CN111799057B - 电子部件、电子部件安装基板和电子部件的制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 253
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 224
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims abstract description 214
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 42
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 41
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 18
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 15
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 15
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 claims description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 abstract description 24
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 55
- 239000006089 photosensitive glass Substances 0.000 description 30
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 25
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 24
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 23
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 19
- 101150077194 CAP1 gene Proteins 0.000 description 16
- 101100245221 Mus musculus Prss8 gene Proteins 0.000 description 15
- 239000005340 laminated glass Substances 0.000 description 15
- 101150014715 CAP2 gene Proteins 0.000 description 14
- 101100260872 Mus musculus Tmprss4 gene Proteins 0.000 description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100326803 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) fac-2 gene Proteins 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- PAZHGORSDKKUPI-UHFFFAOYSA-N lithium metasilicate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-][Si]([O-])=O PAZHGORSDKKUPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052912 lithium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 240000001973 Ficus microcarpa Species 0.000 description 1
- 239000006090 Foturan Substances 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100438378 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) fac-1 gene Proteins 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 cerium ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/29—Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
- H01F27/292—Surface mounted devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/2804—Printed windings
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/29—Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
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- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
- H01F41/041—Printed circuit coils
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
-
- H—ELECTRICITY
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
- H01F2017/0026—Multilayer LC-filter
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/2804—Printed windings
- H01F2027/2809—Printed windings on stacked layers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
- H03H2001/0021—Constructional details
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
- H03H2001/0021—Constructional details
- H03H2001/0085—Multilayer, e.g. LTCC, HTCC, green sheets
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Abstract
本发明在使用玻璃的电子部件中减少因烧制而产生的影响。电子部件具备：单层玻璃板；外表面导体，其为电气元件的至少一部分，且配置于上述单层玻璃板的外表面的上方；和端子电极，其为上述电气元件的端子，配置于上述单层玻璃板的外表面的上方，并与上述外表面导体电连接。
Description
技术领域
本公开涉及电子部件、电子部件安装基板和电子部件的制造方法。
背景技术
专利文献1公开具备在内部装入有导体的层叠玻璃体(multi-layer glass body)的层叠型电感部件的制造方法。具体而言，首先，准备多个在将包括玻璃粉末的玻璃浆料片材化得到的玻璃生片上印刷涂覆包括Ag或者Cu等导体粉末的导体膏所得到的部件。接下来，层叠印刷涂覆有导体膏的多个玻璃生片，并切出为单片。此时，使导体膏的端部从单片暴露。
接下来，烧制该单片，形成玻璃浆料烧结了的层叠玻璃体、导体膏烧结了的内部导体。此时，内部导体与层叠玻璃体一体化，并以仅端部暴露的状态装入层叠玻璃体的内部。
接下来，在从层叠玻璃体暴露的内部导体的端部实施镀敷，形成用于进行与外部之间的电连接的端子电极。由此，包括由内部导体和端子电极构成的电感元件的层叠型电感部件完成。
专利文献1：日本特开2013-98350号公报
玻璃由于绝缘性、物理和化学上稳定性等优点，被作为电子部件的绝缘体、构造体广泛使用。特别是，如专利文献1那样，具有在层叠玻璃体内装入有内部导体的构造的层叠型电感部件很适合作为谋求非磁性构造的高频信号用的小型电感部件。
另一方面，具有在层叠玻璃体内装入有内部导体的构造的电子部件较大地受到因烧制带来的影响。具体而言，在通过烧制使玻璃浆料、导体膏烧结分别成为层叠玻璃体、内部导体时，除了作为膏成分的有机材料挥发之外，玻璃粉末、导体粉末烧固。因此，针对形成玻璃浆料、导体膏时它们的形状、位置关系，无论怎样提高精度，均会出现烧制后的层叠玻璃体、内部导体的形状、位置关系相对于膏形成时发生变化。由此，对于具有在层叠玻璃体内装入有内部导体的构造的电子部件而言，关于烧制后的最终外形、特性，避免不了产生不一致。
另外，对于具有在层叠玻璃体内装入内部导体的构造的电子部件而言，由于玻璃粉末、导体粉末、有机材料之间的热膨胀系数的差异、上述的玻璃粉末、导体粉末成为层叠玻璃体、内部导体时的变化，故而容易在经由烧制形成的层叠玻璃体存积内部应力。特别是，在位于层叠起来的玻璃生片的界面处的导体膏所处部位的附近处，存积较大的内部应力。由此，烧制后的电子部件中裂缝、断线的风险变高，对外力、热的耐受性进一步降低。另外，内部应力可成为对电子部件的电特性带来畸变的原因。
并且，对于具有在层叠玻璃体内装入有内部导体的构造的电子部件而言，内部导体不仅需要在制造过程中形成在膏上，而且需要耐受烧制的高温，因此内部导体的材料、工艺上的选择自由度降低。
发明内容
本公开的目的在于提供能够在使用了玻璃的电子部件中减少因烧制带来的影响的构造。
本公开的一方式所涉及的电子部件具备：单层玻璃板；外表面导体，其为电气元件的至少一部分，且配置于上述单层玻璃板的外表面的上方；和端子电极，其为上述电气元件的端子，配置于上述单层玻璃板的外表面的上方，并与上述外表面导体电连接。
此外，在本说明书中“单层玻璃板(single-layer glass plate)”是相对于层叠玻璃体的概念，更具体而言，是指在内部没有装入有在玻璃内一体化了的导体即没有内部导体的玻璃的板。
另外，“单层玻璃板的外表面”不只是单层玻璃板的朝向外周侧的面的意思，还是单层玻璃板的成为玻璃体的外侧与内侧之间的边界的面。另外，“外表面的上方”不是由重力方向规定的铅垂上方那样的绝对的一个方向，而是以外表面为基准朝向以该外表面为边界的外侧和内侧中的外侧的方向。因此，“外表面的上方”是根据外表面的朝向决定的相对的方向。根据以上内容，“配置于单层玻璃板的外表面的上方”是指位于玻璃体的外侧，没有装入单层玻璃板的玻璃体。
此外，单层玻璃板的烧结后的贯通孔、槽部的表面也是成为玻璃体的外侧与内侧的边界的面，因此包含于上述“单层玻璃板的外表面”。上述的玻璃体的外侧与内侧的边界能够通过使用了扫描式电子显微镜(SEM)等的单层玻璃板的截面解析而容易地掌握。
另外，相对于某个要素的“上方(above)”不仅包括与该要素分离的上方即隔着该要素上的其他物体的上侧的位置、隔开间隔的上侧的位置，还包括与该要素接触的正上方的位置(on)。
对于上述方式的电子部件而言，在单层玻璃板的外表面上配置有外表面导体，因此外表面导体没有装入单层玻璃板。因此，在上述电子部件中能够减少因烧制产生的影响。
附图说明
图1是从底面侧观察电感部件1看到的示意立体图。
图2是从顶面侧观察电感部件1看到的示意立体图。
图3是电感部件1的示意剖视图。
图4是电感部件1的示意剖视图。
图5是电感部件1的示意剖视图。
图6是电感部件1的示意俯视图。
图7是电感部件1的示意俯视图。
图8是电感部件1的示意俯视图。
图9是电感部件1的示意剖视图。
图10是从底面侧观察电感部件1a看到的示意立体图。
图11是电感部件1a的示意剖视图。
图12是电感部件1的示意侧视图。
图13是电容器部件2的示意剖视图。
图14是电子部件3的电路图。
图15是电子部件3的示意俯视图。
图16是电子部件3的示意剖视图。
图17是电子部件3的示意仰视图。
图18是电子部件4的示意立体图。
图19是电子部件安装基板5的示意剖视图。
附图标记说明
1...电感部件；2...电容器部件；3、4...电子部件；5...电子部件安装基板10、10A...单层玻璃板；10B...第2单层玻璃板；11、21、31、41...外表面导体；11b、31b...底面导体；11g、31ga、31gb...槽部导体；11t...顶面导体；12、22、32...端子电极；13、23、33、43...贯通布线；14、24...保护膜；15...基底绝缘层；21b...底面平板电极；21t...顶面平板电极；31ba、31bc...对置平板电极；100...外表面；100b、100Ab、100Bb...底面；100t、100At、100Bt...顶面；101...结晶部；102...低透过率部；103...加强部；110...卷绕布线；121、221、321...第1端子电极；122、222、322...第2端子电极；123...锚固部；323...第3端子电极；AX...卷绕轴线；C、C1、C2、C3...空腔；Cap、Cap1、Cap2...电容器元件；G1、G2...槽部；L...电感元件；V...贯通孔。
具体实施方式
以下，使用附图对本公开的一方式的实施方式进行说明。此外，附图是示意的，有时对整体和各部分的尺寸、位置关系、形状进行变形、省略。
＜第1实施方式＞
以下对第1实施方式所涉及的电感部件1进行说明。图1是从底面侧观察电感部件1看到的示意立体图，图2是从顶面侧观察电感部件1看到的示意立体图。
1.概要结构
对电感部件1的概要结构进行说明。电感部件1是包括例如高频信号传输电路所使用的电感元件L来作为电气元件的表面安装型的电子部件。电感部件1具备：单层玻璃板10；外表面导体11，其为电感元件L的至少一部分，且配置于单层玻璃板10的外表面100的上方；和端子电极12，其为电感元件L的端子，配置于单层玻璃板10的底面100b的上方，并与外表面导体11电连接。
根据上述结构，对于电感部件1而言，在单层玻璃板10的外表面100的上方配置有外表面导体11和端子电极12，因此外表面导体11和端子电极12没有装入单层玻璃板10。因此，能够减少在电感部件1中因烧制带来的影响。
另外，电感部件1还具备贯通布线13，该贯通布线13为电感元件L的至少一部分，贯通在单层玻璃板10形成的贯通孔V，并与外表面导体11电连接。
根据上述结构，对于电感部件1而言，能够相对于配置于外表面100的上方的外表面导体11、端子电极12沿垂直方向形成布线，电感元件L的形成自由度提高。
另外，对于电感部件1而言，单层玻璃板10的外表面100包括单层玻璃板10的一个主面亦即底面100b，端子电极12包括电感元件L的输入输出端子亦即第1端子电极121和第2端子电极122。并且，对于电感部件1而言，第1端子电极121和第2端子电极122是在底面100b的上方具有与底面100b平行的主面的形状。
根据上述结构，电感部件1在底面100b侧具备电感元件L的输入输出端子，上述电感元件L的输入输出端子具有能够供焊料沿与底面100b平行的方向附着的面，因此上述电感部件1成为能够实现以底面100b为安装面的表面安装、并且能够减少安装面积的表面安装型电子部件。
另外，对于电感部件1而言，外表面100还包括位于底面100b的背面侧的顶面100t，外表面导体11包括：分别配置于底面100b的上方、顶面100t的上方并由贯通布线13相互电连接的底面导体11b、顶面导体11t。并且，对于电感部件1而言，由底面导体11b、顶面导体11t和贯通布线13构成的卷绕布线110绕与底面100b平行的卷绕轴线AX卷绕。
根据上述结构，卷绕轴线AX与电感部件1的安装面平行，因此，由电感元件L产生的磁通量的主成分亦即在卷绕布线110的内径通过的磁通量没有与安装基板交叉，能够减少由涡流损耗引起的电感元件L的Q值降低，也能够减少对安装基板的噪声辐射。
另外，对于电感部件1而言，单层玻璃板10具有空腔C。由此，有效介电常数比没有空腔C的单层玻璃板10降低，能够减少在外表面导体11、端子电极12、贯通布线13和安装基板的布线图案任一者之间形成的杂散电容，特别是能够抑制电感元件L的自谐振频率的降低。
此外，通过后述的加工方法，空腔C能够在单层玻璃板10的任意部位以任意形状形成。例如，对于电感部件1而言，在端子电极12的周围具有空腔C1。另外，对于电感部件1而言，卷绕布线110绕卷绕轴线AX卷绕2圈以上，单层玻璃板10在相邻的卷绕布线110之间具有空腔C2。另外，对于电感部件1而言，单层玻璃板10在包括卷绕轴线AX的位置具有空腔C3。
如上述那样，在电感部件1中，若在电位差大、容易产生电场线的位置处形成空腔C1～C3，则能够更有效地减少杂散电容。此外，在电感部件1中，也可以仅具有空腔C1～C3中的一个或者两个，也可以不具有空腔C1～C3。此外，空腔C1～C3可以贯通也可以不贯通单层玻璃板10，只要至少形成于布线附近即可。例如，空腔C1～C3均不贯通单层玻璃板10。另外，针对空腔C1～C3，也可以填充含有铁氧体板、金属磁性粉、铁氧体粉等磁性粉的树脂等的磁性体。
并且，如图2所示，对于电感部件1而言，单层玻璃板10具有(由截面线示出)结晶部101。由此，能够通过结晶部101来调整单层玻璃板10的有效介电常数，能够增加或减少在外表面导体11、端子电极12、贯通布线13和安装基板的布线图案任一者之间形成的杂散电容，特别是能够调整电感元件L的自谐振频率。
图2中，对于电感部件1而言，单层玻璃板10在包括卷绕轴线AX的位置具有结晶部101，但不限定于结晶部101的位置，空腔C1～C3和结晶部101能够相互置换位置。另外，也可以仅具有空腔C和结晶部101的任一者，也可以不具有空腔C和结晶部101双方。另外，在如电感部件1那样空腔C3和结晶部101双方处于包括卷绕轴线AX的位置的情况下，其深度也可以相同，也可以不同，空腔C1与结晶部101也可以邻接，也可以隔开间隔。
接下来，对电感部件1的截面形状进行说明。图3和图4是电感部件1的示意剖视图。具体而言，图3的截面，针对包括卷绕轴线AX并与底面100b正交的截面，将第2端子电极122侧的底面100b附近的局部放大。另外，图4的截面，针对包括卷绕轴线AX并与顶面100t正交的截面，将顶面100t附近的局部放大。
如图3和图4所示，对于电感部件1而言，作为单层玻璃板10的外表面100的底面100b、顶面100t分别具有比周围凹陷的槽部G1、G2，外表面导体11包括配置于槽部G1、G2内的槽部导体11g。
在上述结构中，通过槽部G1、G2限制槽部导体11g的形成范围，因此高精度地形成槽部导体11g。因此，对于电感部件1而言，电感元件L的形状、特性的精度进一步提高。另外，容易使端子电极12比槽部导体11g向底面100b侧突出，因此不易在电感部件1向安装基板安装时使焊料附着于槽部导体11g，电感部件1的安装性提高。
另外，此时，更优选在相邻的槽部导体11g之间配置有单层玻璃板10，由此，使隔着单层玻璃板10相邻的槽部导体11g之间的绝缘性、耐迁移性更加提高。在这种情况下，与不隔着单层玻璃板10的情况比较，能够使槽部导体11g之间的间隔更小，对于电感部件1的外形而言的电感值(L值)的获取效率提高。
另外，如图3所示，在电感部件1的底面100b侧，槽部导体11g的厚度11T小于槽部G1的深度G1T。由此，槽部导体11g没有从单层玻璃板10突出，因此在电感部件1制造、安装时等，槽部导体11g不易损伤。
此外，如图3所示，对于电感部件1而言，优选具备覆盖外表面导体11(槽部导体11g)的保护膜14。由此，能够抑制外表面导体11的损伤。而且，对于电感部件1而言，槽部导体11g的厚度11T小于槽部G1的深度G1T，因此能够使保护膜14变薄。这意味着能够减少保护膜14占电感部件1的高度尺寸的比例，在这种情况下，能够更大地得到卷绕布线110的卷绕形状的内径，因此电感部件1的外形的L值、Q值的获取效率提高。
此外，保护膜14不是必要的结构，电感部件1也可以不具备保护膜14，也可以仅局部具备保护膜14。例如，特别是，保护膜14优选覆盖外表面导体11，并使端子电极12暴露。另外，虽同样不是必要的，但通过保护膜14覆盖单层玻璃板10，能够减少单层玻璃板10的损伤。
另外，如图4所示，在电感部件1的顶面100t侧，槽部导体11g的厚度11T大于槽部G2的深度G2T。由此，在规定了电感部件1的高度尺寸的情况下，与不是在槽部G2上配置而是在顶面100t上配置的外表面导体11相比，能够使槽部导体11g的厚度11T变大，能够减少槽部导体11g的直流电阻。由此，电感部件1的单位外形的Q值的获取效率提高。另外，通过使厚度11T变大，由此槽部导体11g的热容也提高，因此电感元件L的散热特性也提高。
此外，在上述说明中，电感部件1的底面100b、顶面100t分别具有深度与槽部导体11g的厚度11T之间的关系不同的深度G1T、G2T的槽部G1、G2，但电感部件1不局限于该结构。例如，也可以在顶面100t形成槽部G1，在底面100b侧形成槽部G2，也可以在底面100b和顶面100t双方或者单侧仅形成槽部G1或者槽部G2任一者。
另外，槽部G1、G2不是电感部件1的必要结构。图5是电感部件1的示意剖视图，且示出与图3相当的截面。如图5所示，外表面导体11也可以不包括槽部导体11g。另外，也可以成为每当外表面导体11卷绕时具有槽部G1的结构、具有槽部G2的结构、或者没有槽部的结构中的任一种。
另外，如图3所示，电感部件1还具备从第2端子电极122向单层玻璃板10的内部突出的锚固部123。虽未图示，但第1端子电极121侧也具有相同的结构。由此，端子电极12相对于单层玻璃板10的固定力提高。此外，图3中，锚固部123从底面100b突出至单层玻璃板10的中间位置，但也可以是，锚固部123通过突出至顶面100t而贯通单层玻璃板10。
另外，锚固部123在形成于单层玻璃板10的孔形成，但锚固部123优选填充于该孔整体，由此端子电极12相对于单层玻璃板10的固定力更加提高。
另外，锚固部123不是电感部件1的必要结构，也可以不具备锚固部123，也可以仅在第1端子电极121、第2端子电极122中一侧具备。并且，图3中，两个锚固部123从第2端子电极122突出，但不限定于该数量，也可以为一个，也可以为三个以上。
此外，如附图所示，以下，为了方便说明，将单层玻璃板10的长边方向且从第1端子电极121朝向第2端子电极122的方向设为x方向。另外，将与x方向正交的方向中的从底面100b朝向顶面100t的方向设为z方向，将与x方向和z方向正交的方向且按x、y、z的顺序排列时构成右手系统的方向设为y方向。另外，在不考虑朝向的情况下等，有时将分别与x方向、y方向、z方向平行的方向分别记载为L方向、W方向、T方向。
根据前述的定义，作为外表面100的底面100b的上方是从底面100b朝向z方向反向的方向，作为外表面100的顶面100t的上方是从顶面100t朝向z方向的方向。另外，槽部导体11g等的外表面导体11的厚度是与位于外表面导体11的下方的外表面100正交的方向上的厚度，例如，在图3、图4中，槽部导体11g的厚度成为T方向上的导体的厚度。
2.各部结构
(单层玻璃板10)
单层玻璃板10作为电感部件1的绝缘体、构造体发挥功能。作为单层玻璃板10的材料，从后述的制造方法的观点考虑，优选以FoturanII(SchottAG公司注册商标)为代表的具有感光性的玻璃板。特别是，单层玻璃板10优选含有氧化铈(Ceria：CeO2)，在这种情况下，氧化铈成为增感剂，使光刻加工变得更容易。
但是，单层玻璃板10能够通过钻、喷砂等机械加工、使用了光致抗蚀剂、金属掩膜等的干式/湿式蚀刻加工、激光加工等进行加工，因此也可以是不具有感光性的玻璃板。另外，单层玻璃板10也可以烧结玻璃浆料而成，也可以通过浮法等公知的方法形成。
单层玻璃板10是与玻璃体的内部一体化的内部导体等没有装入布线的单层的板状构件。特别是，单层玻璃板10具有外表面100，该外表面100作为玻璃体的外侧和内侧之间的边界。形成于单层玻璃板10的贯通孔V、槽部G1、G2也成为玻璃体的外侧与内侧之间的边界，因此包含于外表面100。单层玻璃板10基本上为非晶体状态，但也可以具有结晶部101。例如在上述FoturanII的情况下，非晶体状态的玻璃的介电常数为6.4，相对于此，通过结晶化能够使介电常数减少至5.8。由此，能够减少结晶部101附近的导体之间的寄生电容。
(外表面导体11)
外表面导体11是在单层玻璃板10的外表面100的上方即单层玻璃板10的外侧配置的布线，且构成作为电气元件的电感元件L的至少一部分。更具体而言，外表面导体11包括：在单层玻璃板10的底面100b上配置的底面导体11b、和在单层玻璃板10的顶面100t上配置的顶面导体11t。底面导体11b是沿W方向延伸的形状，顶面导体11t稍微沿L方向倾斜并沿W方向延伸。由此，卷绕布线110构成在顶面导体11t向下一个卷绕过渡的螺旋形状。
外表面导体11由铜、银、金或者它们的合金等良导体材料构成。外表面导体11也可以是通过镀敷、蒸镀、溅射等形成的金属膜，也可以是涂覆并烧结导体膏而成的金属烧结体。另外，外表面导体11也可以是层叠多个金属层而成的多层构造，也可以在不具备保护膜14的情况下等，镍、锡、金等覆膜形成于最外层。外表面导体11的厚度优选为5μm以上且50μm以下。
此外，外表面导体11优选通过半加成法形成，由此，能够形成低电阻、高精度和高纵横比的外表面导体11。例如，外表面导体11能够如以下那样形成。首先，通过溅射法或者化学镀，在单片化后的单层玻璃板10的外表面100整体依次形成钛层和铜层而成为种子层，在该种子层上形成图案化的光致抗蚀剂。接下来，通过电镀在光致抗蚀剂的开口部的种子层上形成铜层。其后，通过湿式蚀刻或者干式蚀刻除去光致抗蚀剂和种子层。由此，能够将以任意形状图案化的外表面导体11形成在单层玻璃板10的外表面100上。
(端子电极12)
端子电极12是在单层玻璃板10的外表面100的上方配置并与外表面导体11电连接的电感元件L的端子。如图2所示，端子电极12向电感部件1的外部暴露。更具体而言，端子电极12包括在单层玻璃板10的底面100b上配置的第1端子电极121和第2端子电极122，第1端子电极121和第2端子电极122仅在底面100b处向外部暴露。
但是，端子电极12不局限于上述结构，也可以为三个以上，也可以还形成于与底面100b邻接的侧面、顶面100t。端子电极12能够使用外表面导体11中例示出的材料、制法。
另外，例如，如图3那样，也可以是，端子电极12在单层玻璃板10的处于比外表面导体11靠上方处的外表面100形成，从而比外表面导体11向上方突出。另外，例如，如图4那样，也可以是，端子电极12厚度比外表面导体11厚，从而比外表面导体11向上方突出。此外，在外表面导体11被保护膜14覆盖的情况下，端子电极12未必需要比保护膜14突出，也可以是，端子电极12的主面位于比保护膜14靠单层玻璃板10侧的位置。另外，也可以是，在这种情况下，在端子电极12的主面形成焊球而提高安装性。
此外，电感部件1具备从端子电极12向单层玻璃板10的内部突出的锚固部123，但例如在形成端子电极12之前，通过后述的加工方法，在单层玻璃板10形成盲孔或者贯通孔，通过外表面导体11中例示的材料、制法在该盲孔或者贯通孔内形成导体即可。例如，在盲孔或者贯通孔的内部及其周边的端子电极形成区域形成种子层，并通过电镀填充盲孔或者贯通孔，从而形成导体即可。也可以分别形成端子电极12和锚固部123，也可以在同一种子层形成，将端子电极12和锚固部123一体形成，成为锚固效应更高的端子电极12。
(贯通布线13)
贯通布线13是贯通形成于单层玻璃板10的贯通孔V、并与外表面导体11电连接的布线，且构成电感元件L的至少一部分。特别是由外表面导体11和贯通布线13构成的卷绕布线110是绕卷绕轴线AX卷绕的螺旋形状，并构成电感元件L的主要部分。贯通布线13能够通过后述的方法，使用外表面导体11中例示的材料、制法而形成在预先形成于单层玻璃板10的贯通孔V内。
此外，在图1、图2中，贯通布线13形成于沿与底面100b、顶面100t正交的方向形成的贯通孔V，但不局限于此，也可以是，例如在单片化后的单层玻璃板10中，沿与底面100b、顶面100t平行的方向形成贯通孔V，成为沿与底面100b、顶面100t平行的方向延伸的布线。
(保护膜14)
保护膜14是保护外表面导体11免受外力影响，具有防止外表面导体11的损伤的作用、提高外表面导体11的绝缘性的作用的构件。保护膜14优选成为例如绝缘性和薄膜化优异的硅、铪等的氧化物、氮化物、氮氧化物等的无机膜。但是，保护膜14也可以是更容易形成的环氧、聚酰亚胺等树脂膜。
此外，如图4所示，保护膜14也可以在顶面100t处覆盖单层玻璃板10和外表面导体11(槽部导体11g)，由此，能够形成电感部件1向安装基板安装时的安装机的拾取面。
3.单层玻璃板10的加工方法
对于电感部件1而言，单层玻璃板10是具有在形成外表面导体11、端子电极12、贯通布线13等电感元件L之前预先形成的贯通孔V、空腔C、结晶部101、槽部G1、G2等的加工体。针对该单层玻璃板10的加工，能够使用包括上述的方法的公知的方法，最优选使用了感光性玻璃的加工，由此，能够实现高精度的加工。以下对使用了该感光性玻璃的加工方法进行说明。
(1)准备基板
首先，准备成为单层玻璃板10的部分的集合体亦即感光性玻璃基板。作为感光性玻璃基板，例如能够使用FoturanII。感光性玻璃基板通常包括硅、锂、铝、铈等的氧化物，从而能够与高精度的光刻对应。
(2)曝光
接下来，在准备好的感光性玻璃基板的欲形成贯通孔V、空腔C、结晶部101、槽部G1、G2等的部分，照射例如波长约310nm的紫外光。通过上述紫外光的照射，例如感光性玻璃中的铈离子等金属离子由于光能而被氧化，放出电子。此处，能够通过根据感光性玻璃基板的厚度调整上述紫外光的照射量，来控制最终在单层玻璃板10中得到的加工深度。例如，通过较高地设定照射量，能够形成从单层玻璃板10的底面100b贯通至顶面100t的贯通孔V，若较低地调整照射量，则能够形成空腔C、槽部G1、G2等非贯通的孔。
作为用于上述紫外光的照射的曝光装置，能够利用可得到波长约310nm的紫外光的接触对准器或者光刻机。此外，也能够将包括飞秒激光的激光照射装置利用为光源。此外，在使用了飞秒激光的情况下，通过在感光性玻璃基板的内部使激光聚光，从而能够仅在聚光部从金属氧化物放出电子。即，能够使感光性玻璃基板的激光照射部表面不感光，使仅内部感光。
由此，单层玻璃板10的设计自由度更加提高。例如，在如电感部件1的空腔C3和结晶部101的形成位置那样处于未暴露于外表面导体11的形成面亦即底面100b、顶面100t而更靠内部的部分，即感光性玻璃基板的暴露面以外的部分也能够加工。
(3)烧制
针对上述曝光后的感光性玻璃基板，进行烧制。具体而言，以两个阶段的温度进行烧制，例如首先在500℃附近进行烧制。由此，在感光性玻璃基板的紫外光的照射部中，通过放出的电子使银、金、铜等离子还原，形成金属原子的纳米簇。接下来，在560℃附近进行烧制。由此，上述金属原子的纳米簇成为结晶核，在周边析出偏硅酸锂等结晶相。此外，偏硅酸锂等的结晶相容易溶解于氟酸，在接下来的蚀刻工序中利用该特性。
此外，需要在感光性玻璃基板的面内使上述结晶相均匀地析出、烧制炉内的温度分布均匀，优选为±3℃以内。
(4)蚀刻
在烧制后，使用氟酸水溶液进行蚀刻工序。氟酸水溶液的浓度优选为例如5～10％。在蚀刻工序中，使上述烧制后的感光性玻璃基板整体浸渍于氟酸水溶液。由此，仅蚀刻基板内的结晶相，形成贯通孔、盲孔。也可以以使蚀刻后的感光性玻璃基板的表面光滑作为目的，而使氟酸水溶液包含盐酸、硝酸之类的除氟酸以外的酸。
此外，当在单层玻璃板10形成结晶部101的情况下，例如，针对上述结晶相中的成为结晶部101的部分，为了防止氟酸水溶液浸渍于结晶相，通过对氟酸水溶液具有耐受性的阻挡层覆盖即可。另外，也可以在上述工序后，根据需要对感光性玻璃基板进行研磨而调整厚度。
(5)导体形成
通过例如半加成法在上述蚀刻工序后的感光性玻璃基板的外表面形成外表面导体11、端子电极12、贯通布线13等。外表面导体11、端子电极12、贯通布线13也可以由单一的种子层形成，它们也可以独立的工序形成。另外，在使外表面导体11、端子电极12间厚度不同的情况下，例如，通过保护膜14覆盖外表面导体11、并且仅对成为端子电极12的部分进一步进行电镀、或再次形成种子层而形成多层的导体层即可。
在上述导体形成后，根据需要涂覆或者层压树脂而形成保护膜14，利用切割刀等使感光性玻璃基板单片化，由此完成具备单层玻璃板10的电感部件1。
在上述的制造方法中，在电感部件1的单层玻璃板10的烧结之后，形成外表面导体11、端子电极12、贯通布线13等导体，因此能够减少因烧制产生的影响。
此外，在上述中，结晶部101通过在蚀刻工序中由对氟酸水溶液具有耐受性的阻挡层覆盖而形成，但不局限于此，例如也可以是，通过对导体形成后的感光性玻璃基板或者单片化后的电感部件1再次照射紫外光，使照射部稍微结晶化而形成结晶部101。由此，结晶部101的形成自由度更加提高。
4.变形例
以上，作为第1实施方式，对电感部件1进行了说明，但电感部件1能够具有上述没有说明的以下的追加的结构。
(低透过率部102)
图6、图7、图8是电感部件1的示意俯视图。电感部件1在单层玻璃板10的外表面100的至少局部具有透光率比周围低(截面线所示)的低透过率部102。由此，在透光率高、可视性低的单层玻璃板10中，改善可视性，使电感部件1的制造、使用时的操作变容易。此外，低透过率部102对于至少一部分波长而言透光率比周围低即可，例如，对于红外光、可见光、紫外光这一部分波长或者多个波长而言，透光率低。
此外，低透过率部102能够通过例如对单层玻璃板10使用感光性玻璃，而且与前述的结晶部101一样，使单层玻璃板10局部结晶化而形成。低透过率部102的透过率能够通过紫外光的照射量、照射时间、加热等而适当地控制。
另外，如图6所示，低透过率部102优选位于单层玻璃板10的外表面100的一面，例如图6中位于顶面100t的外周缘。由此，针对这一面，能够容易进行外周缘的识别，特别是，在制造时更容易进行使用时的外观检查。
另外，如图7所示，低透过率部102优选在单层玻璃板10的外表面100的一面例如图7中顶面100t中成为十字形状。由此，针对这一面，能够将十字形状用作光刻等的对准标记，加工精度提高。另外，也能够将十字形状用作表示电感部件1的极性的方向性标记。
此外，如图8所示，低透过率部102也可以在单层玻璃板10的外表面100的一面例如图8中顶面100t中以整个面形成，由此，通过不使相反一侧例如底面100b的底面导体11b、端子电极12透明，从而能够提高从顶面100t识别的识别精度。此外，此时，通过例如十字形状等局部地残留单层玻璃板10的非晶体部分，从而也能够赋予图7那样的对准标记、方向性标记。
(基底绝缘层15)
图9是电感部件1的示意剖视图，且相当于图3的位置。如图9所示，也可以是，电感部件1还具备在单层玻璃板10的外表面100、图9中底面100b上配置的基底绝缘层15，端子电极12配置在基底绝缘层15上。此外，此时，也可以是，外表面导体11还配置在基底绝缘层15上。这样，外表面导体11、端子电极12不仅为在单层玻璃板10的外表面100的正上方配置的情况，也可以在外表面100的隔着其他构件(基底绝缘层15)的上方配置。
通过基底绝缘层15，能够调整外表面导体11、端子电极12的形成高度、紧贴性、电感元件L的电特性等。
基底绝缘层15能够通过例如在前述的制造方法中在形成种子层前的感光性玻璃基板层压ABF GX-92(味之素精细技术公司制)等树脂膜、或涂覆、热固化膏状的树脂等而形成。
此外，基底绝缘层15也可以配置在外表面导体11上。图10是从底面侧观察该变形例所涉及的电感部件1a看到的示意立体图，图11是电感部件1a的示意剖视图。图11相当于图3的位置。
对于电感部件1a而言，在单层玻璃板10的外表面100亦即底面100b上，底面导体11b沿L方向延伸，基底绝缘层15配置在底面导体11b上，端子电极12配置在基底绝缘层15上。通过这样使外表面导体11和端子电极12形成于不同的层，从而能够更自由地设计外表面导体11和端子电极12的布局。特别是通过如电感部件1a那样沿着单层玻璃板10的长边方向形成外表面导体11，从而卷绕布线的内径变大，因此对于电感部件1a的外形而言的电感元件L的L值、Q值的获取效率提高。
此外，端子电极12能够通过形成于基底绝缘层15内的贯通布线(未图示)而与底面导体11b、贯通布线13电连接。另外，基底绝缘层15也可以不是仅配置端子电极12，而是作为再布线层，配置与底面导体11b、贯通布线13电连接的布线。由此，电感元件L的设计自由度进一步提高。
图12是电感部件1的示意侧视图。图12是从连接底面100b和顶面100t的面中的与L方向和T方向平行的侧面100s侧观察电感部件1的图。此外，图12中，省略卷绕布线110。
如图12所示，对于电感部件1而言，单层玻璃板10也可以具有硬度比周围高的加强部103。对于电感部件1那样的电子部件而言，在制造工序、安装后容易由于外力、热冲击使电感部件1产生损伤。特别是在单层玻璃板10、外表面导体11、端子电极12、贯通布线13的物理性质不同的各要素间的界面中，应力容易集中，容易以该界面为起点在单层玻璃板10上产生裂缝。在上述结构中，通过加强部103能够对局部的损伤、裂缝适当地加强强度，因此作为电感部件1的强度提高。
此外，加强部103能够通过例如单层玻璃板10使用感光性玻璃，而且与前述的结晶部101一样，使单层玻璃板10局部结晶化而形成。加强部103的透过率能够通过紫外光的照射量、照射时间、加热等而适当地控制。
特别是，加强部103优选位于外表面导体11的下方或者端子电极12的下方，能够有效地减少上述局部的损伤、裂缝。并且，加强部103更优选位于外表面导体11或者端子电极12的外周缘的下方。
另外，对于电感部件1而言，制造方法也能够适当地变更。例如也可以是，在上述说明的制造方法中，通过利用光刻法切断形成有外表面导体的感光性玻璃基板来形成单片的单层玻璃板。
若为上述制造方法，则能够减少将感光性玻璃基板单片化时的修整，并且能够高精度地切断。另外，如切割刀那样，在切割时不会对感光性玻璃基板给予物理冲击，因此能够抑制单层玻璃板的微型裂缝的产生。并且，与使用了切割刀的情况相比，能够使单片化时的切割余量较小，能够根据相同的感光性玻璃基板尺寸，增加单层玻璃板的采用数量。
＜第2实施方式＞
在第1实施方式中，外表面导体为电感元件的一部分，但不局限于此，外表面导体也可以是除电感元件L以外的电气元件的一部分。图13是第2实施方式所涉及的电容器部件2的示意剖视图。如图13所示，电容器部件2是作为电气元件而包括广泛用于电子电路的电容器元件Cap的表面安装型的电子部件。
电容器部件2具备:上述的单层玻璃板10；外表面导体21，其为作为电气元件的电容器元件Cap的一部分，配置于单层玻璃板10的外表面100的上方，并配置于外表面100的上方；以及端子电极22，其为电容器元件Cap的端子，且与外表面导体21电连接。
根据上述结构，对于电容器部件2而言，在单层玻璃板10的外表面100的上方配置有外表面导体21和端子电极22，因此外表面导体21和端子电极22没有装入单层玻璃板10。因此，能够减少在电容器部件2中因烧制而带来的影响。
另外，对于电容器部件2而言，单层玻璃板10的外表面100包括：单层玻璃板10的一个主面亦即底面100b；和位于底面100b的背面侧的顶面100t，外表面导体21包括：在底面100b的上方(图13的z方向反向)配置的平板状的底面平板电极21b、和在顶面100t的上方(图13的z方向)配置的平板状的顶面平板电极21t。
根据上述结构，对于电容器部件2而言，底面平板电极21b和顶面平板电极21t经由作为介电层的单层玻璃板10而对置，由此构成电容器元件Cap。
另外，对于电容器部件2而言，单层玻璃板10在被底面平板电极21b和顶面平板电极21t夹着的位置具有空腔C21。此外，空腔C21也可以是图2所示的结晶部101。另外，电容器部件2也可以具备比在空腔C21内配置的单层玻璃板10介电常数高的高介电部。
根据上述结构，对于电容器部件2而言，能够使用空腔C21、结晶部101或者高介电部，调整电容器元件Cap的电容值。具体而言，空腔C21和结晶部101比单层玻璃板10介电常数低，由此，能够减少底面平板电极21b和顶面平板电极21t夹着的介电层的整体的介电常数。另外，高介电部比单层玻璃板10介电常数高，由此，能够增加上述介电层的整体的介电常数。
特别是，根据使用了上述的感光性玻璃基板的空腔C21、结晶部101的形成方法，能够在形成由底面平板电极21b和顶面平板电极21t构成的电容器元件Cap之后，形成空腔C21、结晶部101，能够在测定电容器元件Cap的电特性之后，调整该电特性，能够提高电容器部件2的电容调整、成品率。此外，在电容器部件2中，也可以仅具备空腔C21、结晶部101或者高介电部中的任一者，也可以将它们多者组合而具备。
另外，电容器部件2还具备贯通布线23，上述贯通布线23贯通在单层玻璃板10形成的贯通孔V，与外表面导体21电连接，且为电容器元件Cap的至少一部分。
根据上述结构，对于电容器部件2而言，能够相对于在外表面100的上方配置的外表面导体21、端子电极22沿垂直方向形成布线，从而电容器元件Cap的形成自由度提高。在电容器部件2中，贯通布线23成为连接顶面平板电极21t和端子电极22的布线。
另外，对于电容器部件2而言，端子电极22包括电容器元件Cap的输入输出端子亦即第1端子电极221和第2端子电极222，第1端子电极221和第2端子电极222是在底面100b的上方(z方向反向)具有与底面100b平行的主面的形状。
根据上述结构，电容器部件2在底面100b侧具备电容器元件Cap的输入输出端子，上述电容器元件Cap具有能够供焊料沿与底面100b平行的方向附着的面，因此上述电容器部件2成为能够实现以底面100b为安装面的表面安装、并且能够减少安装面积的表面安装型电子部件。
另外，电容器部件2还具备对底面平板电极21b的局部进行覆盖的保护膜24。由此，能够实现底面平板电极21b的损伤防止、绝缘性提高。特别是，保护膜24通过使底面平板电极21b的局部暴露而能够使该局部成为端子电极22(第1端子电极221)。
＜第3实施方式＞
在第1实施方式、第2实施方式中，成为包括一个电气元件的电子部件，但不局限于此，也可以在电子部件内包括多个电气元件。图14是第3实施方式所涉及的电子部件3的电路图。电子部件3是作为电气元件而包括电感元件L和电容器元件Cap1、Cap2的表面安装型的电子部件。
如图14所示，对于电子部件3而言，第1端子电极321是电感元件L和电容器元件Cap1的共用端子，第2端子电极322是电感元件L和电容器元件Cap2的共用端子，第3端子电极323成为电容器元件Cap1、Cap2的共用端子。由此，对于电子部件3而言，电感元件L和电容器元件Cap1、Cap2构成π型的LC滤波器。
接下来，对电子部件3的具体结构进行说明。图15是电子部件3的示意俯视图，图16是电子部件3的示意剖视图。图17是电子部件3的示意仰视图。此外，图16是图15所示的XVI-XVI的单点划线的截面。
电子部件3具备：单层玻璃板10A；外表面导体31，其为电感元件L或者电容器元件Cap1、Cap2的一部分，且分别在单层玻璃板10A的外表面亦即底面100Ab、顶面100At的各上方(z方向反向、z方向)配置；以及端子电极32，其为电感元件L或者电容器元件Cap1、Cap2的端子，且配置于底面100Ab的上方(z方向反向)，并与外表面导体31电连接。
此外，与图3所示的槽部导体11g一样，在顶面100At的上方配置的外表面导体31成为槽部导体31ga、31gb、31gc。
根据上述结构，对于电子部件3而言，在单层玻璃板10A的外表面100Ab、100At上配置有外表面导体31，因此外表面导体31没有装入单层玻璃板10A。因此，能够减少在电子部件3中因烧制带来的影响。
另外，电子部件3还具备与单层玻璃板10A不同的第2单层玻璃板10B，第2单层玻璃板10B配置于槽部导体31ga、31gb、31gc的上方(z方向)。相反而言，这是指槽部导体31ga、31gb、31gc相对于第2单层玻璃板10B也配置于作为其外表面的底面100Bb的上方(z方向反向)。
根据上述结构，对于电子部件3而言，能够使槽部导体31ga、31gb、31gc成为内部导体，能够实现多层化的三维布线，因此电子部件3的设计自由度提高。此外，如上述那样，槽部导体31ga、31gb、31gc相对于单层玻璃板10A和第2单层玻璃板10B均配置于作为其外表面的顶面100At的上方和底面100Bb的上方，因此没有装入单层玻璃板10A和第2单层玻璃板。因此，在上述结构中，电子部件3也能够减少因烧制带来的影响。
此外，对于电子部件3而言，单层玻璃板10A的顶面100At和第2单层玻璃板10B的底面100Bb相互接合。由此，能够使电子部件3成为层叠结构。这样，对在单层玻璃板10A、第2单层玻璃板10B烧结后形成了槽部导体31ga、31gb、31gc而且将单层玻璃板10A与第2单层玻璃板10B接合的方法进行。
另外，电子部件3还具备：在第2单层玻璃板10B的外表面亦即顶面100Bt的上方(z方向)配置且作为电感元件L的一部分的外表面导体41。根据上述结构，对于电子部件3而言，在第2单层玻璃板10B的外表面的上方配置有外表面导体41，因此外表面导体41没有装入第2单层玻璃板10B。因此，能够减少在电子部件3中因烧制而带来的影响。
另外，对于电子部件3而言，槽部导体31ga、31gb、31gc包括平板状的槽部平板电极31ga、31gc，外表面导体31包括隔着单层玻璃板10A而与槽部平板电极31ga、31gc对置的平板状的对置平板电极31b。
根据上述结构，对于电子部件3而言，槽部平板电极31ga、31gc和对置平板电极31b构成电容器元件Cap1、Cap2。具体而言，对置平板电极31b包括分别与槽部平板电极31ga、31gc对置的对置平板电极31ba、31bc，槽部平板电极31ga和对置平板电极31ba构成电容器元件Cap1，槽部平板电极31gc和对置平板电极31bc构成电容器元件Cap2。这样，在电子部件3中，能够内置电容器元件Cap1、Cap2。
并且，对于电子部件3而言，如图16、17所示那样，对置平板电极31b通过包括从保护膜34暴露的部分亦即第3端子电极323，而成为端子电极32。
根据上述结构，对于电子部件3而言，作为包括LC滤波器的电子部件，能够进一步实现小型低矮化。对于通常的层叠型电子部件而言，从确保强度的观点考虑，内部电极与部件外表面之间的外层部分形成得比内部的层间绝缘层厚。因此，若在部件外表面配置对置平板电极，则与层叠体的内部的平板电极之间的电极间隔变大，有时得不到所需要的电特性，因此通常与层叠体内部的平板电极对置的对置平板电极也配置于层叠体的内部。由此，成为平板电极、对置平板电极、端子电极的3层构造，而且对置平板电极与端子电极之间的外层比平板电极与对置平板电极之间的层间绝缘层厚，导致整体厚度变大。
另一方面，对于电子部件3而言，能够确保单层玻璃板10A足够的强度，因此能够比以往薄地加工，能够将对置平板电极31b配置于外表面100Ab。作为其结果，对于电子部件3而言，成为槽部平板电极31ga、31gc、对置平板电极31b的双层构造，并且能够使单层玻璃板10A足够薄，与以往构造比较，能够实现电子部件3的小型低矮化。特别是，对于电子部件3而言，使单层玻璃板10A的顶面100At侧成为槽部平板电极31ga、31gc，因此能够减少对单层玻璃板10A的强度(厚度)的影响，并且使电容器元件Cap1、Cap2的电极间距离更加变小。
另外，对于电子部件3而言，如上述那样，对置平板电极31b兼具端子电极32，因此能够减少用于构成电容器元件Cap1、Cap2的电极数，因此能够减少杂散电容，能够提高电特性、减少特性不一致。
另外，电子部件3还具备贯通布线33、43，上述贯通布线33、43为电感元件L或者电容器元件Cap1、Cap2的至少一部分，分别贯通在单层玻璃板10A、10B形成的贯通孔V，并与外表面导体31、41电连接。
根据上述结构，对于电子部件3而言，能够相对于在外表面100的上方配置的外表面导体31、41、端子电极32沿垂直方向形成布线，从而电感元件L或者电容器元件Cap1、Cap2的形成自由度提高。
此外，在电子部件3中，贯通布线33成为将槽部平板电极31ga、31gc与第1端子电极321、第2端子电极322连接的布线。另外，在电子部件3中，贯通布线43将槽部导体31gb与外表面导体41连接，由槽部导体31gb、外表面导体41、贯通布线43构成的卷绕布线绕与底面100Ab平行的卷绕轴线(未图示)卷绕。根据上述结构，卷绕布线构成电感元件L的主要部分，成为包括电感元件L的电子部件3。
另外，对于电子部件3而言，端子电极32包括电感元件L或者电容器元件Cap1、Cap2中任一者的输入输出端子亦即第1端子电极321、第2端子电极322和第3端子电极323，第1端子电极321、第2端子电极322和第3端子电极323是在底面100Ab的上方(z方向反向)具有与底面100Ab平行的主面的形状。
根据上述结构，电子部件3在底面100Ab侧具备：具有能够供焊料沿与底面100Ab平行的方向附着的面的电感元件L或者电容器元件Cap1、Cap2的输入输出端子，因此成为能够实现以底面100Ab为安装面的表面安装、并且能够减少安装面积的表面安装型电子部件。
另外，电子部件3还具备对对置平板电极31b的局部具体而言对置平板电极31ba、31bc进行覆盖的保护膜34。由此，能够实现对置平板电极31ba、31bc的损伤防止、绝缘性提高。特别是，保护膜34通过使对置平板电极31b的局部暴露而能够使该局部成为端子电极32(第3端子电极323)。
(单层玻璃板10A和第2单层玻璃板10B接合的接合方法)
对于电子部件3而言，单层玻璃板10A的顶面100At和第2单层玻璃板10B的底面100Bb相互接合。这也可以是，例如在单层玻璃板10A或者第2单层玻璃板10B使用感光性玻璃，并通过湿式蚀刻、干式蚀刻使该感光性玻璃表面活性化，由此将玻璃板彼此直接接合。另外，也可以是，单层玻璃板10A的顶面100At与第2单层玻璃板10B的底面100Bb之间通过夹着热固化性树脂、热塑性树脂等粘合层而相互接合。
另外，此时，槽部导体31ga、31gb、31gc例如也可以在接合之前的单层玻璃板10A上形成，也可以在单层玻璃板10A和第2单层玻璃板10B接合之后形成。具体而言，例如，能够在单层玻璃板10A的顶面100At形成槽部，并在该槽部配置了槽部导体31ga、31gb、31gc之后，使单层玻璃板10A的顶面100At和第2单层玻璃板10B的底面100Bb相互接合。
另外，但不局限于此，例如也可以是，在与第2单层玻璃板10B接合之后的单层玻璃板10A的顶面100At上形成槽部，或者在顶面100At形成了槽部之后，将单层玻璃板10A与第2单层玻璃板10B接合，其后，在该槽部形成槽部导体31ga、31gb、31gc。此外，通过在接合后的槽部形成槽部导体31ga、31gb、31gc，从而也能够使槽部导体31ga、31gb、31gc与单层玻璃板10A的顶面100At和第2单层玻璃板10B的底面100Bb紧密接触，从而优选。此外，在使用了粘合层的情况下，也能够通过粘合层塑性变形而填埋槽部导体31ga、31gb、31gc、单层玻璃板10A的顶面100At和第2单层玻璃板10B的底面100Bb之间的空间，从而优选。
此外，对于电子部件3而言，槽部平板电极31ga、31gc和对置平板电极31ba、31bc隔着单层玻璃板10A对置，但外表面导体41也可以包括隔着第2单层玻璃板10B对置的平板状的对置平板电极、端子电极。
另外，对于电子部件3而言，也可以将对置平板电极31b作为槽部平板电极。此时，槽部平板电极成为端子电极32。
另外，对于电子部件3而言，电感元件L的主要部分的卷绕布线在第2单层玻璃板10B侧卷绕，但也可以在单层玻璃板10A侧卷绕。
＜第4实施方式＞
在第1实施方式～第3实施方式中，成为表面安装型的电子部件，但不局限于此，例如，也可以是三维安装用的电子部件。图18是第4实施方式所涉及的电子部件4的示意立体图。电子部件4是包括对有无流体F或者流体F的流量进行检测的传感器元件的三维安装用的传感器。
对于电子部件4而言，分别在单层玻璃板10的顶面100t、底面100b的上方配置的顶面平板电极51t、底面平板电极51b成为传感器元件的一部分亦即外表面导体，并且成为传感器元件的端子亦即端子电极。即，在电子部件4中，具备：单层玻璃板10；和在单层玻璃板10的外表面100t、100b的上方配置、并为传感器元件的一部分且作为端子的顶面平板电极51t、底面平板电极51b。因此，能够减少在电子部件4中因烧制带来的影响。
另外，对于电子部件4而言，在顶面100t和底面100b具备端子电极51t、51b，因此例如若将端子电极51t、51b的一者安装于内插器、基底等基板的连接盘，并将端子电极51t、51b的另一者通过半导体晶片的端子、焊料、接合线等连接，则能够实现三维安装。
另外，对于电子部件4而言，单层玻璃板10具有：供外表面导体的顶面平板电极51t、底面平板电极51b配置的外表面亦即主面即顶面100t、底面100b；以及与顶面100t、底面100b正交的侧面100s，并具有在侧面100s开口的空腔C4。
根据上述结构，能够进行使用了空腔C4的电气元件设计。具体而言，对于电子部件4而言，使空腔C4作为流路，能够将在空腔C4流动的流体的有无、流体的流量作为静电电容的变化而通过顶面平板电极51t、底面平板电极51b检测，从而能够用作流体传感器。但是，空腔C4的利用方法不局限于此，例如，通过还将空腔C4用作配置有贯通布线的贯通孔，从而能够设计更复杂的电气元件。例如，若将该贯通布线经由侧面100s而与安装基板的接地电极连接，则在静电、雷电等浪涌电压产生时，能够形成使浪涌电流向接地电极侧流入的路径，能够对电子部件4附加静电对策功能。
＜其他实施方式＞
上述第1实施方式、第2实施方式、第3实施方式、第4实施方式中说明的各种特征能够在各个实施方式、或者其他实施方式中独立地追加、删除、变更。并且，也能够在这些形式追加、删除、变更公知的结构。
另外，上述第1～第4实施方式或者使这些实施方式上述适当地变形而成的实施方式所涉及的电子部件优选安装于特定的安装基板。图19是电子部件安装基板5的示意剖视图。
电子部件安装基板5具备：第1实施方式的电感部件1和第2实施方式的电容器部件2、以及安装有电感部件1和第2实施方式的电容器部件2的玻璃基板10C。
根据上述结构，电感部件1和电容器部件2的构造体亦即单层玻璃板10与玻璃基板10C为相同材料，线性膨胀系数接近，因此针对电感部件1和电容器部件2，能够提高针对在热冲击试验等中玻璃基板10C所产生的热膨胀，热收缩的可靠性。
此外，如上述那样，安装于玻璃基板10C的部分为在构造体使用了单层玻璃板的电子部件即可，例如也可以是电子部件3、4等。另外，也可以安装有除该电子部件以外的电子部件。在这种情况下，至少针对在构造体使用单层玻璃板的电子部件，也能够提高可靠性。
玻璃基板10C也可以相当于在电子设备内使用的印刷布线基板，也可以是安装于主板等印刷布线基板的辅助基板，也可以是在内插器、基底等、半导体、电子模块内使用的内置基板。
Claims (21)
1.一种电子部件，其特征在于，具备：
单层玻璃板；
外表面导体，其为电气元件的至少一部分，且配置于所述单层玻璃板的外表面的上方；以及
端子电极，其为所述电气元件的端子，配置于所述单层玻璃板的外表面的上方，并与所述外表面导体电连接，
所述外表面包括所述单层玻璃板的一个主面亦即底面和位于所述底面的背面侧的顶面，
所述端子电极包括：所述电气元件的输入输出端子亦即第1端子电极和第2端子电极，
所述第1端子电极和所述第2端子电极是在所述底面的上方具有与所述底面平行的主面的形状，
所述外表面导体包括：分别在所述底面的上方、所述顶面的上方配置并通过贯通布线相互电连接的底面导体、顶面导体，
由所述底面导体、所述顶面导体和所述贯通布线构成的卷绕布线绕与所述底面平行的卷绕轴线卷绕，
所述单层玻璃板具有比周围透光率低的低透过率部，
所述单层玻璃板在包括所述卷绕布线的卷绕轴线的位置具有结晶部。
2.根据权利要求1所述的电子部件，其特征在于，
所述低透过率部位于所述单层玻璃板的主面的外周缘。
3.根据权利要求1所述的电子部件，其特征在于，
所述低透过率部在所述单层玻璃板的主面中成为十字形状。
4.一种电子部件，其特征在于，具备：
单层玻璃板；
外表面导体，其为电气元件的至少一部分，且配置于所述单层玻璃板的外表面的上方；以及
端子电极，其为所述电气元件的端子，配置于所述单层玻璃板的外表面的上方，并与所述外表面导体电连接，
所述外表面包括所述单层玻璃板的一个主面亦即底面和位于所述底面的背面侧的顶面，
所述端子电极包括：所述电气元件的输入输出端子亦即第1端子电极和第2端子电极，
所述第1端子电极和所述第2端子电极是在所述底面的上方具有与所述底面平行的主面的形状，
所述外表面导体包括：分别在所述底面的上方、所述顶面的上方配置并通过贯通布线相互电连接的底面导体、顶面导体，
由所述底面导体、所述顶面导体和所述贯通布线构成的卷绕布线绕与所述底面平行的卷绕轴线卷绕，
所述单层玻璃板的外表面具有比周围凹陷的槽部，
所述外表面导体包括配置于所述槽部内的槽部导体，
所述单层玻璃板在包括所述卷绕布线的卷绕轴线的位置具有结晶部。
5.根据权利要求4所述的电子部件，其特征在于，
所述槽部导体的厚度比所述槽部的深度小。
6.根据权利要求4所述的电子部件，其特征在于，
所述槽部导体的厚度比所述槽部的深度大。
7.根据权利要求4所述的电子部件，其特征在于，
还具备与所述单层玻璃板不同的第2单层玻璃板，
所述第2单层玻璃板配置于所述槽部导体的上方。
8.根据权利要求7所述的电子部件，其特征在于，
所述槽部导体包括平板状的槽部平板电极，
所述外表面导体包括隔着所述单层玻璃板或者所述第2单层玻璃板而与所述槽部平板电极对置的平板状的对置平板电极，
所述槽部平板电极或者所述对置平板电极成为所述端子电极。
9.一种电子部件，其特征在于，具备：
单层玻璃板；
外表面导体，其为电气元件的至少一部分，且配置于所述单层玻璃板的外表面的上方；以及
端子电极，其为所述电气元件的端子，配置于所述单层玻璃板的外表面的上方，并与所述外表面导体电连接，
所述外表面包括所述单层玻璃板的一个主面亦即底面和位于所述底面的背面侧的顶面，
所述端子电极包括：所述电气元件的输入输出端子亦即第1端子电极和第2端子电极，
所述第1端子电极和所述第2端子电极是在所述底面的上方具有与所述底面平行的主面的形状，
所述外表面导体包括：分别在所述底面的上方、所述顶面的上方配置并通过贯通布线相互电连接的底面导体、顶面导体，
由所述底面导体、所述顶面导体和所述贯通布线构成的卷绕布线绕与所述底面平行的卷绕轴线卷绕，
所述单层玻璃板具有比周围硬度高的加强部，
所述单层玻璃板在包括所述卷绕布线的卷绕轴线的位置具有结晶部。
10.根据权利要求9所述的电子部件，其特征在于，
所述加强部位于所述外表面导体的下方或者所述端子电极的下方。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的电子部件，其特征在于，
还具备贯通布线，所述贯通布线为所述电气元件的至少一部分，贯通在所述单层玻璃板形成的贯通孔，并与所述外表面导体电连接。
12.根据权利要求1～10中任一项所述的电子部件，其特征在于，
所述卷绕布线绕所述卷绕轴线卷绕2圈以上，
所述单层玻璃板在相邻的所述卷绕布线之间还具有空腔或者结晶部。
13.根据权利要求1～10中任一项所述的电子部件，其特征在于，
所述单层玻璃板在所述端子电极的周围还具有空腔或者结晶部。
14.根据权利要求1～10中任一项所述的电子部件，其特征在于，
所述外表面包括：所述单层玻璃板的一个主面亦即底面和位于所述底面的背面侧的顶面，
所述外表面导体包括：在所述底面的上方配置的平板状的底面平板电极、和在所述顶面的上方配置的平板状的顶面平板电极，
所述单层玻璃板在被所述底面平板电极和所述顶面平板电极夹着的位置还具有空腔或者结晶部。
15.根据权利要求14所述的电子部件，其特征在于，
所述单层玻璃板在被所述底面平板电极和所述顶面平板电极夹着的位置具有空腔，
还具备：比配置于所述空腔内的所述单层玻璃板介电常数高的高介电部。
16.根据权利要求1～10中任一项所述的电子部件，其特征在于，
所述单层玻璃板具有：配置有所述外表面导体的外表面亦即主面、和与所述主面正交的侧面，并具有在所述侧面开口的空腔。
17.根据权利要求1～10中任一项所述的电子部件，其特征在于，
还具备：在所述单层玻璃板的外表面上配置的基底绝缘层，
所述端子电极配置在所述基底绝缘层上。
18.根据权利要求17所述的电子部件，其特征在于，
所述基底绝缘层配置在所述外表面导体上。
19.根据权利要求1～10中任一项所述的电子部件，其特征在于，
还具备从所述端子电极向所述单层玻璃板的内部突出的锚固部。
20.一种电子部件安装基板，其特征在于，具备：
权利要求1～19中任一项所述的电子部件、和
安装有所述电子部件的玻璃基板。
21.一种电子部件的制造方法，为权利要求1～19中任一项所述的电子部件的制造方法，其特征在于，
在母单层玻璃板的外表面上形成所述外表面导体，
通过利用光刻法对形成有所述外表面导体的母单层玻璃板进行切断，从而形成单层玻璃板。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201962830158P | 2019-04-05 | 2019-04-05 | |
| US62/830,158 | 2019-04-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111799057A CN111799057A (zh) | 2020-10-20 |
| CN111799057B true CN111799057B (zh) | 2023-09-19 |
Family
ID=72157337
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010090509.5A Active CN111799057B (zh) | 2019-04-05 | 2020-02-13 | 电子部件、电子部件安装基板和电子部件的制造方法 |
| CN202020166582.1U Active CN211376332U (zh) | 2019-04-05 | 2020-02-13 | 电子部件和电子部件安装基板 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202020166582.1U Active CN211376332U (zh) | 2019-04-05 | 2020-02-13 | 电子部件和电子部件安装基板 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11527352B2 (zh) |
| JP (1) | JP7287185B2 (zh) |
| CN (2) | CN111799057B (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2019-08-27 JP JP2019154527A patent/JP7287185B2/ja active Active
-
2020
- 2020-02-13 CN CN202010090509.5A patent/CN111799057B/zh active Active
- 2020-02-13 CN CN202020166582.1U patent/CN211376332U/zh active Active
- 2020-04-02 US US16/838,918 patent/US11527352B2/en active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN211376332U (zh) | 2020-08-28 |
| JP7287185B2 (ja) | 2023-06-06 |
| US11527352B2 (en) | 2022-12-13 |
| US20200321157A1 (en) | 2020-10-08 |
| CN111799057A (zh) | 2020-10-20 |
| JP2020174169A (ja) | 2020-10-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |