CN111755493A - 屏下摄像头的oled显示面板及其制备方法及显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了屏下摄像头的OLED显示面板及其制备方法及显示装置，所述OLED显示面板包括摄像区、围绕所述摄像区的过渡区以及围绕所述过渡区的显示区，所述OLED显示面板还包括：叠层基板，从所述摄像区延伸至所述显示区，其中，在所述摄像区和所述过渡区，所述叠层基板具有多个凹槽；以及浸润层，从所述叠层基板表面延伸至所述凹槽，在所述凹槽内，所述浸润层贴附于所述凹槽的侧壁和底壁形成一吸附槽。本申请所述凹槽的整体结构为所述浸润层的结构提供了良好的附着环境的前提下，从而使得所述浸润层的吸附槽结构也为所述封装层提供良好的成膜性能，进而解决了OLED显示面板在摄像区处封装不良的问题。

Description

屏下摄像头的OLED显示面板及其制备方法及显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种屏下摄像头的OLED显示面板及其制备方法及显示装置。

背景技术

有机发光二极管显示器件(Organic Light Emitting Diode，OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽、可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。

随着全面屏技术的发展，屏下摄像头技术即把摄像头放置在显示屏的下方，同时摄像头区域的显示屏仍然可以显示，此为真正意义上的全面屏显示技术。但目前存在技术壁垒，即外界光线穿过显示屏叠层结构以及模组材料的叠构之后能量衰减超过90％，导致摄像头较难正常成像，因此出现了一种过渡技术—OCUT型屏下摄像头，即摄像头投影上方的显示屏用激光镭射等方式切割后再进行摄像头安装，保证摄像头可直接获取外界光线，然而现有的O cut设计结构如图1，存在封装不良水氧易入侵等问题，在圆孔边缘的发光区易产生小黑点以及内缩现象。

如图1所示，现有的O cut技术主要在panel(OLED显示屏)面内设计了摄像区701，为保证摄像头直接获取外界光线，此区域在显示屏器件结束后会进行镭射切割除去OLED器件挡光膜层，以及正常显示区703即AA区和围绕在AA区边界的过渡区702。过渡区域702设计目的就是保证摄像区701被切割后AA区不会因为镭射切割截面导致的侧向水氧入侵失效。

如图2所示，图2为现有O CUT显示面板的截面图，首先AA区，从下至上一次包括叠层基板100、第二缓冲层201、有源层400、第一栅极绝缘层202、第一栅极层421、第二栅极绝缘层203、第二栅极层422、介电层204、源漏极层411、平坦层301、OLED器件412、像素定义层302、阴极303以及封装层304(TFE)，此处不做详细介绍。

在实际量产状况下，现有显示面板难以保证有效封装，主要原因在于底切结构(under cut)在实际曝光制程难以做到理想的形貌，导致TFE层无机膜在覆盖under cut结构时成膜较差易发生断裂，从而形成水氧入侵路径，TFE无机膜在量产实际一般采取CVD化学气相沉积的方法，为保护EL有机材料不受高温变性影响，一般TFE CVD制程温度需要控制在85°左右，因此TFE化学气相沉积(CVD)属于低温抑制性沉积成膜方式，此成膜方式由于制程温度较低导致原子迁移扩散能力较差，自上而下的沉积方式决定了原子迁移扩散具有一定方向也就决定了CVD成膜具有一定方向性，此外在under cut拐角区域CVD沉积衬底由无机CVD过渡到有机PI材料两个相面，在两个相面的交界处表面势垒较大，阻碍晶核生长和核岛的延伸吞并过程，最终导致CVD难以跨界面连续成膜。所以在undercut结构的屋檐区CVD成膜的膜质疏松内应力较大，易发生断裂，导致封装失效。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种屏下摄像头的OLED显示面板及其制备方法及显示装置，以解决现有显示面板摄像头区域处的封装膜层容易断裂、封装效果较差的技术问题。

为实现上述目的，本发明提供一种屏下摄像头的OLED显示面板，包括摄像区、围绕所述摄像区的过渡区以及围绕所述过渡区的显示区，所述OLED显示面板还包括：

叠层基板，从所述摄像区延伸至所述显示区，其中，在所述摄像区和所述过渡区，所述叠层基板具有多个凹槽；以及浸润层，从所述叠层基板表面延伸至所述凹槽，在所述凹槽内，所述浸润层贴附于所述凹槽的侧壁和底壁形成一吸附槽。

进一步地，所述浸润层为晶格结构。

进一步地，所述凹槽包括：第一底槽，其截面图为圆弧状；以及

第一柱体，连接所述第一底槽；所述吸附槽包括：第二底槽，贴附于所述第一底槽的槽壁；以及第二柱体，连接至所述第二底槽且贴附所述第一柱体。

进一步地，所述叠层基板包括：第一PI层；第一缓冲层，设于所述第一PI层上；第二PI层，设于所述第一缓冲层上；屏障层，设于所述第二PI层上；以及至少一堤坝，设于所述屏障层上且靠近所述显示区的一侧；其中，所述凹槽贯穿所述屏障层且下凹于所述第二PI层；所述浸润层覆于所述堤坝的侧边及顶部。

进一步地，所述的屏下摄像头的OLED显示面板，还包括：阴极，在所述摄像区和所述过渡区，所述阴极设于所述叠层基板的表面及所述凹槽的底壁上；封装层，从所述摄像区延伸至所述显示区，其中，在所述摄像区和所述过渡区，所述封装层设于所述阴极上。

为实现上述目的，本发明还提供一种屏下摄像头的OLED显示面板的制备方法，所述OLED显示面板包括摄像区、围绕所述摄像区的过渡区以及围绕所述过渡区的显示区包括如下步骤：

制备一叠层基板，从所述摄像区延伸至所述显示区；对所述叠层基板进行刻蚀处理，形成多个凹槽，所述凹槽设于所述摄像区和所述过渡区；以及形成一浸润层，从所述叠层基板表面延伸至所述凹槽，在所述凹槽内，所述浸润层贴附于所述凹槽的侧壁和底壁形成一吸附槽。

进一步地，在所述形成一浸润层的步骤中，在温度为380℃-420℃的条件下，在所述摄像区和所述过渡区，沉积无机材料形成所述浸润层。

进一步地，在所述形成一浸润层的步骤之后，还包括：对所述浸润层进行降温处理；制备一阴极，在所述摄像区和所述过渡区，所述阴极设于所述叠层基板的表面及所述凹槽的底壁上；在温度为70℃-90℃的条件下，形成一封装层，所述封装层从所述摄像区延伸至所述过渡区及所述显示区，其中，在所述摄像区和所述过渡区，所述封装层设于所述浸润层上。

进一步地，所述制备一叠层基板的步骤，具体包括如下步骤：形成一第一PI层；形成一第一缓冲层于所述第一PI层上；形成一第二PI层于所述第一缓冲层上；

形成一屏障层于所述第二PI层上；以及形成至少一堤坝设于所述屏障层上且靠近所述显示区的一侧；其中，所述凹槽贯穿所述屏障层且下凹于所述第二PI层；所述浸润层覆于所述堤坝的侧边及顶部。

为实现上述目的，本发明还提供一种显示装置，包括前文所述的屏下摄像头的OLED显示面板。

本发明的技术效果在于，提供一种屏下摄像头的OLED显示面板及其制备方法及显示装置，在过渡区的叠层基板上设置多个间隔排列的凹槽，浸润层叠层基板表面延伸至所述凹槽，在所述凹槽内，浸润层贴附于所述凹槽的侧壁和底壁形成一吸附槽。所述凹槽的整体结构为所述浸润层的结构提供了良好的附着环境的前提下，从而使得所述浸润层的吸附槽结构也为所述封装层提供良好的成膜性能，进而解决了OLED显示面板在摄像区处封装不良的问题。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为OLED显示面板的结构示意图。

图2为现有OLED显示面板的截面图。

图3为本申请实施例所述OLED显示面板的截面图。

图4为图3中A部位的放大图一。

图5为图3中A部位的放大图二。

图6为图3中A部位的放大图三。

图7为本申请实施例所述屏下摄像头的OLED显示面板的制备方法的流程图。

附图部件标识如下：

10OLED显示面板；

701摄像区；702过渡区；703显示区；

100叠层基板；200浸润层；

80凹槽；90吸附槽；

101第一PI层；102第一缓冲层；

103第二PI层；104屏障层；105堤坝；

801第一底槽；802第一柱体；

901第二底槽；902第二底槽；

201第二缓冲层；202第一栅极绝缘层；203第二栅极绝缘层；204介电层；

301平坦层；302像素定义层；303阴极；304封装层；

400有源层；421第一栅极层；422第二栅极层；

411源漏极层；412OLED器件。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

如图1所示，本实施例提供一种屏下摄像头的OLED显示面板10，包括摄像区701、围绕摄像区701的过渡区702以及围绕过渡区702的显示区703。

如图3所示，OLED显示面板100还包括叠层基板100以及浸润层200。

叠层基板100从摄像区701延伸至显示区703，其中，在摄像区701和过渡区702，叠层基板100具有多个凹槽80。优选地，多个等间距排列的的凹槽80设于叠层基板100上形成一沟道结构，且凹槽80的开口宽度小于相邻两个凹槽80之间的间距。

具体的，叠层基板100包括第一PI层101、第一缓冲层102、第二PI层103、屏障层104以及堤坝105。具体的，第一缓冲层102设于第一PI层101的上表面。第二PI层103设于第一缓冲层102的上表面。屏障层104设于第二PI层103的上表面。至少一堤坝105设于屏障层104上且靠近显示区703的一侧，堤坝105可以为单层结构或者多层结构，其材质为无机材料。本实施例中，凹槽80贯穿屏障层104且下凹于第二PI层103。第一PI层10和第二PI层103的材质为聚酰亚胺，具有良好的柔韧性，在第一PI层101和第二PI层103的上表面分别设置第一缓冲层102和屏障层104主要是防止水氧从显示面板底部入侵至OLED器件。本实施例在过渡区702至少一个堤坝105结构是为了进一步地防止水氧从过渡区702入侵至显示区703。因此，本实施例提供的OLED显示面板101在具有良好的柔性的同时也具有良好的阻隔水氧能力。

浸润层200为晶格结构，在摄像区701和过渡区702，浸润层200从叠层基板100表面延伸至凹槽80，在凹槽80内，浸润层200贴附于凹槽80的侧壁和底壁形成一吸附槽90。具体的，在过渡区702，浸润层80还覆于堤坝105的侧边及顶部。浸润层200的材质为无机材料，包括但不限于氮化硅、氧化硅等材质。

如图4-6所示，凹槽80包括第一底槽801以及第一柱体802。第一底槽801的截面图为圆弧状，例如半圆形、半椭圆形。当然，第一底槽801的截面图也可以为不规则的圆弧形，即第一底槽801的宽度从其底壁向第一底槽801的槽口逐渐减小。第一柱体802连接第一底槽80。第一柱体802可以为上窄下宽的柱状结构，即连接至第一底槽80处的第一柱体802的半径大于其顶部的半径。本实施例的第一柱体802的截面图优选为圆柱状。

吸附槽90包括第二底槽901以及第二柱体902。第二底槽901贴附于第一底槽801的槽壁。第二柱体902连接至第二底槽901且贴附第二柱体902。

请继续参照图3，本实施例提供的OLED显示面板100还包括阴极303和封装层304，从摄像区701延伸至显示区703。

在显示区703，OLED显示面板100还包括第二缓冲层201、有源层400、第一栅极绝缘层202、第一栅极层421、第二栅极绝缘层203、第二栅极层422、介电层204、源漏极层411、平坦层301、OLED器件412以及像素定义层302。

具体的，第二缓冲层201设于屏障层104的上表面。有源层400设于第二缓冲层201的上表面。第一栅极绝缘层202设于第二缓冲层201及有源层400的上表面。第一栅极层421设于第一栅极绝缘层202的上表面，且其位置与有源层400的位置相对应。第二栅极绝缘层203设于第一栅极层421及第一栅极绝缘层202的上表面。第二栅极层422设于第二栅极绝缘层203的上表面，且其投影在第一栅极层421上与第一栅极层421重合。介电层204设于第二栅极层422及第二栅极绝缘层203的上表面。一过孔从介电层204贯穿至有源层400的上表面，并在所述过孔内沉积金属材料形成源漏极层411。平坦层301设于源漏极层411及介电层204的上表面，平坦层301具有一平坦层通孔，贯穿至源漏极层411。像素定义层302设于平坦层301上，像素定义层302具有多个像素单元，相邻的两个像素单元之间设有一间隔，OLED器件412形成于所述间隔内。OLED器件412包括一阳极，设于平坦层301上且通过所述平坦层通孔连接至所述源漏极层411。OLED器件412还包括电子注入层、电子传输层、发光层、空穴注入层、空穴传输层等膜层。

本实施例中，在摄像区702和过渡区703，阴极303设于叠层基板100的表面及凹槽80的底壁上；在显示区703，阴极303设于像素定义层302及OLED器件412的上表面。封装层304从摄像区701延伸至显示区703，换句话来说，在摄像区701延伸至显示区703，封装层304设于浸润层200上；在显示区703，封装层304设于阴极303上。

本实施例中，由于多个等间距排列的凹槽80设于叠层基板100上形成一沟道结构，且凹槽80的开口宽度小于相邻两个凹槽80之间的间距。在此基础上，利用高温制程的化学气相沉积(CVD)无机材料在叠层基板100表面形成浸润层200，且贴附于凹槽80的侧壁和底壁，从而消除有机材料或者无机材料在凹槽80的内壁和叠层基板100表面的界面势垒，提供了较好的晶格结构匹配环境，使得浸润层200为晶格结构，具有多个等间距排列的吸附槽90，且吸附槽90的开口宽度小于相邻两个吸附槽90之间的间距，从而保证了封装层304在吸附槽90内具有良好的成膜性能。总的来说，本实施例中，在凹槽80的整体结构为浸润层200的结构提供了良好的附着环境的前提下，从而使得浸润层200的吸附槽90结构也为封装层304提供良好的成膜性能。

如图7所示，本实施例还提供一种用于制备前文所述的屏下摄像头的OLED显示面板的制备方法，所述OLED显示面板包括摄像区、围绕所述摄像区的过渡区以及围绕所述过渡区的显示区包括如下步骤S1)-S6)。

S1)制备一叠层基板，从所述摄像区延伸至所述显示区。

具体的，所述制备一叠层基板的步骤，具体包括如下步骤：

形成一第一PI层；形成一第一缓冲层于所述第一PI层上；形成一第二PI层于所述第一缓冲层上；

形成一屏障层于所述第二PI层上；以及形成至少一堤坝设于所述屏障层上且靠近所述显示区的一侧。所述堤坝可以为单层结构或者多层结构，其材质为无机材料。本实施例中，所述凹槽贯穿所述屏障层且下凹于所述第二PI层。所述第一PI层和第二PI层的材质为聚酰亚胺，具有良好的柔韧性，在所述第一PI层和所述第二PI层的上表面分别设置所述第一缓冲层和所述屏障层主要是防止水氧从显示面板底部入侵至OLED器件。本实施例在所述过渡区至少一个堤坝结构是为了进一步地防止水氧从所述过渡区入侵至显示区。因此，本实施例提供的OLED显示面板在具有良好的柔性的同时也具有良好的阻隔水氧能力。

S2)对所述叠层基板进行刻蚀处理，形成多个凹槽，所述凹槽设于所述摄像区和所述过渡区。其中，所述凹槽贯穿所述屏障层且下凹于所述第二PI层。优选地，多个所述凹槽在所述叠层基板等间距排列形成一沟道结构，且所述凹槽的开口宽度小于相邻两个凹槽之间的间距。

S3)形成一浸润层，从所述叠层基板表面延伸至所述凹槽，在所述凹槽内，所述浸润层贴附于所述凹槽的侧壁和底壁形成一吸附槽。

具体的，在温度为380℃-420℃的条件下，在所述摄像区和所述过渡区，沉积无机材料形成所述浸润层。在所述过渡区所述浸润层覆于所述堤坝的侧边及顶部。所述浸润层的材质为无机材料，包括但不限于氮化硅、氧化硅等材质。

S4)对所述浸润层进行降温处理。具体的，对所述浸润层进行冷却至70℃-90℃。

S5)制备一阴极，在所述摄像区和所述过渡区，所述阴极设于所述叠层基板的表面及所述凹槽的底壁上。

S6)在温度为70℃-90℃的条件下，形成一封装层，所述封装层从所述摄像区延伸至所述过渡区及所述显示区，其中，在所述摄像区和所述过渡区，所述封装层设于所述浸润层上。所述封装层包括无机-有机-无机的结构，具有良好的封装效果。

在步骤S4)与步骤S5)之间，在所述显示区，所述OLED显示面板的制备方法还包括如下步骤：

形成一第二缓冲层于屏障层上表面；

形成一有源层于所述第二缓冲层上；

形成一第一栅极绝缘层于所述第二缓冲层及有源层的上；

形成一第一栅极层于所述第一栅极绝缘层上，且其位置与所述有源层的位置相对应；

形成一第二栅极绝缘层于所述第一栅极层及第一栅极绝缘层上；

形成一第二栅极层于所述第二栅极绝缘层上，且其投影在所述第一栅极层上与所述第一栅极层重合；

形成一介电层于所述第二栅极层及第二栅极绝缘层上，一过孔从所述介电层贯穿至所述有源层上表面，

在所述过孔内沉积金属材料形成源漏极层；

形成一平坦层于所述源漏极层及所述介电层上，所述平坦层具有一平坦层通孔，贯穿至所述源漏极层；

形成一像素定义层于所述平坦层上，所述像素定义层具有多个像素单元，相邻的两个像素单元之间设有一间隔；

制备一OLED器件于所述间隔内。所述OLED器件包括一阳极，设于所述平坦层上且通过所述平坦层通孔连接至所述源漏极层。所述OLED器件还包括电子注入层、电子传输层、发光层、空穴注入层、空穴传输层等膜层。

本实施例中，在所述摄像区和所述过渡区，所述阴极设于所述叠层基板的表面及所述凹槽的底壁上；在所述显示区，所述阴极设于所述像素定义层及所述OLED器件的上表面。所述封装层从所述摄像区延伸至所述显示区，换句话来说，在所述摄像区延伸至所述显示区，所述封装层设于所述浸润层上；所述在显示区，所述封装层设于所述阴极上。

本实施例提供一种屏下摄像头的OLED显示面板的制备方法，在高温380℃-420℃的条件下沉积无机材料形成所述浸润层，相对于在低温70℃-90℃的条件下至所述封装层，所述浸润层具有更好的原子迁移扩散能力，在所述叠层基板的凹槽有足够的能量吸附扩散然后成膜生长。具体的，由于多个等间距排列的凹槽设于所述叠层基板上形成一沟道结构，且所述凹槽的开口宽度小于相邻两个凹槽之间的间距。在此基础上，利用高温制程的化学气相沉积(CVD)无机材料在所述叠层基板表面形成所述浸润层，且贴附于所述凹槽的侧壁和底壁，从而消除有机材料或者无机材料在所述凹槽的内壁和所述叠层基板表面的界面势垒，提供了较好的晶格结构匹配环境，使得所述浸润层为晶格结构，具有多个等间距排列的所述吸附槽，且所述吸附槽的开口宽度小于相邻两个吸附槽之间的间距，从而保证了所述封装层在所述吸附槽内具有良好的成膜性能。总的来说，本实施例中，在所述凹槽的整体结构为所述浸润层的结构提供了良好的附着环境的前提下，使得所述浸润层的吸附槽结构也为所述封装层提供良好的成膜性能，进而解决了OLED显示面板在摄像区处封装不良的问题。

本实施例还提供一种显示装置，包括前文所述的屏下摄像头的OLED显示面板及其制备方法。该显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

以上对本申请实施例所提供的一种屏下摄像头的OLED显示面板及其制备方法及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种屏下摄像头的OLED显示面板，其特征在于，包括摄像区、围绕所述摄像区的过渡区以及围绕所述过渡区的显示区，所述OLED显示面板还包括：

叠层基板，从所述摄像区延伸至所述显示区，其中，在所述摄像区和所述过渡区，所述叠层基板具有多个凹槽；以及

浸润层，从所述叠层基板表面延伸至所述凹槽，在所述凹槽内，所述浸润层贴附于所述凹槽的侧壁和底壁形成一吸附槽。

2.根据权利要求1所述的屏下摄像头的OLED显示面板，其特征在于，

所述浸润层为晶格结构。

3.根据权利要求1所述的屏下摄像头的OLED显示面板，其特征在于，

所述凹槽包括：

第一底槽，其截面图为圆弧状；以及

第一柱体，连接所述第一底槽；

所述吸附槽包括：

第二底槽，贴附于所述第一底槽的槽壁；以及

第二柱体，连接至所述第二底槽且贴附所述第一柱体。

4.根据权利要求1所述的屏下摄像头的OLED显示面板，其特征在于，

所述叠层基板包括：

第一PI层；

第一缓冲层，设于所述第一PI层上；

第二PI层，设于所述第一缓冲层上；

屏障层，设于所述第二PI层上；以及

至少一堤坝，设于所述屏障层上且靠近所述显示区的一侧；

其中，所述凹槽贯穿所述屏障层且下凹于所述第二PI层；

所述浸润层覆于所述堤坝的侧边及顶部。

5.根据权利要求1所述的屏下摄像头的OLED显示面板，其特征在于，还包括：

阴极，在所述摄像区和所述过渡区，所述阴极设于所述叠层基板的表面及所述凹槽的底壁上；

封装层，从所述摄像区延伸至所述显示区，其中，在所述摄像区和所述过渡区，所述封装层设于所述阴极上。

6.一种用于制备权利要求1所述的屏下摄像头的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述OLED显示面板包括摄像区、围绕所述摄像区的过渡区以及围绕所述过渡区的显示区包括如下步骤：

制备一叠层基板，从所述摄像区延伸至所述显示区；

对所述叠层基板进行刻蚀处理，形成多个凹槽，所述凹槽设于所述摄像区和所述过渡区；以及

形成一浸润层，从所述叠层基板表面延伸至所述凹槽，在所述凹槽内，所述浸润层贴附于所述凹槽的侧壁和底壁形成一吸附槽。

7.根据权利要求6所述的屏下摄像头的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，

在所述形成一浸润层的步骤中，

在温度为380℃-420℃的条件下，在所述摄像区和所述过渡区，沉积无机材料形成所述浸润层。

8.根据权利要求6所述的屏下摄像头的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，

在所述形成一浸润层的步骤之后，还包括：

对所述浸润层进行降温处理；

制备一阴极，在所述摄像区和所述过渡区，所述阴极设于所述叠层基板的表面及所述凹槽的底壁上；

在温度为70℃-90℃的条件下，形成一封装层，所述封装层从所述摄像区延伸至所述过渡区及所述显示区，其中，在所述摄像区和所述过渡区，所述封装层设于所述浸润层上。

9.根据权利要求8所述的屏下摄像头的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，

所述制备一叠层基板的步骤，具体包括如下步骤：

形成一第一PI层；

形成一第一缓冲层于所述第一PI层上；

形成一第二PI层于所述第一缓冲层上；

形成一屏障层于所述第二PI层上；以及

形成至少一堤坝设于所述屏障层上且靠近所述显示区的一侧；

其中，所述凹槽贯穿所述屏障层且下凹于所述第二PI层；

所述浸润层覆于所述堤坝的侧边及顶部。

10.一种显示装置，包括权利要求1-5任一项所述的屏下摄像头的OLED显示面板。

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