CN111756331B - 振荡电路、振荡器、电子设备以及移动体 - Google Patents

振荡电路、振荡器、电子设备以及移动体 Download PDF

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Abstract

提供振荡电路、振荡器、电子设备以及移动体,能够降低由于电源电压的变动而使频率精度下降的可能性。振荡电路具有:振荡用电路,其使振子进行振荡,输出振荡信号;温度感测元件,其输出温度检测信号;模拟/数字转换电路,其将所述温度检测信号转换为作为数字信号的温度代码,将电源电压转换为作为数字信号的电源电压代码;以及数字信号处理电路,其根据所述电源电压代码来生成校正代码,根据所述温度代码和所述校正代码,生成对所述振荡信号的频率温度特性进行补偿的温度补偿代码。

Description

振荡电路、振荡器、电子设备以及移动体
技术领域
本发明涉及振荡电路、振荡器、电子设备以及移动体。
背景技术
在专利文献1中记载了一种恒温槽型晶体振荡器(OCXO:Oven ControlledCrystal Oscillator),其具有:发热元件,其对振子进行加热;温度控制电路,其根据热敏电阻的检测信号来控制发热元件;以及温度补偿电路,其根据温度传感器的检测值来校正振荡信号的频率温度特性的1次成分和2次成分。根据该恒温槽型晶体振荡器,通过温度传感器来捕捉振荡器的外部气体温度的变化,估计振子的温度变化,从而能够对振荡信号的频率进行校正。
专利文献1:日本特开2014-197751号公报
但是,在专利文献1记载的恒温槽型晶体振荡器中,当向设置有温度传感器的集成电路(IC:Integrated Circuit)供给的电源电压发生变动时,集成电路的发热量发生变动,与此相伴地,温度传感器的检测值也发生变动。其结果是,温度补偿的精度下降,频率精度有可能下降。
发明内容
本发明的振荡电路的一个方式具有:振荡用电路,其使振子进行振荡,输出振荡信号;温度感测元件,其输出温度检测信号;模拟/数字转换电路,其将所述温度检测信号转换为作为数字信号的温度代码,将电源电压转换为作为数字信号的电源电压代码;以及数字信号处理电路,其根据所述电源电压代码来生成校正代码,根据所述温度代码和所述校正代码,生成对所述振荡信号的频率温度特性进行补偿的温度补偿代码。
在所述振荡电路的一个方式中,也可以是,所述数字信号处理电路通过以所述温度代码与所述校正代码相加而成的代码为变量的第1多项式,生成所述温度补偿代码。
在所述振荡电路的一个方式中,也可以是,所述数字信号处理电路将通过以所述温度代码为变量的第1多项式得到的代码与所述校正代码相加,生成所述温度补偿代码。
在所述振荡电路的一个方式中,也可以是,所述数字信号处理电路通过以所述电源电压代码为变量的第2多项式,生成所述校正代码。
在所述振荡电路的一个方式中,也可以是,所述第2多项式为3次以上的高次式。
在所述振荡电路的一个方式中,也可以是,所述数字信号处理电路通过以所述电源电压代码为变量的第2多项式,生成所述校正代码,所述数字信号处理电路根据所述温度代码来校正所述第2多项式的1次系数值。
在所述振荡电路的一个方式中,也可以是,所述数字信号处理电路对所述电源电压代码和所述校正代码中的至少一方进行数字滤波处理。
所述振荡电路的一个方式也可以具有集成电路元件,该集成电路元件包含所述数字信号处理电路和所述温度感测元件。
本发明的振荡器的一个方式具有:所述振荡电路的一个方式;以及所述振子。
本发明的电子设备的一个方式具有:所述振荡器的一个方式;以及处理电路,其根据来自所述振荡器的输出信号而进行动作。
本发明的移动体的一个方式具有:所述振荡器的一个方式;以及处理电路,其根据来自所述振荡器的输出信号来进行动作。
附图说明
图1是本实施方式的振荡器的剖视图。
图2是本实施方式的振荡器的俯视图。
图3是示出振子和引线端子的剖视图。
图4是示出振子和引线端子的仰视图。
图5是本实施方式的振荡器的功能框图。
图6是示出外部气体温度与振子的温度以及集成电路元件的温度之间的关系的一例的图。
图7是示出电源电压与集成电路元件的温度之间的关系的一例的图。
图8是示出电源电压与振子的温度之间的关系的一例的图。
图9是示出由第1实施方式的数字信号处理电路进行的分频比控制信号的生成处理的一例的图。
图10是相对于电源电压绘制出了第2温度代码的图。
图11是绘制了使用第2多项式对第2温度代码进行校正而得的温度代码的图。
图12是绘制了使用根据外部气体温度对第2多项式的1次系数值进行了校正的多项式来对第2温度代码进行校正而得的温度代码的图。
图13是示出由第2实施方式的数字信号处理电路进行的分频比控制信号的生成处理的一例的图。
图14是示出由第3实施方式的数字信号处理电路进行的分频比控制信号的生成处理的一例的图。
图15是示出基于数字滤波处理后的电源电压代码而生成的校正代码与第2温度代码之间的关系的图。
图16是示出由第3实施方式的数字信号处理电路进行的分频比控制信号的生成处理的另一例的图。
图17是变形例的振荡器的剖视图。
图18是本实施方式的电子设备的功能框图。
图19是示出本实施方式的电子设备的外观的一例的图。
图20是示出本实施方式的移动体的一例的图。
标号说明
1:振荡器;2:振子;3:振动元件;4:集成电路元件;5:振荡电路;7:温度控制元件;8:电路基板;8f:电路基板的上表面;8r:电路基板的下表面;10:壳体;12:引线端子;12a:第2连接部;12b:第1延伸部;12c:第2延伸部;12d:第1连接部;13:支座;14:引脚端子;15:温度传感器;16:电子元件;21:封装底座;21r:封装底座的下表面;22:盖;23:密封环;24:第1连接端子;25:凹部;26:第2连接端子;30:底座基板;30f:底座基板的上表面;30r:底座基板的下表面;31:石英基板;32:外部连接端子;33:接合材料;34:有底孔;101:底座;101b:凸缘;101f:底座的上表面;101r:底座的下表面;102:帽;102f:外周部;103:密封部件;210:数字信号处理电路;220:温度控制信号生成电路;230:振荡用电路;231:分数N-PLL电路;232:分频电路;233:输出缓冲器;241:温度传感器;242:选择器;243:模拟/数字转换电路;250:接口电路;260:存储部;261:ROM;262:寄存器组;270:调节器;300:电子设备;310:振荡器;312:振荡电路;313:振子;320:处理电路;330:操作部;340:ROM;350:RAM;360:通信部;370:显示部;400:移动体;410:振荡器;420、430、440:处理电路;450:电池;460:备用电池。
具体实施方式
以下,使用附图对本发明的优选实施方式进行详细说明。另外,以下说明的实施方式并非不合理地限定权利要求书所记载的本发明的内容。另外,以下说明的结构并不全部都是本发明所必需的构成要件。
1.振荡器
1-1.第1实施方式
1-1-1.振荡器的构造
图1和图2是示出本实施方式的振荡器1的构造的一例的图。图1是振荡器1的剖视图,图2是振荡器1的俯视图。另外,在图2中,为了便于说明而采用了透视帽的图。另外,图3是示出收纳于振荡器的振子和引线端子的剖视图,图4是示出振子和引线端子的仰视图。
另外,在图1~图4中,为了便于说明,将互相垂直的3个轴设定为X轴、Y轴和Z轴,Z轴与振荡器的厚度方向(换言之为底座与接合在底座上的帽的排列方向)一致。另外,X轴沿着排列成两列的引线端子的相对方向,Y轴沿着引线端子的排列方向。另外,有时将与X轴平行的方向称为“X轴方向”,将与Y轴平行的方向称为“Y轴方向”,将与Z轴平行的方向称为“Z轴方向”。另外,在图1~图4中,省略了在包含底座的壳体内部形成的布线图案和电极焊盘的图示。
本实施方式的振荡器1是恒温槽型晶体振荡器(OCXO)。如图1和图2所示,振荡器1具有:壳体10,其包含底座101和接合在底座101上的帽102;以及底座基板30,其设置在底座101的下表面101r侧。壳体10具有由底座101和帽102构成的收纳空间S1,该帽102沿着底座101的外周设置,接合在从底座101的上表面101f凹下的凸缘101b的上表面上。
在壳体10内的收纳空间S1中收纳有:多个引脚端子14,它们贯通底座101并被密封部件103气密地密封;电路基板8,其固定在引脚端子14的与底座101相反的一侧的端部;以及振子2,其被与电路基板8连接的多个引线端子12以与电路基板8之间具有间隙的方式支承在电路基板8与底座101之间。另外,在配置于收纳空间S1的振子2的底座101侧连接有温度控制元件7和温度传感器15。
底座101例如由可伐合金、软铁或铁镍等材料构成,在外周部设置有凸缘101b。另外,在底座101上设置有从上表面101f贯通至下表面101r的多个贯通孔,在各贯通孔中插入有导电性的引脚端子14。贯通孔与引脚端子14的间隙被玻璃等密封部件103气密地密封。另外,可以在底座101的下表面101r设置例如由玻璃等绝缘体构成的支座13。
引脚端子14由可伐合金、软铁或铁镍等引脚材料构成,在底座101的下表面101r侧具有一端,在收纳空间S1侧具有另一端,沿着Z轴方向竖立设置。另外,引脚端子14由沿着Y轴方向排列的两列构成。
帽102例如通过按压加工或拉伸加工等使铜镍锌合金、可伐合金、软铁或铁镍等的金属薄板形成为凹陷形状,具有将开口部分向外侧弯折成凸缘状的外周部102f。
而且,壳体10通过将帽102的外周部102f重叠地载置在底座101的凸缘101b上并对凸缘101b与外周部102f所重叠的部分Q进行气密密封而构成收纳空间S1。另外,收纳空间S1被气密密封为比大气压低的压力等的减压环境或者氮、氩、氦等的惰性气体环境。
电路基板8例如可以由印刷基板构成。电路基板8在从Z轴方向俯视观察时呈矩形形状,在与固定于底座101的引脚端子14的竖立设置位置相对的位置处,设置有贯通孔。而且,电路基板8以引脚端子14的收纳空间S1侧的端部贯穿插入到该贯通孔中的状态固定于引脚端子14。电路基板8具有作为底座101侧的面的下表面8r、和作为与下表面8r相反的一侧的面的上表面8f。
在电路基板8的上表面8f和下表面8r设置有未图示的电路布线和端子等电路图案。而且,在电路基板8的上表面8f的电路图案上连接有例如使振子2进行振荡的集成电路元件4和其他电子元件16等。
另外,在电路基板8的下表面8r的电路图案上连接有对振子2进行支承的多个引线端子12。引线端子12位于电路基板8的外周侧,并且连接在分别沿着连接有引脚端子14的两列排列的连接区域R2中。另外,引线端子12在连接区域R1中与振子2连接,对振子2进行支承。
如图3所示,振子2包含封装20和收纳在封装20中的振动元件3。封装20具有:封装底座21,其搭载有振动元件3;盖22,其与封装底座21接合而设置出收纳空间S2,以便将振动元件3收纳在盖22与封装底座21之间;以及框状的密封环23,其位于封装底座21与盖22之间,将封装底座21与盖22接合。
封装底座21呈具有凹部25的空腔状,在从Z轴方向俯视观察时,外形形状呈大致正方形的矩形形状。但是,封装底座21的外形形状并不限于大致正方形,也可以是其他矩形形状。
振动元件3在其外缘部例如借助导电性粘接剂等导电性的固定部件29而固定在设置于封装底座21的台阶部的未图示的内部端子上。构成振动元件3的石英基板31通过机械加工等使SC切石英基板形成为例如大致圆形的俯视形状。通过使用SC切石英基板,可得到由寄生振动而引起的频率跳跃和电阻上升少、温度特性也稳定的振动元件3。另外,作为石英基板31的俯视形状,并不限定于圆形,也可以是椭圆形、长圆形等非线型形状,还可以是三角形、矩形等线型形状。
另外,振动元件3并不限于SC切,例如,可以使用AT切或BT切的石英振子、SAW(Surface Acoustic Wave:表面声波)谐振器等。另外,作为振动元件3,例如,也可以使用石英振子以外的压电振子、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems:微机电系统)振子等。作为振动元件3的基板材料,可以使用石英、钽酸锂、铌酸锂等压电单晶体、锆钛酸铅等压电陶瓷等压电材料或硅半导体材料等。另外,作为振动元件3的激励手段,可以使用基于压电效应的手段,也可以使用基于库仑力的静电驱动。
盖22形成为板状,以封住凹部25的开口的方式借助密封环23接合在封装底座21的端面上。密封环23呈框状配置,位于封装底座21的端面与盖22之间。密封环23由金属材料构成,通过使密封环23熔融而使封装底座21与盖22气密地接合。这样,通过利用盖22将凹部25的开口封住而形成收纳空间S2,能够在该收纳空间S2中收纳振动元件3。
被气密密封的封装20的收纳空间S2例如为10Pa以下程度的减压状态。由此,能够持续进行振动元件3的稳定的驱动。但是,作为收纳空间S2的环境,没有特别地限定,例如也可以填充氮、氩等惰性气体而成为大气压。
作为封装底座21的构成材料,没有特别地限定,但例如可以使用氧化铝等各种陶瓷。在该情况下,能够通过对陶瓷片的层叠体进行烧结来制造封装底座21。另外,作为盖22的构成材料,没有特别地限定,只要是线膨胀系数与封装底座21的构成材料近似的部件即可。例如,在封装底座21的构成材料采用上述那样的陶瓷的情况下,优选盖22的构成材料采用金属材料。
在封装底座21的下表面21r设置有例如通过图示的内部布线而与振动元件3建立电导通的多个第1连接端子24和多个第2连接端子26。具体来说,如图4所示,沿着外缘排列有四个第1连接端子24,沿着相反侧的外缘排列有四个第2连接端子26。另外,第1连接端子24和第2连接端子26各自的数量没有限定,可以是任意数量。第1连接端子24和第2连接端子26能够通过如下的方法等形成:将钨(W)、钼(Mo)等金属布线材料丝网印刷在封装底座21的下表面21r并进行烧结,并且在其上实施镍(Ni)、金(Au)等的镀敷。另外,以下,有时将封装底座21的下表面21r称为振子2的下表面21r。
引线端子12的第2连接部12a例如使用导电性粘接剂或软钎焊等与设置于振子2的下表面21r的第1连接端子24和第2连接端子26分别建立电连接并被固定。引线端子12的第1连接部12d与电路基板8的下表面8r建立电连接并被固定,由此,振子2借助引线端子12以所谓的悬空状态被电路基板8支承。
各个引线端子12包含:第2连接部12a,其设置在包含一端的位置;第1连接部12d,其设置在包含另一端的位置;以及第1延伸部12b和第2延伸部12c,它们位于第2连接部12a和第1连接部12d之间,通过第2弯曲部B2而连接。而且,第2连接部12a和第1延伸部12b通过第1弯曲部B1而连接,第1连接部12d和第2延伸部12c通过第3弯曲部B3而连接。换言之,引线端子12在与振子2连接的第2连接部12a和第1连接部12d之间具有第1弯曲部B1、第2弯曲部B2、第3弯曲部B3这三个弯曲部。
这样,与振子2连接的第2连接部12a和与电路基板8连接的第1连接部12d之间的引线端子12设置有第1弯曲部B1、第2弯曲部B2、第3弯曲部B3这三个弯曲部,振子2相对于电路基板8以所谓的悬空状态被支承,由此,能够使引线端子12容易产生挠曲。另外,由于引线端子12是第2弯曲部B2的部分向振子2的外侧方向鼓出的结构,所以能够进一步减弱引线端子12的刚性,能够更有效地进行从电路基板8传到振子2的冲击等的吸收。
另外,对引线端子12在振子2的第1连接端子24侧配置4条、在第2连接端子26侧配置4条的结构进行了说明,但引线端子12的数量没有限定,只要能够对振子2进行支承,则可以是任意数量。
温度控制元件7是与振子2的下表面21r连接并对振子2的温度进行控制的电子部件。在本实施方式中,温度控制元件7是功率晶体管等发热元件,对振子2进行加热,将振子2的振动元件3的温度保持为大致恒定。通过将振动元件3的温度保持为大致恒定,能够保持优异的频率稳定度。
温度传感器15配置在振子2的附近,检测振子2的温度。特别是在本实施方式中,温度传感器15以与振子2的外表面接触的方式配置。作为温度传感器15,例如可以使用热敏电阻、铂电阻等。
底座基板30例如可以由印刷基板构成。底座基板30具有位于底座101侧的上表面30f和作为与上表面相反的一侧的面的下表面30r。底座基板30在与固定于底座101的引脚端子14的竖立设置位置相对的上表面30f设有有底孔34。底座基板30在其有底孔34中插入引脚端子14的一端,并通过软钎焊等接合材料33与引脚端子14连接。另外,在底座基板30的下表面30r设置有多个外部连接端子32。
1-1-2.振荡器的功能结构
图5是本实施方式的振荡器1的功能框图。如图5所示,本实施方式的振荡器1包含振子2和振荡电路5。振荡电路5包含集成电路元件4、温度控制元件7以及温度传感器15。
温度控制元件7是根据温度控制信号VHC来控制振子2的温度的元件,在本实施方式中是功率晶体管等发热元件。温度控制元件7所产生的热是根据从集成电路元件4供给的温度控制信号VHC来控制的。温度控制元件7所产生的热传递到振子2,将振子2的温度控制为接近目标温度。
温度传感器15是对温度进行检测并输出具有与检测出的温度对应的电压电平的第1温度检测信号VT1的第1温度感测元件。如上述那样,温度传感器15配置在振子2的附近,检测振子2周围的温度。从温度传感器15输出的第1温度检测信号VT1被供给到集成电路元件4。温度传感器15例如也可以是热敏电阻、铂电阻等。
集成电路元件4包含数字信号处理电路210、温度控制信号生成电路220、振荡用电路230、分数N-PLL(Phase Locked Loop:锁相环)电路231、分频电路232、输出缓冲器233、温度传感器241、选择器242、模拟/数字转换电路243、接口电路250、存储部260以及调节器270。
振荡用电路230是如下的电路:其与振子2的两端电连接,通过对振子2的输出信号进行放大并反馈给振子2,使振子2进行振荡并输出振荡信号。例如,振荡用电路230可以是使用反相器作为放大元件的振荡用电路,也可以是使用双极晶体管作为放大元件的振荡用电路。
分数N-PLL电路231将从振荡用电路230输出的振荡信号的频率转换为与Δ-∑调制后的分频比控制信号DIVC所指示的分频比对应的频率。
分频电路232对从分数N-PLL电路231输出的振荡信号进行分频。
输出缓冲器233对从分频电路232输出的振荡信号进行缓冲,并作为振荡信号CKO输出到集成电路元件4的外部。该振荡信号CKO是振荡器1的输出信号。
温度传感器241是对温度进行检测并输出具有与检测出的温度对应的电压电平的第2温度检测信号VT2的第2温度感测元件。例如,温度传感器241能够由二极管等实现。如上述那样,集成电路元件4与电路基板8的上表面8f接合,温度传感器241设置在比温度传感器15更远离振子2和温度控制元件7的位置。因此,温度传感器241检测远离振子2和温度控制元件7的位置的温度。因此,当振荡器1的外部气体温度在规定的范围内发生了变化的情况下,设置在温度控制元件7附近的温度传感器15所检测的温度几乎不发生变化,与此相对,温度传感器241所检测的温度在规定的范围内发生变化。这样,优选温度传感器241是用于捕捉外部气体温度的变化的温度传感器,当外部气体温度在规定的范围内发生了变化的情况下,温度传感器241所检测的温度范围宽。因此,在本实施方式中,如图1所示,包含温度传感器241的集成电路元件4设置在与外部气体接触的帽102附近的位置。
选择器242选择供给到振荡器1的电源电压VDD、从温度传感器241输出的第2温度检测信号VT2和从温度传感器15输出的第1温度检测信号VT1中的任意一个来输出。在本实施方式中,选择器242以分时方式选择电源电压VDD、第2温度检测信号VT2以及第1温度检测信号VT1来输出。
模拟/数字转换电路243将从选择器242以分时方式输出的作为模拟信号的电源电压VDD、第2温度检测信号VT2以及第1温度检测信号VT1分别转换为作为数字信号的电源电压代码DVD、第2温度代码DT2以及第1温度代码DT1。模拟/数字转换电路243也可以在通过电阻分压等对电压电平进行了转换之后,将电源电压VDD、第2温度检测信号VT2以及第1温度检测信号VT1转换为电源电压代码DVD、第2温度代码DT2以及第1温度代码DT1。
数字信号处理电路210根据振子2的目标温度信息和第1温度代码DT1,生成对温度控制元件7进行控制的温度控制代码DHC。目标温度信息被存储在存储部260的ROM(ReadOnly Memory:只读存储器)261中。然后,当振荡器1的电源接通时,目标温度信息从ROM 261传送到寄存器组262所包含的规定的寄存器中并被保持,保持在该寄存器中的目标温度信息被供给到数字信号处理电路210。
另外,数字信号处理电路210根据第2温度代码DT2和电源电压代码DVD,生成用于对振荡信号的频率进行温度补偿的分频比控制信号DIVC。如上述那样,分频比控制信号DIVC被供给到分数N-PLL电路231,通过分数N-PLL电路231将从振荡用电路230输出的振荡信号的频率转换为与分频比控制信号DIVC所指示的分频比对应的频率。由此,对由于外部气体温度而稍微变化的振荡信号的频率进行温度补偿,从而无论外部气体温度如何,从分数N-PLL电路231输出的振荡信号都大致为恒定的频率。
在本实施方式中,数字信号处理电路210根据电源电压代码DVD来生成校正代码,根据第2温度代码DT2和校正代码,生成对从振荡用电路230输出的振荡信号的频率温度特性进行补偿的温度补偿代码。然后,数字信号处理电路210根据存储在存储部260中的目标频率的设定值和温度补偿代码,计算分数N-PLL电路231的分频比,对该分频比进行Δ-∑调制而生成分频比控制信号DIVC。例如,在制造振荡器1时的检查工序中,检查第2温度代码DT2与振荡信号的频率的对应关系,根据该对应关系来生成用于对振荡信号的频率进行温度补偿的温度补偿信息,并存储在存储部260的ROM 261中。然后,当对振荡器1接通电源时,该温度补偿信息从ROM 261传送到寄存器组262所包含的规定的寄存器中并被保持,数字信号处理电路210根据保持在该寄存器中的温度补偿信息、第2温度代码DT2以及电源电压代码DVD,生成温度补偿代码。
另外,数字信号处理电路210也可以包含数字滤波器,该数字滤波器对从模拟/数字转换电路243以分时方式输出的电源电压代码DVD、第2温度代码DT2和第1温度代码DT1的至少一部分进行低通处理,降低高频噪声信号的强度。
温度控制信号生成电路220根据数字信号处理电路210所生成的温度控制代码DHC,生成温度控制信号VHC并输出。温度控制信号VHC被供给到温度控制元件7,根据温度控制信号VHC来控制温度控制元件7的发热量。由此,将振子2的温度控制成大致恒定在目标温度。
接口电路250是用于与连接于振荡器1的未图示的外部装置之间进行数据通信的电路。接口电路250例如可以是与I2C(Inter-Integrated Circuit:内部集成电路)总线对应的接口电路,也可以是与SPI(Serial Peripheral Interface:串行外设接口)总线对应的接口电路。
存储部260具有作为非易失性存储器的ROM 261和作为易失性存储器的寄存器组262。在制造振荡器1时的检查工序中,外部装置经由接口电路250将用于对振荡器1所具有的各电路的动作进行控制的各种数据写入到寄存器组262所包含的各种寄存器中并对各电路进行调整。然后,外部装置经由接口电路250将所决定的各种最佳数据存储在ROM 261中。当对振荡器1接通电源时,存储在ROM 261中的各种数据被传送到寄存器组262所包含的各种寄存器中并被保持,保持在该各种寄存器中的各种数据被供给到各电路。
调节器270根据从振荡器1的外部供给的电源电压VDD,生成集成电路元件4所具有的各电路的电源电压或基准电压。
1-1-3.由数字信号处理电路进行的温度补偿
在本实施方式的振荡器1中,如上述那样,根据温度控制信号VHC将振子2的温度控制成大致恒定在目标温度,但收纳空间S1的温度梯度等会根据振荡器1的外部气体的温度而发生变化,从而在基于温度控制信号VHC的控制中产生误差,因此振子2的温度会稍微变化。针对该情况,由于如上述那样集成电路元件4设置在与外部气体接触的帽102附近的位置,所以温度容易根据外部气体温度而发生变化。
图6是示出外部气体温度与振子2的温度以及集成电路元件4的温度之间的关系的一例的图。在图6中,横轴是外部气体温度,纵轴是振子2或集成电路元件4的温度。实线表示振子2的温度,点划线表示集成电路元件4的温度。在图6的例子中,当外部气体温度从保证振荡器1的动作的范围TR的下限温度Tmin上升到上限温度Tmax时,振子2的温度下降了ΔT1。因此,当外部气体温度发生变化时,振子2的温度也稍微发生变化,由振子2的温度特性引起的振荡信号的频率也稍微发生变化。
另外,在图6的例子中,当外部气体温度从下限温度Tmin上升到上限温度Tmax时,集成电路元件4的温度上升了ΔT2。该集成电路元件4的温度上升量ΔT2比振子2的温度下降量ΔT1大很多。即,相对于外部气体温度的变化,包含在集成电路元件4中的温度传感器241所检测的温度在比较宽的范围内变化。因此,能够根据从温度传感器241输出的第2温度检测信号VT2来估计外部气体温度,根据估计出的外部气体温度来估计振子2的温度,对振荡信号的频率进行温度补偿。因此,在本实施方式中,数字信号处理电路210根据存储在存储部260中的温度补偿信息和由第2温度检测信号VT2转换成的第2温度代码DT2来生成分频比控制信号DIVC,从而能够通过分数N-PLL电路231对由于振子2的温度特性而发生变动的振荡信号的频率进行温度补偿。
但是,当供给到振荡器1的电源电压VDD发生变动时,集成电路元件4的发热量会发生变化,因此集成电路元件4的温度发生变化。进而,当集成电路元件4的发热量发生变化时,收纳空间S1的温度梯度发生变化,振子2的温度也稍微发生变化。
图7是示出电源电压VDD与集成电路元件4的温度之间的关系的一例的图。另外,图8是示出电源电压VDD与振子2的温度之间的关系的一例的图。图7和图8分别示出了在外部气体温度为+25℃时使电源电压VDD从3.0V起约每8分钟上升0.1V直到3.6V为止的情况下的集成电路元件4和振子2的温度。在图7和图8中,实线表示集成电路元件4或振子2的温度,虚线表示电源电压VDD。如图7所示,当电源电压VDD从3.0V上升到3.6V时,集成电路元件4的温度约上升1.5℃,集成电路元件4的发热量增大,由此,如图8所示,振子2的温度也上升约0.12℃。
这样,振子2的温度根据电源电压VDD的大小而发生变化,振荡信号的频率根据振子2的温度特性而发生变动。因此,在本实施方式中,数字信号处理电路210根据由电源电压VDD转换成的电源电压代码DVD来生成分频比控制信号DIVC,由此,能够通过分数N-PLL电路231对由于电源电压VDD的变动而发生变动的振荡信号的频率进行温度补偿。
图9是示出由数字信号处理电路210进行的分频比控制信号DIVC的生成处理的一例的图。在图9的例子中,数字信号处理电路210进行温度补偿运算,通过以第2温度代码DT2与校正代码DTC相加而成的温度代码DT2X为变量的下式(1)所示的第1多项式,生成温度补偿代码DCMP。具体来说,数字信号处理电路210将温度代码DT2X代入到下式(1)中而生成温度补偿代码DCMP。在式(1)中,温度补偿系数an~a0作为温度补偿信息而存储在存储部260中。另外,n为1以上的整数,为了高精度地对振荡信号的频率进行温度补偿,优选n为3以上,即,第1多项式为高次式。
DCMP=an·DT2Xn+an-1·DT2Xn-1+…+a1·DT2X+a0…(1)
另外,在图9的例子中,数字信号处理电路210进行电源电压校正运算,通过以电源电压代码DVD为变量的下式(2)所示的第2多项式,生成校正代码DTC。具体来说,数字信号处理电路210将电源电压代码DVD代入到下式(2)中而生成校正代码DTC。在式(2)中,电源电压校正系数bm~b0存储在存储部260中。另外,m为1以上的整数,为了高精度地对根据电源电压VDD的大小而发生变动的第2温度代码DT2进行校正,优选m为3以上,即,第2多项式为高次式。
DTC=bm·DVDm+bm-1·DVDm-1+…+b1·DVD+b0…(2)
图10是绘制了在外部气体温度为+25℃、-40℃或+85℃时电源电压VDD为3.0V、3.1V、3.2V、3.3V、3.4V、3.5V、3.6V时的第2温度代码DT2的图。在图10中,横轴是电源电压VDD,纵轴是将电源电压为3.3V时的第2温度代码DT2的值设为零而对第2温度代码DT2进行了换算的温度变化量。是对以电源电压为3.3V时的第2温度代码DT2的值为基准的第2温度代码DT2的相对值进行了换算的温度。在图10中如实线所示,例如,对外部气体温度为+25℃时的电源电压VDD与第2温度代码DT2之间的关系进行近似的多项式相当于第2多项式。
图11是绘制了使用图10所示的第2多项式对第2温度代码DT2进行校正而得的温度代码的图。在图11中,横轴是电源电压VDD,纵轴是将电源电压为3.3V时的第2温度代码DT2的值设为零而对校正后的温度代码进行了换算的温度变化量。在图11的例子中,对外部气体温度为+25℃时的电源电压VDD与校正后的温度代码之间的关系进行近似的近似直线的斜率大致为零。与此相对,外部气体温度为-40℃时的近似直线的斜率为负,外部气体温度为+80℃时的近似直线的斜率为正,电源电压VDD为3.0V或3.6V时的第2温度代码DT2的校正精度降低。这些近似直线的斜率的差是由对外部气体温度为25℃时的电源电压VDD与第2温度代码DT2之间的关系进行近似的第2多项式的1次系数值、和对外部气体温度为-40℃或+80℃时的电源电压VDD与第2温度代码DT2之间的关系进行近似的第2多项式的1次系数值的差而引起的。
因此,如图9所示,在本实施方式中,优选数字信号处理电路210在电源电压校正运算中根据第2温度代码DT2对第2多项式的1次系数b1的值进行校正。例如,数字信号处理电路210也可以对存储在存储部260中的1次系数b1乘以大小与第2温度代码DT2对应的温度增益校正系数,由此对1次系数b1的值进行校正。例如,温度增益校正系数被存储在存储部260中。
图12是绘制了对校正代码DTC加上第2温度代码DT2而得到的温度代码DT2X的图,其中,该校正代码DTC是使用根据外部气体温度对图10所示的第2多项式的1次系数值进行了校正的多项式而生成的。在图12中,横轴是电源电压VDD,纵轴是将电源电压为3.3V时的第2温度代码DT2的值设为零而对温度代码DT2X进行了换算的温度变化量。在图12的例子中,与图11相比,对外部气体温度为-40℃或+80℃时的电源电压VDD与温度代码DT2X之间的关系进行近似的近似直线的斜率接近为零,确认了1次系数b1的值的校正效果。
在图9的例子中,数字信号处理电路210最后进行分频比运算,根据存储在存储部260中的目标频率的设定值和温度补偿代码DCMP来计算分数N-PLL电路231的分频比,对该分频比进行Δ-∑调制而生成分频比控制信号DIVC。然后,通过分数N-PLL电路231对从振荡用电路230输出的振荡信号的频率进行温度补偿,得到高频率精度的振荡信号CKO。
1-1-4.作用效果
如以上说明的那样,在第1实施方式的振荡器1中,在振荡电路5所包含的集成电路元件4中,模拟/数字转换电路243将电源电压VDD和从温度传感器241输出的第2温度检测信号VT2分别转换为电源电压代码DVD和第2温度代码DT2。另外,数字信号处理电路210根据电源电压代码DVD来生成校正代码DTC,根据第2温度代码DT2和校正代码DTC来生成对从振荡用电路230输出的振荡信号的频率温度特性进行补偿的温度补偿代码DCMP。具体来说,数字信号处理电路210通过以电源电压代码DVD为变量的式(2)所示的第2多项式,生成校正代码DTC,通过以第2温度代码DT2与校正代码DTC相加而成的温度代码DT2X为变量的式(1)所示的第1多项式,生成温度补偿代码DCMP。因此,根据第1实施方式的振荡器1或振荡电路5,即使由于供给到集成电路元件4的电源电压VDD的变动而使集成电路元件4的发热量发生变动,从而使第2温度检测信号VT2发生变动,也能够根据电源电压代码DVD对第2温度代码DT2进行校正,能够高精度地进行温度补偿,因此能够降低由于电源电压VDD的变动而使频率精度下降的可能性。
另外,根据第1实施方式的振荡器1或振荡电路5,通过将式(2)所示的第2多项式设为以电源电压代码DVD为变量的3次以上的高次式,能够更高精度地对第2温度代码DT2进行校正,因此能够进一步降低由于电源电压VDD的变动而使频率精度下降的可能性。
另外,根据第1实施方式的振荡器1或振荡电路5,数字信号处理电路210根据第2温度代码DT2对式(2)所示的第2多项式的1次系数b1的值进行校正,由此,即使在由电源电压VDD的变动引起的集成电路元件4的温度变化量与振子2的温度变化量之间的关系根据外部气体温度而发生变动的情况下,也能够高精度地对第2温度代码DT2进行校正,因此能够降低由于电源电压VDD的变动而使频率精度下降的可能性。
另外,根据第1实施方式的振荡器1或振荡电路5,数字信号处理电路210以与其他处理分时的方式进行生成温度补偿代码DCMP的处理,由此能够兼用加法器或乘法器等运算器,因此与通过模拟电路进行温度补偿的情况相比,能够减小集成电路元件4的尺寸。
另外,根据第1实施方式,在数字信号处理电路210的运算中使用的各种系数值被存储在存储部260中,因此能够按照各个振荡器1的特性来设定为最佳的值,能够实现高频率精度的振荡器1或振荡电路5。
1-2.第2实施方式
以下,关于第2实施方式的振荡器1,对与第1实施方式同样的结构标注相同的标号,省略或简化与第1实施方式同样的说明,主要对与第1实施方式不同的内容进行说明。在第2实施方式的振荡器1中,由数字信号处理电路210进行的分频比控制信号DIVC的生成处理与第1实施方式不同。
图13是示出由第2实施方式的数字信号处理电路210进行的分频比控制信号DIVC的生成处理的一例的图。在图13的例子中,数字信号处理电路210通过温度补偿运算,将通过以第2温度代码DT2为变量的下式(3)所示的第1多项式得到的代码DCMPX与校正代码DTC相加,生成温度补偿代码DCMP。具体来说,数字信号处理电路210对将第2温度代码DT2代入到下式(3)中而得到的代码DCMPX加上校正代码DTC而生成温度补偿代码DCMP。在式(3)中,温度补偿系数an~a0作为温度补偿信息而存储在存储部260中。另外,n为1以上的整数,为了高精度地对振荡信号的频率进行温度补偿,优选n为3以上,即,第1多项式为高次式。
DCMPX=an·DT2n+an-1·DT2n-1+…+a1·DT2+a0…(3)
另外,在图13的例子中,数字信号处理电路210进行电源电压校正运算,通过以电源电压代码DVD为变量的下式(4)所示的第2多项式,生成校正代码DTC。具体来说,数字信号处理电路210将电源电压代码DVD代入到下式(4)中而生成校正代码DTC。在式(4)中,电源电压校正系数ck~c0被存储在存储部260中。另外,k为1以上的整数,为了高精度地对根据电源电压VDD的大小而变动的代码DCMPX进行校正,优选k为3以上,即,第2多项式为高次式。
DTC=ck·DVDk+ck-1,DVDk-i+…+c1·DVD+c0…(4)
在第2实施方式中,也优选数字信号处理电路210在电源电压校正运算中根据第2温度代码DT2对第2多项式的1次系数c1的值进行校正。
在图13的例子中,数字信号处理电路210最后进行分频比运算,根据存储在存储部260中的目标频率的设定值和温度补偿代码DCMP来计算分数N-PLL电路231的分频比,对该分频比进行Δ-∑调制而生成分频比控制信号DIVC。然后,通过分数N-PLL电路231对从振荡用电路230输出的振荡信号的频率进行温度补偿,得到高频率精度的振荡信号CKO。
另外,由于第2实施方式的振荡器1的其他结构与第1实施方式的振荡器1相同,所以省略其说明。
如以上说明的那样,在第2实施方式的振荡器1中,在振荡电路5所包含的集成电路元件4中,模拟/数字转换电路243将电源电压VDD和从温度传感器241输出的第2温度检测信号VT2分别转换为电源电压代码DVD和第2温度代码DT2。另外,数字信号处理电路210根据电源电压代码DVD来生成校正代码DTC,根据第2温度代码DT2和校正代码DTC来生成对从振荡用电路230输出的振荡信号的频率温度特性进行补偿的温度补偿代码DCMP。具体来说,数字信号处理电路210通过以电源电压代码DVD为变量的式(4)所示的第2多项式,生成校正代码DTC,将通过以第2温度代码DT2为变量的式(3)所示的第1多项式得到的代码DCMPX与校正代码DTC相加,生成温度补偿代码DCMP。因此,根据第2实施方式的振荡器1或振荡电路5,即使由于供给到集成电路元件4的电源电压VDD的变动而使集成电路元件4的发热量发生变动,从而使第2温度检测信号VT2发生变动,也能够根据电源电压代码DVD对第2温度代码DT2进行校正,能够高精度地进行温度补偿,因此能够降低由于电源电压VDD的变动而使频率精度下降的可能性。
另外,根据第2实施方式的振荡器1或振荡电路5,通过将式(4)所示的第2多项式设为以电源电压代码DVD为变量的3次以上的高次式,能够更高精度地对第2温度代码DT2进行校正,因此能够进一步降低由于电源电压VDD的变动而使频率精度下降的可能性。
另外,根据第2实施方式的振荡器1或振荡电路5,数字信号处理电路210根据第2温度代码DT2对式(4)所示的第2多项式的1次系数c1的值进行校正,由此,即使在由电源电压VDD的变动引起的集成电路元件4的温度变化量与振子2的温度变化量之间的关系根据外部气体温度而发生变动的情况下,也能够高精度地对第2温度代码DT2进行校正,因此能够降低由于电源电压VDD的变动而使频率精度下降的可能性。
另外,根据第2实施方式的振荡器1或振荡电路5,数字信号处理电路210以与其他处理分时的方式进行生成温度补偿代码DCMP的处理,由此能够兼用加法器或乘法器等运算器,因此与通过模拟电路来进行温度补偿的情况相比,能够减小集成电路元件4的尺寸。
另外,根据第2实施方式,在数字信号处理电路210的运算中所使用的各种系数值被存储在存储部260中,因此能够按照各个振荡器1的特性来设定为最佳的值,能够实现高频率精度的振荡器1或振荡电路5。
1-3.第3实施方式
以下,关于第3实施方式的振荡器1,对与第1实施方式同样的结构标注相同的标号,省略或简化与第1实施方式同样的说明,主要对与第1实施方式不同的内容进行说明。在第3实施方式的振荡器1中,由数字信号处理电路210进行的分频比控制信号DIVC的生成处理与第1实施方式不同。具体来说,数字信号处理电路210对电源电压代码DVD和校正代码DTC中的至少一方进行数字滤波处理。
图14是示出由第3实施方式的数字信号处理电路210进行的分频比控制信号DIVC的生成处理的一例的图。在图14的例子中,数字信号处理电路210对电源电压代码DVD进行数字滤波处理而生成电源电压代码DVDF,对电源电压代码DVDF进行电源电压校正运算而生成校正代码DTC。数字滤波处理的延迟时间是根据从电源电压VDD发生变化起到集成电路元件4的温度发生变化为止的延迟时间而适当设定的。
由此,例如,如图15所示,在从电源电压VDD急剧地发生变化后的规定时间t1内,第2温度代码DT2与判定了校正代码DTC的码的代码一致,得到第2温度代码DT2被高精度地校正后的温度代码DT2X。其结果是,得到用于高精度地对振荡信号的频率进行温度补偿的温度补偿代码DCMP,从而得到高频率精度的振荡信号CKO。另外,图15是由电源电压的变动引起的集成电路元件4的温度变化几乎对振子2的温度没有影响的情况的例子,根据影响度来适当设定数字滤波处理的延迟时间。
图16是示出由第3实施方式的数字信号处理电路210进行的分频比控制信号DIVC的生成处理的另一例的图。在图16的例子中,数字信号处理电路210对通过对电源电压代码DVD的电源电压校正运算而得到的校正代码DTC进行数字滤波处理,从而生成校正代码DTCF。然后,数字信号处理电路210对将校正代码DTCF与第2温度代码DT2相加而得的温度代码DT2X进行温度补偿运算而生成温度补偿代码DCMP。数字滤波处理的延迟时间是根据从电源电压VDD发生变化起到集成电路元件4的温度发生变化为止的延迟时间而适当设定的。这样也能够得到用于高精度地对振荡信号的频率进行温度补偿的温度补偿代码DCMP,因此可得到高频率精度的振荡信号CKO。
另外,数字信号处理电路210也可以对电源电压代码DVD和校正代码DTC这两者进行数字滤波处理。在该情况下,只要根据从电源电压VDD发生变化起到集成电路元件4的温度发生变化为止的延迟时间,适当设定针对电源电压代码DVD的数字滤波处理的延迟时间与针对校正代码DTC的数字滤波处理的延迟时间之和即可。
另外,虽然省略了图示和说明,但第3实施方式的数字信号处理电路210也可以在图13所示的由第2实施方式的数字信号处理电路210进行的分频比控制信号DIVC的生成处理中,对电源电压代码DVD和校正代码DTC中的至少一方进行数字滤波处理。
根据以上说明的第3实施方式的振荡器1或振荡电路5,起到与第1实施方式或第2实施方式同样的效果。此外,在第3实施方式的振荡器1中,在振荡电路5的集成电路元件4中,数字信号处理电路210对电源电压代码DVD和校正代码DTC中的至少一方进行数字滤波处理,因此能够通过数字滤波处理的延迟时间来减小因从电源电压VDD发生变化起到集成电路元件4的温度发生变化为止的延迟时间而产生的校正代码DTC的误差。因此,根据第3实施方式的振荡器1或振荡电路5,与第1实施方式或第2实施方式相比,能够降低由于电源电压VDD的变动而使频率精度下降的可能性。
1-4.变形例
在上述各实施方式中,温度控制元件7和温度传感器15是分体设置的,但温度控制元件7和温度传感器15也可以包含在1个集成电路元件中,该集成电路元件配置在振子2的附近。在该情况下,例如,温度控制元件7能够由电阻和MOS晶体管实现,温度传感器15能够由二极管等实现。
另外,在上述各实施方式中,集成电路元件4包含1个温度传感器241,但也可以包含多个温度传感器241。在该情况下,例如,也可以是,模拟/数字转换电路243将从多个温度传感器241输出的多个温度检测信号转换为多个温度代码,数字信号处理电路210根据该多个温度代码来生成第2温度代码DT2。例如,数字信号处理电路210也可以将多个温度代码的平均值设为第2温度代码DT2。
另外,在上述各实施方式中,温度传感器241包含在集成电路元件4中,但也可以设置在集成电路元件4的外部、并且比温度传感器15更远离振子2和温度控制元件7的位置。在该情况下,温度传感器241例如能够由热敏电阻或铂电阻等实现。图17是示出温度传感器241设置于集成电路元件4的外部的一例的振荡器1的剖视图。在图17的例子中,温度传感器241与电路基板8的上表面8f接合,设置在与外部气体接触的帽102附近的位置。因此,相对于外部气体温度的变化,温度传感器241检测的温度发生变化的范围变宽,实现了高精度的温度补偿。
另外,在上述各实施方式中,模拟/数字转换电路243将作为模拟信号的第1温度检测信号VT1转换为作为数字信号的第1温度代码DT1,数字信号处理电路210根据第1温度代码DT1来生成温度控制代码DHC,温度控制信号生成电路220将温度控制代码DHC转换为温度控制信号VHC,但温度控制信号VHC的生成方法并不限于此。例如,温度控制信号生成电路220也可以通过模拟信号处理,根据第1温度检测信号VT1的电压电平来生成温度控制信号VHC。
另外,在上述各实施方式中,根据由数字信号处理电路210生成的分频比控制信号DIVC来控制分数N型的PLL电路的分频比,由此进行温度补偿,但温度补偿的方式并不限定于此。例如,也可以是,振荡用电路230具有电容阵列,根据由数字信号处理电路210生成的温度补偿代码DCMP来选择电容阵列的电容值,由此进行温度补偿。另外,例如,也可以是,振荡用电路230具有用于对频率进行调整的可变电容元件,通过D/A转换电路将由数字信号处理电路210生成的温度补偿代码DCMP转换为模拟信号,根据该模拟信号来控制可变电容元件的电容值,由此进行温度补偿。
另外,在上述各实施方式中,1个模拟/数字转换电路243将电源电压VDD、第1温度检测信号VT1以及第2温度检测信号VT2分别以分时方式转换为电源电压代码DVD、第1温度代码DT1以及第2温度代码DT2,但例如也可以是,模拟/数字转换电路包含多个模拟/数字转换器,多个模拟/数字转换器将电源电压VDD、第1温度检测信号VT1以及第2温度检测信号VT2分别转换为电源电压代码DVD、第1温度代码DT1以及第2温度代码DT2。
另外,在上述各实施方式中,温度控制元件7是功率晶体管等发热元件,但温度控制元件7只要是能够对振子2的温度进行控制的元件即可,根据振子2的目标温度与外部气体温度的关系,也可以是帕尔贴元件等吸热元件。
另外,在上述各实施方式中,振荡器1是具有根据第1温度代码DT1将振子2的温度调整为目标温度附近的温度控制功能、以及基于第2温度代码DT2和电源电压代码DVD的温度补偿功能的振荡器,但也可以是TCXO(Temperature Compensated Crystal Oscillator:温度补偿晶体振荡器)等具有温度补偿功能并且不具有温度控制功能的振荡器。另外,振荡器1也可以是VC-TCXO(Voltage Controlled Temperature Compensated CrystalOscillator:压控型温度补偿晶体振荡器)等具有温度补偿功能和频率控制功能的振荡器。
2.电子设备
图18是示出本实施方式的电子设备的结构的一例的功能框图。
本实施方式的电子设备300构成为包含振荡器310、处理电路320、操作部330、ROM(Read Only Memory:只读存储器)340、RAM(Random Access Memory:随机存取存储器)350、通信部360、显示部370。另外,本实施方式的电子设备也可以构成为省略或变更图18的结构要素的一部分或者附加其他结构要素。
振荡器310具有振荡电路312和振子313。振荡电路312使振子313振荡而产生振荡信号。该振荡信号从振荡器310的外部端子输出到处理电路320。
处理电路320根据来自振荡器310的输出信号来进行动作。例如,处理电路320依照ROM 340等所存储的程序,将从振荡器310输入的振荡信号作为时钟信号来进行各种计算处理和控制处理。具体来说,处理电路320进行与来自操作部330的操作信号对应的各种处理、控制通信部360以与外部装置进行数据通信的处理、发送用于使显示部370显示各种信息的显示信号的处理等。
操作部330是由操作键、按钮开关等构成的输入装置,将与用户的操作对应的操作信号输出到处理电路320。
ROM 340是如下存储部:存储用于供处理电路320进行各种计算处理和控制处理的程序和数据等。
RAM 350是如下存储部:被用作处理电路320的工作区域,临时存储从ROM 340读出的程序和数据、从操作部330输入的数据、处理电路320依照各种程序执行的运算结果等。
通信部360进行用于建立处理电路320与外部装置之间的数据通信的各种控制。
显示部370是由LCD(Liquid Crystal Display:液晶显示器)等构成的显示装置,根据从处理电路320输入的显示信号显示各种信息。也可以在显示部370上设置作为操作部330发挥功能的触摸面板。
通过应用例如上述各实施方式的振荡器1作为振荡器310,能够降低由于电源电压的变动而使频率精度下降的可能性,因此能够实现可靠性高的电子设备。
作为这样的电子设备300,可考虑各种电子设备,例如可举出移动型/膝上型/平板型等的个人计算机、智能手机或移动电话机等移动终端、数字照相机、喷墨式打印机等喷墨式排出装置、路由器或交换机等存储区域网络设备、局域网设备、移动终端基站用设备、电视机、摄像机、录像机、车载导航装置、实时时钟装置、寻呼机、电子记事本、电子辞典、计算器、电子游戏设备、游戏用控制器、文字处理器、工作站、视频电话、防盗用电视监视器、电子望远镜、POS终端、电子体温计、血压计、血糖仪、心电图计测装置、超声波诊断装置、电子内窥镜等医疗设备、鱼群探测器、各种测量设备、车辆、飞机、船舶等的计量仪器类、飞行模拟器、头戴式显示器、运动轨迹仪、运动跟踪器、运动控制器、步行者自主导航(PDR:Pedestrian Dead Reckoning)装置等。
图19是示出作为电子设备300的一例的智能手机的外观的一例的图。作为电子设备300的智能手机具有按钮作为操作部330,具有LCD作为显示部370。而且,作为电子设备300的智能手机通过应用例如上述各实施方式的振荡器1来作为振荡器310,能够降低由于电源电压的变动而使频率精度下降的可能性,因此能够实现可靠性更高的电子设备300。
另外,作为本实施方式的电子设备300的另一例,可举出作为终端基站用装置等发挥功能的传输装置,该终端基站用装置使用上述振荡器310作为基准信号源,例如通过有线或无线的方式与终端进行通信。通过应用例如上述各实施方式的振荡器1作为振荡器310,能够以比以往低的成本实现例如可用于通信基站等的可期望频率精度高、高性能、高可靠性的电子设备300。
另外,作为本实施方式的电子设备300的另一例,也可以是如下的通信装置:通信部360接收外部时钟信号,处理电路320包含根据该外部时钟信号和振荡器310的输出信号而控制振荡器310的频率的频率控制部。该通信装置例如可以是在Stratum3等主干系统网络设备或毫微微小区中使用的通信设备。
3.移动体
图20是示出本实施方式的移动体的一例的图。图20所示的移动体400构成为包含振荡器410、处理电路420、430、440、电池450、备用电池460。另外,本实施方式的移动体也可以构成为省略图20的结构要素的一部分或者附加其他结构要素。
振荡器410具有未图示的振荡电路和振子,振荡电路使振子振荡而产生振荡信号。该振荡信号从振荡器410的外部端子输出到处理电路420、430、440,例如被用作时钟信号。
处理电路420、430、440根据来自振荡器的输出信号来进行动作,进行发动机系统、制动系统、无匙门禁系统等的各种控制处理。
电池450向振荡器410和处理电路420、430、440供给电力。备用电池460在电池450的输出电压下降到低于阈值时,向振荡器410和处理电路420、430、440供给电力。
通过应用例如上述各实施方式的振荡器1来作为振荡器410,能够降低由于电源电压的变动而使频率精度下降的可能性,因此能够实现可靠性高的移动体。
作为这样的移动体400,可考虑各种移动体,例如可举出电动汽车等汽车、喷气式飞机或直升飞机等飞机、船舶、火箭、人造卫星等。
本发明不限于本实施方式,能够在本发明的主旨范围内实施各种变形。
上述实施方式和变形例是一例,并不限于此。例如,还能够适当组合各实施方式和各变形例。
本发明包含与在实施方式中说明的结构实质相同的结构(例如功能、方法以及结果相同的结构,或者目的以及效果相同的结构)。此外,本发明包含对实施方式中说明的结构的非本质部分进行置换后的结构。此外,本发明包含能够起到与在实施方式中说明的结构相同作用效果的结构或达到相同目的的结构。此外,本发明包含对在实施方式中说明的结构附加公知技术后的结构。

Claims (10)

1.一种振荡电路,其中,该振荡电路具有:
振荡用电路,其使振子进行振荡,输出振荡信号;
温度感测元件,其输出温度检测信号;
模拟/数字转换电路,其将所述温度检测信号转换为作为数字信号的温度代码,将电源电压转换为作为数字信号的电源电压代码;以及
数字信号处理电路,其根据所述电源电压代码来生成校正代码,根据所述温度代码和所述校正代码,生成对所述振荡信号的频率温度特性进行补偿的温度补偿代码,
所述数字信号处理电路对所述电源电压代码和所述校正代码中的至少一方进行数字滤波处理。
2.根据权利要求1所述的振荡电路,其中,
所述数字信号处理电路通过以所述温度代码与所述校正代码相加而成的代码为变量的第1多项式,生成所述温度补偿代码。
3.根据权利要求1所述的振荡电路,其中,
所述数字信号处理电路将通过以所述温度代码为变量的第1多项式得到的代码与所述校正代码相加,生成所述温度补偿代码。
4.根据权利要求1~3中的任意一项所述的振荡电路,其中,
所述数字信号处理电路通过以所述电源电压代码为变量的第2多项式,生成所述校正代码。
5.根据权利要求4所述的振荡电路,其中,
所述第2多项式为3次以上的高次式。
6.根据权利要求2或3所述的振荡电路,其中,
所述数字信号处理电路通过以所述电源电压代码为变量的第2多项式,生成所述校正代码,
所述数字信号处理电路根据所述温度代码来校正所述第2多项式的1次系数值。
7.根据权利要求1所述的振荡电路,其中,
该振荡电路具有集成电路元件,该集成电路元件包含所述数字信号处理电路和所述温度感测元件。
8.一种振荡器,其中,该振荡器具有:
权利要求1~7中的任意一项所述的振荡电路;以及
所述振子。
9.一种电子设备,其中,该电子设备具有:
权利要求8所述的振荡器;以及
处理电路,其根据来自所述振荡器的输出信号来进行动作。
10.一种移动体,其中,该移动体具有:
权利要求8所述的振荡器;以及
处理电路,其根据来自所述振荡器的输出信号来进行动作。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0531327U (ja) * 1991-09-30 1993-04-23 株式会社ケンウツド 温度補償機能を有する水晶発振器の周波数制御回路
CN102075143A (zh) * 2009-11-24 2011-05-25 精工爱普生株式会社 压电振荡器的温度补偿方法和压电振荡器
JP2011234094A (ja) * 2010-04-27 2011-11-17 Seiko Epson Corp 圧電発振器、圧電発振器の製造方法、圧電発振器の温度補償方法
JP2014197751A (ja) * 2013-03-29 2014-10-16 セイコーエプソン株式会社 発振器、電子機器及び移動体
JP2015065511A (ja) * 2013-09-24 2015-04-09 日本電波工業株式会社 恒温槽付水晶発振器
CN106953631A (zh) * 2016-01-06 2017-07-14 精工爱普生株式会社 电路装置、振荡器、电子设备以及移动体
CN107483016A (zh) * 2016-06-07 2017-12-15 精工爱普生株式会社 温度补偿型振荡电路、振荡器及其制造方法、电子设备、移动体

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06350339A (ja) 1993-06-14 1994-12-22 Nec Corp デジタル温度補償型圧電発振器
US6621361B1 (en) * 2000-10-17 2003-09-16 Cts Corporation Dual oven oscillator using a thermoelectric module
US7310024B2 (en) 2005-02-28 2007-12-18 Milliren Bryan T High stability double oven crystal oscillator
JP2007273420A (ja) 2006-03-31 2007-10-18 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 温度制御装置
WO2008112182A1 (en) 2007-03-09 2008-09-18 Radioframe Networks, Inc. Crystal oscillator temperature control and compensation
US7782147B2 (en) 2007-06-20 2010-08-24 Motorola, Inc. Apparatus for providing oscillator frequency stability
US8569808B1 (en) 2012-04-06 2013-10-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Temperature stabilitized MEMS
JP5946737B2 (ja) 2012-09-27 2016-07-06 日本電波工業株式会社 発振装置
JP6190664B2 (ja) 2013-08-27 2017-08-30 日本電波工業株式会社 水晶発振器
JP6504561B2 (ja) 2015-06-10 2019-04-24 セイコーNpc株式会社 ディジタル温度電圧補償型発振器
JP6570915B2 (ja) 2015-08-06 2019-09-04 セイコーNpc株式会社 ディジタル温度電圧補償型発振器
JP6759539B2 (ja) 2015-08-06 2020-09-23 セイコーエプソン株式会社 発振器、電子機器および基地局
JP6710914B2 (ja) 2015-08-28 2020-06-17 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、電子機器及び移動体
JP6638340B2 (ja) * 2015-11-12 2020-01-29 セイコーエプソン株式会社 回路装置、発振器、電子機器及び移動体
JP6703414B2 (ja) 2016-02-12 2020-06-03 古野電気株式会社 恒温槽付発振器、位置情報算出装置、及び基準信号発生装置
JP2019012879A (ja) 2017-06-29 2019-01-24 セイコーエプソン株式会社 発振器、および電子機器
JP7200476B2 (ja) * 2017-12-28 2023-01-10 セイコーエプソン株式会社 回路装置、振動デバイス、電子機器及び移動体
JP2019129489A (ja) 2018-01-26 2019-08-01 セイコーエプソン株式会社 集積回路装置、振動デバイス、電子機器及び移動体
JP7326806B2 (ja) * 2019-03-26 2023-08-16 セイコーエプソン株式会社 発振器、電子機器及び移動体

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0531327U (ja) * 1991-09-30 1993-04-23 株式会社ケンウツド 温度補償機能を有する水晶発振器の周波数制御回路
CN102075143A (zh) * 2009-11-24 2011-05-25 精工爱普生株式会社 压电振荡器的温度补偿方法和压电振荡器
JP2011234094A (ja) * 2010-04-27 2011-11-17 Seiko Epson Corp 圧電発振器、圧電発振器の製造方法、圧電発振器の温度補償方法
JP2014197751A (ja) * 2013-03-29 2014-10-16 セイコーエプソン株式会社 発振器、電子機器及び移動体
JP2015065511A (ja) * 2013-09-24 2015-04-09 日本電波工業株式会社 恒温槽付水晶発振器
CN106953631A (zh) * 2016-01-06 2017-07-14 精工爱普生株式会社 电路装置、振荡器、电子设备以及移动体
CN107483016A (zh) * 2016-06-07 2017-12-15 精工爱普生株式会社 温度补偿型振荡电路、振荡器及其制造方法、电子设备、移动体

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