CN111697123A - 一种碲化铋基织构化块体热电材料的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种碲化铋基块体热电材料的制备方法，该方法将磁场辅助区熔工艺、逐层覆盖加压且振动辅助取向工艺、冷等静压工艺、真空烧结工艺以及热等静压工艺相结合，以高纯碲、铋、锑、硒等为原料，首先采用区熔法制备碲化铋晶锭，然后将晶锭粉碎、研磨、过筛，再利用逐层覆盖加压且振动辅助取向工艺将过筛粉料压制成块体材料，最后采用冷等静压工艺、真空烧结工艺和热等静压工艺相结合，制备具有良好取向性且接近完全致密的织构化块体热电材料；本发明可显著提高碲化铋晶粒取向性，获得的碲化铋基块体材料兼具良好的热电性能和机械加工性能，是一种材料利用率高、简单易行、制备效率高，具有良好应用前景的制备方法。

Description

一种碲化铋基织构化块体热电材料的制备方法
技术领域
本发明涉及热电功能材料领域，尤其涉及一种高强度、高性能并具有层状结构特征的碲化铋基块体热电材料制备方法。
背景技术
热电转换材料是利用半导体材料的塞贝克效应（Seebeck）和帕尔贴效应效应（Peltier）进行热能和电能直接相互转换的一类功能材料，主要用于热电发电和热电制冷。随着能源与环境问题的日益突出，具有无污染、无噪音、体积小、寿命长、可精确控制、安全环保等优点的热电转换技术对缓解能源危机和环境污染问题具有重要意义。
热电材料性能通常用无量纲热电优值ZT来表征：ZT＝（S2σ／κ）T，其中，S为塞贝克系数，σ为电导率，κ为热导率，T为绝对温度。碲化铋基热电材料是室温附近性能最佳的热电材料之一，其ZT值可达1.0左右。
Bi2Te3基材料的晶体结构属R3m三方晶系，沿晶体的c 轴方向，其晶体结构可视为六面体层状结构。Te和Bi之间的结合键是强的化合键，而相邻Te层之间通过范德瓦尔键结合。Te层之间这种弱的结合键导致Bi2Te3容易沿着c轴解理，导致材料力学性能较差，不利于材料加工和器件制备。
Bi2Te3基材料制备可采用区熔法和布里奇曼法，通过控制制备工艺参数，可得到有取向性较好的晶体材料。这类方法通常被用于当前的工业化生产。然而，同时改善材料的力学性能与热电性能，将对提高材料利用率以及拓展该材料应用领域具有重要意义。
此前，很多人曾尝试通过细化颗粒尺寸，结合热压、放电等离子烧结、热挤压等烧结工艺制备碲化铋基热电材料，虽然力学性能有所改善，但晶粒择优取向性被严重破坏，使得材料热电优值较低，且球磨过程会引入其他杂质，影响材料热电性能。
热等静压（Hot Isostatic Pressing，简称HIP）是在高温高压密封容器中，以高压气体为介质，对其中的粉末或待压实的烧结配料（或零件）施加各向均等压力，形成高致密度配料（或零件）的方法。该技术使材料在相对较低的温度下便可获得很高的致密度，可有效抑制晶粒长大。所获得的烧结样品的晶粒均匀、致密度高、力学性能好。与传统烧结方法相比，HIP烧结技术可以一次性烧结大量样品，有利于节约资源、提高制备效率、降低生产成本。
发明内容
本发明的技术目的是针对现有块体热电材料制备方法，提供一种工艺简单、热电性能优异、机械加工性能好、制备效率高的碲化铋基块体热电材料制备方法。
为实现上述技术目的，本发明的技术方案是：以高纯铋、锑、碲、硒等为原料，采用区熔法制备碲化铋基块体热电材料，粉碎、研磨后利用滚筒式逐层覆盖加压并结合振动辅助取向的方式，制备具有良好取向性的碲化铋基层状块体材料，采用冷等静压工艺、真空烧结工艺和热等静压烧结工艺相结合，在合适的工艺条件下将上述具有良好晶粒取向性的碲化铋基层状块体材料烧结成接近完全致密的块体热电材料。
该碲化铋基块体热电材料的具体制备过程如下：
（1）采用区熔法制备碲化铋基热电材料晶锭；
（2）将步骤（1）得到的碲化铋基热电材料晶锭表面用砂纸打磨，将打磨后的晶锭在酒精中超声清洗，再用去离子水对晶锭反复清洗，并在真空中干燥，然后在手套箱中对晶锭粉碎、研磨、过筛，得到所需粒度分布范围的粉体；
（3）利用滚筒式逐层覆盖加压并结合振动辅助趋向装置对步骤（2）得到的粉体进行逐层覆盖加压，制得所需厚度的层状块体材料；
（4）将步骤（3）中得到的层状块体材料塑封，装入冷等静压设备中进行加压处理，得到具有一定强度的素坯。
（5）将步骤（4）中得到的素坯材料装入真空烧结炉中进行低温预烧结，得到预烧后的块体材料；
（6）将步骤（5）中得到的块体材料装入热等静压烧结炉中进行烧结，得到接近理论密度、具有良好取向性且机械加工性优越的碲化铋块体热电材料。
所述步骤（1）中，以纯度为99.999%的铋、纯度为99.999%的锑、纯度为99.999%的碲、纯度为99.999%的硒原料，采用0.1特斯拉~5特斯拉的磁场强度、700~950℃的熔融温度、30~40mm的熔区宽度、25~50℃/cm的温度梯度、25~30mm/h生长速度为工艺参数，获得碲化铋基热电材料晶锭。
所述的步骤（2）中，砂纸选用500~3000目，超声清洗10~20min，用去离子水清洗5~10次，在充满惰性气体的手套箱中粉碎、研磨、过筛，使用玛瑙或钢制容器粉碎晶锭或研磨粉末，利用标准尼龙筛对粉料进行过筛，所述惰性气体优选氩气。
所述的步骤（3）中，在载体表面抛光并涂覆上一层厚度为1~1000um的高分子粘结剂，优选环氧胶，对滚筒式逐层覆盖加压并结合振动辅助趋向装置抽真空度<10Pa的真空，装置中滚筒往返频率为1~10次/秒，滚筒施加压力为50~300MPa，滚筒两端连杆随层状块体厚度增加不断上升，上升速度为5~500mm/h，装置上部的筛网孔径为所加粉料最大粒径，振动方向为水平，频率为5~40Hz，振幅为1~5mm，装置中载体振动方向为水平，频率为20到80Hz，振幅为1~5mm，层状块体厚度不限。
所述的步骤（4）中，冷等静压工艺中压力为50~300MPa。
所述的步骤（5）中，真空烧结的真空度<10Pa，烧结温度为350~450℃，升温速度为2~20℃/分钟，保温时间为30~300分钟。
所述的步骤（6）中，热等静压烧结温度为300~480℃，压力为80~200MPa，升温速率为1~3℃/min，保温时间为60~180分钟。
综上所述，本发明提供的碲化铋基块体热电材料的制备方法将区熔工艺、逐层覆盖加压且振动辅助取向工艺、冷等静压工艺、真空烧结工艺与热等静压工艺相结合。以高纯碲、铋、锑、硒等为原料，首先采用区熔法制备碲化铋晶锭，然后将晶锭粉碎、研磨、过筛，再利用逐层覆盖加压且振动辅助工艺将过筛后的粉料压制成具有良好晶粒取向的层状块体，再先后采用冷等静压工艺、真空烧结工艺和热等静压工艺相结合，制备具有理想晶粒取向程度且接近完全致密化的层状块体热电材料。与现有制备工艺相比，具有如下有益效果：
区熔法制备得到的碲化铋晶锭研磨成粉后，采用逐层覆盖加压且振动辅助装置将过筛后的粉料压制成具有良好晶粒取向的层状块体，显著提高碲化铋粉体的晶粒取向性，然后采用冷等静压工艺、真空烧结工艺和热等静压工艺相结合，通过控制温度、压力、时间等烧结成致密度高达98%~100%的块体热电材料。冷等静压工艺、真空烧结工艺、热等静压烧结工艺可以一次性烧结大批量样品，大大提高了制备效率并降低了生产成本。
采用该工艺所制备的碲化铋基块体材料热电性能超越了碲化铋基区熔晶体，且机械加工性能好，具有良好的应用前景和产业化前景。
附图说明
图1是本发明碲化铋基块体热电材料的制备工艺流程方框图；
图2是本发明使用的滚筒式逐层覆盖加压并结合振动辅助取向装置示意图；
图3是对照实施例与本发明实施例1至4中制备得到碲化铋基块体热电材料的X射线衍射图谱；
图4是对照实施例与本发明实施例1至4中制备得到碲化铋基块体热电材料的电导率随温度的变化关系图；
图5是对照实施例与本发明实施例1至4中制备得到碲化铋基块体热电材料的赛贝克系数随温度的变化关系图；
图6是对照实施例与本发明实施例1至4中制备得到碲化铋基块体热电材料的热导率随温度的变化关系图；
图7是对照实施例与本发明实施例1至4中制备得到碲化铋基块体热电材料的热电优值ZT随温度的变化关系图。
具体实施方式
为了更好地理解本发明，下面结合实施例进一步阐明本发明的内容，但本发明的内容不仅仅局限于下面的实施例。
对照实施例：
本实施例是以下实施例1至4的对照实施例。本实施例采用区熔工艺制备碲化铋基块体热电材料。具体如下：
以区熔法制备碲化铋合金，称取适量高纯铋、碲、硒作为基体材料并装入石英管中；对其抽真空使得真空度达10Pa，采用火焰枪密封石英管；将密封好的石英管置于750℃的摇摆炉中熔融4h；冷却后放入区熔炉中区熔得到碲化铋合金：区熔温度为750℃，生长速度为25mm/h，熔区宽度为30mm，温度梯度为25℃/cm。
将区熔得到的碲化铋合金切割成2×2×9mm的长条状和φ10×1.5mm的圆片，分别用来测量电输运性质和热输运性质。
实施例1
本实施例中，采用区熔工艺、逐层覆盖加压且振动辅助工艺、冷等静压工艺、真空烧结工艺与热等静压工艺相结合制备碲化铋基块体热电材料，具体如下：
（1）以区熔法制备碲化铋合金，该过程与对照实施例中的区熔法制备碲化铋合金的过程完全相同；
（2）以步骤（1）制备得到的碲化铋合金为初始原料，粉碎、研磨、过筛得到粒度在180~380um范围内的粉体材料，称取适量该粉料；
（3）将逐层覆盖加压且振动辅助取向装置中的载体表面抛光，并附着一层厚度为20um的环氧胶作为粘结剂；
（4）将步骤（2）中制得的粉料装入逐层覆盖加压且振动辅助取向装置中，对装置进行抽真空处理，真空度<10Pa，然后调节装置中载体的振动频率为50Hz，振幅为1mm，调节圆筒对载体的压力为120MPa，通过装置上部的筛网振动将粉料连续均匀的平铺在载体上，筛网孔径为粉料的最大粒径380um，振动频率为10Hz，振幅为5mm，待载体表层粘结剂基本完全被覆盖时，调节圆筒的往复频率为5次/秒，圆筒两端连杆上升速度为10mm/h，连杆上升速度与块体材料厚度增加速率相同，这时圆筒开始对粉料进行逐层覆盖加压，由于载体表面抛光且附有一薄层环氧胶作为粘结剂，所以粉料在载体上有良好的取向且不会黏在滚筒上，待制得的层状块体材料厚度达到10mm时停止装置，将制得的层状块体材料从载体上剥离；
（5）将步骤（4）中制备得到的层状块体材料塑封，放入冷等静压装置中加压使其初步致密，压力为300MPa，冷等静压完成后去除块体材料外层塑封袋，得到初步致密的素坯材料；
（6）将步骤（5）中制备得到的初步致密的素坯材料放入真空烧结炉中预烧，温度为400℃，升温速率为3℃/min，保温时间为120min，自然冷却得到预烧后的块体材料；
（7）将步骤（6）中制备得到的预烧后的块体材料放入热等静压装置中，温度为450℃，升温速率为2℃/min，保温时间为120min，得到接近完全致密、具有良好晶粒取向性的块体热电材料。
将热等静压烧结后的接近完全致密、具有良好取向的块体热电材料切割成2×2×9mm的长条状和φ10×1.5mm的圆片，分别用来测量电输运性质和热输运性质。
实施例2
本实施例中，采用区熔工艺、逐层覆盖加压且振动辅助工艺、冷等静压工艺、真空烧结工艺与热等静压工艺相结合制备碲化铋基块体热电材料，该过程与实施例1中制备得到接近完全致密、具有良好取向的块体热电材料过程相比，仅在步骤（2）中过筛得到粉体材料的粒度不同，范围在120~180um，其他过程与实施例1中过程完全相同。
将热等静压烧结后的接近完全致密、具有良好取向的块体热电材料切割成2×2×9mm的长条状和φ10×1.5mm的圆片，分别用来测量电输运性质和热输运性质。
实施例3
本实施例中，采用区熔工艺、逐层覆盖加压且振动辅助工艺、冷等静压工艺、真空烧结工艺与热等静压工艺相结合制备碲化铋基块体热电材料。该过程与实施例1中制备得到接近完全致密、具有良好取向的块体热电材料过程相比，仅在步骤（2）中过筛得到粉体材料的粒度不同，范围在96~120um，其他过程与实施例1中过程完全相同。
将热等静压烧结后的接近完全致密、具有良好取向的块体热电材料切割成2×2×9mm的长条状和φ10×1.5mm的圆片，分别用来测量电输运性质和热输运性质。
实施例4
本实施例中，采用区熔工艺、逐层覆盖加压且振动辅助工艺、冷等静压工艺、真空烧结工艺与热等静压工艺相结合制备碲化铋基块体热电材料。该过程与实施例1中制备得到接近完全致密、具有良好取向的块体热电材料过程相比，仅在步骤（2）中过筛得到粉体材料的粒度不同，范围在小于96um，其他过程与实施例1中过程完全相同。
将热等静压烧结后的接近完全致密、具有良好取向的块体热电材料切割成2×2×9mm的长条状和φ10×1.5mm的圆片，分别用来测量电输运性质和热输运性质。
如图3所示，上述实施例1至4制备得到的碲化铋基块体热电材料的X射线衍射图谱显示，采用区熔工艺、逐层覆盖加压且振动辅助取向工艺、冷等静压工艺、真空烧结工艺与热等静压工艺相结合制备碲化铋基块体热电材料，其主相成分无变化；其热电特性曲线如图4至7所示，可以看出采用逐层覆盖加压且振动辅助取向工艺制备的实施例1至4碲化铋基块体热电材料，其电导率和塞贝克系数较对照实施例差别不大，热导率均明显低于对照实施例，本发明使用的制备方法能有效提高热电材料的热电优值。
区熔法制备得到的碲化铋晶锭研磨成粉后，采用逐层覆盖加压且振动辅助装置将过筛后的粉料压制成具有优良取向的层状块体，可显著提高碲化铋晶粒取向性，然后采用冷等静压工艺、真空烧结工艺和热等静压工艺相结合，通过控制温度、压力、时间等烧结成致密度高达98%~100%的高热电优值块体热电材料。冷等静压工艺、真空烧结工艺、热等静压烧结工艺可以一次性烧结大批量样品，大大提高制备效率并降低生产成本。
以上所述的实施例对本发明的技术方案进行了详细说明，应理解的是以上所述仅为本发明的具体实施例，并不用于限制本发明，凡在本发明的原则范围内所做的任何修改、补充或等同替换等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种碲化铋基块体热电材料的制备方法，其特征在于，综合运用以下工艺步骤：
采用区熔法制备碲化铋基热电材料晶锭；
将步骤（1）得到的碲化铋基热电材料晶锭表面用砂纸打磨，将打磨后的晶锭在酒精中超声清洗，再用去离子水对晶锭反复清洗，并在真空中干燥；然后在手套箱中对晶锭粉碎、研磨、过筛，得到所需粒度分布范围的粉体；
利用滚筒式逐层覆盖加压并结合振动辅助趋向装置对步骤（2）得到的粉体进行逐层覆盖加压，制得所需厚度的层状块体材料；
将步骤（3）中得到的层状块体材料塑封，装入冷等静压设备中进行加压处理，得到具有一定强度的素坯；
将步骤（4）中得到的素坯材料装入真空烧结炉中进行低温预烧结，得到预烧后的块体材料；
将步骤（5）中得到的块体材料装入热等静压烧结炉中进行烧结，得到接近理论密度、具有良好取向性且机械加工性优越的碲化铋块体热电材料。
2.根据权利要求1所述的碲化铋基块体热电材料的制备方法，其特征是：所述步骤（1）中，以纯度为99.999%的铋、纯度为99.999%的锑、纯度为99.999%的碲、纯度为99.999%的硒原料，采用0.1特斯拉~5特斯拉的磁场强度、700~950℃的熔融温度、30~40mm的熔区宽度、25~50℃/cm的温度梯度、25~30mm/h生长速度为工艺参数，获得碲化铋基热电材料晶锭。
3.根据权利要求1所述的碲化铋基块体热电材料的制备方法，其特征是：所述的步骤2中，对区熔晶锭表面采用砂纸打磨并进行清洗，所述砂纸选用500~3000目，超声清洗10~20min，用去离子水清洗5~10次，所述粉碎、研磨、过筛的过程均在充满惰性气体保护气氛的手套箱中，使用玛瑙或钢制容器进行粉碎研磨，利用标准尼龙筛对粉料进行过筛。
4.根据权利要求1所述的碲化铋基块体热电材料的制备方法，其特征是：所述的步骤2中，采用逐层覆盖加压且振动辅助取向装置对过筛后的粉料进行逐层覆盖加压且振动辅助取向，以提高材料的晶粒取向程度。
5.根据权利要求1所述的碲化铋基块体热电材料的制备方法，其特征是：所述的步骤2中，过筛得到所需粒度分布均匀的粉料，对载体表面抛光并涂覆一层厚度为1~1000um的高分子粘结剂，优选环氧胶。
6.根据权利要求1所述的碲化铋基块体热电材料的制备方法，其特征是：所述的步骤2中，滚筒压力为50~300MPa，滚筒往复运动频率为1~10次/秒，滚筒两端连杆上升速度为5~500mm/h。
7.根据权利要求1所述的碲化铋基块体热电材料的制备方法，其特征是：所述的步骤3中，层状块体材料放入冷等静压装置中压力为50~300MPa。
8.根据权利要求1所述的碲化铋基块体热电材料的制备方法，其特征是：所述的步骤4中，初步致密化块体放入真空烧结炉中真空度<10Pa，烧结温度为350~450℃，升温速度为2~20℃/分钟，保温时间为30~300分钟。
9.根据权利要求1所述的碲化铋基块体热电材料的制备方法，其特征是：所述的步骤5中，预烧后的块体材料放入热等静压装置中烧结温度为300~480℃，压力为80~200MPa，升温速率为1~3℃/min，保温时间为60~180分钟。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112289919A (zh) * 2020-10-30 2021-01-29 中国电子科技集团公司第十八研究所 一种n型碲化铋多晶块体热电材料的制备方法
CN113774492A (zh) * 2021-09-13 2021-12-10 哈尔滨工业大学 一种高织构化纳米晶碲化铋的制备方法
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112289919A (zh) * 2020-10-30 2021-01-29 中国电子科技集团公司第十八研究所 一种n型碲化铋多晶块体热电材料的制备方法
CN113774492A (zh) * 2021-09-13 2021-12-10 哈尔滨工业大学 一种高织构化纳米晶碲化铋的制备方法
CN115368136A (zh) * 2022-08-26 2022-11-22 武汉理工大学 一种适用于批量化制备多晶Bi2Te3基块体热电材料的方法
CN115368136B (zh) * 2022-08-26 2023-07-14 武汉理工大学 一种适用于批量化制备多晶Bi2Te3基块体热电材料的方法

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