CN111834294A - 一种有机发光显示面板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种有机发光显示面板及其制备方法，该方法包括以下步骤：在衬底上依次沉积缓冲层、半导体层、栅极绝缘层、驱动栅电极以及层间介电层，接着在所述层间介电层中形成第一、第二、第三通孔，接着在所述第一、第二、第三通孔中分别形成源电极通孔、漏电极通孔以及第一金属柱，接着所述源电极通孔和所述第一金属柱之间的所述层间介电层中形成金属层，接着在所述层间介电层上形成第一平坦化层以及第二平坦化层，所述第一平坦化层中含有导热颗粒，所述第二平坦化层中含有绝热材料，接着在所述第二平坦化层上形成阳极层，接着在所述阳极层上依次形成发光层和阴极层，以形成有机发光二极管单元。

Description

一种有机发光显示面板及其制备方法
技术领域
本发明涉及半导体显示技术领域，尤其是涉及一种有机发光显示面板及其制备方法。
背景技术
有机电致发光(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示面板具有功耗低、轻便、亮度高、视野宽和反应快等特点，使其能够广泛应用于便携式电子设备、穿戴式电子设备、车载电子设备等诸多领域中。现有的OLED显示面板通常包括基板、依次层叠于基板上的薄膜晶体管层、平坦化层、电致发光元件和盖板等，电致发光元件包括阳极层、发光层和阴极层，薄膜晶体管层包括有源层、源漏极以及栅极。OLED显示面板在工作过程中，薄膜晶体管产生的热量会影响电致发光元件的工作性能。
发明内容
本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种有机发光显示面板及其制备方法。
为实现上述目的，一种有机发光显示面板的制备方法，包括以下步骤：
(1)提供一衬底，接着在所述衬底上沉积缓冲层。
(2)接着在所述缓冲层上沉积多个间隔设置的半导体层，每个所述半导体层均包括沟道区域、源极区以及漏极区，其中，所述源极区和所述漏极区分别位于所述沟道区域的相对两端。
(3)接着在所述缓冲层上沉积栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖多个所述半导体层。
(4)接着在所述栅极绝缘层上沉积多个间隔设置的驱动栅电极，其中每个所述驱动栅电极与相应的每个所述半导体层的所述沟道区域重叠。
(5)接着在所述栅极绝缘层和所述驱动栅电极上沉积层间介电层，接着刻蚀所述层间介电层和所述栅极绝缘层以形成暴露每个所述半导体层的所述源极区的第一通孔以及暴露每个所述半导体层的所述漏极区的第二通孔，接着刻蚀相邻所述半导体层之间的区域的所述层间介电层、所述栅极绝缘层、所述缓冲层以及所述衬底的一部分以形成第三通孔。
(6)接着在所述层间介电层上以及所述第一、第二、第三通孔中沉积金属材料，并进行图案化处理，以分别在所述层间介电层上形成源电极和漏电极，且在所述第一、第二、第三通孔中分别形成源电极通孔、漏电极通孔以及第一金属柱。
(7)接着刻蚀所述源电极通孔和所述第一金属柱之间的所述层间介电层以形成凹槽，接着在所述凹槽中沉积金属材料以形成金属层，其中，所述金属层的一端与所述金属柱接触，所述金属层的另一端邻近所述源电极通孔且不与所述源电极通孔接触。
(8)接着在所述层间介电层上形成第一平坦化层，所述第一平坦化层中含有导热颗粒，接着在所述第一平坦化层上形成第一开孔，其中，所述第一开孔暴露所述第一金属柱，接着在所述第一开孔中形成第二金属柱。
(9)接着在所述第一平坦化层上形成第二平坦化层，所述第二平坦化层中含有绝热材料，接着在所述第一平坦化层和所述第二平坦化层中形成第二开孔，其中，所述第二开孔暴露所述漏电极。
(10)接着在所述第二平坦化层上以及所述第二开孔中形成阳极层，接着在所述阳极层上依次形成发光层和阴极层，以形成有机发光二极管单元。
作为优选，在所述步骤(3)中，所述栅极绝缘层的材料是氧化硅、氮化硅、氧化铝或氮氧化硅，所述栅极绝缘层通过等离子体增强化学气相沉积或原子层沉积工艺形成。
作为优选，在所述步骤(4)中，所述驱动栅电极的材料为铜、钼和铝中一种或多种的组合。
作为优选，在所述步骤(5)中，所述层间介电层的材料是氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，通过在所述层间介电层上设置图案化的掩膜，进而利用该图案化的掩膜以分别形成所述第一通孔、所述第二通孔和所述第三通孔，所述第三通孔的孔径大于所述第一通孔的孔径，且所述第一通孔的孔径和所述第二通孔的孔径相同。
作为优选，在所述步骤(6)和(7)中，所述金属材料为铜、铝、钛、银、钼、镍中的一种或多种的组合，且通过电镀、化学镀、磁控溅射、真空蒸发、化学气相沉积或物理气相沉积的方法沉积所述金属材料。
作为优选，在所述步骤(5)和(7)中，通过湿法刻蚀或干法刻蚀形成所述第一通孔、所述第二通孔、所述第三通孔以及所述凹槽。
作为优选，在所述步骤(8)中，所述导热颗粒的材料为氮化硼、氮化铝、氧化铋、石墨、石墨烯、碳纳米管、氧化铝、氧化镁、氧化锌、碳化硅中的一种，所述第一平坦化层还包括有机材料，所述有机材料为丙烯酸类树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯类树脂、聚苯硫醚类树脂以及苯并环丁烯中的一种或多种。
作为优选，在所述步骤(9)中，所述第二平坦层还包括与所述第一平坦化层中的所述有机材料相同的有机材料，所述绝热材料包括玻璃纤维、硅酸盐、多孔二氧化硅微球、富勒烯中的一种。
本发明还提出一种有机发光显示面板，其采用上述方法制备形成的。
本发明与现有技术相比具有下列优点：
在本发明的有机发光显示面板的制备过程中，在形成源漏极通孔的同时，在相邻所述半导体层之间的区域的所述层间介电层、所述栅极绝缘层、所述缓冲层以及所述衬底的一部分中形成第三通孔，并在第三通孔中形成第一金属柱，并在所述源电极通孔和所述第一金属柱之间形成金属层，所述金属层的一端与所述金属柱接触，所述金属层的另一端邻近所述源电极通孔且不与所述源电极通孔接触，上述结构的设置可以便于薄膜晶体管的散热，同时将平坦化层设置为一层导热平坦化层和一层隔热平坦化层，并在所述导热平坦化层中设置与第一金属柱连接的第二金属柱，方便热量向衬底传递，同时隔热平坦层的设置可以避免热量向上传递，通过优化本发明的有机发光显示面板的结构及制备工艺，使得其具有优异的稳定性和使用寿命。
附图说明
图1-图8为本发明的有机发光显示面板的制备过程的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在
这里图示或描述的那些以外的顺序实施。
应当理解，在本发明中，“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。应当理解，在本发明中，“多个”是指两个或两个以上。“包括A、B和C”是指A、B、C三者都包括，“包括A、B或C”是指包括A、B、C三者之一，“包括A、B和/或C”是指包括A、B、C三者中任1个或任2个或3个。应当理解，在本发明中，“与A对应的B”、“与A相对应的B”、“A与B相对应”或者“B与A相对应”，表示B与A的形状或功能具有对应关系，根据A可以确定B。根据A确定B并不意味着仅仅根据A确定B，还可以根据A和/或其他信息确定B。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征
下面以具体地实施例对本发明的技术方案进行详细说明。所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终以相同或类似的标号表示相同或类似的组件或具有相同或类似功能的组件。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。
本发明提出的一种有机发光显示面板的制备方法，包括以下步骤：
(1)提供一衬底，接着在所述衬底上沉积缓冲层。
(2)接着在所述缓冲层上沉积多个间隔设置的半导体层，每个所述半导体层均包括沟道区域、源极区以及漏极区，其中，所述源极区和所述漏极区分别位于所述沟道区域的相对两端。
(3)接着在所述缓冲层上沉积栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖多个所述半导体层。
(4)接着在所述栅极绝缘层上沉积多个间隔设置的驱动栅电极，其中每个所述驱动栅电极与相应的每个所述半导体层的所述沟道区域重叠。
(5)接着在所述栅极绝缘层和所述驱动栅电极上沉积层间介电层，接着刻蚀所述层间介电层和所述栅极绝缘层以形成暴露每个所述半导体层的所述源极区的第一通孔以及暴露每个所述半导体层的所述漏极区的第二通孔，接着刻蚀相邻所述半导体层之间的区域的所述层间介电层、所述栅极绝缘层、所述缓冲层以及所述衬底的一部分以形成第三通孔。
(6)接着在所述层间介电层上以及所述第一、第二、第三通孔中沉积金属材料，并进行图案化处理，以分别在所述层间介电层上形成源电极和漏电极，且在所述第一、第二、第三通孔中分别形成源电极通孔、漏电极通孔以及第一金属柱。
(7)接着刻蚀所述源电极通孔和所述第一金属柱之间的所述层间介电层以形成凹槽，接着在所述凹槽中沉积金属材料以形成金属层，其中，所述金属层的一端与所述金属柱接触，所述金属层的另一端邻近所述源电极通孔且不与所述源电极通孔接触。
(8)接着在所述层间介电层上形成第一平坦化层，所述第一平坦化层中含有导热颗粒，接着在所述第一平坦化层上形成第一开孔，其中，所述第一开孔暴露所述第一金属柱，接着在所述第一开孔中形成第二金属柱。
(9)接着在所述第一平坦化层上形成第二平坦化层，所述第二平坦化层中含有绝热材料，接着在所述第一平坦化层和所述第二平坦化层中形成第二开孔，其中，所述第二开孔暴露所述漏电极。
(10)接着在所述第二平坦化层上以及所述第二开孔中形成阳极层，接着在所述阳极层上依次形成发光层和阴极层，以形成有机发光二极管单元。
其中，在所述步骤(3)中，所述栅极绝缘层的材料是氧化硅、氮化硅、氧化铝或氮氧化硅，所述栅极绝缘层通过等离子体增强化学气相沉积或原子层沉积工艺形成。
其中，在所述步骤(4)中，所述驱动栅电极的材料为铜、钼和铝中一种或多种的组合。
其中，在所述步骤(5)中，所述层间介电层的材料是氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，通过在所述层间介电层上设置图案化的掩膜，进而利用该图案化的掩膜以分别形成所述第一通孔、所述第二通孔和所述第三通孔，所述第三通孔的孔径大于所述第一通孔的孔径，且所述第一通孔的孔径和所述第二通孔的孔径相同。
其中，在所述步骤(6)和(7)中，所述金属材料为铜、铝、钛、银、钼、镍中的一种或多种的组合，且通过电镀、化学镀、磁控溅射、真空蒸发、化学气相沉积或物理气相沉积的方法沉积所述金属材料。
其中，在所述步骤(5)和(7)中，通过湿法刻蚀或干法刻蚀形成所述第一通孔、所述第二通孔、所述第三通孔以及所述凹槽。
其中，在所述步骤(8)中，所述导热颗粒的材料为氮化硼、氮化铝、氧化铋、石墨、石墨烯、碳纳米管、氧化铝、氧化镁、氧化锌、碳化硅中的一种，所述第一平坦化层还包括有机材料，所述有机材料为丙烯酸类树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯类树脂、聚苯硫醚类树脂以及苯并环丁烯中的一种或多种。
其中，在所述步骤(9)中，所述第二平坦层还包括与所述第一平坦化层中的所述有机材料相同的有机材料，所述绝热材料包括玻璃纤维、硅酸盐、多孔二氧化硅微球、富勒烯中的一种。
本发明还提出一种有机发光显示面板，其采用上述方法制备形成的。
请参考图1-8，一种有机发光显示面板的制备方法，包括以下步骤：
如图1所示，首先进行步骤(1)，提供一衬底1，接着在所述衬底1上沉积缓冲层2。
在具体的实施例中，所述衬底1可以是柔性衬底或刚性衬底，具体的，所述衬底1的材质可以是玻璃、陶瓷、金属或树脂，根据需求不同以选择合适的衬底。所述缓冲层2具体可以包括诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇、聚醚酰亚胺或聚酰亚胺等材料中合适的材料，以单层或多层堆叠的形式形成层状结构，具体的可以通过旋涂、喷涂或刮涂工艺形成。所述缓冲层2还可以由二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、三氧化二铝、氮化铝、氧化锆或氧化铪等形成单层或多层堆叠的层状结构，且通过物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积或等离子体增强化学气相沉积工艺形成，所述缓冲层2还可以包括有机材料层和无机材料的复合层。
如图1所示，接着进行步骤(2)，接着在所述缓冲层2上沉积多个间隔设置的半导体层3，每个所述半导体层3均包括沟道区域、源极区以及漏极区，其中，所述源极区和所述漏极区分别位于所述沟道区域的相对两端。具体的，所述半导体3可以是多晶硅。
如图2所示，接着进行步骤(3)，接着在所述缓冲层2上沉积栅极绝缘层4，所述栅极绝缘层4覆盖多个所述半导体层3。
在所述步骤(3)中，所述栅极绝缘层4的材料是氧化硅、氮化硅、氧化铝或氮氧化硅，所述栅极绝缘层4通过等离子体增强化学气相沉积或原子层沉积工艺形成。所述栅极绝缘层4用于使得栅极和半导体层绝缘。
如图2所示，接着进行步骤(4)，接着在所述栅极绝缘层4上沉积多个间隔设置的驱动栅电极5，其中每个所述驱动栅电极5与相应的每个所述半导体层3的所述沟道区域重叠。
在所述步骤(4)中，所述驱动栅电极的材料为铜、钼和铝中一种或多种的组合。
在具体的实施例中，所述驱动栅电极通过磁控溅射或电镀工艺形成。
如图3所示，接着进行步骤(5)，接着在所述栅极绝缘层4和所述驱动栅电极5上沉积层间介电层6，接着刻蚀所述层间介电层6和所述栅极绝缘层4以形成暴露每个所述半导体层3的所述源极区的第一通孔61以及暴露每个所述半导体层3的所述漏极区的第二通孔62，接着刻蚀相邻所述半导体层3之间的区域的所述层间介电层6、所述栅极绝缘层4、所述缓冲层2以及所述衬底1的一部分以形成第三通孔63。
其中，在所述步骤(5)中，所述层间介电层6的材料是氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，通过在所述层间介电层6上设置图案化的掩膜，进而利用该图案化的掩膜以分别形成所述第一通孔61、所述第二通孔62和所述第三通孔63，所述第三通孔63的孔径大于所述第一通孔61的孔径，且所述第一通孔61的孔径和所述第二通孔62的孔径相同。
在具体的实施例中，通过PECVD法沉积氧化硅以形成所述层间介电层6，接着在所述层间介电层6上旋涂光致抗刻蚀剂，进而通过曝光显影工艺形成图案化的掩膜，接着利用湿法刻蚀或干法刻蚀以分别形成所述第一通孔61、所述第二通孔62和所述第三通孔63，所述第三通孔63的孔径与所述第一通孔61的孔径的比值为1.2-2，更优选的，所述第三通孔63的孔径与所述第一通孔61的孔径的比值为1.5。
如图4所示，接着进行步骤(6)，接着在所述层间介电层6上以及所述第一、第二、第三通孔61-63中沉积金属材料，并进行图案化处理，以分别在所述层间介电层6上形成源电极和漏电极，且在所述第一、第二、第三通孔中分别形成源电极通孔71、漏电极通孔72以及第一金属柱73。
其中，在所述步骤(6)中，所述金属材料为铜、铝、钛、银、钼、镍中的一种或多种的组合，且通过电镀、化学镀、磁控溅射、真空蒸发、化学气相沉积或物理气相沉积的方法沉积所述金属材料。更具体的，所述金属材料为铜，且通过电镀工艺形成。
如图5所示，接着进行步骤(7)，接着刻蚀所述源电极通孔71和所述第一金属柱73之间的所述层间介电层6以形成凹槽64，接着在所述凹槽64中沉积金属材料以形成金属层8，其中，所述金属层8的一端与所述第一金属柱73接触，所述金属层8的另一端邻近所述源电极通孔71且不与所述源电极通孔71接触。
在所述步骤(7)中，通过湿法刻蚀或干法刻蚀形成所述凹槽，所述金属材料为铜、铝、钛、银、钼、镍中的一种或多种的组合，且通过电镀、化学镀、磁控溅射、真空蒸发、化学气相沉积或物理气相沉积的方法沉积所述金属材料。
在具体的实施例中，利用光刻胶作为掩膜对所述层间介电层6进行刻蚀以形成所述凹槽64，具体的可以采用干法刻蚀形成所述凹槽64，更具体的，所述金属层8的材料为铜，且通过电镀工艺形成。
如图6所示，接着进行步骤(8)，接着在所述层间介电层6上形成第一平坦化层91，所述第一平坦化层91中含有导热颗粒，接着在所述第一平坦化层91上形成第一开孔，其中，所述第一开孔暴露所述第一金属柱73，接着在所述第一开孔中形成第二金属柱74。
其中，在所述步骤(8)中，所述导热颗粒的材料为氮化硼、氮化铝、氧化铋、石墨、石墨烯、碳纳米管、氧化铝、氧化镁、氧化锌、碳化硅中的一种，所述第一平坦化层91还包括有机材料，所述有机材料为丙烯酸类树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯类树脂、聚苯硫醚类树脂以及苯并环丁烯中的一种或多种。通过在所述第一平坦化层91中设置导热颗粒，进而可以增加所述第一平坦化层91的导热系数，进而通过设置的所述第一金属柱73和第二金属柱74，以便于散热。
如图7所示，接着进行步骤(9)，接着在所述第一平坦化层91上形成第二平坦化层92，所述第二平坦化层92中含有绝热材料，接着在所述第一平坦化层91和所述第二平坦化层92中形成第二开孔912，其中，所述第二开孔暴露所述漏电极。
其中，在所述步骤(9)中，所述第二平坦层还包括与所述第一平坦化层中的所述有机材料相同的有机材料，所述绝热材料包括玻璃纤维、硅酸盐、多孔二氧化硅微球、富勒烯中的一种。通过在第二平坦化层92中设置绝热材料，进而可以避免热量向上传递。
如图8所示，接着进行步骤(10)，接着在所述第二平坦化层92上以及所述第二开孔912中形成阳极层，接着在所述阳极层上依次形成发光层和阴极层，以形成有机发光二极管单元。
如图8所示，本发明还提出一种有机发光显示面板，其采用上述方法制备形成的。
在本发明的有机发光显示面板的制备过程中，在形成源漏极通孔的同时，在相邻所述半导体层之间的区域的所述层间介电层、所述栅极绝缘层、所述缓冲层以及所述衬底的一部分中形成第三通孔，并在第三通孔中形成第一金属柱，并在所述源电极通孔和所述第一金属柱之间形成金属层，所述金属层的一端与所述金属柱接触，所述金属层的另一端邻近所述源电极通孔且不与所述源电极通孔接触，上述结构的设置可以便于薄膜晶体管的散热，同时将平坦化层设置为一层导热平坦化层和一层隔热平坦化层，并在所述导热平坦化层中设置与第一金属柱连接的第二金属柱，方便热量向衬底传递，同时隔热平坦层的设置可以避免热量向上传递，通过优化本发明的有机发光显示面板的结构及制备工艺，使得其具有优异的稳定性和使用寿命。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明披露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。

Claims (9)

1.一种有机发光显示面板的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)提供一衬底，接着在所述衬底上沉积缓冲层；
(2)接着在所述缓冲层上沉积多个间隔设置的半导体层，每个所述半导体层均包括沟道区域、源极区以及漏极区，其中，所述源极区和所述漏极区分别位于所述沟道区域的相对两端；
(3)接着在所述缓冲层上沉积栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖多个所述半导体层；
(4)接着在所述栅极绝缘层上沉积多个间隔设置的驱动栅电极，其中每个所述驱动栅电极与相应的每个所述半导体层的所述沟道区域重叠；
(5)接着在所述栅极绝缘层和所述驱动栅电极上沉积层间介电层，接着刻蚀所述层间介电层和所述栅极绝缘层以形成暴露每个所述半导体层的所述源极区的第一通孔以及暴露每个所述半导体层的所述漏极区的第二通孔，接着刻蚀相邻所述半导体层之间的区域的所述层间介电层、所述栅极绝缘层、所述缓冲层以及所述衬底的一部分以形成第三通孔；
(6)接着在所述层间介电层上以及所述第一、第二、第三通孔中沉积金属材料，并进行图案化处理，以分别在所述层间介电层上形成源电极和漏电极，且在所述所述第一、第二、第三通孔中分别形成源电极通孔、漏电极通孔以及第一金属柱；
(7)接着刻蚀所述源电极通孔和所述第一金属柱之间的所述层间介电层以形成凹槽，接着在所述凹槽中沉积金属材料以形成金属层，其中，所述金属层的一端与所述金属柱接触，所述金属层的另一端邻近所述源电极通孔且不与所述源电极通孔接触；
(8)接着在所述层间介电层上形成第一平坦化层，所述第一平坦化层中含有导热颗粒，接着在所述第一平坦化层上形成第一开孔，其中，所述第一开孔暴露所述第一金属柱，接着在所述第一开孔中形成第二金属柱；
(9)接着在所述第一平坦化层上形成第二平坦化层，所述第二平坦化层中含有绝热材料，接着在所述第一平坦化层和所述第二平坦化层中形成第二开孔，其中，所述第二开孔暴露所述漏电极；
(10)接着在所述第二平坦化层上以及所述第二开孔中形成阳极层，接着在所述阳极层上依次形成发光层和阴极层，以形成有机发光二极管单元。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板的制备方法，其特征在于：在所述步骤(3)中，所述栅极绝缘层的材料是氧化硅、氮化硅、氧化铝或氮氧化硅，所述栅极绝缘层通过等离子体增强化学气相沉积或原子层沉积工艺形成。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示面板的制备方法，其特征在于：在所述步骤(4)中，所述驱动栅电极的材料为铜、钼和铝中一种或多种的组合。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示面板的制备方法，其特征在于：在所述步骤(5)中，所述层间介电层的材料是氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，通过在所述层间介电层上设置图案化的掩膜，进而利用该图案化的掩膜以分别形成所述第一通孔、所述第二通孔和所述第三通孔，所述第三通孔的孔径大于所述第一通孔的孔径，且所述第一通孔的孔径和所述第二通孔的孔径相同。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示面板的制备方法，其特征在于：在所述步骤(6)和(7)中，所述金属材料为铜、铝、钛、银、钼、镍中的一种或多种的组合，且通过电镀、化学镀、磁控溅射、真空蒸发、化学气相沉积或物理气相沉积的方法沉积所述金属材料。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示面板的制备方法，其特征在于：在所述步骤(5)和(7)中，通过湿法刻蚀或干法刻蚀形成所述所述第一通孔、所述第二通孔、所述第三通孔以及所述凹槽。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示面板的制备方法，其特征在于：在所述步骤(8)中，所述导热颗粒的材料为氮化硼、氮化铝、氧化铋、石墨、石墨烯、碳纳米管、氧化铝、氧化镁、氧化锌、碳化硅中的一种，所述第一平坦化层还包括有机材料，所述有机材料为丙烯酸类树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯类树脂、聚苯硫醚类树脂以及苯并环丁烯中的一种或多种。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示面板的制备方法，其特征在于：在所述步骤(9)中，所述第二平坦层还包括与所述第一平坦化层中的所述有机材料相同的有机材料，所述绝热材料包括玻璃纤维、硅酸盐、多孔二氧化硅微球、富勒烯中的一种。
9.一种有机发光显示面板，其特征在于，采用权利要求1-8任一项所述的方法制备形成的。
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