CN111573274B - 纳米晶材料检测设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种纳米晶材料检测设备，包括检测平台和厚度检测装置，所述厚度检测装置包括：支架，所述支架设置在所述检测平台的一侧；位移传感器，所述位移传感器设置在所述纳米晶材料的上方，用于检测所述检测平台承载纳米晶材料与未承载纳米晶材料之间的高度差，并基于所述高度差确定所承载的纳米晶材料的厚度；升降装置，所述升降装置设置在所述支架上且连接所述位移传感器，用于带动所述位移传感器进行升降运动。根据本发明的纳米晶材料检测设备，能够自动化且快速地进行纳米晶材料的转移并对纳米晶材料进行厚度检测、二维尺寸检测及电性能检测。

Description

纳米晶材料检测设备

技术领域

本发明涉及纳米晶检测领域，具体涉及纳米晶材料检测设备。

背景技术

通常纳米晶材料的厚度和二维尺寸通过游标卡尺检测，需要一片片取出纳米晶材料，手动操作游标卡尺对纳米晶材料进行检测，再放回纳米晶材料，效率比较慢，浪费人力，且操作过程容易污染和损坏纳米晶材料；

而且，过程需要对纳米晶多个项目进行检测，例如纳米晶材料电性能、二维尺寸和厚度进行检测，手动搬运纳米晶材料进行各个项目的检测，过程速度很慢，产能很低。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种纳米晶材料检测设备，能够自动化且快速地进行纳米晶材料的转移并对纳米晶材料进行厚度检测、二维尺寸检测及电性能检测。

为解决上述技术问题，本发明提供一种纳米晶材料检测设备包括检测平台和厚度检测装置，所述检测平台用于承载待检测用纳米晶材料，所述厚度检测装置用于对所述检测平台上的纳米晶材料进行厚度检测，

所述厚度检测装置包括：

支架，所述支架设置在所述检测平台的一侧；

位移传感器，所述位移传感器设置在所述纳米晶材料的上方，用于检测所述检测平台承载纳米晶材料与未承载纳米晶材料之间的高度差，并基于所述高度差确定所承载的纳米晶材料的厚度；

升降装置，所述升降装置设置在所述支架上且连接所述位移传感器，用于带动所述位移传感器进行升降运动。

进一步地，所述升降装置包括：

压板，所述压板表面形成有贯穿孔，所述位移传感器的至少一部分穿过所述贯穿孔以与纳米晶材料接触；

驱动件，所述驱动件设置在所述支架上且连接所述压板，以驱动所述压板进行升降运动。

进一步地，所述位移传感器包括：

位移传感器主体，所述位移传感器主体安装在所述支架上；

探头，所述探头位于所述位移传感器的下端且可上下活动，所述探头卡套在所述贯穿孔位置且其底端突出所述贯穿孔。

进一步地，在所述压板的下表面的四周设置有柔性挡条，以围绕在所述纳米晶材料的四周。

进一步地，纳米晶材料检测设备还包括：

第一转盘，所述检测平台设置在所述第一转盘周向上，所述厚度检测装置与所述第一转盘相对设置，通过旋转所述第一转盘能够使得所述检测平台在接转料工位和厚度检测工位之间转换；

第一驱动装置，所述第一驱动装置设置在所述第一转盘的底部且连接所述第一转盘，用于驱动所述第一转盘转动。

进一步地，纳米晶材料检测设备还包括二维尺寸检测装置，用于对纳米晶材料的二维尺寸进行检测，所述二维尺寸检测装置围绕所述第一转盘设置且与所述厚度检测装置间隔开，通过旋转所述第一转盘还能够使得所述检测平台转动至尺寸检测工位，以进行二维尺寸检测，

其中，所述二维尺寸检测装置包括：

相机，所述相机与所述检测平台相对设置，用于采集纳米晶材料的图像；

计算装置，所述计算装置用于根据所述相机采集的所述纳米晶材料的图像计算出纳米晶材料的二维尺寸。

进一步地，所述相机有两个，其中一个所述相机设置在所述检测平台的上方，另一个所述相机设置在所述检测平台的下方。

进一步地，纳米晶材料检测设备还包括纳米晶材料电性能检测装置、第二转盘、第二驱动装置，

所述纳米晶材料电性能检测装置围绕所述第二转盘设置，包括：升降平台、驱动装置、电检测单元及压力检测装置，所述升降平台设置在所述第二转盘的周向，用于承载纳米晶材料以进行电性能检测，所述驱动装置与所述升降平台相连，用于驱动所述升降平台进行升降运动，所述电检测单元设置在所述升降平台的上方且所述压力检测装置连接所述电检测单元，所述压力检测装置用于检测所述电检测单元与纳米晶材料之间的压力，所述电检测单元用于检测在所述压力状态下的所述纳米晶材料的电性能；

所述第二转盘设置在所述第一转盘的上游，所述升降平台设置在所述第二转盘的周向，通过旋转所述第二转盘能够使得所述升降平台到达接料工位、电性能检测工位及转料工位；

所述第二驱动装置设置在所述第二转盘的底部且连接所述第二转盘，用于驱动所述第二转盘转动；

所述转移装置设置在所述第一转盘和所述第二转盘的同一左侧或右侧，包括用于吸附纳米晶材料的吸盘及驱动所述吸盘进行移动的电机，以将承载在所述升降平台的纳米晶材料转移至所述检测平台，并将承载在所述检测平台的纳米晶材料转移出所述第一转盘。

进一步地，纳米晶材料检测设备还包括：

下料暂存平台，所述下料暂存平台设置在所述第一转盘的后侧，用于承载经过所述转移装置移出所述第一转盘的所述纳米晶材料；

所述转移装置至少包括两个具有第一预定间隔的吸盘，以将承载在所述升降平台的纳米晶材料转移至所述检测平台，同步将承载在所述检测平台的纳米晶材料转移至所述下料暂存平台。

进一步地，纳米晶材料检测设备还包括：

转盘缓存平台，所述转盘缓存平台设置在所述转移装置的一侧，且面对所述第一转盘和所述第二转盘的间隔，用于存放纳米晶材料；

所述转移装置包括三个具有第二预定间隔的吸盘，以同步对所述升降平台、所述转盘缓存平台及所述检测平台的纳米晶材料进行转移。

本发明的上述技术方案至少具有如下有益效果之一：

根据本发明的纳米晶材料检测设备，包括厚度检测装置，能够简便且自动化地进行纳米晶材料的厚度进行检测，提升效率、增加产能、节省人力且避免人员手动检测纳米晶材料过程容易污染和损坏纳米晶材料的问题；

进一步地，纳米晶材料检测设备还包括二维尺寸检测装置，能够快速地进行纳米晶材料的二维尺寸进行检测，提升效率、增加产能、节省人力且避免人员手动检测纳米晶材料过程容易污染和损坏纳米晶材料的问题；

更进一步地，纳米晶材料检测设备还包括第一转盘、第二转盘和转移装置，能够自动化地移动纳米晶材料进行各项检测，避免了人工搬运纳米晶材料至各个检测装置而产生地效率低的问题。

附图说明

图1为根据本发明一实施例的纳米晶材料厚度检测装置、检测平台、第一转盘、第一驱动装置的结构示意图；

图2为图1中的升降装置的结构示意图；

图3为根据本发明一实施例的纳米晶材料检测设备的结构示意图；

图4为图3中的转移装置的结构示意图。

附图标记：

100、厚度检测装置；120、支架；130、位移传感器；140、升降装置；141、驱动件；142、压板；143、档条；200、检测平台；300、二维尺寸检测装置；400、纳米晶材料电性能检测装置；410、升降平台；420、纳米晶材料电性能检测装置主体；510、第二转盘；520、第二驱动装置；610、第一转盘；620、第一驱动装置；700、下料暂存平台；800、转盘缓存平台；900、转移装置；910、电机；920、吸盘。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

除非另作定义，本发明中使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也相应地改变。

下面，参考附图说明根据本发明实施例的纳米晶材料检测设备。

如图1和图2所示，根据本发明的纳米晶材料检测设备包括检测平台200和厚度检测装置100。

首先，说明检测平台200。

检测平台200用于承载待检测用纳米晶材料，以便于进行检测。检测平台200可以为具有吸附孔的真空吸附平台，使得纳米晶材料与检测平台200紧密接触，更有利于进行检测。

接着，说明厚度检测装置100。

厚度检测装置100用于对检测平台上的纳米晶材料进行厚度检测，厚度检测装置100包括：支架120、位移传感器130及升降装置140。

其中，支架120设置在检测平台200的一侧。支架120可以采用通过螺丝或螺栓安装在安装面(设备或地面)上。由此，能够提供稳定的支撑，便于其他部件的设置。

位移传感器130设置在纳米晶材料的上方，用于检测检测平台200承载纳米晶材料与未承载纳米晶材料之间的高度差，并基于高度差确定所承载的纳米晶材料的厚度。

在检测过程中，可以预先通过位移传感器130检测未承载纳米晶材料的检测平台200的高度，记做L1，当检测平台200上承载有纳米晶材料，位移传感器130接触纳米晶材料并检测承载纳米晶材料的检测平台200的高度，记做L2，则纳米晶材料的厚度记做H，通过H＝L2-LI计算出来。

升降装置140设置在支架120上且连接位移传感器130，用于带动位移传感器130进行升降运动。

通过设置在支架120上的升降装置140带动位移传感器130上升，以便于纳米晶材料转移至位移传感器130下方，升降装置140带动位移传感器130下降，并接触纳米晶材料，通过位移传感器130进行厚度检测。

以上形成的纳米晶材料检测设备，检测平台200承载纳米晶材料，设置在支架120上的升降装置140带动位移传感器130进行下降，并计算出纳米晶材料的厚度，当检测结束，升降装置140带动位移传感器130进行上升，以便下一片进行检测。由此，能够简便且自动化地进行纳米晶材料的厚度进行检测，提升效率、增加产能、节省人力且避免人员手动检测纳米晶材料过程容易污染和损坏纳米晶材料的问题。

根据本发明一些实施例，升降装置140包括压板142和驱动件141。

压板142表面形成有贯穿孔，位移传感器130的至少一部分穿过贯穿孔以与纳米晶材料接触。

驱动件141设置在支架120上且连接压板142，以驱动压板142进行升降运动。

其中，驱动件141可以是气缸、电机等。

也就是说，通过驱动件141带动压板142进行升降运动，从而带动位移传感器130的升降运动。由此，能够使得位移传感器130的升降运动更加稳定。

进一步地，位移传感器130包括：位移传感器主体和探头。

位移传感器主体安装在支架120上。

探头位于位移传感器130的下端且可上下活动，探头卡套在贯穿孔位置且其底端突出贯穿孔。

以下通过举例说明探头卡套贯穿孔的结构，例如，探头的下端的直径小于贯穿孔的直径，探头的下端以上部分的直径大于贯穿孔的直径。再例如，贯穿孔下部形成窄结构且上部形成宽结构，探头的下端穿过贯穿孔的窄结构，探头的下端的上部(如圆柱体)与贯穿孔的宽结构形成卡套结构(如与上述圆柱体直径一致的圆柱形凹槽)。

由于探头卡套在贯穿孔，压板142的升降可以带动探头的升降，而不需要位移传感器130整体升降。由此，能够避免位移传感器130整体频繁升降过程中，位移传感器130相对升降装置140发生相对移动，造成检测不准确的情况。

更进一步地，在压板142的下表面的四周设置有柔性挡条143，以围绕在纳米晶材料的四周。

柔性挡条143的材料可以为硅胶、橡胶、聚氨酯等。可选地，柔性档条的厚度大于或等于纳米晶材料的厚度，在压板142下压的过程中，就不存在压板142直接压在纳米晶材料的情况。由此，能够避免压板142压碎纳米晶的情况，而且，柔性材料具有一定的柔性，避免使用刚性材料的挡边频繁地下压台面，导致台面损伤的情况。由此，能够增加厚度检测装置100是使用寿命。

根据本发明一些实施例，纳米晶材料检测设备还包括第一转盘610和第一驱动装置620。

首先，说明第一转盘610。

检测平台200设置在第一转盘610周向上，厚度检测装置与第一转盘610相对设置，通过旋转第一转盘610能够使得检测平台200在接转料工位和厚度检测工位之间转换。

所谓转接料工位为第一转盘610接收纳米晶材料和将纳米晶材料转移出第一转盘610的位置，所谓厚度检测工位为进行纳米晶材料厚度检测的位置，即与厚度检测装置相对应。

接着，说明第一驱动装置620。

第一驱动装置620设置在第一转盘610的底部且连接第一转盘610，用于驱动第一转盘610转动。

第一驱动装置620可以为电机、液压机等，驱动转盘进行转动的结构为常用结构，在此不再详述。

以上形成的结构，通过第一驱动装置620驱动第一转盘610进行转动，从而带动承载纳米晶材料的检测平台200进行转动，当检测平台200转动到接转料工位可以进行接转料作业，当检测平台200转动至厚度检测工位可以进行厚度检测作业。例如，检测平台200在接转料工位接收来自第一转盘610外的纳米晶材料，第一驱动装置620驱动第一转盘610转动，检测平台200转动至厚度检测工位，承载在检测平台200的纳米晶材料进行厚度检测，第一驱动装置620驱动第一转盘610转动，检测平台200转动至接转料工位，以便其他装置将承载在检测平台200的纳米晶材料转移出第一转盘610。由此，能够自动化地将纳米晶材料进行接转料和纳米晶材料厚度的检测，避免了人工搬运纳米晶材料进行转移而产生地效率低的问题。

进一步地，纳米晶材料检测设备还包括二维尺寸检测装置300，用于对纳米晶材料的二维尺寸进行检测，二维尺寸检测装置300围绕第一转盘610设置且与厚度检测装置间隔开，通过旋转第一转盘610还能够使得检测平台200转动至尺寸检测工位，以进行二维尺寸检测。

所谓尺寸检测工位与二维尺寸检测装置300相对应，换言之进行二维尺寸检测的位置。由此，在第一转盘610的周围有接转料工位、厚度检测工位及尺寸检测工位，可以通过第一驱动装置620驱动检测平台200转动至接转料工位接收纳米晶材料，再转动至厚度检测工位进行厚度检测作业，再转动至尺寸检测工位进行二维尺寸检测，再转动至接转料工位，以便其他装置将纳米晶材料移出第一转盘610。以上对检测平台200的数量没有限定，可以只有一个检测平台200，也可以有4个检测平台200，4个检测平台200进行同步作业，根据效率要求进行选配，例如，如图1和图3所示，检测平台200有4个。

二维尺寸检测装置300包括相机和计算装置。

相机与检测平台200相对设置，用于采集纳米晶材料的图像。

相机可以设置在检测平台200的上方或下方，打开相机可以获取纳米晶材料的图像。

计算装置用于根据相机采集的纳米晶材料的图像计算出纳米晶材料的二维尺寸。通过采集图像进行计算二维尺寸的方法多种多样，例如，可以在纳米晶材料的图像中，确定纳米晶材料的边缘，在边缘选取多个特征点，对特征点进行连线，从而根据连线的长度确定纳米晶材料的尺寸等。

在二维尺寸检测过程中，检测平台200承载纳米晶材料转动至尺寸检测工位，相机对纳米晶材料进行拍照，从而形成纳米晶材料影像，计算装置根据纳米晶材料的影像计算出纳米晶材料的二维尺寸。由此，能够快速地进行纳米晶材料的二维尺寸进行检测，提升效率、增加产能、节省人力且避免人员手动检测纳米晶材料过程容易污染和损坏纳米晶材料的问题。

进一步地，相机有两个，其中一个相机设置在检测平台200的上方，另一个相机设置在检测平台200的下方。

两个相机可以对应在一个尺寸检测工位，即在此尺寸检测工位的上下方均设置相机，进行采集图像。两个相机也可以分别对应两个尺寸检测工位，一个尺寸检测工位对应一个相机，分别进行采集图像。

通过两个相机能够同步采集到纳米晶材料的上方和下方的图像，计算装置分别根据采集到的纳米晶材料的图像计算出纳米晶材料的尺寸。由此，能够对纳米晶材料的上表面的二维尺寸和下表面的二维尺寸进行检测，使得二维尺寸检测更加全面准确。

进一步地，纳米晶材料检测设备还包括第二转盘510、第二驱动装置520、纳米晶材料电性能检测装置400及转移装置900。

首先，说明纳米晶材料电性能检测装置400。

如图3所示，纳米晶材料电性能检测装置400围绕第二转盘510设置，包括：升降平台410、驱动装置、电检测单元及压力检测装置。图3中纳米晶材料电性能检测装置主体420为纳米晶材料电性能检测装置400不包含升降平台410的其余部件集合。升降平台410设置在第二转盘510的周向，用于承载纳米晶材料以进行电性能检测，驱动装置与升降平台410相连，用于驱动升降平台410进行升降运动，电检测单元设置在升降平台410的上方且压力检测装置连接电检测单元，压力检测装置用于检测电检测单元与纳米晶材料之间的压力，电检测单元用于检测在压力状态下的纳米晶材料的电性能。

接着，说明第二转盘510和第二驱动装置520。

第二转盘510设置在第一转盘610的上游，升降平台410设置在第二转盘510的周向，通过旋转第二转盘510能够使得升降平台410到达接料工位、电性能检测工位及转料工位。

第二驱动装置520设置在第二转盘510的底部且连接第二转盘510，用于驱动第二转盘510转动。

如图3所示，第二转盘510设置在第一转盘610的前侧(上游)。所谓接料工位为第二转盘510接收纳米晶材料的位置。所谓电性能检测工位为进行纳米晶材料电性能检测的位置，与纳米晶材料电性能检测装置400相对应。所谓转料工位为纳米晶材料待从第二转盘510移出的位置。第二驱动装置520可以为电机、液压机等。

通过第二驱动装置520驱动第二转盘510进行转动，可以带动升降平台410转动至接料工位进行接料，再转动至电性能检测工位进行纳米晶材料电性能检测，再转动至转料工位待其他装置将承载在升降平台410的纳米晶材料转移出第二转盘510。此处对升降平台410的数量没有限定，可以仅有一个升降平台410，也可以有多个升降平台410进行同步作业，例如，如图3所示，升降平台410有4个。

接下来，说明转移装置900。

转移装置900设置在第一转盘610和第二转盘510的同一左侧或右侧，包括用于吸附纳米晶材料的吸盘920及驱动吸盘920进行移动的电机910，以将承载在升降平台410的纳米晶材料转移至检测平台200，并将承载在检测平台200的纳米晶材料转移出第一转盘610。

如图4所示，设置在第一转盘610和第二转盘510共同右侧的转移装置900包括吸盘920和电机910，电机910驱动吸盘920进行运动，吸盘920吸附纳米晶材料，从而带动纳米晶材料进行移动。设备运转过程中，通常升降平台410和检测平台200上均承载纳米晶材料，通过吸盘920的吸附纳米晶材料，电机910驱动吸盘920运动，从而能够将承载在升降平台410的纳米晶材料转移至检测平台200，同步地，将承载在检测平台200上的纳米晶材料转移出第一转盘610。

由此，能够自动化快速地进行纳米晶材料电性能检测，并且将经过电性能检测的纳米晶材料快速地转移至检测平台200，以便于后续的厚度检测和二维尺寸检测。

进一步地，纳米晶材料检测设备还包括下料暂存平台700，下料暂存平台700设置在第一转盘610的后侧，用于承载经过转移装置900移出第一转盘610的纳米晶材料。

转移装置900至少包括两个具有第一预定间隔的吸盘920，以将承载在升降平台410的纳米晶材料转移至检测平台200，同步将承载在检测平台200的纳米晶材料转移至下料暂存平台700。

转移装置900可以仅有两个吸盘920，第一预定间隔可以为第一转盘610周围的接转料工位与第二转盘510的转料工位之间的距离。转移过程可以为：第一步，通过电机910驱动转移装置900移动，从而带动两个吸盘920移动，一个吸盘920移动至升降平台410并吸附经过电性能装置检测的纳米晶材料，另一个吸盘920移动至检测平台200并吸附经过厚度检测装置和二维尺寸检测装置300检测的纳米晶材料。第二步，通过电机910驱动转移装置900往后移动第一预定间隔，一个吸盘920移动至检测平台200并将所吸附的纳米晶材料放置在检测平台200，另一个吸盘920移动至下料暂存平台700并将所吸附的纳米晶材料放置在下料暂存平台700。后面，通过电机910驱动转移装置900回到第一步所在的位置，不断进行循环。由此，能够快速地转移纳米晶材料，提高生产效率。

更进一步地，纳米晶材料检测设备还包括转盘缓存平台800，转盘缓存平台800设置在转移装置900的一侧，且面对第一转盘610和第二转盘510的间隔，用于存放纳米晶材料。

转移装置900包括三个具有第二预定间隔的吸盘920，以同步对升降平台410、转盘缓存平台800及检测平台200的纳米晶材料进行转移。

考虑到升降平台410距离检测平台200距离较远，且移动的距离越长，累计误差较大，相对位置准确会变差，且移动距离越长，时间也越多。纳米晶材料检测设备额外在第一转盘610和第二转盘510的间隔处设置一个转盘缓存平台800，在转移装置900上设置三个吸盘920。所谓第二预定间隔可以为第一转盘610周围的接转料工位与转盘缓存平台800之间的距离。

转移装置900的三个吸盘920一次从升降平台410、转盘缓存平台800和检测平台200各吸附1片纳米晶材料，通过电机910驱动吸盘920往后移动，从而将承载在升降平台410的纳米晶移动至转盘缓存平台800，同步将承载在转盘缓存平台800的纳米晶材料转移至检测平台200，同步将承载在检测平台200的纳米晶材料转移下料暂存平台700。由此，能够进一步增加设备的产能，提高效率，且使得精度更高。

以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (6)

1.一种纳米晶材料检测设备，其特征在于，包括检测平台(200)和厚度检测装置(100)，所述检测平台(200)用于承载待检测用纳米晶材料，所述厚度检测装置(100)用于对所述检测平台(200)上的纳米晶材料进行厚度检测，

所述厚度检测装置(100)包括：

支架(120)，所述支架(120)设置在所述检测平台(200)的一侧；

位移传感器(130)，所述位移传感器(130)设置在所述纳米晶材料的上方，用于检测所述检测平台(200)承载纳米晶材料与未承载纳米晶材料之间的高度差，并基于所述高度差确定所承载的纳米晶材料的厚度；

升降装置(140)，所述升降装置(140)设置在所述支架(120)上且连接所述位移传感器(130)，用于带动所述位移传感器(130)进行升降运动；

其中，所述升降装置(140)包括：

压板(142)，所述压板(142)表面形成有贯穿孔，所述位移传感器(130)的至少一部分穿过所述贯穿孔以与纳米晶材料接触；

驱动件(141)，所述驱动件(141)设置在所述支架(120)上且连接所述压板(142)，以驱动所述压板(142)进行升降运动；

其中，所述位移传感器(130)包括：

位移传感器主体，所述位移传感器主体安装在所述支架(120)上；

探头，所述探头位于所述位移传感器(130)的下端且可上下活动，所述探头卡套在所述贯穿孔位置且其底端突出所述贯穿孔；

第一转盘(610)，所述检测平台(200)设置在所述第一转盘(610)周向上，所述厚度检测装置(100)与所述第一转盘(610)相对设置，通过旋转所述第一转盘(610)能够使得所述检测平台(200)在接转料工位和厚度检测工位之间转换；

第一驱动装置(620)，所述第一驱动装置(620)设置在所述第一转盘(610)的底部且连接所述第一转盘(610)，用于驱动所述第一转盘(610)转动；

还包括纳米晶材料电性能检测装置(400)、第二转盘(510)、第二驱动装置(520)及转移装置(900)，

所述纳米晶材料电性能检测装置(400)围绕所述第二转盘(510)设置，包括：升降平台(410)、驱动装置、电检测单元及压力检测装置，所述升降平台(410)设置在所述第二转盘(510)的周向，用于承载纳米晶材料以进行电性能检测，所述驱动装置与所述升降平台(410)相连，用于驱动所述升降平台(410)进行升降运动，所述电检测单元设置在所述升降平台(410)的上方且所述压力检测装置连接所述电检测单元，所述压力检测装置用于检测所述电检测单元与纳米晶材料之间的压力，所述电检测单元用于检测在所述压力状态下的所述纳米晶材料的电性能；

所述第二转盘(510)设置在所述第一转盘(610)的上游，所述升降平台(410)设置在所述第二转盘(510)的周向，通过旋转所述第二转盘(510)能够使得所述升降平台(410)到达接料工位、电性能检测工位及转料工位；

所述第二驱动装置(520)设置在所述第二转盘(510)的底部且连接所述第二转盘(510)，用于驱动所述第二转盘(510)转动；

所述转移装置(900)设置在所述第一转盘(610)和所述第二转盘(510)的同一左侧或右侧，包括用于吸附纳米晶材料的吸盘(920)及驱动所述吸盘(920)进行移动的电机(910)，以将承载在所述升降平台(410)的纳米晶材料转移至所述检测平台(200)，并将承载在所述检测平台(200)的纳米晶材料转移出所述第一转盘(610)。

2.根据权利要求1所述的纳米晶材料检测设备，其特征在于，在所述压板(142)的下表面的四周设置有柔性挡条(143)，以围绕在所述纳米晶材料的四周。

3.根据权利要求1所述的纳米晶材料检测设备，其特征在于，还包括二维尺寸检测装置(300)，用于对纳米晶材料的二维尺寸进行检测，所述二维尺寸检测装置(300)围绕所述第一转盘(610)设置且与所述厚度检测装置(100)间隔开，通过旋转所述第一转盘(610)还能够使得所述检测平台(200)转动至尺寸检测工位，以进行二维尺寸检测，

其中，所述二维尺寸检测装置(300)包括：

相机，所述相机与所述检测平台(200)相对设置，用于采集纳米晶材料的图像；

计算装置，所述计算装置用于根据所述相机采集的所述纳米晶材料的图像计算出纳米晶材料的二维尺寸。

4.根据权利要求3所述的纳米晶材料检测设备，其特征在于，所述相机有两个，其中一个所述相机设置在所述检测平台(200)的上方，另一个所述相机设置在所述检测平台(200)的下方。

5.根据权利要求1所述的纳米晶材料检测设备，其特征在于，还包括：

下料暂存平台(700)，所述下料暂存平台(700)设置在所述第一转盘(610)的后侧，用于承载经过所述转移装置(900)移出所述第一转盘(610)的所述纳米晶材料；

所述转移装置(900)至少包括两个具有第一预定间隔的吸盘(920)，以将承载在所述升降平台(410)的纳米晶材料转移至所述检测平台(200)，同步将承载在所述检测平台(200)的纳米晶材料转移至所述下料暂存平台(700)。

6.根据权利要求5所述的纳米晶材料检测设备，其特征在于，还包括：

转盘缓存平台(800)，所述转盘缓存平台(800)设置在所述转移装置(900)的一侧，且面对所述第一转盘(610)和所述第二转盘(510)的间隔，用于存放纳米晶材料；

所述转移装置(900)包括三个具有第二预定间隔的吸盘(920)，以同步对所述升降平台(410)、所述转盘缓存平台(800)及所述检测平台(200)的纳米晶材料进行转移。

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