CN111584402A - 一种大功率半导体器件的制造装置及其使用方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种大功率半导体器件的制造装置及其使用方法，属于半导体制作领域，一种大功率半导体器件的制造装置及其使用方法，本方案通过重金属去除箱内部的加热装置使得收集框内的碳酸氢钙分解，并借助气泵将二氧化碳气体抽入至溶液箱内，使得焦性没食子酸蒸汽通过第二导管回流到重金属去除箱内，去除硅片表面的重金属元素，并使得外放置框在重金属去除箱内旋转，使得外延板与外搅拌球囊反复碰撞，并通过摩擦产热可以进一步的促进柱形气囊的膨胀，促进硅片弹出，使得硅片表面的重金属被去除的更加充分，并通过收集框将弹出的硅片收集，并通过收集框内的碳酸钙粉末将硅片表面的水分吸收，提高硅片表面的纯净度。

Description

一种大功率半导体器件的制造装置及其使用方法

技术领域

本发明涉及半导体制作领域，更具体地说，涉及一种大功率半导体器件的制造装置及其使用方法。

背景技术

半导体器件通常利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极，晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波，三端器件一般是有源器件，典型代表是各种晶体管（又称晶体三极管），晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类，根据用途的不同，晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管，除了作为放大、振荡、开关用的一般晶体管外，还有一些特殊用途的晶体管，如光晶体管、磁敏晶体管，场效应传感器等。

硅片制成的芯片是有名的“神算子”，有着惊人的运算能力。无论多么复杂的数学问题、物理问题和工程问题，也无论计算的工作量有多大，工作人员只要通过计算机键盘把问题告诉它，并下达解题的思路和指令，计算机就能在极短的时间内把答案告诉你。这样，那些人工计算需要花费数年、数十年时间的问题，计算机可能只需要几分钟就可以解决。

目前大多数的半导体器件通常是以晶体硅为原材料，并通过对硅片进行后续的加工处理，从而获得半导体器件，在硅片的制造工序中，从硅锭切成硅片时，要接触到刀刃或者线锯，重金属会向硅片内部扩散，由于硅片的两面与研磨液、研磨垫长时间接触、加压和研磨，容易受到来自这些材料的杂质元素的污染，之后会向硅片内部扩散。

发明内容

1．要解决的技术问题

针对现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种大功率半导体器件的制造装置及其使用方法，通过重金属去除箱内部的加热装置使得收集框内的碳酸氢钙分解，并借助气泵将二氧化碳气体抽入至溶液箱内，从而使得焦性没食子酸蒸汽通过第二导管回流到重金属去除箱内，去除硅片表面的重金属元素，通过气体的流动使得外放置框在重金属去除箱内旋转，使得外延板与外搅拌球囊反复碰撞，并通过摩擦产热可以进一步的促进柱形气囊的膨胀，促进硅片弹出，使得硅片表面的重金属被去除的更加充分，并通过收集框将弹出的硅片收集，并通过收集框内的碳酸钙粉末将硅片表面的水分吸收，提高硅片表面的纯净度。

2．技术方案

为解决上述问题，本发明采用如下的技术方案。

一种大功率半导体器件的制造装置，包括重金属去除箱和溶液箱，所述重金属去除箱内部安装有加热装置，所述溶液箱内填充有焦性没食子酸溶液，所述溶液箱位于重金属去除箱左侧，所述重金属去除箱和溶液箱之间固定连接有第一导管和第二导管，所述第二导管位于第一导管上侧，所述第一导管外端安装有气泵，所述气泵位于重金属去除箱内，所述重金属去除箱、溶液箱、第一导管和第二导管均相互连通，所述重金属去除箱内壁固定连接有分隔座，所述重金属去除箱前后内壁固定连接有活动辊，所述活动辊包括一对固定柱，所述固定柱与重金属去除箱前后内壁固定连接，两个所述固定柱之间设有柱形气囊，所述固定柱外端转动连接有外放置框，所述外放置框外端开凿有多个均匀分布的插孔，所述插孔内插设有活动杆，所述活动杆外端固定连接有弧形摩擦垫，所述弧形摩擦垫位于外放置框内，所述弧形摩擦垫与外放置框内壁固定连接有压缩弹簧，所述压缩弹簧位于活动杆外侧，所述固定柱外端固定连接有摩擦层，所述摩擦层位于弧形摩擦垫内侧且与弧形摩擦垫相互接触，所述活动杆远离弧形摩擦垫的一端固定连接有固定底板，所述固定底板外端转动连接有转动夹板，所述转动夹板与固定底板转动连接处设有扭力弹簧，所述重金属去除箱内设有多个外搅拌球囊，所述外搅拌球囊位于分隔座上侧，所述重金属去除箱底端设有收集框，所述收集框位于分隔座下侧，通过外放置框在柱形气囊外端转动，可以使得弧形摩擦垫保持与摩擦层接触的状态下，两者相互摩擦，从而通过摩擦产热可以使得固定柱受热膨胀，从而促进固定底板伸出插孔，从而使得硅片弹出。

进一步的，所述外搅拌球囊内设有一对内活动球囊，所述内活动球囊与外搅拌球囊内壁固定连接有弹性连接绳，所述外搅拌球囊内壁固定连接有外保护套环，所述外保护套环位于内活动球囊外侧，所述内活动球囊左右两端均固定连接有接触垫，所述接触垫位于外保护套环内且与外保护套环的内壁相抵，两个所述内活动球囊相互靠近的一端均固定连接有磁铁块，通过外延板对外搅拌球囊的反复碰撞，可以使得外搅拌球囊在重金属去除箱内自由活动，并其通过外搅拌球囊内的细沙，可以起到一定的保温作用，在外搅拌球囊运动的过程中，通过内活动球囊外侧的接触垫与外保护套环之间相互摩擦，可以使得外搅拌球囊内部温度持续升高，从而使得外搅拌球囊进一步的膨胀。

进一步的，所述分隔座底端开凿有收集孔，所述收集孔内壁固定连接有多个均匀分布的侧向导板，所述收集框外端固定连接有拉杆，所述拉杆表面刻有防滑纹，所述收集框位于收集孔正下侧，所述收集框与重金属去除箱的内底端和分隔座的底端相抵，所述收集框上端开凿有竖向通孔，所述收集框外端开凿有侧向通孔，所述侧向通孔内壁固定连接有过滤网，所述竖向通孔内壁卡接有棉布袋，所述棉布袋位于收集框内，通过棉布袋，可以对掉落的硅片进行收集，并通过碳酸氢钙粉末分解后得到的碳酸钙粉末，可以对硅片表面的水分进行收集，从而提高硅片表面的纯净度。

进一步的，所述重金属去除箱上端安装有第一封闭门，所述重金属去除箱右端安装有第二封闭门，所述第二封闭门位于分隔座下侧，通过设置第一封闭门，可以方便技术人员将待处理的硅片放置在活动辊上，通过设置第二封闭门，可以方便将处理过后的硅片取出。

进一步的，所述溶液箱上端开凿有添加孔，所述添加孔内螺纹连接有密封塞，通过设置添加孔，可以方便定期的向重金属去除箱内添加焦性没食子酸溶液，通过设置密封塞，可以减少焦性没食子酸溶液挥发的可能性。

进一步的，所述固定柱和柱形气囊之间固定连接有限位圆板，所述限位圆板位于外放置框内且与外放置框的左右内壁相抵，所述限位圆板和外放置框相互接触处均设有抛光层，通过设置限位圆板，可以使得柱形气囊在受热膨胀时，不易向两端膨胀，通过在限位圆板和外放置框的内壁相互接触处设置抛光层，可以使得外放置框在转动时更加流畅，减少外放置框在转动时出现卡塞的可能性。

进一步的，所述外放置框外端固定连接有外延板，所述外延板位于每相邻的两个插孔之间，通过设置外延板，可以在重金属去除箱内空气流动的过程中促进外放置框转动，并通过外延板可以促进外搅拌球囊在重金属去除箱内自由活动。

进一步的，所述活动杆由不锈钢材质制成，所述活动杆表面涂设有防锈漆，通过使用不锈钢材质制作活动杆并在其表面涂设有防锈漆，可以使得活动杆在长期的使用过程中不易被锈蚀，从而可以提高活动杆的使用寿命。

进一步的，所述外搅拌球囊外端固定连接有多个均匀分布的半球形凸起，所述半球形凸起由橡胶材质制成，所述外搅拌球囊内设有细沙，所述细沙所占梯级为外搅拌球囊内部体积的三分之一，通过设置半球形凸起，可以提高外搅拌球囊的外表面面积，并提高外搅拌球囊的弹性，通过设置细沙，可以提高外搅拌球囊内部的保温效果。

一种大功率半导体器件的制造装置的使用方法，包括以下步骤：

S1、通过重金属去除箱内部的加热装置使得收集框内的碳酸氢钙分解，并借助气泵将二氧化碳气体抽入至溶液箱内，从而使得焦性没食子酸蒸汽通过第二导管回流到重金属去除箱内，去除硅片表面的重金属元素；

S2、通过气体的流动使得外放置框在重金属去除箱内旋转，使得外延板与外搅拌球囊反复碰撞，并通过摩擦产热可以进一步的促进柱形气囊的膨胀，促进硅片弹出，使得硅片表面的重金属被去除的更加充分；

S3、并通过收集框将弹出的硅片收集，并通过收集框内的碳酸钙粉末将硅片表面的水分吸收，提高硅片表面的纯净度。

3．有益效果

相比于现有技术，本发明的优点在于：

本方案通过重金属去除箱内部的加热装置使得收集框内的碳酸氢钙分解，并借助气泵将二氧化碳气体抽入至溶液箱内，从而使得焦性没食子酸蒸汽通过第二导管回流到重金属去除箱内，去除硅片表面的重金属元素，通过气体的流动使得外放置框在重金属去除箱内旋转，使得外延板与外搅拌球囊反复碰撞，并通过摩擦产热可以进一步的促进柱形气囊的膨胀，促进硅片弹出，使得硅片表面的重金属被去除的更加充分，并通过收集框将弹出的硅片收集，并通过收集框内的碳酸钙粉末将硅片表面的水分吸收，提高硅片表面的纯净度。

附图说明

图1为本发明的整体的剖面图；

图2为本发明的活动辊部分侧向的剖面图；

图3为图2中A处的结构示意图；

图4为本发明的活动辊部分正向的剖面图；

图5为本发明的搅拌球囊部分的剖面图；

图6为本发明的收集框部分的剖面图。

图中标号说明：

1重金属去除箱、101第一封闭门、102第二封闭门、2溶液箱、201密封塞、3分隔座、4第一导管、401气泵、5第二导管、6活动辊、7固定柱、701限位圆板、8柱形气囊、9外放置框、901外延板、10插孔、11活动杆、12压缩弹簧、13弧形摩擦垫、14摩擦层、15固定底板、16转动夹板、17外搅拌球囊、1701半球形凸起、18内活动球囊、19弹性连接绳、20外保护套环、21接触垫、22磁铁块、23收集孔、24侧向导板、25收集框、2501拉杆、26竖向通孔、27侧向通孔、28过滤网、29棉布袋。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图；对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述；显然；所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例；而不是全部的实施例，基于本发明中的实施例；本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例；都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”、“顶/底端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“套设/接”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

实施例1：

请参阅图1-5，一种大功率半导体器件的制造装置，包括重金属去除箱1和溶液箱2，重金属去除箱1内部安装有加热装置，溶液箱2内填充有焦性没食子酸溶液，溶液箱2位于重金属去除箱1左侧，重金属去除箱1和溶液箱2之间固定连接有第一导管4和第二导管5，第二导管5位于第一导管4上侧，第一导管4外端安装有气泵401，气泵401位于重金属去除箱1内，重金属去除箱1、溶液箱2、第一导管4和第二导管5均相互连通，重金属去除箱1内壁固定连接有分隔座3，重金属去除箱1前后内壁固定连接有活动辊6，活动辊6包括一对固定柱7，固定柱7内填充有二氧化碳气体，固定柱7与重金属去除箱1前后内壁固定连接，两个固定柱7之间设有柱形气囊8，固定柱7外端转动连接有外放置框9，外放置框9外端开凿有多个均匀分布的插孔10，插孔10内插设有活动杆11，活动杆11外端固定连接有弧形摩擦垫13，弧形摩擦垫13位于外放置框9内，弧形摩擦垫13与外放置框9内壁固定连接有压缩弹簧12，压缩弹簧12位于活动杆11外侧，通过压缩弹簧12的复位作用，可以在刚放置硅片时，将硅片收纳进插孔10内，固定柱7外端固定连接有摩擦层14，摩擦层14位于弧形摩擦垫13内侧且与弧形摩擦垫13相互接触，活动杆11远离弧形摩擦垫13的一端固定连接有固定底板15，固定底板15外端转动连接有转动夹板16，转动夹板16与固定底板15转动连接处设有扭力弹簧，重金属去除箱1内设有多个外搅拌球囊17，外搅拌球囊17位于分隔座3上侧，重金属去除箱1底端设有收集框25，收集框25位于分隔座3下侧，通过外放置框9在柱形气囊8外端转动，可以使得弧形摩擦垫13保持与摩擦层14接触的状态下，两者相互摩擦，从而通过摩擦产热可以使得固定柱7受热膨胀，从而促进固定底板15伸出插孔10，从而使得硅片弹出。

请参阅图4-5，外搅拌球囊17内设有一对内活动球囊18，内活动球囊18与外搅拌球囊17内壁固定连接有弹性连接绳19，外搅拌球囊17内壁固定连接有外保护套环20，外保护套环20位于内活动球囊18外侧，内活动球囊18左右两端均固定连接有接触垫21，接触垫21位于外保护套环20内且与外保护套环20的内壁相抵，两个内活动球囊18相互靠近的一端均固定连接有磁铁块22，通过外延板901对外搅拌球囊17的反复碰撞，可以使得外搅拌球囊17在重金属去除箱1内自由活动，并其通过外搅拌球囊17内的细沙，可以起到一定的保温作用，在外搅拌球囊17运动的过程中，通过内活动球囊18外侧的接触垫21与外保护套环20之间相互摩擦，可以使得外搅拌球囊17内部温度持续升高，从而使得外搅拌球囊17进一步的膨胀。

请参阅图1和图6，分隔座3底端开凿有收集孔23，收集孔23内壁固定连接有多个均匀分布的侧向导板24，收集框25外端固定连接有拉杆2501，拉杆2501表面刻有防滑纹，通过设置拉杆2501可以方便将收集框25取出，收集框25位于收集孔23正下侧，收集框25内填充有碳酸氢钙粉末，收集框25与重金属去除箱1的内底端和分隔座3的底端相抵，收集框25上端开凿有竖向通孔26，收集框25外端开凿有侧向通孔27，侧向通孔27内壁固定连接有过滤网28，通过过滤网28可以使得碳酸氢钙粉末以及碳酸钙粉末不易飘出收集框25，从而减少碳酸氢钙粉末进入到溶液箱2内的可能性，竖向通孔26内壁卡接有棉布袋29，棉布袋29位于收集框25内，通过棉布袋29，可以对掉落的硅片进行收集，并通过碳酸氢钙粉末分解后得到的碳酸钙粉末，可以对硅片表面的水分进行收集，从而提高硅片表面的纯净度。

请参阅图1，重金属去除箱1上端安装有第一封闭门101，重金属去除箱1右端安装有第二封闭门102，第二封闭门102位于分隔座3下侧，通过设置第一封闭门101，可以方便技术人员将待处理的硅片放置在活动辊6上，通过设置第二封闭门102，可以方便将处理过后的硅片取出，溶液箱2上端开凿有添加孔，添加孔内螺纹连接有密封塞201，通过设置添加孔，可以方便定期的向重金属去除箱1内添加焦性没食子酸溶液，通过设置密封塞，可以减少焦性没食子酸溶液挥发的可能性。

请参阅图2-4，固定柱7和柱形气囊8之间固定连接有限位圆板701，限位圆板701位于外放置框9内且与外放置框9的左右内壁相抵，限位圆板701和外放置框9相互接触处均设有抛光层，通过设置限位圆板701，可以使得柱形气囊8在受热膨胀时，不易向两端膨胀，通过在限位圆板701和外放置框9的内壁相互接触处设置抛光层，可以使得外放置框9在转动时更加流畅，减少外放置框9在转动时出现卡塞的可能性，外放置框9外端固定连接有外延板901，外延板901位于每相邻的两个插孔10之间，通过设置外延板901，可以在重金属去除箱1内空气流动的过程中促进外放置框9转动，并通过外延板901可以促进外搅拌球囊17在重金属去除箱1内自由活动。

请参阅图4-5，活动杆11由不锈钢材质制成，活动杆11表面涂设有防锈漆，通过使用不锈钢材质制作活动杆11并在其表面涂设有防锈漆，可以使得活动杆11在长期的使用过程中不易被锈蚀，从而可以提高活动杆11的使用寿命，外搅拌球囊17外端固定连接有多个均匀分布的半球形凸起1701，半球形凸起1701由橡胶材质制成，外搅拌球囊17内设有细沙，细沙所占梯级为外搅拌球囊17内部体积的三分之一，通过设置半球形凸起1701，可以提高外搅拌球囊17的外表面面积，并提高外搅拌球囊17的弹性，通过设置细沙，可以提高外搅拌球囊17内部的保温效果。

一种大功率半导体器件的制造装置的使用方法，包括以下步骤：

S1、通过重金属去除箱1内部的加热装置使得收集框25内的碳酸氢钙分解，并借助气泵401将二氧化碳气体抽入至溶液箱2内，从而使得焦性没食子酸蒸汽通过第二导管5回流到重金属去除箱1内，去除硅片表面的重金属元素；

S2、通过气体的流动使得外放置框9在重金属去除箱1内旋转，使得外延板901与外搅拌球囊17反复碰撞，并通过摩擦产热可以进一步的促进柱形气囊8的膨胀，促进硅片弹出，使得硅片表面的重金属被去除的更加充分；

S3、并通过收集框25将弹出的硅片收集，并通过收集框25内的碳酸钙粉末将硅片表面的水分吸收，提高硅片表面的纯净度。

以上所述；仅为本发明较佳的具体实施方式；但本发明的保护范围并不局限于此；任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内；根据本发明的技术方案及其改进构思加以等同替换或改变；都应涵盖在本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.一种大功率半导体器件的制造装置，包括重金属去除箱（1）和溶液箱（2），所述重金属去除箱（1）内部安装有加热装置，所述溶液箱（2）内填充有焦性没食子酸溶液，所述溶液箱（2）位于重金属去除箱（1）左侧，所述重金属去除箱（1）和溶液箱（2）之间固定连接有第一导管（4）和第二导管（5），所述第二导管（5）位于第一导管（4）上侧，所述第一导管（4）外端安装有气泵（401），所述气泵（401）位于重金属去除箱（1）内，所述重金属去除箱（1）、溶液箱（2）、第一导管（4）和第二导管（5）均相互连通，其特征在于：所述重金属去除箱（1）内壁固定连接有分隔座（3），所述重金属去除箱（1）前后内壁固定连接有活动辊（6），所述活动辊（6）包括一对固定柱（7），所述固定柱（7）与重金属去除箱（1）前后内壁固定连接，两个所述固定柱（7）之间设有柱形气囊（8），所述固定柱（7）外端转动连接有外放置框（9），所述外放置框（9）外端开凿有多个均匀分布的插孔（10），所述插孔（10）内插设有活动杆（11），所述活动杆（11）外端固定连接有弧形摩擦垫（13），所述弧形摩擦垫（13）位于外放置框（9）内，所述弧形摩擦垫（13）与外放置框（9）内壁固定连接有压缩弹簧（12），所述压缩弹簧（12）位于活动杆（11）外侧，所述固定柱（7）外端固定连接有摩擦层（14），所述摩擦层（14）位于弧形摩擦垫（13）内侧且与弧形摩擦垫（13）相互接触，所述活动杆（11）远离弧形摩擦垫（13）的一端固定连接有固定底板（15），所述固定底板（15）外端转动连接有转动夹板（16），所述转动夹板（16）与固定底板（15）转动连接处设有扭力弹簧，所述重金属去除箱（1）内设有多个外搅拌球囊（17），所述外搅拌球囊（17）位于分隔座（3）上侧，所述重金属去除箱（1）底端设有收集框（25），所述收集框（25）位于分隔座（3）下侧。

2.根据权利要求1所述的一种大功率半导体器件的制造装置，其特征在于：所述外搅拌球囊（17）内设有一对内活动球囊（18），所述内活动球囊（18）与外搅拌球囊（17）内壁固定连接有弹性连接绳（19），所述外搅拌球囊（17）内壁固定连接有外保护套环（20），所述外保护套环（20）位于内活动球囊（18）外侧，所述内活动球囊（18）左右两端均固定连接有接触垫（21），所述接触垫（21）位于外保护套环（20）内且与外保护套环（20）的内壁相抵，两个所述内活动球囊（18）相互靠近的一端均固定连接有磁铁块（22）。

3.根据权利要求1所述的一种大功率半导体器件的制造装置，其特征在于：所述分隔座（3）底端开凿有收集孔（23），所述收集孔（23）内壁固定连接有多个均匀分布的侧向导板（24），所述收集框（25）外端固定连接有拉杆（2501），所述拉杆（2501）表面刻有防滑纹，所述收集框（25）位于收集孔（23）正下侧，所述收集框（25）与重金属去除箱（1）的内底端和分隔座（3）的底端相抵，所述收集框（25）上端开凿有竖向通孔（26），所述收集框（25）外端开凿有侧向通孔（27），所述侧向通孔（27）内壁固定连接有过滤网（28），所述竖向通孔（26）内壁卡接有棉布袋（29），所述棉布袋（29）位于收集框（25）内。

4.根据权利要求1所述的一种大功率半导体器件的制造装置，其特征在于：所述重金属去除箱（1）上端安装有第一封闭门（101），所述重金属去除箱（1）右端安装有第二封闭门（102），所述第二封闭门（102）位于分隔座（3）下侧。

5.根据权利要求1所述的一种大功率半导体器件的制造装置，其特征在于：所述溶液箱（2）上端开凿有添加孔，所述添加孔内螺纹连接有密封塞（201）。

6.根据权利要求1所述的一种大功率半导体器件的制造装置，其特征在于：所述固定柱（7）和柱形气囊（8）之间固定连接有限位圆板（701），所述限位圆板（701）位于外放置框（9）内且与外放置框（9）的左右内壁相抵，所述限位圆板（701）和外放置框（9）相互接触处均设有抛光层。

7.根据权利要求1所述的一种大功率半导体器件的制造装置，其特征在于：所述外放置框（9）外端固定连接有外延板（901），所述外延板（901）位于每相邻的两个插孔（10）之间。

8.根据权利要求1所述的一种大功率半导体器件的制造装置，其特征在于：所述活动杆（11）由不锈钢材质制成，所述活动杆（11）表面涂设有防锈漆。

9.根据权利要求2所述的一种大功率半导体器件的制造装置，其特征在于：所述外搅拌球囊（17）外端固定连接有多个均匀分布的半球形凸起（1701），所述半球形凸起（1701）由橡胶材质制成，所述外搅拌球囊（17）内设有细沙，所述细沙所占梯级为外搅拌球囊（17）内部体积的三分之一。

10.根据权利要求1-9任意一项所述的一种大功率半导体器件的制造装置的使用方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、通过重金属去除箱（1）内部的加热装置使得收集框（25）内的碳酸氢钙分解，并借助气泵（401）将二氧化碳气体抽入至溶液箱（2）内，从而使得焦性没食子酸蒸汽通过第二导管（5）回流到重金属去除箱（1）内，去除硅片表面的重金属元素；

S2、通过气体的流动使得外放置框（9）在重金属去除箱（1）内旋转，使得外延板（901）与外搅拌球囊（17）反复碰撞，并通过摩擦产热可以进一步的促进柱形气囊（8）的膨胀，促进硅片弹出，使得硅片表面的重金属被去除的更加充分；

S3、并通过收集框（25）将弹出的硅片收集，并通过收集框（25）内的碳酸钙粉末将硅片表面的水分吸收，提高硅片表面的纯净度。

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