperature dependent erase in non-volatile storage

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117789798A (zh) * 2023-12-28 2024-03-29 湖南进芯电子科技有限公司 一种Flash状态转换时间可调的方法
CN117789798B (zh) * 2023-12-28 2024-05-28 湖南进芯电子科技有限公司 一种Flash状态转换时间可调的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002025283A (ja) フラッシュメモリ素子の消去方法
CN109273039B (zh) 一种闪存器的擦除验证设备和方法
CN113488097A (zh) 一种用于存储器芯片的参考电流高效调整方法、装置及应用
KR20120006936A (ko) 비휘발성 메모리 블록의 소프트 프로그램
CN111863094A (zh) 一种控制擦除性能的方法以及装置
CN103811068A (zh) 非易失存储器的擦除方法及系统
JP2001176278A (ja) 不揮発性半導体メモリ装置及びそれの消去方法
CN105702292B (zh) 一种非易失存储器的数据恢复方法和装置
CN110568325A (zh) 可调速驱动设备的电压暂降耐受能力检测方法、装置
CN111863091B (zh) 一种控制擦除性能的方法和装置
CN111863092A (zh) 一种控制擦除性能的方法以及装置
CN111863082B (zh) 一种控制编程性能的方法和装置
CN111863086B (zh) 一种控制编程性能的方法和装置
CN111863085B (zh) 一种控制编程性能的方法和装置
CN109390016B (zh) Nor型闪存的擦除方法及装置
CN111863087B (zh) 一种控制编程性能的方法和装置
CN114584498A (zh) 网关设备上下电测试方法、装置、设备、系统及产品
CN111863090B (zh) 一种控制擦除性能的方法和装置
CN111951868B (zh) 一种控制擦除的方法和装置
CN106297892B (zh) 一种存储器参考单元的实现方法及系统
KR20070109684A (ko) 낸드 플래시 메모리 장치의 소거방법
KR100571266B1 (ko) 플래쉬 메모리 셀의 소거 방법
CN111785316A (zh) 一种克服擦除干扰的方法、系统、存储介质和终端
CN106847337B (zh) 一种存储单元的编程方法和装置
TWI541811B (zh) 快閃記憶體裝置及快閃記憶體的寫入的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20201030

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication