CN111574062A - 一种氮化物红光玻璃及其应用 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种氮化物红光玻璃及其应用。所述氮化物红光玻璃由玻璃基体和CaAlSiN₃:Eu²⁺荧光粉组成；所述氮化物红光玻璃通过如下步骤制备：(1)将SiO₂、B₂O₃、CaO、Na₂O粉体原料按照组分配比称量，放入坩埚中混合均匀后加热熔融，淬冷获得前驱玻璃；(2)将前驱玻璃研磨成粉，加入一定量的CaAlSiN₃:Eu³⁺荧光粉，研磨、置于涂抹了纳米Al₂O₃层的坩埚中，放入高温熔融炉加热至750℃‑850℃并保温15‑25min使之熔融成型，使之随炉冷却获得氮化物红光玻璃。本发明提供了所述氮化物红光玻璃在制备白光LED器件中的应用，能提高白光LED器件的显色指数和光效。本发明的还提供了所述氮化物红光玻璃在制备LD器件中的应用，能提高激光饱和阈值和流明通量。

Description

一种氮化物红光玻璃及其应用

技术领域

本发明涉及一种氮化物红光玻璃及其在制备LED和LD器件中的应用，属于固体发光材料领域。

背景技术

白光LED之所以被作为新一代绿色照明光源，是因其节能、环保、长寿命等优点而获得广泛应用。如：室内照明、室外照明、显示器背光源、聚光灯、汽车前大灯、景观灯等领域，白光LED已成为人类日常生活中重要的组成部分。目前，商用白光LED主要使用蓝光LED芯片与黄色荧光粉组合封装在一起实现的，这种方式具有制备工艺简单、驱动电路简单、成本低廉、封装光效高、可靠性高等优点。并且其形成的白光光谱中只有蓝光和黄光两种颜色，缺少红光部分，因此，该方式得到的白光LED、的显色指数较低，不适合应用于室内照明。同时这种商用白光LED需要将荧光粉分散在硅胶或环氧树脂中，由于封装的环氧树脂/硅胶导热性和化学稳定性较差、玻璃化转变温度较低，但使用大功率白光LED时会出现一些问题，大功率白光LED发光伴随产生大量的热使硅胶的甲基官能团解离，键断裂产生的缺陷会使得环氧树脂/硅胶容易发生老化泛黄，造成LED色偏，光效下降，严重缩短白光LED器件的使用寿命。因此，有必要研发发光效率高、显色指数高、热稳定性好、物化性能稳定的新型荧光转换材料，以满足大功率LED的发展需求。

为了解决上述存在的问题，科研工作者对此进行深入研究并提出了多种荧光粉封装技术。一是使用透明玻璃作为荧光粉的载体，即通过丝网印刷、悬涂、浸涂、电泳沉积荧光粉等在载体上面。二是利用丝网印刷技术制备荧光膜；三是使用低熔点玻璃作为封装荧光粉的基质，简称Pi G(Phosphor-in-glass)。Yang Peng等人(Journal ofAlloys andCompounds 693(2017)279e284)报道了用丝网印刷制备了扇形片和同心环形的PIG应用于白光LED，但是制备工艺流程较复杂。韩国的Kim等人(J.Am.Ceram.Soc.100(2017)5186)报道了B₂O₃-R₂O-ZnO-SiO₂-P₂O₅(R＝K,Na)低熔点玻璃中共掺发红光的CaAlSiN₃:Eu²⁺和发黄光的Ce:YAG荧光粉，但因其采用先静压成型再烧结的方法制备，工艺复杂，制得的样品透明性差，发光性能有待进一步改进，其中还存在较多气孔，散热性不好。其中，第三种将荧光粉封装在低熔点玻璃基质中，基质稳定、散热性好、强度高、发光效率高，运用在大功率LED具有独特的优势。制备PiG有两种方法：玻璃析晶和低温共烧结，其中低温共烧结因工艺简单、成本低，成为目前主流的制备方法。

然而，目前采用低温共烧结制备PiG时，掺杂荧光粉的种类一般为氧化物荧光粉，而对(氧)氮化物荧光粉与玻璃粉共烧结制备PiG的报道非常少，这可能是由于氮化物荧光粉CaAlSiN₃:Eu²⁺、Ca₂Si₅N₈:Eu²⁺等在制备过程中易与玻璃基质发生反应，导致荧光粉降解。但是，在目前所用到的红色的荧光粉中，氮化物红色荧光粉具有最佳的耐热稳定性、量子效率和化学稳定性。因此，为了获得大功率的暖白光LED，亟需制备红色氮化物荧光粉与低熔点玻璃复合材料。本发明的氮化物红光玻璃是一种由玻璃和荧光粉复合材料，它综合了玻璃与荧光粉材料的优点，具有制备方法简单，热稳定性和物化学稳定性高，耐候性好，使用寿命长的优势。与硅胶相比，具有较好的热导率，有望替代常规的荧光粉与蓝光LED芯片构成白光LED器件。

专利CN103183473A“用于白光LED的Ce:YAG微晶玻璃及其制备方法”公开了含Ce:YAG微晶的低熔点微晶玻璃的制备方法。但因该材料中只含发黄光的Ce:YAG微晶，缺少红光成分，导致与蓝光LED芯片封装后的白光LED器件显色指数不高。专利CN110117160A“一种微晶玻璃及其制备方法和应用”公开了在氧化物玻璃基体中镶嵌了Ce:YAG和CaAlSiN₃:Eu²⁺两种荧光粉的微晶玻璃，其采用了两步熔体急冷法制备，其制备出的样品的性能相对传统的微晶玻璃提高了，但是因为其掺入CaAlSiN₃:Eu²⁺的浓度较低，LED的显色指数提高的幅度不大。这是因为CaAlSiN₃:Eu²⁺荧光粉浓度过高，与玻璃基体熔融时会产生大量的气泡无法消解，而导致微晶玻璃无法成型或者出现疏松不规则形状。

简而言之，现有的白光LED用低熔点荧光微晶玻璃的发明专利已有一些，但由于材料组分设计不合理等原因，其发光性能仍有待改进。

与蓝色发光二极管(LED)相比，蓝色激光二极管(LD)在高亮度照明应用中具有许多优势。令人惊讶的是，蓝色LD没有不可避免的“效率下降”，即使在高达25kW cm^-2的输入激光功率密度下，也可以保持高效率，而LED的峰值效率仅为3Wcm^-2。鉴于此，通过与荧光转换器结合使用LD代替LED可以产生超高亮度白光，荧光转换器已成为新兴的技术，适用于各种高亮度应用，包括投影仪，显示器，汽车前灯和普通照明。考虑到高通量激光照射和热侵袭的影响，荧光转换器的热性能是激光照明的主要技术参数。为了解决耐热性和导热率低(0.1-0.4Wm^-1K^-1)的有机粘合剂的缺点，高密度的荧光粉陶瓷(5-15Wm^-1K^-1)和玻璃中的荧光粉(PiG)(0.8-2Wm^-1 K^-1)荧光粉分散在玻璃基质中可能是适合高功率激光激发的颜色转换器。目前采用低温共烧结制备PiG时，掺杂荧光粉的种类一般为氧化物荧光粉，而对(氧)氮化物荧光粉与玻璃粉共烧结制备PiG的报道较少，这可能是由于氮化物荧光粉CaAlSiN₃:Eu^{2 +}、Ca₂Si₅N₈:Eu²⁺等在制备过程中易与玻璃基质发生反应，导致荧光粉降解。但是，在目前所用到的红色的荧光粉中，氮化物红色荧光粉具有最佳的耐热稳定性、量子效率和化学稳定性。因此，为了获得适合应用大功率LD的荧光粉，亟需制备红色氮化物荧光粉与低熔点玻璃复合材料。本发明的氮化物红光玻璃(R-PiG))是一种由玻璃和荧光粉复合材料，它综合了玻璃与荧光粉材料的优点，具有制备方法简单，热稳定性和物化学稳定性高，耐候性好，使用寿命长的优势。与硅胶相比，具有较好的热导率，有望替代常规的荧光粉与蓝光LED芯片构成LD器件。

2016年，Li等人通过使用快速烧结技术(SPS)成功合成了半透明的CaAlSiN₃:Eu²⁺陶瓷。它的外部量子效率达到60％，热稳定性比粉末高15％。当入射功率密度从20Wcm^-2增加到150Wcm^-2时，其恒定的高光效率为42.2lmW^-1。同年，李等人在蓝色激光通量密度为0.75Wmm^-2的条件下，制造了半透明的CaAlSiN₃:Eu²⁺陶瓷，其发光效率达到了10.6lmW^-1，这表明CaAlSiN₃:Eu²⁺陶瓷有望在激光照明和显示技术成为新兴的潜在颜色转换器。与荧光陶瓷相比，PiG引起了人们的广泛关注，通过组合多种荧光粉和玻璃成分可以轻松控制PiG的发光。此外，在制造过程中，为保持所含荧光粉的高性能，低温合成PiG(<900℃)是更好的选择。另一方面，在高温(>1500℃)下很难控制荧光粉陶瓷的发光和微观结构。最近，Zhu等人[Journal ofAlloys and Compounds,702(2017)193-198]通过在ZnO-B₂O₃-BaO-Al₂O₃玻璃体系中分散的CaAlSiN₃:Eu²⁺荧光粉成功制备了一系列低浓度红光透明玻璃，最大外部量子效率为43％。在0.5Wmm^-2的蓝色激光通量密度下，最大流明通量可达到39lm。这篇文章主要研究的是低浓度的红色PiG，就CaAlSiN₃:Eu²⁺荧光粉的性质而言，高浓度的红色PiG是否能够实现存在挑战意义。并且此处激光饱和阈值较低，有提升空间。

据我们所知，关于在高功率激光照明中使用PiG材料作为颜色转换器的报道很少，基于CaAlSiN₃:Eu²⁺荧光粉的出色性能，CaAlSiN₃:Eu²⁺PiG材料有潜力成为最适合大功率蓝色激光激发的红色转换器之一。而目前，现有的蓝光激发LD用低熔点氮化物荧光微晶玻璃的发明专利很少。

本发明提出了一种基于新的组分配方的氮化物红光玻璃的制备和应用，有望于发展一种优良的、可应用于高显色指数白光LED和高激光饱和阈值LD器件的材料。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种发光强度高、亮度高、熔制温度低、产品颜色稳定、色彩还原性好、水热稳定性及化学稳定优良的氮化物红光玻璃。

本发明的第二个目的是提供所述氮化物红光玻璃在制备白光LED器件中的应用，以提高白光LED器件的显色指数和光效。

本发明的第三个目的是提供所述氮化物红光玻璃在制备LD器件中的应用，以提高激光饱和阈值和流明通量。

本发明为解决上述问题所采用的技术方案：

第一方面，本发明提供了一种氮化物红光玻璃，所述氮化物红光玻璃由玻璃基体和CaAlSiN₃:Eu²⁺荧光粉组成；其中，所述玻璃基体的组成为：40-50wt％SiO₂，20-30wt％B₂O₃，1-15wt％CaO，1-20wt％Na₂O，各组分质量分数之和为100％；所述氮化物红光玻璃的显微结构特征为CaAlSiN₃:Eu²⁺荧光粉镶嵌在所述玻璃基体中，所述氮化物红光玻璃中CaAlSiN₃:Eu²⁺荧光粉的质量百分比含量为5-50Wt％；

所述的氮化物红光玻璃通过如下步骤制备：

(1)原料的混合：将SiO₂、B₂O₃、CaO、Na₂O粉体原料按照组分配比称量，放入坩埚中混合均匀后加热到1300-1500℃，保温5-20min，熔融淬冷，获得前驱玻璃；

(2)制备：将步骤(1)获得的前驱玻璃研磨成粉，加入一定量的CaAlSiN₃:Eu³⁺荧光粉，研磨、置于涂抹了纳米Al₂O₃层的坩埚中，放入高温熔融炉加热至750℃-850℃并保温15-25min使之熔融成型，使之随炉冷却获得氮化物红光玻璃。

本发明所述氮化物红光玻璃的制备方法，由于选择了SiO₂-B₂O₃-CaO-Na₂O玻璃基体，使得CaAlSiN₃:Eu²⁺荧光粉分散在此玻璃基质中形成PiG后，其性能几乎不受其影响。作为优选，所述玻璃基体的组成为：45-50wt％SiO₂，23-27wt％B₂O₃，7-12wt％CaO，14-18wt％Na₂O；最优选所述玻璃基体由16份B₂O₃、30份SiO₂、10份Na₂O和6份CaO制成。

本发明所述氮化物红光玻璃的制备方法，使得随着CaAlSiN₃:Eu²⁺荧光粉含量的增加，红光玻璃的发光强度随之增加。作为最优选，所述氮化物红光玻璃中CaAlSiN₃:Eu²⁺荧光粉的质量百分比含量为10wt％。

本发明中，使用涂抹了纳米Al₂O₃层的坩埚是为了制备的样品容易脱模获得，纳米Al₂O₃层起了隔离的作用。作为优选，所用的坩埚为刚玉坩埚。

作为优选，步骤(1)中，熔融温度为1350℃，保温时间为10min。

作为优选，步骤(2)中，熔融温度为750-850℃，其中800℃烧制的红光玻璃最佳。

作为优选，步骤(2)中，熔融时间为15-35分钟，其中25min烧制的红光玻璃最佳。

本发明所制备的氮化物红光玻璃形状可以是平面、凹面、凸面，并可进行、切割、研磨、抛光，并不会影响其性质。

第二方面，本发明提供了所述氮化物红光玻璃在制备蓝光LED芯片激发的白光LED器件中的应用。

第三方面，本发明提供了所述氮化物红光玻璃在制备蓝光LD芯片激发的LD器件中的应用。

本发明的优点是：

(1)与现有技术相比，本发明以B₂O₃-SiO₂-Na₂O-CaO作为基质玻璃体系，加入CaAlSiN₃:Eu²⁺荧光粉，通过高温熔融工艺，不用气氛保护在空气中制备得到了氮化物红光玻璃。该工艺制备的氮化物红光玻璃发光强度高、亮度高、熔制温度低、产品颜色稳定、显色指数高、色彩还原性好、水热稳定性及化学稳定优良。此外，按照本发明制备方法得到的氮化物红光玻璃工艺简单，成本低，适于工业化生产。

(2)利用本发明所述氮化物红光玻璃制得的白光LED器件具有高显色指数和高光效。

(3)利用本发明所述氮化物红光玻璃制得的白光LED器件具有高激光饱和阈值和流明通量。

下面结合说明书附图和具体实施方式对本发明做进一步介绍。

附图说明

图1：(a)为实施例1制备的不同CaAlSiN₃:Eu²⁺掺杂量的R-PiG样品在常光和紫外下的照片，(b)为R-PiG的荧光(PL)图，(c)为R-PiG的X射线衍射(XRD)图；

图2为实施例1制备的CaAlSiN₃:Eu²⁺R-PiG的外量子效率(EQE)图；

图3为实施例1制备的10wt％CaAlSiN₃:Eu²⁺R-PiG的HRTEM图；

图4：(a)和(b)分别为实施例1制备的10wt％CaAlSiN₃:Eu²⁺R-PiG与CaAlSiN₃:Eu²⁺荧光粉水稳定性图；

图5为热稳定性图，其中：(a)和(c)显示CaAlSiN₃:Eu²⁺荧光粉的热稳定性，(b)和(d)显示实施例1制备的10wt％CaAlSiN₃:Eu²⁺R-PiG的热稳定性；

图6：(a)为实施例1制备的B₂O₃-SiO₂-Na₂O-CaO前驱玻璃的SEM图，(b)为CaAlSiN₃:Eu²⁺荧光粉的SEM图，(c)为实施例1制备的10wt％CaAlSiN₃:Eu²⁺R-PiG的SEM图；

图7为实施例1制备的10wt％CaAlSiN₃:Eu²⁺R-PiG与LuAG荧光粉匹配的LED图；

图8：(a)为实施例1制备的10wt％CaAlSiN₃:Eu²⁺R-PiG不同厚度的透过图；(b)为0.2mm厚度的不同CaAlSiN₃:Eu²⁺掺杂量的R-PiG的透过图；

图9为本发明的反射类型的蓝光激光器驱动的测量装置的图示，右下方的照片是红色的激光图像；

图10：(a)和(b)是随入射激光功率密度的变化而变化的10wt％CaAlSiN₃:Eu²⁺R-PiG样品的电致发光光谱，(c)和(d)是不同R-PiG样品的光通量相对于入射功率的变化图，(e)和(f)是不同R-PiG样品的光通量与入射激光功率密度的关系图。

具体实施方式

下面通过实施例对本发明进行具体的描述，只用于对本发明进行进一步说明，不能理解为对本发明保护范围的限定，该领域的技术工程师可根据上述发明的内容对本发明作出一些非本质的改进和调整。

实施例1

称取16gB₂O₃、30gSiO₂、10gNa₂O、6gCaO进行混合研磨均匀，装入刚玉坩埚后放置于高温炉中，升温至1350℃，保温10min，倒入冷水中淬冷，获得前驱玻璃。获得的前驱玻璃研磨成粉，分别加入CaAlSiN₃:Eu²⁺荧光粉使荧光粉质量占荧光粉与前驱玻璃总质量的5％、10％、20％、30％、40％、50％，研磨、置于涂抹了纳米Al₂O₃层的坩埚中，放入高温熔融炉加热800℃并保温10min使之熔融成型，使之随炉冷却获得氮化物红光玻璃。其XRD、荧光图如图1所示，EQE图如图2所示。XRD图谱显示了CaAlSiN3：Eu²⁺的纯晶相，与荧光粉和标准卡片的相符(PDF#39-0747)。此外，随着CaAlSiN₃：Eu²⁺荧光粉含量的增加，XRD图谱的衍射峰逐渐增强。PL图谱显示随着玻璃基质中CaAlSiN₃：Eu²⁺荧光粉浓度的增加，R-PiG荧光强度逐渐增加。此外，所有的R-PiG样品均显示出位于620nm的宽发射带，这归因于CaAlSiN₃晶格中Eu²⁺离子从最低的4f⁶5d¹激发态到4f⁷基态的电子跃迁。图2所示与荧光粉(EQE＝65％)相比，R-PiG样品测得的外量子效率不可避免地下降，这主要归因于入射激发光子部分被玻璃基质吸收。但是，令人惊喜的是，50wt％的R-PiG材料的量子效率达53％，与CaAlSiN₃：Eu²⁺荧光粉(65％)相比，它仍然保持82％的效率。此外，EQE与发光强度具有相似的趋势。

对比例1

称取16gB₂O₃、30gSiO₂、10gNa₂O、6gCaO进行混合研磨均匀，装入刚玉坩埚后放置于高温炉中，升温至1350℃，保温10min，倒入冷水中淬冷，获得前驱玻璃。获得的前驱玻璃研磨成粉，分别加入CaAlSiN₃:Eu²⁺荧光粉使荧光粉质量占荧光粉与前驱玻璃总质量的60％、70％、80％、90％，研磨、置于涂抹了纳米Al₂O₃层的坩埚中，放入高温熔融炉加热800℃并保温10min，随炉冷却后发现所有样品无法规律成型，其有很多气孔，疏松不规则，并且随着CaAlSiN₃:Eu²⁺荧光粉掺杂量的增加，样品气孔越大并出现发黑。

对比例2

按30wt％B₂O₃-30wt％SiO₂-40wt％ZnO比例称量各物质进行混合研磨均匀，装入刚玉坩埚后放置于高温炉中，升温至1350℃，保温10min，倒入冷水中淬冷，获得前驱玻璃。获得的前驱玻璃研磨成粉，分别加入CaAlSiN₃:Eu²⁺荧光粉使荧光粉质量占荧光粉与前驱玻璃总质量的5％、10％、20％、30％、40％、50％，研磨、置于涂抹了纳米Al₂O₃层的坩埚中，放入高温熔融炉加热800℃并保温10min，随炉冷却后发现所有样品无法规律成型，其有很多气孔，疏松不规则。

实施例2

将按照实施例1方法制备的10wt％CaAlSiN3：Eu²⁺的氮化物红光玻璃和CaAlSiN₃：Eu²⁺荧光粉分别浸泡在水中静置1、20、40、80天，观察两者的发光情况。结果如图4所示，随着时间的增长，浸泡在水中的荧光粉发光逐渐变暗，而制备的氮化物红光玻璃发光基本不变。

实施例3

将按照实施例1方法制备的氮化物红光玻璃与CaAlSiN₃：Eu²⁺荧光粉做热稳定性实验。图5显示了在450nm激发下CaAlSiN₃：Eu²⁺荧光粉和R-PiG随温度变化的PL光谱(298K-573K)。如图5的(c)、(d)所示，将CaAlSiN₃：Eu²⁺荧光粉和R-PiG的热稳定性定义为高温下的PL强度与室温下的PL强度之比。如图5的(a)、(b)所示，两个样品的PL强度都随温度的升高而降低，这是由于热淬灭过程所引起的，在该过程中，激发态的能量通过非辐射热松弛回到基态。此外，如图5的(c)、(d)所示，CaAlSiN₃：Eu²⁺荧光粉的相对PL强度可以保留超过87％，而R-PiG可以保留超过94％。

实施例4

将按照实施例1方法制备的氮化物红光玻璃10％CaAlSiN₃:Eu²⁺R-PiG切割成0.1mm薄片与LuAG-520绿粉、商业460GaN蓝光LED芯片耦合，调节电流为10-50mA、发出明亮的白光。

结果如图7所示。结果表明，该氮化物红光玻璃在460nm蓝光激发下，配上商业LuAG-520绿粉可调谐发出白光。并通过调节电流10mA-50mA，发现该LED发光稳定性好，色坐标基本集中在正白光区域，表1为调节电流从10mA-50mA的变化参数。说明本发明的氮化物红光玻璃稳定性能好，适用于蓝光LED芯片激发的高显色指数白光LED器件。

表1

实施例5

将按照实施例1方法制得的氮化物红光玻璃(R-PiG)切割成0.1-0.5mm的薄片与蓝光LD芯片耦合，该氮化物红光玻璃(R-PiG)在450nm蓝光LD激发下，调节功率密度，测试不同厚度和CaAlSiN₃:Eu²浓度的R-PiG的激光饱和阈值。

测试装置如图9所示，测试结果如图10所示。结果表明，如图10的(f)所示，所有厚度为0.2mm的CaAlSiN₃：Eu²⁺浓度不同的样品均显示出明显的亮度饱和，在达到入射功率密度阈值后，光通量急剧下降。其中，10％wt的R-PiG在1.63W/mm²的激光入射功率下可以达到42.8lm的最大光通量。如图10的(e)所示，阈值很大程度上取决于样品的厚度。样品的厚度从0.1mm变化到0.5mm，随着样品厚度的增加，发光饱和度阈值先增大然后减小。当样品厚度为0.4mm时，在1.90W/mm²的激光入射功率下可以达到49.27lm的最大光通量。实验结果表明本发明的适合的厚度和CaAlSiN₃:Eu²浓度的红光玻璃(R-PiG)能达到较高的饱和阈值，该R-PiG在蓝光LD转换器上有潜在的应用。

本发明并不局限于上述实施方式，如果对本发明的各种变动或修饰不脱本发明的精神和范围，倘若这些改动和修饰属于本发明的权利和要求等同技术范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变形。

Claims (9)

1.一种氮化物红光玻璃，所述氮化物红光玻璃由玻璃基体和CaAlSiN₃:Eu²⁺荧光粉组成；其特征在于：所述玻璃基体的组成如下：40-50wt％SiO₂，20-30wt％B₂O₃，1-15wt％CaO，1-20wt％Na₂O，各组分质量分数之和为100％；所述氮化物红光玻璃的显微结构特征为CaAlSiN₃:Eu²⁺荧光粉镶嵌在所述玻璃基体中，所述氮化物红光玻璃中CaAlSiN₃:Eu²⁺荧光粉的质量百分比含量为5-50Wt％；

所述的氮化物红光玻璃通过如下步骤制备：

(1)原料的混合：将SiO₂、B₂O₃、CaO、Na₂O粉体原料按照组分配比称量，放入坩埚中混合均匀后加热到1300-1500℃，保温5-20min，熔融淬冷，获得前驱玻璃；

(2)制备：将步骤(1)获得的前驱玻璃研磨成粉，加入一定量的CaAlSiN₃:Eu³⁺荧光粉，研磨、置于涂抹了纳米Al₂O₃层的坩埚中，放入高温熔融炉加热至750℃-850℃并保温15-25min使之熔融成型，使之随炉冷却获得氮化物红光玻璃。

2.如权利要求1所述的氮化物红光玻璃，其特征在于：所述玻璃基体的组成为：45-50wt％SiO₂，23-27wt％B₂O₃，7-12wt％CaO，14-18wt％Na₂O。

3.如权利要求1所述的氮化物红光玻璃，其特征在于：所述玻璃基体由16份B₂O₃、30份SiO₂、10份Na₂O和6份CaO制成。

4.如权利要求1-3之一所述的氮化物红光玻璃，其特征在于：所述氮化物红光玻璃中CaAlSiN₃:Eu²⁺荧光粉的质量百分比含量为10wt％。

5.如权利要求1-3之一所述的氮化物红光玻璃，其特征在于：步骤(1)中，熔融温度为1350℃，保温时间为10min。

6.如权利要求1-3之一所述的氮化物红光玻璃，其特征在于：步骤(2)中，熔融温度为750-850℃，熔融时间为15-35分钟。

7.如权利要求1-3之一所述的氮化物红光玻璃，其特征在于：步骤(2)中，熔融温度为800℃，熔融时间为25min。

8.如权利要求1所述的氮化物红光玻璃在制备蓝光LED芯片激发的白光LED器件中的应用。

9.如权利要求1所述的氮化物红光玻璃在制备蓝光LD芯片激发的LD器件中的应用。

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