CN111542646A - 制造超低铁损取向电工钢板的方法 - Google Patents

制造超低铁损取向电工钢板的方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种制造超低铁损取向电工钢板的方法。本发明的制造取向电工钢板的方法包括以下步骤：准备取向电工钢板；利用常压等离子体化学气相沉积工艺(APP‑CVD)，在等离子体状态下，使气相的陶瓷前体进行接触反应，从而在所述电工钢板的一面或两面的一部分或全部形成陶瓷涂层。

Description

制造超低铁损取向电工钢板的方法
技术领域
本发明涉及一种制造取向电工钢板的方法。
背景技术
通常，取向电工钢板是指在钢板中包含3.1％左右的Si成分，并且具有晶粒取向沿{100}<001>[0002]方向排列的织构，因此在轧制方向上具有极其优异的磁特性的电工钢板。这种{100}<001>织构可以通过各种制造工艺的组合来获得，特别是需要非常严格地控制钢坯的成分和将其进行加热、热轧、热轧板退火、一次再结晶退火和最终退火的一系列过程。具体地，取向电工钢板通过如下获得的二次再结晶组织显示出优异的磁特性，即抑制一次再结晶晶粒的生长，并在生长受到抑制的晶粒中选择性地使{100}<001>取向的晶粒生长而获得二次再结晶组织，因此更重要的是一次再结晶晶粒的生长抑制剂。并且，取向电工钢板的制造技术的主要事项之一在于，在最终退火工艺中，在生长受到抑制的晶粒中可以稳定地使具有{100}<001>取向的织构的晶粒优先生长。可以满足上述条件且目前在工业中广泛利用的一次晶粒的生长抑制剂有MnS、AlN和MnSe等。具体地，在高温下进行长时间的再加热，使钢坯中含有的MnS、AlN和MnSe等固溶后进行热轧，并在之后的冷却过程中具有适当的尺寸和分布的上述成分成为析出物，从而可以用作所述生长抑制剂。但是，这具有必须将钢坯加热至高温的问题。关于此，近年来努力通过在低温下加热钢坯的方法来改善取向电工钢板的磁特性。为此，提出了在取向电工钢板中添加锑(Sb)元素的方法，但由于最终高温退火后的晶粒尺寸不均匀且粗大，被指出存在变压器的噪音质量变差的问题。
另外，为了最小化取向电工钢板的功耗，一般在其表面形成绝缘薄膜，这时绝缘薄膜基本上需要具有高的电绝缘性且与材料的粘合性优异，并且需要具有外观没有缺陷的均匀的颜色。另外，近年来，由于对变压器噪音的国际标准的强化和相关行业的竞争加剧，为了降低噪音，需要研究取向电工钢板的绝缘薄膜的磁致伸缩现象。具体地，向用作变压器铁芯的电工钢板施加磁场时，反复收缩和膨胀而引发振动现象，由于这种振动，引起变压器中的振动和噪音。在通常已知的取向电工钢板的情况下，钢板和基于镁橄榄石(Forsterite)的薄膜上形成绝缘薄膜，并利用这种绝缘薄膜的热膨胀系数差向钢板赋予拉伸应力，从而获得改善铁损且减少磁致伸缩引起的噪音的效果，但在满足最近需要的高级取向电工钢板的噪音水平方面存在局限性。另外，作为减少取向电工钢板的90°磁畴的方法，已知有湿涂的方式。其中，90°磁畴是指相对于[0010]磁场施加方向成直角的磁化的区域，这种90°磁畴的量越少，则磁致伸缩越小。但是，普通的湿涂方式的通过施加拉伸应力来改善噪音的效果不足，并且具有需要涂覆成涂覆厚度厚的厚膜的缺点，因此存在变压器占空系数和效率变差的问题。
另外，作为向取向电工钢板的表面赋予高张力特性的方法，已知有通过物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)和化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)等真空沉积的涂覆方式。但是，这种涂覆方式的问题在于，难以进行工业化生产，并且通过该方法制造的取向电工钢板的绝缘特性差。
发明内容
要解决的技术问题
本发明的目的在于提供一种制造取向电工钢板的方法，所述方法通过APP-CVD法在取向电工钢板的一面或两面的至少一部分形成陶瓷涂层。
此外，本发明的目的在于提供一种制造取向电工钢板的方法，所述方法通过APP-CVD法在表面形成有镁橄榄石薄膜的取向电工钢板的一面或两面的至少一部分形成陶瓷涂层。
此外，本发明要解决的技术问题并不限于以上提及的技术问题，本发明所属技术领域中具有通常知识者可以根据以下记载明确地理解未提及的其它技术问题。
技术方案
本发明的一个实施方案涉及一种制造取向电工钢板的方法，所述方法包括以下步骤：准备取向电工钢板；利用常压等离子体化学气相沉积工艺(APP-CVD)，在等离子体状态下，使气相的陶瓷前体进行接触反应，从而在所述取向电工钢板的一面或两面的一部分或全部形成陶瓷涂层。
本发明的一个实施方案涉及一种制造取向电工钢板的方法，所述方法包括以下步骤：准备取向电工钢板，所述取向电工钢板的表面形成有镁橄榄石薄膜；利用常压等离子体化学气相沉积工艺(APP-CVD)，在等离子体状态下，使气相的陶瓷前体进行接触反应，从而在形成薄膜的所述取向电工钢板的一面或两面的一部分或全部形成陶瓷涂层。
所述陶瓷涂层可以在大气压条件下利用高密度射频在电工钢板表面形成电场而产生等离子体的状态下，混合由Ar、He和N2中的一种以上组成的第一气体和气相的陶瓷前体后使其在电工钢板表面进行接触反应而形成。
所述陶瓷涂层可以在所述第一气体和气相的陶瓷前体中进一步混合由H2、O2和H2O中的一种组成的第二气体后使其在电工钢板表面进行接触反应而形成。
所述第一气体和第二气体优选加热至所述陶瓷前体的汽化点以上的温度。
所述陶瓷涂层为TiO2时，可以利用四异丙氧基钛(Titanium Isopropoxide，TTIP，Ti{OCH(CH3)2}4)或TiCl4作为所述陶瓷前体。
所述陶瓷涂层的厚度可以为0.1-0.6μm，这时的不同厚度的涂层的铁损改善率可以为7-14％。
准备所述取向电工钢板的步骤可以包括以下步骤：准备钢坯，以重量％计，所述钢坯包含：硅(Si)：2.6-4.5％、铝(Al)：0.020-0.040％、锰(Mn)：0.01-0.20％、余量的Fe和其它不可避免的杂质；将所述钢坯进行加热并热轧以制造热轧板；将所述热轧板进行冷轧以制造冷轧板；将所述冷轧板进行脱碳退火以获得经过脱碳退火的钢板；以及在经过脱碳退火的所述钢板上涂覆退火分离剂，并进行最终退火。
将所述冷轧板进行脱碳退火以获得经过脱碳退火的钢板的步骤可以是将冷轧板进行脱碳的同时进行渗氮，或者在脱碳之后进行渗氮，并进行退火以获得经过脱碳退火的钢板的步骤。
在所述APP-CVD工艺前后，可以以200-1250℃的温度范围对电工钢板进行预加热(Pre Heating)和/或后加热(Post Heating)。
有益效果
根据上述的本发明，可以有效地提供一种铁损特性优异的取向电工钢板。
附图说明
图1是示出常规的取向电工钢板的制造工艺的图。
图2是示出本发明的利用APP-CVD工艺在电工钢板或其表面形成有镁橄榄石薄膜的电工钢板的表面上形成陶瓷涂层的机理(Mechanism)的示意图。
图3是示出本发明的APP-CVD工艺中通过射频功率源(RF Power Source)产生的等离子体区域内作为陶瓷前体的一个实例的TTIP被解离的状态的图。
最佳实施方式
以下，对本发明的实施方案进行详细说明，以使本发明所属技术领域中具有通常知识者可以容易实施。但是，本发明可以通过各种不同的实施方案实现，并不限定于以下说明的实施方案。
常规的取向电工钢板经过如下的制造工艺制造。
图1是示出常规的取向电工钢板的制造工艺的图。
如图1所示，首先是退火酸洗工艺(退火酸洗线(Annealing&Pickling Line，APL))，该工艺起到如下作用，即去除热轧板的氧化皮(Scale)，确保冷轧性，并且使热轧板的抑制剂(Inhibitor)(AlN)析出并分散以有利于磁性。接着是冷轧工艺(森吉米尔轧机(SendZimir Rolling Mill))，通过该工艺轧制成客户公司所要求的最终产品厚度，并且该工艺起到确保有利于磁性的晶体取向的作用。然后是脱碳渗氮退火工艺(脱碳渗氮线(Decarburizing&Nitriding Line，DNL))，通过该工艺去除材料的[C]，并通过适当的温度和氮化反应形成一次再结晶。随后是高温退火工艺(COF)，通过该工艺形成底涂(Mg2SiO4)层，并形成二次再结晶。最后是HCL工艺，通过该工艺矫正材料形状，并去除所述退火分离剂后形成绝缘薄膜层，从而向电工钢板的表面赋予张力。
在本发明中，以利用APP-CVD工艺形成陶瓷涂层的工艺来代替所述绝缘涂覆工艺(HCL)中的绝缘薄膜形成工艺。
即，本发明的制造取向电工钢板的方法中，首先准备待涂覆陶瓷涂层的取向电工钢板。
这时，在本发明中，不受限于这种取向电工钢板的特定的钢的组成成分和制造工艺，可以利用常规的制造工艺制造通常使用的取向电工钢板。
优选地，所述取向电工钢板可以利用包括以下步骤的工艺来制造：准备钢坯；将所述钢坯进行加热并热轧以制造热轧板；将所述热轧板进行冷轧以制造冷轧板；将所述冷轧板进行脱碳退火以获得经过脱碳退火的钢板；以及在经过脱碳退火的所述钢板上涂覆退火分离剂，并进行最终退火。
并且，其中，将所述冷轧板进行脱碳退火以获得经过脱碳退火的钢板的步骤可以是将冷轧板进行脱碳的同时进行渗氮，或者在脱碳之后进行渗氮，并进行退火以获得经过脱碳退火的钢板的步骤。
此外，在本发明中，以重量％计，所述钢坯可以包含：硅(Si)：2.6-4.5％、铝(Al)：0.020-0.040％、锰(Mn)：0.01-0.20％、余量的Fe和其它不可避免的杂质。以下，对本发明中的所述钢坯的组成成分和含量进行限制的理由进行说明。
Si：2.6-4.5重量％
硅(Si)起到通过增加钢的电阻率来减少铁损的作用，当Si的含量过少时，钢的电阻率变小，导致铁损特性变差，并且高温退火时存在相变区间，因此可能会存在二次再结晶不稳定的问题。当Si的含量过多时，脆性增加，因此可能会存在难以进行冷轧的问题。因此，可以在上述的范围内调节Si的含量。更具体地，可以包含2.6-4.5重量％的Si。
Al：0.020-0.040重量％
铝(Al)是最终成为AlN、(Al，Si)N、(Al，Si，Mn)N形式的氮化物而起到抑制剂作用的成分。当Al的含量过少时，难以期待作为抑制剂的充分的效果。此外，当Al的含量过多时，析出并生长成过于粗大的Al系氮化物，因此作为抑制剂的效果可能会不足。因此，可以在上述的范围内调节Al的含量。
Mn：0.01-0.20重量％
与Si相同，Mn具有通过增加电阻率来减少铁损的效果，Mn和Si一起与通过氮化处理导入的氮反应形成(Al，Si，Mn)N的析出物，因此Mn是通过抑制一次再结晶晶粒的生长而引起二次再结晶的重要元素。但是，当Mn的含量过多时，在热轧过程中促进奥氏体相变，因此使一次再结晶晶粒的尺寸减小，导致二次再结晶不稳定。此外，当Mn的含量过少时，作为奥氏体形成元素可能会使如下效果不足，即在进行热轧再加热时提高奥氏体的分率，使析出物的固溶量增加，从而在再析出时通过析出物微细化和MnS的形成来防止一次再结晶晶粒过大的效果。因此，可以在上述的范围内调节Mn的含量。
本发明的钢坯还可以进一步包含0.01-0.15重量％范围的Sb、Sn、Cu或它们的组合。
Sb、Sn或Cu是晶界偏析元素，并且是阻碍晶界的移动的元素，因此作为晶粒生长抑制剂，促进{110}<001>取向的高斯晶粒的形成，使得二次再结晶很好地发达，因此是控制晶粒尺寸的重要元素。当单独或复合添加的Sb或Sn的含量过少时，可能会存在其效果降低的问题。当单独或复合添加的Sb、Sn或Cu的含量过多时，发生严重的晶界偏析，导致钢板的脆性增加，因此轧制时可能会发生板断裂。
另外，在本发明中，作为形成所述陶瓷涂层的基体还可以利用表面形成有镁橄榄石薄膜的取向电工钢板。
在取向电工钢板的制造工艺中，进行脱碳和氮化退火后，在用于形成二次再结晶的高温退火时，为了防止材料之间的相互粘连(sticking)而涂覆退火分离剂的过程中，涂覆剂的主要成分氧化镁(MgO)与取向电工钢板中含有的硅(Si)反应形成镁橄榄石薄膜。
在本发明中，可以在形成镁橄榄石薄膜的所述取向电工钢板的一面或两面中的至少一部分形成后述的陶瓷涂层，由此赋予薄膜张力的效果，并且使改善取向电工钢板的铁损的效果极大化，因此可以制造超低铁损取向电工钢板。
接着，在本发明中，利用常压等离子体化学气相沉积工艺(APP-CVD)，在等离子体状态下，使气相的陶瓷前体进行接触反应，从而在所述电工钢板的一面或两面的一部分或全部形成陶瓷涂层，或者在表面形成有镁橄榄石薄膜的取向电工钢板的一面或两面的一部分或全部形成陶瓷涂层。
对本发明中形成陶瓷涂层时利用的工艺，以下命名为常压等离子体化学气相沉积工艺(Atmospheric Pressure Plasma enhanced-Chemical Vapor Deposition，APP-CVD)。
与现有的化学气相沉积(CVD)、低压化学气相沉积(Low Pressure CVD，LPCVD)、常压化学气相沉积(Atmospheric Pressure CVD，APCVD)、等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced CVD，PECVD)相比，APP-CVD的自由基(radical)的密度更高，因此沉积率高。此外，与其它CVD不同，不需要高真空或低真空的真空设备，因此具有设备成本低的优点。即，由于没有真空设备，设备相对易于运转，并且具有优异的沉积性能。
并且，在本发明的APP-CVD工艺中，在大气压条件下利用高密度射频在电工钢板表面形成电场而产生等离子体的状态下，混合由Ar、He或N2组成的作为主要气体的第一气体和气相的陶瓷前体，然后将其供应至反应炉中并在电工钢板表面进行接触反应。
图2是示出本发明的利用APP-CVD工艺在电工钢板或其表面形成有镁橄榄石薄膜的电工钢板的表面上形成陶瓷涂层的机理(Mechanism)的示意图。
如图2所示，在该APP-CVD工艺中，在大气压下的条件下利用高密度射频(RadioFrequency)(例如，13.56MHz)在取向电工钢板的一面或两面形成电场。并且，用孔型(hole)、线型(Line)或面型喷嘴(Nozzle)喷射诸如Ar、He和N2中的一种以上的气体的第一气体(Primary Gas)时，在电场下电子分离而自由基(Radical)化，从而显示极性。
在本发明中，射频等离子体源(RF Plasma Source)可以根据情况使用多个线源(Line Source)或2D方形源(2D Squre Source)。这可以根据优化的涂覆速度和基材层的进行速度来改变源(Source)的种类。
接着，在射频功率源和钢板之间的50-60Hz的交流电下，Ar自由基(Radical)和电子在反应炉中往复运动，并和与第一气体混合的气相的陶瓷前体(例如，四异丙氧基钛(Titanium Isopropoxide，TTIP，Ti{OCH(CH3)2}4)碰撞，使前体解离，形成前体的自由基。
这时，在本发明中，诸如TTIP的气相的陶瓷前体与由Ar、He和N2中的一种以上组成的第一气体(Primary Gas)混合，然后经过射频功率源并通过气体(Gas)喷射喷嘴流入到反应炉内。
另外，诸如TTIP的陶瓷前体以液态(Liquid)储存，并通过50-100℃的加热工艺被汽化。并且，第一气体通过包含TTIP的位置时，第一气体与陶瓷前体混合，经过射频功率源并通过气体喷射喷嘴流入到反应炉内。
如上所述，本发明的陶瓷前体只要是液态且加热至不高的温度时可以容易地被汽化，则可以利用各种种类。例如，可以利用TTIP、TiCl4、TEOT等。即，在本发明中，所述陶瓷涂层为TiO2时，所述陶瓷前体可以利用四异丙氧基钛(Titanium Isopropoxide，TTIP，Ti{OCH(CH3)2}4)或TiCl4等。
这时，在本发明中，为了提高涂层的质量，必要时可以将第二气体与所述第一气体一起加入，从而提高涂层的纯度，其中所述第二气体是由O2、H2和H2O中的一种组成的辅助气体。即，为了提高涂层沉积质量，可以加入第二气体，通过与气体的反应来去除不需要的涂层。在本发明中，可以根据是否加热(Heating)基材层等各种条件来决定是否加入第二气体(Secondary Gas)。
如上所述，在本发明中，通过加热器将液态的陶瓷前体加热至汽化点以上，并且预先通过蒸汽加热器或电加热器将第一气体和第二气体加热至所述陶瓷前体的汽化点以上的温度，然后与陶瓷前体混合并以气态供应至反应炉内部，从而可以供应陶瓷前体气体作为等离子体源(Plasma Source)。
这时，优选地，第一气体、第二气体和陶瓷前体的流入量分别使用100-10000SLM、0-1000SCCM、10-1000SLM来形成陶瓷涂层。
并且，在本发明中，解离的自由基与电接地(ground)或带(-)电极的取向电工钢板碰撞并在表面形成陶瓷涂层(例如，TiO2)。
在本发明中，等离子体产生原理是在通过高密度射频功率源赋予的电场下电子加速并与原子和分子等中性(Neutral)粒子碰撞而发生电离(Ionization)、激发(Excitation)、解离(Dissociation)。其中，通过激发(Excitation)和解离(Dissociation)形成的活化的物质(species)可以与自由基(radical)反应形成最终期望的陶瓷涂层。
虽然不知道确切的沉积机理，但是作为一个实例，简化陶瓷TiO2沉积机理并说明时，可以说明为陶瓷前体TTIP通过电场下的等离子体如下分解并沉积在基材层表面上。
Ti(OR)4→Ti*(OH)x-1(OR)4-x→(HO)x(RO)3-xTi-O-Ti(OH)x-1(OR)4-1→Ti-O-Ti网络(network)
图3是示出本发明的APP-CVD工艺中通过射频功率源产生的等离子体区域内作为陶瓷前体的一个实例的TTIP被解离的状态的图。
另外，在本发明中，为了利用APP-CVD在以100mpm的速度进行的宽度为1m的取向电工钢板上沉积为0.05-0.5μm的厚度，可以需要500kW-10MW左右的射频功率源。并且，一个或多个射频功率源可以通过功率匹配系统(Power Matching System)保持稳定的电场。
在本发明中，所述陶瓷涂层的厚度优选为0.1-0.6μm的范围，这时的不同厚度的涂层的铁损改善率可以为7-14％。
并且，为了赋予沉积的陶瓷涂层的最终期望的张力，可以根据需要进行热处理。换句话说，在上述APP-CVD工艺前后，为了提高沉积速度和质量，优选以200-1250℃的范围对电工钢板进行预加热和/或后加热(Pre and/or Post Heating)。
具体实施方式
以下，通过实施例对本发明进行详细说明。
(实施例)
准备钢坯，所述钢坯包含：硅(Si)：3.4重量％、铝(Al)：0.03重量％、锰(Mn)：0.10重量％、锑(Sb)：0.05重量％、锡(Sn)：0.05重量％、铜(Cu)：0.05重量％，并且余量由Fe和其它不可避免的杂质组成。
接着，在1150℃下将钢坯加热220分钟，然后热轧至2.3mm的厚度，制得热轧板。然后，将热轧板加热至1120℃后在920℃下保持95秒，然后在水中进行急速冷却并进行酸洗，然后冷轧至0.27mm的厚度，制得冷轧板。
将所述冷轧板装入保持在850℃的炉(Furnace)中，然后调节露点温度和氧化能力，并在氢气、氮气和氨气的混合气体气氛中同时进行脱碳渗氮和一次再结晶退火，制得经过脱碳退火的钢板。
之后，混合主要成分为MgO的退火分离剂和蒸馏水，制得浆料，并利用辊(Roll)等，在经过脱碳退火的钢板上涂覆浆料，然后进行最终退火。这时，最终退火时的一次均热温度设为700℃，二次均热温度设为1200℃，在升温区间的温度区间中设为15℃/小时。此外，直到1200℃为止，设为25体积％的氮气和75体积％的氢气的混合气体气氛，在达到1200℃后，在100体积％的氢气气氛中保持15小时，然后进行炉冷(furnace cooling)。
并且，去除如上所述制造的电工钢板的表面上的退火分离剂，然后利用APP-CVD工艺形成陶瓷涂层。
具体地，在进行APP-CVD工艺之前，将取向电工钢板间接加热至500℃的温度，然后将钢板装入APP-CVD反应炉内。
另外，这时，在APP-CVD工艺中，在大气压下的条件下利用13.56MHz的射频(RadioFrequency)在取向电工钢板的一面或两面形成电场，并使Ar气体流入反应炉内。并且，在射频功率源和钢板之间的50-60Hz的交流电下，加热液相的陶瓷前体TTIP使其汽化，然后与Ar气体和H2气体混合并加入反应炉内，在电工钢板的表面形成不同厚度的TiO2陶瓷涂层。
将如上所述的形成不同厚度的陶瓷涂层的电工钢板在1.7T和50Hz的条件下评价磁特性。另外，电工钢板的磁特性通常使用W17/50和B8作为代表值。W17/50表示将频率为50Hz的磁场以交流电磁化至1.7特斯拉(Tesla)时出现的功耗。其中，特斯拉(Tesla)是表示每单位面积的磁通量(flux)的磁通量密度的单位。B8表示800A/m大小的电流量流过缠绕电工钢板周围的线圈时的流过电工钢板的磁通量密度值。
[表1]
Figure BDA0002558764350000111
Figure BDA0002558764350000121
如所述表1所示，可以确认在利用APP-CVD工艺在镁橄榄石薄膜上形成TiO2陶瓷涂层的本发明的发明例1至发明例4中，与未进行这种涂覆的比较例1相比，显示出优异的磁特性。
而且，与形成胶态二氧化硅/磷酸镁(1:1)薄膜的比较例2相比，可以确认利用APP-CVD工艺形成TiO2薄膜的本发明的发明例1至发明例4显示出更优异的铁损特性。
以上对本发明的实施例和发明例进行了详细说明，但本发明的权利范围并不限定于此，在不脱离权利要求书中记载的本发明的技术思想的范围内可以进行各种修改和变形，这对于本领域技术人员而言是显而易见的。

Claims (18)

1.一种制造取向电工钢板的方法，其包括以下步骤：
准备取向电工钢板；
利用常压等离子体化学气相沉积工艺(APP-CVD)，在等离子体状态下，使气相的陶瓷前体进行接触反应，从而在所述取向电工钢板的一面或两面的一部分或全部形成陶瓷涂层。
2.根据权利要求1所述的制造取向电工钢板的方法，其特征在于，所述陶瓷涂层是在大气压条件下利用高密度射频在电工钢板表面形成电场而产生等离子体的状态下，混合由Ar、He和N2中的一种以上组成的第一气体和气相的陶瓷前体后使其在电工钢板表面进行接触反应而形成。
3.根据权利要求2所述的制造取向电工钢板的方法，其特征在于，所述陶瓷涂层是在所述第一气体和气相的陶瓷前体中进一步混合由H2、O2和H2O中的一种组成的第二气体后使其在电工钢板表面进行接触反应而形成。
4.根据权利要求3所述的制造取向电工钢板的方法，其特征在于，将所述第一气体和第二气体加热至所述陶瓷前体的汽化点以上的温度。
5.根据权利要求1所述的制造取向电工钢板的方法，其特征在于，所述陶瓷涂层为TiO2时，利用四异丙氧基钛(TTIP，Ti{OCH(CH3)2}4)或TiCl4作为所述陶瓷前体。
6.根据权利要求1所述的制造取向电工钢板的方法，其特征在于，所述陶瓷涂层的厚度为0.1-0.6μm，这时的不同厚度的涂层的铁损改善率为7-14％。
7.根据权利要求1所述的制造取向电工钢板的方法，其特征在于，准备所述取向电工钢板的步骤包括以下步骤：
准备钢坯，以重量％计，所述钢坯包含：硅(Si)：2.6-4.5％、铝(Al)：0.020-0.040％、锰(Mn)：0.01-0.20％、余量的Fe和其它不可避免的杂质；
将所述钢坯进行加热并热轧以制造热轧板；
将所述热轧板进行冷轧以制造冷轧板；
将所述冷轧板进行脱碳退火以获得经过脱碳退火的钢板；以及
在经过脱碳退火的所述钢板上涂覆退火分离剂，并进行最终退火。
8.根据权利要求7所述的制造取向电工钢板的方法，其特征在于，将所述冷轧板进行脱碳退火以获得经过脱碳退火的钢板的步骤是将冷轧板进行脱碳的同时进行渗氮，或者在脱碳之后进行渗氮，并进行退火以获得经过脱碳退火的钢板的步骤。
9.根据权利要求1所述的制造取向电工钢板的方法，其特征在于，在所述APP-CVD工艺前后，以200-1250℃的温度范围对电工钢板进行预加热和/或后加热。
10.一种制造取向电工钢板的方法，其包括以下步骤：
准备取向电工钢板，所述取向电工钢板的表面形成有镁橄榄石薄膜；
利用常压等离子体化学气相沉积工艺(APP-CVD)，在等离子体状态下，使气相的陶瓷前体进行接触反应，从而在形成薄膜的所述取向电工钢板的一面或两面的一部分或全部形成陶瓷涂层。
11.根据权利要求10所述的制造取向电工钢板的方法，其特征在于，所述陶瓷涂层是在大气压条件下利用高密度射频在电工钢板表面形成电场而产生等离子体的状态下，混合由Ar、He和N2中的一种以上组成的第一气体和气相的陶瓷前体后使其在电工钢板表面进行接触反应而形成。
12.根据权利要求11所述的制造取向电工钢板的方法，其特征在于，所述陶瓷涂层是在所述第一气体和气相的陶瓷前体中进一步混合由H2、O2和H2O中的一种组成的第二气体后使其在电工钢板表面进行接触反应而形成。
13.根据权利要求12所述的制造取向电工钢板的方法，其特征在于，将所述第一气体和第二气体加热至所述陶瓷前体的汽化点以上的温度。
14.根据权利要求10所述的制造取向电工钢板的方法，其特征在于，所述陶瓷涂层为TiO2时，利用四异丙氧基钛(TTIP，Ti{OCH(CH3)2}4)或TiCl4作为所述陶瓷前体。
15.根据权利要求10所述的制造取向电工钢板的方法，其特征在于，所述陶瓷涂层的厚度为0.1-0.6μm，这时的不同厚度的涂层的铁损改善率为7-14％。
16.根据权利要求10所述的制造取向电工钢板的方法，其特征在于，准备所述取向电工钢板的步骤包括以下步骤：
准备钢坯，以重量％计，所述钢坯包含：硅(Si)：2.6-4.5％、铝(Al)：0.020-0.040％、锰(Mn)：0.01-0.20％、余量的Fe和其它不可避免的杂质；
将所述钢坯进行加热并热轧以制造热轧板；
将所述热轧板进行冷轧以制造冷轧板；
将所述冷轧板进行脱碳退火以获得经过脱碳退火的钢板；以及
在经过脱碳退火的所述钢板上涂覆退火分离剂，并进行最终退火。
17.根据权利要求16所述的制造取向电工钢板的方法，其特征在于，将所述冷轧板进行脱碳退火以获得经过脱碳退火的钢板的步骤是将冷轧板进行脱碳的同时进行渗氮，或者在脱碳之后进行渗氮，并进行退火以获得经过脱碳退火的钢板的步骤。
18.根据权利要求10所述的制造取向电工钢板的方法，其特征在于，在所述APP-CVD工艺前后，以200-1250℃的温度范围对电工钢板进行预加热和/或后加热。
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