CN111669034B - 碳化硅与硅混合并联开关管驱动电路 - Google Patents

碳化硅与硅混合并联开关管驱动电路 Download PDF

Info

Publication number
CN111669034B
CN111669034B CN202010580501.7A CN202010580501A CN111669034B CN 111669034 B CN111669034 B CN 111669034B CN 202010580501 A CN202010580501 A CN 202010580501A CN 111669034 B CN111669034 B CN 111669034B
Authority
CN
China
Prior art keywords
voltage
low
channel mosfet
driver
driving
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010580501.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111669034A (zh
Inventor
付永升
任海鹏
王云
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xian Technological University
Original Assignee
Xian Technological University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xian Technological University filed Critical Xian Technological University
Priority to CN202010580501.7A priority Critical patent/CN111669034B/zh
Publication of CN111669034A publication Critical patent/CN111669034A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111669034B publication Critical patent/CN111669034B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
    • H02M1/088—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/0048—Circuits or arrangements for reducing losses
    • H02M1/0054—Transistor switching losses
    • H02M1/0058—Transistor switching losses by employing soft switching techniques, i.e. commutation of transistors when applied voltage is zero or when current flow is zero
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
    • Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

本发明涉及一种碳化硅与硅混合并联开关驱动电路。根据不同的拓扑结构可通过调节驱动电路的参数达到4种驱动模式的需求。本发明包括一个用于驱动高压开关管的驱动器(Driver)，以用来接收处理器发出来的PWM信号；在驱动高压SiCmosfet的电路中，驱动器(Driver)与SiCmosfet之间添加了两组辅助电路，电容Cd1一端与原有的驱动器(Driver)相连，同时与低压的N沟道MOSFET(Sd1)源极相连，另一端与电阻Rd1相连，同时与低压的N沟道MOSFET(Sd1)栅极相连，电阻的另一端与高压开关管的源极和驱动系统的参考地相连，辅助电路②包含电容Cd2、电阻Rd2、和一个低压的P沟道MOSFET(Sd2)；电容Cd2与低压的N沟道MOSFET(Sd1)漏极相连，电阻Rd2一端与低压的P沟道MOSFET(Sd2)的栅极相连，另一端与高压开关管的源极和驱动系统的参考地相连。

Description

碳化硅与硅混合并联开关管驱动电路
技术领域：
本发明涉及半导体器件驱动系统技术领域，进一步涉及一种混合半导体器件并联使用时栅-源极的驱动电路技术，具体涉及一种多个驱动模式可变的碳化硅与硅混合并联开关管驱动电路。
技术背景：
宽禁带半导体器件(如：碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管，SiliconCarbide-Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor-SiC-MOSFET；氮化镓，Gallium Nitride-GaN)具有耐高温、高开关频率、低开关损耗的特性，为实现高功率密度、高效率的电力电子设备提供了更多的可能性，但昂贵的价格对其广泛应用造成了困难。而传统的硅基开关管(硅绝缘栅双极型晶体管，Silicon-Insulated Gate BipolarTransistor；硅金属-氧化物半导体场效应晶体管，Silicon-Metal Oxide SemiconductorField-Effect Transistor))虽然开关损耗较大，但因价格低廉，目前工业界电能变换系统仍以其为核心器件。随着控制技术的迅速发展，将宽禁带半导体器件与传统的硅基器件并联混合使用受到了广泛关注。其相比于纯宽禁带半导体器件降低了系统成本，同时相比于纯硅基器件，不仅可以提升系统的功率密度，也可以降低系统的开关损耗。目前混合开关并联的驱动模式有：
A、Si-IGBT或Si-MOSFET作为主开关管，由正常的PWM信号驱动工作。分别在PWM信号的上升沿与下降沿生成较窄的脉冲信号完成对SiC-MOSFET或GaN的驱动，以降低主开关管的开通与关断损耗。该驱动模式主要应用在硬开关模式下。
B、Si-IGBT或Si-MOSFET作为主开关管，由正常的PWM信号驱动工作。在Si-IGBT或Si-MOSFET关断前生成较窄的脉冲信号完成对SiC-MOSFET或GaN的驱动，使SiC-MOSFET或GaN迟于Si-IGBT或Si-MOSFET关断，以降低抓开关管的关断损耗。此模式适用于软开关工作状态。
C、Si-IGBT或Si-MOSFET与SiC-MOSFET或GaN均作为主开关管，Si-IGBT或Si-MOSFET由正常的PWM信号驱动工作，且同时开通和关断。该模式不能有效减小Si-IGBT或Si-MOSFET关断时的损耗。
D、Si-IGBT或Si-MOSFET与SiC-MOSFET或GaN均作为主开关管，Si-IGBT或Si-MOSFET由正常的PWM信号驱动工作，并将PWM信号做一定的延时用于驱动SiC-MOSFET或GaN，该模式适用于软开关的工作状态。
E、Si-IGBT或Si-MOSFET与SiC-MOSFET或GaN均作为主开关管，Si-IGBT或Si-MOSFET由正常的PWM信号驱动工作，同时采用占空比略大的另一路PWM信号完成对SiC-MOSFET或GaN的驱动，使SiC-MOSFET或GaN承担开通和关断损耗，此工作模式适用于硬开关的工作状态。
F、Si-IGBT或Si-MOSFET与SiC-MOSFET或GaN均作为主开关管，Si-IGBT或Si-MOSFET由正常的PWM信号驱动工作，在同一时刻开通。同时将此PWM的关断时间延迟一定时间完成对SiC-MOSFET或GaN的驱动，用SiC-MOSFET或GaN承担系统的关断损耗。此工作模式适用于软开关的工作状态。
目前主要研究的驱动模式有D、E、F三种。在软开关(零电压开通)情况下，主要采用工作模式D和F来控制开关管的开/关。在硬开关情况下主要采用工作模式E驱动开关管工作，其具有较低的开关损耗特性可有效降低系统的损耗。但不同的驱动模式需要的驱动电路也各有差异。工作模式D所需要的驱动电路相比于模式E和F较为简单，其通过1路PWM信号，并添加简单的延迟芯片即可完成开关管的驱动信号。对于模式E和F，完成并联开关的驱动时需要2路PWM信号，并需要2个驱动器才可完成开关管的驱动不仅驱动成本较高，且PWM信号的控制复杂度高、系统可靠性低。
发明内容：
本发明提出了一种碳化硅与硅混合并联开关管驱动电路，根据不同的拓扑结构可通过调节驱动电路的参数达到4种驱动模式的需求。
为了达到本发明的目的，本发明提供的一种碳化硅与硅混合并联开关管驱动电路，其中包括一个用于驱动高压开关管的驱动器(Driver)，以用来接收处理器发出来的PWM信号；在驱动高压SiCmosfet的电路中，驱动器(Driver)与SiCmosfet之间添加了两组辅助电路：辅助电路①包含电容Cd1、电阻Rd1、一个低压的N沟道MOSFET(Sd1)，该电容Cd1一端与原有的驱动器(Driver)相连，同时与低压的N沟道MOSFET(Sd1)源极相连，另一端与电阻Rd1相连，同时与低压的N沟道MOSFET(Sd1)栅极相连，电阻的另一端与高压开关管的源极和驱动系统的参考地相连，辅助电路②包含电容Cd2、电阻Rd2、和一个低压的P沟道MOSFET(Sd2)；电容Cd2与低压的N沟道MOSFET(Sd1)漏极相连，电阻Rd2一端与低压的P沟道MOSFET(Sd2)的栅极相连，另一端与高压开关管的源极和驱动系统的参考地相连，所述低压的P沟道MOSFET(Sd2)的漏极与主开关管的栅极相连；辅助电路①中低压的N沟道MOSFET(Sd1)漏极与辅助电路②中Sd2的源极相连；
在驱动高压SiIGBT的电路中，驱动器(Driver)与SiIGBT之间添加了辅助电路③，其由电容Cd3、电阻Rd3、和一个低压的P沟道MOSFET(Sd3)，该电容Cd3一端与原有的驱动器(Driver)相连，同时与低压的P沟道MOSFET(Sd3)源极相连，另一端与电阻Rd3相连，同时与低压的P沟道MOSFET(Sd3)栅极相连，电阻的另一端与高压开关管的基极相连，低压的P沟道MOSFET(Sd3)漏极与主开关管的发射极和驱动系统的参考地相连。
与现有技术相比，本发明的优点是：
1、本发明所提出的驱动电路可通过改变电阻和电容(Rd1、Cd1、Rd2、Cd2、Rd3、Cd3)的值来调节SiC-MOSFET和Si-IGBT的开通和关断延迟时间；
2、本发明所设计的混合开关驱动电路系统成本更低；
3、本发明所设计的混合开关驱动电路可实现4种不同驱动模式下的切换，能满足现有复杂级联系统的驱动需求。
附图说明：
图1是现有的混合并联开关驱动信号工作模式示意图；
图2是本发明提供的电路示意图；
图3是本发明实施例的一个开关周期内电路工作状态示意图；
图4是本发明电路的仿真验证.
具体实施方式：
下面将通过实施例和附图对本发明进行详细地描述。
参见图1，首先对公知技术进行简单地说明：目前驱动信号主要驱动模式的研究热点为D、E、F三种。在软开关(零电压开通)情况下，由于没有开通损耗，因此主要采用驱动模式D和F来控制开关管的开/关。而在硬开关情况下主要采用工作模式E驱动开关管工作，此时开通损耗和关断损耗主要由SiC-MOSFET/GaN来承担，由于其较低的开关损耗特性可有效降低系统的损耗。但不同的驱动模式需要的驱动电路也各有差异。驱动模式D所需要的驱动电路相比于模式E和F较为简单，其通过1路PWM信号，并添加简单的延迟芯片即可完成开关管的驱动信号。对于模式E和F，完成并联开关的驱动时需要2路PWM信号，并需要2个驱动器才可完成开关管的驱动。不仅驱动成本较高，且PWM信号的控制复杂度高、系统可靠性低。
参见图2，图中虚线框里中的电路为辅助电路，电容Cgs与Cge分别为高压开关管SiCmosfet和SiIGBT的寄生电容。
本发明提供的一种碳化硅与硅混合并联开关管驱动电路，其中包括一个用于驱动高压开关管的驱动器(Driver)，用来接收处理器发出来的PWM信号；
在驱动高压SiCmosfet的电路中，驱动器(Driver)与SiCmosfet之间添加了两组辅助电路：辅助电路①包含电容Cd1、电阻Rd1、一个低压的N沟道MOSFET(Sd1)，该电容Cd1一端与原有的驱动器(Driver)相连，同时与低压的N沟道MOSFET(Sd1)源极相连，另一端与电阻Rd1相连，同时与低压的N沟道MOSFET(Sd1)栅极相连，电阻的另一端与高压开关管的源极和驱动系统的参考地相连，低压的N沟道MOSFET(Sd1)漏极与辅助电路②相连。辅助电路②包含电容Cd2、电阻Rd2、和一个低压的P沟道MOSFET(Sd2)；电容Cd2与低压的N沟道MOSFET(Sd1)漏极相连，电阻Rd2一端与低压的P沟道MOSFET(Sd2)的栅极相连，另一端与高压开关管的源极和驱动系统的参考地相连。低压的P沟道MOSFET(Sd2)的漏极与主开关管的栅极相连；
在驱动高压SiIGBT的电路中，驱动器(Driver)与SiIGBT之间添加了辅助电路③，其由电容Cd3、电阻Rd3、和一个低压的P沟道MOSFET(Sd3)，该电容Cd3一端与原有的驱动器(Driver)相连，同时与低压的P沟道MOSFET(Sd3)源极相连，另一端与电阻Rd3相连，同时与低压的P沟道MOSFET(Sd3)栅极相连，电阻的另一端与高压开关管的基极相连，低压的P沟道MOSFET(Sd3)漏极与主开关管的发射极和驱动系统的参考地相连。
只有当辅助电路③中LVP-MOSFET Sd3开通时，驱动器输出的正电压vcc才可以使IGBT导通。其关断时间只受控于驱动器的输出信号：由于Sd3体内二极管的存在，IGBT会随着驱动器输出信号负电压的到来而同时关断。辅助电路①和②用来实现MOSFET开通和关断的延时。在驱动器输出的正电压vcc使能MOSFET开通时，驱动器输出电流会直接通过LVN-MOSFET Sd1的体内二极管达到Sd2的源极。此时若Sd2处于导通状态，则电流会直接给MOSFET栅-源极寄生电容CGS充电，实现MOSFET的开通。在MOSFET关断时，栅-源极寄生电容CGS通过Sd2的体内二极管放电，此时若Sd1处于导通状态，则即时可完成MOSFET的关断。因此，由以上分析可知：辅助电路①和②分别控制MOSFET的关断和开通延时，辅助电路③则控制IGBT的开通延时。三个低压MOSFET栅-源极电压可分别由公式(1)，(2)和(3)表示。当栅-源极电压达到其开启电压Vth1，Vth2和Vth3时，SiC-MOSFET和Si-IGBT可相继的打开或关断。其中打开或关断的延迟时间可由式(4)，(5)和(6)表示。
Figure BDA0002552172930000051
Figure BDA0002552172930000052
Figure BDA0002552172930000053
Figure BDA0002552172930000054
Figure BDA0002552172930000055
Figure BDA0002552172930000056
通过设置式(4)、(5)和(6)中的延迟时间，可实现不同的驱动模式。具体的驱动模式与延迟时间之间的关系如表1所示：
表1驱动模式与时延关系表
Figure BDA0002552172930000061
参见图3，本发明在一个开关周期内，驱动模式E的工作流程如下：
1、当Td1_off＞Td2_on，Td3_on＞Td2_on≈0s且Td1_off≥Td3_on时，一个开关周期内驱动模式E的电路状态如图3(a)中的①至⑥。
当PWM高电平到来时，由于Sd1处于导通状态，因此驱动器的输出电流会直接流过其沟道对由电容Cd2和电阻Rd2组成的动态电路充电，由于Td2_on≈0s，因此Sd2会在极短的时间内导通，进而SiC-MOSFET导通。同时由于Td1_off≥Td3_on，Sd3处于截止状态。驱动器无法完成对Si-IGBT栅-源极电容充电，因此Si-IGBT处于截止状态。此状态如图3(a)中的①所示。随着时间的增加，驱动器输出的电流将电容Cd3两端的电压充至Sd3开启电压的阈值，此时Sd3导通，随之Si-IGBT开始导通，此状态如图3(a)中的②所示。当PWM高电平持续时间大于Td1_off时，电容Cd1两端的电压会小于Sd1开启电压的阈值，Sd1开始截止，驱动器电流会经过其体内二极管继续保持SiC-MOSFET的导通，此时电路进入导通时的稳定状态，电路状态如图3(a)中的③所示。
当PWM信号低电平到来时，由于Sd1处于截止状态，而Sd3处于导通状态，因此Si-IGBT先开始关断。同时由于Td2_on≈0s，SiC-MOSFET的栅-源寄生电容会通过Sd2的体内二极管开始放电，但由于Sd1处于截止状态，因此SiC-MOSFET保持导通。该电路状态如图3(a)中的④所示。由于Td1_off≥Td3_on，Sd3首先截止，但Si-IGBT的寄生电容CGE通过Sd3的体内二极管放电，保持IGBT的截止状态。该电路状态如图3(a)中的(5)所示。随着时间的增加，Sd2和Sd3相继截止，而Sd1导通，因此SiC-MOSFET开始截止，电路进入图3(a)中⑥所示的关断稳定状态。
2、当Td1_off＞Td2_on，Td3_on＞Td2_on≈0s且Td1_off＜Td3_on时，一个开关周期内驱动模式E的电路状态如图3(b)中的①至⑥。
3、当PWM高电平到来时，Si-IGBT首先导通，电路状态及开通过程与图3(a)中的①相同。但由于Td1_off＜Td3_on，Sd1的关断时间比Sd3导通时间早，因此电路会进入图3(b)中的②，此时Si-IGBT仍保持关断状态。随着PWM高电平持续时间的增加，Sd3开始导通，Si-IGBT也开始导通。此时电路进入暂时的导通稳定状态，如图3(b)中的③所示。
当PWM信号低电平到来时的电路状态及转换过程与图3(a)中的④一样，Si-IGBT会先关断。随着低电平的持续，由于Td1_off＜Td3_on，Sd1会先导通。SiC-MOSFET的栅-源极电容会通过Cd2的体内二极管和Sd1的沟道开始放电，SiC-MOSFET也开始关闭。此时SiC-MOSFET与Si-IGBT均已关断，电路状态如图3(b)中的⑤所示。当Sd2和Sd3均已关断，Sd1开通时，电路进入如图3(b)中的⑥所示的截止稳定状态。
仿真验证：
如图4所示为该电路的仿真验证，该仿真设置中PWM驱动信号的输出幅值为24V，其中开通电压+19V，关断电压-5V。通过设置不同的电容，电阻值实现了SiC-MOSFET与Si-IGBT的关断和开通延时。当不需要时延时可将相应的参数设置为0，即可完成不同驱动工作模式的切换。

Claims (1)

1.碳化硅与硅混合并联开关管驱动电路，其特征在于：其中包括一个用于驱动高压开关管 或高压开关管的驱动器（Driver），以用来接收处理器发出来的PWM信号；
在驱动高压的电路中，驱动器（Driver）与之间添加了两组辅助电路：辅助电路包含电容、电阻、一个低压的N沟道MOSFET ，该电容一端与原有的驱动器（Driver）相连，同时与低压的N沟道MOSFET源极相连，另一端与电阻相连，同时与低压的N沟道MOSFET 栅极相连，电阻的另一端与高压开关管的源极和驱动系统的参考地相连，辅助电路包含电容、电阻、和一个低压的P沟道MOSFET ；电容与低压的N沟道MOSFET 漏极相连，电阻一端与低压的P沟道MOSFET 的栅极相连，另一端与高压开关管的源极和驱动系统的参考地相连，所述低压的P沟道MOSFET的漏极与主开关管的栅极相连；辅助电路中低压的N沟道MOSFET 漏极与辅助电路中的源极相连；
在驱动高压的电路中，驱动器（Driver）与之间添加了辅助电路，其由电容、电阻、和一个低压的P沟道MOSFET ，该电容一端与原有的驱动器（Driver）相连，同时与低压的P沟道MOSFET源极相连，另一端与电阻相连，同时与低压的P沟道MOSFET 栅极相连，电阻的另一端与高压开关管的基极相连，低压的P沟道MOSFET漏极与主开关管的发射极和驱动系统的参考地相连。
CN202010580501.7A 2020-06-23 2020-06-23 碳化硅与硅混合并联开关管驱动电路 Active CN111669034B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010580501.7A CN111669034B (zh) 2020-06-23 2020-06-23 碳化硅与硅混合并联开关管驱动电路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010580501.7A CN111669034B (zh) 2020-06-23 2020-06-23 碳化硅与硅混合并联开关管驱动电路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111669034A CN111669034A (zh) 2020-09-15
CN111669034B true CN111669034B (zh) 2023-05-02

Family

ID=72389404

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010580501.7A Active CN111669034B (zh) 2020-06-23 2020-06-23 碳化硅与硅混合并联开关管驱动电路

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111669034B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114257110B (zh) * 2021-12-27 2024-03-01 温州大学 一种基于器件混合技术的模块化逆变系统冗余管理策略
CN115425866A (zh) * 2022-09-06 2022-12-02 锦浪科技股份有限公司 Mos与igbt混合串联逆变电路及其控制方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106301316A (zh) * 2016-08-22 2017-01-04 湖南大学 一种驱动电路及驱动电路板
CN106936298A (zh) * 2017-03-15 2017-07-07 华为技术有限公司 一种半导体器件、控制方法以及变流器
CN108683327A (zh) * 2018-06-12 2018-10-19 西北工业大学 一种碳化硅mosfet驱动电路
CN111211762A (zh) * 2020-02-19 2020-05-29 湖南大学 一种高开通性能的SiC MOSFET驱动电路

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9397657B1 (en) * 2014-07-24 2016-07-19 Eaton Corporation Methods and systems for operating hybrid power devices using multiple current-dependent switching patterns
JP6819200B2 (ja) * 2016-10-13 2021-01-27 富士電機株式会社 スイッチング電源装置および制御ｉｃ

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106301316A (zh) * 2016-08-22 2017-01-04 湖南大学 一种驱动电路及驱动电路板
CN106936298A (zh) * 2017-03-15 2017-07-07 华为技术有限公司 一种半导体器件、控制方法以及变流器
CN108683327A (zh) * 2018-06-12 2018-10-19 西北工业大学 一种碳化硅mosfet驱动电路
CN111211762A (zh) * 2020-02-19 2020-05-29 湖南大学 一种高开通性能的SiC MOSFET驱动电路

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Three-Terminal Si/SiC Hybrid Switch;Xiaoqing Song et al.;《IEEE Transactions on Power Electronics》;20200128;第35卷(第9期);第8867–8871页 *
基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合开关器件综述;宁圃奇等;《电工电能新技术》;20181031;第37卷(第10期);第1-9页 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN111669034A (zh) 2020-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111404529A (zh) 一种耗尽型GaN功率器件的分段直接栅驱动电路
US20060290388A1 (en) High frequency control of a semiconductor switch
KR20120030411A (ko) 증가형 및 공핍형 광대역 반도체 ｊｆｅｔ용 게이트 드라이버
CN113497610B (zh) 可降低功率半导体传导损耗的栅极驱动电路
CN111669034B (zh) 碳化硅与硅混合并联开关管驱动电路
CN107769530A (zh) 同步整流Buck变换器的SiC开关管驱动电路及方法
CN108092493B (zh) 一种SiC MOSFET串联电路
TWI762412B (zh) 圖騰柱型pfc電路
EP3571759A1 (en) Hybrid power devices
CN112910240B (zh) 一种可变栅极电压开通控制电路、功率模块及电力变换器
Mazzola et al. Application of a normally off silicon carbide power JFET in a photovoltaic inverter
JPH09285120A (ja) 電源装置の主スイッチ制御回路
CN116827095A (zh) 一种SiC MOSFET驱动电路及驱动方法
CN111130514A (zh) 开关装置的控制方法及控制装置
CN110957908A (zh) 一种双向dc-dc软开关电路及宽范围软开关控制方法
CN111541360B (zh) 一种工作模式可变的混合并联开关管驱动电路
WO2016143023A1 (ja) ゲートドライブ回路、インバータ回路、及びモータ制御装置
CN113489479B (zh) 三电平半导体开关管门极驱动电路
CN106094576B (zh) 基于igbt整形的驱动控制电路
CN114070282B (zh) 一种抑制SiC MOSFET超调的变电阻驱动电路
JP2004088892A (ja) 絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路
CN216851748U (zh) 可变门极电压的多模式一体化碳化硅-硅混合开关驱动器
JP7072709B1 (ja) バイポーラパルス電圧ゲートドライバ
CN214228225U (zh) 一种GaN晶体管驱动电路
CN116436450B (zh) Mos型半导体器件的栅极驱动电路和电力变换装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant