CN111739902A - 一种用于微型发光单元的转移装置及转移方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 42
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 16
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 7
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 claims description 5
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 125000003010 ionic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种用于微型发光单元的转移装置及转移方法，属于光电子技术领域。在实现时，先将微型发光单元按要求布置在置样板的UV膜上，由于UV膜有一定的粘性，可以对微型发光单元起到固定作用。通过固晶臂的真空气路将置样板吸附在玻璃压板上，并将置样板转移到固晶区进行固晶。待固晶操作完成，通过UV面光源的照射，使得UV膜失去粘性，完成对微型发光单元释放。该转移装置可以与常规固晶机的固晶臂配合使用，即可完成微型发光单元的转移，改装成本低，操作简便，转移效率高。同时，由于先进行微型发光单元的固晶再进行微型发光单元的释放，使得微型发光单元是在固定的状态下进行固晶，从而增加了微型发光单元固定的准确性和可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及光电子技术领域，特别涉及一种用于微型发光单元的转移装置及转移方法。
背景技术
显示屏最直观的体验就是画质和显示效果，近年来，各种户外与室内显示应用场所皆对显示屏的分辨率、对比度和色彩管理等规格提出更高的要求，而传统LCD屏无法满足需求，同时也陷入了激烈的价格战中。因此，行业厂商转而开发Mini/Micro LED等新型显示技术。
Mini LED是50-200μm尺寸LED晶体的应用，这种更小的晶体颗粒，几乎是传统尺寸LED晶体颗粒原料耗费的十分之一。更小颗粒的Mini LED虽说节约了上游成本，缩小了下游终端像素间距指标，可实现0.2～0.9mm像素颗粒的极小间距显示屏，但这也意味着为中游封装技术带来了更高的技术挑战，而新一代Mini LED产品要成功落地必须克服这个挑战。
Mini LED微型发光单元的巨量转移方式有多种，目前主要采用的是抓放技术类。抓放技术主要是通过静电力、范德华力、电磁力等吸附微型发光单元进行转移，但由于需要产生这些吸附力，因此通常都要采用新的专用设备才能实现，使得转移成本高，工艺复杂，不利于量产化进程。
发明内容
为了解决转移成本高，工艺复杂的问题，本发明实施例提供了一种用于微型发光单元的转移装置及转移方法。所述技术方案如下：
一方面，本发明实施例提供了一种用于微型发光单元的转移装置，所述转移装置与固晶机的固晶臂配合，所述固晶臂具有一开口和与所述开口连通的容置腔，所述转移装置包括：
UV面光源，所述UV面光源置于所述固晶臂的所述容置腔内，所述UV面光源的发光方向朝向所述开口，所述UV面光源与所述固晶臂控制系统电连接；
玻璃压板，所述玻璃压板固定在所述开口上，所述玻璃压板的上环形布置有多个真空孔，所述真空孔与所述固晶臂的真空气路相连；以及
置样板，所述置样板分为环形连接板和UV膜，所述环形连接板用于真空吸附在所述玻璃压板上，所述UV膜位于所述环形连接板的中空区域内，所述UV膜用于固定和释放所述微型发光单元。
另一方面，本发明实施例还提供了一种用于微型发光单元的转移方法，所述方法包括：
吸取置样板；
将所述置样板移动至固晶区；
对所述置样板上的微型发光单元进行固晶操作；
开启UV面光源，对所述置样板的UV膜进行照射；
所述玻璃压板上移，完成所述微型发光单元与所述置样板的分离。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
所述转移装置包括UV面光源，玻璃压板和置样板。所述UV面光源置于所述固晶臂的所述容置腔内，所述UV面光源的发光方向朝向所述开口，所述UV面光源与所述固晶臂控制系统电连接。所述玻璃压板固定在所述开口上，所述玻璃压板上环形布置有多个真空孔，所述真空孔与所述固晶臂的真空气路相连。所述置样板分为环形连接板和UV膜，所述环形连接板用于真空吸附在所述玻璃压板上，所述UV膜位于所述环形连接板的中空区域内，所述UV膜用于固定和释放所述微型发光单元。
在实现时，先将微型发光单元按要求布置在置样板的UV膜上，由于UV膜有一定的粘性，可以对微型发光单元起到固定作用。通过固晶臂的真空气路将置样板吸附在玻璃压板上，并将置样板转移到固晶区进行固晶。待固晶操作完成，通过UV面光源的照射，使得UV膜失去粘性，完成对微型发光单元释放。该转移装置与常规固晶机的固晶臂配合使用，即可完成微型发光单元的转移，改装成本低，操作简便，转移效率高。同时，由于先进行微型发光单元的固晶再进行微型发光单元的释放，使得微型发光单元是在固定的状态下进行固晶，从而增加了微型发光单元固定的准确性和可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种用于微型发光单元的转移装置的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的置样板的结构示意图；
图3是本发明附图1中A截面的结构示意图；
图4是本发明附图1中B截面的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的一种用于微型发光单元的转移方法的流程图；
图6是本发明实施例提供的一种用于微型发光单元的转移方法的流程图；
图7是本发明实施例提供的一种置样板的制作方法的流程图；
图8是本发明实施例提供的一种基板的制作方法的流程图；
图9为本发明实施例提供的焊盘的俯视图；
图10为本发明实施例提供的焊盘和微型发光单元的俯视图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
图1是本发明实施例提供的一种用于微型发光单元20的转移装置的结构示意图，如图1所示，转移装置与固晶机的固晶臂10配合，固晶臂10具有一开口11和与开口11连通的容置腔12，转移装置包括UV面光源100，玻璃压板200和置样板300。UV面光源100置于固晶臂10的容置腔12内，UV面光源100的发光方向朝向开口11，UV面光源100与固晶臂10控制系统电连接。玻璃压板200固定在开口11上，玻璃压板200上环形布置有多个真空孔202，真空孔202与固晶臂10的真空气路14相连。
图2是本发明实施例提供的置样板300的结构示意图。如图1和图2所示，置样板300分为环形连接板301和UV膜302，环形连接板301用于真空吸附在玻璃压板200上，环形连接板301的中空区域与凸起201匹配，UV膜302位于环形连接板301的中空区域内，UV膜302用于固定和释放微型发光单元20。
在一些实施例中，该UV膜302可以为聚酯薄膜(PET)。聚酯薄膜(PET)是以聚对苯二甲酸乙二醇酯为原料，特殊配方的树脂中加入光引发剂(或光敏剂)，经过吸收紫外线(UV)光设备中的高强度紫外光后，产生活性自由基或离子基，从而引发聚合、交联和接枝反应，使树脂粘合剂在数秒内由液态转化为固态，失去粘性。
在实现时，先将微型发光单元20布置在置样板300的UV膜302上，由于UV膜302有一定的粘性，可以对微型发光单元20起到固定作用。开启固晶臂10的真空气路14，通过玻璃压板200上的真空孔202和环形连接板301将置样板300吸附在玻璃压板200上，并将置样板300转移到固晶区进行固晶。待固晶操作完成，通过UV面光源100的照射，使得UV膜302失去粘性，完成对微型发光单元20释放。该装置可以与常规固晶机的固晶臂10配合使用，即可完成微型发光单元20的转移，改装成本低，操作简便，转移效率高。同时，由于先进行微型发光单元20的固晶再进行微型发光单元20的释放，使得微型发光单元20是在固定的状态下进行固晶，从而增加了微型发光单元20固定的准确性和可靠性。
图3是本发明附图1中A截面的结构示意图，如图1和图2所示，UV面光源100平行于固晶臂10横截面布置，UV面光源100由多个UV发光单元101组成，多个UV发光单元101呈等间距交错排布，以便为UV膜302提供均匀的UV光线，从而使得UV膜302的聚合交联反应均匀进行，进而保证微型发光单元20释放的一致性。
图4是本发明附图1中B截面的结构示意图，如图1和图3所示，玻璃压板200具有凸起201，凸起201的凸起201方向与远离固晶臂10的方向一致。环形连接板301的中空区域与凸起201匹配，使得在吸取置样板300时，玻璃压板200的凸起201可以卡入置样板300的中空区域，增加置样板300移动过程中的稳定性。
优选地，凸起201尺寸为5x5cm，凸起201高度为0.3mm。
可选地，玻璃压板200上具有定位针203，环形连接板301上具有对应的定位孔303，定位针203和定位孔303用于吸取置样板300过程的导向。
可选地，为保证玻璃压板200有很好的UV光穿透性，玻璃压板200可以为石英玻璃压板200。
优选地，玻璃压板200的厚度为1cm，外部尺寸为8x8cm。真空孔202半径为0.1cm，间距为0.5-0.8cm，以同时保证玻璃压板200的强度和真空吸附的效果。
图5是本发明实施例提供的一种用于微型发光单元的转移方法的流程图，如图5所示，该转移方法包括：
S100：吸取置样板。
具体地，如图6所示，吸取置样板可以包括：
S101：玻璃压板移动到取样区；
由于玻璃压板固定在固晶机的固晶臂上，可以通过固晶臂的动力系统操作转移装置的玻璃压板移动到取样区。
S102：下移玻璃压板，当玻璃压板接触到置样板时，打开真空开关，通过玻璃压板上的真空孔吸取置样板。
可选地，玻璃压板的凸起卡入置样板的中空区域，直接接触UV膜，这样玻璃压板可以向微型发光单元直接施加压力，有利于固晶过程的进行。
取样时，可以通过固晶机上的计算机设置和固晶臂上的CCD影像系统精确识别置样板定位孔，以提高吸取的精度。
S200：将置样板移动至固晶区。
通过固晶臂的动力系统操作固晶臂带动置样板移动至固晶区，通过多个CCD影像系统定位到基板焊盘上方，下移固晶臂，将UV膜上排列好的微型发光单元对应下压到基板焊盘凹槽。
S300：对置样板上的微型发光单元进行固晶操作。
具体地，可以先对基板进行升温操作，使基板正面焊盘内的助焊剂及金锡层熔化，与微型发光单元的电极相连。
优选地，对基板进行260℃，约30秒的升温，以保证取得较好的焊接效果。
再对基板进行降温操作，使焊料固化，完成微型发光单元的固晶操作。
S400：开启UV面光源，对置样板的UV膜进行照射；
UV面光源开启，透光石英玻璃压板照射UV膜，使UV膜粘性降低，微型发光单元与UV膜粘性大大降低。
优选地，UV面光源的UV波段为365～385nm，对UV膜的照射时间为5～40s，以保证UV膜固化完全，能够与微型发光单元完全分离。
S500：玻璃压板上移，完成微型发光单元与置样板的分离。
在完成微型发光单元与置样板的分离后，固晶臂可以将置样板移动到收料区，通过取消真空，短暂吹气，将带UV膜的置样板放下。再通过CCD影像引导抓取另外一块排布好微型发光单元的置样板，完成下一次转移。
该转移方法在吸取置样板之前还包括置样板的制作，图7是本发明实施例提供的一种置样板的制作方法的流程图，下面对图7提供的制作方法进行详细说明：
S11：制作环形连接板。
该环形连接板可以是环形石英玻璃板，石英玻璃板为厚度0.3mm，外部尺寸为8x8cm，中孔区域为5x5cm的矩形区域。
S12：将UV膜无粘性的一面固定在连接板上。
在环形连接板一环形面均匀涂覆粘附剂，将8x8cmUV膜无粘性地一面贴到环形连接板涂覆粘附剂的一面。
S13：将微型发光单元排布在UV膜有粘性的一面上。
具体地，使用排片机将微型发光单元按照配合基板焊盘的间距排布到UV膜粘性面上，微型发光单元电极面朝上。将制作好的置样板翻转，即电极面朝下，整齐排列于固晶设备取样区。
该转移方法在对置样板上的微型发光单元进行固晶操作之前还包括基板的制作，图8是本发明实施例提供的一种基板的制作方法的流程图，下面对图8提供的制备方法进行详细说明：
S21：对基板进行清洗和干燥；
选择厚度为100～200um的基板，对基板进行超声清洗和干燥。
S22：在基板上制作连接孔、正面焊盘及背面焊盘；
采用激光打孔，根据预先设计的焊盘位置对载板开设阵列通孔，开孔尺寸约直径40μm的圆形，开孔角度90°。开孔后，对开孔处的粗糙处进行研磨抛平，载板清洗、干燥。采用光刻、溅镀种子层、蒸镀或电镀增厚层等技术进行填孔、正面焊盘及背面焊盘的制作。
其中，正面焊盘的种子层为10um的铜层，正面焊盘的增厚层为15-20um的铜层。背面焊盘的种子层为20um的铜层，背面焊盘的增厚层为50-70um的铜层，以保证较好的散热性能和电学性能。
图9为本发明实施例提供的焊盘的俯视图，如图9所示，一组RGB微型发光单元对应6个焊盘21，单个焊盘21的尺寸约100x160um。
S23：在正面焊盘上开设凹槽，凹槽的中部深度为3～5μm，凹槽的两侧呈曲面或斜面。
图10为本发明实施例提供的焊盘和微型发光单元20的俯视图，如图9和图10所示，在正面焊盘21上通过激光或干法刻蚀打出尺寸为80x150μm的凹槽22，凹槽22中部深度约为3-5μm，凹槽22的两侧呈曲面或斜面，使得凹槽22为U型。设置凹槽22一方面可以保证在后续固晶加热时锡膏或助焊剂不会较大幅度流动而带动微型发光单元20，同时凹槽22宽度稍大于微型发光单元20宽度，可刚好卡住微型发光单元20，双重避免微型发光单元20倾斜、偏移，固晶不良；另一方面，凹槽22的凹面可以增大焊盘的反射面积，将微型发光单元20底部射向焊盘的光线尽可能多的反射出去。
可选地，打出凹槽22后，可以对焊盘表面进行研磨，减少毛刺和凹凸位置，然后进行清洗、干燥。
可选地，在焊盘处采用电子束蒸发镀膜或化学电镀方式在铜层上镀镍层2μm，金层0.05μm，可防止铜层氧化，保证焊盘表面平整，便于后续固晶操作。
正面焊盘21涂覆光刻胶，对正面焊盘21的光刻胶进行显影，去除凹槽22上覆盖的光刻胶，然后采用电子束蒸发镀膜或化学电镀方式在凹槽22内表面铜层上镀金锡层约2μm。
S24：在正面焊盘21上印刷助焊剂。
通过印刷，将基板正面焊盘21上金锡的的位置刷上助焊剂，助焊剂的面积约为焊盘金锡面积的70％-80％。
以上仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种用于微型发光单元的转移装置，其特征在于，所述转移装置与固晶机的固晶臂配合，所述固晶臂具有一开口和与所述开口连通的容置腔，所述转移装置包括：
UV面光源，所述UV面光源置于所述固晶臂的所述容置腔内，所述UV面光源的发光方向朝向所述开口，所述UV面光源与所述固晶臂控制系统电连接；
玻璃压板，所述玻璃压板固定在所述开口上，所述玻璃压板的上环形布置有多个真空孔，所述真空孔与所述固晶臂的真空气路相连；以及
置样板，所述置样板分为环形连接板和UV膜，所述环形连接板用于真空吸附在所述玻璃压板上，所述UV膜位于所述环形连接板的中空区域内，所述UV膜用于固定和释放所述微型发光单元。
2.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述UV面光源平行于所述固晶臂横截面布置，所述UV面光源由多个UV发光单元组成，所述多个UV发光单元呈等间距交错排布。
3.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述玻璃压板具有凸起，所述凸起的凸起方向与远离所述固晶臂的方向一致，所述环形连接板的中空区域与所述凸起匹配。
4.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述玻璃压板上具有定位针，所述环形连接板上具有对应的定位孔。
5.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，UV膜为聚酯薄膜。
6.一种用于微型发光单元的转移方法，适用于权利要求1～5任一项所述的转移装置，其特征在于，所述转移方法包括：
吸取置样板；
将所述置样板移动至固晶区；
对所述置样板上的微型发光单元进行固晶操作；
开启UV面光源，对所述置样板的UV膜进行照射；
玻璃压板上移，完成所述微型发光单元与所述置样板的分离。
7.根据权利要求6所述的转移方法，其特征在于，所述UV面光源的UV波段为365～385nm，对所述UV膜的照射时间为5～40s。
8.根据权利要求6所述的转移方法，其特征在于，所述吸取置样板包括：
玻璃压板移动到取样区；
下移所述玻璃压板，当所述玻璃压板接触到所述置样板时，打开真空开关，通过所述玻璃压板上的真空孔吸取置样板。
9.根据权利要求6-8任一项所述的转移方法，其特征在于，在吸取置样板之前还包括置样板的制作，所述置样板的制作方法包括：
制作环形连接板；
将UV膜无粘性的一面固定在连接板上；
将所述微型发光单元排布在UV膜有粘性的一面上。
10.根据权利要求6-8任一项所述的转移方法，其特征在于，在对所述置样板上的微型发光单元进行固晶操作之前还包括基板的制作，所述基板的制作方法包括：
对基板进行清洗和干燥；
在基板上制作连接孔、正面焊盘及背面焊盘；
在所述正面焊盘上开设凹槽，所述凹槽的中部深度为3～5μm，所述凹槽的两侧呈曲面或斜面；
在所述正面焊盘上印刷助焊剂。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113451480A (zh) * | 2021-06-18 | 2021-09-28 | 深圳市炫鼎光电科技有限公司 | Csp led固晶贴片工艺 |
| CN115440859A (zh) * | 2022-08-31 | 2022-12-06 | 晶呈科技股份有限公司 | 晶粒封装体的接合与转移方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20180204973A1 (en) * | 2016-03-23 | 2018-07-19 | Korea Photonics Technology Institute | Light-emitting diode structure, transfer assembly, and transfer method using the same |
| CN109950183A (zh) * | 2019-04-11 | 2019-06-28 | 深圳市丰泰工业科技有限公司 | 一次转移多个晶片的固晶工艺 |
| CN110400860A (zh) * | 2019-07-23 | 2019-11-01 | 华引芯（武汉）科技有限公司 | 一种uv led全无机密封结构及其制备方法 |
| WO2019218775A1 (zh) * | 2018-05-12 | 2019-11-21 | 汕头超声显示器技术有限公司 | 一种led阵列装置的制造方法 |
-
2020
- 2020-06-30 CN CN202010619205.3A patent/CN111739902B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20180204973A1 (en) * | 2016-03-23 | 2018-07-19 | Korea Photonics Technology Institute | Light-emitting diode structure, transfer assembly, and transfer method using the same |
| WO2019218775A1 (zh) * | 2018-05-12 | 2019-11-21 | 汕头超声显示器技术有限公司 | 一种led阵列装置的制造方法 |
| CN109950183A (zh) * | 2019-04-11 | 2019-06-28 | 深圳市丰泰工业科技有限公司 | 一次转移多个晶片的固晶工艺 |
| CN110400860A (zh) * | 2019-07-23 | 2019-11-01 | 华引芯（武汉）科技有限公司 | 一种uv led全无机密封结构及其制备方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113451480A (zh) * | 2021-06-18 | 2021-09-28 | 深圳市炫鼎光电科技有限公司 | Csp led固晶贴片工艺 |
| CN115440859A (zh) * | 2022-08-31 | 2022-12-06 | 晶呈科技股份有限公司 | 晶粒封装体的接合与转移方法 |
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