CN111558992B - 陶瓷劈刀及其表面粗化处理方法和半导体封装方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种陶瓷劈刀及其表面粗化处理方法和半导体封装方法。上述陶瓷劈刀的表面粗化处理方法包括如下步骤：提供陶瓷劈刀半成品；将陶瓷劈刀半成品进行微波处理，得到陶瓷劈刀，其中，微波处理的温度为1200℃~1600℃，升温速率为0.2℃/min~15℃/min，保温时间为0.5h~12h。上述陶瓷劈刀的表面粗化处理方法利用微波的均匀性、稳定性，对陶瓷劈刀半成品进行表面处理以消除内应力，同时控制微波的处理温度、升温速率、保温时间等参数，获得不同表面粗糙度的劈刀，相对传统的加热处理，能够满足Cu、Au、Ag合金线焊接，且焊线的使用寿命更高。
Description
技术领域
本发明涉及陶瓷材料领域，特别是涉及一种陶瓷劈刀及其表面粗化处理方法和半导体封装方法。
背景技术
陶瓷劈刀是一种具有垂直方向孔的轴对称的陶瓷工具，因其具有高硬度、高耐磨、耐高温、耐化学腐蚀、表面光洁度高及尺寸精度高等优势，在半导体引线键合焊接领域中扮演着不可替代的角色。引线键合是将芯片电极面朝上粘贴在封装基座上，用金属丝将芯片电极与引线框架上对应的电极通过焊接的方法连接的过程。引线键合的目的是将芯片与外部封装框架电气导通，以确保电信号传递的通畅。金属导线的选择会影响到焊接质量、器件的可靠性等方面，理想的金属导线材料应满足如下条件：（1）可与半导体材料形成良好的接触；（2）化学性能稳定；（3）与半导体材料形成良好的结合力；（4）导电性能良好；（5）易焊接，焊接过程保持一定的形状。金线、合金线和铜线是常用的引线焊接材料。但传统的热处理及化学处理对陶瓷劈刀进行表面粗化处理时，对劈刀产生热应力，极大地降低焊线的使用寿命。
发明内容
基于此，有必要提供一种提高焊线的使用寿命的陶瓷劈刀的表面粗化处理方法。
此外，还有必要提供一种陶瓷劈刀和半导体封装方法。
一种陶瓷劈刀的表面粗化处理方法，包括如下步骤：
提供陶瓷劈刀半成品；及
将所述陶瓷劈刀半成品进行微波处理，制备陶瓷劈刀，其中，所述微波处理的温度为1200℃~1600℃，升温速率为0.2℃/min~15℃/min，保温时间为0.5h~12h。
在其中一个实施例中，所述微波处理的温度为1400℃~1500℃，升温速率为2℃/min~5℃/min，保温时间为3h~4h。
在其中一个实施例中，所述微波处理的温度为1300℃~1400℃，升温速率为5℃/min~8℃/min，保温时间为2h~3h。
在其中一个实施例中，所述微波处理的温度为1200℃~1300℃，升温速率为8℃/min~10℃/min，保温时间为0.5h~2h。
在其中一个实施例中，所述陶瓷劈刀半成品的材料为氧化铝或增韧氧化铝。
一种陶瓷劈刀，由上述的陶瓷劈刀的表面粗化处理方法制作得到。
在其中一个实施例中，所述陶瓷劈刀的表面粗糙度为0.01μm~0.60μm。
在其中一个实施例中，所述陶瓷劈刀的表面粗糙度为0.4μm~0.6μm；或者，所述陶瓷劈刀的表面粗糙度为0.1μm~0.3μm。
在其中一个实施例中，所述瓷劈刀的表面粗糙度为0.01μm~0.10μm。
一种半导体封装方法，包括如下步骤：使用陶瓷劈刀和焊线将芯片与封装框架焊接，以使所述芯片与所述封装框架电气导通，其中，所述陶瓷劈刀为上述的陶瓷劈刀，所述焊线为金线、合金线或铜线。
上述陶瓷劈刀的表面粗化处理方法利用微波的均匀性、稳定性，对陶瓷劈刀半成品进行表面处理以消除内应力，同时控制微波的处理温度、升温速率、保温时间等参数，获得不同表面粗糙度的劈刀，相对传统的加热处理，能够满足Cu、Au、Ag合金线焊接，且焊线的使用寿命更高。
附图说明
图1为一实施方式的陶瓷劈刀的制作方法的工艺流程图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将结合具体实施方式对本发明进行更全面的描述。具体实施方式中给出了本发明的较佳的实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体地实施例的目的，不是旨在于限制本发明。
请参阅图1，一实施方式的陶瓷劈刀的表面粗化处理方法，包括如下步骤：
步骤S110：提供陶瓷劈刀半成品。
具体地，陶瓷劈刀半成品的材料为氧化铝或增韧氧化铝。具体地，增韧氧化铝可以为氧化锆增韧氧化铝。
步骤S120：将陶瓷劈刀半成品进行微波处理，制备陶瓷劈刀，其中，微波处理的温度为1200℃~1600℃，升温速率为0.2℃/min~15℃/min，保温时间为0.5h~12h。
具体地，步骤S120在微波处理设备中进行。微波为一种频率为300MHz~300GHZ、波长为0.1mm~1m的电磁波，利用微波对陶瓷劈刀半成品进行加热处理，能够提高加热处理的均匀性和稳定性，从而消除内应力，提高陶瓷劈刀的表面粗糙度，同时提高陶瓷劈刀的纳米硬度和弯曲强度等力学性能。通过步骤S120能够使制备得到的陶瓷劈刀的表面粗糙度为0.01μm~0.60μm。
进一步地，升温速率为2℃/min~12℃/min。例如，升温速率为2℃/min、3℃/min、4℃/min、5℃/min、6℃/min、7℃/min、8℃/min、9℃/min、10℃/min、11℃/min。保温时间为0.5h~6h。具体地，保温时间为0.5h、1h、2h、3h、4h、5h或6h。
在其中一个实施例中，微波处理的温度为1200℃~1300℃，升温速率为8℃/min~10℃/min，保温时间为0.5h~2h。具体地，微波处理的温度为1200℃、1250℃、1280℃或1300℃。升温速率为8℃/min、8.5℃/min、9℃/min或10℃/min。保温时间为0.5h、1h、1.5h、1.8h或2h。通过上述微波处理，能够使制备得到的陶瓷劈刀的表面粗糙度为0.01μm~0.10μm。上述表面粗糙度的陶瓷劈刀能够用于金线焊接，使金线的使用寿命提高，最高可达4000K。黄金作为一种化学性能稳定、导电性能优异、具有良好的延展性且容易加工成丝的金属，常作为引线焊接材料的首选。
在另一个实施例中，微波处理的温度为1300℃~1400℃，升温速率为5℃/min~8℃/min，保温时间为2h~3h。具体地，微波处理的温度大于1300℃且小于1400℃。在其中一个实施例中，微波处理的温度为1310℃、1350℃或1380℃。升温速率为5℃/min、6℃/min、7℃/min或8℃/min。保温时间为2h、2.5h或3h。通过上述微波处理，能够使制备得到的陶瓷劈刀的表面粗糙度为0.1μm~0.3μm。进一步地，陶瓷劈刀的表面粗糙度为0.13μm~0.3μm。上述表面粗糙度的陶瓷劈刀能够用于合金线焊接，使合金线的使用寿命提高，最高可达2800K。合金线较金线的成本更低，目前半导体封装行业已经逐步由金线向铜线、合金线转变。
在又一个实施例中，微波处理的温度为1400℃~1500℃，升温速率为2℃/min~5℃/min，保温时间为3h~4h。具体地，微波处理的温度为1400℃、1450℃或1500℃。升温速率为2℃/min、3℃/min、4℃/min或5℃/min。保温时间为3h、3.5h或4h。通过上述微波处理，能够使制备得到的陶瓷劈刀的表面粗糙度为0.4μm~0.6μm。该表面粗糙度的陶瓷劈刀能够用于铜线焊接，使铜线的使用寿命提高，最高可达2000K。对于金线和合金线而言，上述粗糙度太高会影响焊线的形貌，同时增加生产成本。
采用铜线代替金线具有如下优点：（1）价格优势，同一规格的Cu线成本只有金线的1/10；（2）热、电学性能更优异，Cu的电导率为0.62S/m，比金的电导率0.42S/m大，同时热导率也更高，相同条件下能承载更大的电流，也使得铜引线不仅用于功率器件中，也用于更小直径引线以适应高密度集成电路封装；（3）机械性能更优异，铜线的刚度优于金线，更适合细小间距引线键合；（4）焊点金属间化合物生长速度慢，因而其引线键合可靠性远高于金线。但是采用铜线焊接的一个问题在于其硬度比较大，易氧化，焊接难度更高，因而也对劈刀的性能要求更高，传统对陶瓷劈刀半成品的表面粗化处理多采用化学处理或热处理方式，容易对劈刀产生热应力，而极大地降低焊线的使用寿命。
而本实施方式中，利用微波的均匀性、稳定性，对陶瓷劈刀半成品进行表面处理以消除内应力，提高劈刀表面的表面粗糙度、纳米硬度、弯曲强度。同时控制微波的处理温度、升温速率、保温时间等参数，获得不同表面粗糙度的劈刀，相对传统的加热进行劈刀表面处理，能够满足Cu、Au、Ag合金线焊接，且焊线的使用寿命更高。金线焊接的使用寿命达4000K点，合金线焊接的使用寿命达2800K点，铜线的焊接的使用寿命达2000K点。
上述实施方式的陶瓷劈刀的表面粗化处理方法至少具有以下优点：
（1）上述实施方式的陶瓷劈刀的表面粗化处理方法通过微波处理对陶瓷劈刀半成品进行表面粗化处理，提高陶瓷劈刀表面的粗糙度、纳米硬度、弯曲强度等，进而提高焊线的使用寿命。且通过调整微波处理的温度、升温速率、保温时间等参数，满足不同焊线的使用要求。
（2）上述实施方式的陶瓷劈刀的表面粗化处理方法工艺简单，易于工业化生产。
一实施方式的陶瓷劈刀，由上述实施方式的陶瓷劈刀的表面粗化处理方法制作得到。该陶瓷劈刀的具有较好的硬度和弯曲强度，且能够满足不同焊线的焊接使用，提高焊线的使用寿命。该陶瓷劈刀的表面粗糙度为0.01μm~0.60μm。
在其中一个实施例中，陶瓷劈刀的表面粗糙度为0.01μm~0.10μm。该陶瓷劈刀可用于金线焊接。当表面粗糙度为0.01μm~0.10μm时，能够使金线的使用寿命提高，可达4000K。
在另一个实施例中，陶瓷劈刀的表面粗糙度为0.1μm~0.3μm。进一步地，陶瓷劈刀的表面粗糙度为0.13μm~0.3μm。该陶瓷劈刀可用于合金线的焊接。当表面粗糙度为0.1μm~0.3μm时，能够使合金线的使用寿命提高，可达2800K。
在又一个实施例中，陶瓷劈刀的表面粗糙度为0.4μm~0.6μm。该陶瓷劈刀可用于铜线的焊接。当表面粗糙度为0.4μm~0.6μm时，能够使铜线的使用寿命提高，可达2000K。
一实施方式的半导体封装方法，包括如下步骤：使用陶瓷劈刀和焊线将芯片与封装框架焊接，以使芯片与封装框架电气导通。其中，陶瓷劈刀为上述实施方式的陶瓷劈刀，焊线为金线、合金线或铜线。
采用上述陶瓷劈刀应用到半导体封装中，能够提高焊线的使用寿命，同时提高封装效果。需要说明的是，上述半导体封装方法还可以包括本领域常用的其他步骤，在此不再赘述。
以下为具体实施例部分（以下实施例如无特殊说明，则不含有除不可避免的杂质以外的其他未明确指出的组分）：
实施例1
本实施例的陶瓷劈刀的制作过程具体如下：
将氧化铝陶瓷劈刀半成品置于微波处理设备中，设置升温速率为3℃/min，升温至1450℃，然后保温3.5h，得到本实施例的陶瓷劈刀。
实施例2
本实施例的陶瓷劈刀的制作过程具体如下：
将氧化铝陶瓷劈刀半成品置于微波处理设备中，设置升温速率为2℃/min，升温至1400℃，然后保温4h，得到本实施例的陶瓷劈刀。
实施例3
本实施例的陶瓷劈刀的制作过程具体如下：
将氧化铝陶瓷劈刀半成品置于微波处理设备中，设置升温速率为5℃/min，升温至1500℃，然后保温3h，得到本实施例的陶瓷劈刀。
实施例4
本实施例的陶瓷劈刀的制作过程具体如下：
将氧化铝陶瓷劈刀半成品置于微波处理设备中，设置升温速率为7℃/min，升温至1450℃，然后保温3.5h，得到本实施例的陶瓷劈刀。
实施例5
本实施例的陶瓷劈刀的制作过程具体如下：
将氧化铝陶瓷劈刀半成品置于微波处理设备中，设置升温速率为3℃/min，升温至1600℃，然后保温3.5h，得到本实施例的陶瓷劈刀。
实施例6
本实施例的陶瓷劈刀的制作过程具体如下：
将氧化铝陶瓷劈刀半成品置于微波处理设备中，设置升温速率为3℃/min，升温至1450℃，然后保温6h，得到本实施例的陶瓷劈刀。
实施例7
本实施例的陶瓷劈刀的制作过程具体如下：
将增韧氧化铝陶瓷劈刀半成品置于微波处理设备中，设置升温速率为7℃/min，升温至1350℃，然后保温2.5h，得到本实施例的陶瓷劈刀。
实施例8
本实施例的陶瓷劈刀的制作过程具体如下：
将增韧氧化铝陶瓷劈刀半成品置于微波处理设备中，设置升温速率为6℃/min，升温至1300℃，然后保温3h，得到本实施例的陶瓷劈刀。
实施例9
本实施例的陶瓷劈刀的制作过程具体如下：
将增韧氧化铝陶瓷劈刀半成品置于微波处理设备中，设置升温速率为8℃/min，升温至1400℃，然后保温2h，得到本实施例的陶瓷劈刀。
实施例10
本实施例的陶瓷劈刀的制作过程具体如下：
将增韧氧化铝陶瓷劈刀半成品置于微波处理设备中，设置升温速率为10℃/min，升温至1350℃，然后保温2.5h，得到本实施例的陶瓷劈刀。
实施例11
本实施例的陶瓷劈刀的制作过程具体如下：
将增韧氧化铝陶瓷劈刀半成品置于微波处理设备中，设置升温速率为7℃/min，升温至1450℃，然后保温2.5h，得到本实施例的陶瓷劈刀。
实施例12
本实施例的陶瓷劈刀的制作过程具体如下：
将增韧氧化铝陶瓷劈刀半成品置于微波处理设备中，设置升温速率为7℃/min，升温至1350℃，然后保温4.5h，得到本实施例的陶瓷劈刀。
实施例13
本实施例的陶瓷劈刀的制作过程具体如下：
将氧化铝陶瓷劈刀半成品置于微波处理设备中，设置升温速率为9℃/min，升温至1250℃，然后保温1h，得到本实施例的陶瓷劈刀。
实施例14
本实施例的陶瓷劈刀的制作过程具体如下：
将氧化铝陶瓷劈刀半成品置于微波处理设备中，设置升温速率为8℃/min，升温至1200℃，然后保温2h，得到本实施例的陶瓷劈刀。
实施例15
本实施例的陶瓷劈刀的制作过程具体如下：
将氧化铝陶瓷劈刀半成品置于微波处理设备中，设置升温速率为10℃/min，升温至1300℃，然后保温0.5h，得到本实施例的陶瓷劈刀。
实施例16
本实施例的陶瓷劈刀的制作过程具体如下：
将氧化铝陶瓷劈刀半成品置于微波处理设备中，设置升温速率为15℃/min，升温至1250℃，然后保温1h，得到本实施例的陶瓷劈刀。
实施例17
本实施例的陶瓷劈刀的制作过程具体如下：
将氧化铝陶瓷劈刀半成品置于微波处理设备中，设置升温速率为9℃/min，升温至1200℃，然后保温1h，得到本实施例的陶瓷劈刀。
实施例18
本实施例的陶瓷劈刀的制作过程具体如下：
将氧化铝陶瓷劈刀半成品置于微波处理设备中，设置升温速率为9℃/min，升温至1250℃，然后保温0.5h，得到本实施例的陶瓷劈刀。
对比例1
对比例1的陶瓷劈刀未经过任何处理，为实施例1所用的陶瓷劈刀半成品。
对比例2
对比例2的陶瓷劈刀的制作过程具体如下：
（1）提供与实施例1相同的陶瓷劈刀半成品。
（2）将陶瓷劈刀半成品置于烧结炉中，设置升温速率为3℃/min，升温至1450℃下进行加热处理，保温3.5h，得到对比例2的陶瓷劈刀。
对比例3
对比例3的陶瓷劈刀的制作过程具体如下：
（1）提供与实施例7相同的陶瓷劈刀半成品。
（2）将陶瓷劈刀半成品置于烧结炉中，设置升温速率为7℃/min，升温至1350℃下进行加热处理，保温2.5h，得到对比例3的陶瓷劈刀。
对比例4
对比例4的陶瓷劈刀的制作过程具体如下：
（1）提供与实施例13相同的陶瓷劈刀半成品。
（2）将陶瓷劈刀半成品置于烧结炉中，设置升温速率为9℃/min，升温至1250℃下进行加热处理，保温1h，得到对比例4的陶瓷劈刀。
对比例5
对比例5的陶瓷劈刀的制作过程具体如下：
（1）提供与实施例1相同的陶瓷劈刀半成品。
（2）将陶瓷劈刀半成品用氢氟酸进行化学蚀刻处理至于实施例1相同的表面粗糙度，得到对比例5的陶瓷劈刀。
对比例6
对比例6的陶瓷劈刀的制作过程具体如下：
（1）提供与实施例7相同的陶瓷劈刀半成品。
（2）将陶瓷劈刀半成品用硫酸进行化学蚀刻处理至于实施例7相同的表面粗糙度，得到对比例6的陶瓷劈刀。
对比例7
对比例7的陶瓷劈刀的制作过程具体如下：
（1）提供与实施例13相同的陶瓷劈刀半成品。
（2）将陶瓷劈刀半成品用氢氟酸进行化学蚀刻处理至于实施例13相同的表面粗糙度，得到对比例7的陶瓷劈刀。
对比例8
对比例8的陶瓷劈刀的制作过程具体如下：
（1）提供与实施例1相同的陶瓷劈刀半成品。
（2）将陶瓷劈刀半成品置于微波处理设备中，设置升温速率为3℃/min，升温至1800℃，然后保温3.5h，得到对比例8的陶瓷劈刀。
对比例9
对比例9的陶瓷劈刀的制作过程具体如下：
（1）提供与实施例1相同的陶瓷劈刀半成品。
（2）将陶瓷劈刀半成品置于微波处理设备中，设置升温速率为3℃/min，升温至1450℃，然后保温14h，得到对比例9的陶瓷劈刀。
对比例10
对比例10的陶瓷劈刀的制作过程具体如下：
（1）提供与实施例13相同的陶瓷劈刀半成品。
（2）将陶瓷劈刀半成品置于微波处理设备中，设置升温速率为9℃/min，升温至1100℃，然后保温1h，得到对比例10的陶瓷劈刀。
对比例11
对比例11的陶瓷劈刀的制作过程具体如下：
（1）提供与实施例13相同的陶瓷劈刀半成品。
（2）将陶瓷劈刀半成品置于微波处理设备中，设置升温速率为18℃/min，升温至1250℃，然后保温1h，得到对比例11的陶瓷劈刀。
对比例12
对比例12的陶瓷劈刀的制作过程具体如下：
（1）提供与实施例13相同的陶瓷劈刀半成品。
（2）将陶瓷劈刀半成品置于微波处理设备中，设置升温速率为9℃/min，升温至1250℃，然后保温15min，得到对比例12的陶瓷劈刀。
将实施例1~实施例18和对比例1~对比例12的陶瓷劈刀的制作过程中的工艺参数列于下表1中。
表 1 实施例1~实施例18~对比例1~对比例12的工艺参数
以下为测试部分：
采用原子力显微镜分别测试实施例1~实施例18和对比例1~对比例12的陶瓷劈刀的表面粗糙度。
采用ASTME384-17纳米压痕方法分别测试实施例1~实施例18和对比例1~对比例12的陶瓷劈刀的纳米硬度。
采用三点弯曲法分别测试实施例1~实施例18和对比例1~对比例12的陶瓷劈刀的弯曲强度。
采用热超声芯片键合焊接机分别测试实施例1~实施例18和对比例1~对比例12的陶瓷劈刀的焊接极限键合点数，若焊接极限键合点数越大，说明陶瓷劈刀的使用寿命越大。
采用微焊点强度测试仪分别测试实施例1~实施例18和对比例1~对比例12的陶瓷劈刀的引线与焊盘之间的推拉力。若推拉力最大值与最小值之差小于10g，说明焊接效果好；若推拉力最大值与最小值之前在10g以上且小于20g，则表示焊接效果较好；若推拉力最大值与最小值之差在20g以上且在30g以下，则表示焊接效果较差；若推拉力最大值与最小值之差大于30g，则表示焊接效果差。
上述实施例1~实施例18和对比例1~对比例12所制作得到的陶瓷劈刀的表面粗糙度、纳米硬度、弯曲强度数据如下表2所示。实施例1~实施例18和对比例1~对比例12所制作得到的陶瓷劈刀的焊接极限键合点数及焊接效果数据如下表3所示。在表3中，焊接极限键合点数的单位KK=1000K。
表 2实施例1~实施例18和对比例1~对比例12的陶瓷劈刀的力学性能数据
表 3实施例1~实施例18和对比例1~对比例12的陶瓷劈刀的焊接性能数据
从上述表中可以看出，在一定范围内，升温速率越慢，陶瓷劈刀的表面粗糙度和焊线的使用寿命越高；保温时间越长，陶瓷劈刀的表面粗糙度和焊线的使用寿命越高。微波处理的温度越高，陶瓷劈刀的表面粗糙度和焊线的使用寿命越高。
从上述表中可以看出，实施例1~实施例18所制作得到的陶瓷劈刀的焊线的使用寿命、力学性能和焊接效果均较对比例1~对比例12制作得到的陶瓷劈刀的性能更好。因此，采用微波处理的方式通过调整微波处理的温度、升温速率、保温时间等参数，能够提高陶瓷劈刀的表面粗糙度，进而提高焊线的使用寿命，同时提高陶瓷劈刀的纳米硬度、弯曲强度等力学性能。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (9)
1.一种陶瓷劈刀的表面粗化处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供陶瓷劈刀半成品，所述陶瓷劈刀半成品的材料为氧化铝或增韧氧化铝；及
将所述陶瓷劈刀半成品表面进行微波粗化处理，制备陶瓷劈刀，其中，所述微波处理的温度为1200℃~1600℃，升温速率为0.2℃/min~15℃/min，保温时间为0.5h~12h，所述微波处理用于对所述陶瓷劈刀半成品进行表面处理，以使所述陶瓷劈刀的表面粗糙度为0.01μm~0.60μm；
所述陶瓷劈刀能够用于金线焊接、合金线焊接或铜线焊接。
2.根据权利要求1所述的陶瓷劈刀的表面粗化处理方法，其特征在于，所述微波粗化处理的温度为1400℃~1500℃，升温速率为2℃/min~5℃/min，保温时间为3h~4h。
3.根据权利要求1所述的陶瓷劈刀的表面粗化处理方法，其特征在于，所述微波粗化处理的温度为1300℃~1400℃，升温速率为5℃/min~8℃/min，保温时间为2h~3h。
4.根据权利要求1所述的陶瓷劈刀的表面粗化处理方法，其特征在于，所述微波粗化处理的温度为1200℃~1300℃，升温速率为8℃/min~10℃/min，保温时间为0.5h~2h。
5.一种陶瓷劈刀，其特征在于，由权利要求1~4任一项所述的陶瓷劈刀的表面粗化处理方法制作得到。
6.根据权利要求5所述的陶瓷劈刀，其特征在于，所述陶瓷劈刀的表面粗糙度为0.4μm~0.6μm。
7.根据权利要求5所述的陶瓷劈刀，其特征在于，所述陶瓷劈刀的表面粗糙度为0.1μm~0.3μm。
8.根据权利要求5所述的陶瓷劈刀，其特征在于，所述瓷劈刀的表面粗糙度为0.01μm~0.10μm。
9.一种半导体封装方法，其特征在于，包括如下步骤：使用陶瓷劈刀和焊线将芯片与封装框架焊接，以使所述芯片与所述封装框架电气导通，其中，所述陶瓷劈刀为权利要求5~8任一项所述的陶瓷劈刀，所述焊线为金线、合金线或铜线。
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