CN111740721B

CN111740721B - 半导体器件及其形成方法

Info

Publication number: CN111740721B
Application number: CN202010067464.XA
Authority: CN
Inventors: 项少华; 穆苑龙; 王俊力; 魏有晨; 王大甲; 王冲
Original assignee: Semiconductor Manufacturing Electronics Shaoxing Corp SMEC
Current assignee: Semiconductor Manufacturing Electronics Shaoxing Corp SMEC
Priority date: 2020-01-20
Filing date: 2020-01-20
Publication date: 2023-07-07
Anticipated expiration: 2040-01-20
Also published as: CN111740721A

Abstract

本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。通过在电极间夹层中开设接触窗，以使得第一电极可以通过接触窗直接和引出电极连接，基于此，在后续开设引出区并形成光阻层，可以使光阻层具有悬空遮盖引出电极的部分，如此一来，在形成导电材料层时，可使导电材料层在被光阻层悬空遮盖的下方更容易发生分断，即，导电材料层中覆盖引出电极的第一部分和覆盖光阻层的第二部分更容易相互分断，从而有利于降低后续执行的剥离过程的剥离难度，并避免最终所形成的接触垫受到损伤。

Description

半导体器件及其形成方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体器件及其形成方法。

背景技术

在半导体器件(例如，体声波滤波器)的制备过程中，通常会利用剥离工艺(Lift-off)制备接触垫，以实现半导体器件中的电极的电性引出。例如参考图1a～图1c所示，现有的半导体器件的形成方法包括如下步骤。

第一步骤，具体参考图1a所示，提供一衬底10，所述衬底10上依次形成有引出电极20、电极间夹层30、第一电极40和钝化层50；其中，所述电极间夹层30间隔所述引出电极20和所述第一电极40，所述钝化层50部分覆盖所述第一电极40，以暴露出部分所述第一电极40。

第二步骤，继续参考图1a所示，部分去除所述电极间夹层30，以暴露出部分所述引出电极20，即，此时暴露有部分所述第一电极40和部分所述导电材料线20。

第三步骤，具体参考图1b所示，形成光阻层60，所述光阻层60形成在所述钝化层50上，并可使所述光阻层60的边缘对应于所述钝化层50的边缘，以确保部分所述第一电极40和部分所述导电材料线20仍暴露出。

第四步骤，继续参考图1b所示，形成导电材料层70，所述导电材料层70覆盖所述光阻层60的顶表面和侧壁，以及还覆盖所述第一电极40和所述引出电极20。此时，如图1b所示，所述导电材料层70是连续覆盖光阻层60、钝化层50的侧壁、第一电极40和引出电极20。

第五步骤，具体参考图1c所示，剥离所述光阻层60，以去除所述导电材料层中覆盖所述光阻层部分，并利用剩余的导电材料层构成接触垫80。其中，所述接触垫80即连接所述第一电极40和所述引出电极20，以及所述接触垫80中位于所述引出电极20上的部分用于与外部电路焊接。如此，即可利用所述接触垫80并通过所述引出电极20，实现所述第一电极20的电信传输。

然而，如图1b所示，在形成导电材料层70时，所述导电材料层70中覆盖光阻层60侧壁的部分和覆盖第一电极40的部分相互连接，基于此，在剥离所述光阻层60时，会直接导致所述光阻层60剥离困难，并且还会使得剥离后所形成的接触垫80其边缘受损。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件的形成方法，以解决现有的形成方法中在利用剥离工艺制备接触垫时，其剥离难度大并且还会对所形成的接触垫造成损伤的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：

提供一衬底，所述衬底上依次形成有第二电极、引出电极和电极间夹层，所述电极间夹层中还形成有接触窗，所述接触窗中暴露有所述引出电极；

在所述电极间夹层上形成第一电极，所述第一电极还形成在所述接触窗中，以和所述引出电极电连接；

至少部分去除所述电极间夹层以暴露出部分所述引出电极，暴露有所述引出电极的区域构成引出区；

形成光阻层，所述光阻层覆盖在所述第一电极和所述电极间夹层的上方，并且所述光阻层的边缘还相对于所述电极间夹层的边缘横向延伸至所述引出区，以悬空遮盖部分所述引出电极；

形成导电材料层，所述导电材料层覆盖所述光阻层，以及所述导电材料层还覆盖所述引出区中的引出电极；以及，

剥离所述光阻层，以去除所述导电材料层中覆盖所述光阻层的部分，并保留所述导电材料层中形成在所述引出区中的部分，以构成接触垫。

可选的，在形成所述第一电极之后，还包括在所述第一电极上形成钝化层；

以及，形成所述引出区的方法，包括依次刻蚀所述钝化层、所述第一电极和所述电极间夹层，以暴露出所述引出电极。

可选的，所述光阻层具有倾斜侧壁，以及所述光阻层中对应于所述倾斜侧壁的端部全部延伸至所述引出区的上方。

可选的，所述光阻层为负性光阻，以及所述光阻层的所述倾斜侧壁由下至上依次更加延伸出。

可选的，所述导电材料层中位于所述引出区中的部分构成第一部分，所述导电材料层中覆盖所述光阻层的部分构成第二部分，以及所述第一部分和所述第二部分至少在所述电极间夹层的侧壁相互分断。

可选的，所述第一部分具有位于所述光阻层正下方的端部，所述第一部分的所述端部以朝向所述电极间夹层的方向厚度逐渐减小。

可选的，所述半导体器件包括体声波谐振器，以及所述电极间夹层的材料包括压电材料。

可选的，所述半导体器件包括电容器件，以及所述电极间夹层的材料包括电容介质材料。

基于如上所述的形成方法，本发明还提供了一种半导体器件，包括：

衬底；

第二电极，形成在所述衬底上；

引出电极，形成在所述衬底上，并与所述第二电极间隔设置；

电极间夹层，形成在所述衬底上并覆盖所述第二电极和所述引出电极，以及所述电极间夹层中还形成有接触窗，所述接触窗贯穿所述电极间夹层以延伸至所述引出电极，并且所述电极间夹层还暴露出部分引出电极，以及从所述电极间夹层暴露出引出电极的区域构成引出区；

第一电极，形成在所述电极间夹层上，并且所述第一电极和所述第二电极投影在同一水平面上的投影图像至少部分重叠，以及所述第一电极还形成在所述接触窗中，以和所述引出电极电性连接；以及，

接触垫，形成在所述引出区中，以和所述引出电极电性连接。

可选的，所述半导体器件还包括钝化层，所述钝化层覆盖所述第一电极的顶表面，并且所述钝化层、所述第一电极和所述电极间夹层在朝向所述引出区的侧壁均齐平。

可选的，所述半导体器件包括体声波谐振器。

在本发明提供的半导体器件的形成方法中，通过在电极间夹层中开设接触窗，从而在形成第一电极的同时即能够实现第一电极和引出电极之间的电性连接。即，本发明中并不需要再额外的设置互连线，即可以直接实现第一电极和引出电极之间的电性连接，能够简化工艺。以及，在发明提供的形成方法中，正是基于第一电极能够通过接触窗直接连接至引出电极，因此可以使光阻层横向延伸至引出区，以悬空遮盖部分引出电极。如此一来，在形成导电材料层时，即有利于减少导电材料形成在被光阻层悬空遮盖的下方空间中，相应的使得所形成的导电材料层更容易在被光阻层悬空遮盖的下方发生分断(即，使得所形成的导电材料层中覆盖光阻层的第二部分和覆盖引出电极的第一部分，在光阻层悬空遮盖的下方更容易相互分断)，进而在执行剥离过程时，能够有效降低剥离难度，并可以避免所形成的接触垫受到损伤。

附图说明

图1a～图1c是现有的一种半导体器件的形成方法在其制备过程中的结构示意图；

图2为本发明一实施例中半导体器件的形成方法的流程示意图；

图3a～图3f为本发明一实施例中半导体器件的形成方法在其制备过程中的结构示意图。

其中，附图标记如下：

10-衬底；

20-引出电极；

30-电极间夹层；

40-第一电极；

50-钝化层；

60-光阻层；

70-导电材料层；

80-接触垫；

100-衬底；

210-引出电极；

220-第二电极；

300-电极间夹层；

310-接触窗；

320-引出区；

330-凹陷；

400-第一电极；

500-钝化层；

600-光阻层；

610-端部；

620-底表面；

700-导电材料层；

710-第一部分；

720-第二部分；

800-接触垫。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明提出的半导体器件及其形成方法作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

图2为本发明一实施例中半导体器件的形成方法的流程示意图，图3a～图3f为本发明一实施例中半导体器件的形成方法在其制备过程中的结构示意图。以下结合图2以及图3a～图3f，对本实施例中的半导体器件的形成方法做详细说明。

在步骤S100中，具体参考图3a所示，提供一衬底100，所述衬底100上依次形成有引出电极210和电极间夹层300，所述电极间夹层300中还形成有接触窗310，所述接触窗310中暴露有所述引出电极210。其中，所述引出电极210用于与后续形成的第一电极电性连接，进而使所述第一电极可以通过所述引出电极210实现电信引出。

其中，可以根据所形成的具体器件，对应调整所述衬底100。例如，半导体器件可以为体声波滤波器(bulk acoustic wave，BAW)，此时衬底可以包括多层布拉格反射层以进一步构成固态装配型谐振器(SMR)；或者，所述衬底还可以包括空腔，以进一步构成薄膜体声谐振滤波器(film bulk acoustic resonator，FBAR)。

本实施例中，在所述衬底100上还形成有第二电极220，以及所述电极间夹层300还覆盖所述第二电极220，如此一来，即可使所述第二电极220和后续所形成的第一电极通过所述电极间夹层300相互分隔。

可选的方案中，所述第二电极220和所述引出电极210可以同时形成，其制备方法例如包括：首先，在所述衬底100上形成电极材料层；接着，图形化所述电极材料层，以分别形成所述第二电极220和所述引出电极210，所述第二电极220和所述引出电极210之间间隔有开口，以使所述第二电极220和所述引出电极210相互分断。

继续参考图3a所示，在形成所述第二电极220和所述引出电极210之后，形成所述电极间夹层300，所述电极间夹层300覆盖所述第二电极220和所述引出电极210，并相应的填充第二电极220和引出电极210之间的开口。

应当认识到，所述第二电极220、所述电极间夹层300和后续形成的第一电极，还可以构成体声波谐振器，此时所述电极间夹层300则可以采用压电材料构成，所述压电材料可以包括氧化锌(ZnO)、氮化铝(AlN)和锆钛酸铅(PZT)中的至少一种。

进一步的，所述电极间夹层300中还形成有接触窗310，所述接触窗310贯穿所述电极间夹层300，以暴露出所述引出电极210。通过所述接触窗310，可以使后续所形成的第一电极能够直接和所述引出电极210电性连接。

在步骤S200中，具体参考图3b所示，在所述电极间夹层300上形成第一电极400，所述第一电极400还形成在所述接触窗310中，以和所述引出电极210电连接。即，本实施例中，在形成所述第一电极400的同时，可使所述第一电极400直接和所述引出电极210连接。以及，所述第一电极400和所述第二电极220在同一水平面上的投影图像至少部分重叠。

需要说明的是，传统工艺中，为了实现第一电极和引出电极之间的电性连接，则通常需要先暴露出第一电极的顶表面，再暴露出引出电极的顶表面，从而在后续工艺中还需要利用互连线连接第一电极和引出电极。即，传统工艺中，不仅需要使第一电极的顶表面提前暴露出，这将会导致所述第一电极容易在后续工艺中受到损伤，并且还需要利用额外的连接线实现第一电极和引出电极的连接，使得制备工艺较为繁琐。

而与传统工艺相比，本实施例中基于所述接触窗，可以使得在形成第一电极400的同时，即能够实现第一电极400和引出电极210的电性连接，有利于提高第一电极400和引出电极210之间的连接性能，并且还能够进一步简化工艺。

继续参考图3b所示，在本实施例的图3b中示意性的示出了第一电极400，是保形的覆盖所述接触窗310的底壁和侧壁。然而，在其他实施例中，所述第一电极还可以完全填充所述接触窗310，只要所述第一电极可以电连接所述引出电极210即可。

进一步的，在形成所述第一电极400之后，还包括：在所述第一电极400上形成钝化层500，以利用所述钝化层500保护所述第一电极400。其中，所述钝化层500的材料例如包括氮化硅等。

本实施例中，所述第一电极400未完全填充所述接触窗310，基于此，所述钝化层500还形成在所述接触窗310中。此外，图3b所示的钝化层500也是保形的覆盖所述接触窗的侧壁和底壁，然而在其他实施例中，所述钝化层500还可以是填充所述接触窗。

在步骤S300中，具体参考图3c所示，至少部分去除所述电极间夹层300，以暴露出部分所述引出电极210，暴露有所述引出电极的区域构成引出区320。通过所述引出区320暴露出部分所述引出电极210，以利于后续工艺中，可以在暴露出的引出电极210上形成接触垫。

结合图3b和图3c所示，本实施例中，所述钝化层500和所述第一电极400均横向延伸至所述引出电极210的上方，基于此，形成引出区320的方法还包括：部分去除所述钝化层500和所述第一电极400。

即，本实施例中，形成引出区320的方法例如包括：在所述钝化层500上形成掩模层，并以所述掩模层为掩模依次刻蚀所述钝化层500、所述第一电极400和所述电极间夹层300，直至暴露出所述引出电极210，以形成所述引出区320。进一步的，所述引出区320相对于所述接触窗310更远离所述第二电极220。

如上所述，在传统工艺中，第一电极的顶表面要提前暴露出，从而容易在后续工艺中受到损伤。然而，本实施例中，可以利用相同的掩模依次刻蚀所述钝化层500、所述第一电极400和所述电极间夹层300，此时，并不会使所述第一电极400的顶表面暴露出，避免了第一电极400的顶表面在后续工艺中受到损伤。

在步骤S400中，具体参考图3d所示，形成光阻层600，所述光阻层600覆盖在所述第一电极400和所述电极间夹层300的上方，并且所述光阻层600的边缘还相对于所述电极间夹层300的边缘横向延伸至所述引出区320，以悬空遮盖部分所述引出电极210。

需要说明的是，本实施例中，是利用剥离工艺(Lift-off)制备接触垫，此时通过所述光阻层600暴露出需要形成接触垫的位置。具体而言，在后续工艺中，会在所述引出区320中的引出电极的顶表面上形成接触垫，基于此，所述光阻层600暴露出所述引出区320。

如上所述，本实施例中，所述光阻层600的边缘相对于所述电极间夹层300的边缘横向延伸出，此时，即可使所述光阻层600延伸出电极间夹层300的部分悬空遮盖在引出电极210的上方。即相当于，所述光阻层600未覆盖所述电极间夹层300的侧壁，并至少使所述电极间夹层300的侧壁横向暴露出，进而使所述电极间夹层300的侧壁相对于所述光阻层600的侧壁内陷，以形成有凹陷330。

需要说明的是，由于所述光阻层600悬空遮盖的下方构成凹陷330，基于此，后续在形成导电材料层时，所述导电材料层难以形成在所述凹陷330中，如此一来，即能够使导电材料层中覆盖光阻层600的部分和覆盖引出电极210的部分更容易相互分断，进而有利于实现后续的剥离工艺。

继续参考图3d所示，本实施例中，所述电极间夹层300、所述第一电极400和所述钝化层500的侧壁齐平，所述光阻层600形成在所述钝化层500上，并同时相对于所述钝化层500、所述第一电极400和所述电极间夹层300均横向延伸出。应当认识到，所述电极间夹层300、所述第一电极400和所述钝化层500能够构成高度更大的台阶，即所构成的台阶相对于所述引出电极210具有更大的高度差，此时，在所述电极间夹层300的侧壁即能够形成高度更大的凹陷330，如此一来，将使得后续制备导电材料层时更容易在所述凹陷330处相互分断。

进一步的方案中，所述光阻层600的侧壁为倾斜侧壁，并且所述光阻层600的倾斜侧壁为由下至上依次更加延伸出。可以理解为，所述光阻层600的截面形状为倒梯形，以及所述光阻层600的倾斜侧壁为倒梯形的倾斜侧壁。如此一来，在后续形成导电材料层时，即可以减少覆盖在所述光阻层600侧壁上的导电材料，进一步阻止覆盖在光阻层上的导电材料和覆盖在引出电极210上的导电材料相互连接。

需要说明的是，所述光阻层600其倾斜侧壁相对于水平方向的倾斜角度可以根据实际状态对应调整。例如，当所述光阻层600悬空遮盖所构成的凹陷330的高度较小，则可使所述光阻层600的倾斜侧壁的倾斜角度较小；反之，当所述光阻层600悬空遮盖所构成的凹陷330的高度较大时，则可使所述光阻层600的倾斜侧壁具有较大的倾斜角度。

继续参考图3d所示，所述光阻层600中对应于所述倾斜侧壁的端部610全部延伸至所述引出区320的上方。即，所述光阻层600悬空遮盖在引出电极210上方的宽度尺寸大于等于所述光阻层600的端部610的宽度尺寸。应当认识到，通过使所述光阻层600悬空遮盖引出电极210的宽度尺寸增加，即相应的增大了所述凹陷330的宽度尺寸，进而将更有利于实现后续形成的导电材料层在所述凹陷330处相互分断。

本实施例中，所述光阻层600悬空遮盖在引出电极210上方的宽度尺寸大于所述端部610的宽度尺寸，以使所述光阻层600还具有部分底表面620暴露于所述凹陷330中。即，本实施例中，所述光阻层600悬空遮盖在引出电极210上方的宽度尺寸包括：所述端部610的宽度尺寸和暴露出的底表面620的宽度尺寸的总和。

此外，本实施例中，所述光阻层600的倒梯形的倾斜侧壁，例如可以采用负性光阻形成。

在步骤S500中，具体参考图3e所示，形成导电材料层700，所述导电材料层700覆盖所述光阻层600，以及所述导电材料层700还覆盖所述引出区320中的引出电极210的顶表面，以和所述引出电极210中暴露出的部分连接。

需要说明的是，由于暴露于引出区320中的引出电极210和光阻层600之间形成有一高度较大的凹陷330(所述凹陷330的高度例如大于等于电极间夹层300的高度)，从而使得所形成的导电材料层700更容易在所述凹陷330位置相互分断。即，本实施例中，所述导电材料层700中覆盖所述引出电极210的第一部分710(即，形成在引出区320中的第一部分710)和所述导电材料层700中覆盖所述光阻层600的第二部分720，至少在所述电极间夹层300的侧壁相互分断。

具体而言，基于所述光阻层600具有悬空遮盖引出电极210的部分，从而使得被所述光阻层600悬空遮盖的下方空间难以形成大量的导电材料(例如，暴露于所述引出区320中的电极间夹层300的侧壁上不会形成有导电材料)，因此有利于实现导电材料层700的相互分断。本实施例中，在所述光阻层600的遮盖下，所述第一部分710具有被所述光阻层600悬空遮盖在正下方的端部，以及所述第一部分710中位于所述光阻层600正下方的端部，以朝向所述电极间夹层300的方向厚度逐渐减小，此时，相应的使所述第一部分710难以连接至所述第二部分720。

继续参考图3e所示，基于所述光阻层600的倒梯形的倾斜侧壁，有利于减少形成在光阻层600的倾斜侧壁上的导电材料(例如图3e所示，可使所述导电材料层700中覆盖所述光阻层侧壁的厚度小于所述导电材料层700中覆盖所述光阻层的顶表面的厚度)，此时，即相应的使所述第二部分720也难以连接至所述第一部分710。

此外，需要说明的是，在形成所述导电材料层700时，即使仍有微量的导电材料形成在所述凹陷330中，然而应当认识到，仅微量的导电材料并不会对第一部分710和第二部分720之间产生较大的牵扯力，如此，仍能够有效降低后续的剥离工艺的剥离难度。

具体的实施例中，在形成所述导电材料层700之前，还包括形成扩散阻挡层(图中未示出)，所述扩散阻挡层覆盖所述光阻层600和所述引出区320中的引出电极210。所述扩散阻挡层可以作为黏附层，提高后续形成的导电材料层在所述衬底上的附着力，并且还可以用于阻挡导电材料层和邻近膜层之间的离子扩散。其中，所述扩散阻挡层例如可以采用溅射工艺形成，以及所述扩散阻挡层的材料例如包括钛钨(TiW)、钛钨氮(TiWN)和氮化钛(TIN)中的至少一种。

以及，所述导电材料层700进一步形成在所述扩散阻挡层上。其中，所述导电材料层700的形成方法例如包括蒸镀工艺，以及所述导电材料层700的材料例如包括铝(Al)、金(Au)、铜(Cu)和钼(Mo)中的至少一种。

在步骤S600中，具体参考图3f所示，剥离所述光阻层，以去除所述导电材料层中覆盖所述光阻层的第二部分720，并保留所述导电材料层中形成在所述引出区中的第一部分，以构成接触垫800。

其中，所述接触垫800的底部与所述引出电极210电性连接，并通过所述接触窗与所述第一电极400电性连接，以及所述接触垫800的顶部还可以进一步与外部电路连接，进而可以实现对第一电极的400的电性传输。

本实施例中，所述第一电极400利用形成在衬底100上的引出电极210引出，并将接触垫800形成在引出电极210上，如此，即有利于提高所述接触垫800的稳定性，相应的保障了对第一电极400的电性传输的稳定性。

如上所述，基于本实施例中导电材料层其第一部分710和第二部分720之间仅具有微量的导电材料，甚至第一部分710和第二部分720之间为相互分断，从而在去除第二部分720时，并不会对第一部分710产生较大的牵扯力，有效的降低了剥离工艺的剥离难度，并避免了所形成的接触垫800其边缘受到损伤。

基于如上所述的形成方法，本实施例中还提供了一种半导体器件，具体可参考图3f所示，所述半导体器件包括：衬底100，以及形成在所述衬底100上的引出电极210、电极间夹层300、第一电极400和接触垫800。

其中，所述衬底100的具体结构可以根据所构成的半导体器件，对应调整。例如，所述半导体器件可以包括体声波滤波器(bulk acoustic wave，BAW)，基于此，衬底可以包括多层布拉格反射层，以进一步构成固态装配型谐振器(SMR)；或者，所述衬底还可以包括空腔，以进一步构成薄膜体声谐振滤波器(film bulk acoustic resonator，FBAR)。

进一步的，所述电极间夹层300至少部分覆盖所述引出电极210，所述第一电极400形成在所述电极间夹层300上。以及，所述电极间夹层300中还形成有接触窗，所述接触窗贯穿所述电极间夹层300以延伸至所述引出电极210，以及所述第一电极400则还形成在所述接触窗中，以和所述引出电极210电性连接。即，所述第一电极400通过所述接触窗直接和所述引出电极210电性连接。

继续参考图3f所示，所述电极间夹层300还暴露出部分引出电极210，以及从所述电极间夹层300暴露出引出电极的区域构成引出区320。以及，所述接触垫800即形成在所述引出区320中，以和所述引出电极210电性连接。可选的，所述接触垫800的高度值还低于所述电极间夹层300的高度值。

本实施例中，所述接触垫800中靠近电极间夹层侧壁的端部，以朝向所述电极间夹层的方向厚度逐渐减小。例如，所述接触垫800中靠近电极间夹层的端部其外侧壁呈现为正梯形的倾斜侧壁。

进一步的，所述半导体器件还包括第二电极220，所述第二电极220形成在所述衬底100上并与所述引出电极210间隔设置，以及所述电极间夹层300还覆盖所述第二电极220，以利用所述电极间夹层300分隔所述第一电极400和所述第二电极220，并且所述第一电极400和所述第二电极220投影在同一水平面上的投影图像至少部分重叠。

其中，所述第一电极400、所述电极间夹层300和所述第二电极220例如用于构成压电传感器或体声波谐振器。以及，所述电极间夹层300的材料可以根据所构成的器件类型对应调整。所述电极间夹层300为压电材料层，压电材料层的材料可以包括氧化锌(ZnO)、氮化铝(AlN)和锆钛酸铅(PZT)中的至少一种。

继续参考图3f所示，所述半导体器件还包括钝化层500，所述钝化层500覆盖所述第一电极400的顶表面。其中，所述钝化层500可以完全遮盖所述第一电极400的顶表面，以加强对所述第一电极400的保护。本实施例中，所述第一电极400的保形的覆盖接触窗的底壁和侧壁，基于此，所述钝化层500则相应的还形成在所述接触窗中，以覆盖所述第一电极400中形成在接触窗中的部分。

进一步的，所述钝化层500、所述第一电极400和所述电极间夹层300在朝向所述引出区的侧壁均齐平，以用于共同暴露出所述引出区320。即，本实施例中，所述引出区320的高度值包括电极间夹层300、第一电极400和钝化层500的高度值总和。

此外，在可选的方案中，所述钝化层500的侧壁、所述第一电极400的侧壁和所述电极间夹层300的侧壁均未覆盖有导电材料，以使所述钝化层500的侧壁、所述第一电极400的侧壁和所述电极间夹层300的侧壁均暴露于所述引出区320中。

综上所述，本实施例提供的半导体器件的形成方法中，通过在电极间夹层中开设接触窗，从而在形成第一电极的同时即能够实现第一电极和引出电极之间的电性连接。与传统工艺中需通过额外的互连线实现第一电极和引出电极之间的连接相比，本实施例中并不需要再额外的设置互连线，即可以直接实现第一电极和引出电极之间的电性连接，因此在实现第一电极和引出电极的连接时其工艺更为简单，有利于简化工艺；并且，还避免了例如传统工艺中为了使第一电极能够与引出电极相互连接而需要将第一电极的顶表面被大量暴露出。即，本实施例中，在后续执行剥离工艺时，可以不需要将第一电极的顶表面暴露出，防止第一电极的顶表面受到剥离工艺的影响，进而有利于保障第一电极的品质。

应当认识到，正是由于第一电极能够通过接触窗直接连接至引出电极，基于此，本实施例提供的形成方法中，在开设引出区时，例如可以仅暴露出引出电极的顶表面，并且还可以使光阻层横向延伸至引出区，以悬空遮盖引出电极。如此一来，在形成导电材料层时，即会使得导电材料层难以形成在被光阻层悬空遮盖的下方(例如，使得电极间夹层的侧壁上未形成有导电材料或者仅具有少量的导电材料会附着在所述电极间夹层的侧壁上)，从而使得所形成的导电材料层更容易在被光阻层悬空遮盖的下方发生分断(即，导电材料层至少在电极间夹层的侧壁可以相互分断，或者附着在电极间夹层的侧壁上的少量导电材料并不会在剥离工艺中产生较大的牵扯力)。而由于导电材料层中位于引出电极上的第一部分和位于光阻层上的第二部分相互分断，进而在执行剥离过程时，即能够降低剥离难度，并避免最终所形成的接触垫受到损伤，保障所构成的器件的稳定性。

需要说明的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围。

还应当理解的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。

此外还应该认识到，此处描述的术语仅仅用来描述特定实施例，而不是用来限制本发明的范围。必须注意的是，此处的以及所附权利要求中使用的单数形式“一个”和“一种”包括复数基准，除非上下文明确表示相反意思。例如，对“一个步骤”或“一个装置”的引述意味着对一个或多个步骤或装置的引述，并且可能包括次级步骤以及次级装置。应该以最广义的含义来理解使用的所有连词。以及，词语“或”应该被理解为具有逻辑“或”的定义，而不是逻辑“异或”的定义，除非上下文明确表示相反意思。此外，本发明实施例中的方法和/或设备的实现可包括手动、自动或组合地执行所选任务。

Claims

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底上形成有第二电极和引出电极，以及在所述第二电极和所述引出电极上形成有电极间夹层，所述电极间夹层中还形成有接触窗，所述接触窗中暴露有所述引出电极；

形成光阻层，所述光阻层覆盖在所述第一电极和所述电极间夹层的上方，并且所述光阻层的边缘还相对于所述电极间夹层的边缘横向延伸至所述引出区，以悬空遮盖部分所述引出区；

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在形成所述第一电极之后，还包括在所述第一电极上形成钝化层；

3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述光阻层具有倾斜侧壁，以及所述光阻层中对应于所述倾斜侧壁的端部全部延伸至所述引出区。

4.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述光阻层为负性光阻，以及所述光阻层的所述倾斜侧壁由下至上依次更加延伸出。

5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述导电材料层中位于所述引出区中的部分构成第一部分，所述导电材料层中覆盖所述光阻层的部分构成第二部分，以及所述第一部分和所述第二部分至少在所述电极间夹层的侧壁相互分断。

6.如权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一部分具有位于所述光阻层正下方的端部，所述第一部分的所述端部以朝向所述电极间夹层的方向厚度逐渐减小。

7.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述半导体器件包括体声波谐振器，以及所述电极间夹层的材料包括压电材料。

8.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

第二电极，形成在所述衬底上；

9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括钝化层，所述钝化层覆盖所述第一电极的顶表面，并且所述钝化层、所述第一电极和所述电极间夹层在朝向所述引出区的侧壁均齐平。

10.如权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述半导体器件包括体声波谐振器。