CN111627856A - GaN基半导体器件及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种GaN基半导体器件及其制备方法，所述制备方法依次包括下列步骤：步骤1)，提供一个GaN基半导体外延片，其从下至上依次包括非金属衬底，GaN基半导体外延层；步骤2)，在所述GaN基半导体外延层上表面制备多组电极，将所述多组电极中相邻两组电极之间的GaN基半导体外延层去除，以使得所述相邻两组电极之间具有刻蚀间道；步骤3)，将过渡基板粘附在所述多组电极的表面上；步骤4)，移除所述非金属衬底；步骤5)，在所述GaN基半导体外延层的下表面上制备与所述多组电极相对应的多组金属基板组件；步骤6)，移除所述过渡基板。本发明的制备方法避免了划片机对GaN基半导体器件结构带来的损伤和性能的降低，且便于分片，提高了成品率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件，具体涉及一种GaN基半导体器件及其制备方法。
背景技术
由于GaN体系的AlGaN/GaN异质结存在非常强的压电极化和自发极化效应，会在靠近GaN一侧形成很高的二维电子气(2DEG)浓度，因此特别适合制备新一代高频大功率器件和高速低损耗电力电子器件。但是单晶态的GaN制备工艺复杂，且价格昂贵，故GaN基外延材料生长的衬底多采用异质衬底。其中Si材料作为AlGaN/GaN异质结生长衬底已初步实现商品化。
而作为大功率GaN基半导体器件(例如GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT))随着功率密度的提高，器件的自热效应明显，器件的自热效应将导致结温有一个明显的上升，如无法快速有效将这部分热量散发出去，将严重影响器件的电学和热学性能，甚至影响器件的安全可靠性。而器件的散热主要通过传导的方式经由外延层、半导体衬底以及键合层、封装外壳向外传递。由于发热的有源区面积很小，与有源层相近的外延层及半导体衬底的散热能力成为影响器件散热能力的主要因素。而Si衬底GaN基HEMT的散热能力很差，严重影响了器件微波性能的发挥。散热问题已成为GaN大功率器件制备过程中亟待解决的问题。
为了解决GaN基半导体器件的散热问题，目前多采用转移衬底技术，即将散热性差的衬底转移到散热性良好的衬底上，研究较多的是金属扩散键合的方式，即在移除原衬底的GaN基半导体器件的底部和用于散热衬底的表面上都沉积相同或不同金属薄膜，在一定温度和压力下，使得相同或不同金属薄膜相互扩散形成金属间化合物，实现了GaN基半导体外延片与散热衬底的键合。
金属键合对外延片的洁净度、弯曲度、平坦度等要求很高，外延片的翘曲或者表面颗粒物残留都会造成外延层的破碎。同时要保证对外延片均匀施加压力，且确保接触面上任何地方都接触，非常高的工艺要求导致成品率较低。
功率器件日益向小型化发展，在同一片衬底上制备的器件数目越来越多，对于划片提出新的挑战，无论砂轮划片还是激光划片，其伴随产生的应力冲击，热效应，回焊现象，以及粉尘等异物会对芯片产生不良影响，直接影响器件性能。
发明内容
针对现有技术存在的上述技术问题，本发明提供了一种GaN基半导体器件的制备方法，所述制备方法依次包括下列步骤：
步骤1)，提供一个GaN基半导体外延片，其从下至上依次包括非金属衬底，GaN基半导体外延层；
步骤2)，在所述GaN基半导体外延层上表面制备多组电极，将所述多组电极中相邻两组电极之间的GaN基半导体外延层去除，以使得所述相邻两组电极之间具有刻蚀间道；
步骤3)，将过渡基板粘附在所述多组电极的表面上；
步骤4)，移除所述非金属衬底；
步骤5)，在所述GaN基半导体外延层的下表面上制备与所述多组电极相对应的多组金属基板组件，所述多组金属基板组件中相邻的金属基板组件之间具有隔离墙；
步骤6)，移除所述过渡基板并清洗，以使得相邻的金属基板组件之间具有分离槽；
步骤7)，沿所述分离槽进行分片。
优选的，所述刻蚀间道的深度小于或等于所述GaN基半导体外延层的厚度。
优选的，所述非金属衬底为Si衬底。
优选的，所述步骤5)还包括：在所述GaN基半导体外延层的下表面制备散热层，以及在所述散热层表面制备所述多组金属基板组件。
优选的，所述步骤5)包括：
在所述GaN基半导体外延层的下表面上制备打底金属层；
在所述打底金属层上通过光刻技术制备与所述刻蚀间道相对齐的隔离墙；
在所述打底金属层的表面上制备多个金属基板，其中所述多个金属基板中相邻的金属基板之间具有所述隔离墙。
优选的，所述步骤5)包括：
在所述GaN基半导体外延层的下表面上制备打底金属层；
在所述打底金属层的表面上制备厚度为50纳米-10微米的金属薄膜；
在所述金属薄膜上通过光刻技术制备与所述刻蚀间道相对齐的隔离墙；
在所述金属薄膜上制备多个金属基板，其中所述多个金属基板中相邻的金属基板之间具有所述隔离墙。
优选的，通过电镀或化学镀制备所述多个金属基板。
优选的，所述隔离墙由光刻胶或者聚酰亚胺材料制成。
优选的，在所述步骤7)中，通过蓝膜拉伸将相邻的金属基板组件分开。
本发明提供了一种GaN基半导体器件，从下至上依次包括：
多组金属基板组件，所述多组金属基板组件连接在一起，且相邻金属基板组件之间具有分离槽；
与所述多组金属基板组件相对应的多个GaN基半导体外延层；以及
与所述多组金属基板组件相对应的多组电极。
优选的，所述多组金属基板组件的每一个从下至上包括金属基板和打底金属层，所述多组金属基板组件的打底金属层连接在一起，且相邻金属基板之间具有所述分离槽。
优选的，所述多组金属基板组件的每一个还包括位于所述金属基板和打底金属层之间的厚度为50纳米-10微米的金属薄膜，所述多组金属基板组件的金属薄膜连接在一起。
优选的，所述多个GaN基半导体外延层中的相邻GaN基半导体外延层之间具有刻蚀间道，所述刻蚀间道与所述分离槽相对齐。
优选的，所述刻蚀间道的深度小于或等于所述GaN基半导体外延层的厚度。
优选的，所述GaN基半导体器件包括位于所述多组金属基板组件和多个GaN基半导体外延层之间的散热层。
本发明提供了一种GaN基半导体器件，所述GaN基半导体器件从下至上依次包括：
金属基板组件；
GaN基半导体外延层；以及
电极层。
优选的，所述GaN基半导体器件还包括位于所述金属基板组件和GaN基半导体外延层之间的散热层。
优选的，所述金属基板组件从下至上包括金属基板，厚度为50纳米-10微米的金属薄膜，以及打底金属层。
本发明的GaN基半导体器件中的金属基板组件具有良好的导热性和散热性，提高了GaN基半导体器件的散热能力，有效解决了异质衬底与GaN基半导体外延层之间的热失配的问题，有利于提升GaN基半导体器件的性能。
本发明制备方法避免了划片机对GaN基半导体器件结构带来的损伤和性能的降低，且便于分片，提高了成品率。
附图说明
以下参照附图对本发明实施例作进一步说明，其中：
图1是本发明第一个实施例的步骤1提供的GaN基HEMT外延片的剖面示意图。
图2是本发明第一个实施例的步骤2得到的GaN基HEMT结构的剖面示意图。
图3是本发明第一个实施例的步骤3得到的GaN基HEMT结构的剖面示意图。
图4是本发明第一个实施例的步骤5得到的GaN基HEMT结构的剖面示意图。
图5是本发明第一个实施例的GaN基HEMT器件的剖面示意图。
图6是本发明第二个实施例的GaN基HEMT器件的剖面示意图。
图7是本发明第三个实施例的步骤2提供的GaN基HEMT外延片的剖面示意图。
图8是在本发明第三个实施例的GaN基HEMT结构上形成刻蚀间道后的俯视图。
图9是图8所示的GaN基HEMT结构的剖面示意图。
图10是本发明第三个实施例的步骤5得到的GaN基HEMT阵列结构的剖面示意图。
图11是本发明第三个实施例的步骤7得到的GaN基HEMT阵列结构的剖面示意图。
图12是图11所示的GaN基HEMT阵列结构的仰视图。
图13是本发明第三个实施例的步骤8得到的GaN基HEMT阵列的剖面示意图。
图14是本发明第四个实施例的GaN基HEMT器件阵列的剖面示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图通过具体实施例对本发明进一步详细说明。为了方便叙述和便于理解，以下剖面示意图中的剖切面垂直于衬底。
实施例1
步骤1：提供一个GaN基HEMT外延片。
图1是本发明第一个实施例的步骤1提供的GaN基HEMT外延片的剖面示意图。如图1所示，该外延片从下至上依次包括：硅衬底11，AlN成核层112，GaN缓冲层12，由AlGaN/GaN构成的异质结层13，GaN盖帽层14。其中AlN成核层112、GaN缓冲层12、AlGaN/GaN异质结层13和GaN盖帽层14构成了GaN基HEMT外延层。
步骤2：在GaN盖帽层14上制备电极层和氮化硅钝化层；将蓝宝石制成的过渡基板通过高温蜡粘附在GaN基HEMT外延片的电极层的表面上。
图2是本发明第一个实施例的步骤2得到的GaN基HEMT结构的剖面示意图。如图2所示，电极层包括栅电极151、源电极152、漏电极153，栅电极151位于源电极152和漏电极153之间，氮化硅钝化层154是通过PECVD填充在栅电极151和源、漏电极152、153之间。源、漏电极152、153和GaN盖帽层14之间形成欧姆接触，栅电极151和GaN盖帽层14形成肖特基接触，用于控制着电子的流动。通过源、漏电极152、153施加一个电压使得GaN基HEMT器件具有一定的电阻，在栅电极151施加电压调制电阻以控制电子的流动，从而实现了控制源电极152和漏电极153之间的电流大小。栅电极151、源电极152、漏电极153的上表面具有粘附层16和过渡基板17。
步骤3：移除硅衬底11。
图3是本发明第一个实施例的步骤3得到的GaN基HEMT结构的剖面示意图。如图3所示，GaN基HEMT外延层的下表面，即AlN成核层112的下表面露出。
步骤4：通过蒸镀工艺在AlN成核层112的表面生长由钛制成的打底金属层。
步骤5：在打底金属层的表面电镀铜制成金属基板。
图4是本发明第一个实施例的步骤5得到的GaN基HEMT结构的剖面示意图。如图4所示，金属基板182和打底金属层181构成了金属基板组件18，用于支撑GaN基HEMT器件。
步骤6：移除粘附层16和过渡基板17。
图5是本发明第一个实施例的GaN基HEMT器件的剖面示意图。如图5所示，从下至上依次包括：由金属基板182和打底金属层181构成的金属基板组件18，AlN成核层112，GaN缓冲层12，异质结层13，盖帽层14，以及位于盖帽层14上的电极和钝化层154，其中电极层包括源电极152和漏电极153，以及位于源电极152和漏电极153之间的栅电极151。
将GaN基HEMT外延片从硅衬底转移至金属基板组件18上，有利于提高GaN基HEMT器件的散热，提高了GaN基HEMT器件的性能、稳定性和安全性。
打底金属层181作为制备金属基板182的晶种层，便于在打底金属层181的表面上电镀制备金属基板182；打底金属层181还起到粘附金属基板182和GaN基HEMT外延层的作用；打底金属层181还作为应力调节层，用于调节金属基板182和GaN基HEMT外延层之间的应力。
实施例2
其与实施例1基本相同，区别如下：
在步骤1-3中，提供一个GaN基HEMT外延片，将过渡基板粘附在电极层的表面上，移除硅衬底。其与实施例1的步骤1-3相同，具体工艺在此不再赘述。
在步骤3之后包括如下步骤：通过物理气相沉积在AlN成核层的下表面制备由类金刚石薄膜制成的散热层。
步骤4-5：在类金刚石薄膜散热层的表面上蒸镀打底金属层，并在打底金属层的表面电镀铜制成金属基板。移除粘附层和过渡基板。其与实施例1的步骤4-5相同，具体工艺在此不再赘述。
图6是本发明第二个实施例的GaN基HEMT器件的剖面示意图。如图6所示，从下至上依次包括：由金属基板282和打底金属层281构成的金属基板组件28，类金刚石薄膜散热层29，AlN成核层212，GaN缓冲层22，AlGaN/GaN异质结层23，GaN盖帽层24，以及位于GaN盖帽层24上的电极层和钝化层254，其中电极层包括源电极252和漏电极253，以及位于源电极252和漏电极253之间的栅电极251。
类金刚石薄膜散热层29能够进一步提高GaN基HEMT器件的散热。
实施例3
步骤1：提供一个GaN基HEMT外延片。该外延片从下至上依次包括：SiC衬底，GaN缓冲层，AlGaN/GaN异质结层，GaN盖帽层。
步骤2：在GaN盖帽层的表面上制备电极层和氮化硅钝化层。
图7是本发明第三个实施例的步骤2提供的GaN基HEMT外延片的剖面示意图。如图7所示，从下至上依次包括：SiC衬底31，GaN缓冲层32，AlGaN/GaN异质结层33，GaN盖帽层34，以及位于GaN盖帽层34表面上的电极层和氮化硅钝化层354，其中电极层包括多组电极(图7仅示出2组)，其中一组电极包括栅电极351、源电极352以及位于栅电极351和源电极352之间的漏电极353。另一组电极包括栅电极351’、源电极352’以及位于栅电极351’和源电极352’之间的漏电极353’。
步骤3：通过电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺，将任意相邻的两组电极之间的GaN缓冲层32、AlGaN/GaN异质结层33和GaN盖帽层34去除，使得任意相邻的两组电极之间具有刻蚀间道。
图8是在本发明第三个实施例的GaN基HEMT结构上形成刻蚀间道后的俯视图。如图8所示，四组电极排列成两行两列，第一行的两组电极与第二行的两组电极之间具有刻蚀间道301，第一列的两组电极和第二列的两组电极之间具有刻蚀间道302。
图9是图8所示的GaN基HEMT结构的剖面示意图。如图9所示，刻蚀间道302的深度(即刻蚀深度)等于GaN缓冲层32、AlGaN/GaN异质结层33和GaN盖帽层34的厚度。
步骤4：将蓝宝石制成的过渡基板通过高温蜡粘附在GaN基HEMT结构的电极层的表面上。
步骤5：移除SiC衬底31。
图10是本发明第三个实施例的步骤5得到的GaN基HEMT阵列结构的剖面示意图。如图10所示，过渡基板37通过粘附层36用于给GaN基HEMT阵列结构提供支撑。由GaN缓冲层32、AlGaN/GaN异质结层33和GaN盖帽层34构成的GaN基HEMT外延层被刻蚀间道301、302分割成多个相分离的GaN基HEMT阵列。
步骤6：通过蒸镀工艺在GaN缓冲层32的表面生长由钛制成的打底金属层。
步骤7：在打底金属层表面上制备由光刻胶形成的隔离墙，隔离墙与刻蚀间道301、302相对齐，在打底金属层表面电镀或化学镀铜制成金属基板阵列。
图11是本发明第三个实施例的步骤7得到的GaN基HEMT阵列结构的剖面示意图。如图11所示，打底金属层381覆盖在GaN缓冲层32的表面上，且将多个相分离的GaN基HEMT阵列连接在一起。金属基板阵列中相邻的金属基板382、382’之间具有隔离墙304’，隔离墙304’和刻蚀间道302在垂直于打底金属层381的方向上相对齐。
图12是图11所示的GaN基HEMT阵列结构的仰视图。如图12所示，四个金属基板(图12以方形示出)排列成两行两列，任意相邻的两个金属基板之间具有隔离墙304’，且每一个金属基板在垂直于打底金属层381的方向上与一组电极相对应。
步骤8：移除粘附层36和过渡基板37，并清洗以去除隔离墙304’。
图13是本发明第三个实施例的步骤8得到的GaN基HEMT阵列的剖面示意图。如图13所示，金属基板阵列中相邻的金属基板382、382’之间具有与刻蚀间道302相对齐的分离槽304。每一个金属基板和相对应的一组电极，以及两者之间的GaN缓冲层32、AlGaN/GaN异质结层33和GaN盖帽层34构成了一个GaN基HEMT器件。由此四个GaN基HEMT器件排列成2行2列的阵列，并且通过打底金属层381连接在一起。
步骤9：通过蓝膜拉伸将打底金属层25沿着刻蚀间道301、302和分离槽304分离成四个，从而实现分片过程。
本实施例的制备方法工艺简单、可靠性高，四个GaN基HEMT器件通过厚度仅为2微米的打底金属层25连接，避免了划片机切割衬底对GaN基HEMT器件结构带来的损伤和性能的降低。
本领域技术人员可知，打底金属层25并非作为衬底以支撑GaN基HEMT器件，其厚度远小于金属基板的厚度，本发明并不意欲限定打底金属层厚度的具体参数，可以选择合适的厚度以连接多个GaN基HEMT器件即可。
在本发明的其他实施例中，隔离墙由聚酰亚胺等材质制备。
实施例4
其与实施例3基本相同，区别在步骤7中：在打底金属层的表面上制备厚度范围为50纳米-10微米的铜薄膜，在铜薄膜表面上制备由光刻胶形成的隔离墙，在铜薄膜表面电镀或化学镀铜制成金属基板阵列。
图14是本发明第四个实施例的GaN基HEMT器件阵列的剖面示意图。如图14所示，金属基板482’、482，及其表面上的铜薄膜483和打底金属层481构成了金属基板组件，用于支撑GaN基HEMT器件阵列，且所有的GaN基HEMT器件通过层叠的打底金属层481和铜薄膜483相连接。
厚度为50纳米-10微米的铜薄膜有利于在其表面上电镀铜以制成金属基板，进一步提高其与由铜制成的金属基板之间的粘附性，且减小应力。
本发明的制备方法并不意欲限于GaN基HEMT器件，还可以是其他的GaN基半导体器件，例如GaN基的MOSFET、MISFET、IGBT、SBD等。
在本发明的其他实施例中，采用化学湿法腐蚀、离子束刻蚀(IM)、反应离子刻蚀(RIE)、气浴刻蚀、激光刻蚀等刻蚀技术，沿垂直于衬底的方向将GaN基HEMT外延层的一部分刻蚀以形成刻蚀间道，使得GaN基HEMT外延层被分割成GaN基HEMT外延层阵列，其中刻蚀间道的深度不大于GaN基HEMT外延层的厚度。
在本发明的其他实施例中，通过溅射、化学气相沉积、原子层沉积等薄膜制备工艺在GaN缓冲层的表面和打底金属层之间形成由AlN、SiO2、Si3N4或类金刚石薄膜等材料制成的散热层。
在本发明的其他实施例中，粘附层的材料包括但不限于光刻胶、聚酰亚胺、BCB、光敏胶、热敏胶或真空硅酯。
在本发明的其他实施例中，原衬底包括但不限于Si衬底、SiC衬底、SOI衬底。
在本发明的其他实施例中，过渡基板包括但不限于蓝宝石、玻璃、Ge衬底或PVC板。
在本发明的其他实施例中，金属基板的材料包括但不限于Au、Ag、Cu、Al、Ti、Cr、Ni、Mo、Te中的一种或多种形成的复合金属。
在本发明的其他实施例中，金属基板通过电镀多层不同金属层叠形成，以使得金属基板的热膨胀系数与GaN基HEMT外延层的热膨胀系数相匹配。
在本发明的其他实施例中，打底金属层的材料包括但不限于Cr、Ti、Al、Au、Cu、Mo、Ni中的一种或多种形成的复合金属。
在本发明的其他实施例中，GaN基HEMT外延层不具有GaN盖帽层。
在本发明的其他实施例中，GaN基HEMT外延层不具有用于提高击穿电压的钝化层。
虽然本发明已经通过优选实施例进行了描述，然而本发明并非局限于这里所描述的实施例，在不脱离本发明范围的情况下还包括所作出的各种改变以及变化。
Claims (18)
1.一种GaN基半导体器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法依次包括下列步骤：
步骤1)，提供一个GaN基半导体外延片，其从下至上依次包括非金属衬底，GaN基半导体外延层；
步骤2)，在所述GaN基半导体外延层上表面制备多组电极，将所述多组电极中相邻两组电极之间的GaN基半导体外延层去除，以使得所述相邻两组电极之间具有刻蚀间道；
步骤3)，将过渡基板粘附在所述多组电极的表面上；
步骤4)，移除所述非金属衬底；
步骤5)，在所述GaN基半导体外延层的下表面上制备与所述多组电极相对应的多组金属基板组件，所述多组金属基板组件中相邻的金属基板组件之间具有隔离墙；
步骤6)，移除所述过渡基板并清洗，以使得相邻的金属基板组件之间具有分离槽；
步骤7)，沿所述分离槽进行分片。
2.根据权利要求1所述的GaN基半导体器件的制备方法，其特征在于，所述刻蚀间道的深度小于或等于所述GaN基半导体外延层的厚度。
3.根据权利要求1所述的GaN基半导体器件的制备方法，其特征在于，所述非金属衬底为Si衬底。
4.根据权利要求1所述的GaN基半导体器件的制备方法，其特征在于，所述步骤5)还包括：在所述GaN基半导体外延层的下表面制备散热层，以及在所述散热层表面制备所述多组金属基板组件。
5.根据权利要求1所述的GaN基半导体器件的制备方法，其特征在于，所述步骤5)包括：
在所述GaN基半导体外延层的下表面上制备打底金属层；
在所述打底金属层上通过光刻技术制备与所述刻蚀间道相对齐的隔离墙；
在所述打底金属层的表面上制备多个金属基板，其中所述多个金属基板中相邻的金属基板之间具有所述隔离墙。
6.根据权利要求1所述的GaN基半导体器件的制备方法，其特征在于，所述步骤5)包括：
在所述GaN基半导体外延层的下表面上制备打底金属层；
在所述打底金属层的表面上制备厚度为50纳米-10微米的金属薄膜；
在所述金属薄膜上通过光刻技术制备与所述刻蚀间道相对齐的隔离墙；
在所述金属薄膜上制备多个金属基板，其中所述多个金属基板中相邻的金属基板之间具有所述隔离墙。
7.根据权利要求5或6所述的GaN基半导体器件的制备方法，其特征在于，通过电镀或化学镀制备所述多个金属基板。
8.根据权利要求5或6所述的GaN基半导体器件的制备方法，其特征在于，所述隔离墙由光刻胶或者聚酰亚胺等材料制成。
9.根据权利要求1所述的GaN基半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述步骤7)中，可通过蓝膜拉伸将相邻的金属基板组件分开。
10.一种GaN基半导体器件，其特征在于，从下至上依次包括：
多组金属基板组件，所述多组金属基板组件连接在一起，且相邻金属基板组件之间具有分离槽；
与所述多组金属基板组件相对应的多个GaN基半导体外延层；以及
与所述多组金属基板组件相对应的多组电极。
11.根据权利要求10所述的GaN基半导体器件，其特征在于，所述多组金属基板组件的每一个从下至上包括金属基板和打底金属层，所述多组金属基板组件的打底金属层连接在一起，且相邻金属基板之间具有所述分离槽。
12.根据权利要求11所述的GaN基半导体器件，其特征在于，所述多组金属基板组件的每一个还包括位于所述金属基板和打底金属层之间的厚度为50纳米-10微米的金属薄膜，所述多组金属基板组件的金属薄膜连接在一起。
13.根据权利要求10所述的GaN基半导体器件，其特征在于，所述多个GaN基半导体外延层中的相邻GaN基半导体外延层之间具有刻蚀间道，所述刻蚀间道与所述分离槽相对齐。
14.根据权利要求13所述的GaN基半导体器件，其特征在于，所述刻蚀间道的深度小于或等于所述GaN基半导体外延层的厚度。
15.根据权利要求10所述的GaN基半导体器件，其特征在于，所述GaN基半导体器件包括位于所述多组金属基板组件和多个GaN基半导体外延层之间的散热层。
16.一种GaN基半导体器件，其特征在于，所述GaN基半导体器件从下至上依次包括：
金属基板组件；
GaN基半导体外延层；以及
电极层。
17.根据权利要求16所述的GaN基半导体器件，其特征在于，所述GaN基半导体器件还包括位于所述金属基板组件和GaN基半导体外延层之间的散热层。
18.根据权利要求16或17所述的GaN基半导体器件，其特征在于，所述金属基板组件从下至上包括金属基板，厚度为50纳米-10微米的金属薄膜，以及打底金属层。
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