CN111710638A - 硅片校正机构 - Google Patents
硅片校正机构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111710638A CN111710638A CN202010503560.4A CN202010503560A CN111710638A CN 111710638 A CN111710638 A CN 111710638A CN 202010503560 A CN202010503560 A CN 202010503560A CN 111710638 A CN111710638 A CN 111710638A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- moving
- silicon wafer
- pushing
- piece
- pieces
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 105
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 105
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 105
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 title claims abstract description 36
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 58
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 33
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 97
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H01L31/18—
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本发明涉及一种硅片校正机构,包括:底座;两个推片件,均可滑动地设在所述底座上,两个所述推片件相对设置;运动件,可滑动地设在所述底座上,所述运动件上开设有两个运动滑轨,两个所述推片件分别滑动与两个所述运动滑轨滑动连接,所述运动件在第一方向上运动时,带动两个所述推片件朝相互靠近或相互远离;两个所述推片件用于在相互靠近时对硅片夹持校正;驱动装置,连接所述运动件,用于带动所述运动件在所述第一方向上运动。现有技术中需要两个气缸连接两个推片件,本实施方式中通过运动件的设置,使得单个气缸可以带动两个推片件相互靠近或相互远离,节省了硅片校正机构的成本。
Description
技术领域
本发明涉及硅片校正技术领域,特别是涉及硅片校正机构。
背景技术
随着经济的发展,社会的进步,光伏产业在国内如火如荼。其中生产硅片的设备需求量也在增加,同时对设备的日产能提出更高的要求。国内的设备厂家越来越朝向节省成本、使用方便、提高产能等特点的方向发展。在硅片的制绒、刻蚀、PECVD和印刷等工艺环节中,对于硅片的校正是每道工序的基本需求。通常的硅片校正机构是由2个气缸组成,在硅片的两侧进行推片,达到校正的目的。现有技术中的硅片校正机构存在以下缺点:气缸伸出然后缩回才可以完成一个校正过程,效率过低。
发明内容
基于此,有必要针对上述问题,提供一种硅片校正机构,可以大幅度提升校正效率。
一种硅片校正机构,包括:
底座;
两个推片件,均可滑动地设在所述底座上,两个所述推片件相对设置;
运动件,可滑动地设在所述底座上,所述运动件上开设有两个运动滑轨,两个所述推片件分别滑动与两个所述运动滑轨滑动连接,所述运动件在第一方向上运动时,带动两个所述推片件在第二方向上相互靠近或相互远离;两个所述推片件用于在相互靠近时对硅片夹持校正;
驱动装置,连接所述运动件,用于带动所述运动件在所述第一方向上运动。
上述硅片校正机构,现有技术中需要两个气缸连接两个推片件,本实施方式中通过运动件的设置,使得单个气缸可以带动两个推片件相互靠近或相互远离,节省了硅片校正机构的成本。
在其中一个实施例中,所述推片件包括:
移动部,滑动设在所述底座上,并与所述运动件的一所述运动滑轨滑动连接;
推片部,设在所述移动部上背离所述运动件的一侧,并高于所述移动部,所述推片部用于校正硅片。推片部高于移动部,校正硅片时,移动部和推片部同时向硅片靠近,硅片位置高于移动部,只有推片部推动校正硅片,保证校正的稳定性、降低校正力度,避免硅片被破坏。
在其中一个实施例中,所述推片部包括横杆部、设在所述横杆部上的若干校正轮、连接在所述横杆部与所述移动部之间的连接部,两个所述推片部的横杆部平行设置,各所述校正轮沿所述横杆部的长度方向排列。由于硅片在校正的过程中持续传输,通过校正轮校正硅片不仅可以控制校正力度,同时也大大减小了对硅片传输的阻力,方便硅片的传输。
在其中一个实施例中,所述移动部上设有滑动柱,通过所述滑动柱与所述运动滑轨滑动连接。滑动柱在经过转折或斜面使可以很好的通过,避免卡住。
在其中一个实施例中,所述移动部上具有多个连接位,所述连接部连接在任意一个所述连接位上。连接部可以将横杆部连接在移动部上的任意一个连接位上,推片部的位置根据具体的硅片的尺寸和校正规则进行调整,适用性更强。
在其中一个实施例中,所述运动滑轨内形成所述推片件的运动轨迹,所述运动轨迹在沿在所述第一方向和所述第二方向上延伸,所述推片件具有:初始位置和校正位置,所述推片件沿所述运动轨迹运动时在所述初始位置和所述校正位置中切换。
在其中一个实施例中,所述运动轨迹为一斜线,所述推片件从所述运动滑轨的一端运动至另一端时,从所述初始位置切换到校正位置,或从所述校正位置切换到所述初始位置。推片件可以在斜线的运动滑轨中移动,在运动件在第一方向上运动时,推片件可以在运动滑轨中在第二方向上移动,气缸推进时,推片件从初始位置切换到校正位置,气缸回缩时,推片件从校正位置切换到初始位置。气缸单次往返可完成一次校正,单个气缸的设置可以减小硅片校正机构的成本。
在其中一个实施例中,所述运动轨迹为一弧线,所述推片件从所述运动滑轨的一端运动至另一端时,从所述初始位置切换到校正位置,或从所述校正位置切换到所述初始位置。推片件可以在弧线的运动滑轨中移动,运动件在第一方向上运动时,推片件可以在运动滑轨中在第二方向上移动,气缸推进时,推片件从初始位置切换到校正位置,气缸回缩时,推片件从校正位置切换到初始位置。气缸单次往返可完成一次校正,单个气缸的设置可以减小硅片校正机构的成本。同时弧形运动滑轨可以控制推片件的速度,保护硅片。
在其中一个实施例中,所述运动轨迹为一半圆弧,所述推片件从所述运动滑轨的一端运动至另一端时,从所述初始位置切换到校正位置后切换回所述初始位置,或从所述校正位置切换到所述初始位置后切换回所述校正位置。气缸完成一次伸缩,推片件可以在运动滑轨中往返一次,进行两次硅片校正。相较于现有技术中将气缸之间连接在推片件上,气缸往返一次才可以校正一次硅片的方案,本实施方式中的方案将硅片校正的效率提升了一倍。
在其中一个实施例中,所述底座呈T型设置,包括:沿第一方向设置的第一板、沿所述第二方向设置的两个第二板,将所述第一板和两个所述第二板连接的连接板,所述驱动装置设在所述第一板上,两个所述推片件分别设在两个所述第二板上,所述运动件可滑动地设在所述连接板上。
附图说明
图1为一实施例中硅片校正机构的结构示意图;
图2为一实施例中硅片校正机构的部分爆炸图;
图3为一实施例中硅片校正机构在气缸准备推进时的结构示意图;
图4为一实施例中硅片校正机构在气缸推进一半距离时的结构示意图;
图5为一实施例中硅片校正机构在气缸完全推进时的结构示意图;
图6为一实施例中硅片校正机构在气缸回缩一半距离时的结构示意图;
图7为一实施例中硅片校正机构在气缸完全回缩时的结构示意图;
图8为一实施例中运动件的结构示意图;
图9为一实施例中运动件的结构示意图。
其中:1、底座;2、推片件;21、移动部;211、连接位;22、推片部;221、横杆部;222、校正轮;223、连接板;3、运动件;31、运动滑轨;4、气缸;5、硅片;61、滑轨;62、滑块;7、滑动柱。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进,因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系,除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
需要说明的是,当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的,并不表示是唯一的实施方式。
如图1至图4所示,本实施方式中的硅片校正机构包括:底座1、两个推片件2、运动件3和驱动装置,其中两个推片件2、运动件3、驱动装置均设在底座1上。硅片校正机构用于对传送带上的硅片5进行位置校正,两个推片件2从硅片5的两侧推动硅片5,将硅片5的位置和角度进行调整。
其中本实施方式中的驱动装置和运动件3的数量为1,驱动装置连接运动件3,运动件3可滑动地设在底座1上,驱动装置可以驱动运动件3在底座1上滑动,运动件3上开设有两个运动滑轨31,两个推片件2分别滑动连接在两个运动滑轨31上,当驱动装置驱动运动件3在第一方向B上移动时,两个推片件2在运动滑轨31中滑动,相互靠近,将硅片5夹持校正。推片件2可滑动地设在底座1上,滑动方向为第二方向C,两个推片件2在第二方向C可以相互远离或相互靠近。运动滑轨31在第一方向B和第二方向C上均有延伸,使得当运动滑轨31与推片件2在第一方向B上相对运动时,推片件2会相对于运动滑轨31在第二方向C上运动,对硅片5进行校正或释放硅片5。
其中本实施方式中,驱动装置为气缸4,气缸4的推杆沿第一方向B设置,结合图3与图5,气缸4可以驱动运动件3在第一方向B上往复运动,在一些实施例中,驱动装置也可以为其他机构,如齿条结构或蜗杆结构等,可以实现在单方向上的运动即可,本实施方式仅以气缸4为例,不做具体限定。
底板呈T型设置,包括:沿第一方向B设置的第一板、沿两个方向设置的第二板、连接第一板和第二板的连接板,气缸4设在第一板上,两个推片件2设在第二板上,运动件3设在连接板上,T型的底板为占用面积最小、最节约空间的底板设置方式。
其中,推片件2包括:移动部21和推片部22,移动部21滑动设在底座1上,并与运动件3的运动滑轨31滑动连接,移动部21通过滑块62与底座1上的滑轨61连接,滑轨61方向沿第二方向C设置。推片部22设在移动部21上方,背离运动件3,推片部22高于移动部21,校正硅片5时,移动部21和推片部22同时向硅片5靠近,硅片5位置高于移动部21,只有推片部22推动校正硅片5,保证校正的稳定性、降低校正力度,避免硅片5被破坏。其中推片部22包括的横杆部221、设在横杆部221上的若干校正轮222、连接部223,连接部223将横杆部221与移动部21连接,其中移动部21上具有多个连接位211,连接部223可以将横杆部连221连接在移动部21上的任意一个连接位211上,推片部22的位置根据具体的硅片5的尺寸和校正规则进行调整,适用性更强。校正轮222的轴线垂直于横杆部221,即将校正轮222的周侧朝向硅片5,校正轮222的侧边凸出与横杆部221,硅片5校正时只与校正轮222接触。由于硅片5在校正的过程中持续传输,通过校正轮222校正硅片5不仅可以控制校正力度,同时也大大减小了对硅片5传输的阻力,方便硅片5的传输。
运动滑轨31中形成一个运动轨迹,推片件2的移动部21沿运动轨迹移动,由于运动轨迹在第一方向B和第二方向C均有延伸,为了提升滑动的流畅性,移动部21的底部设置滑动柱7,通过滑动柱7嵌入运动滑轨31与运动滑轨31滑动连接,滑动柱7在经过转折或斜面使可以很好的通过,避免卡住。
运动滑轨31的形状可以为多种,本实施方式中以运动滑轨31的形状为半圆形为例做说明。半圆形的开口可以朝向开口内侧或开口外侧,本实施方式方式中以半圆形滑轨61的开口朝外做说明。图3和图4所示,推片件2具有:初始位置和校正位置,两个推片件2同步运动,当两个推片件2位于初始位置时,两推片件2之间的距离较大,不会对硅片5进行校正,硅片5对从两个推片件2的推片部22之间通过。当两个推片件2均位于校正位置时,两推片部22之间的距离减小,对移动的硅片5进行校正。推片部22之间的距离由推片部22在移动部21上安装的位置决定,具体的,两推片部22之间的距离使得两个推片部22上的校正轮222之间的距离等于待校正硅片5的宽度,使倾斜的硅片5在两边校正轮222的校正下摆正继续前进,两推片部22之间的距离由具体的硅片5尺寸决定。
本实施方式中的运动滑轨31,两个端部距离运动件3的中心较远,运动滑轨31的中部位置距离运动件3的中心较近,即推片件2从运动滑轨31的端部运动到运动滑轨31的中部时,两个推片件2相互靠近;当推片件2从运动滑轨31的中部运动到运动滑轨31的端部时,两个推片件2相互远离。气缸4未运动时,推片件2处于远离运动滑轨31远离气缸4的一端,并位于初始位置。本实施方式中,如图3所示,以推片件2位于运动滑轨31的右端为例做说明,首先硅片沿A方向进入两个推片件2之间,气缸4沿第一方向B推进,推片件2会从右端运动至运动滑轨31的中部后再运动到运动滑轨31的左端,在运动滑轨31的中部时,如图4所示,两个推片件2沿第二方向C相互靠近,位于校正位置,气缸4继续向前推进,推片件2位于运动滑轨31的左端时,如图5所示,推两个推片件2沿方向D相互远离,回到初始位置,此时硅片5沿E方向脱离两个推片件2之间,运动至下一工位。即气缸4的推杆沿第一方向B推进时,推片件2会从初始位置切换到校正位置再切换回初始位置,相对于硅片5为释放、校正、释放的过程。在对硅片5释放的过程中,传送带上的推片进入两个推片件2之间,气缸4向前推进,使推片件2在运动滑轨31内向左滑动,到达运动滑轨31中部时切换到校正位置,此时对硅片5进行校正,值得注意的是,推片件2从运动滑轨31的右端向中部运动时,运动滑轨31的弧度逐渐增大,在气缸4匀速推进时,推片件2靠近运动滑轨31中部时速度越来越小,当推片件2达到运动滑轨31的中部时,此时推片件2的速度最低,对硅片5进行校正,推片件2的速度较低可以减小推片件2对硅片5的作用力,避免硅片5被速度过大的推片件2破坏。在校正硅片5后,气缸4继续推进,推片件2从运动滑轨31的中部运动至左端,处于初始位置,使校正后的硅片5可以离开推片件2,也方便待校正的硅片5进入两个推片件2之间。
气缸4伸出到图5的位置后,结合图6和图7,沿方向F进行回缩,回缩开始时,推片件2位于运动滑轨31的左端,气缸4回缩,推片件2会从运动滑轨31的左端运动至中部而后到右端,从初始位置切换到校正位置再切换回初始位置,再完成一次硅片5的校正。当推片件2运动至运动滑轨31的中部时,如图6所示,两个推片件2沿第二方向C相互靠近,位于校正位置,气缸4继续沿方向F回缩,推片件2位于运动滑轨31的右端时,如图7所示,推两个推片件2沿方向D相互远离,回到初始位置,此时硅片5沿E方向脱离两个推片件2之间,运动至下一工位。由上可知,气缸4完成一次伸缩,推片件2可以在运动滑轨31中往返一次,进行两次硅片5校正。相较于现有技术中将气缸4之间连接在推片件2上,气缸4往返一次才可以校正一次硅片5的方案,本实施方式中的方案将硅片5校正的效率提升了一倍。同时现有技术中需要两个气缸4连接两个推片件2,本实施方式中通过运动件3的设置,使得单个气缸4可以带动两个推片件2相互靠近或相互远离,节省了硅片校正机构的成本。
本发明的第二实施方式涉及了一种硅片校正机构,大体实施方式与第一实施方式相同,主要区别在于,如图8所示,运动件3上的运动滑轨31的轨迹为斜线,斜线的倾斜方向可以为两种,两斜线可以朝气缸4相互靠近或相互远离,本实施方式中以图中的斜线方向为例做说明。推片件2可以在斜线的运动滑轨31中移动,在运动件3在第一方向B上运动时,推片件2可以在运动滑轨31中在第二方向C上移动,气缸4推进时,推片件2从初始位置切换到校正位置,气缸4回缩时,推片件2从校正位置切换到初始位置。气缸4单次往返可完成一次校正,单个气缸4的设置可以减小硅片校正机构的成本。
本发明的第三实施方式涉及了一种硅片校正机构,大体实施方式与第一实施方式相同,主要区别在于,运动件3上的运动滑轨31的轨迹为弧形,如图9所示,弧形凹槽也可以反向设置,本实施方式中不做限定。推片件2可以在弧线的运动滑轨31中移动,运动件3在第一方向B上运动时,推片件2可以在运动滑轨31中在第二方向C上移动,气缸4推进时,推片件2从初始位置切换到校正位置,气缸4回缩时,推片件2从校正位置切换到初始位置。气缸4单次往返可完成一次校正,单个气缸4的设置可以减小硅片校正机构的成本。同时弧形运动滑轨31可以控制推片件2的速度,保护硅片5。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种硅片校正机构,其特征在于,包括:
底座;
两个推片件,均可滑动地设在所述底座上,两个所述推片件相对设置;
运动件,可滑动地设在所述底座上,所述运动件上开设有两个运动滑轨,两个所述推片件分别滑动与两个所述运动滑轨滑动连接,所述运动件在第一方向上运动时,带动两个所述推片件在第二方向上相互靠近或相互远离;两个所述推片件用于在相互靠近时对硅片夹持校正;
驱动装置,连接所述运动件,用于带动所述运动件在所述第一方向上运动。
2.根据权利要求1所述的硅片校正机构,其特征在于,所述推片件包括:
移动部,滑动设在所述底座上,并与所述运动件的一所述运动滑轨滑动连接;
推片部,设在所述移动部上背离所述运动件的一侧,并高于所述移动部,所述推片部用于校正硅片。
3.根据权利要求2所述的硅片校正机构,其特征在于,所述推片部包括横杆部、设在所述横杆部上的若干校正轮、连接在所述横杆部与所述移动部之间的连接部,两个所述推片部的横杆部平行设置,各所述校正轮沿所述横杆部的长度方向排列。
4.根据权利要求3所述的硅片校正机构,其特征在于,所述移动部上设有滑动柱,通过所述滑动柱与所述运动滑轨滑动连接。
5.根据权利要求3所述的硅片校正机构,其特征在于,所述移动部上具有多个连接位,所述连接部连接在任意一个所述连接位上。
6.根据权利要求1所述的硅片校正机构,其特征在于,所述运动滑轨内形成所述推片件的运动轨迹,所述运动轨迹在沿在所述第一方向和所述第二方向上延伸,所述推片件具有:初始位置和校正位置,所述推片件沿所述运动轨迹运动时在所述初始位置和所述校正位置中切换。
7.根据权利要求6所述的硅片校正机构,其特征在于,所述运动轨迹为一斜线,所述推片件从所述运动滑轨的一端运动至另一端时,从所述初始位置切换到校正位置,或从所述校正位置切换到所述初始位置。
8.根据权利要求6所述的硅片校正机构,其特征在于,所述运动轨迹为一弧线,所述推片件从所述运动滑轨的一端运动至另一端时,从所述初始位置切换到校正位置,或从所述校正位置切换到所述初始位置。
9.根据权利要求6所述的硅片校正机构,其特征在于,所述运动轨迹为一半圆弧,所述推片件从所述运动滑轨的一端运动至另一端时,从所述初始位置切换到校正位置后切换回所述初始位置,或从所述校正位置切换到所述初始位置后切换回所述校正位置。
10.根据权利要求1所述的硅片校正机构,其特征在于,所述底座呈T型设置,包括:沿第一方向设置的第一板、沿所述第二方向设置的两个第二板,将所述第一板和两个所述第二板连接的连接板,所述驱动装置设在所述第一板上,两个所述推片件分别设在两个所述第二板上,所述运动件可滑动地设在所述连接板上。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010503560.4A CN111710638B (zh) | 2020-06-05 | 2020-06-05 | 硅片校正机构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010503560.4A CN111710638B (zh) | 2020-06-05 | 2020-06-05 | 硅片校正机构 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111710638A true CN111710638A (zh) | 2020-09-25 |
CN111710638B CN111710638B (zh) | 2024-09-27 |
Family
ID=72538713
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010503560.4A Active CN111710638B (zh) | 2020-06-05 | 2020-06-05 | 硅片校正机构 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111710638B (zh) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102398266A (zh) * | 2010-09-16 | 2012-04-04 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 夹持装置 |
CN203588989U (zh) * | 2013-12-04 | 2014-05-07 | 英利能源(中国)有限公司 | 位置校正装置 |
CN208225900U (zh) * | 2018-06-13 | 2018-12-11 | 苏州映真智能科技有限公司 | 一种硅片侧整理机构 |
CN210547782U (zh) * | 2019-09-09 | 2020-05-19 | 江西一标汽摩配件有限公司 | 多工位汽车紧固件冷镦成型机的夹持机械手 |
CN213340324U (zh) * | 2020-06-05 | 2021-06-01 | 苏州迈为科技股份有限公司 | 硅片校正机构 |
-
2020
- 2020-06-05 CN CN202010503560.4A patent/CN111710638B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102398266A (zh) * | 2010-09-16 | 2012-04-04 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 夹持装置 |
CN203588989U (zh) * | 2013-12-04 | 2014-05-07 | 英利能源(中国)有限公司 | 位置校正装置 |
CN208225900U (zh) * | 2018-06-13 | 2018-12-11 | 苏州映真智能科技有限公司 | 一种硅片侧整理机构 |
CN210547782U (zh) * | 2019-09-09 | 2020-05-19 | 江西一标汽摩配件有限公司 | 多工位汽车紧固件冷镦成型机的夹持机械手 |
CN213340324U (zh) * | 2020-06-05 | 2021-06-01 | 苏州迈为科技股份有限公司 | 硅片校正机构 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111710638B (zh) | 2024-09-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN213340324U (zh) | 硅片校正机构 | |
CN108481092A (zh) | 一种双工位机床加工系统 | |
CN101321699A (zh) | 光学元件的成形装置及成形方法 | |
CN111710638A (zh) | 硅片校正机构 | |
CN218930134U (zh) | 流转工装 | |
CN108312588B (zh) | 一种摆臂式轮胎后处理装置 | |
CN214978822U (zh) | 定位治具及焊接装置 | |
CN110683330A (zh) | 一种循环式托盘供料器 | |
CN211465451U (zh) | 直线式钻孔开槽铣削机 | |
CN219170721U (zh) | 舟托组装治具 | |
CN109292452B (zh) | 硅片卸片装置 | |
CN215478190U (zh) | 一种铅酸电池生产用夹持装置 | |
CN216757268U (zh) | 裁切机构及接电零件的生产检测机 | |
CN115258569A (zh) | 一种双框架上料装置及固晶设备 | |
CN110626722A (zh) | 一种自动定位运输装置 | |
CN214848801U (zh) | 软包电池生产设备及电芯扶正机构 | |
CN114210583A (zh) | 裁切机构及接电零件的生产检测机 | |
CN114193189A (zh) | 一种压缩机缸体加工的自动识别夹持系统及其工作方法 | |
CN209936141U (zh) | 一种激光切割装置 | |
CN215945973U (zh) | 一种长条状工件快速排列机 | |
CN218808964U (zh) | 搬移机构 | |
CN208230557U (zh) | 一种铝管矫直装置 | |
CN208157440U (zh) | 焊带搬运装置 | |
CN110919071A (zh) | 压花扁钢管切割机 | |
CN218258917U (zh) | 一种产品运输定位机构 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |