CN111801777B - 基板处理系统和基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

基板处理系统具备：载置台，其用于载置基板；加热器，其通过被供给电力来将基板进行加热；电力供给部，其向加热器供给电力；传感器，其测定加热器的电阻值；以及控制装置。控制装置记录将多个电阻值与多个温度进行对应的转换表，在加热器的温度为参考温度时获取由传感器测定的参考电阻值。控制装置还在通过加热器将基板进行加热的期间获取由传感器测定的温度调整用电阻值，并基于转换表、参考温度、参考电阻值以及温度调整用电阻值来控制电力供给部。

Description

基板处理系统和基板处理方法
技术领域
本公开涉及一种基板处理系统和基板处理方法。
背景技术
已知一种设置有多个加热器且分别独立地对载置作为被处理基板的半导体晶圆的载置台的多个区域进行温度调整的基板处理装置(参照专利文献1)。在使用这样的基板处理装置的半导体制造工艺中，通过高精度地调整半导体晶圆的温度，能够恰当地处理半导体。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017-228230号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种高精度地调整基板的温度的基板处理系统和基板处理方法。
用于解决问题的方案
本公开的一个方式的基板处理系统具备：载置台，其用于载置基板；加热器，其通过被供给电力来将基板进行加热；电力供给部，其向加热器供给电力；传感器，其测定加热器的电阻值；以及控制装置。控制装置记录将多个电阻值与多个温度进行对应的转换表，在加热器的温度为参考温度时获取由传感器测定的参考电阻值。控制装置还在通过加热器将基板进行加热的期间获取由传感器测定的温度调整用电阻值，基于转换表、参考温度、参考电阻值以及温度调整用电阻值来控制电力供给部。
发明的效果
根据本公开，能够高精度地调整基板的温度。
附图说明
图1是表示设置于实施方式的基板处理系统的基板处理装置的一例的纵剖截面图。
图2是表示实施方式的基板处理装置具备的静电吸盘的一例的俯视图。
图3是表示实施方式的基板处理装置具备的多个电力供给部中的与一个加热器对应的一个电力供给部的一例的电路图。
图4是表示实施方式的基板处理系统具备的控制装置的一例的图。
图5是表示实施方式的从向基板处理装置供给电力的交流电源输出的交流电压的波形的一例，并且表示流过加热器的电流的波形的一例的图。
图6是表示实施方式的基板处理系统具备的控制装置中记录的多个转换表的一例的图。
图7是表示在利用实施方式的基板处理方法进行的偏离调整中从交流电源向多个加热器中的任一个供给交流电力的多个测定期间的一例并且表示交流电力和温度变化的一例的图。
图8是表示实施方式的基板处理装置具备的加热器的电阻值与加热器的温度的关系的曲线图。
图9是表示第一电阻值测定试验中的比较例的多个温度差和实施例的多个温度差的曲线图。
图10是表示第二电阻值测定试验中的比较例的多个温度和实施例的多个温度的曲线图。
具体实施方式
下面，基于附图来详细地说明公开的基板处理系统和基板处理方法的实施例。此外，并不通过以下的实施例来限定公开的技术。另外，各实施例能够在不使处理内容矛盾的范围内恰当地进行组合。
[基板处理装置10的结构]
图1是表示实施方式的基板处理系统中设置的基板处理装置10的一例的纵剖截面图。如图1所示，基板处理装置10具备腔室1、排气装置2以及闸阀3。腔室1由铝形成，并且形成为大致圆筒状。腔室1的表面被阳极氧化覆膜覆盖。在腔室1的内部形成有处理空间5。腔室1使处理空间5相对于外部的气氛隔离。在腔室1形成有排气口6和开口部7。排气口6形成于腔室1的底部。开口部7形成于腔室1的侧壁。排气装置2经由排气口6而与腔室1的处理空间5连接。排气装置2经由排气口6从处理空间5排出气体，将处理空间5减压至规定的真空度。闸阀3将开口部7打开或将开口部7关闭。
[载置台11的结构]
基板处理装置10还具备载置台11。载置台11配置于处理空间5中的下部。载置台11具备绝缘板14、支承台15、基材16、静电吸盘17、内壁构件18、聚焦环19、电极22、多个加热器23-1～23-n(n＝2，3，4，…)以及温度传感器24。绝缘板14由绝缘体形成，并且被支承于腔室1的底部。支承台15由导体形成。支承台15配置于绝缘板14之上，并且经由绝缘板14被支承于腔室1的底部，以使支承台15与腔室1电绝缘。
基材16由导体例如铝形成。基材16配置于支承台15之上，经由支承台15被支承于腔室1的底部。静电吸盘17配置于基材16之上，经由基材16被支承于腔室1的底部。静电吸盘17由绝缘体形成。电极22和多个加热器23-1～23-n被埋入静电吸盘17的内部。温度传感器24通过测定静电吸盘17的温度来间接地测定多个加热器23-1～23-n。
内壁构件18由绝缘体例如石英形成，并且形成为圆筒状。内壁构件18以将基材16和支承台15配置于内壁构件18的内侧的方式配置于基材16和支承台15的周围，将基材16和支承台15包围。聚焦环19由单晶硅形成，并且形成为环状。聚焦环19以将静电吸盘17配置于聚焦环19的内部的方式配置于静电吸盘17的外周，将静电吸盘17包围。在载置台11中还形成有制冷剂循环流路25和传热气体供给流路26。制冷剂循环流路25形成于基材16的内部。传热气体供给流路26以贯通静电吸盘17的方式形成，传热气体供给流路26的一端形成于静电吸盘17的上表面。
基板处理装置10还具备直流电源31、多个电力供给部32-1～32-n、冷却装置33以及传热气体供给部34。直流电源31与静电吸盘17的电极22电连接。直流电源31向电极22施加直流电压。多个电力供给部32-1～32-n与多个加热器23-1～23-n对应。冷却装置33与制冷剂循环流路25连接。冷却装置33将制冷剂冷却为规定的温度，使该冷却后的制冷剂循环至基材16的内部的制冷剂循环流路25。传热气体供给部34与传热气体供给流路26连接。传热气体供给部34将传热气体例如He气体供给至传热气体供给流路26。
基板处理装置10还具备第一高频电源37和第二高频电源38。第一高频电源37经由第一匹配器35而与基材16连接。第二高频电源38经由第二匹配器36而与基材16连接。第一高频电源37向基材16供给规定频率(例如100MHz)的高频电力。第二高频电源38向基材16供给频率比第一高频电源37向基材16供给的高频电力的频率低的(例如13MHz的)高频电力。
[喷淋头41的结构]
基板处理装置10还具备喷淋头41。喷淋头41以喷淋头41的下表面与载置台11相向并且沿着喷淋头41的下表面的平面相对于沿着载置台11的上表面的平面大致平行的方式配置于处理空间5中的载置台11的上方。喷淋头41具备绝缘性构件42、主体部43以及上部顶板44。绝缘性构件42由绝缘体形成，并且被支承于腔室1的上部。主体部43例如由导体例如表面被实施了阳极氧化处理的铝形成。主体部43经由绝缘性构件42被支承于腔室1，以使主体部43与腔室1电绝缘。主体部43与基材16被用作一对上部电极和下部电极。上部顶板44由含硅物质例如石英形成。上部顶板44配置于主体部43的下部，以相对于主体部43装卸自如的方式被支承于主体部43。
在主体部43形成有气体扩散室45、气体导入口46以及多个气体流出口47。气体扩散室45形成在主体部43的内部。气体导入口46形成于主体部43中的比气体扩散室45靠上侧的位置，并且与气体扩散室45连通。多个气体流出口47形成于主体部43中的比气体扩散室45靠上部顶板44侧的位置，并且与气体扩散室45连通。在上部顶板44形成有多个气体导入口48。多个气体导入口48以贯通上部顶板44的上表面和下表面的方式形成，并且分别与多个气体流出口47连通。
基板处理装置10还具备处理气体供给源51、阀52以及质量流量控制器53(MFC)。处理气体供给源51经由配管54而与喷淋头41的主体部43的气体导入口46连接。质量流量控制器53设置于配管54的中途。阀52设置于配管54中的质量流量控制器53与气体导入口46之间。通过使阀52进行开闭来从处理气体供给源51向气体导入口46供给处理气体、或切断从处理气体供给源51向气体导入口46供给的处理气体。
基板处理装置10还具备可变直流电源55、低通滤波器56(LPF)以及开关57。可变直流电源55经由电路58而与喷淋头41的主体部43电连接。低通滤波器56和开关57设置于电路58的中途。通过使开关57进行开闭来向喷淋头41施加直流电压、或切断向喷淋头41施加的直流电压。
基板处理装置10还具备环形磁体61。环形磁体61由永久磁体形成，并且形成为环状。环形磁体61以腔室1配置于环形磁体61的内侧的方式与腔室1配置为同心圆状。环形磁体61经由未图示的旋转机构旋转自如地支承于腔室1。环形磁体61在处理空间5中的喷淋头41与载置台11之间的区域形成磁场。
基板处理装置10还具备沉积物屏蔽件62、沉积物屏蔽件63以及导电性构件64。沉积物屏蔽件62以覆盖腔室1的内壁面的方式配置，并且相对于腔室1装卸自如地支承于腔室1。沉积物屏蔽件62用于防止在腔室1的内壁面附着蚀刻副产物(沉积物)。沉积物屏蔽件63以覆盖内壁构件18的外周面的方式配置。沉积物屏蔽件63用于防止在内壁构件18的外周面附着蚀刻副产物。导电性构件64以使配置导电性构件64的高度与配置被载置于载置台11的晶圆65的高度大致相同的方式配置于处理空间5，并且被支承于沉积物屏蔽件62。导电性构件64由导体形成，与地电连接。导电性构件64用于抑制腔室1内的异常放电。
[静电吸盘17]
图2是表示实施方式的基板处理装置10具备的静电吸盘17的一例的俯视图。静电吸盘17中的与被载置于载置台11的晶圆65相向的载置面如图2所示那样被分割为多个区域66-1～66-n。此外，多个区域66-1～66-n的形状不限于图2所示的例子，载置面可以被分割为与多个区域66-1～66-n的形状不同的其它形状的多个区域。多个区域66-1～66-n与多个加热器23-1～23-n对应。多个加热器23-1～23-n中的与一个区域66-1对应的一个加热器23-1被埋入静电吸盘17中的区域66-1的附近。加热器23-1被供给交流电力，由此以区域66-1为中心将静电吸盘17进行加热。多个加热器23-1～23-n中的与加热器23-1不同的其它加热器也是，在与加热器23-1同样地在被供给交流电力时，以多个区域66-1～66-n中的与该加热器对应的区域为中心将静电吸盘17进行加热。
[多个电力供给部32-1～32-n的结构]
多个电力供给部32-1～32-n与多个加热器23-1～23-n对应。图3是表示实施方式的基板处理装置10具备的多个电力供给部32-1～32-n中的与一个加热器23-1对应的一个电力供给部32-1的一例的电路图。电力供给部32-1具备开关71和电阻值传感器72。开关71设置于将交流电源73与加热器23-1连接的加热器电力供给用电路74的中途。交流电源73设置于设置有基板处理装置10的工厂中，向基板处理装置10供给交流电力，并且还向与基板处理装置10不同的其它设备供给交流电力。通过使开关71闭合来从交流电源73向加热器23-1供给电力，通过使开关71断开来切断从交流电源73向加热器23-1供给的电力。
电阻值传感器72具备电压计75和电流计76。电压计75由于测定施加于加热器23-1的电压。电流计76具备分流电阻器77和电压计78。分流电阻器77设置于加热器电力供给用电路74的中途。作为分流电阻器77的电阻值，例示10mΩ。电压计78用于测定施加于分流电阻器77的电压。电流计76基于由电压计78测定出的电压来测定流过加热器23-1的电流。电阻值传感器72基于由电压计75测定出的电压和由电流计76测定出的电流值来测定加热器23-1的电阻值。加热器23-1的电阻值与将由电压计75测定出的电压除以由电流计76测定出的电流值而得到的值相等。多个电力供给部32-1～32-n中的与电力供给部32-1不同的其它电力供给部也与电力供给部32-1同样地具备开关和电阻值传感器。即，基板处理装置10具备与多个加热器23-1～23-n对应的多个电阻值传感器。该电力供给部也与电力供给部32-1同样地从交流电源73向多个加热器23-1～23-n中的与该电力供给部对应的加热器供给交流电力，并且测定该加热器的电阻值。
[控制装置80的结构]
如图4所示，基板处理系统还具备控制装置80。图4是表示实施方式的基板处理系统具备的控制装置80的一例的图。控制装置80由计算机90实现。计算机90具备CPU(CentralProcessing Unit：中央处理单元)91、RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)92以及ROM(Read Only Memory：只读存储器)93。CPU 91基于安装至计算机90中的程序进行动作来控制计算机90的各部，并控制基板处理装置10的各部。ROM 93记录有在启动计算机90时由CPU 91执行的启动程序、取决于计算机90的硬件的程序。
计算机90还具备辅助存储装置94、通信I/F 95、输入输出I/F 96以及媒体I/F 97。辅助存储装置94记录由CPU 91执行的程序和由该程序使用的数据。作为辅助存储装置94，例示HDD(Hard Disk Drive：硬盘驱动器)、SSD(Solid State Drive：固态硬盘)。CPU 91将该程序从辅助存储装置94读出并加载至RAM 92中，并且执行该加载后的程序。
通信I/F 95经由通信线路例如LAN(Local Area Network：局域网)来与基板处理装置10之间进行通信。通信I/F 95将经由通信线路从基板处理装置10接收到的信息发送至CPU 91，经由通信线路将CPU 91生成的数据发送至基板处理装置100。
计算机90还具备输入装置例如键盘、和输出装置例如显示器。CPU 91经由输入输出I/F 96来控制输入装置和输出装置。输入输出I/F 96将经由输入装置输入的信号发送至CPU 91，将由CPU 91生成的数据输出至输出装置。
媒体I/F 97读取非暂时性的有形的记录介质98中记录的程序或数据。作为记录介质98，例示光学记录介质、磁光记录介质、带介质、磁记录介质或半导体存储器。作为光学记录介质，例示DVD(Digital Versatile Disc：数字多功能光盘)、PD(Phase changerewritable Disk：相变可重写磁盘)。作为磁光记录介质，例示MO(Magneto-Optical disk：磁光盘)。
CPU 91将经由媒体I/F 97从记录介质98读出的程序记录在辅助存储装置94中，但作为其它例，也可以将经由通信线路从其它装置获取到的程序记录在辅助存储装置94中。
图5是表示实施方式的从向基板处理装置10供给电力的交流电源73输出的交流电压的波形101的一例，并且表示流过加热器23-1的电流的波形102的一例的图。交流电压的波形101表示交流电源73按照正弦曲线输出规定频率(例如50Hz)的交流电压。电流的波形102表示在交流电压为负的所有期间未从交流电源73向加热器23-1供给电力。电流的波形102还表示在交流电压为正的多个期间中的规定的多个通电期间103从交流电源73向加热器23-1供给电力。即，多个通电期间103的各通电期间的长度与从交流电源73输出的交流电压的周期的一半相等。
即，在交流电源73输出的交流电压为负时，控制装置80将电力供给部32-1的开关71断开，以不向加热器23-1施加交流电压。控制装置80还以如下方式设定多个通电期间103：多个通电期间103相对于交流电压为正的多个期间的比率与规定的比率相等。控制装置80还在多个通电期间103将电力供给部32-1的开关71闭合，以在多个通电期间103向加热器23-1施加交流电压。
如图6所示，控制装置80将多个转换表111-1～111-n记录在辅助存储装置94中。图6是表示实施方式的基板处理系统具备的控制装置80中记录的多个转换表111-1～111-n的一例的图。多个转换表111-1～111-n与多个加热器23-1～23-n对应。在多个转换表111-1～111-n中的与加热器23-1对应的转换表111-1中，多个温度112与多个电阻值113相对应。作为多个温度112，例示从20℃至120℃以10℃为步长设定的十一个设定温度。多个电阻值113中的与某个温度对应的电阻值在加热器23-1的温度与该温度相等时与加热器23-1的电阻值相等。
转换表111-1是在将静电吸盘17安装于基板处理装置10之前制作出的。例如，用户使用红外线摄像机来测定从静电吸盘17的上表面放射的红外线的放射量的分布，分别获取多个加热器23-1～23-n的温度。在加热器23-1的温度与规定的温度相等的期间，用户向加热器23-1供给规定的电力，测定施加于加热器23-1的电压和流过加热器23-1的电流，基于该电压和电流来计算加热器23-1的电阻值。用户以获取到的该加热器23-1的温度与获取到的该加热器23-1的电阻值对应的方式制作转换表111-1。
多个转换表111-1～111-n中的与转换表111-1不同的其它转换表也与转换表111-1同样地形成。即，在多个转换表111-1～111-n中的转换表中，多个加热器中的与该转换表对应的加热器的温度同该加热器的电阻值相对应。
[基板处理方法]
实施方式的基板处理方法是使用基板处理系统来执行的，该基板处理方法包括偏离调整和等离子体蚀刻方法。
偏离调整例如在将基板处理装置10设置于工厂时执行。控制装置80通过控制冷却装置33来使被冷却至规定的冷却器温度的制冷剂循环至制冷剂循环流路25中，以将静电吸盘17进行冷却。在静电吸盘17被冷却的期间，控制装置80通过控制温度传感器24来测定多个加热器23-1～23-n的温度。静电吸盘17通过冷却装置33而被充分地冷却，由此例如被冷却120分钟以上，从而温度变得固定且温度分布变得均匀。并且，通过使静电吸盘17被充分地冷却，由此多个加热器23-1～23-n的温度彼此相等，且与静电吸盘17的温度相等。在静电吸盘17被充分地冷却后，控制装置80通过控制辅助存储装置94来将由温度传感器24测定出的参考温度记录在辅助存储装置94中。
在静电吸盘17被充分地冷却后，控制装置80还将多个电力供给部32-1～32-n的开关71进行开闭，由此在规定的定时向多个加热器23-1～23-n供给交流电力。图7是表示在利用实施方式的基板处理方法进行的偏离调整中从交流电源73向多个加热器23-1～23-n中的任一个供给交流电力的多个测定期间121-1～121-m的一例并且表示交流电力和温度变化的一例的图。如图7所示，多个测定期间121-1～121-m的长度彼此相等，并且与从交流电源73输出的交流电压的周期的一半的时间相等。并且，多个测定期间121-1～121-m的间隔122与规定的长度(例如5秒)相等。即，多个测定期间121-1～121-m等间隔且间歇地形成。
控制装置80在测定期间121-1将多个电力供给部32-1～32-n的开关71进行开闭，由此向多个加热器23-1～23-n中的多个(例如四个)第一加热器供给交流电力124-1。此时，多个区域66-1～66-n中的与多个第一加热器对应的多个第一区域彼此不相邻。即，从多个第一区域选择出的任意的两个第一区域的轮廓没有重叠的部分。另外，该两个第一区域的轮廓可以共有一个点。控制装置80在测定期间121-1控制多个电力供给部32-1～32-n的电阻值传感器72，由此分别测定多个第一加热器的电阻值。
温度变化125-1表示多个第一加热器中的一个第一加热器的温度变化。温度变化125-1表示通过在测定期间121-1向第一加热器供给交流电力124-1来使第一加热器的温度在测定期间121-1上升。温度变化125-1还表示在测定期间121-1结束后不向第一加热器供给交流电力从而第一加热器的温度下降。温度变化125-1还表示在多个测定期间121-1～121-m中的测定期间121-1的下一个测定期间121-2中第一加热器的温度与冷却器温度126大致相等。即，以如下方式设定间隔122的长度：在多个加热器23-1～23-n中的一个加热器在测定期间121-1被供给了电力时，该加热器的温度在测定期间121-2下降至与冷却器温度大致相等。
控制装置80在测定期间121-2将多个电力供给部32-1～32-n的开关71进行开闭，由此向多个加热器23-1～23-n中的与多个第一加热器不同的多个第二加热器供给交流电力。此时，多个区域66-1～66-n中的与多个第二加热器对应的多个第二区域彼此不相邻。多个第二区域也不与多个第一区域中的任一个相邻。控制装置80在测定期间121-2控制多个电力供给部32-1～32-n的电阻值传感器72，由此分别测定多个第二加热器的电阻值。
关于在多个测定期间121-1～121-m的各测定期间被测定电阻值的多个加热器的组合，与多个第二加热器同样地进行设定。例如，以如下方式设定在测定期间121-3被测定电阻值的多个第三加热器：多个区域66-1～66-n中的与多个第三加热器对应的多个第三区域互不相邻，并且多个第三区域不与多个第二区域相邻。还以如下方式设定该组合：在经过了多个测定期间121-1～121-m的所有测定期间时，对多个加热器23-1～23-n的各加热器的电阻值进行规定次数的测定(例如50次)。
控制装置80在对多个加热器23-1～23-n各自的电阻值进行规定次数的测定之后，通过控制辅助存储装置94来将与多个加热器23-1～23-n对应的多个参考电阻值记录在辅助存储装置94中。多个参考电阻值中的与加热器23-1对应的参考电阻值表示由电力供给部32-1的电阻值传感器72测定出的多个电阻值的平均。在由多个电力供给部32-1～32-n中的任一电力供给部的电阻值传感器72测定出的多个电阻值的偏差比规定值大时，控制装置80再次从最开始执行偏离调整。
控制装置80在获取到多个参考电阻值后，基于多个转换表111-1～111-n、参考温度以及多个参考电阻值来制作与多个加热器23-1～23-n对应的多个校正后转换表。多个校正后转换表中的与加热器23-1对应的校正后转换表是基于转换表111-1、参考温度以及多个参考电阻值中的与加热器23-1对应的参考电阻值来制作的。校正后转换表使多个电阻值与转换表111-1的多个温度112相对应。该多个电阻值与以下的值相等，即，校正后转换表以使参考电阻值与参考温度相对应的方式将转换表111-1的多个电阻值113分别加上规定值所得到的值。控制装置80在制作多个校正后转换表后，通过控制辅助存储装置94来将多个校正后转换表记录在辅助存储装置94中。
[等离子体蚀刻方法]
等离子体蚀刻方法是在执行偏离调整后执行的。在等离子体蚀刻方法中，首先，控制装置80通过控制闸阀3来将开口部7打开。在开口部7打开的期间，经由开口部7将作为被处理体的晶圆65搬入腔室1的处理空间5并且载置于载置台11。在晶圆65被载置于载置台11后，控制装置80通过控制直流电源31来向电极22施加直流电压，通过库伦力将晶圆65保持于静电吸盘17。在晶圆65被保持于载置台11后，控制装置80通过控制闸阀3来将开口部7关闭。
在开口部7关闭的期间，控制装置80通过控制排气装置2来进行抽真空，以使处理空间5的气氛成为规定的真空度。控制装置80还通过控制阀52来将规定量的处理气体从处理气体供给源51供给至气体导入口46。从处理气体供给源51供给至气体导入口46的处理气体被供给至气体扩散室45，之后经由多个气体流出口47和多个气体导入口48呈喷淋状地供给至腔室1的处理空间5。
在晶圆65被保持于静电吸盘17的期间，控制装置80通过控制传热气体供给部34来向传热气体供给流路26供给传热气体，将传热气体供给至静电吸盘17与晶圆65之间。控制装置80还通过控制冷却装置33来使被冷却至规定的温度的制冷剂循环至制冷剂循环流路25，以使静电吸盘17被冷却。
将晶圆65被保持于静电吸盘17的期间，控制装置80还通过将电力供给部32-1的开关71进行开闭来在多个通电期间103从交流电源73向加热器23-1供给交流电力。控制装置80还通过控制电力供给部32-1的电阻值传感器72来在多个通电期间103的每个通电期间测定加热器23-1的电阻值。控制装置80参照多个校正后转换表中的与加热器23-1对应的校正后转换表，基于该测定出的电阻值来计算加热器23-1的温度。通过校正后转换表，该计算出的温度同与该测定出的电阻值相对应的温度相等。在该计算出的温度比目标温度小时，控制装置80变更多个通电期间103，以使多个通电期间103相对于从交流电源73输出的交流电压为正的多个期间的比率变大。在该计算出的温度比目标温度大时，控制装置80变更多个通电期间103，以使多个通电期间103相对于交流电压为正的多个期间的比率变小。控制装置80通过将电力供给部32-1的开关71进行开闭，来在该变更后的多个通电期间103从交流电源73向加热器23-1供给交流电力。
控制装置80通过像这样变更多个通电期间103的比率，能够高精度地调整加热器23-1的温度，以使加热器23-1的温度成为目标温度。控制装置80关于多个加热器23-1～23-n中的与加热器23-1不同的其它加热器，也与加热器23-1同样地使用多个校正后转换表中的与该加热器对应的校正后转换表来调整温度。此时，晶圆65经由被供给至静电吸盘17与晶圆65之间的传热气体从静电吸盘17向晶圆65进行传热，由此进行温度调整以使晶圆65的温度成为目标温度。
在将晶圆65的温度调整为规定的温度的期间，控制装置80通过控制第一高频电源37和第二高频电源38来向载置台11的基材16供给高频电力。在处理空间5中的载置台11与喷淋头41之间的区域，通过向载置台11的基材16供给高频电力来产生等离子体。控制装置80通过控制可变直流电源55和开关57，来从可变直流电源55向喷淋头41施加规定大小的直流电压。此时，晶圆65通过在处理空间5中产生的等离子体而被蚀刻。
在晶圆65被恰当地蚀刻后，控制装置80控制第一高频电源37和第二高频电源38，以停止向载置台11的基材16供给高频电力。控制装置80还控制可变直流电源55和开关57，以使不向喷淋头41施加直流电压。控制装置80还通过控制闸阀3来将开口部7打开。控制装置80还通过控制直流电源31来解除静电吸盘17对晶圆65的保持。在晶圆65未保持于静电吸盘17的情况下，在开口部7打开的期间，经由开口部7从腔室1的处理空间5搬出该晶圆65。根据这样的等离子体蚀刻方法，能够将晶圆65的温度恰当地调整为规定的温度，从而恰当地蚀刻晶圆65。
图8是表示实施方式的基板处理装置10具备的加热器23-1的电阻值与加热器23-1的温度的关系的曲线图。图8的曲线图的线131表示加热器23-1的电阻值与加热器23-1的温度的关系。线131表示随着加热器23-1的温度变高而加热器23-1的电阻值变大。图8的曲线图的线132表示由电力供给部32-1的电阻值传感器72测定出的电阻值与加热器23-1的温度的关系。线132表示随着加热器23-1的温度变高而由电力供给部32-1的电阻值传感器72测定的电阻值变大。
由电力供给部32-1的电阻值传感器72测定出的电阻值由于在包括加热器23-1和电阻值传感器72的电路中设置的电要素而有时与加热器23-1的电阻值不同。作为电要素，例示配线、端子、过滤器。图8的曲线图表示线131与线132为大致相同形状，通过使线131与横轴平行地平移来使其与线132大致重合。图8的曲线图表示通过偏离调整且根据转换表111-1制作出的校正后转换表能够使由电力供给部32-1的电阻值传感器72测定出的电阻值与加热器23-1的温度恰当地对应。控制装置80通过参照这样的校正后转换表，能够高精度地计算加热器23-1的温度，从而能够高精度地调整加热器23-1的温度。控制装置80通过参照多个校正后转换表，能够与参照这样的校正后转换表时同样地高精度地计算多个加热器23-1～23-n的温度，从而能够高精度地调整多个加热器23-1～23-n的温度。
图9是表示第一电阻值测定试验中的比较例的多个温度差和实施例的多个温度差的曲线图。在第一电阻值测定试验中，使用电阻值传感器72对多个加热器23-1～23-n的电阻值进行多次测定，参照多个校正后转换表，根据该测定出的多个电阻值分别计算多个加热器23-1～23-n的温度。图9的曲线图的多个测定区编号分别用于识别多个区域66-1～66-n，即分别用于识别多个加热器23-1～23-n，分别用于识别多个电力供给部32-1～32-n的电阻值传感器72。多个温度差与多个测定区编号对应，即与多个加热器23-1～23-n对应。例如，多个温度差中的与加热器23-1对应的温度差表示从加热器23-1的第十次的温度减去加热器23-1的第一次的温度所得到的值。加热器23-1的第十次的温度表示基于由电力供给部32-1的电阻值传感器72在第十次测定出的电阻值计算出的温度。加热器23-1的第一次的温度表示基于由电力供给部32-1的电阻值传感器72在第一次测定出的电阻值计算出的温度。
图9的曲线图的折线142表示比较例的多个温度差，并且表示多次进行电阻值的测定的间隔的长度为1秒时、即多次进行电阻值的测定的间隔的长度比间隔122的长度短时的多个温度差。折线142表示多个温度差比较大，并且表示多个温度差的偏差为0.26℃。折线141表示实施例的多个温度差，并且表示多次进行电阻值的测定的间隔的长度为5秒时、即多次进行的电阻值的测定的间隔的长度与间隔122的长度相等时的多个温度差。折线141表示实施例的多个温度差相比于比较例的多个温度差小。折线141还表示实施例的多个温度差的偏差为0.04℃，并且表示实施例的多个温度差的偏差相比于比较例的多个温度差的偏差小。
图9的曲线图表示在进行电阻值的测定的间隔的长度足够长时，进行电阻值的测定时的电力供给能够抑制下一次进行电阻值的测定时的多个加热器23-1～23-n的升温，能够高精度地计算多个加热器23-1～23-n的温度。即，图9的曲线图表示通过已述的基板处理方法的偏离调整能够高精度地计算多个加热器23-1～23-n的温度。基板处理系统通过高精度地计算多个加热器23-1～23-n的温度，能够高精度地调整晶圆65的温度，从而能够恰当地进行晶圆65的处理。
图10是表示第二电阻值测定试验中的比较例的多个温度和实施例的多个温度的曲线图。在第二电阻值测定试验中，使用电阻值传感器72来对加热器23-1的电阻值进行多次测定，参照校正后转换表，根据该测定出的多个电阻值来计算加热器23-1的温度。折线152表示比较例的多个温度。比较例的多个温度分别表示多个加热器23-1～23-n中的与加热器23-1不同的其它相邻加热器同加热器23-1并行地进行电力供给时的加热器23-1的温度。多个区域66-1～66-n中的与该相邻加热器对应的区域同区域66-1相邻。折线152表示比较例的多个温度的偏差为0.19℃，并且表示比较例的多个温度的偏差比较大。
折线151表示实施例的多个温度。实施例的多个温度分别表示多个加热器23-1～23-n中的与加热器23-1不同的其它非相邻加热器与加热器23-1并行地进行电力供给时的加热器23-1的温度。多个区域66-1～66-n中的与该非相邻加热器对应的区域不与区域66-1相邻。折线151表示实施例的多个温度的偏差为0.04℃，并且表示实施例的多个温度的偏差相比于比较例的多个温度的偏差小。
图10的曲线图表示在测定加热器23-1的电阻值时不测定将与区域66-1相邻的区域进行加热的加热器的电阻值由此更高精度地测定加热器23-1的电阻值的情况。即，图10的曲线图表示通过已述的基板处理方法的偏离调整能够高精度地计算多个加热器23-1～23-n的温度。基板处理系统通过偏离调整来高精度地计算多个加热器23-1～23-n的温度，由此能够恰当地制作多个校正后转换表。基板处理系统通过恰当地制作多个校正后转换表，能够高精度地计算多个加热器23-1～23-n的温度。基板处理系统通过高精度地计算多个加热器23-1～23-n的温度，能够高精度地调整晶圆65的温度，从而能够恰当地进行晶圆65的处理。
[实施方式的基板处理系统的效果]
实施方式的基板处理系统具备载置台11、加热器23-1、电力供给部32-1、电阻值传感器72以及控制装置80。在载置台11上载置晶圆65。加热器23-1通过被供给电力而将晶圆65进行加热。电力供给部32-1向加热器23-1供给电力。设置于电力供给部32-1的电阻值传感器72测定加热器23-1的电阻值。控制装置80记录使多个电阻值与多个温度相对应的转换表111-1，在加热器23-1的温度为参考温度时获取由电力供给部32-1的电阻值传感器72测定的第一参考电阻值。控制装置80在通过加热器23-1将晶圆65进行加热的期间获取由电力供给部32-1的电阻值传感器72测定的第一温度调整用电阻值。控制装置80基于转换表111-1、参考温度、第一参考电阻值以及第一温度调整用电阻值来控制电力供给部32-1。
在这样的基板处理系统中，即使在转换表111-1中的电阻值与温度的对应关系偏离了电阻值的测定值与加热器23-1的温度的对应关系的情况下，也能够根据电阻值的测定值高精度地计算加热器23-1的温度。基板处理系统通过高精度地计算加热器23-1的温度，能够高精度地调整加热器23-1的温度，从而能够高精度地调整晶圆65的温度，恰当地处理晶圆65。
另外，实施方式的基板处理系统还具备多个加热器23-1～23-n、多个电力供给部32-1～32-n以及多个电阻值传感器。控制装置80还记录与多个加热器23-1～23-n对应的多个转换表111-1～111-n。控制装置80在测定第一参考电阻值的期间，获取由多个电力供给部32-1～32-n中的与加热器23-2对应的电力供给部32-2的电阻值传感器72测定的第二参考电阻值。控制装置80在通过加热器23-2将晶圆65进行加热的期间，获取由电力供给部32-2的电阻值传感器72测定的第二温度调整用电阻值。控制装置80基于参考温度和第二参考电阻值来对多个转换表111-1～111-n中的与加热器23-2对应的转换表111-2进行偏离调整，由此制作校正后转换表。控制装置80基于参照校正后转换表并且基于第二温度调整用电阻值计算的温度，来控制多个电力供给部32-1～32-n中的向加热器23-2供给电力的电力供给部32-2。
这样的基板处理系统并行地测定多个加热器23-1、23-2的电阻值，由此能够以短时间测定多个加热器23-1～23-n的全部加热器的电阻值。基板处理系统通过以短时间测定多个加热器23-1～23-n的全部加热器的电阻值，能够以短时间设置好。
另外，实施方式的基板处理系统的载置台11中的与晶圆65相向的载置面被分割为与多个加热器23-1～23-n对应的多个区域66-1～66-n。例如，加热器23-1通过将多个区域66-1～66-n中的与加热器23-1对应的区域66-1进行加热来将晶圆65进行加热。加热器23-2通过将多个区域66-1～66-n中的与加热器23-2对应的区域66-2进行加热来将晶圆65进行加热。此时，区域66-2以不与区域66-1相邻的方式配置。
这样的基板处理系统能够抑制在进行加热器23-2的电阻值的测定时使加热器23-1被加热的热干扰，从而能够高精度地测定与多个加热器23-1～23-n对应的多个参考电阻值。基板处理系统通过高精度地测定多个参考电阻值，能够高精度地制作多个校正后转换表，从而能够根据电阻值的测定值来高精度地计算多个加热器23-1～23-n的温度。
另外，实施方式的基板处理系统的多个电力供给部32-1～32-n的电阻值传感器72在多个测定期间121-1～121-m中的任一测定期间分别测定与多个加热器23-1～23-n对应的多个参考电阻值。例如，在多个测定期间121-1～121-m中的测定第一参考电阻值、第二参考电阻值的测定期间121-1的下一个测定期间121-2测定多个参考电阻值中的与加热器23-3对应的第三参考电阻值。此时，多个区域66-1～66-n中的与加热器23-3对应的区域66-3以不与区域66-1相邻并且不与区域66-2相邻的方式配置。
这样的基板处理系统能够抑制加热器23-1、23-2的热对加热器23-3的电阻值的测定产生影响的热干扰，从而能够高精度地测定与多个加热器23-1～23-n对应的多个参考电阻值。基板处理系统通过高精度地测定多个参考电阻值，能够高精度地制作多个校正后转换表，从而能够根据电阻值的测定值高精度地计算多个加热器23-1～23-n的温度。
另外，在已述的基板处理方法的偏离调整中，在测定期间121-2被加热的多个第二区域与在测定期间121-1被加热的多个第一区域不相邻，但也可以与多个第一区域相邻。在该情况下，基板处理系统通过使多个第一区域互不相邻，也能够抑制热干扰，从而能够高精度地测定多个加热器23-1～23-n中的与多个第一区域对应的加热器的参考电阻值。基板处理系统还在测定期间121-1测定多个第加热器的参考电阻值，能够以短时间获取与多个加热器23-1～23-n对应的多个参考电阻值。并且，即使转换表111-1中的电阻值与温度的对应关系偏离了电阻值的测定值与加热器23-1的温度的对应关系，基板处理系统也能够根据电阻值的测定值高精度地计算加热器23-1的温度。
另外，在已述的基板处理方法的偏离调整中，在测定期间121-1被加热的多个第一区域互不相邻，但也可以彼此相邻。在该情况下，基板处理系统通过在一个测定期间121-1测定多个第加热器的参考电阻值，能够以短时间获取与多个加热器23-1～23-n对应的多个参考电阻值。并且，即使转换表111-1中的电阻值与温度的对应关系偏离了电阻值的测定值与加热器23-1的温度的对应关系，基板处理系统也能够根据电阻值的测定值高精度地计算加热器23-1的温度。
另外，在已述的基板处理方法的偏离调整中，在多个测定期间121-1～121-m的各测定期间测定多个加热器23-1～23-n中的两个以上的加热器的电阻值，但也可以仅测定一个加热器的电阻值。在该情况下，即使转换表111-1中的电阻值与温度的对应关系偏离了电阻值的测定值与加热器23-1的温度的对应关系，基板处理系统也能够根据电阻值的测定值高精度地测定加热器23-1的温度。
此外，在已述的基板处理装置10中，使用等离子体来蚀刻晶圆65，但作为该等离子体，能够使用各种等离子体。作为该等离子体，例示CCP(Capacitively Coupled Plasma：电容耦合等离子体)、ICP(Inductively Coupled Plasma：电感耦合等离子体)、Radial LineSlot Antenna(径向线缝隙天线)。作为该等离子体，还例示ECR(Electron CyclotronResonance Plasma：电子回旋共振等离子体)、HWP(Helicon Wave Plasma：螺旋波等离子体)。
附图标记说明
10：基板处理装置；11：载置台；23-1～23-n：多个加热器；32-1～32-n：多个电力供给部；33：冷却装置；65：晶圆；66-1～66-n：多个区域；71：开关；72：电阻值传感器；80：控制装置；111-1～111-n：多个转换表；121-1～121-m：多个测定期间。

Claims (4)

1.一种基板处理系统，具备：
载置台，其用于载置基板；
多个加热器，其通过被供给电力来将所述基板进行加热；
多个电力供给部，其分别向所述多个加热器供给电力；
多个传感器，其与所述多个加热器相对应；以及
控制装置，
其中，所述控制装置被配置为：
记录与所述多个加热器对应的多个转换表，其中，所述多个转换表中的多个电阻值与多个温度相关联；
获取与所述多个加热器对应的多个参考电阻值，其中，在所述多个加热器中的一个加热器的温度为参考温度时由多个传感器测定多个参考电阻值；
获取与所述多个加热器对应的多个温度调整用电阻值，其中，在通过所述多个加热器将所述基板进行加热的期间由所述多个传感器测定所述多个温度调整用电阻值；以及
基于所述多个转换表、所述参考温度、所述多个参考电阻值以及所述多个温度调整用电阻值来控制所述多个电力供给部，
其中，多个传感器在多个测定期间中的任一测定期间分别测定多个参考电阻值，
在所述多个测定期间中的第一测定期间测定所述多个参考电阻值中的与第一加热器对应的第一参考电阻值，
在所述多个测定期间中的所述第一测定期间的接下来的第二测定期间测定所述多个参考电阻值中的与第二加热器对应的第二参考电阻值，
多个区域中的与所述第二加热器对应的第二区域以不与所述多个区域中的与所述第一加热器对应的第一区域相邻的方式配置。
2.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，
所述控制装置被配置为：
获取由所述多个传感器中的与所述第一加热器对应的第一传感器测定的所述第一参考电阻值，
在通过所述第一加热器将所述基板进行加热的期间获取由所述第一传感器测定的第一温度调整用电阻值，
所述控制装置基于所述多个转换表中的与所述第一加热器对应的第一转换表、所述参考温度、所述第一参考电阻值以及所述第一温度调整用电阻值，来控制所述多个电力供给部中的向所述第一加热器供给电力的第一电力供给部。
3.根据权利要求2所述的基板处理系统，其特征在于，
所述载置台中的与所述基板相向的载置面被分割为与所述多个加热器对应的所述多个区域，
所述第二加热器通过将所述多个区域中的与所述第二加热器对应的区域进行加热来将所述基板进行加热，
所述第一加热器通过将所述多个区域中的与所述第一加热器对应的第一区域进行加热来将所述基板进行加热。
4.一种基板处理方法，是使用基板处理装置执行的基板处理方法，
所述基板处理装置具备：
载置台，其用于载置基板；
多个加热器，其通过被供给电力来将所述基板进行加热；
多个电力供给部，其分别向所述多个加热器供给电力；以及
多个传感器，其与所述多个加热器相对应，
所述基板处理方法包括：
记录与所述多个加热器对应的多个转换表，其中，所述多个转换表中的多个电阻值与多个温度相关联；
获取与所述多个加热器对应的多个参考电阻值，其中，在所述多个加热器中的一个加热器的温度为参考温度时由多个传感器测定多个参考电阻值；
获取与所述多个加热器对应的多个温度调整用电阻值，其中，在通过所述多个加热器将所述基板进行加热的期间由所述多个传感器测定所述多个温度调整用电阻值；以及
基于所述多个转换表、所述参考温度、所述多个参考电阻值以及所述多个温度调整用电阻值来控制所述多个电力供给部，
其中，多个传感器在多个测定期间中的任一测定期间分别测定多个参考电阻值，
在所述多个测定期间中的第一测定期间测定所述多个参考电阻值中的与第一加热器对应的第一参考电阻值，
在所述多个测定期间中的所述第一测定期间的接下来的第二测定期间测定所述多个参考电阻值中的与第二加热器对应的第二参考电阻值，
多个区域中的与所述第二加热器对应的第二区域以不与所述多个区域中的与所述第一加热器对应的第一区域相邻的方式配置。
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