CN111564434B - 集成芯片结构及电源模块 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种集成芯片结构及电源模块。包括内部设置有至少具有四个基导和多个引脚的引线框架、多条金属引线以及设置于引线框架的基导上的第一整流二极管芯片、第二整流二极管芯片、第三整流二极管芯片、第四整流二极管芯片、续流二极管芯片、控制芯片、功率芯片的塑封体。通过将整流二极管芯片、控制芯片、功率芯片集成在同一个芯片结构内，提高了芯片结构的集成度，减小了电源模块的体积和外围元器件的数量，降低了生产成本；同时整流二极管芯片、续流二极管芯片的正向压降和反向电压均相同，且所述反向电压与所述控制芯片的自供电高压电压相同，有效地确保了产品性能，提高了产品的市场竞争力，降低使用电源模块的失效率。

Description

集成芯片结构及电源模块
技术领域
本发明涉及电子器件技术领域，特别是涉及有一种集成芯片结构及一种电源模块。
背景技术
目前市场上应用在LED的电源模块,其集成芯片结构的内部只有控制芯片和高压功率MOSFET器件，而没有集成续流二极管及整流桥堆,在应用时需要在外部接上续流二极管及整流桥堆才能正常工作，同时在应用过程中因不同厂家生产的续流二极管及整流桥堆与集成芯片结构存在匹配差异从而导致电源模块的失效率较高且终端客户在设计时系统体积较大，电源模块的外围元器件数量较多，相应的材料成本及人工成本高。
发明内容
基于此，有必要针对上述电源模块的失效率较高的问题，提供一种新的集成芯片结构及一种电源模块。
一种集成芯片结构,包括塑封体，所述塑封体内设置有至少具有四个基导和多个引脚的引线框架、多条金属引线，以及设置于所述引线框架的基导上的第一整流二极管芯片、第二整流二极管芯片、第三整流二极管芯片、第四整流二极管芯片、续流二极管芯片、控制芯片、功率芯片；
第一整流二极管芯片和第四整流二极管的阴极分别连接所述集成芯片结构的第一交流输入引脚和第二交流输入引脚；第二整流二极管芯片和第三整流二极管芯片的阳极分别通过金属引线与第一整流二极管芯片的阴极和第四整流二极管的阴极连接，第二整流二极管芯片、第三整流二极管芯片、续流二极管芯片的阴极、控制芯片的高压端均连接所述集成芯片结构的高压供电引脚；
所述续流二极管芯片的阳极通过金属引线连接所述功率芯片的输入端，所述功率芯片的输入端连接所述集成芯片结构的漏极引脚；
所述功率芯片的控制端连接所述控制芯片的栅极端，所述功率芯片的输出端分别连接所述控制芯片的片选端和所述集成芯片结构的片选信号引脚；
所述控制芯片的接地端、第一整流二极管芯片和第四整流二极管的阳极均连接所述集成芯片结构的接地引脚；
其中，第一整流二极管芯片、第二整流二极管芯片、第三整流二极管芯片、第四整流二极管芯片、续流二极管芯片的正向压降和反向电压均相同，且所述反向电压与所述控制芯片的自供电高压电压相同。
在其中一个实施例中，所述第一整流二极管芯片设置于所述引线框架的第一基导上，所述第四整流二极管芯片设置于所述引线框架的第二基导上，所述第二整流二极管芯片、所述第三整流二极管芯片、所述续流二极管芯片设置于所述引线框架的第三基导上，所述控制芯片和所述功率芯片设置于所述引线框架的第四基导上。
在其中一个实施例中，所述第三基导包括设置有所述第二整流二极管芯片、所述第三整流二极管芯片的第三基导A和设置有所述续流二极管芯片第三基导B。
在其中一个实施例中，所述第四基导包括设置有所述控制芯片的第四基导A和设置有所述功率芯片第四基导B。
在其中一个实施例中，所述第一整流二极管芯片、所述第二整流二极管芯片、所述第三整流二极管芯片、所述第四整流二极管芯片、所述续流二极管芯片、所述功率芯片均通过导电胶或锡膏设置于所述引线框架的基导上，所述控制芯片通过绝缘胶设置于所述引线框架的基导上。
在其中一个实施例中，所述第二整流二极管芯片和所述第三整流二极管芯片为共阴极的双胞胎二极管芯片。
在其中一个实施例中，所述第二整流二极管芯片和所述第三整流二极管芯片为两个单独的二极管芯片。
在其中一个实施例中，所述功率芯片为功率MOS芯片。
在其中一个实施例中，所述第一整流二极管芯片、所述第二整流二极管芯片、所述第三整流二极管芯片、所述第四整流二极管芯片、所述续流二极管芯片均为N型衬底的芯片，所述金属引线为铜线。
在其中一个实施例中，所述集成芯片结构的第一交流输入引脚、第二交流输入引脚、高压供电引脚、漏极引脚均与引脚所在的基导导通，所述集成芯片结构的片选信号引脚和接地引脚与引脚所在的基导绝缘。
上述集成芯片结构，包括塑封体，所述塑封体内设置有至少具有四个基导和多个引脚的引线框架、多条金属引线以及设置于所述引线框架的基导上的第一整流二极管芯片、第二整流二极管芯片、第三整流二极管芯片、第四整流二极管芯片、续流二极管芯片、控制芯片、功率芯片；所述第一整流二极管芯片和所述第四整流二极管的阴极分别连接所述集成芯片结构的第一交流输入引脚和第二交流输入引脚；所述第二整流二极管芯片和所述第三整流二极管芯片的阳极分别通过金属引线与所述第一整流二极管芯片的阴极和所述第四整流二极管的阴极连接，所述第二整流二极管芯片、所述第三整流二极管芯片、所述续流二极管芯片的阴极、所述控制芯片的高压端均连接所述集成芯片结构的高压供电引脚；所述续流二极管芯片的阳极通过金属引线连接所述功率芯片的输入端，所述功率芯片的输入端连接所述集成芯片结构的漏极引脚，所述功率芯片的控制端连接所述控制芯片的栅极端，所述功率芯片的输出端分别连接所述控制芯片的片选端和所述集成芯片结构的片选信号引脚，所述控制芯片的接地端、所述第一整流二极管芯片和所述第四整流二极管的阳极均连接所述集成芯片结构的接地引脚；其中，所述第一整流二极管芯片、所述第二整流二极管芯片、所述第三整流二极管芯片、所述第四整流二极管芯片、所述续流二极管芯片的正向压降和反向电压均相同，且所述反向电压与所述控制芯片的自供电高压电压相同。本申请通过将第一整流二极管芯片、第二整流二极管芯片、第三整流二极管芯片、第四整流二极管芯片、控制芯片、功率芯片集成在同一个集成芯片结构内，提高了芯片结构的集成度，有效地缩小LED电源模块的体积，同时电源模块外围少了一个续流二极管及整流桥堆,在减小LED电源模块的体积的同时减少LED电源模块的外围元器件的数量，降低了生产成本；同时第一整流二极管芯片、第二整流二极管芯片、第三整流二极管芯片、第四整流二极管芯片、续流二极管芯片的正向压降和反向电压均相同，且所述反向电压与所述控制芯片的自供电高压电压相同，有效地确保了产品性能，提高了产品的市场竞争力，降低使用电源模块的失效率。
一种电源模块，包括第一滤波电容、储能电感、第二滤波电容、负载，所述电源模块还包括上述任一项所述的集成芯片结构，所述集成芯片结构的第一交流输入引脚、第二交流输入引脚分别与交流电源的火线端和零线端电连接；所述集成芯片结构的高压供电引脚与所述第一滤波电容、第二滤波电容、负载的一端连接；所述集成芯片结构的漏极引脚与所述储能电感的一端连接，所述储能电感的另一端与所述第二滤波电容及负载的另一端连接；所述集成芯片结构的片选信号引脚、所述第一滤波电容的另一端接地。
上述电源模块，包括第一滤波电容、储能电感、第二滤波电容、负载，所述电源模块还包括上述任一项所述的集成芯片结构；所述集成芯片结构的第一交流输入引脚、第二交流输入引脚分别于交流电源的火线端和零线端电连接；所述集成芯片结构的高压供电引脚与所述第一滤波电容、第二滤波电容、负载的一端连接；所述集成芯片结构的漏极引脚与所述储能电感的一端连接，所述储能电感的另一端与所述第二滤波电容及负载的另一端连接；所述集成芯片结构的片选信号引脚、所述第一滤波电容的另一端接地。本申请电源模块中的集成芯片结构通过将第一整流二极管芯片、第二整流二极管芯片、第三整流二极管芯片、第四整流二极管芯片、控制芯片、功率芯片集成在同一个集成芯片结构内，提高了芯片结构的集成度，有效地缩小LED电源模块的体积，同时电源模块外围少了一个续流二极管及整流桥堆,在减小LED电源模块的体积的同时减少LED电源模块的外围元器件的数量，降低了生产成本；同时第一整流二极管芯片、第二整流二极管芯片、第三整流二极管芯片、第四整流二极管芯片、续流二极管芯片的正向压降和反向电压均相同，且所述反向电压与所述控制芯片的自供电高压电压相同，有效地确保了产品性能，提高了产品的市场竞争力，降低电源模块的失效率。
附图说明
图1为一实施例中集成芯片结构的结构框图；
图2为一实施例中电源模块的电路图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳的实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“竖直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明。本文所使用的属于“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
示例性的市场上应用的LED电源模块的集成芯片结构的内部只有控制芯片和高压功率MOS器件，需要在外部接上续流二极管及整流桥堆才能正常工作，同时不同厂家生产的续流二极管及整流桥堆和电源模块的集成芯片结构存在一定的参数匹配差异，即二极管生产厂家虽然有对二极管芯片的参数进行控制，但因各个二级管在生产时选取的硅片材料及生产工艺都存在一定的差别，从而导致二极管的参数范围存在一定的波动性，导致将二极管及整流桥堆与集成芯片结构相连使用后，电源模块的失效率较高，并且终端客户使用该电源模块时系统体积大，相应的材料成本及人工成本高，并且电源模块中的外围元器件数量较多。
如图1所示，在一个实施例中，提供一种集成芯片结构,包括塑封体，所述塑封体内设置有至少具有四个基导和多个引脚的引线框架100、多条金属引线102，以及设置于所述引线框架的基导上的第一整流二极管芯片104、第二整流二极管芯片106、第三整流二极管芯片108、第四整流二极管芯片110、续流二极管芯片112、控制芯片114、功率芯片116；
第一整流二极管芯片104和第四整流二极管110的阴极分别连接所述集成芯片结构的第一交流输入引脚118和第二交流输入引脚120；第二整流二极管芯片106和第三整流二极管芯片108的阳极分别通过金属引线102与第一整流二极管芯片104的阴极和第四整流二极管110的阴极连接，第二整流二极管芯片106、第三整流二极管芯片108、续流二极管芯片112的阴极、控制芯片114的高压端1均连接集成芯片结构的高压供电引脚122；
续流二极管芯片112的阳极通过金属引线102连接功率芯片116的输入端，功率芯片116的输入端连接集成芯片结构的漏极引脚124；
功率芯片116的控制端2连接控制芯片114的栅极端3，功率芯片116的输出端分别连接控制芯片114的片选端4和集成芯片结构的片选信号引脚126；
控制芯片114的接地端5、第一整流二极管芯片104和第四整流二极管110的阳极均连接集成芯片结构的接地引脚128；
其中，第一整流二极管芯片104、第二整流二极管芯片106、第三整流二极管芯片108、第四整流二极管芯片110、续流二极管芯片112的正向压降和反向电压均相同，且所述反向电压与控制芯片114的自供电高压电压相同。
在一个实施例中，第一整流二极管芯片104设置于引线框架100的第一基导上，第四整流二极管芯片110设置于引线框架100的第二基导上，第二整流二极管芯片106、第三整流二极管芯片108、续流二极管芯片112设置于引线框架100的第三基导上，控制芯片114和功率芯片116设置于引线框架100的第四基导上。
在一个实施例中，所述第三基导包括设置有所述第二整流二极管芯片、所述第三整流二极管芯片的第三基导A和设置有所述续流二极管芯片第三基导B。
在一个实施例中，所述第四基导包括设置有所述控制芯片的第四基导A和设置有所述功率芯片第四基导B。
在一个实施例中，第一整流二极管芯片104、第二整流二极管芯片106、第三整流二极管芯片108、第四整流二极管芯片110、续流二极管芯片112、功率芯片116均通过导电胶或锡膏设置于引线框架100的基导上，控制芯片114通过绝缘胶设置于引线框架100的基导上。
具体为，第一整流二极管芯片104、第二整流二极管芯片106、第三整流二极管芯片108、第四整流二极管芯片110、续流二极管芯片112、功率芯片116均通过导电胶或锡膏焊接在引线框架100对应的基导上，分别形成第一整流二极管芯片104、第二整流二极管芯片106、第三整流二极管芯片108、第四整流二极管芯片110、续流二极管芯片112、功率芯片116与各自芯片下方基导之间的连通，控制芯片114通过绝缘胶设置于引线框架100的基导上，控制芯片与其下方的基导是绝缘即未连通的。
在一个实施例中，所述第二整流二极管芯片和所述第三整流二极管芯片为两个单独的二极管芯片。
在一个实施例中，所述第二整流二极管芯片和所述第三整流二极管芯片为共阴极的双胞胎二极管芯片。与第二整流二极管芯片和第三整流二极管芯片选取单独的二极管芯片相比，粘片时邦头只要吸取一次芯片即可，并且双胞胎二极管芯片的生产效率是二极管单芯片的生产效率的两倍，在性能无差异的情形下，采用双胞胎二极管芯片可明显提高生产效率，生产成本亦可明显得到有效控制。
在一个实施例中，所述功率芯片为功率MOS芯片。
在一个实施例中，所述第一整流二极管芯片、所述第二整流二极管芯片、所述第三整流二极管芯片、所述第四整流二极管芯片、所述续流二极管芯片均为N型衬底的芯片，所述金属引线为铜线。N型衬底的二极管芯片的选取范围比较广泛，可以降低产品的生产成本。
在一个实施例中，所述集成芯片结构的第一交流输入引脚118、第二交流输入引脚120、高压供电引脚122、漏极引脚124均与引脚所在的基导导通，所述集成芯片结构的片选信号引脚126和接地引脚128与引脚所在的基导绝缘。
将本申请改进后的集成芯片结构A和传统的集成芯片结构B分别应用于输入电压为220伏的对应LED电源模块，同时测试集成芯片结构A和集成芯片结构B在工作状态的效率，获得表一中的各项参数。
Figure BDA0002437971940000081
表一
通过对比表一中的测试数据可知，本申请的电源模块中的集成芯片结构A在带负载工作60分钟后的工作效率均高于传统的集成芯片结构B，本申请的集成芯片结构在工作过程中发热低，芯片结构的表面温度低，芯片结构的散热效果好，使用本申请中的集成芯片结构可有效提高芯片结构在应用过程中的使用寿命和产品的市场竞争力。
上述集成芯片结构，包括塑封体，所述塑封体内设置有至少具有四个基导和多个引脚的引线框架、多条金属引线以及设置于所述引线框架的基导上的第一整流二极管芯片、第二整流二极管芯片、第三整流二极管芯片、第四整流二极管芯片、续流二极管芯片、控制芯片、功率芯片；所述第一整流二极管芯片和所述第四整流二极管的阴极分别连接所述集成芯片结构的第一交流输入引脚和第二交流输入引脚；所述第二整流二极管芯片和所述第三整流二极管芯片的阳极分别通过金属引线与所述第一整流二极管芯片的阴极和所述第四整流二极管的阴极连接，所述第二整流二极管芯片、所述第三整流二极管芯片、所述续流二极管芯片的阴极、所述控制芯片的高压端均连接所述集成芯片结构的高压供电引脚；所述续流二极管芯片的阳极通过金属引线连接所述功率芯片的输入端，所述功率芯片的输入端连接所述集成芯片结构的漏极引脚，所述功率芯片的控制端连接所述控制芯片的栅极端，所述功率芯片的输出端分别连接所述控制芯片的片选端和所述集成芯片结构的片选信号引脚，所述控制芯片的接地端、所述第一整流二极管芯片和所述第四整流二极管的阳极均连接所述集成芯片结构的接地引脚；其中，所述第一整流二极管芯片、所述第二整流二极管芯片、所述第三整流二极管芯片、所述第四整流二极管芯片、所述续流二极管芯片的正向压降和反向电压均相同，且所述反向电压与所述控制芯片的自供电高压电压相同。本申请通过将第一整流二极管芯片、第二整流二极管芯片、第三整流二极管芯片、第四整流二极管芯片、控制芯片、功率芯片集成在同一个集成芯片结构内，提高了芯片结构的集成度，有效地缩小LED电源模块的体积，同时电源模块外围少了一个续流二极管及整流桥堆,在减小LED电源模块的体积的同时减少LED电源模块的外围元器件的数量，降低了生产成本；同时第一整流二极管芯片、第二整流二极管芯片、第三整流二极管芯片、第四整流二极管芯片、续流二极管芯片的正向压降和反向电压均相同，且所述反向电压与所述控制芯片的自供电高压电压相同，有效地确保了产品性能，提高了产品的市场竞争力，降低电源模块的失效率。
如图2所示，在一个实施例中，提供一种电源模块，包括第一滤波电容C1、储能电感L1、第二滤波电容C2、负载R3，所述电源模块还包括上述任一项所述的集成芯片结构U1，集成芯片结构U1的第一交流输入引脚AC1、第二交流输入引脚AC2分别与交流电源的火线端L和零线端N电连接；集成芯片结构U1的高压供电引脚HV与第一滤波电容C1、第二滤波电容C2、负载R3的一端连接；集成芯片结构U1的漏极引脚D与储能电感L1的一端连接，储能电感L2的另一端与第二滤波电容C2及负载R3的另一端连接；集成芯片结构U1的片选信号引脚CS、第一滤波电容C1的另一端接地。其中，集成芯片结构U1的片选信号引脚CS通过并联电阻R1和R2接地。使用该电池模块的LED产品并联在负载R3的两端。
上述电源模块，包括第一滤波电容、储能电感、第二滤波电容、负载，所述电源模块还包括上述任一项所述的集成芯片结构；所述集成芯片结构的第一交流输入引脚、第二交流输入引脚分别于交流电源的火线端和零线端电连接；所述集成芯片结构的高压供电引脚与所述第一滤波电容、第二滤波电容、负载的一端连接；所述集成芯片结构的漏极引脚与所述储能电感的一端连接，所述储能电感的另一端与所述第二滤波电容及负载的另一端连接；所述集成芯片结构的片选信号引脚、所述第一滤波电容的另一端接地。本申请电源模块中的集成芯片结构通过将第一整流二极管芯片、第二整流二极管芯片、第三整流二极管芯片、第四整流二极管芯片、控制芯片、功率芯片集成在同一个集成芯片结构内，提高了芯片结构的集成度，有效地缩小LED电源模块的体积，同时电源模块外围少了一个续流二极管及整流桥堆,在减小LED电源模块的体积的同时减少LED电源模块的外围元器件的数量，降低了生产成本；同时第一整流二极管芯片、第二整流二极管芯片、第三整流二极管芯片、第四整流二极管芯片、续流二极管芯片的正向压降和反向电压均相同，且所述反向电压与所述控制芯片的自供电高压电压相同，有效地确保了产品性能，提高了产品的市场竞争力，降低电源模块的失效率。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (9)

1.一种集成芯片结构,包括塑封体，所述塑封体内设置有至少具有四个基导和多个引脚的引线框架、多条金属引线，以及设置于所述引线框架的基导上的第一整流二极管芯片、第二整流二极管芯片、第三整流二极管芯片、第四整流二极管芯片、续流二极管芯片、控制芯片、功率芯片；
所述第一整流二极管芯片和所述第四整流二极管的阴极分别连接所述集成芯片结构的第一交流输入引脚和第二交流输入引脚；所述第二整流二极管芯片和所述第三整流二极管芯片的阳极分别通过金属引线与所述第一整流二极管芯片的阴极和所述第四整流二极管的阴极连接，所述第二整流二极管芯片、所述第三整流二极管芯片、所述续流二极管芯片的阴极、所述控制芯片的高压端均连接所述集成芯片结构的高压供电引脚；
所述续流二极管芯片的阳极通过金属引线连接所述功率芯片的输入端，所述功率芯片的输入端连接所述集成芯片结构的漏极引脚；
所述功率芯片的控制端连接所述控制芯片的栅极端，所述功率芯片的输出端分别连接所述控制芯片的片选端和所述集成芯片结构的片选信号引脚；
所述控制芯片的接地端、所述第一整流二极管芯片和所述第四整流二极管的阳极均连接所述集成芯片结构的接地引脚；
其中，所述第一整流二极管芯片、所述第二整流二极管芯片、所述第三整流二极管芯片、所述第四整流二极管芯片、所述续流二极管芯片的正向压降和反向电压均相同，且所述反向电压与所述控制芯片的自供电高压电压相同；所述第二整流二极管芯片和所述第三整流二极管芯片为共阴极的双胞胎二极管芯片。
2.根据权利要求1所述的集成芯片结构，其特征在于，所述第一整流二极管芯片设置于所述引线框架的第一基导上，所述第四整流二极管芯片设置于所述引线框架的第二基导上，所述第二整流二极管芯片、所述第三整流二极管芯片、所述续流二极管芯片设置于所述引线框架的第三基导上，所述控制芯片和所述功率芯片设置于所述引线框架的第四基导上。
3.根据权利要求2所述的集成芯片结构，其特征在于，所述第三基导包括设置有所述第二整流二极管芯片、所述第三整流二极管芯片的第三基导A和设置有所述续流二极管芯片第三基导B。
4.根据权利要求2所述的集成芯片结构，其特征在于，所述第四基导包括设置有所述控制芯片的第四基导A和设置有所述功率芯片第四基导B。
5.根据权利要求1所述的集成芯片结构，其特征在于，所述第一整流二极管芯片、所述第二整流二极管芯片、所述第三整流二极管芯片、所述第四整流二极管芯片、所述续流二极管芯片、所述功率芯片均通过导电胶或锡膏设置于所述引线框架的基导上，所述控制芯片通过绝缘胶设置于所述引线框架的基导上。
6.根据权利要求1所述的集成芯片结构，其特征在于，所述功率芯片为功率MOS芯片。
7.根据权利要求1所述的集成芯片结构，其特征在于，所述第一整流二极管芯片、所述第二整流二极管芯片、所述第三整流二极管芯片、所述第四整流二极管芯片、所述续流二极管芯片均为N型衬底的芯片，所述金属引线为铜线。
8.根据权利要求1所述的集成芯片结构，其特征在于，所述集成芯片结构的第一交流输入引脚、第二交流输入引脚、高压供电引脚、漏极引脚均与引脚所在的基导导通，所述集成芯片结构的片选信号引脚和接地引脚与引脚所在的基导绝缘。
9.一种电源模块，包括第一滤波电容、储能电感、第二滤波电容、负载，其特征在于，所述电源模块还包括权利要求1-8任一项所述的集成芯片结构；所述集成芯片结构的第一交流输入引脚、第二交流输入引脚分别与交流电源的火线端和零线端电连接；所述集成芯片结构的高压供电引脚与所述第一滤波电容、第二滤波电容、负载的一端连接；所述集成芯片结构的漏极引脚与所述储能电感的一端连接，所述储能电感的另一端与所述第二滤波电容及负载的另一端连接；所述集成芯片结构的片选信号引脚、所述第一滤波电容的另一端接地。
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