JP2024020304A - 表示素子の封止構造及び表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】本開示は、表示素子の封止構造及び表示装置を提供する。【解決手段】表示素子の封止構造は、ベース基板と、前記ベース基板の表面に設置された表示素子と、前記表示素子を覆う封止層とを含み、前記封止層は、前記表示素子に接近する方向に沿って順次に積層して設置された、第２無機層と、有機層と、電荷捕獲量を低減可能な第１無機層とを含む。【選択図】図１
Description
関連出願の相互参照
本出願は、２０１８年８月１６日に中国特許庁に提出された中国特許出願２０１８２１
３２２８７２．Ｘの優先権を主張し、その全ての内容が援用により本出願に取り込まれる
。
本出願は、２０１８年８月１６日に中国特許庁に提出された中国特許出願２０１８２１
３２２８７２．Ｘの優先権を主張し、その全ての内容が援用により本出願に取り込まれる
。
本開示は、封止技術分野に関し、特に、表示素子の封止構造及び表示装置に関する。
表示技術の絶えざる発展に伴って、表示素子の応用はますます広くなっている。表示素
子の使用寿命を延長させるために、表示素子の封止課題がどんどん人々の注目を集めてい
る。
子の使用寿命を延長させるために、表示素子の封止課題がどんどん人々の注目を集めてい
る。
本開示は以下の技術方案を提供する。
一実施例において、表示素子の封止構造が提供される。前記表示素子の封止構造は、ベ
ース基板と、前記ベース基板の表面に設置された表示素子と、前記表示素子を覆う封止層
とを含み、前記封止層は、前記表示素子に接近する方向に沿って順次に積層して設置され
た、第２無機層と、有機層と、電荷捕獲量を低減可能な第１無機層とを含む。
ース基板と、前記ベース基板の表面に設置された表示素子と、前記表示素子を覆う封止層
とを含み、前記封止層は、前記表示素子に接近する方向に沿って順次に積層して設置され
た、第２無機層と、有機層と、電荷捕獲量を低減可能な第１無機層とを含む。
一例において、前記第１無機層は、酸素元素の原子百分率が１５％より大きい窒素酸化
物層である。
物層である。
一例において、前記第１無機層の厚さは１μｍより小さい。
一例において、前記有機層の厚さは１μｍ乃至２０μｍの範囲である。
一例において、前記第２無機層の厚さは１μｍより小さい。
一例において、前記封止層は、前記第１無機層と前記有機層の間に設置された有機バッ
ファ層を更に含み、前記有機バッファ層の厚さは０．１μｍ乃至０．３μｍの範囲である
。
ファ層を更に含み、前記有機バッファ層の厚さは０．１μｍ乃至０．３μｍの範囲である
。
一例において、前記封止構造はバリア層を更に含み、前記バリア層は前記封止層を覆う
。
。
一例において、前記第１無機層は酸窒化ケイ素層を含む。
一例において、前記有機層はエポキシ樹脂層を含む。
一例において、前記第２無機層は、窒化ケイ素層、二酸化ケイ素層、酸窒化ケイ素層、
酸化アルミニウム層のうちの少なくとも一種を含む。
酸化アルミニウム層のうちの少なくとも一種を含む。
一例において、前記表示素子は、前記ベース基板上に設置された薄膜トランジスタアレ
イ層と、前記薄膜トランジスタアレイ層の前記ベース基板と反対側に設置された発光ユニ
ットと、前記発光ユニットを覆う保護層とを含む。
イ層と、前記薄膜トランジスタアレイ層の前記ベース基板と反対側に設置された発光ユニ
ットと、前記発光ユニットを覆う保護層とを含む。
別の一実施例において、上記の表示素子の封止構造を含む表示装置が提供される。
ここで説明される図面は本開示に対するさらなる理解を提供するために用いられて、本
開示の一部を構成するが、概略的な実施例及びその説明は本開示を解釈するためのみに用
いられ、本開示に対する不適切な限定を構成するものではない。図面は以下の通りである
。
開示の一部を構成するが、概略的な実施例及びその説明は本開示を解釈するためのみに用
いられ、本開示に対する不適切な限定を構成するものではない。図面は以下の通りである
。
本開示の実施例に係る表示素子の封止構造及び表示装置をさらに説明するために、以下
では、明細書図面と結び付けて詳細に記述することにする。
では、明細書図面と結び付けて詳細に記述することにする。
関連技術では、一般的に薄膜封止工程を採用して有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ
ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ、以下、ＯＬＥＤと略称）表示素子に対す
る薄膜封止を行っている。このような薄膜封止工程は、ＯＬＥＤ表示素子の表面に封止薄
膜を生成させる工程であって、薄膜封止工程を採用してＯＬＥＤ表示素子に対する封止を
行い、良好な封止効果を達成できるばかりでなく、形成される封止層が比較的に薄く、Ｏ
ＬＥＤ表示素子の薄型化に有利である。
ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ、以下、ＯＬＥＤと略称）表示素子に対す
る薄膜封止を行っている。このような薄膜封止工程は、ＯＬＥＤ表示素子の表面に封止薄
膜を生成させる工程であって、薄膜封止工程を採用してＯＬＥＤ表示素子に対する封止を
行い、良好な封止効果を達成できるばかりでなく、形成される封止層が比較的に薄く、Ｏ
ＬＥＤ表示素子の薄型化に有利である。
但し、関連技術において、薄膜封止技術を採用して表示素子に対する封止を行う場合、
表示素子と直接接触する封止薄膜は、比較的に高い正電荷及び負電荷を有するという欠陥
が存在し、ＯＬＥＤ表示素子における発光ユニットにおけるキャリアを捕獲しやすく、電
荷捕獲の中心になりやすく、従って表示素子の動作電圧及び正常表示に影響を及ぼすこと
になる。
表示素子と直接接触する封止薄膜は、比較的に高い正電荷及び負電荷を有するという欠陥
が存在し、ＯＬＥＤ表示素子における発光ユニットにおけるキャリアを捕獲しやすく、電
荷捕獲の中心になりやすく、従って表示素子の動作電圧及び正常表示に影響を及ぼすこと
になる。
本開示の目的は、関連技術に係る封止構造において、封止層が電荷捕獲の中心になりや
すいため、表示素子の動作電圧及び正常表示に影響を及ぼすことになるという課題を解決
するための表示素子の封止構造及び表示装置を提供することである。
すいため、表示素子の動作電圧及び正常表示に影響を及ぼすことになるという課題を解決
するための表示素子の封止構造及び表示装置を提供することである。
図１に示すように、本開示の実施例は表示素子の封止構造を提供する。前記表示素子の
封止構造は、ベース基板１と、ベース基板１の表面に設置された表示素子１９と、表示素
子１９を覆う封止層２０とを含み、封止層２０は、表示素子１９に接近する方向に沿って
順次に積層して設置された、第２無機層２０３と、有機層２０２と、電荷捕獲量を低減可
能な第１無機層２０１とを含む。
封止構造は、ベース基板１と、ベース基板１の表面に設置された表示素子１９と、表示素
子１９を覆う封止層２０とを含み、封止層２０は、表示素子１９に接近する方向に沿って
順次に積層して設置された、第２無機層２０３と、有機層２０２と、電荷捕獲量を低減可
能な第１無機層２０１とを含む。
具体的に、上記の封止構造の具体的な製作過程は以下の通りである。化学気相堆積法（
Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ、以下、ＰＥＣＶＤと略称）又は原子層堆積法（Ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ、以下、ＡＬＤと略称）を採用して表示素子１９上に第１無機層２０１を形
成する。当該第１無機層２０１の電荷に対する捕獲能力は比較的に低く、表示素子におけ
る電荷に対する捕獲量を低減できる。そして、高分子モノマー堆積法（Ｖｉｔｅｘ）又は
インクジェットプリント方式（Ｉｎｋ Ｊｅｔ Ｐｒｉｎｔｉｎｇ、以下、ＩＪＰと略称
）を採用して第１無機層２０１上に有機層２０２を形成するか、或いは、ＰＥＣＶＤを採
用してハイブリッド化有機層を形成する。最後に、継続してＰＥＣＶＤ又はＡＬＤを採用
して有機層２０２上に第２無機層２０３を形成して良い。注意すべきことは、上記の方法
により表示素子１９を覆う封止層２０を製作する場合、形成された第１無機層２０１、有
機層２０２及び第２無機層２０３はいずれも効率的な水・酸素遮断の要求を満たすことが
できる。
Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ、以下、ＰＥＣＶＤと略称）又は原子層堆積法（Ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ、以下、ＡＬＤと略称）を採用して表示素子１９上に第１無機層２０１を形
成する。当該第１無機層２０１の電荷に対する捕獲能力は比較的に低く、表示素子におけ
る電荷に対する捕獲量を低減できる。そして、高分子モノマー堆積法（Ｖｉｔｅｘ）又は
インクジェットプリント方式（Ｉｎｋ Ｊｅｔ Ｐｒｉｎｔｉｎｇ、以下、ＩＪＰと略称
）を採用して第１無機層２０１上に有機層２０２を形成するか、或いは、ＰＥＣＶＤを採
用してハイブリッド化有機層を形成する。最後に、継続してＰＥＣＶＤ又はＡＬＤを採用
して有機層２０２上に第２無機層２０３を形成して良い。注意すべきことは、上記の方法
により表示素子１９を覆う封止層２０を製作する場合、形成された第１無機層２０１、有
機層２０２及び第２無機層２０３はいずれも効率的な水・酸素遮断の要求を満たすことが
できる。
上記の封止構造の具体的な構造及び製作過程によれば、本開示の実施例に係る表示素子
の封止構造において、表示素子１９を覆う封止層２０は、表示素子１９に接近する方向に
沿って順次に積層して設置された、第２無機層２０３と、有機層２０２と、電荷捕獲量を
低減可能な第１無機層２０１とを含む。第１無機層２０１は表示素子１９と接触し、且つ
第１無機層２０１は電荷に対する捕獲量を低減できるため、本実施例に係る封止構造は、
封止層の表示素子における電荷に対する捕獲量をより良く低減でき、従って表示素子の動
作電圧及び正常表示をより良く保証することができる。
の封止構造において、表示素子１９を覆う封止層２０は、表示素子１９に接近する方向に
沿って順次に積層して設置された、第２無機層２０３と、有機層２０２と、電荷捕獲量を
低減可能な第１無機層２０１とを含む。第１無機層２０１は表示素子１９と接触し、且つ
第１無機層２０１は電荷に対する捕獲量を低減できるため、本実施例に係る封止構造は、
封止層の表示素子における電荷に対する捕獲量をより良く低減でき、従って表示素子の動
作電圧及び正常表示をより良く保証することができる。
上記の実施例において、第１無機層２０１は、例えば、酸素元素の原子百分率が１５％
より大きい窒素酸化物層であって良い。
より大きい窒素酸化物層であって良い。
関連技術において、窒化ケイ素は酸素、ナトリウム、ホウ素等の不純物元素及び水の拡
散を阻止することにとても強いため、表示素子１９を封止する時、表示素子１９と接触す
る無機層は窒化ケイ素で製作されることが多い。然しながら、窒化ケイ素にケイ素ダング
リングボンドが存在し、また、当該ケイ素ダングリングボンドが窒素含量の増加に伴って
増加するため、製作された窒化ケイ素薄膜は一定条件の下で非常に高い誘電率及び引張応
力を呈することになり、且つ、窒素富化（ＳｉＮｘ）薄膜は非常に高い正電荷及び負電荷
を有するという欠陥を持ち、電荷捕獲の中心になるため、表示素子１９と直接接触するの
に不利である。
散を阻止することにとても強いため、表示素子１９を封止する時、表示素子１９と接触す
る無機層は窒化ケイ素で製作されることが多い。然しながら、窒化ケイ素にケイ素ダング
リングボンドが存在し、また、当該ケイ素ダングリングボンドが窒素含量の増加に伴って
増加するため、製作された窒化ケイ素薄膜は一定条件の下で非常に高い誘電率及び引張応
力を呈することになり、且つ、窒素富化（ＳｉＮｘ）薄膜は非常に高い正電荷及び負電荷
を有するという欠陥を持ち、電荷捕獲の中心になるため、表示素子１９と直接接触するの
に不利である。
上記の実施例において、第１無機層２０１を酸素元素の原子百分率が１５％より大きい
窒素酸化物層とすることにより、第１無機層２０１における酸素元素の含量を比較的に高
くし、従って第１無機層２０１における他の元素の含量を効果的に低減させる。典型的に
は、酸窒化ケイ素を採用して第１無機層を製作する場合、第１無機層における酸素元素の
原子百分率を１５％より大きくとすることで、第１無機層におけるケイ素元素及び窒素元
素の含量を両方とも低下させ、従ってケイ素元素及び窒素元素の含量が比較的に多いため
引き起こされる上記の欠陥を克服し、表示素子１９の動作電圧及び正常表示をより良く保
証する。
窒素酸化物層とすることにより、第１無機層２０１における酸素元素の含量を比較的に高
くし、従って第１無機層２０１における他の元素の含量を効果的に低減させる。典型的に
は、酸窒化ケイ素を採用して第１無機層を製作する場合、第１無機層における酸素元素の
原子百分率を１５％より大きくとすることで、第１無機層におけるケイ素元素及び窒素元
素の含量を両方とも低下させ、従ってケイ素元素及び窒素元素の含量が比較的に多いため
引き起こされる上記の欠陥を克服し、表示素子１９の動作電圧及び正常表示をより良く保
証する。
さらに、上記の実施例において、第１無機層２０１、有機層２０２及び第２無機層２０
３の厚さは実際需要に応じて設置されて良い。例示的に、第１無機層２０１の厚さは、例
えば、１μｍより小さくて良い。なお、例示的に、有機層２０２の厚さは、例えば、１μ
ｍ乃至２０μｍの範囲であって良い。なお、例示的に、第２無機層２０３の厚さは、例え
ば、１μｍより小さくて良い。
３の厚さは実際需要に応じて設置されて良い。例示的に、第１無機層２０１の厚さは、例
えば、１μｍより小さくて良い。なお、例示的に、有機層２０２の厚さは、例えば、１μ
ｍ乃至２０μｍの範囲であって良い。なお、例示的に、第２無機層２０３の厚さは、例え
ば、１μｍより小さくて良い。
上記の実施例において、第１無機層２０１、有機層２０２及び第２無機層２０３を上記
の厚さとすることで、各々の層がいずれも効率的な水・酸素遮断効果を果たすのを保証で
きるばかりでなく、封止層２０全体の厚さを比較的に薄い範囲内に制限させ、封止効果を
保証しつつも、表示素子１９の封止構造の薄型化により有利である。
の厚さとすることで、各々の層がいずれも効率的な水・酸素遮断効果を果たすのを保証で
きるばかりでなく、封止層２０全体の厚さを比較的に薄い範囲内に制限させ、封止効果を
保証しつつも、表示素子１９の封止構造の薄型化により有利である。
さらに、図２に示すように、上記の実施例において、封止層２０は、第１無機層２０１
と有機層２０２の間に設置された有機バッファ層２０４を更に含んで良い。典型的には、
有機バッファ層２０４の厚さは０．１μｍ乃至０．３μｍの範囲である。
と有機層２０２の間に設置された有機バッファ層２０４を更に含んで良い。典型的には、
有機バッファ層２０４の厚さは０．１μｍ乃至０．３μｍの範囲である。
有機バッファ層２０４として、ＰＥＣＶＤを採用して堆積形成されて良い。当該有機バ
ッファ層２０４の厚さは、例えば、０．１μｍ乃至０．３μｍの範囲に形成されて良い。
当該有機バッファ層２０４の厚さが比較的に薄いため、堆積時間がより短く、且つ、比較
的に厚い有機層２０２に比べ、有機層と無機層の間の界面の差異性を狭めるのにより有利
である。また、当該有機バッファ層２０４は、ＰＥＣＶＤと特定の開口を有するマスク掩
膜板との組み合わせにより堆積されるため、比較的に薄い有機バッファ層２０４を製作す
るのは後続のマスクの洗浄操作により有利である。
ッファ層２０４の厚さは、例えば、０．１μｍ乃至０．３μｍの範囲に形成されて良い。
当該有機バッファ層２０４の厚さが比較的に薄いため、堆積時間がより短く、且つ、比較
的に厚い有機層２０２に比べ、有機層と無機層の間の界面の差異性を狭めるのにより有利
である。また、当該有機バッファ層２０４は、ＰＥＣＶＤと特定の開口を有するマスク掩
膜板との組み合わせにより堆積されるため、比較的に薄い有機バッファ層２０４を製作す
るのは後続のマスクの洗浄操作により有利である。
注意すべきことは、上記の有機バッファ層２０４を製作する時、当該有機バッファ層２
０４は、第１無機層２０１と同一プロセスチャンバ内で完成されて良く、即ち、同じプロ
セスフローを採用して良い。これより、基板伝送及び位置合わせにかかる時間を低減でき
、且つ、第１無機層２０１の製造工程と有機バッファ層２０４の製造工程とが連続してお
り、第１無機層２０１と有機層２０２の中間界面の不良欠陥を低減でき、より良い品質の
第１無機層２０１及び有機バッファ層２０４を得ることができる。
０４は、第１無機層２０１と同一プロセスチャンバ内で完成されて良く、即ち、同じプロ
セスフローを採用して良い。これより、基板伝送及び位置合わせにかかる時間を低減でき
、且つ、第１無機層２０１の製造工程と有機バッファ層２０４の製造工程とが連続してお
り、第１無機層２０１と有機層２０２の中間界面の不良欠陥を低減でき、より良い品質の
第１無機層２０１及び有機バッファ層２０４を得ることができる。
また、上記の有機バッファ層２０４の製作材料は様々であって良い。例示的に、プラズ
マ重合体ＰＰ（ポリプロピレン）―ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）を選んで有
機バッファ層２０４を製作して良い。有機バッファ層２０４を固化させる時、有機バッフ
ァ層２０４の表面特性に対する正確でタイムリーな制御を実現するように、プロセスチャ
ンバ内にプラズマ（例えば、酸素含有プラズマ、フッ素含有プラズマ等）を通過させて有
機バッファ層２０４を固化させる。
マ重合体ＰＰ（ポリプロピレン）―ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）を選んで有
機バッファ層２０４を製作して良い。有機バッファ層２０４を固化させる時、有機バッフ
ァ層２０４の表面特性に対する正確でタイムリーな制御を実現するように、プロセスチャ
ンバ内にプラズマ（例えば、酸素含有プラズマ、フッ素含有プラズマ等）を通過させて有
機バッファ層２０４を固化させる。
説明すべきことは、有機バッファ層２０４の固化過程はＰＥＣＶＤチャンバ内で行われ
ても良いし、有機層２０２を製作するＩＪＰ工程の前処理チャンバ内で行われても良い。
有機層２０２と有機バッファ層２０４の工程時間間隔、及び接触角特性の経時変化等の要
因を配慮すると、生産ライン設備状況によって適当に選択して良い。上記の工程時間間隔
が短ければ、有機バッファ層２０４の固化はＰＥＣＶＤチャンバ内に行って良い。上記の
工程時間間が長ければ、有機バッファ層２０４の固化はＩＪＰ工程の前処理チャンバ内に
行って良く、良好な接触角特性を確保することができる。
ても良いし、有機層２０２を製作するＩＪＰ工程の前処理チャンバ内で行われても良い。
有機層２０２と有機バッファ層２０４の工程時間間隔、及び接触角特性の経時変化等の要
因を配慮すると、生産ライン設備状況によって適当に選択して良い。上記の工程時間間隔
が短ければ、有機バッファ層２０４の固化はＰＥＣＶＤチャンバ内に行って良い。上記の
工程時間間が長ければ、有機バッファ層２０４の固化はＩＪＰ工程の前処理チャンバ内に
行って良く、良好な接触角特性を確保することができる。
また、製作された有機バッファ層２０４のインク縁の不揃い、流れ等の現象をより良く
制御するために、有機バッファ層２０４の固化を行う時、領域を分けて濃度の異なるプラ
ズマ固化を行って良い。例えば、有機バッファ層２０４の縁領域で通過されたプラズマの
濃度が中心領域で通過されたプラズマの濃度より低くして良い。或いは、有機バッファ層
２０４が固化される時、領域を分けて異なるプラズマを通過させて良いが、例えば、有機
バッファ層２０４の中心領域で酸素含有プラズマを通過させ、縁領域でフッ素含有プラズ
マを通過させても良い。
制御するために、有機バッファ層２０４の固化を行う時、領域を分けて濃度の異なるプラ
ズマ固化を行って良い。例えば、有機バッファ層２０４の縁領域で通過されたプラズマの
濃度が中心領域で通過されたプラズマの濃度より低くして良い。或いは、有機バッファ層
２０４が固化される時、領域を分けて異なるプラズマを通過させて良いが、例えば、有機
バッファ層２０４の中心領域で酸素含有プラズマを通過させ、縁領域でフッ素含有プラズ
マを通過させても良い。
さらに、表示素子１９に対する封止効果をより良く保証するために、図３に示すように
、上記の実施例において、表示素子１９の封止構造は、バリア層２１を更に含んで良いが
、当該バリア層２１は封止層２０を覆う。
、上記の実施例において、表示素子１９の封止構造は、バリア層２１を更に含んで良いが
、当該バリア層２１は封止層２０を覆う。
具体的に、表示素子１９の封止効果をさらに向上させるために、封止層２０を製作完了
した後、継続して封止層２０を覆うように封止層２０上にバリア層２１を製作して良く、
従って表示素子１９を外界からより良く遮断させ、表示素子１９全体に対するより良い封
止効果を実現する。バリア層２１はポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリエチレ
ンナフタレート（ＰＥＮ）等の可撓性材料を採用して製作されて良い。
した後、継続して封止層２０を覆うように封止層２０上にバリア層２１を製作して良く、
従って表示素子１９を外界からより良く遮断させ、表示素子１９全体に対するより良い封
止効果を実現する。バリア層２１はポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリエチレ
ンナフタレート（ＰＥＮ）等の可撓性材料を採用して製作されて良い。
さらに、上記の第１無機層２０１、有機層２０２及び第２無機層２０３は様々な材料を
採用して作られて良い。以下、各々の層に採用される材料を簡単に紹介することにする。
採用して作られて良い。以下、各々の層に採用される材料を簡単に紹介することにする。
第１無機層２０１は酸窒化ケイ素層を含んで良い。典型的には、第１無機層２０１は酸
窒化ケイ素を採用して製作されて良い。
窒化ケイ素を採用して製作されて良い。
有機層２０２は、エポキシ樹脂層を含んで良い。典型的には、有機層２０２はエポキシ
樹脂系の有機材料を採用して製作されて良い。エポキシ樹脂系の有機材料を採用して有機
層２０２を製作する場合、当該有機層２０２の固化は、加熱及び可視光の照射の方式によ
り行われるのが好ましい。注意すべきことは、封止層２０を製作する時、有機バッファ層
２０４を製作しなくても良く、即ち、第１無機層２０１の製作を完成した後、エポキシ樹
脂系の有機材料を採用してインクジェットプリント工程により第１無機層２０１上に有機
層２０２を直接に製作して良い。
樹脂系の有機材料を採用して製作されて良い。エポキシ樹脂系の有機材料を採用して有機
層２０２を製作する場合、当該有機層２０２の固化は、加熱及び可視光の照射の方式によ
り行われるのが好ましい。注意すべきことは、封止層２０を製作する時、有機バッファ層
２０４を製作しなくても良く、即ち、第１無機層２０１の製作を完成した後、エポキシ樹
脂系の有機材料を採用してインクジェットプリント工程により第１無機層２０１上に有機
層２０２を直接に製作して良い。
第２無機層２０３は、窒化ケイ素層、二酸化ケイ素層、酸窒化ケイ素層、酸化アルミニ
ウム層のうちの少なくとも一種を含んで良い。典型的には、第２無機層２０３は、窒化ケ
イ素、二酸化ケイ素、酸窒化ケイ素及び／又は酸化アルミニウム材料を採用して製作され
て良く、具体的な製作工程はＰＥＣＶＤを採用して堆積形成して良い。
ウム層のうちの少なくとも一種を含んで良い。典型的には、第２無機層２０３は、窒化ケ
イ素、二酸化ケイ素、酸窒化ケイ素及び／又は酸化アルミニウム材料を採用して製作され
て良く、具体的な製作工程はＰＥＣＶＤを採用して堆積形成して良い。
注意すべきことは、第１無機層２０１及び第２無機層２０３がいずれも酸窒化ケイ素を
採用して製作される場合、第１無機層２０１は表示素子１９と接触するため、第１無機層
２０１における酸素元素の原子百分率を例えば１５％より大きくとするが、第２無機層２
０３は表示素子１９との距離が比較的に遠いため、第２無機層２０３における酸素元素の
含量は具体的に要求されなくても良い。例示的に、第１無機層２０１において、酸素元素
の原子百分率は１８％であり、窒素元素の原子百分率は３２％であり、ケイ素元素の原子
百分率は５０％である。第２無機層２０３において、酸素元素の原子百分率は５％であり
、窒素元素の原子百分率は４０％であり、ケイ素元素の原子百分率は５５％である。
採用して製作される場合、第１無機層２０１は表示素子１９と接触するため、第１無機層
２０１における酸素元素の原子百分率を例えば１５％より大きくとするが、第２無機層２
０３は表示素子１９との距離が比較的に遠いため、第２無機層２０３における酸素元素の
含量は具体的に要求されなくても良い。例示的に、第１無機層２０１において、酸素元素
の原子百分率は１８％であり、窒素元素の原子百分率は３２％であり、ケイ素元素の原子
百分率は５０％である。第２無機層２０３において、酸素元素の原子百分率は５％であり
、窒素元素の原子百分率は４０％であり、ケイ素元素の原子百分率は５５％である。
例示的に、第１無機層２０１（ＴＦＥ１）、有機層２０２（ＴＦＥ２）、第２無機層２
０３（ＴＦＥ３）の厚さ及び材料は表１に示す通りである。
０３（ＴＦＥ３）の厚さ及び材料は表１に示す通りである。
さらに、図１に示すように、上記の実施例において、表示素子１９は、具体的に、ベー
ス基板１上に設置された薄膜トランジスタアレイ層１９１と、薄膜トランジスタアレイ層
１９１のベース基板１と反対側に設置された発光ユニット１９２と、発光ユニット１９２
を覆う保護層と（不図示）を含んで良い。
ス基板１上に設置された薄膜トランジスタアレイ層１９１と、薄膜トランジスタアレイ層
１９１のベース基板１と反対側に設置された発光ユニット１９２と、発光ユニット１９２
を覆う保護層と（不図示）を含んで良い。
具体的に、ベース基板１は、ガラス基板又はフレキシブル基板から選択されて良い。ベ
ース基板１上に設置された薄膜トランジスタアレイ層１９１は、薄膜トランジスタアレイ
及び各種の制御回路を含む。発光ユニット１９２は、陽極、アレイ状に分布されたＲ、Ｇ
、Ｂ発光層と、陰極とを含んで良い。発光ユニット１９２は蒸着の方式を採用して製作さ
れて良い。上記の保護層も同じく蒸着方式を採用して製作されて良いが、紫外線を吸収可
能な有機物質により製作されるのが好ましい。当該保護層は、主に、封止層の製作過程に
おいて発光ユニットに与えるプラズマ損傷及び紫外線の発光ユニットに対する影響を弱め
るために用いられる。
ース基板１上に設置された薄膜トランジスタアレイ層１９１は、薄膜トランジスタアレイ
及び各種の制御回路を含む。発光ユニット１９２は、陽極、アレイ状に分布されたＲ、Ｇ
、Ｂ発光層と、陰極とを含んで良い。発光ユニット１９２は蒸着の方式を採用して製作さ
れて良い。上記の保護層も同じく蒸着方式を採用して製作されて良いが、紫外線を吸収可
能な有機物質により製作されるのが好ましい。当該保護層は、主に、封止層の製作過程に
おいて発光ユニットに与えるプラズマ損傷及び紫外線の発光ユニットに対する影響を弱め
るために用いられる。
ベース基板１上に薄膜トランジスタアレイ層１９１を製作すると、アレイ基板が形成さ
れる。当該アレイ基板は、具体的に、低温ポリシリコン薄膜電界効果トランジスタアレイ
基板であって良い。このような低温ポリシリコン薄膜電界効果トランジスタアレイ基板の
製造工程において、一般的に８～９個のマスキングプロセスを必要とする。以下、図面４
Ａ乃至図４Ｈを参照して、低温ポリシリコン薄膜電界効果トランジスタアレイ基板の製造
工程を説明する。なお、低温ポリシリコン薄膜電界効果トランジスタアレイ基板に含まれ
る低温ポリシリコン薄膜電界効果トランジスタは一般的に表示領域内に形成され、当該表
示領域内には、一般的に、アレイ状に分布された複数のデータ線及び複数のゲート線が更
に含まれる。
れる。当該アレイ基板は、具体的に、低温ポリシリコン薄膜電界効果トランジスタアレイ
基板であって良い。このような低温ポリシリコン薄膜電界効果トランジスタアレイ基板の
製造工程において、一般的に８～９個のマスキングプロセスを必要とする。以下、図面４
Ａ乃至図４Ｈを参照して、低温ポリシリコン薄膜電界効果トランジスタアレイ基板の製造
工程を説明する。なお、低温ポリシリコン薄膜電界効果トランジスタアレイ基板に含まれ
る低温ポリシリコン薄膜電界効果トランジスタは一般的に表示領域内に形成され、当該表
示領域内には、一般的に、アレイ状に分布された複数のデータ線及び複数のゲート線が更
に含まれる。
図４Ａに示すように、ＰＥＣＶＤにより、ベース基板１の全体上に窒化ケイ素薄膜と二
酸化ケイ素薄膜とを順次に堆積形成することで、窒化ケイ素と二酸化ケイ素で構成される
バッファ層２が形成される。次に、ＰＥＣＶＤ又は他の化学又は物理气相堆積方法により
バッファ層２上に非晶質シリコン薄膜を形成し、レーザアニーリング（ＥＬＡ）又は固相
結晶化（ＳＰＣ）方法により、非晶質シリコンをポリシリコン薄膜に結晶化させる。そし
て、従来のマスキング工程を採用してポリシリコン薄膜上にフォトレジスト層のパターン
を形成し、フォトレジスト層をエッチングバリア層とし、プラズマによりフォトレジスト
層によって保護されていないポリシリコン薄膜をエッチングして、ポリシリコン活性層４
とポリシリコン蓄積コンデンサ３とを形成する。イオン注入工程を利用してポリシリコン
活性層４におけるトランジスタチャネルに対して低濃度イオンドーピングを行い、ポリシ
リコン活性層４に薄膜トランジスタに要求される導電チャネルを形成する。
酸化ケイ素薄膜とを順次に堆積形成することで、窒化ケイ素と二酸化ケイ素で構成される
バッファ層２が形成される。次に、ＰＥＣＶＤ又は他の化学又は物理气相堆積方法により
バッファ層２上に非晶質シリコン薄膜を形成し、レーザアニーリング（ＥＬＡ）又は固相
結晶化（ＳＰＣ）方法により、非晶質シリコンをポリシリコン薄膜に結晶化させる。そし
て、従来のマスキング工程を採用してポリシリコン薄膜上にフォトレジスト層のパターン
を形成し、フォトレジスト層をエッチングバリア層とし、プラズマによりフォトレジスト
層によって保護されていないポリシリコン薄膜をエッチングして、ポリシリコン活性層４
とポリシリコン蓄積コンデンサ３とを形成する。イオン注入工程を利用してポリシリコン
活性層４におけるトランジスタチャネルに対して低濃度イオンドーピングを行い、ポリシ
リコン活性層４に薄膜トランジスタに要求される導電チャネルを形成する。
図４Ｂに示すように、イオンが浸入しないようにポリシリコン活性層４を保護するよう
に、マスキング工程によりポリシリコン活性層４上に感光性材料からなるフォトレジスト
５を形成する。フォトレジスト層による保護のないポリシリコン蓄積コンデンサ３に対し
て高濃度イオン注入工程を施し、ポリシリコン蓄積コンデンサ３を低抵抗のドープポリシ
リコン薄膜に転化させる。図４Ｃ～図４Ｇに示す後続の工程過程において、ポリシリコン
蓄積コンデンサ３のみにゲート電極絶縁層とゲート電極金属薄膜とからなるコンデンサの
第２極板を形成するため、図４Ｃ～図４Ｇにはこれ以上ポリシリコン蓄積コンデンサ３の
後続のたった一回だけのフォトエッチング工程であるコンデンサの第２極板を形成するフ
ォトエッチング工程が示されない。
に、マスキング工程によりポリシリコン活性層４上に感光性材料からなるフォトレジスト
５を形成する。フォトレジスト層による保護のないポリシリコン蓄積コンデンサ３に対し
て高濃度イオン注入工程を施し、ポリシリコン蓄積コンデンサ３を低抵抗のドープポリシ
リコン薄膜に転化させる。図４Ｃ～図４Ｇに示す後続の工程過程において、ポリシリコン
蓄積コンデンサ３のみにゲート電極絶縁層とゲート電極金属薄膜とからなるコンデンサの
第２極板を形成するため、図４Ｃ～図４Ｇにはこれ以上ポリシリコン蓄積コンデンサ３の
後続のたった一回だけのフォトエッチング工程であるコンデンサの第２極板を形成するフ
ォトエッチング工程が示されない。
図４Ｃに示すように、フォトレジスト剥離工程によりポリシリコン活性層４上のフォト
レジスト５を除去し、ＰＥＣＶＤにより二酸化ケイ素薄膜又は二酸化ケイ素と窒化ケイ素
の複合薄膜を堆積形成し、ポリシリコン蓄積コンデンサ３、ポリシリコン活性層４及びバ
ッファ層２の全体上にゲート電極絶縁層６を形成する。マグネトロンスパッタリング等の
物理気相堆積方法によりゲート電極絶縁層６上に一種又は複数種の低抵抗の金属薄膜を堆
積させ、フォトエッチング工程によりゲート電極７を形成する。当該ゲート電極金属薄膜
は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｔｉ又はアルミニウムネオジウム合金（ＡｌＮｄ）等の単層金属
薄膜であっても良く、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ又はＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ等の多層金属薄膜であって
も良い。ゲート電極７をイオン注入バリア層として使用して、ポリシリコン活性層４に対
してイオンドーピングを行い、ゲート電極７により遮断されていないポリシリコン活性層
４の領域に低インピーダンスのソース電極及びドレイン電極の電極接触領域を形成する。
レジスト５を除去し、ＰＥＣＶＤにより二酸化ケイ素薄膜又は二酸化ケイ素と窒化ケイ素
の複合薄膜を堆積形成し、ポリシリコン蓄積コンデンサ３、ポリシリコン活性層４及びバ
ッファ層２の全体上にゲート電極絶縁層６を形成する。マグネトロンスパッタリング等の
物理気相堆積方法によりゲート電極絶縁層６上に一種又は複数種の低抵抗の金属薄膜を堆
積させ、フォトエッチング工程によりゲート電極７を形成する。当該ゲート電極金属薄膜
は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｔｉ又はアルミニウムネオジウム合金（ＡｌＮｄ）等の単層金属
薄膜であっても良く、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ又はＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ等の多層金属薄膜であって
も良い。ゲート電極７をイオン注入バリア層として使用して、ポリシリコン活性層４に対
してイオンドーピングを行い、ゲート電極７により遮断されていないポリシリコン活性層
４の領域に低インピーダンスのソース電極及びドレイン電極の電極接触領域を形成する。
図４Ｄに示すように、ゲート電極７を含む表面の全体に、ＰＥＣＶＤにより二酸化ケイ
素薄膜と窒化ケイ素薄膜とを順次に堆積させて層間絶縁層８を形成する。マスキング及び
エッチング工程により層間絶縁層８をエッチングしてソース電極コンタクトホール１５及
びドレイン電極コンタクトホール１６を形成する。
素薄膜と窒化ケイ素薄膜とを順次に堆積させて層間絶縁層８を形成する。マスキング及び
エッチング工程により層間絶縁層８をエッチングしてソース電極コンタクトホール１５及
びドレイン電極コンタクトホール１６を形成する。
図４Ｅに示すように、マグネトロンスパッタリング技術を使用して層間絶縁層８並びに
ソース電極コンタクトホール１５及びドレイン電極コンタクトホール１６の上に一種又は
複数種の低抵抗の金属薄膜を堆積させ、マスキング及びエッチング工程によりソース電極
９及びドレイン電極１０を形成する。ソース電極９及びドレイン電極１０はそれぞれソー
ス電極コンタクトホール１５及びドレイン電極コンタクトホール１６を介してポリシリコ
ン活性層４とのオーミック接触を形成する。ラピッドサーマルアニーリング又は熱処理炉
アニーリングを使用して、ポリシリコン活性層４の中にドープされたイオンを活性化し、
ゲート電極７の下のポリシリコン活性層４に有効な導電チャネルを形成する。注意すべき
ことは、上記のソース電極９及びドレイン電極１０を形成するための金属薄膜は、Ａｌ、
Ｃｕ、Ｍｏ、Ｔｉ又はＡｌＮｄ等の単層金属薄膜であっても良いし、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ又
はＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ等の多層金属薄膜であっても良い。
ソース電極コンタクトホール１５及びドレイン電極コンタクトホール１６の上に一種又は
複数種の低抵抗の金属薄膜を堆積させ、マスキング及びエッチング工程によりソース電極
９及びドレイン電極１０を形成する。ソース電極９及びドレイン電極１０はそれぞれソー
ス電極コンタクトホール１５及びドレイン電極コンタクトホール１６を介してポリシリコ
ン活性層４とのオーミック接触を形成する。ラピッドサーマルアニーリング又は熱処理炉
アニーリングを使用して、ポリシリコン活性層４の中にドープされたイオンを活性化し、
ゲート電極７の下のポリシリコン活性層４に有効な導電チャネルを形成する。注意すべき
ことは、上記のソース電極９及びドレイン電極１０を形成するための金属薄膜は、Ａｌ、
Ｃｕ、Ｍｏ、Ｔｉ又はＡｌＮｄ等の単層金属薄膜であっても良いし、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ又
はＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ等の多層金属薄膜であっても良い。
図４Ｆに示すように、ＰＥＣＶＤによりソース電極９とドレイン電極１０とを含む表面
全体に窒化ケイ素薄膜を一層堆積させ、マスキング及びエッチング工程によりビアホール
１７を含むパッシベーション層１１を形成する。ラピッドサーマルアニーリング又は熱処
理炉アニーリングにより水素化工程を行って、ポリシリコン活性層４の内部及び界面の欠
陥を修復する。再度マスキング工程により、パッシベーション層１１の上にビアホール１
７と同様なビアホールを有する有機平坦化層１８を形成し、素子表面の凹み部分を充填し
て平坦な表面を形成する。
全体に窒化ケイ素薄膜を一層堆積させ、マスキング及びエッチング工程によりビアホール
１７を含むパッシベーション層１１を形成する。ラピッドサーマルアニーリング又は熱処
理炉アニーリングにより水素化工程を行って、ポリシリコン活性層４の内部及び界面の欠
陥を修復する。再度マスキング工程により、パッシベーション層１１の上にビアホール１
７と同様なビアホールを有する有機平坦化層１８を形成し、素子表面の凹み部分を充填し
て平坦な表面を形成する。
図４Ｇに示すように、マグネトロンスパッタリングにより有機平坦化層１８及びビアホ
ール１７の上に透明導電薄膜を一層堆積させ、フォトエッチング工程により当該透明導電
薄膜をエッチングし、ビアホール１７及び一部の有機平坦化層１８の上に画素領域の画素
電極１２を形成する。そして、有機平坦化層１８及び画素電極１２の上に有機平坦化層１
８と類似した感光性有機材料を一層塗布し、最後の一つのマスキング工程により画素電極
１２の一部の領域を露出させて、図４Ｈに示す画素定義層１３を形成する。画素定義層１
３は有機平坦化層１８及び一部の画素電極１２の領域を覆う。注意すべきことは、上記の
画素電極１２を形成するための透明導電薄膜は、例えば、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）又
は酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等のような単一層の酸化物導電薄膜であっても良いし、
ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ又はＩＺＯ／Ａｇ等の複合薄膜であっても良い。
ール１７の上に透明導電薄膜を一層堆積させ、フォトエッチング工程により当該透明導電
薄膜をエッチングし、ビアホール１７及び一部の有機平坦化層１８の上に画素領域の画素
電極１２を形成する。そして、有機平坦化層１８及び画素電極１２の上に有機平坦化層１
８と類似した感光性有機材料を一層塗布し、最後の一つのマスキング工程により画素電極
１２の一部の領域を露出させて、図４Ｈに示す画素定義層１３を形成する。画素定義層１
３は有機平坦化層１８及び一部の画素電極１２の領域を覆う。注意すべきことは、上記の
画素電極１２を形成するための透明導電薄膜は、例えば、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）又
は酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等のような単一層の酸化物導電薄膜であっても良いし、
ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ又はＩＺＯ／Ａｇ等の複合薄膜であっても良い。
上記の図４Ａ乃至図４Ｈの製作過程から分かるように、少なくとも８～９個のフォトエ
ッチング工程を通じてこそ図４Ｈに示す低温ポリシリコン薄膜電界効果トランジスタアレ
イ基板が形成できる。
ッチング工程を通じてこそ図４Ｈに示す低温ポリシリコン薄膜電界効果トランジスタアレ
イ基板が形成できる。
本開示の別の実施例は、上記の実施例に係る表示素子の封止構造含む表示装置を更に提
供する。
供する。
上記の実施例に係る表示素子の封止構造は、電荷捕獲の表示素子への影響をより良く低
減でき、表示素子の動作電圧及び正常表示をより良く保証することができるため、本実施
例に係る表示装置が上記の表示素子の封止構造を含む場合、同じく上記の効果を持つ。
減でき、表示素子の動作電圧及び正常表示をより良く保証することができるため、本実施
例に係る表示装置が上記の表示素子の封止構造を含む場合、同じく上記の効果を持つ。
別途に定義されない限り、本開示で使用される技術用語又は科学用語は、本開示の所属
する分野における通常の知識を有する者により理解される通常の意味であるべきである。
本開示で使用される「第１」、「第２」及び類似した用語はいかなる順序、数量又は重要
性も表さず、単に異なる構成部分を区別するために用いられる。「含む」又は「包含」等
の類似した用語は、当該用語の後に現れた部品又は物件が当該用語の前に現れて列挙され
た部品又は物件及びその均等物を包含することを意味するものであり、他の部品又は物件
を排除するものではない。「接続」又は「互いに連なる」等の類似した用語は必ずしも物
理的又は機械的接続に限定されものではなく、直接又は間接のいかんを問わず、電気的接
続を含み得る。「上」、「下」、「左」、「右」等は相対位置関係を表すためのみに用い
られ、記述される対象の絶対位置が変更されると、当該相対位置関係もそれに応じて変更
され得る。
する分野における通常の知識を有する者により理解される通常の意味であるべきである。
本開示で使用される「第１」、「第２」及び類似した用語はいかなる順序、数量又は重要
性も表さず、単に異なる構成部分を区別するために用いられる。「含む」又は「包含」等
の類似した用語は、当該用語の後に現れた部品又は物件が当該用語の前に現れて列挙され
た部品又は物件及びその均等物を包含することを意味するものであり、他の部品又は物件
を排除するものではない。「接続」又は「互いに連なる」等の類似した用語は必ずしも物
理的又は機械的接続に限定されものではなく、直接又は間接のいかんを問わず、電気的接
続を含み得る。「上」、「下」、「左」、「右」等は相対位置関係を表すためのみに用い
られ、記述される対象の絶対位置が変更されると、当該相対位置関係もそれに応じて変更
され得る。
理解できることは、層、膜、領域又は基板のような部品が別の部品の「上」又は「下」
に位置すると言及される場合、当該部品は別の部品の「直上」又は「直下」に位置してよ
く、或いは、中間部品が存在してよい。
に位置すると言及される場合、当該部品は別の部品の「直上」又は「直下」に位置してよ
く、或いは、中間部品が存在してよい。
上記の具体的な実施形態の記述において、具体的な特徴、構造、材料又は特性はいずれ
の一つ又は複数の実施例又は例において適当な形態で組み合わせることができる。
の一つ又は複数の実施例又は例において適当な形態で組み合わせることができる。
上記のものは単に本開示の具体的な実施形態であり、本開示の保護範囲はこれに限らな
い。本技術分野における通常の知識を有するいずれの者は本開示に開示された技術範囲内
で変化又は交替を容易に想到でき、これら変化又は交替は全て本開示の保護範囲内に含ま
れるべきである。このため、本開示の保護範囲は添付される特許請求の範囲の保護範囲を
基準とするべきである。
い。本技術分野における通常の知識を有するいずれの者は本開示に開示された技術範囲内
で変化又は交替を容易に想到でき、これら変化又は交替は全て本開示の保護範囲内に含ま
れるべきである。このため、本開示の保護範囲は添付される特許請求の範囲の保護範囲を
基準とするべきである。
Claims (13)
- 表示素子の封止構造であって、
ベース基板と、前記ベース基板の表面に設置された表示素子と、前記表示素子を覆う封止
層とを含み、
前記封止層は、前記表示素子に接近する方向に沿って順次に積層して設置された、第２無
機層と、有機層と、電荷捕獲量を低減可能な第１無機層とを含む表示素子の封止構造。 - 前記第１無機層は、酸素元素の原子百分率が１５％より大きい窒素酸化物層である請求項
１に記載の表示素子の封止構造。 - 前記第１無機層の厚さは１μｍより小さい請求項１又は２に記載の表示素子の封止構造。
- 前記有機層の厚さは１μｍ乃至２０μｍの範囲である請求項１乃至３のいずれか一項に記
載の表示素子の封止構造。 - 前記第２無機層の厚さは１μｍより小さい請求項１乃至４のいずれか一項に記載の表示素
子の封止構造。 - 前記封止層は、前記第１無機層と前記有機層の間に設置された有機バッファ層を更に含む
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の表示素子の封止構造。 - 前記有機バッファ層の厚さは０．１μｍ乃至０．３μｍの範囲である請求項６に記載の表
示素子の封止構造。 - 前記封止構造はバリア層を更に含み、前記バリア層は前記封止層を覆う請求項１乃至７の
いずれか一項に記載の表示素子の封止構造。 - 前記第１無機層は酸窒化ケイ素層を含む請求項１乃至８のいずれか一項に記載の表示素子
の封止構造。 - 前記有機層はエポキシ樹脂層を含む請求項１乃至９のいずれか一項に記載の表示素子の封
止構造。 - 前記第２無機層は、窒化ケイ素層、二酸化ケイ素層、酸窒化ケイ素層、酸化アルミニウム
層のうちの少なくとも一種を含む請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の表示素子の封
止構造。 - 前記表示素子は、
前記ベース基板上に設置された薄膜トランジスタアレイ層と、
前記薄膜トランジスタアレイ層の前記ベース基板と反対側に設置された発光ユニットと、
前記発光ユニットを覆う保護層と
を含む請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の表示素子の封止構造。 - 請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の表示素子の封止構造を含む表示装置。
Applications Claiming Priority (4)
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|
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| CN108321304B (zh) * | 2018-01-31 | 2020-08-04 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板及其制作方法和显示装置 |
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- 2018-08-16 CN CN201821322872.XU patent/CN208722925U/zh active Active
-
2019
- 2019-05-29 EP EP19850024.1A patent/EP3840077A4/en active Pending
- 2019-05-29 US US16/611,961 patent/US10937980B2/en active Active
- 2019-05-29 WO PCT/CN2019/088944 patent/WO2020034718A1/zh unknown
- 2019-05-29 JP JP2019564153A patent/JP2021533521A/ja active Pending
-
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- 2023-11-06 JP JP2023189382A patent/JP2024020304A/ja active Pending
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