CN111748796A - 涂覆蒸发基底和产生至少部分封装的基底的方法，其装置和产品 - Google Patents

涂覆蒸发基底和产生至少部分封装的基底的方法，其装置和产品 Download PDF

Info

Publication number
CN111748796A
CN111748796A CN202010223890.8A CN202010223890A CN111748796A CN 111748796 A CN111748796 A CN 111748796A CN 202010223890 A CN202010223890 A CN 202010223890A CN 111748796 A CN111748796 A CN 111748796A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
coating
film coating
phase
gaseous
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010223890.8A
Other languages
English (en)
Inventor
马尔科·普达斯
尼库·奥克萨拉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Picosun Oy
Original Assignee
Picosun Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Picosun Oy filed Critical Picosun Oy
Publication of CN111748796A publication Critical patent/CN111748796A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/003—Coating on a liquid substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61K—PREPARATIONS FOR MEDICAL, DENTAL OR TOILETRY PURPOSES
    • A61K9/00—Medicinal preparations characterised by special physical form
    • A61K9/20—Pills, tablets, discs, rods
    • A61K9/28—Dragees; Coated pills or tablets, e.g. with film or compression coating
    • A61K9/2806—Coating materials
    • A61K9/2813—Inorganic compounds
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61K—PREPARATIONS FOR MEDICAL, DENTAL OR TOILETRY PURPOSES
    • A61K9/00—Medicinal preparations characterised by special physical form
    • A61K9/20—Pills, tablets, discs, rods
    • A61K9/28—Dragees; Coated pills or tablets, e.g. with film or compression coating
    • A61K9/2886—Dragees; Coated pills or tablets, e.g. with film or compression coating having two or more different drug-free coatings; Tablets of the type inert core-drug layer-inactive layer
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61K—PREPARATIONS FOR MEDICAL, DENTAL OR TOILETRY PURPOSES
    • A61K9/00—Medicinal preparations characterised by special physical form
    • A61K9/48—Preparations in capsules, e.g. of gelatin, of chocolate
    • A61K9/50—Microcapsules having a gas, liquid or semi-solid filling; Solid microparticles or pellets surrounded by a distinct coating layer, e.g. coated microspheres, coated drug crystals
    • A61K9/5089—Processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45555—Atomic layer deposition [ALD] applied in non-semiconductor technology
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Bioinformatics & Cheminformatics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Pharmacology & Pharmacy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明涉及涂覆蒸发基底和产生至少部分封装的基底的方法，其装置和产品。提供了一种用于涂覆蒸发基底的方法和装置，其中当所述基底经历从基本上液相到气态相的相变的时间期间，膜涂层12沉积在基底10的至少一部分上。在蒸发基底材料的至少一部分时形成的气态物质101当经历在气态相中化学沉积反应时产生微粒11，所述微粒11形成至少一个涂层以产生膜涂层12。

Description

涂覆蒸发基底和产生至少部分封装的基底的方法，其装置和 产品
技术领域
本发明总体上涉及基底处理方法及设备。特别地，本发明涉及通过化学沉积方法涂覆蒸发介质的方法。
背景技术
现有技术中广泛描述了在蒸气相中发生的化学沉积方法，例如化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)和原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)。通常被视为是CVD工艺的子类的ALD技术已证明是用于在多种基底上制造高质量共形涂层(conformal coating)的有效工具。
ALD是基于交替的自饱和表面反应，其中作为非反应性(惰性)气体载体中的化学化合物或元素提供的不同反应物(前驱体)被依次脉冲到容纳基底的反应空间中。沉积反应物之后，用惰性气体吹扫所述基底。常规的ALD循环进行两个半反应(脉冲第一前驱体–吹扫；脉冲第二前驱体–吹扫)，从而以自限(自饱和)方式形成通常为0.05–0.2nm厚的材料层。为了获得具有预定厚度的膜，根据需要将该循环重复多次。每种前驱体的典型基底暴露时间为0.01–1秒。
因此，汽相涂覆工艺(例如CVD和ALD)依赖于在气态相中向样品(基底)输送反应物。在表面涂覆工艺中，反应通常仅发生在样品表面，而避免了气相中的反应。因此，如果反应性(前驱体)气体，例如三甲基铝(trimethylaluminium，TMA)和H2O(用于产生氧化铝AlxOy(例如Al2O3)的常见ALD反应物)在气相中反应，则它们会生成颗粒，该颗粒最终增长到微米范围内的尺寸。ALD技术通常要求气相中一次仅存在一种前驱体物质(反应物)，这是因为ALD反应是有顺序的且时间上分离的事实。如果两种前驱体物质/气体同时存在于气相中，则该过程会产生颗粒，这对于ALD工艺是不期望的，并且在大多数情况下甚至是有害的。
相反，旨在生成颗粒的过程(例如纳米粉末的生产)通常涉及气相中物质之间的反应。
目前，在生物医学应用中通常使用胶体物质，例如水凝胶。在某些领域，诸如在药物制备和缓释药物递送中，胶体(诸如水凝胶)需要在其表面上沉积薄涂层。然而，在蒸气相中的化学沉积条件(诸如ALD条件)下，水凝胶材料蒸发。
在这方面，考虑到解决在与由包括在常规气相沉积工艺条件下蒸发的材料或由其组成的基底生产涂覆物品中应用所述方法相关的挑战，仍需要在基于气相沉积的方法(诸如原子层沉积技术)领域中的更新。
发明内容
本发明的目的是解决或至少缓解由相关技术的限制和缺点引起的各个问题。该目的通过用于涂覆蒸发基底的方法和装置、经涂覆的基底和相关用途的多个实施方式来实现。在一个方面，提供了用于涂覆蒸发基底的方法。
在实施方式中，提供了用于涂覆蒸发基底的方法，其中所述方法包括将包括至少一个涂层的膜涂层沉积到基底材料的至少一部分上，该基底材料经历从基本上液相到气态相的相变，且其中基底包括参与气态相中化学沉积反应的化学物质。
在实施方式中，膜涂层沉积到从基底的至少一个表面蒸发的基底材料上。
在实施方式中，所述方法包括在蒸发基底材料的至少一部分时形成气态物质，其中所述气态物质当进行在气态相中的化学沉积反应时产生微粒，所述微粒在基底的表面的至少一部分上形成至少一个涂层。
所述至少一个涂层可包括金属化合物。
在实施方式中，膜涂层的至少密度和/或孔隙率在竖直方向上逐渐变化。
在实施方式中，蒸发基底基本上是液体基底。在实施方式中，蒸发基底是胶体基底，诸如凝胶、水凝胶或溶胶-凝胶。
在实施方式中，根据在蒸气相中的化学沉积，例如化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)的原理，所述蒸发基底进行化学反应。
在实施方式中，所述方法包括当蒸发所述基底材料的至少一部分时形成的气态物质与化学前驱体或前驱体(诸如ALD前驱体)进行化学沉积反应时形成微粒。
在实施方式中，基底包括生物可降解的材料。在实施方式中，基底包含生物活性化合物、药物活性化合物或其组合。在一些配置中，基底包含生物活性化合物、任选地被配置为药物活性化合物中的至少一种。
在实施方式中，所述方法还包括通过化学沉积在已涂覆有膜涂层的基底的表面上形成至少一个附加涂层以提供其共形封装(conformal encapsulation)。可以通过在蒸气相中的化学沉积(例如化学气相沉积或原子层沉积)的工艺来沉积附加涂层。
替代地，蒸发的基底材料可产生悬浮在气态相中的微粒，该微粒进行在气态相中的化学沉积反应，从而产生沉积有至少一个涂层的颗粒。以这种方式，可以产生经涂覆的微粒基底。
在一个方面，提供了一种用于产生至少部分封装的基底的方法。
在另一方面，提供了一种产品。
在实施方式中，所述产品包含基底和沉积在所述基底的至少一部分上的膜涂层，所述膜涂层包括至少一个涂层，其中所述膜涂层的至少密度和/或孔隙率在竖直方向上逐渐变化，并且其中所述基底基本上是液体基底或胶体基底，诸如凝胶、水凝胶或溶胶-凝胶。所述产品还可包含在已涂覆有膜涂层的基底的表面上形成的附加涂层以提供其共形封装。
因此，以液体、凝胶、水凝胶或溶胶-凝胶中任一种形式提供的至少部分封装的基底提供所述产品。
本发明还涉及用于逐步释放的组合物。该组合物包含根据实施方式的产品或由其组成，并且以生物活性组合物或药物制剂的形式提供。
在另一方面，还提供了一种用于涂覆蒸发基底的装置。
在实施方式中，所述装置被配置为在经历从基本上液相到气态相的相变的基底材料的至少一部分上沉积包括至少一个涂层的膜涂层，其中所述基底包括参与在气态相中化学沉积反应的化学物质。
在实施方式中，所述装置被配置为化学气相沉积反应器、原子层沉积反应器和等离子体增强原子层沉积反应器中的任一种。
本发明某些实施方式的目的是在待涂覆的基底的表面上产生粉末以在所述粉末的上面进一步产生连续的共形涂层，其中所述涂覆的材料是生物可降解的和/或可溶于水溶液的。
在实施方式中，所述涂层包含金属化合物，并且其通过原子层沉积(ALD)进行沉积。
上文已经提出了不同的非约束性示例方面和实施方式。以上实施方式和在本说明书中稍后描述的实施方式用于解释可在本发明的实现中利用的所选方面或步骤。应理解，相应的实施方式也适用于其他示例方面。可以形成实施方式的任何适当的组合。
在不限制专利权利要求的范围和解释的情况下，以下列出了本文中公开的一个或更多个示例性实施方式的某些技术效果。
取决于施用途径(口服、粘膜、经呼吸道、静脉内、皮下、肌内、鞘内或直接注入器官实质或动脉血液供给)的药剂可通过本文公开的方法进行涂覆以调节其释放，使其分阶段释放或以任何其他方式改变其药代动力学。某些应用可能需要长期作用(贮库)，这需要受控地、缓慢(随时间延长)释放药剂。某些应用在不同阶段可能需要不同的动力学，即以释放速率随时间变化的方式。其他应用可能需要以受控方式释放不同的化合物，调节释放速率和/或所释放的化合物。涂覆药物(包衣)的方法还能够以这样的方式调节经口施用的药剂，使得其能够耐受胃中(在其中药剂暴露于胃酸)的苛刻条件，并且另一方面耐受肠道开始时的碱性条件。以这种方式，可以提高生物利用度，以使药剂的量和局部副作用最小化，并使化合物所发挥的生物/药物作用最大化。本发明还允许通过减少必须服药的次数来增加/改善患者的依从性。得益于从基底(例如，凝胶状的基底)释放包埋材料的性能而获得的其他应用是杀生物剂，其需要在操作(使用)环境中以受控剂量随时间释放。
在本公开内容中，层厚度1微米(μm)以下的材料称为“薄膜”。
在本公开内容中，术语“凝胶”通常用于表示胶体的基本上固体或半固体形式，其通常以比溶胶(基本上为液态的胶体溶液)更固态的形式提供。术语“水凝胶”是指其中液体成分是水的凝胶。术语“溶胶-凝胶”表示能够在溶胶和凝胶状态之间交替的胶体。
在本公开内容中，术语“蒸发(vaporizing)”和“汽化(evaporating)”可互换使用。
在本公开内容的上下文中，术语“颗粒”和“微粒”用于表示独立实体，以及相应地，在涉及通过气相(汽相)沉积过程从基本上气态相到固相的相变的沉积反应中形成多个这样的实体。
表述“数目”在本文中是指从一(1)开始的任何正整数，例如，一、二或三；然而，表述“多个”在本文中是指从二(2)开始的任何正整数，例如到二、三或四。
术语“第一”和“第二”并非旨在表示任何顺序、数目或重要性，而是仅用于将一个元素与另一个元素区分开。
附图说明
现在将参考附图仅以举例的方式描述本发明，其中：
图1示出了根据实施方式的用于涂覆蒸发基底以及用于生产至少部分封装的基底的方法。
图2示出了根据实施方式的完全封装的基底。
具体实施方式
根据一个方面，本发明涉及一种用于涂覆蒸发基底的方法。在本文中，表述“蒸发基底”是指被蒸发的基底。因此涂覆在所述基底的蒸发过程中发生。在该方法中，膜涂层12被沉积在基底材料10的至少一部分上，该基底材料经历从基本上液相到气态相(蒸气相)的相变，并且其中基底包括进入并参与在气态相(蒸气相)中的化学沉积反应的化学物质。
膜涂层包括至少一个涂层121，122。涂层121，122还被称为亚层。
为了避免混淆，在本公开内容中，术语“气态相”和“气相”用于表示物质(例如“蒸气”)的物质状态。术语“蒸气”用于指通常为非气态基底，即在正常条件下以非气态存在的基底的气态相(气相)，其中所述基底在蒸发时扩散到以气态相(例如空气或其他气体)提供的环境中。正常条件通常应理解为在室温(约20℃)和大气压(约1atm或101kPa)下建立的环境条件。
图1示出了该方法的示例性实施方式。该方法开始于(1)(图1)，蒸发设置在示例性基底支持物21中的基底材料10的至少一部分。蒸发优选在高温(在室内)例如在约30℃至约350℃范围内的条件下，在用于涂覆蒸发基底(在下文中描述)的容器的封闭/密封反应室(未示出)中进行。但是，对于某些反应性和低沸点化学品，温度可以降低到30℃以下，例如在约0℃至约30℃的范围内。反应室优选保持在真空下(压力保持在约100Pa(1mbar)或更低水平)。在某些情况下，反应室中的压力被设置为与大气压相同的水平。
在某些情况下，基底10的温度可以保持在零以下。
基底支持物21在图1中被示为容器(例如杯子)，然而，基底支持物可以作为具有基本平坦的表面(例如板)的物品提供，该表面可选地具有多个用于支持基底的突起(例如销或螺柱)。箭头(图1中的1)示出了被蒸发的基底10的至少一部分。至少一个基底支持物21被放置在形成反应空间(未示出)的反应室中。
蒸发过程通常开始于基底的表面10A。
基底材料10的至少一部分在被蒸发时产生气态物质101(同样由图1中的箭头1指示)。
可以在蒸发之前以基本上为液体的基底(例如水，任何水溶液或非水溶液)提供基底10。或者，可以在蒸发之前以胶体，例如凝胶、水凝胶或溶胶-凝胶提供基底。不排除任何其他类型的基本胶体物质和胶体体系，例如乳液。胶体系统(例如凝胶)是由固体介质和液相组成的两相系统。包含在这种基底中的液体从气态相蒸发/汽化形成气态物质101。
气态物质101可以定义为在蒸发时产生并在气态相中扩散/悬浮的原子、分子、分子簇、离子和自由基中的任一种。术语“扩散”和“悬浮”在此仅用于表示以下事实：当没有被分子间的键保持时，从基底(基本上为液相)释放到气态相中的物质颗粒在所述气态相中“漂浮”。
因此，在示例性配置中，基底10(以液体或胶体中的任一种提供)经历蒸发，由此水从所述基底的表面10A蒸发，并且水分子作为气态物质101释放到气态相中。实际上，蒸发的气态物质流入反应空间中形成的环境中。
气态物质101在预定的时间段内(脉冲)与通过进料管线导入反应室的前驱体P1(图1中的2)在气态相中反应。前驱体是与气态物质101反应的化合物。
当经历气态相中的化学沉积反应时，气态物质101产生微粒11，所述微粒11在基底的表面的至少一部分上形成至少一个涂层。所述微粒11作为基本上为固体的微粒提供，其尺寸在约0.2nm-1mm的范围内。在某些情况下，微粒11被称为粉末。
举例来说，可以在水(物质101)和TMA(前驱体化学物质P1)之间进行反应。这些化合物之间的反应产生了微粒11(2，图1)形式的氧化铝(例如Al2O3)。微粒11从气态相中沉积到基底10上以形成涂层(例如约1埃的层)。在图1的步骤2中通过沉积(“掉落”，见箭头)到基底10上气泡示出了涂层的形成。可以使用(共)反应物的任何组合。
该方法在3(图1)处继续，其中任选地将不同于第一前驱体P1的第二前驱体P2引导到反应空间中。另外地或替代地，可以将第一前驱体P1再次脉冲到反应空间中。在每个脉冲期间，如上所述，涂覆(亚)层沉积在基底上。实际上，涂层“堆叠”在彼此的上面以形成膜涂层12(图1中的3)。涂层和涂膜的沉积可以通过CVD或ALD方法中的任一种来实施。
在反应空间中产生的预定条件下，气态物质101继续通过沉积的涂层蒸发，直到“堆叠”的深度/厚度达到约10nm至100nm。此后，可以调节前驱体流，以使其与堆叠(未示出)的(顶)表面反应。
在一些实施方式中，将前驱体一次脉冲进入反应空间。总体而言，任何量的不同前驱体(例如P1、P2、P3等)可用于整个过程。
通过在彼此的上面“堆叠”涂层，从而在基底的表面上形成膜涂层12(图1中的3)。膜涂层12的深度/厚度在约10nm-2mm的范围内。在蒸发基底10(伴随产生气态物质101)并且将微粒层状沉积在所述基底上时，未反应的基底材料10减小，该过程与基底10的表面上膜12的生长成比例。(参见图1中的4)。
在图1的步骤4中用附图标记121，122示意性地表示了作为涂膜12的亚层提供的涂层。
在将所需厚度的膜12沉积到基底上之后，可以移除基底支持物21(图1中的4)。在步骤4处，由此产生产品100，其包括至少部分地涂覆/封装有包括至少一个涂层121，122的膜涂层12的基底10。
所述膜涂层12的至少密度和/或孔隙率在竖直方向上逐渐变化。竖直方向在此指的是沿着(未反应的)基底10和涂膜12的最上层之间的横截面的方向。可以通过改变化学品P1和P2的比率来至少部分地调节该梯度。在图1所示的配置中，膜12在顶部具有较致密的层(指示为12A)，在其下方具有更多孔的无定形层(指示为12B)。为了强调至少在最上面的涂层12和未反应的基底10(图1中的4)之间至少在密度和/或孔隙率方面的逐渐过渡，指示更致密的层12A进一步包括具有可变密度和/或孔隙率的亚层121，122。应理解，图1仅用于说明性目的，并且涂层(亚)层121，122的数目可以改变以在膜涂层12内建立通常指定为12A-12B的梯度。
在步骤4，产生微粒状基底100，其包括涂覆有包含至少一个涂层的涂膜12的物质的颗粒。
因此，可以通过调节沉积反应条件来调节膜涂层12及其亚层121，122的厚度。
前驱体可以包含金属化合物或由其组成。在一些配置中，至少一个涂层121，122可以包含至少一种金属化合物。
在该方法中，蒸发基底10优选地通过原子层沉积(ALD)工艺进行化学反应。可以使用适合用作气态ALD前驱体或载体的任何化合物和化合物的组合。
ALD生长机制的基础是技术人员已知的。ALD是一种基于将至少两种反应性前驱体物质顺序引入至少一种基底的特殊的化学沉积方法。然而，应理解，当使用例如光子增强的ALD或等离子体辅助的ALD(例如PEALD)时，这些反应性前驱体之一可以被能量替代，从而导致单一前驱体ALD过程。例如，纯元素如金属的沉积仅需要一种前驱体。当前驱体化学物质包含待沉积的二元材料的两种元素时，可以用一种前驱体化学品产生二元化合物，例如氧化物。经ALD生长的薄膜致密、无针孔且厚度均匀。在某些情况下，可以使用化学气相沉积(CVD)。
通常，该至少一个基底在反应容器中暴露于时间上分开的前驱体脉冲，以通过顺序的自饱和表面反应将材料沉积到基底表面上。在本申请的上下文中，术语ALD包括所有适用的基于ALD的技术以及任何等效或密切相关的技术，例如诸如以下ALD子类型：MLD(Molecular Layer Deposition，分子层沉积)、等离子体辅助ALD，例如PEALD(PlasmaEnhanced Atomic Layer Deposition，等离子增强原子层沉积)和光子增强原子层沉积(也称为光ALD或闪蒸增强ALD)。该工艺也可以是蚀刻工艺，其一个示例是ALE工艺。
基本的ALD沉积循环由四个连续步骤：脉冲A、吹扫A、脉冲B和吹扫B组成。脉冲A由第一前驱体蒸气(P1)组成，脉冲B由另一前驱体蒸气(P2)组成。惰性气体和真空泵通常用于在吹扫A和吹扫B期间从反应空间中吹扫气态反应副产物和残留的反应物分子。沉积序列包括至少一个沉积循环。重复沉积循环，直到沉积序列产生所需厚度的薄膜或涂层。沉积循环也可以更简单或更复杂。例如，循环可以包括通过吹扫步骤分开的三个或更多个反应物蒸气脉冲，或者可以省略某些吹扫步骤。另一方面，光增强的ALD具有多种选择，诸如有用于吹扫的各种选择的情况下，仅一种活性前驱体。所有这些沉积循环形成由逻辑单元或微处理器控制的时控的沉积序列。
根据本文公开的方法，待涂覆的基底材料10首先经历从基本上液相(例如，诸如水)到基本上气相(蒸气)的相变，这导致产生气态物质101。所述物质101与前驱体物质(P1，P2)在气态相中反应。后者优选地以气态相顺序输送到反应空间中，以形成基本上为固体的沉积层121，122从而产生涂膜12。
上述层121，122的沉积过程涉及微粒11的形成。当在蒸发基底材料10的至少一部分时产生的气态物质101与化学前驱体(例如ALD前驱体)进行化学沉积反应时，形成微粒11。
在某些情况下，基底10包含生物可降解的材料。另外地或可替代地，基底10包含在合适的载体中提供的至少一种生物活性化合物或至少一种药物活性化合物。在某些情况下，生物活性化合物可被配置为药物活性化合物。在一些其他情况下，生物活性化合物可被配置为杀生物剂。
提及的生物活性化合物和/或药物活性化合物在图1和2中通过附图标记14表示。化合物14被包埋到基底10(其用作载体材料)中。优选地，提及的化合物14不蒸发/汽化，而是保留在基底10内部直到形成最终产品100。
在某些配置中，首先使基底材料10吸收预定的反应物(例如水)，然后使所述反应物被释放到气态相(以物质101的形式)，从而与以气态相供给的预定的前驱体P1，P2反应，从而将在基底表面上产生微粒/粉末。在某些情况下，在多孔膜形成期间，前驱体/反应物的脉冲没有被充分地(及时)分离以形成纯膜。
因此，所述基底可以以蒸发水的水基水凝胶或溶胶-凝胶的形式提供。在某些情况下，基底可以是液体。
在某些情况下，可以生产包含通过上文所述方法生产的微粒11的微粒状基底。在所述微粒状基底中，涂层可包含至少一种金属化合物。
在涂覆过程中，第一阶段是优选地至少在靶材材料10，14的表面上产生微粒11(图1中2)。在随后的步骤(3，反复进行)中，沉积工艺可以是两种前驱体P1，P2的组合，其至少部分暴露于从基底上蒸发的化学物质，由此形成的颗粒变为逐层涂覆的(参见121，122；步骤4)。
可选地，可以实施第三阶段(如图2所示)，涉及通过化学沉积在已经涂覆有膜涂层12的基底10的表面上形成至少一个附加涂层13以提供其共形封装。附加涂层13是通过常规气相沉积(例如ALD)沉积的膜，其形成共形的无孔屏障。
由此获得的产品100可以作为部分涂覆/封装的基底(图1中4)或作为涂覆有附加共形膜13的完全封装的基底(图2)提供。
在这方面，还提供一种用于生产至少部分封装的基底100的方法，所述方法包括：
(i)获得基底(10)；
(ii)蒸发由此获得的基底的至少一部分，由此所述基底经历从基本上液相到气态相的相变；
(iii)由蒸发基底材料的至少一部分时形成的气态物质(101)，产生在基底的表面的至少一部分上形成至少一个涂层(121，122)的微粒(11)；以及
(iv)由所述至少一个涂层形成至少部分封装基底(10)的膜涂层(12)。
在一些配置中，所述方法还包括在已经至少部分地涂覆有先前沉积的膜涂层12的基底10的表面上形成附加涂层膜13，以提供其共形的、无孔的封装。这样就创建了完全封装的结构100，如图2所示。
根据上文所讨论的，至少部分地封装基底的膜涂层12的至少密度和/或孔隙率在竖直方向上逐渐变化。对于完全封装的基底，在不影响封装的基底的实际形状的情况下，以基本上射线的方式定义竖直方向，即从包含未反应的基底10的封装产品的中心到涂膜12和/或附加涂层13的最上面的涂层。
膜涂层12和附加涂层13中的任一个可包括至少一种金属化合物。膜涂层12和附加涂层13中的任一个都可以基于在蒸气相中的化学沉积，例如化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)或等离子体增强原子层沉积(PEALD)的原理通过常规技术沉积。
本公开内容还提供了产品100的形成，其包括部分或完全封装的基底10。
产品100包括基底10和沉积在基底材料的至少一部分上的膜涂层12。膜涂层12包括至少一个涂层。根据上文所讨论的，膜涂层12的至少密度和/或孔隙率在竖直方向上逐渐变化。
在产品100中，以液体、凝胶、水凝胶或溶胶-凝胶中的任何一种形式提供至少部分封装的基底10。可以使用任何其他胶体系统，例如乳液。
可使用在已经至少部分地涂覆有膜涂层12的基底10的表面上形成的附加涂层13进一步沉积产品，以提供其共形封装。
该产品有利地通过上文描述的任何一种方法生产。
基于产品100，可以制备配置用于逐步释放的生物活性组合物和/或药物制剂。可使所述生物活性组合物具有至少一种生物活性，包括但不限于抗炎、抗细菌、杀生物和杀真菌活性等。在一些情况下，生物活性组合物可配置为药物制剂，即被配置为对人或非人哺乳动物发挥至少一种治疗作用的制剂。图2示意性地示出了具有共形封装13的示例性药物制剂。
在此描述的工艺的应用领域包括但不限于：
-用防潮气体屏障将水凝胶或溶胶凝胶封盖；
-制造药物/药物制剂，其被配置为逐渐溶解，从而随着化学沉积膜包衣(12，13)的溶解时间逐渐增加药物梯度。
在后一种情况下，当向患者施用药物(例如丸剂(小片))时，根据本文所述方法制造的涂层12，13会逐渐溶解，由此，在开始时药物释放的速率较小/较慢(当共形膜13溶解时，图2)，该速率随时间增加(在产生微粒的涂层12溶解时；图1的步骤4)。
包含在基底载体10中提供的沉积材料(例如药品14)的产品100还可从配置为药物容器(图1中的4)的基板支持物21移除，使得患者首先开始暴露于基底侧的药品。应注意，生物活性和/或药物化合物14的浓度在朝向未反应的基底10(其中所述化合物14在基底载体材料中提供)的方向上增加。
因此，鉴于药物的施用途径，某些途径对某些药物更具积极性。例如，经口施用的药物暴露于竞争物质如酸、碱和许多其他物质。通过本文公开的方法生产的薄膜包衣12，任选地与附加包衣13一起，可以以高精度时间(时间点)控制应当吸收药物的时间。
此外，包衣膜12，13可用于调节药物的释放速率(恒定、加速、减速)和/或建立具有显著阶段的药物释放(例如，初始恒定的、加速的或减速的(阶段I))；接着是不同与前一阶段的另一阶段(阶段II，等)。另外，膜包衣12，任选地与13一起，可被配置为在不同的时间点包含和释放不同的药物。
结构100还可以实施为多层复杂的堆叠结构，其中可以将包括第一生物活性化合物(例如第一药物)并涂覆有膜涂层12和任选地涂覆有附加涂层13的第一基底10进一步通过例如浸渍到包含所述药物的溶液中与包括第二生物活性化合物(例如第二药物)的第二基底10(未示出)一起实施。此后，整个结构可以进行可选地由共形涂层13覆盖的第二涂层膜12(未示出)的沉积。该过程可以重复几次，以使得在所得多层结构中，每个单独的“亚层”(10，12和任选地13)包括相同药物或配置为依次释放的不同药物。
因此，患者需要的药物被有效地递送到身体。这种施用方法是高度可持续的(由于有效的递送(生物利用度)，非常少量的药物被浪费)；并且显着减少了许多副作用)。
在一些其他情况中，生物活性化合物可被配置为杀生物剂。杀生物剂的实例包括但不限于具有抗细菌和抗微生物特性的物质(例如，如伤口护理)，皮肤消毒剂等。
本发明还涉及一种用于涂覆蒸发基底的装置。装置(未示出)被配置为在经历从基本上液相到气态相的相变的基底材料的至少一部分上沉积包括至少一个涂层的膜涂层12，其中所述基底包括参与气态相中的化学沉积反应的化学物质。
该装置是优选地配置为利用基于气相沉积的技术的原理的反应器装置。就整体实施而言，该反应器可以基于美国专利No.8211235(Lindfors)中描述的ALD装置，或基于可从芬兰皮克桑(Picosun Oy)购得的以PicosunR-200高级ALD系统为商标的装置。然而，以本发明概念为基础的特征可以结合到任何其他作为例如，ALD、PEALD、MLD、(Molecular LayerDeposition，分子层沉积)或CVD装置实施的化学沉积反应器中。
所述反应器包括建立在其中发生上述方法的反应空间(沉积空间)的反应室。该反应器还包括许多器具，这些器具配置成将流体流(惰性流体和包含前驱体化合物P1，P2的反应性流体)介导进入反应室。所提及的器具作为多个进气管线/进料管线以及相关的开关和/或调节装置(例如阀)提供。
前驱体P1，P2以基本上气态的形式被递送到反应空间中。通过至少一个进料管线进入反应室的反应性流体优选为包含由惰性载体(气体)携带的预定的前驱体化学品的气态物质。通过上述调节装置，例如三通ALD阀、质量流量控制器或任何其他适合此目的的装置，调节前驱体化学品向反应空间中的输送以及基底上的膜生长。
该装置还包括用于将废物流排出反应室的排空管线。该排空管线构成了用于排空泵的前管线，并且在一些配置中，其可优选地在泵单元的上游包括关闭阀。优选地，以不间断的方式从反应室中排出流体物质，由此泵(优选地配置为真空泵)在整个沉积过程中连续地从反应室中移除流体物质。
本领域技术人员应当理解，本公开内容中阐述的实施方式可以根据需要进行修改和组合。因此，本公开内容旨在涵盖在所附权利要求的范围内本领域普通技术人员可认识到的对装置和沉积方法的任何可能的修改。

Claims (15)

1.一种用于涂覆蒸发基底(10)的方法，其中包括至少一个涂层(121，122)的膜涂层(12)沉积在经历从基本上液相到气态相的相变的基底材料的至少一部分上，并且其中所述基底(10)包括参与在气态相中的化学沉积反应的化学物质。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述膜涂层(12)沉积在从所述基底(10)的至少一个表面(10A)上蒸发的所述基底材料上。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中当蒸发所述基底材料的至少一部分时形成气态物质(101)，其中所述气态物质当在气态相中进行化学沉积反应时产生微粒(11)，所述微粒在所述基底的表面的至少一部分上形成至少一个涂层(121，122)。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述膜涂层(12)至少密度和/或孔隙率在竖直方向上逐渐变化。
5.根据前述权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述蒸发基底(10)是基本上液体基底或胶体基底，诸如凝胶、水凝胶或溶胶-凝胶。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中当在蒸发所述基底材料的至少一部分时形成的所述气态物质(101)与化学前驱体诸如ALD前驱体进行化学沉积反应时，形成所述微粒(11)。
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述基底(10)包括生物可降解材料、生物活性化合物、药物活性化合物或其组合中的任一种。
8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括在已涂覆有所述膜涂层(12)的所述基底(10)的表面上形成至少一个附加涂层(13)以提供其共形封装，其中所述附加涂层(13)通过在蒸气相中的化学沉积工艺诸如化学气相沉积或原子层沉积进行沉积。
9.一种用于产生至少部分封装的基底的方法，包括：
(i)获得基底(10)；
(ii)蒸发由此获得的所述基底的至少一部分，由此所述基底经历从基本上液相到气态相的相变；
(iii)由在蒸发所述基底材料的至少所述一部分时形成的气态物质(101)产生微粒(11)，所述微粒在所述基底的表面的至少一部分上形成至少一个涂层(121，122)；以及
(iv)由所述至少一个涂层形成至少部分封装所述基底(10)的膜涂层(12)。
10.根据权利要求9所述的方法，还包括在已涂覆有所述膜涂层(12)的所述基底(10)的表面上形成附加涂层(13)以提供其共形封装。
11.根据权利要求9或10所述的方法，其中所述膜涂层(12)的至少密度和/或孔隙率在竖直方向上逐渐变化。
12.根据权利要求9至11中任一项所述的方法，其中，所述膜涂层(12)和所述附加涂层(13)中的任一个通过在蒸气相中的化学沉积工艺诸如化学气相沉积或原子层沉积进行沉积，其中所述膜涂层(12)和所述附加涂层(13)中的任一个包括金属化合物。
13.一种产品(100)，包括基底(10)和沉积在基底材料的至少一部分上的膜涂层(12)，所述膜涂层(12)包括至少一个涂层，其中所述膜涂层(12)的至少密度和/或孔隙率在竖直方向上逐渐变化，并且其中所述基底(10)是基本上液体基底或胶体基底，诸如凝胶、水凝胶或溶胶-凝胶，所述产品还包括在已涂覆有所述膜涂层(12)的所述基底(10)的表面上形成的附加涂层(13)以提供其共形封装。
14.一种用于涂覆蒸发基底的装置，被配置为在经历从基本上液相到气态相的相变的基底材料的至少一部分上沉积包括至少一个涂层的膜涂层，其中所述基底包括参与在气态相中的化学沉积反应的化学物质。
15.根据权利要求14所述的装置，被配置为原子层沉积反应器。
CN202010223890.8A 2019-03-29 2020-03-26 涂覆蒸发基底和产生至少部分封装的基底的方法，其装置和产品 Pending CN111748796A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962826430P 2019-03-29 2019-03-29
US62/826,430 2019-03-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111748796A true CN111748796A (zh) 2020-10-09

Family

ID=70008304

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010223890.8A Pending CN111748796A (zh) 2019-03-29 2020-03-26 涂覆蒸发基底和产生至少部分封装的基底的方法，其装置和产品

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11668004B2 (zh)
EP (1) EP3715499A1 (zh)
JP (1) JP2020180368A (zh)
CN (1) CN111748796A (zh)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5554415A (en) * 1994-01-18 1996-09-10 Qqc, Inc. Substrate coating techniques, including fabricating materials on a surface of a substrate
CN1522286A (zh) * 2001-06-01 2004-08-18 汉高两合股份公司 用于活性物和活化剂释放的体系
JP2005060817A (ja) * 2003-07-31 2005-03-10 Sekisui Chem Co Ltd 無機薄膜成膜方法
CN1730716A (zh) * 2005-08-23 2006-02-08 浙江大学 液相基底表面新型金属薄膜的制备技术
CN1989236A (zh) * 2004-05-18 2007-06-27 澳大利亚核科学技术组织 膜生物反应器
US20130011318A1 (en) * 2010-04-27 2013-01-10 Panasonic Corporation Apparatus for producing metal oxide nanofibers and method for producing metal oxide nanofibers
US20140144323A1 (en) * 2012-11-23 2014-05-29 Chung Yuan Christian University Silica-like Membrane for Separating Gas and the method for forming the same
US20150250731A1 (en) * 2012-09-18 2015-09-10 Novaldmedical Ltd Oy Method for coating pharmaceutical substrates
US20180154019A1 (en) * 2015-04-29 2018-06-07 University Of South Australia Compositions and methods for administering antibodies

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4609562A (en) * 1984-12-20 1986-09-02 Westinghouse Electric Corp. Apparatus and method for depositing coating onto porous substrate
DE19605335C1 (de) * 1996-02-14 1997-04-03 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren und Einrichtung zur Regelung eines Vakuumbedampfungsprozesses
US7005392B2 (en) * 2001-03-30 2006-02-28 Advanced Technology Materials, Inc. Source reagent compositions for CVD formation of gate dielectric thin films using amide precursors and method of using same
US6649208B2 (en) * 2001-04-17 2003-11-18 Wayne E. Rodgers Apparatus and method for thin film deposition onto substrates
CN100439554C (zh) * 2001-11-30 2008-12-03 Abb股份有限公司 式Mn+1AXn化合物的合成方法,该化合物的膜及其用途
TW200420740A (en) * 2003-01-30 2004-10-16 Ifire Technology Inc Controlled sulfur species deposition process
US8211235B2 (en) 2005-03-04 2012-07-03 Picosun Oy Apparatuses and methods for deposition of material on surfaces
JP4699092B2 (ja) * 2005-06-01 2011-06-08 日本パイオニクス株式会社 酸化亜鉛膜の成膜方法
US8252405B2 (en) * 2005-10-27 2012-08-28 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Single-walled carbon nanotubes and methods of preparation thereof
DE102007007908A1 (de) * 2006-02-14 2007-08-30 Eckart Gmbh & Co. Kg Dunkle metallische Effektpigmente hergestellt durch PVD-Verfahren
JP4676387B2 (ja) * 2006-06-07 2011-04-27 株式会社ティー アンド ケー 真空蒸着用原料ユニット、真空蒸着用蒸発源および真空蒸着装置
US20080282733A1 (en) * 2007-04-23 2008-11-20 Tolwani Ravi Memory gemstones
JPWO2010018639A1 (ja) * 2008-08-15 2012-01-26 株式会社シンクロン 蒸着装置及び薄膜デバイスの製造方法
NZ598279A (en) * 2009-09-06 2012-12-21 Lanzatech New Zealand Ltd Improved fermentation of gaseous substrates
JP2011082196A (ja) * 2009-10-02 2011-04-21 Hitachi Kokusai Electric Inc 気化器、基板処理装置及び半導体装置の製造方法
KR101172275B1 (ko) * 2009-12-31 2012-08-08 에스엔유 프리시젼 주식회사 기화 장치 및 이의 제어 방법
US8685293B1 (en) * 2010-03-19 2014-04-01 Nicholas V. Coppa Control of particle formation at the nanoscale
FI123645B (fi) * 2010-04-20 2013-08-30 Beneq Oy Aerosoliavusteinen kaasukasvatusjärjestelmä
DE102010063342A1 (de) * 2010-12-17 2012-06-21 Laser Zentrum Hannover E.V. Verfahren zur Herstellung von mikro-nanokombinierten Wirksystemen
US9678031B2 (en) * 2012-03-19 2017-06-13 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Biochip and biodevice using same
US20160237398A1 (en) * 2013-10-18 2016-08-18 University Of Washington Through Its Center For Commercialization Methods of microbial production of excreted products from methane and related bacterial strains
US20180296494A1 (en) * 2015-06-05 2018-10-18 The Regents Of The University Of Michigan Methods to enhance bioavavailability of organic small molecules and deposited films made therefrom
CN109072401B (zh) * 2016-03-10 2021-05-11 鸿海精密工业股份有限公司 蒸镀掩膜、蒸镀装置、蒸镀方法及有机el显示装置的制造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5554415A (en) * 1994-01-18 1996-09-10 Qqc, Inc. Substrate coating techniques, including fabricating materials on a surface of a substrate
CN1522286A (zh) * 2001-06-01 2004-08-18 汉高两合股份公司 用于活性物和活化剂释放的体系
JP2005060817A (ja) * 2003-07-31 2005-03-10 Sekisui Chem Co Ltd 無機薄膜成膜方法
CN1989236A (zh) * 2004-05-18 2007-06-27 澳大利亚核科学技术组织 膜生物反应器
CN1730716A (zh) * 2005-08-23 2006-02-08 浙江大学 液相基底表面新型金属薄膜的制备技术
US20130011318A1 (en) * 2010-04-27 2013-01-10 Panasonic Corporation Apparatus for producing metal oxide nanofibers and method for producing metal oxide nanofibers
US20150250731A1 (en) * 2012-09-18 2015-09-10 Novaldmedical Ltd Oy Method for coating pharmaceutical substrates
US20140144323A1 (en) * 2012-11-23 2014-05-29 Chung Yuan Christian University Silica-like Membrane for Separating Gas and the method for forming the same
US20180154019A1 (en) * 2015-04-29 2018-06-07 University Of South Australia Compositions and methods for administering antibodies

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
BOEHLER, C ET AL.: ""A Simple Approach for Molecular Controlled Release based on Atomic Layer Deposition Hybridized Organic-Inorganic Layers"", 《SCIENTIFIC REPORTS>, vol. 6, pages 1 - 12 *

Also Published As

Publication number Publication date
EP3715499A1 (en) 2020-09-30
US20200308695A1 (en) 2020-10-01
JP2020180368A (ja) 2020-11-05
US11668004B2 (en) 2023-06-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2022009666A (ja) 有機膜の気相堆積
JP2020183578A (ja) 浸漬チューブを備える薬剤供給容器
US20120177903A1 (en) Multilayer coating, method for fabricating a multilayer coating, and uses for the same
TW201033394A (en) Web substrate deposition system
TWI745943B (zh) 包衣藥物組成物及其製備方法
JP2015528487A (ja) 医薬品基材のコーティング方法
US9770412B2 (en) Implant device for drug delivery
JP2014510066A (ja) コーティングが施された固形医薬製剤
Bishal et al. Room temperature TiO2 atomic layer deposition on collagen membrane from a titanium alkylamide precursor
Ozgit-Akgun et al. Fabrication of flexible polymer–GaN core–shell nanofibers by the combination of electrospinning and hollow cathode plasma-assisted atomic layer deposition
TW200815622A (en) Methods and apparatus for the vaporization and delivery of solution precursors for atomic layer deposition
CN111748796A (zh) 涂覆蒸发基底和产生至少部分封装的基底的方法，其装置和产品
JP2021188130A (ja) バナジウム前駆体を直接液体注入するためのシステムおよび方法
KR102228546B1 (ko) 유체 투과성 재료의 코팅
CN112048709B (zh) 制造涂覆交织基底的方法，涂覆物品以及可植入医疗装置
CN107281152A (zh) 一种基于ald包覆的药物渗透泵制剂及其制备方法
US20230072705A1 (en) Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods
Bonilla-Gameros et al. Controlling silver ion release from Ag-based nanocoatings by plasma surface engineering
WO2023031951A1 (en) Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods such as atomic layer deposition
Layer Robert A. Hall, Steven M. George, Yeongae Kim, Woonbong Hwang, Meghan E. Samberg, Nancy A. Monteiro-Riviere & Roger J. Narayan
TW202218694A (zh) 使用空間原子層沉積的眼內透鏡的部分塗層
CN108938592A (zh) 一种低成本的药物包衣方法
KR20160123165A (ko) 표면기능화를 이용한 초박막 연속 금속 박막의 제조방법
KR20130141233A (ko) 유해 물질 용출 방지 제품 및 그 제조 방법과 폴리머 제품에 대한 원자층 박막 증착 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination