CN111642135B - 支持多个通信协议的存储卡焊盘布局 - Google Patents

Abstract

本发明题为“支持多个通信协议的存储卡焊盘布局”。本发明提供了存储卡，该存储卡例如具有根据不同卡标准配置的纳米卡形状因数。纳米卡具有允许竖直和水平插入主机设备卡槽的焊盘图案，同时与传统主机设备卡槽向后兼容。

Description

支持多个通信协议的存储卡焊盘布局

背景技术

对于诸如智能电话的移动设备，在单个设备上使用多种类型的卡的需求日益增长。例如，图1示出了最近引入的纳米存储卡(下文称为NM卡或纳米MMC卡)10，该纳米存储卡具有多媒体卡(MMC)接口，包括在与纳米SIM卡的焊盘的位置对应的位置中的接触焊盘的图案。推出卡连接器具有一对槽以支持不同图案的卡安装。例如，一对纳米SIM卡可定位在卡连接器内并且在主机设备卡槽内使用。另选地，一个纳米MMC卡和一个纳米SIM卡可定位在卡连接器内并且在主机设备卡槽内使用。

还已知将卡连接器和主机卡槽配置为具有用于水平或竖直插入存储卡的开口。例如，图2A示出了被配置为以水平取向接纳一对存储卡诸如纳米SIM卡22和纳米MMC卡24的常规卡连接器20。一旦插入卡连接器20中，连接器和存储卡就可以插入主机设备28诸如移动电话的槽26中。图2B示出了被配置为以竖直取向接纳一对存储卡诸如纳米SIM卡22和纳米MMC卡24的常规卡连接器30。一旦插入卡连接器30中，连接器和存储卡就可以插入主机设备38诸如移动电话的槽36中。主机卡槽26包括与SIM卡22和纳米MMC卡24的焊盘配合的接触引脚的构型。主机卡槽36包括与SIM卡22和纳米MMC卡24的相同焊盘配合的旋转90°的接触引脚的构型。

希望提供根据现有纳米卡形状因数内的其它存储卡通信标准配置的存储卡。此类卡将在新配置的主机设备卡槽中工作，但理想地还将向后兼容以在传统主机设备卡槽(诸如水平取向卡槽26和竖直取向卡槽36)中工作。

附图说明

图1是常规的纳米MMC卡的视图。

图2A和图2B是水平和竖直插入主机设备内的常规纳米卡的视图。

图3是根据本技术的实施方案的纳米SD卡的底视图。

图4是水平插入主机设备卡槽内的图3的纳米SD卡的底视图。

图5是竖直插入主机设备卡槽内的图3的纳米SD卡的底视图。

图6是示出图3的纳米SD卡的焊盘的尺寸的底视图。

图7是根据本技术的实施方案的纳米SD快速卡的底视图。

图8是水平插入主机设备卡槽内的图7的纳米SD快速卡的底视图。

图9是竖直插入主机设备卡槽内的图7的纳米SD快速卡的底视图。

图10是示出图7的纳米SD快速卡的焊盘的尺寸的底视图。

图11是根据本技术的实施方案的纳米快速卡的底视图。

图12是水平插入主机设备卡槽内的图11的纳米快速卡的底视图。

图13是竖直插入主机设备卡槽内的图11的纳米快速卡的底视图。

图14是根据本技术的另外的实施方案的双面纳米存储卡的顶表面的视图。

图15是具有图14所示顶表面的双面纳米存储卡的实施方案的底表面的视图。

图16是具有图14所示顶表面的双面纳米存储卡的另一个实施方案的底表面的视图。

图17是具有图14所示顶表面的双面纳米存储卡的另一个实施方案的底表面的视图。

图18是根据本技术的另一个实施方案的纳米SD快速卡的底视图。

图19是水平插入主机设备卡槽内的图18的纳米SD快速卡的底视图。

图20是竖直插入主机设备卡槽内的图18的纳米SD快速卡的底视图。

图21是根据本技术的另一个实施方案的纳米SD快速卡的底视图。

图22是水平插入主机设备卡槽内的图21的纳米SD快速卡的底视图。

图23是竖直插入主机设备卡槽内的图21的纳米SD快速卡的底视图。

图24是根据本技术的另一个实施方案的纳米SD快速卡的底视图。

图25是水平插入主机设备卡槽内的图24的纳米SD快速卡的底视图。

图26是竖直插入主机设备卡槽内的图24的纳米SD快速卡的底视图。

图27是根据本技术的另一个实施方案的纳米SD快速卡的底视图。

图28是水平插入主机设备卡槽内的图27的纳米SD快速卡的底视图。

图29是竖直插入主机设备卡槽内的图27的纳米SD快速卡的底视图。

图30和图31示出了纳米SD快速卡到常规卡槽的向后兼容性。

图32和图33示出了在被配置为接纳本技术的纳米SD快速存储卡的卡槽中的常规纳米存储卡。

图34至图37是分别基于图18、图21、图24和图27所示的纳米SD快速卡的焊盘布局的根据本技术的实施方案的纳米快速卡的底视图。

图38至图39是分别基于图24和图27所示的纳米SD快速卡的焊盘布局的根据本技术的实施方案的纳米快速SIM卡的底视图。

具体实施方式

现在将参考附图描述本技术，在实施方案中，这些附图涉及例如具有根据不同卡标准配置的纳米卡形状因数的存储卡。纳米卡具有允许竖直和水平插入主机设备卡槽的焊盘图案，同时与传统主机设备卡槽向后兼容。例如，一个实施方案涉及将PCIe快速焊盘添加到纳米SD卡的纳米SD快速卡。所得的卡可水平地或竖直地插入，并且保持纳米SD焊盘的传统位置以允许向后兼容性。

应当理解，本发明可体现为许多不同形式并且不应解释为限于本文所阐述的实施方案。相反，提供了这些实施方案，使得本公开将是周密且完整的，并且将充分地将本发明传达给本领域的技术人员。实际上，本发明旨在覆盖这些实施方案的另选方案、修改和等同物，这些均包括在由所附权利要求书所限定的本发明的范围和实质内。此外，在本发明的以下具体实施方式中，给出了许多具体细节，以便提供对本发明的周密理解。然而，对于本领域的普通技术人员将显而易见的是，本发明可在没有此类具体细节的情况下被实施。

本文所用的术语“顶部”/“底部”、“上”/“下”以及“竖直”/“水平”及其形式，如可仅以举例方式和出于示例性目的用于本文，并且不旨在限制技术的描述，因为所引用的项目可在位置和取向上交换。另外，如本文所用，术语“基本上”和/或“约”是指指定的尺寸或参数可在给定应用的可接受的制造公差内变化。

图3是根据本技术的纳米SD卡100的底面108的视图。如所指出的那样，在另外的实施方案中，“底部”和“顶部”是相对术语，并且面108可以是卡100(以及下文所述的卡200和300)的顶面。卡100可具有符合纳米SIM卡形状因数的相对的平坦表面(意味着表面的至少一部分是平坦的)。该形状因数可包括12.3mm的长度和与平坦表面相距8.8mm的宽度，以及最多0.84mm的全尺寸SIM卡的厚度。在另外的实施方案中设想了其它尺寸。卡100可包括如在常规纳米SIM卡中的拐角斜面102，以限定插入主机设备卡槽中的取向。下文所述的存储卡(包括卡100、200、300和400)包括在平坦表面中的至少一个上的焊盘(意味着焊盘或者在平坦表面中的至少一个的底部上，或者稍微凹入卡的至少一个平坦表面中)。

在实施方案中，主机设备可以是移动电话。然而，在另外的实施方案中，主机设备可以是各种其它设备，包括台式计算机、膝上型计算机、平板电脑、相机、IoT设备、存储器存储适配器或其它应用设备诸如汽车或利用存储卡或SIM卡的应用设备的部件。

如在常规SD卡中那样，纳米SD卡100可包括八个接口焊盘104a-104h(统称为焊盘104)，包括数据线D0-D3、时钟CLK、命令/响应线CMD、电源VDD和接地GND，各自如图所示进行编号。根据本技术的实施方案，接口焊盘104以提供至少两个优点的形状和布局定位在卡100的面108上。首先，焊盘104的形状和位置允许在被配置用于水平或竖直卡插入的主机设备内插入和使用纳米SD卡100。

例如，图4示出了沿箭头A的方向水平插入主机设备卡槽110中的卡100的底视图。卡槽110包括被配置为与水平插入的纳米SD卡100的相应焊盘104配合的接触引脚112和114的图案。图5示出了沿箭头A的方向竖直插入主机设备卡槽120中的卡100的底视图。卡槽120包括被配置为与竖直插入的纳米SD卡100的相应焊盘104配合的接触引脚122的图案。

为了能够与水平取向的引脚112、114和竖直取向的引脚122接触，焊盘104c和104d被成形为类似于侧向“T”，其中第一部分沿着x轴对准(从图3的视图来看)并且第二部分沿着y轴对准(从图3的视图来看)。这对焊盘104c、104d被取向成彼此成镜像。第二对焊盘104g和104h被成形为类似于侧向“L”，其中第一部分沿着x轴对准(图3)并且第二部分沿着y轴对准(图3)。这对焊盘104g、104h被取向成彼此成镜像。

具有“T”形焊盘的原因是允许具有最小总表面积的窄焊盘具有竖直部分和水平部分，同时保持给定功能焊盘的中心位置，以便与早前的主机(即，纳米MMC)兼容，并且允许为另一组焊盘(镜像为104g和104h)留有另外的空间以进行另一个接口添加，如下文所述。

当如图4所示水平插入主机设备卡槽110中时，相应的引脚112、114与焊盘104c、104d、104g和104h的第二部分(沿着图3的y轴对准)接触。相反地，当如图5所示竖直插入主机设备卡槽120中时，相应的引脚122与焊盘104c、104d、104g和104h的第一部分(沿着图3的x轴对准)接触。

纳米SD卡100的接口焊盘104的形状和布局的另一个优点在于，焊盘104与被配置用于其它通信标准的主机设备卡槽向后兼容。例如，焊盘104的形状和布局允许在被配置为接纳水平或竖直的纳米SIM卡的主机设备卡槽中使用纳米SD卡100。在另外的实施方案中，纳米SD卡100可与被配置用于其它标准(包括例如MMC卡标准)的卡槽向后兼容。

纳米SD卡100的焊盘104a-104h可相对于卡100的外周边具有如图3所示的位置和布局。现在将相对于图6所示的卡100的底表面的视图阐述纳米SD卡100的焊盘104的尺寸的示例。D1焊盘104a和CLK焊盘104b可具有3.31mm的长度和1.33mm的宽度。CMD焊盘104c可具有4.66mm的长度L1和2.58mm的长度L2。焊盘104c的第一(x轴对准)部分的宽度可为0.87mm，并且焊盘104c的第二(y轴对准)部分的宽度可为1.27mm。D0焊盘104d可具有长度L3和L4，其尺寸分别与焊盘104c的长度L1和L2相同。焊盘104c的第二部分(在图3中y轴对准)的宽度可以比焊盘104g的第二部分(在图3中y轴对准)宽，并且焊盘104d的第二部分的宽度也比焊盘104h的第二部分宽。在这两种情况下，这样做是为了允许灵活地放置引脚112的长指状物，所述长指状物不必一个接一个地对准。

GND焊盘104e可具有3.31mm的长度和1.60mm的宽度。VDD焊盘104f可具有与焊盘104e相同的长度和宽度。D3焊盘104g可具有4.38mm的长度L5和2.75mm的长度L6。焊盘104g的第一(x轴对准)部分的宽度可为0.95mm，并且焊盘104g的第二(y轴对准)部分的宽度可为1.00mm。D2焊盘104h可具有长度L7和L8，其尺寸分别与焊盘104g的长度L5和L6相同。

应当理解，在另外的实施方案中，焊盘104a-104h的上述尺寸中的每个可根据设计或在工程公差内变化。

图3所示的卡100的面108可另选地具有根据MMC标准配置的焊盘图案。这样的纳米MMC卡将与其它卡槽一起工作，所述其它卡槽包括纳米SD卡槽110、120、210和220(在下文中说明)。

图7至图10示出了涉及纳米SD快速卡200的本技术的另一个实施方案。卡200将PCIe焊盘添加到上述纳米SD卡100，同时仍然允许卡水平地或竖直地插入。卡200还保持纳米SD焊盘的现有位置以允许与SD和其它卡槽向后兼容。

图7是纳米SD快速卡200的底面视图的视图，该纳米SD快速卡可具有与纳米SIM卡和纳米SD卡100相同的形状因数，具有12.3mm的长度和8.8mm的宽度。在另外的实施方案中设想了其它尺寸。卡200可包括如在常规纳米SIM卡中的拐角斜面202，以限定插入主机设备卡槽中的取向。纳米SD快速卡200可包括被编号为204a-204q的十四个接口焊盘(统称为焊盘204)，所述接口焊盘被配置为具有SD和PCI快速(PCIe)总线接口两者，其中两个接口的信号中的一些共享相同的焊盘，并且一些是分开的，类似于如针对SD快速卡所定义。

焊盘204可包括根据SD标准配置的八个接口焊盘204a-204h。这些焊盘204a-204h可包括如图所示编号的数据线D0-D3、时钟CLK、命令/响应线CMD、电源VDD和接地GND。焊盘可具有与上文相对于图3至图6示出和描述的纳米SD卡100的焊盘104a-104h相同的位置、布局和尺寸，以及至少相同的功能。因此，纳米SD快速卡200可与根据纳米SD卡标准配置的水平卡槽110和竖直卡槽120向后兼容，反之亦然(卡100可以在主机210和220中插入并使用)。

焊盘204还可包括根据PCIe扩展总线标准的附加焊盘和功能。例如，SD数据焊盘D0和D1可用作PCIe差分参考时钟焊盘REFCLK+和REFCLK-，以协助卡的PCIe接口时序电路的同步。SD数据焊盘D2可用作PCIe时钟请求焊盘CLKREQ#，并且SD数据焊盘D3可用作PCIe焊盘PERST#，两者均为PCIe规范所使用的边带信令。SD协议和PCIe协议之间的上述信令共享可通过与针对现有SD快速卡所定义的相同方式进行。焊盘204还包括一对传输线焊盘TX+和TX-、一对接收线焊盘RX+和RX-、附加电压源线VDD2和任选的附加接地焊盘GND。

根据本技术的实施方案，接口焊盘204具有允许若干优点的形状和布局。首先，纳米SD快速卡200与根据其它通信标准配置的主机设备卡槽向后兼容。例如，如上所述，通过包括具有与纳米SD卡100相同的形状、布局和功能的焊盘，纳米SD快速卡200与根据纳米SD卡标准配置的卡槽向后兼容，反之亦然。

其次，焊盘204的形状和位置允许在被配置用于水平或竖直卡插入的主机设备内插入和使用纳米SD快速卡200。例如，图8示出了沿箭头A的方向水平插入主机设备卡槽210中的卡200的底视图。卡槽210包括被配置为与水平插入的纳米SD快速卡200的相应焊盘204配合的接触引脚212、214的图案。图9示出了沿箭头A的方向竖直插入主机设备卡槽220中的卡200的底视图。卡槽220包括被配置为与竖直插入的纳米SD快速卡200的相应焊盘204配合的接触引脚222的图案。(尽管图8和图9中的某些接触引脚212、214、222看上去与多个焊盘接触，但接触引脚向下成角度(向附图页面内)，使得仅接触引脚212、214、222的顶端与其相关联的焊盘204接触)。

为了能够与水平取向的引脚212和竖直取向的引脚222接触，多个焊盘204设置有沿着x轴和y轴对准的直角部分。焊盘204c、204d、204g和204h具有分别与图7中的x轴和y轴对准的第一部分和第二部分，如上文相对于纳米SD卡100所述。另外，焊盘204j、204k和204n被成形为类似于“L”，其中第一部分与x轴对准(图7)并且第二部分与y轴对准。这对焊盘204j和204k是彼此的镜像，其中焊盘204j的一部分在斜面202附近被移除。一对焊盘204p和204q被成形为类似于侧向“T”，是彼此的镜像，其中第一部分沿着x轴对准(图7)并且第二部分沿着y轴对准。

如上所述，“T”形焊盘允许具有最小总表面积的窄焊盘具有用于水平和竖直插入的竖直部分和水平部分。另外，“T”形焊盘的窄部分允许其它焊盘定位在由第一部分和第二部分限定的拐角内。例如，图7示出了具有第一部分和第二部分的“T”形焊盘204c，所述第一部分和第二部分限定接纳焊盘204m以及焊盘204p(本身也为“T”形并且具有接纳焊盘204c的一部分的拐角)的一部分的拐角。因此，窄部分实现水平和竖直插入两者的灵活性，同时具有最小的总表面积以实现在其它焊盘的定位方面的灵活性。此外，“T”和/或“L”形焊盘的一部分可保持传统卡的对应焊盘的位置，以便与早前的主机(例如，纳米MMC)兼容。

当如图8所示水平插入主机设备卡槽210中时，相应的引脚212与焊盘204c、204d、204g、204h、204j、204k、204n、204p和204q的第一部分(沿着图7的y轴对准)接触。相反地，当如图9所示竖直插入主机设备卡槽220中时，相应的引脚222与焊盘204c、204d、204g、204h、204j、204k、204n、204p和204q的第二部分(沿着图7的x轴对准)接触。在实施方案中，在水平和/或竖直具体实施中，可省略GND焊盘204m上的接触引脚222，但在另外的实施方案中，可为水平和/或竖直具体实施中的焊盘204m提供接触引脚。

纳米SD快速卡200的焊盘204a-204q可相对于卡200的外周边具有如图7所示的位置和布局。现在将相对于图10所示的卡200的底表面的视图阐述纳米SD快速卡200的焊盘204的尺寸的示例。焊盘204a-204h具有与上述焊盘104a-104h相同的位置、布局和尺寸。鉴于TX+焊盘204j的位置与斜面202相邻，该TX+焊盘省略了45°拐角。如果拐角未被省略，则TX+焊盘204j可具有4.38mm的长度L9和2.60mm的长度L10。焊盘204j的第一(x轴对准)部分的宽度可为1.12mm，并且焊盘204j的第二(y轴对准)部分的宽度可为1.00mm。TX-焊盘204k可具有长度L11和L12，其尺寸分别与焊盘204j的长度L9和L10相同(不同之处在于焊盘204k的拐角未被省略)。204j和204k的宽度和形状可与焊盘204g和204h相同(并且与卡100中的104g和104h相同)，由于斜面202导致的切割拐角除外。

GND焊盘204m可具有3.31mm的长度和0.76mm的宽度。VDD2焊盘204n可具有3.53mm的长度L13和4.94mm的长度L14。焊盘204n的第一(x轴对准)部分的宽度可为0.76mm，并且焊盘204n的第二(y轴对准)部分的宽度可为0.76mm。

RX-焊盘204p可具有4.31mm的长度L15和2.89mm的长度L16。焊盘204p的第一(x轴对准)部分的宽度可为1.00mm，并且焊盘204p的第二(y轴对准)部分的宽度可为0.85mm。RX-焊盘204q可具有长度L17和L18，其尺寸分别与焊盘204p的长度L15和L16相同。

焊盘204a-204q可具有与其相邻焊盘和卡200的边缘相距例如0.2mm的最小间距。应当理解，在另外的实施方案中，焊盘204a-204q的上述尺寸中的每个以及它们周围的最小间距可根据设计或在工程公差内变化。

图11是包括纳米快速卡300的本技术的另一个实施方案的底面308的视图。纳米快速卡300是被配置为根据PCIe总线标准操作的存储卡。卡300可具有与上述纳米卡100和200相同的形状因数，具有12.3mm的长度和8.8mm的宽度。在另外的实施方案中设想了其它尺寸。卡300可包括如在常规纳米SIM卡中的拐角斜面302，以限定插入主机设备卡槽中的取向。

纳米SD快速卡300可包括编号为304a-304q的十四个接口焊盘(统称为焊盘304)。焊盘304中的每个可具有与焊盘204中的一个相同的尺寸、位置和布局，其中对应的焊盘在图11中增加100。焊盘304可具有与焊盘204相同的PCIe功能，但不具有SD标准功能。因此，一些焊盘诸如焊盘304b和304c无需连接到卡300内的电路。

纳米快速卡300可与根据其它通信标准配置的主机设备卡槽兼容。例如，通过包括具有与纳米SD卡100和纳米SD快速卡200相同的形状、布局和功能的焊盘，纳米快速卡300可在根据纳米SD和纳米SD快速卡标准配置的卡槽内使用。纳米SD快速卡200还可在被配置为与纳米快速卡300一起使用的卡槽内使用。

此外，与纳米SD快速卡200一样，焊盘304的形状和位置允许纳米快速卡300在被配置用于竖直或水平卡插入的主机设备内插入和使用。如上所述，焊盘304中的若干焊盘具有沿着x轴和y轴两者对准的直角部分。这些特征使得卡300能够以水平取向和竖直取向两者使用。例如，图12示出了沿箭头A的方向水平插入主机设备卡槽310中的卡300的底视图。卡槽310包括被配置为与水平插入的纳米快速卡300的相应焊盘304配合的接触引脚312、314的图案。图13示出了沿箭头A的方向竖直插入主机设备卡槽320中的卡300的底视图。卡槽320包括被配置为与竖直插入的纳米快速卡300的相应焊盘304配合的接触引脚322的图案。(如上所述，尽管图12和图13中的某些接触引脚312、314、322看上去与多个焊盘接触，但接触引脚向下成角度(向附图页面内)，使得仅接触引脚312、314、322的顶端与其相关联的焊盘304接触)。

在上述实施方案中，已经描述了存储卡100、200和300，所述存储卡具有纳米卡形状因数和卡底面上的焊盘配置，使得这些卡与多个通信标准兼容。根据本技术的另外的实施方案，这些目标可通过在存储卡的顶面和底面两者上提供焊盘来实现，其中不同面上的焊盘被配置为根据不同的通信标准进行操作。现在将参考图14至图17描述此类实施方案。

图14示出了双面存储卡400的顶面406，该顶面包括根据纳米快速标准配置的具有根据如上所述PCIe快速存储卡总线标准的功能的焊盘401a-401m(统称为焊盘401)的图案。焊盘401中的每个可具有矩形覆盖区，其中TX+/-、RX+/-、VDD1、VDD2、REFCLK+/-、PERST#和CLKREQ#焊盘沿卡400的相对边缘向下布置，并且放大的GND焊盘沿卡400的中心向下布置。在另一个实施方案中，焊盘401可具有如纳米快速卡300中的形状和布局，使得卡400可以在被配置用于竖直或水平插入的主机卡槽中使用。需注意，所示焊盘的宽度也允许竖直和水平插入，针对两个方向使用全套三角形类型的连接器焊盘(例如，引脚114、214、314)，或者针对水平类型的插入连接器中的所有焊盘使用三角形并且针对竖直插入连接器使用长指状物连接器引脚112、212、312。

图15至图17示出了卡400的底面408的不同实施方案。如上所述，在另外的实施方案中，面406和408可以是底面和顶面。在图15中，面408可具有根据上文相对于图3示出和描述的纳米SD标准配置的焊盘404a-404h的图案。图3中的类似引脚在图15中增加了300。这样的实施方案提供了在另一面(图15)上具有纳米SD接口的纳米快速卡(图14)。因此，根据图14和图15的双面卡400可在同一卡上具有两种功能：一种功能在顶面上，另一种功能在底面上。

在使用中，具有图14和图15的接口的卡400可以在根据快速卡标准或SD标准配置的主机设备卡槽中使用。在主机设备卡槽根据快速卡标准进行配置的情况下，可插入卡400，使面406面向下(或面向卡槽的包括连接器引脚的面)。在主机设备卡槽根据SD卡标准进行配置的情况下，卡400可被插入为使得面408面向下(或面向卡槽的包括连接器引脚的面)。

在使用中，具有图14和图15的接口的卡400可以在被配置为支持快速卡标准和纳米SD标准(或纳米MMC)两者的主机设备卡槽中使用。此类主机设备将具有在顶面和底面具有连接器引脚的连接器。主机设备卡槽可被配置为顶面支持快速卡标准，并且底面支持纳米SD卡(或纳米MMC)。卡400可被插入为使得面406面向上并且图15的纳米SD面408面向下。这样，单个卡将向主机提供具有在单个插槽中同时操作的能力的双重功能。

将图14的焊盘401a-400m组合在一面上并且将图15的焊盘404a-404h组合在另一面上的卡400也将与其它卡标准向后兼容。另外，卡400的面408可另选地具有根据MMC标准配置的焊盘的图案并且用作纳米MMC卡。这样的卡将在快速卡槽(使用面406)以及SD卡槽或MMC卡槽(使用面408)内工作。

在图16中，面408可具有根据纳米SIM标准配置的焊盘454a-454f的图案。这样的实施方案提供了纳米快速卡(图14)的面406，在相对面408(图16)上具有纳米SIM接口，从而在同一卡上提供两种功能。图16所示的SIM焊盘是特定SIM焊盘的一个示例。类似的SIM功能可以各种图案来实现，如通常针对各种纳米SIM卡所做的那样。

在使用中，具有图14和图16的接口的卡400可以在根据快速卡标准或纳米SIM标准配置的主机设备卡槽中使用。在主机设备卡槽根据快速卡标准进行配置的情况下，可插入卡400，使面406面向下(或面向卡槽的包括连接器引脚的面)。在主机设备卡槽根据纳米SIM卡标准进行配置的情况下，卡400可被插入为使得面408面向下(或面向卡槽的包括连接器引脚的面)。

在使用中，具有图14和图16的接口的卡400可以在被配置为支持快速卡标准和纳米SIM标准两者的主机设备卡槽中使用。此类主机设备将具有在顶面和底面具有连接器引脚的连接器。主机设备卡槽可被配置为顶面支持快速卡标准，并且底面支持纳米SIM卡。双面卡400可被插入为使得面406面向上并且图16的纳米SIM面408面向下。这样，单个卡将向主机提供具有在单个插槽中同时操作的能力的双重功能。

图17示出了其中卡的顶面406不具有焊盘的另一个实施方案。这样的实施方案提供了将图14的焊盘与图17的空白表面组合的纳米快速卡。

图14至图17的卡400提供了诸如允许更大的空间和优化的焊盘位置的优点。卡400还避免了在卡的单个面上组合不同标准的冲突和互操作性问题。卡400还允许从现有的纳米SD解决方案过渡到纳米快速，其中一面将具有纳米SD焊盘，另一面将具有纳米快速焊盘。

图18至图20示出了涉及纳米SD快速卡500的本技术的另一个实施方案。卡500将PCIe焊盘添加到上述常规纳米卡10，同时仍然允许卡水平地或竖直地插入。卡500还保持纳米MMC焊盘的现有位置以允许与MMC、SD和其它卡槽向后兼容，如下所述。

图18是纳米SD快速卡500的底面视图的视图，该纳米SD快速卡可具有与纳米SIM卡和纳米SD卡100相同的形状因数，具有12.3mm的长度和8.8mm的宽度。在另外的实施方案中设想了其它尺寸。卡500可包括如在常规纳米SIM卡中的拐角斜面502，以限定插入主机设备卡槽中的取向。纳米SD快速卡500可包括被编号为504a-504q的十四个接口焊盘(统称为焊盘504)，所述接口焊盘被配置为具有SD和PCI快速(PCIe)总线接口两者，其中两个接口的信号中的一些共享相同的焊盘，并且一些是分开的，类似于如针对SD快速卡所定义。

焊盘504可包括根据如上所述的SD标准配置的八个接口焊盘504a-504h。焊盘可具有与上文相对于图3至图6示出和描述的纳米SD卡100的焊盘104a-104h相同的位置、布局和尺寸，以及至少相同的功能。因此，纳米SD快速卡500可与根据纳米SD卡标准配置的水平卡槽110和竖直卡槽120向后兼容，反之亦然(卡100可以在主机槽510和520中插入并使用)。

焊盘504还可包括根据PCIe扩展总线标准的附加焊盘和功能。如上所述，此类引脚可包括例如在MMC/SD标准和PCIe标准之间共享一些焊盘。这些焊盘可包括参考时钟焊盘REFCLK+和REFCLK-(504a,504d)、时钟请求焊盘CLKREQ#(504h)和PCIe焊盘PERST#(504g)。根据该实施方案，可在卡500的中心部分505、在两行SD接口焊盘405a-504h之间提供其它PCIe焊盘。这些焊盘包括一对传输线焊盘TX+和TX-(504j,504k)、一对接收线焊盘RX+和RX-(504p,504q)、附加电压源线VDD2(504n)和任选的附加接地焊盘GND(504m)。PCIe接口焊盘可如上所述起作用。

根据本技术的实施方案，接口焊盘504具有允许若干优点的形状和布局。首先，在中心部分505提供SD/MMC焊盘504a-504h连同PCIe焊盘允许纳米SD快速卡500与根据其它通信标准配置的主机设备卡槽向后兼容。例如，如上所述，通过包括具有与纳米存储卡10相同的形状、布局和功能的焊盘，纳米SD快速卡500与根据纳米卡10配置的卡槽向后兼容，反之亦然，如下所述。

其次，焊盘504的形状和位置允许在被配置用于水平或竖直卡插入的主机设备内插入和使用纳米SD快速卡500。例如，图19示出了沿箭头A的方向水平插入主机设备卡槽510中的卡500的底视图。卡槽510包括被配置为与水平插入的纳米SD快速卡500的相应焊盘504配合的接触引脚512(其中一个被编号)的图案。图20示出了沿箭头A的方向竖直插入主机设备卡槽520中的卡500的底视图。卡槽520包括被配置为与竖直插入的纳米SD快速卡500的相应焊盘504配合的接触引脚522(同样，其中一个被编号)的图案。

为了能够与水平取向的引脚512和竖直取向的引脚522接触，多个焊盘504具有沿着x轴和y轴对准的直角部分。例如，在卡500的中心部分505，焊盘504j和504k以及焊盘504p和504q被形成为具有与x轴和y轴对准的“L”形第一部分和第二部分。焊盘504j和504k可相对于彼此反转，并且如图18所示适配在一起，以一起提供两个焊盘的最小总覆盖区。焊盘504p和504q也是如此。包括彼此适配在一起的第一直角部分和第二直角部分的焊盘504j、504k、504p和504q的这种设计通过实现水平插入和竖直插入两者来提供灵活性，并且还占据最小覆盖区以实现其它焊盘在卡500的中心部分505的定位灵活性。在另外的实施方案中，其它焊盘504可在中心部分505之内或之外具有“L”形或“T”形。

此外，形成具有“L”形而不是完整四边形的焊盘减少了焊盘中的材料量，从而减小了“L”形焊盘的电容。上述“T”形焊盘也可以如此。这有利于PCIe接口中使用的高频率传输。

当如图19所示水平插入主机设备卡槽510中时，相应的引脚512与焊盘504j、504k、504p和504q的第一部分(沿着图18的y轴对准)接触。相反地，当如图20所示竖直插入主机设备卡槽520中时，相应的引脚522与焊盘504j、504k、504p和504q的第二部分(沿着图18的x轴对准)接触。

纳米SD快速卡500的焊盘504a-504q可相对于彼此和卡500的外周边具有如图18所示的位置和布局，其中焊盘504j、504k、504m、504n、504p和504q设置在中心部分505中。在一个示例中，中心部分505的“L”形焊盘可具有1.35mm长的两个面，并且第一区段和第二区段中的每个可具有0.76mm的宽度。焊盘504a-504q可具有与其相邻焊盘和卡500的边缘相距例如0.2mm的最小间距。应当理解，在另外的实施方案中，上述尺寸中的每个以及焊盘周围的最小间距可根据设计或在工程公差内变化。

如上所述，使焊盘504中的至少一些具有“L”形会得到关于灵活性和电容的有益效果。然而，应当理解，在另外的实施方案中，中心部分505的焊盘504中的每个可为正方形或矩形。这样的示例示于图21至图23的底视图中。图21示出了纳米快速存储卡600的底视图，该纳米快速存储卡可类似于卡500，但在该实施方案中，焊盘604j、604k、604p和604q中的每个可为正方形或矩形。在该示例中，可以使焊盘604m和/或604n的宽度更小(沿着y方向)以适应焊盘604j、604k、604p和604q的更大尺寸。

根据本技术的实施方案，接口焊盘604具有允许若干优点的形状和布局。首先，在中心部分505中提供SD/MMC焊盘604a-604h连同PCIe焊盘允许纳米SD快速卡600与根据其它通信标准配置的主机设备卡槽向后兼容，如下所述。

其次，焊盘604的形状和位置允许在被配置用于水平或竖直卡插入的主机设备内插入和使用纳米SD快速卡600。例如，图22示出了沿箭头A的方向水平插入主机设备卡槽610中的卡600的底视图。卡槽610包括被配置为与水平插入的纳米SD快速卡600的相应焊盘604配合的接触引脚612(其中一个被编号)的图案。图23示出了沿箭头A的方向竖直插入主机设备卡槽620中的卡600的底视图。卡槽620包括被配置为与竖直插入的纳米SD快速卡600的相应焊盘604配合的接触引脚622(同样，其中一个被编号)的图案。

在图18和图21的实施方案中，焊盘504、604中的一些被配置为根据MMC/SD标准或PCIe标准起作用。图24和图27示出了包括足够多个引脚以使得MMC/SD接口和PCIe接口完全分离的纳米SD快速存储卡的其它实施方案。例如，图24是包括接口焊盘704a-704u(统称为焊盘704)的纳米SD快速存储卡700的底视图。存储卡700可以与上述存储卡500相同，不同之处在于焊盘704r、704s、704t和704u被添加到存储卡700。这些焊盘可专用作参考时钟焊盘REFCLK+和REFCLK-(704t,705u)、时钟请求焊盘CLKREQ#(704r)和PCIe焊盘PERST#(704s)。因此，焊盘704a-704h中的每个可专用于MMC或SD标准，并且焊盘704j-704u中的每个可专用于PCIe标准(即，MMC/SD接口和PCIe接口的完全分离)。

为了为附加焊盘704r-704u留出空间，可使焊盘704c和/或704d相对于其在卡500或卡10中的尺寸更窄(沿着x方向)。例如，在一个实施方案中，焊盘704c和704d可各自与距其最近的边缘间隔开1.8mm。在另外的实施方案中，这些尺寸可以变化。

与卡500一样，卡700的焊盘704使用PCIe接口实现高速数据传输，同时还与包括MMC卡标准和SD卡标准的其它卡标准向后兼容。与卡500一样，存储卡700的焊盘704使得卡700能够插入被配置用于水平或竖直卡插入的卡槽中。例如，图25示出了沿箭头A的方向水平插入主机设备卡槽710中的卡700的底视图。卡槽710包括被配置为与水平插入的纳米SD快速卡700的相应焊盘704配合的接触引脚712(其中一个被编号)的图案。图23示出了沿箭头A的方向竖直插入主机设备卡槽720中的卡700的底视图。卡槽720包括被配置为与竖直插入的纳米SD快速卡700的相应焊盘704配合的接触引脚722(同样，其中一个被编号)的图案。

图27是包括接口焊盘804a-804u(统称为焊盘804)的纳米SD快速存储卡800的底视图。存储卡800可以与上述存储卡600相同，包括中心区505中的矩形或正方形焊盘，但不同之处在于焊盘804r、804s、804t和804u被添加到存储卡800。这些焊盘可专用作参考时钟焊盘REFCLK+和REFCLK-(804t,805u)、时钟请求焊盘CLKREQ#(804r)和PCIe焊盘PERST#(804s)。因此，焊盘804a-804h中的每个可专用于MMC或SD标准，并且焊盘804j-804u中的每个可专用于PCIe标准(即，MMC/SD接口和PCIe接口的完全分离)。

为了为附加焊盘704r-704u留出空间，可使焊盘704c和/或704d相对于其在卡500中的尺寸更窄(沿着x方向)。例如，在一个实施方案中，焊盘704c和704d可各自与距其最近的边缘间隔开1.8mm。在另外的实施方案中，这些尺寸可以变化。

与卡600一样，卡800的焊盘804使用PCIe接口实现高速数据传输，同时还与包括MMC卡标准和SD卡标准的其它卡标准向后兼容。与卡600一样，存储卡800的焊盘804使得卡800能够插入被配置用于水平或竖直卡插入的卡槽中。例如，图28示出了沿箭头A的方向水平插入主机设备卡槽810中的卡800的底视图。卡槽810包括被配置为与水平插入的纳米SD快速卡800的相应焊盘804配合的接触引脚812(其中一个被编号)的图案。图29示出了沿箭头A的方向竖直插入主机设备卡槽820中的卡800的底视图。卡槽820包括被配置为与竖直插入的纳米SD快速卡800的相应焊盘804配合的接触引脚822(同样，其中一个被编号)的图案。

本技术的特征在于将PCIe焊盘添加到存储卡，同时保持或基本上保持存储卡诸如常规纳米存储卡10(图1)的当前焊盘的位置。具体地讲，通过在存储卡500(图18)、600(图21)、700(图24)和800(图27)中的中心部分505中提供PCIe焊盘，例如在纳米SD卡和/或MMC卡中使用的焊盘的布局、形状和尺寸可以保持完整。这确保卡500、600、700和800与根据其它通信标准配置的主机设备卡槽向后兼容。例如，通过包括具有与纳米存储卡10相同的形状、布局和功能的焊盘，纳米存储卡500、600、700和800与被配置用于纳米存储卡10的卡槽向后兼容，反之亦然。此外，卡500、600、700和800具有新的焊盘位置，该新的焊盘位置允许将当前存储卡诸如常规纳米存储卡10插入被设计为支持新卡(500、600、700和800)的全部功能的主机，从而允许通过卡10(即SD或MMC)所支持的接口进行操作。

例如，图30和图31示出了在图2A和图2B中分别所示的常规纳米卡槽26、36中使用的纳米SD快速卡500。当卡500水平插入槽26中时(图30)，焊盘504a-504h的位置与主机槽26提供的引脚52和54配合。当卡500竖直插入槽36中时(图31)，焊盘504a-504h的位置与主机槽36提供的引脚56配合。纳米SD快速卡600将以相同方式与引脚52、54和56配合。就纳米存储卡700(图24)和800(图27)而言，对某些SD/MMC焊盘的尺寸进行微小修改(尤其是对CMD和D0焊盘)以允许添加独立的PCIe焊盘。然而，这些修改足够小，使得存储卡700、800在槽26和36中仍然向后兼容，如上所述。

如上所述，在中心部分505中提供PCIe焊盘具有附加有益效果。中心部分505的小焊盘尺寸允许显著较低的电容，并且因此允许较高速度PCIe信号的较好性能。此外，在中心部分505中提供焊盘最大程度减小了与现有纳米SIM或纳米MMC主机的潜在冲突，因为所有新焊盘都在现有主机连接器引脚的区域之外。

当然，常规的纳米存储卡可以在被配置为接纳根据本技术的实施方案的纳米SD快速卡的主机设备中使用。例如，图32和图33示出了被配置为接纳纳米SD快速卡诸如存储卡500的水平卡槽510和竖直卡槽520。在图32和图33中，卡槽510和520被示出为接受常规的纳米存储卡210。如图所示，卡槽510包括被配置为与纳米存储卡10的焊盘配合的引脚512A，而PCIe引脚512b未被使用。卡槽520包括被配置为与纳米存储卡10的焊盘配合的引脚522a，而PCIe引脚522b未被使用。用于接纳纳米SD快速卡600、700和800的卡槽也将以相同方式接受常规的纳米存储卡10。

图34是包括纳米快速卡900的本技术的另一个实施方案的面108的视图。纳米快速卡900是被配置为根据PCIe总线标准操作的存储卡。纳米快速卡900可包括接口焊盘904a-904q，统称为焊盘904。焊盘904中的每个可具有与存储卡500的焊盘504中的一个相同的尺寸、位置和布局。然而，焊盘904a-904h可具有PCIe功能，但不具有SD或MMC标准功能。因此，一些焊盘诸如焊盘904b和904c无需连接到卡900内的电路，并且可被完全省略。

与纳米SD快速存储卡500一样，纳米快速卡900可包括两列焊盘904a-904h和具有PCIe焊盘904j-904q的中心部分505。因此，纳米快速卡900可与根据其它通信标准配置的主机设备卡槽兼容。例如，通过包括具有与纳米SD快速卡500或600相同的形状、布局和功能的焊盘，纳米快速卡900可在根据纳米SD快速卡标准配置的卡槽内使用。

此外，与纳米SD快速卡500一样，焊盘904的形状和位置允许纳米快速卡900在被配置用于竖直或水平卡插入的主机设备内插入和使用。如上所述，焊盘904中的若干焊盘具有沿着x轴和y轴两者对准的直角部分。这些特征使得卡900能够以水平取向和竖直取向两者使用。

纳米快速卡900在中心部分505包括“L”形焊盘904。然而，在另外的实施方案中，中心部分505的焊盘可为正方形或矩形。图35是纳米快速卡1000的底视图，该纳米快速卡包括焊盘1004a-1004q，统称为焊盘1004。纳米快速卡1000可以与纳米快速卡900相同，不同之处在于中心部分505的焊盘1004中的每个为正方形或矩形。焊盘1004m和/或1004n可被制成为相对于卡900沿着y方向更小，以便为中心区域505中的所有焊盘1004留出空间。纳米快速卡1000可与如上所述的其它卡标准向后兼容，并且可以与纳米快速卡900相同的方式在水平或竖直卡槽中使用。

图36和图37分别示出了被配置为根据PCIe总线标准操作的纳米快速卡1100和1200的其它示例。纳米快速卡1100包括焊盘1104a-1104u，统称为焊盘1104，并且纳米快速卡1200包括焊盘1204a-1204u，统称为焊盘1204。纳米快速卡1100和1200分别与纳米快速卡900和1000相同，不同的是卡1100设置有附加PCIe焊盘1104r、1104s、1104t和1104u，并且卡1200设置有附加PCIe焊盘1204r、1204s、1204t和1204u。因此，卡1100和1200可以在被配置用于上文相对于图24和图27所述的纳米SD快速卡700和800的卡槽中使用。焊盘1104和1204中的每个可具有与存储卡700和800的焊盘704和804中的一个相同的尺寸、位置和布局。然而，由于卡1100和1200不具有SD功能，因此一些焊盘诸如焊盘1104a-1104d和1204a-1204d不需要分别连接到卡1100和1200内的电路，并且可以完全省略。

图38示出了纳米SIM快速卡1300的底视图，该纳米SIM快速卡包括焊盘1304a-1304u，统称为焊盘1304。纳米SIM快速卡1300类似于图24的纳米SD快速卡700，不同之处在于SD卡焊盘及其功能替换为卡1300中的SIM卡焊盘1304a-1304f。这些SIM卡焊盘可对应于与图15的卡400中的焊盘454a、454b、454c、454d、454f和454e相同的功能。因此，卡1300可使用诸如由卡700和800的主机使用的PCIe接口的高速数据传输来用作存储卡，同时还与包括SIM卡标准在内的其它卡标准向后兼容。与上述存储卡一样，存储卡1300的焊盘1304使得能够将卡1300插入被配置用于水平或竖直卡插入的卡槽中。此类卡可允许主机同时具有双重功能，即通过PCIe接口的存储卡以及SIM功能，其中在单个槽中使用单个卡。

纳米快速卡1300在中心部分505包括“L”形焊盘1304。然而，在另外的实施方案中，中心部分505的焊盘可为正方形或矩形。图39是纳米快速卡1400的底视图，该纳米快速卡包括焊盘1404a-1404q，统称为焊盘1404。纳米快速卡1400可以与纳米快速卡1300相同，不同之处在于中心部分505的焊盘1404中的每个为正方形或矩形。焊盘1404m和/或1404n可被制成为相对于卡1300沿着y方向更小，以便为中心区域505中的所有焊盘1404留出空间。纳米快速卡1400可与上文针对卡1300所述的其它卡标准向后兼容，并且可以与纳米快速卡1300相同的方式在水平或竖直卡槽中使用。

概括地说，本技术的示例涉及一种存储卡，该存储卡包括：一对相对表面，所述相对表面具有纳米SIM存储卡的长度和宽度；在相对表面中的一个上的第一组接口焊盘，该第一组接口焊盘被配置为与根据PCIe存储卡标准操作的主机设备卡槽的接触引脚配合；以及在相对表面中的一个上的第二组接口焊盘，该第二组接口焊盘被配置为与根据不同于PCIe存储卡标准的第二存储卡标准操作的主机设备卡槽的接触引脚配合。

在另一个示例中，本技术涉及一种存储卡，该存储卡包括：第一组接口焊盘，该第一组接口焊盘被配置为与根据PCIe存储卡标准操作的主机设备卡槽的接触引脚配合；以及第二组接口焊盘，该第二组接口焊盘被配置为与根据不同于PCIe存储卡标准的第二存储卡标准操作的主机设备卡槽的接触引脚配合；其中第一组和第二组中的至少一组的至少一个焊盘具有第一部分和与第一部分成直角的第二部分。

在另一个示例中，本技术涉及一种纳米SD快速存储卡，该纳米SD快速存储卡包括：一对相对表面，所述相对表面具有纳米存储卡的长度和宽度；在相对表面中的一个上的第一组接口焊盘，该第一组接口焊盘被配置为与根据PCIe存储卡标准操作的主机设备卡槽的接触引脚配合；以及在相对表面中的一个上的第二组接口焊盘，该第二组接口焊盘被配置为与根据SD存储卡标准操作的主机设备卡槽的接触引脚配合。

在另一个示例中，本技术涉及一种存储卡，该存储卡包括：一对相对表面，所述相对表面具有纳米SIM卡的长度和宽度；在相对表面中的至少一个上的接口焊盘，所述接口焊盘中的至少一个焊盘包括：第一部分，以及；与第一部分成直角的第二部分，第一部分在第一部分的第一端部和第二端部之间的位置处接合到第二部分，第一部分被配置为在存储卡水平插入第一主机设备卡槽中时由第一接触引脚接触，并且第二部分被配置为在存储卡竖直插入第二主机设备卡槽中时由第二接触引脚接触，第一部分和第二部分限定第一拐角和第二拐角，所述第一拐角和第二拐角被配置为接纳接口焊盘的至少第二焊盘。

在另一个示例中，本技术涉及一种存储卡，该存储卡包括：符合纳米存储卡形状因数的一对相对表面；在相对表面中的一个上的第一焊盘装置，该第一焊盘装置被配置为与根据PCIe存储卡标准操作的主机设备卡槽的引脚装置配合；以及在相对表面中的一个上的第二焊盘装置，该第二焊盘装置被配置为与根据不同于PCIe存储卡标准的第二存储卡标准操作的主机设备卡槽的接触引脚配合。

已出于例证和描述的目的提出本发明的上述具体实施方式。它并非旨在是穷尽的或将本发明限制为所公开的精确形式。根据以上教导内容，很多修改和变型都是可能的。选择所述实施方案是为了最佳地阐明本发明的原理以及其实际应用，以由此使得本领域的其他技术人员能够最佳地在各种实施方案中使用具有适合于所构想的特定用途的各种修改的本发明。本发明的范围旨在由所附权利要求书限定。

Claims (20)

1.一种存储卡，包括：

第一组接口焊盘，所述第一组接口焊盘被配置为与根据PCI快速存储卡标准即PCIe存储卡标准操作的主机设备卡槽的接触引脚配合；和

第二组接口焊盘，所述第二组接口焊盘被配置为与根据不同于所述PCIe存储卡标准的第二存储卡标准操作的主机设备卡槽的接触引脚配合；

其中所述第一组和所述第二组中的至少一组的接口焊盘具有非矩形形状，包括第一部分和与所述第一部分成直角的第二部分；

其中所述第一部分被配置为在所述存储卡水平插入第一主机设备卡槽中时由根据所述PCIe存储卡标准和所述第二存储卡标准中的一个操作的接触引脚接触，并且

其中所述第二部分被配置为在所述存储卡竖直插入第二主机设备卡槽中时由根据所述PCIe存储卡标准和所述第二存储卡标准中的相同一个操作的接触引脚接触。

2.根据权利要求1所述的存储卡，其中所述存储卡具有纳米卡形状因数。

3.根据权利要求2所述的存储卡，其中所述第二存储卡标准是SD存储卡标准。

4.根据权利要求2所述的存储卡，其中所述第二存储卡标准是SIM存储卡标准。

5.根据权利要求2所述的存储卡，其中所述第二存储卡标准是多媒体卡存储卡标准。

6.根据权利要求1所述的存储卡，其中所述第一组接口焊盘和所述第二组接口焊盘设置在所述存储卡的相对面上。

7.一种存储卡，包括：

一对相对表面，所述一对相对表面具有纳米SIM卡的长度和宽度；

在所述相对表面中的至少一个上的接口焊盘，所述接口焊盘中的至少一个焊盘包括：

第一部分，和

与所述第一部分成直角的第二部分，在所述第一部分的第一端和第二端之间的位置处所述第一部分连结到所述第二部分，所述第一部分被配置为在所述存储卡水平插入第一主机设备卡槽中时由根据第一存储卡标准操作的第一接触引脚接触，并且所述第二部分被配置为在所述存储卡竖直插入第二主机设备卡槽中时由根据所述第一存储卡标准操作的第二接触引脚接触。

8.根据权利要求7所述的存储卡，其中所述接口焊盘设置在所述存储卡的单面上。

9.根据权利要求7所述的存储卡，其中所述接口焊盘设置在所述存储卡的相对面上。

10.根据权利要求7所述的存储卡，其中所述第一存储卡标准是SD存储卡标准。

11.根据权利要求7所述的存储卡，其中所述第一存储卡标准是PCIe存储卡标准。

12.根据权利要求7所述的存储卡，其中所述接口焊盘被配置为与根据PCIe存储卡标准和SD存储卡标准的组合操作的主机设备卡槽的接触引脚配合。

13.根据权利要求7所述的存储卡，其中所述第一存储卡标准是多媒体卡存储卡标准。

14.根据权利要求7所述的存储卡，其中所述第一存储卡标准是纳米SIM卡标准。

15.一种存储卡，包括：

在所述存储卡的表面上的第一多个接口焊盘，所述第一多个接口焊盘位于所述卡的所述表面的中央部分的第一侧并且在所述中央部分的外侧；

在所述存储卡的所述表面上的第二多个接口焊盘，所述第二多个接口焊盘位于中央部分的第二侧并且在所述中央部分的外侧；和

在所述存储卡的所述表面上的第三多个接口焊盘，所述第三多个接口焊盘以中心部分完全位于所述第一多个接口焊盘和所述第二多个接口焊盘之间，所述第三多个接口焊盘包括具有与第二部分成角度形成的第一部分的接口焊盘；

其中所述第一多个接口焊盘和所述第二多个接口焊盘被配置为与根据第一存储卡标准操作的第一主机设备卡槽和第二主机设备卡槽的接触引脚配合，并且所述第三多个接口焊盘被配置为与根据不同于所述第一存储卡标准的第二存储卡标准操作的所述第一主机设备卡槽和所述第二主机设备卡槽的接触引脚配合；

其中所述第三多个接口焊盘中的所述接口焊盘的所述第一部分被配置为在所述存储卡水平插入所述第一主机设备卡槽中时由根据所述第二存储卡标准操作的接触引脚接触；并且

其中所述第二部分被配置为在所述存储卡竖直插入所述第二主机设备卡槽中时由根据所述第二存储卡标准操作的接触引脚接触。

16.根据权利要求15所述的存储卡，其中所述第一多个接口焊盘和所述第二多个接口焊盘被配置为与根据SD存储卡标准操作的所述第一主机设备卡槽和所述第二主机设备卡槽的接触引脚配合。

17.根据权利要求15所述的存储卡，其中所述第一多个接口焊盘和所述第二多个接口焊盘被配置为与根据MMC存储卡标准操作的所述第一主机设备卡槽和所述第二主机设备卡槽的接触引脚配合。

18.根据权利要求15所述的存储卡，其中所述第一多个接口焊盘和所述第二多个接口焊盘被配置为与根据纳米SIM卡标准操作的所述第一主机设备卡槽和所述第二主机设备卡槽的接触引脚配合。

19.根据权利要求15所述的存储卡，其中所述第三多个接口焊盘被配置为与根据PCIe存储卡标准操作的所述第一主机设备卡槽和所述第二主机设备卡槽的接触引脚配合。

20.一种存储卡，包括：

第一焊盘装置，其用于与根据PCI快速存储卡标准即PCIe存储卡标准操作的主机设备卡槽的接触引脚配合；和

第二焊盘装置，其用于与根据不同于所述PCIe存储卡标准的第二存储卡标准操作的主机设备卡槽的接触引脚配合；

其中所述第一焊盘装置和所述第二焊盘装置中的至少一个包括第一部分和与所述第一部分成直角的第二部分；

其中所述第一部分被配置为在所述存储卡水平插入第一主机设备卡槽中时由根据所述PCIe存储卡标准和所述第二存储卡标准中的一个操作的接触引脚接触，并且

其中所述第二部分被配置为在所述存储卡竖直插入第二主机设备卡槽中时由根据所述PCIe存储卡标准和所述第二存储卡标准中的相同一个操作的接触引脚接触。