CN111527453A - 光致抗蚀剂去除剂组合物 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及组合物，其基本由以下物质组成：具有结构(I)的烷基苯磺酸(其中n为0‑16的整数)；溶剂，其选自由具有结构(II)的溶剂(其中R选自‑(‑O‑CH2‑CH2‑)n’‑OH、‑OH和‑O‑C(＝O)‑CH3，其中n’等于1、2、3或4)、具有结构(III)的溶剂、具有结构(IV)的溶剂和具有结构(V)的溶剂组成的组，或选自该组的至少两种溶剂的溶剂混合物。在另一个实施方案中，该组合物还额外地包含表面活性剂组分。本发明还涉及使用这些组合物从基底去除图案化的光致抗蚀剂。

Description

光致抗蚀剂去除剂组合物
发明领域
本发明涉及由特定的烷基苯磺酸和特定的溶剂组成的低pKa去除剂溶液的组合物，以及涉及含有这两种组分和表面活性剂的组合物。这些去除剂溶液显示出从基底上干净地去除了光致抗蚀剂图案，表明去除的抗蚀剂图案完全溶解而没有颗粒形成或沉积。此外，当基底是诸如铜的金属时，额外地，去除图案化的抗蚀剂不会引起金属基底的显著腐蚀。
背景
本发明涉及化学剥离剂组合物，其使用新型的去除剂组合物去除交联的聚合物涂层，所述新型的去除剂组合物不促进金属基底的腐蚀，但是出乎意料地也不需要金属保护螯合化合物或具有电荷络合特性的化合物或聚合物存在以防止显著的腐蚀。
通过这些新颖配方去除的材料包括正性和负性化学放大(例如环氧树脂)和酸催化的可光成像涂层。许多用于微电子涂层的商业化剥离剂的性能不足以满足最低制造要求。本发明提供了一种商业框架，以创建用于交联体系的去除产品，该交联体系在酸性介质中响应而没有在含有金属如铜的器件上通常观察到的有害的刻蚀和破坏作用，但同时不含在去除/剥离过程中可能有害地形成颗粒物质的金属螯合化合物。
对于各种加工条件，直至并包括硬烘烤(或称为全固化)，在高温下使用常规的浸入条件，组合物将在数分钟内去除并溶解化学放大的反应化合物，而不会损坏敏感金属如铜。发现这种全固化涂层对通常包含碱性组分的常规有机剥离剂具有抗性，所述常规有机剥离剂如Moore等人的US专利No.6,551,973(2003)中举例说明的。使用这些常规的剥离剂，不会发生溶解。相反，观察到这些常规的碱性剥离剂通过提升或破碎成碎片的机制除去涂层。如在微机电系统(MEMS)装置中常见的那样，这种升离机制会从复杂的三维形貌中产生不完全的去除。未溶解的物质将产生在整个浴中循环的颗粒，从而导致未溶解的碎片重新沉积到器件的其他区域。这些微小的、计算机控制的齿轮、传感器、弹簧、泵以及相关的微米或纳米级尺度的夹具上发生的这种污染会导致污染和器件故障。本发明的一个目的是在给定的剥离和去除期间使不需要的聚合物材料完全溶解。
一些去除交联涂层的低pKa体系是通过完全溶解而不是升离来去除的，然而，这些材料含有金属腐蚀抑制剂，由于这些抑制剂组分在去除过程中的沉淀，它们会意外地导致颗粒问题。这些腐蚀抑制剂是金属络合添加剂，通过在去除过程中与金属基底络合而通过低pKa去除剂添加以防止金属基底腐蚀。这种腐蚀抑制剂的一个实例是含有烯醇类基团的小分子、低聚物或聚合物，例如，含有与醇官能团相邻的不饱和碳链。代表性的烯醇抑制剂包括富马酸、马来酸和邻苯二甲酸。抑制剂的更具体实例是松香类的那些；这些是例如富马松香。由低pKa去除剂中的金属抑制剂形成的颗粒可能沉积到器件的其他区域，从而严重影响最终器件的性能。含有此类金属抑制剂的这种低pKa去除剂体系的非限制性实例描述于WO2016/142507中。
在这些微电路或微器件的制造过程中，各种无机基底(例如单晶硅和多晶硅)、混合半导体(例如砷化镓)和金属均涂覆有有机涂层(“光致抗蚀剂”或抗蚀剂)，形成永久性或临时性设计的抗性框架，并在进行光刻工艺后呈现出图案。光致抗蚀剂可用于使导体绝缘或保护基底表面(例如硅、二氧化硅或铝)的选定区域免受湿(化学)形式和干(等离子体)形式的化学物质的作用。在将材料用作光致抗蚀剂的情况下，基底的暴露区域可以进行期望的蚀刻(去除)或沉积(添加)工艺。在完成该操作之后以及随后的冲洗或调节之后，有必要去除抗蚀剂和任何施加的蚀刻后残留物，以允许必要的完成操作。去除光致抗蚀剂后，留下特定的微蚀刻或沉积图案。掩模和图案化工艺重复几次以产生包含最终器件的技术的分层配置。每个步骤都需要完全抗蚀剂剥离和溶解，以确保最终成型器件以相对较高的产率生产并令人满意地工作。在此过程中，任何颗粒沉积到有源区中都会有害地影响器件的产率和性能。
本发明的目的是提供改进的剥离组合物，该剥离组合物将除去大部分的不同图案化的光致抗蚀剂膜，包括由不同类型的负性和正性抗蚀剂体系形成的膜。在这些不同类型中，实例是可通过可见光、宽带i-线、g-线、h-线、UV、248nm、193nm、193nm浸渍、深UV、EUV，电子或电子束成像的抗蚀剂。取决于采用哪种类型，这些材料可含有添加剂，例如易于形成颗粒的光活性化合物(例如DNQ)、光酸产生剂(PAG)和光自由基产生剂。因此，本发明的另一个目的是能够除去由这些类型的抗蚀剂形成的图案，从而在数分钟而不是数小时内完全溶解所有组分，树脂和添加剂，而不会形成颗粒。本发明的另一个目的是在不使用金属腐蚀抑制剂添加剂的情况下从基底上进行这种光致抗蚀剂的去除而不侵蚀下面的裸露的铜以及其他金属，因为这样的添加剂也易于在去除抗蚀剂图案期间促进颗粒形成。进一步的目的是通过使用不会对工人或环境造成伤害的安全且不受管制的化学并且避免使用低闪点的溶剂，尤其是沸点低于约150℃的那些来进行这种光致抗蚀剂图案的去除和金属保护。
本发明的新型的去除剂组合物通过使用安全非管制的沸点大于150℃的溶剂完全溶解来自许多不同类型抗蚀剂的图案的光致抗蚀剂图案，而不形成升离抗蚀剂膜或由树脂或添加剂产生的颗粒，从而赋予这些有利的性能。同时，出乎意料的是，这些新型的去除剂组合物虽然含有低的pKa组分(一种烷基苯磺酸组分)，却不需要任何抑制剂添加剂的存在来抑制金属基底，如铜等的严重腐蚀。因此，在使用这些新型组合物的去除过程中，没有与金属腐蚀抑制剂的沉淀相关的问题。已经发现这些新型去除剂组合物及其使用方法在半导体晶片、MEMS器件和显示器的制造中特别有用。
发明概述
在其方面之一，本发明涉及组合物，其基本上由以下物质组成：
具有结构(I)的烷基苯磺酸，其中n为0-16的整数；
Figure BDA0002552469310000041
和
溶剂，其选自由具有结构(II)的溶剂(其中R选自-(-O-CH2-CH2-)n’-OH、-OH和-O-C(＝O)-CH3，其中n’等于1、2、3或4)、具有结构(III)的溶剂、具有结构(IV)的溶剂和具有结构(V)的溶剂组成的组，或选自该组的至少两种溶剂的溶剂混合物；
Figure BDA0002552469310000042
在另一个实施方案中，该组合物还额外地基本上包含表面活性剂组分。最终，本发明还涉及使用以上组合物以从基底去除图案化的光致抗蚀剂。
发明详述
应当理解，前面的一般描述和下面的详细描述都是说明性和解释性的，并且不限制所要求保护的主题。在本申请中，单数的使用包括复数，除非另有明确说明，否则词语“一”或“一个(种)”是指“至少一个(种)”，并且“或”的使用是指“和/或”。此外，术语“包括”以及诸如“包含”和“含有”之类的其他形式的使用不是限制性的。此外，除非另有明确说明，否则诸如“元件”或“组件”的术语涵盖包含一个单元的元件和组件以及包括一个以上单元的元件或组件。如本文所使用的，除非另有说明，连词“和”旨在具有包容性，而连词“或”并不旨在具有排他性。例如，短语“或替代地”意图是排他的。如本文所使用的，术语“和/或”是指前述元素的任意组合，包括使用单个元素。
术语“(甲基)丙烯酸酯”是在一个术语中体现丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯的术语。
术语“剥离剂”和“去除剂”是同义词。
本文中使用的各节标题是出于组织目的，并且不应解释为限制所描述的主题。本申请中引用的所有文件或文件的部分，包括但不限于专利、专利申请、文章、书籍和专著，出于任何目的在此明确地通过引用全文并入本文。如果一个或多个所结合的文献和类似材料以与本申请中该术语的定义相抵触的方式定义了该术语，则以本申请为准。
当以wt％表示组合物时，应理解的是，在任何情况下，包括非必要组分(例如杂质)在内的所有组分的重量％均不应超过100重量％。在那些组合物含有少量非必要污染物或杂质的情况下，所有必要组分的组合物的总和可能少于100wt％。否则，如果不存在显著的非必要杂质组分，则应理解所有必要组分的组合物将基本上合计为100重量％。表述“基本上由...组成”的含义是，组分构成组合物的至少90wt％，更优选至少95wt％，最优选至少99wt％。术语“基本上”旨在是指组合物中不存在与所列组件相似的其他组分。例如，当组合物由存在烷基苯磺酸和特定溶剂定义时，优选在组合物中不存在额外的其他烷基苯磺酸和溶剂。当对于组合物，烷基苯磺酸、溶剂和表面活性剂被定义为必要组分时，优选不采用额外的烷基苯磺酸、溶剂或表面活性剂(特定类型的)。因此，当将表面活性剂定义为对应于结构(VI)或(VIa)时，优选在组合物中不存在不同于该结构的其他表面活性剂。根据本发明的一个实施方案，术语“基本由…组成”可以被“由…组成”替代，从而不允许在组合物中包含其它组分。
本发明涉及组合物，其基本上由以下物质组成：具有结构(I)的烷基苯磺酸，其中n为0-16的整数；溶剂，其选自由具有结构(II)的溶剂(其中R选自-(-O-CH2-CH2-)n’-OH、-OH和-O-C(＝O)-CH3，其中n’等于1、2、3或4)、具有结构(III)的溶剂、具有结构(IV)的溶剂和具有结构(V)的溶剂组成的组，或选自该组的至少两种溶剂的溶剂混合物；
Figure BDA0002552469310000061
和
Figure BDA0002552469310000062
在另一个实施方案中，本发明涉及组合物，其基本上由以下物质组成：具有结构(I)的烷基苯磺酸，其中n为0-16的整数；溶剂，其选自由具有结构(II)的溶剂(其中R选自-(-O-CH2-CH2-)n’-OH、-OH和-O-C(＝O)-CH3，其中n’等于1、2、3或4)、具有结构(III)的溶剂、具有结构(IV)的溶剂和具有结构(V)的溶剂组成的组，或选自该组的至少两种溶剂的溶剂混合物；和表面活性剂。
在以上含有表面活性剂的实施方案中，对表面活性剂没有特别限制，并且其实例包括聚氧乙烯烷基醚，例如聚氧乙烯月桂基醚、十乙二醇单十二烷基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯十六烷基醚和聚氧乙烯油精醚；聚氧乙烯烷基芳基醚，例如聚氧乙烯辛基酚醚和聚氧乙烯壬基酚醚；聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段共聚物；山梨糖醇脂肪酸酯例如山梨糖醇单月桂酸酯、山梨糖醇单戊酸酯和山梨糖醇单硬脂酸酯；聚氧乙烯山梨糖醇脂肪酸酯例如聚氧乙烯山梨糖醇单月桂酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇单棕榈酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇单硬脂酸酯、聚乙烯山梨糖醇三油酸酯和聚氧乙烯山梨糖醇三硬脂酸酯的非离子表面活性剂；氟化的表面活性剂例如F-Top EF301、EF303和EF352(Jemco Inc.制造)，Megafac F171,F172,F173,R08,R30,R90和R94(DainipponInk&Chemicals,Inc.制造)，Florad FC-430,FC-431,FC-4430,和FC-4432(Sumitomo 3M Ltd.制造)，Asahi Guard AG710,Surflon S-381,S-382,S-386,SC101,SC102,SC103,SC104,SC105,SC106,Surfinol E1004,KH-10,KH-20,KH-30和KH-40(Asahi Glass Co.,Ltd.制造)；有机硅氧烷聚合物例如KP-341,X-70-092和X-70-093(Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.制造)；和丙烯酸或甲基丙烯酸聚合物例如Polyflow No.75和No.95(Kyoeisha Yushikagaku Kogyo K.K.制造)。
在前述本发明组合物的另一个实施方案中，其中，表面活性剂以小于组合物的总重量的1wt％的量存在。在另一个实施方案中，表面活性剂以小于0.1wt％的量存在。
在以上本发明组合物的以上方面的任一的另一个实施方案中，该组合物是这样的组合物，其中表面活性剂是具有结构(VI)的聚合物表面活性剂，其中n”’是聚合物重复单元的数目和na为CH2间隔基团的数目，其是8-14的整数。在该方面组合物的另一个实施方案中，所述聚合物表面活性剂具有结构(VIa)。
在含有具有结构(VI)或(VIa)的表面活性剂的本发明的实施方案中，具有结构(VI)或(VIa)的表面活性剂各自在组合物中可以单独地以约0.005wt％至约0.100wt％存在。在另一个实施方案中，约0.010wt％至约0.050wt％。在另一实施方案中，约0.015wt％至约0.040wt％。在仍然另一实施方案中，约0.020wt％至约0.035wt％。在另一实施方案，约0.022wt％至约0.030wt％。在仍然另一实施方案中，约0.023wt％至约0.028wt％。在另一个实施方案中，约0.024wt％至约0.026wt％。在仍然另一实施方案中，约0.025wt％。
Figure BDA0002552469310000071
Figure BDA0002552469310000081
在以上本发明的组合物的以上方面任一另一个实施方案中，其中对于所述式(I)的烷基苯磺酸，n为8-16的整数。在该实施方案的另一方面中，组合物是这样的组合物，其中对于所述烷基苯磺酸，n为8-14的整数。在该方面的另一个实施方案中，烷基苯磺酸为其中n为8-10。
在以上本发明的任一以上方面的另一个实施方案中，组合物为这样的组合物，其中对于所述烷基苯磺酸，其具有结构(Ia)。
Figure BDA0002552469310000082
在以上本发明组合物的另一个实施方案中，组合物为这样的组合物，在结构(I)的所述烷基苯磺酸中，n为0-10的整数。在该实施方案的另一个方面，n为0-5的整数。在该方面的另一个实施方案，n为0-2的整数。在该实施方案的另一个方面，所述烷基苯磺酸具有结构(Ib)。
Figure BDA0002552469310000083
在该组合物的以上方面的另一个实施方案中，其中烷基苯磺酸具有结构(I)，其中n为0-16的整数，该酸具有更具体的结构(Ic)，其中nb为0-16的整数。在该实施方案的更具体的方面，nb为10-14的整数。在本发明的另一个方面，nb为8-10的整数。在该方面另一个实施方案，其具有更具体的结构(Id)。
Figure BDA0002552469310000091
在该组合物任一以上方面的另一个实施方案中，其中烷基苯磺酸具有更具体的结构(Ic)，在更具体的实施方案中，nb为0-10的整数。在该实施方案的另一个方面，nb为0-5的整数。在该方面的另一个实施方案，该酸具有更具体的结构(Ie)，
Figure BDA0002552469310000092
在该组合物的任一以上方面的另一个实施方案中，具有结构(I)的烷基苯磺酸组分在溶液的总重量中具有约1wt％至约10wt％的wt％负载量。在本实施方案的另一个方面中，该酸的wt％负载量为约2wt％至约8wt％。在本实施方案的另一个方面中，该酸的wt％负载量为约3wt％至约7wt％。在本实施方案的另一个方面中，wt％为约4wt％至约6wt％。在本实施方案的另一个方面中，wt％为约5wt％。在组合物任一以上范围的另一个方案中，烯基磺酸具有结构(I)，其中n为8-16的整数。在另一个方面，n为8-14的整数。在另一个方面，n为8-10的整数。在任一以上描述的范围中，烷基苯磺酸具有结构Ia。
在该组合物的任一以上方面的另一个实施方案中，具有结构(Ic)的烷基苯磺酸组分在溶液的总重量中具有约1wt％至约10wt％的wt％负载量。在本实施方案的另一个方面中，该酸的wt％负载量为约2wt％至约8wt％。在本实施方案的另一个方面中，该酸的wt％负载量为约3wt％至约7wt％。在本实施方案的另一个方面中，wt％为约4wt％至约6wt％。在本实施方案的另一个方面中，wt％为约5wt％。在任一以上组合物范围的另一个方面中，烯基磺酸具有结构(Ic)，其中nb为8-16的整数。在另一个方面中，nb为8-14的整数。在另一个方面，nb为8-10的整数。在任一上述范围中，烷基苯磺酸具有结构Ic。
在该组合物的任一以上方面的另一个实施方案中，具有结构(I)的烷基苯磺酸组分在溶液的总重量中具有约1wt％至约10wt％的wt％负载量。在本实施方案的另一个方面中，该酸的wt％负载量为约1wt％至约6wt％。在本实施方案的另一个方面中，该酸的wt％负载量为约1wt％至约5wt％。在本实施方案的另一个方面中，wt％为约1wt％至约3wt％。在本实施方案的另一个方面中，wt％为约2wt％至约3wt％。在本实施方案的另一个方面中，wt％为约2.67wt％。在本实施方案的另一个方面中，n为0-5的整数。在该方面的另一个实施方案中，n为0-2的整数。在该方面的另一个实施方案中，n为0-1的整数。在本实施方案的另一个方面中，所述烷基苯磺酸具有结构(Ib)。
在该组合物的任一以上方面的另一个实施方案中，具有结构(Ic)的烷基苯磺酸组分在溶液的总重量中具有约1wt％至约10wt％的wt％负载量。在本实施方案的另一个方面中，该酸的wt％负载量为约1wt％至约6wt％。在本实施方案的另一个方面中，该酸的wt％负载量为约1wt％至约5wt％。在本实施方案的另一个方面中，该酸的wt％负载量为约1wt％至约3wt％。在本实施方案的另一个方面中，wt％为约2wt％至约3wt％。在本实施方案的另一个方面中，wt％为约2.67wt％。在以上组合物任一范围的另一个方面，烯基磺酸具有结构(Ic)，其中nb为0-10的整数。在本实施方案的另一个方面中，nb为0-5的整数。在本发明的另一个实施方案中，nb为0-2的整数。在本方面的另一个实施方案中，nb为0-1的整数。在本实施方案的另一个方面中所述烷基苯磺酸具有结构(Ie)。
由结构(II)、(III)、(IV)和(V)体现的溶剂在大气压下都具有高于150℃的沸点。更具体地，它们在大气压下的沸点高于约160℃。例如，结构(II)的方面之一，四乙二醇(四氢糠基二甘醇醚)在大气压下的预测沸点为302.7℃。类似地，分别落在结构(II)范围内的其他化合物四氢糠醇和乙酸四氢糠酯在大气压下的沸点分别为178℃和193℃。对应于结构(III)的化合物1,2-丙二醇的沸点为188.2℃。对应于结构(IV)的化合物碳酸1,2-亚丙酯的沸点为242℃。最后，与结构(V)对应的化合物二氢-2(3H)-呋喃酮的沸点为204℃。
在该组合物的任一以上方面的另一个实施方案中，所述溶剂为具有落入如前所定义的结构(II)范围内的结构的单一溶剂。
在该组合物的任一以上方面的另一个实施方案中，所述溶剂是至少两种不同的落入如前所定义的结构(II)范围内的结构的溶剂混合物。
在该组合物的任一以上方面的另一个实施方案中，所述溶剂具有结构(IIa)，其中n’为1、2、3或4。
Figure BDA0002552469310000111
在该组合物的任一以上方面的另一个实施方案中，所述溶剂为具有结构(IIa)且具有不同的1、2、3或4的n’值的至少两种溶剂的混合物。
在该组合物的任一以上方面的另一个实施方案中，所述溶剂具有结构(IIb)。
Figure BDA0002552469310000112
在上述组合物的另一个实施方案中，所述溶剂具有结构(IIc)。
Figure BDA0002552469310000121
在上述组合物的另一个实施方案中，所述溶剂具有结构(IId)。
Figure BDA0002552469310000122
在上述组合物的另一个实施方案中,所述溶剂具有结构(IIe)。
Figure BDA0002552469310000123
在上述组合物的另一个实施方案中，所述溶剂具有结构(IIf)。
Figure BDA0002552469310000124
在上述组合物的另一个实施方案中，所述溶剂具有结构(IIg)。
Figure BDA0002552469310000125
在上述组合物的另一个实施方案中，所述溶剂具有结构(III)。
Figure BDA0002552469310000131
在上述组合物的另一个实施方案中，所述溶剂具有结构(IV)。
Figure BDA0002552469310000132
在上述组合物的另一个实施方案中，所述溶剂具有结构(V)。
Figure BDA0002552469310000133
在新型组合物的以上实施方案中，其中溶剂组分为至少两种选自具有结构(II)、结构(III)、结构(IV)和结构(IV)的溶剂的溶剂混合物，可能的实施方案的非限制性实例如下：
选自结构(II)所体现的结构的溶剂的二元，三元或更多种的混合物，具有结构(II)所体现的结构的任何这些溶剂与具有结构(III)、(IV)或(V)的任何一种溶剂或具有结构(III)、(IV)或(V)的溶剂的混合物的混合物。
具体混合物的一个实施方案是具有通式(IIa)和不同n’值的不同溶剂的混合物。本发明该方面的非限制性实例例如是(IIb)、(IIc)、(IId)和(IIe)的四元混合物；(IIc)、(IId)和(IIe)，或(IIb)、(IIc)和(IIe)，或(IIb)、(IId)和(IIe)的三元混合物等；(IIb)和(IIc)或(IIb)和(IId)或(IIb)和(IIe)或(IIc)和(IId)或(IIc)和(IIe)或(IId)和(IIe)的二元混合物。如上所述的具有结构(IIa)的不同溶剂的混合物也可以与至少一种选自具有结构(IIf)、(IIg)、(III)、(IV)和(V)的溶剂的溶剂组合。
具有由结构(IIa)体现的不同结构，具有不同n'值的各个溶剂也可以与选自具有结构(IIf),(IIg),(III),(IV)和(V)的溶剂中的至少一种其他溶剂组合。
可能溶剂混合物的另一个实施方案是具有结构(IIf)的溶剂与选自具有结构(IIg),(III),(IV)和(V)的溶剂的另一种溶剂的二元混合物。
可能溶剂混合物的另一个实施方案是具有结构(IIg)的溶剂与另一种选自具有结构(III),(IV)和(V)的溶剂二元混合物。
可能溶剂混合物的另一个实施方案是具有结构(III)的溶剂与另一种选自具有结构(IV)和(V)的溶剂的二元混合物。
可能的溶剂混合物的另一个实施方案为具有结构(IV)的溶剂与具有结构(V)的溶剂的二元混合物。
可能的溶剂混合物的另一个实施方案为以上二元溶剂混合物与至少一种选自具有结构(IIb),(IIc),(IId),(IIe),(IIf),(IIg),(III),(IV)和(V)的溶剂的额外不同溶剂的混合物。
本发明的另一个方面为包括以下步骤的方法：
i)在由约室温至约100℃的温度下将上述组合物任一种加热；
ii)将涂覆有图案化的光致抗蚀剂膜的基底浸渍在所述加热的组合物中约1分钟至约60分钟，直至得到去除光致抗蚀剂膜的浸渍的基底；
iii)在浸渍步骤ii)之后，用异丙醇、水或异丙醇与水的混合物冲洗去除光致抗蚀剂膜的所述浸渍的基底以去除来自浸渍步骤ii)的任何残留组合物，制造清洁的基底；
iv)通过在空气中将其旋转干燥，或使用氮气或空气流将其干燥来干燥所述清洁的基底。
在本发明方法的另一个实施方案中，其中在步骤i)中，组合物被由约60℃加热至约100℃。
在以上本发明方法的另一个实施方案中，其中在步骤ii)中，基底是金属。在该实施方案的一个方面中，金属选自铝、铝/铜合金、铜、钛、钨和镍。在本实施方案方法的另一个方面中。金属选自铝、铝/铜合金和铜。在以上本发明方法的另一个实施方案中，其中在步骤ii)中，基底是铜。
在以上本发明方法的另一个实施方案中，其中在步骤ii)中，基底浸渍约1分钟至约5分钟。
在以上本发明方法的另一个实施方案中，其中在步骤iii)中，使用水进行冲洗。
新型去除剂组合物可以用于以上本发明的方法中以由许多不同类型的光致抗蚀剂图案去除图案，其为如下：
取决于应用，IC器件、IC器件互连、电路板、焊料板应用、MEM、显示器等，可以使用新型去除剂去除具有各种厚度的图案化的抗蚀剂膜。通常，厚度随着制造器件的尺寸而变化，从现有技术IC的几十纳米到大型IC器件的几微米范围，到非常大的器件(如MEM)的10到500微米。
本发明的去除剂可以与抗蚀剂图案一起使用，该抗蚀剂图案由能够形成图案的负性和正性光致抗蚀剂材料产生，其可以选自可以使用不同类型的辐射形成图案的那些。例如，作为非限制性实例，可以由i-线光致抗蚀剂、g-线光致抗蚀剂、248nm光致抗蚀剂、193nm光致抗蚀剂、极紫外光致抗蚀剂、电子束光致抗蚀剂和粒子束光致抗蚀剂形成用于去除的抗蚀剂图案。本发明的去除剂可以与可由光致抗蚀剂产生的光致抗蚀剂图案一起使用，所述光致抗蚀剂可以通过用于获得图案的化学类型进一步分类如下。
例如，本发明的去除剂可用于去除由可见、i-线、h-线和g-线曝光以及通过使用基于酚醛清漆树脂和重氮萘醌型敏化剂(DNQ)敏化剂材料的水性碱显影产生的正性图案，这些类型的抗蚀剂体系也可能通过色调反转工艺产生负性图像。基于重氮萘醌酚醛清漆的抗蚀剂描述于(Diazonapththoquinone-based Resists,Chapter 2,Basic Chemistry ofDNQ/Novolak resists,SPIE Optional Engineering Press volume TT 11,page 9,1993)中，其通过引用整体并入本文。
本发明的去除剂可用于去除由负性或正性光致抗蚀剂产生的抗蚀剂图案，所述光致抗蚀剂是化学放大的并且是水性碱可显影的。通常，抗蚀剂图案由248nm、193nm、EUV形成，以实现更高分辨率的图案，但是也可以使用更长的波长(例如可见光、宽带UV、i-线、g-线和h-线)产生抗蚀剂图案。
本发明的去除剂可用于去除由正性化学放大的抗蚀剂产生的抗蚀剂图案，使潜在水性碱可溶的树脂例如(甲基)丙烯酸酯共聚物、苯乙烯共聚物、酚醛清漆、酚醛树脂通过脱保护酸可裂解基团而可溶解于水性碱，该酸可裂解基团掩盖了水性碱可溶性基团。碱可溶基团可以是羧酸、苯酚或其他pKa通常低于11的基团，以使水性碱将其大部分电离。酸是由光酸产生化合物在光致抗蚀剂膜的曝光区域中产生的。该酸通过酸解或水解过程使酸可裂解基团脱保护，释放出游离碱可溶基团，从而使在光致抗蚀剂膜的曝光区域内可溶于水性碱。
本发明的去除剂可用于去除由负性化学放大的抗蚀剂产生的抗蚀剂图案，其固有的水性碱溶解度未被任何保护基团掩盖。而是，在这种方法中，固有的碱溶性树脂(粘合剂树脂)，例如基于水性碱可溶的(甲基)丙烯酸酯共聚物、苯乙烯共聚物、酚醛清漆等的树脂，通过光酸经由酸交联基团催化交联。这些基团可以是粘合剂树脂本身的一部分，存在于交联添加剂(交联剂)上，或可以存在于树脂和添加剂两者上。曝光区域中酸催化的交联会受到PAG产生的光酸的影响，在水性碱显影后，其产生负性图像。通常，当使用交联添加剂时，它是在与光酸相互作用时能够形成碳正离子的基团，例如氨基塑料，或者是含酸可交联基团的添加剂，例如环氧化合物。类似地，如果交联部分存在于树脂上，则它可以是能够与酸形成碳正离子的基团，或可以与酸经受交联的基团，例如环氧基团。以下参考文献是化学放大抗蚀剂的综述：(H.Ito,Adv Polym Sci 2005I72 p37)。
本发明的去除剂可用于去除由负性化学放大的抗蚀剂产生抗蚀剂图案，其中粘合剂树脂可包含酚醛清漆，例如衍生自诸如邻甲酚、间甲酚、对甲酚、2,4-二甲酚、2,5-二甲酚、3,4-二甲酚、3,5-二甲酚、百里酚及其混合物的取代酚的酚醛清漆，其已经用醛例如甲醛缩合。在其他方法中，粘合剂树脂还可以包含聚(乙烯基苯酚)，例如聚(对羟基苯乙烯)、聚(对羟基-α-甲基苯乙烯)、对羟基苯乙烯或对羟基-α-甲基苯乙烯和苯乙烯的共聚物、乙酰氧基苯乙烯或丙烯酸和/或甲基丙烯酸的共聚物、羟基苯基烷基甲醇均聚物、或酚醛清漆/聚(乙烯基酚)共聚物。对于这种负性化学放大抗蚀剂，交联添加剂可以被包含在小化合物、有机低聚物或聚合物中的氨基塑料交联官能团醚化。此类氨基塑料在酸裂解时提供碳正离子，并在存在由辐射，优选成像辐射产生的酸的情况下，使粘合剂树脂交联。这种交联使粘合剂树脂在曝光区域中不溶于碱性介质。这样的交联剂可以由多种氨基塑料与含有多个羟基、羧基、酰胺或酰亚胺基的化合物或低分子量聚合物组合制备。氨基低聚物或聚合物的一些实例是通过胺例如脲、三聚氰胺或甘醇脲与醛例如甲醛反应获得的氨基塑料。合适的氨基塑料可包括脲-甲醛、三聚氰胺-甲醛、苯并胍胺-甲醛和gylcoluril-甲醛树脂，以及这些中的任意组合。在一些应用中，氨基塑料是六(甲氧基甲基)三聚氰胺低聚物。在US6,576,394中描述了这种材料的非限制性示例。
本发明内容的去除剂可以与负性抗蚀剂图案使用，用于上述新型低pKa去除剂组合物和方法，其可以由负性交联抗蚀剂产生，该负性交联抗蚀剂是基于通过光自由基产生剂，而不是光酸产生剂引发的交联。在这种情况下，可以使用与上述用于化学放大负型光致抗蚀剂相同类型的粘合剂树脂。然而，在这种情况下，存在一种交联添加剂，该交联添加剂包含至少两个易于进行自由基交联的烯烃基团。这种基团的实例是乙烯基芳基部分，例如苯乙烯，和丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯基团。这些自由基交联添加剂的非限制性、更具体的实例可以根据目的从丙烯酸衍生物例如丙烯酸酯和甲基丙烯酸衍生物例如甲基丙烯酸酯中适当选择。这些可以具有低分子量(单体性质)或高分子量(低聚物或聚合物性质)。在这种情况下，添加剂可以是含有多个自由基可交联基团的小分子、低聚物或聚合物。这些自由基交联添加剂中的一些可以在其中具有可酸裂解的结构。这种结构可以在图案化膜的进一步处理期间使用，例如在图案转移到基底中之后促进抗蚀剂的剥离。这种酸可裂解基团的实例是叔醚、叔羧酸酯等，它们易于在没有有利水，或在抗蚀剂膜中可以容易地与光酸有利的水经受完全水解裂解的酸可裂解基团例如缩醛、缩酮和烷基甲硅烷基醚的情况下进行酸解裂解。在US7601482中描述了这种材料的非限制性示例。
实施例
现在将参考本发明的更具体的实施方案和为此类实施方案提供支持的实验结果。但是，申请人注意到，以下公开内容仅用于说明目的，而无意以任何方式限制要求保护的主题的范围。
化学制品
DBSA(十二烷基苯磺酸；CAS:68584-22-5)获自Stepan(22West Frontage Rd.,Northfield,IL 60093)。所有其它化学品购自Sigma Aldrich(3050Spruce St.,St.Louis,MO 63103)。
加工
使用具有150nm铜溅射涂层的200mm(8”)硅晶片进行金属腐蚀测试。将涂覆有铜的硅晶片试样浸入预热的光致抗蚀剂去除剂溶液中一段时间，该时间足以剥离光致剥离剂。通过目视和显微镜检查是否存在表面雾度作为腐蚀的指征进行常规检查以检查金属表面的状况。可以识别和确认表面雾度，其比重量分析法更灵敏(<
Figure BDA0002552469310000181
/min)。
对于光致抗蚀剂剥离测试，除非另有说明，使用具有150nm溅射铜的硅晶片作为化学放大负性光致抗蚀剂AZ-15nXT(EMD Performance Materials的产品,Branchburg,NJ08876)施加和加工的基底。该加工由以下组成：旋涂抗蚀剂至12μm厚度并且在110℃的加热板上软烤180秒。然后通过接触孔图案化的掩模将抗蚀剂暴露于900mJ/cm2的光下。在显影抗蚀剂之前，在120℃的热板上完成60秒的曝光后烘烤。显影使用AZ 300MIF显影剂在两个水槽中进行，每个水槽60秒，然后用去离子水冲洗。
铜腐蚀和光致抗蚀剂剥离测试1
光致抗蚀剂去除剂溶液通过将5wt％DBSA溶解在1,2-丙二醇(CAS:57-55-6)中制备。该溶液在150mL具有磁力搅拌棒(200rpm)的烧杯中在热板上加热到65℃。将铜晶片试样浸入加热的溶液中30分钟，并且用去离子水冲洗1分钟，且用氮气枪吹干。铜表面无雾，并且通过目视和显微镜检查基本完好无损。此外，基底不含任何颗粒。
使用相同的组合物、温度和设置除去光成像的AZ-15nXT光致抗蚀剂图案。将交联的光致抗蚀剂图案在5分钟内完全溶解。此外，在用去离子水冲洗1分钟并用氮气枪吹干后，基底不含任何颗粒。
铜腐蚀和光致抗蚀剂剥离测试2
光致抗蚀剂去除剂溶液通过将5wt％DBSA溶解在四氢糠醇(CAS:97-99-4)中制备。该溶液在150mL具有磁力搅拌棒(200rpm)的烧杯中在热板上加热到65℃。将铜晶片试样浸入加热的溶液中30分钟，并且用去离子水冲洗1分钟，且用氮气枪吹干。铜表面无雾，并且通过目视和显微镜检查基本完好无损。此外，基底也不含任何颗粒。
使用相同的组合物、温度和设置除去光成像的AZ-15nXT光致抗蚀剂图案。将交联的光致抗蚀剂图案在5分钟内完全溶解。此外，在用去离子水冲洗1分钟并用氮气枪吹干后，基底不含任何颗粒。
铜腐蚀和光致抗蚀剂剥离测试3
光致抗蚀剂去除剂溶液通过将5wt％DBSA溶解在碳酸亚丙酯(CAS:108-32-7)中制备。该溶液在150mL具有磁力搅拌棒(200rpm)的烧杯中在热板上加热到65℃。将铜晶片试样浸入加热的溶液中30分钟，并且用去离子水冲洗1分钟，且用氮气枪吹干。铜表面无雾，并且通过目视和显微镜检查基本完好无损。此外，基底也不含任何颗粒。
使用相同的组合物、温度和设置除去光成像的AZ-15nXT光致抗蚀剂图案。将交联的光致抗蚀剂图案在5分钟内完全溶解。此外，在用去离子水冲洗1分钟并用氮气枪吹干后，基底不含任何颗粒。
铜腐蚀和光致抗蚀剂剥离测试4
光致抗蚀剂去除剂溶液通过将5wt％DBSA溶解在γ-丁内酯(CAS:96-48-0)中制备。该溶液在150mL具有磁力搅拌棒(200rpm)的烧杯中在热板上加热到65℃。将铜晶片试样浸入加热的溶液中30分钟，并且用去离子水冲洗1分钟，且用氮气枪吹干。铜表面无雾，并且通过目视和显微镜检查基本完好无损。此外，基底也不含任何颗粒。
使用相同的组合物、温度和设置除去光成像的AZ-15nXT光致抗蚀剂图案。将交联的光致抗蚀剂图案在5分钟内完全溶解。此外，在用去离子水冲洗1分钟并用氮气枪吹干后，基底不含任何颗粒。
铜腐蚀和光致抗蚀剂剥离测试5
光致抗蚀剂去除剂溶液通过将5wt％DBSA溶解在乙酸四氢糠酯(CAS：637-64-9)中制备。该溶液在150mL具有磁力搅拌棒(200rpm)的烧杯中在热板上加热到65℃。将铜晶片试样浸入加热的溶液中30分钟，并且用去离子水冲洗1分钟，且用氮气枪吹干。铜表面无雾，并且通过目视和显微镜检查基本完好无损。此外，基底也不含任何颗粒。
使用相同的组合物、温度和设置除去光成像的AZ-15nXT光致抗蚀剂图案。将交联的光致抗蚀剂图案在5分钟内完全溶解。此外，在用去离子水冲洗1分钟并用氮气枪吹干后，基底不含任何颗粒。
铜腐蚀和光致抗蚀剂剥离测试6
光致抗蚀剂去除剂溶液通过将5wt％DBSA溶解在四甘醇(CAS：31692-85-0)中制备。该溶液在150mL具有磁力搅拌棒(200rpm)的烧杯中在热板上加热到65℃。将铜晶片试样浸入加热的溶液中30分钟，并且用去离子水冲洗1分钟，且用氮气枪吹干。铜表面无雾，并且通过目视和显微镜检查基本完好无损。此外，基底也不含任何颗粒。
使用相同的组合物、温度和设置除去光成像的AZ-15nXT光致抗蚀剂图案。将交联的光致抗蚀剂图案在5分钟内完全溶解。此外，在用去离子水冲洗1分钟并用氮气枪吹干后，基底不含任何颗粒。
铜腐蚀和光致抗蚀剂剥离测试7
光致抗蚀剂去除剂溶液通过将5wt％DBSA和250ppm的表面活性剂十甘醇单十二烷基醚(CAS：9002-92-0)溶解在四甘醇(CAS：31692-85-0)中制备。该溶液在150mL具有磁力搅拌棒(200rpm)的烧杯中在热板上加热到65℃。将铜晶片试样浸入加热的溶液中30分钟，并且用去离子水冲洗1分钟，且用氮气枪吹干。铜表面无雾，并且通过目视和显微镜检查基本完好无损。此外，基底也不含任何颗粒。
使用相同的组合物、温度和设置除去光成像的AZ-15nXT光致抗蚀剂图案。将交联的光致抗蚀剂图案在5分钟内完全溶解。此外，在用去离子水冲洗1分钟并用氮气枪吹干后，基底不含任何颗粒。
铜腐蚀和光致抗蚀剂剥离测试8
光致抗蚀剂去除剂溶液通过将5wt％4-乙基苯磺酸(CAS:98-69-1)溶解在四甘醇(CAS：31692-85-0)中制备。该溶液在150mL具有磁力搅拌棒(200rpm)的烧杯中在热板上加热到65℃。将铜晶片试样浸入加热的溶液中30分钟，并且用去离子水冲洗1分钟，且用氮气枪吹干。铜表面无雾，并且通过目视和显微镜检查基本完好无损。此外，基底也不含任何颗粒。
使用相同的组合物、温度和设置除去光成像的AZ-15nXT光致抗蚀剂图案。将交联的光致抗蚀剂图案在5分钟内完全溶解。此外，在用去离子水冲洗1分钟并用氮气枪吹干后，基底不含任何颗粒。
铜腐蚀和光致抗蚀剂剥离测试9
光致抗蚀剂去除剂溶液通过将2.67wt％4-乙基苯磺酸(CAS:98-69-1)溶解在四甘醇(CAS：31692-85-0)中制备。该溶液在150mL具有磁力搅拌棒(200rpm)的烧杯中在热板上加热到65℃。将铜晶片试样浸入加热的溶液中30分钟，并且用去离子水冲洗1分钟，且用氮气枪吹干。铜表面无雾，并且通过目视和显微镜检查基本完好无损。此外，基底也不含任何颗粒。
使用相同的组合物、温度和设置除去光成像的AZ-15nXT光致抗蚀剂图案。将交联的光致抗蚀剂图案在5分钟内完全溶解。此外，在用去离子水冲洗1分钟并用氮气枪吹干后，基底不含任何颗粒。
铜腐蚀和光致抗蚀剂剥离测试10
光致抗蚀剂去除剂溶液通过将5wt％4-乙基苯磺酸(CAS:98-69-1)溶解在四氢糠醇(CAS：97-99-4)中制备。该溶液在150mL具有磁力搅拌棒(200rpm)的烧杯中在热板上加热到65℃。将铜晶片试样浸入加热的溶液中30分钟，并且用去离子水冲洗1分钟，且用氮气枪吹干。铜表面无雾，并且通过目视和显微镜检查基本完好无损。此外，基底也不含任何颗粒。
使用相同的组合物、温度和设置除去光成像的AZ-15nXT光致抗蚀剂图案。将交联的光致抗蚀剂图案在5分钟内完全溶解。此外，在用去离子水冲洗1分钟并用氮气枪吹干后，基底不含任何颗粒。
铜腐蚀和光致抗蚀剂剥离测试11
光致抗蚀剂去除剂溶液通过将2.67wt％4-乙基苯磺酸(CAS:98-69-1)溶解在四氢糠醇(CAS：97-99-4)中制备。该溶液在150mL具有磁力搅拌棒(200rpm)的烧杯中在热板上加热到65℃。将铜晶片试样浸入加热的溶液中30分钟，并且用去离子水冲洗1分钟，且用氮气枪吹干。铜表面无雾，并且通过目视和显微镜检查基本完好无损。此外，基底也不含任何颗粒。
使用相同的组合物、温度和设置除去光成像的AZ-15nXT光致抗蚀剂图案。将交联的光致抗蚀剂图案在5分钟内完全溶解。此外，在用去离子水冲洗1分钟并用氮气枪吹干后，基底不含任何颗粒。
铜腐蚀和光致抗蚀剂剥离测试12
光致抗蚀剂去除剂溶液通过将5wt％DBSA溶解在四甘醇(CAS:31692-85-0)和四氢糠醇(CAS：97-99-4)的混合物(1:1，以重量计)中制备。该溶液在150mL具有磁力搅拌棒(200rpm)的烧杯中在热板上加热到65℃。将铜晶片试样浸入加热的溶液中30分钟，并且用去离子水冲洗1分钟，且用氮气枪吹干。铜表面无雾，并且通过目视和显微镜检查基本完好无损。此外，基底也不含任何颗粒。
使用相同的组合物、温度和设置除去光成像的AZ-15nXT光致抗蚀剂图案。将交联的光致抗蚀剂图案在5分钟内完全溶解。此外，在用去离子水冲洗1分钟并用氮气枪吹干后，基底不含任何颗粒。
铜腐蚀和光致抗蚀剂剥离测试13
光致抗蚀剂去除剂溶液通过将1wt％DBSA溶解在四甘醇(CAS:31692-85-0)中制备。该溶液在150mL具有磁力搅拌棒(200rpm)的烧杯中在热板上加热到65℃。将铜晶片试样浸入加热的溶液中30分钟，并且用去离子水冲洗1分钟，且用氮气枪吹干。铜表面无雾，并且通过目视和显微镜检查基本完好无损。此外，基底也不含任何颗粒。
使用相同的组合物、温度和设置除去光成像的AZ-15nXT光致抗蚀剂图案。将交联的光致抗蚀剂图案在5分钟内完全溶解。此外，在用去离子水冲洗1分钟并用氮气枪吹干后，基底不含任何颗粒。
铜腐蚀和光致抗蚀剂剥离测试14
光致抗蚀剂去除剂溶液通过将10wt％DBSA溶解在四甘醇(CAS:31692-85-0)中制备。该溶液在150mL具有磁力搅拌棒(200rpm)的烧杯中在热板上加热到65℃。将铜晶片试样浸入加热的溶液中30分钟，并且用去离子水冲洗1分钟，且用氮气枪吹干。铜表面无雾，并且通过目视和显微镜检查基本完好无损。此外，基底也不含任何颗粒。
使用相同的组合物、温度和设置除去光成像的AZ-15nXT光致抗蚀剂图案。将交联的光致抗蚀剂图案在5分钟内完全溶解。此外，在用去离子水冲洗1分钟并用氮气枪吹干后，基底不含任何颗粒。
铜腐蚀和光致抗蚀剂剥离测试15
光致抗蚀剂去除剂溶液通过将1wt％4-乙基苯磺酸(CAS:98-69-1)溶解在四甘醇(CAS:31692-85-0)中制备。该溶液在150mL具有磁力搅拌棒(200rpm)的烧杯中在热板上加热到65℃。将铜晶片试样浸入加热的溶液中30分钟，并且用去离子水冲洗1分钟，且用氮气枪吹干。铜表面无雾，并且通过目视和显微镜检查基本完好无损。此外，基底也不含任何颗粒。
使用相同的组合物、温度和设置除去光成像的AZ-15nXT光致抗蚀剂图案。将交联的光致抗蚀剂图案在5分钟内完全溶解。此外，在用去离子水冲洗1分钟并用氮气枪吹干后，基底不含任何颗粒。
铜腐蚀和光致抗蚀剂剥离测试16
光致抗蚀剂去除剂溶液通过将10wt％4-乙基苯磺酸(CAS:98-69-1)溶解在四甘醇(CAS:31692-85-0)中制备。该溶液在150mL具有磁力搅拌棒(200rpm)的烧杯中在热板上加热到65℃。将铜晶片试样浸入加热的溶液中30分钟，并且用去离子水冲洗1分钟，且用氮气枪吹干。铜表面无雾，并且通过目视和显微镜检查基本完好无损。此外，基底也不含任何颗粒。
使用相同的组合物、温度和设置除去光成像的AZ-15nXT光致抗蚀剂图案。将交联的光致抗蚀剂图案在5分钟内完全溶解。此外，在用去离子水冲洗1分钟并用氮气枪吹干后，基底不含任何颗粒。
以上测试1-16已经证明具有含有至少2个碳的烷基基团的强烷基苯磺酸(例如DBSA)在无抗腐蚀剂的情况下当在上述所选的溶剂中配制时防止了铜的显著腐蚀，并且组合物可有效剥离化学放大的负性光致抗蚀剂。
对比铜腐蚀测试1
光致抗蚀剂去除剂溶液通过将5wt％的DBSA溶解在二(丙二醇)单甲基醚(CAS:34590-94-8)中制备。该溶液在150mL具有磁力搅拌棒(200rpm)的烧杯中在热板上加热到65℃。将铜晶片试样浸渍在加热的溶液中。在3分钟后，在晶片上的全部铜层完全被去除。
对比铜腐蚀测试2
光致抗蚀剂去除剂溶液通过将5wt％的DBSA溶解在γ-戊内酯(CAS：108-29-2)中制备。该溶液在150mL具有磁力搅拌棒(200rpm)的烧杯中在热板上加热到65℃。将铜晶片试样浸渍在加热的溶液中。1分钟后，晶片试样的铜表面变得浑浊，并且10分钟后全部铜层被完全去除。
对比铜腐蚀测试3
光致抗蚀剂去除剂溶液通过将5wt％的DBSA溶解在3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇(CAS:56539-66-3)中制备。该溶液在150mL具有磁力搅拌棒(200rpm)的烧杯中在热板上加热到65℃。将铜晶片试样浸渍在加热的溶液中。5分钟后，晶片试样的铜表面变得浑浊。
对比铜腐蚀测试4
光致抗蚀剂去除剂溶液通过将5wt％的DBSA溶解在DMSO(CAS:67-68-5)中制备。该溶液在150mL具有磁力搅拌棒(200rpm)的烧杯中在热板上加热到65℃。将铜晶片试样浸渍在加热的溶液中。10分钟后，晶片试样的铜表面变得浑浊。
对比铜腐蚀测试5
光致抗蚀剂去除剂溶液通过将5wt％的DBSA溶解在甲基吡咯烷酮(CAS:872-50-4)中制备。该溶液在150mL具有磁力搅拌棒(200rpm)的烧杯中在热板上加热到65℃。将铜晶片试样浸渍在加热的溶液中。3分钟后，晶片试样的铜表面变得浑浊。
对比铜腐蚀测试6
光致抗蚀剂去除剂溶液通过将5wt％的DBSA溶解在1-辛醇(CAS:111-87-5)中制备。该溶液在150mL具有磁力搅拌棒(200rpm)的烧杯中在热板上加热到65℃。将铜晶片试样浸渍在加热的溶液中。10分钟后，晶片试样的铜表面变得浑浊。
对比铜腐蚀测试7
光致抗蚀剂去除剂溶液通过将4wt％的对甲苯磺酸(CAS:6192-52-5)溶解在碳酸亚丙酯(CAS：108-32-7)中制备。该溶液在150mL具有磁力搅拌棒(200rpm)的烧杯中在热板上加热到65℃。将铜晶片试样浸渍在加热的溶液中。5分钟后，晶片试样的铜表面变得浑浊。
对比铜腐蚀测试8
光致抗蚀剂去除剂溶液通过将4wt％的樟脑-10-磺酸(CAS:5872-08-2)溶解在四氢糠醇(CAS：97-99-4)中制备。该溶液在150mL具有磁力搅拌棒(200rpm)的烧杯中在热板上加热到65℃。将铜晶片试样浸渍在加热的溶液中。15分钟后，晶片试样的铜表面变得浑浊。
对比冲洗测试1
光致抗蚀剂去除剂溶液通过将5wt％DBSA和5wt％松香(富马酸改性松香酯，Filtrez 591,Lawter,Inc)溶解在四氢糠醇(CAS:97-99-4)中制备。该溶液在150mL具有磁力搅拌棒(200rpm)的烧杯中在热板上加热到65℃。将具有光成像的AZ-15nXT光致抗蚀剂图案的铜晶片试样浸渍在加热的溶液中。5分钟后，取出试样并且用去离子水冲洗。许多颗粒仍然在晶片试样中。
对比冲洗测试2
光致抗蚀剂去除剂溶液通过将5wt％DBSA溶解在四氢糠醇(CAS:97-99-4)中制备。该溶液在150mL具有磁力搅拌棒(200rpm)的烧杯中在热板上加热到65℃。将具有光成像的AZ-15nXT光致抗蚀剂图案的铜晶片试样浸渍在加热的溶液中。5分钟后，取出试样并且用去离子水冲洗。清理晶片试样而无任何颗粒。
以上对比实施例表明，当在不同于本发明组合物溶剂的溶剂中配制时，该新颖组合物的烷基苯磺酸组分会意料不到地得到大量的铜。同样，这种意料不到的结果对于所用的酸来说是非常特殊的，因为其它磺酸例如樟脑磺酸或甚至具有甲基取代基(也称为C1烷基)的紧密类似的甲苯磺酸，即使当配制在以上所述的这些相同的所选溶剂中时，均腐蚀铜。因此，仅当使用正烷基取代的苯磺酸和溶剂的特定组合时，才会发生意想不到的显著腐蚀抑制。
以下额外的实施例表明，该新颖的光致抗蚀剂去除剂组合物还在其他基底上具有就抗蚀剂而言可接受的蚀刻速率，并且还有效地去除了由不同类型的光致抗蚀剂形成的光致抗蚀剂图案。
额外光致抗蚀剂剥离测试1
光致抗蚀剂去除剂溶液通过将5wt％DBSA和250ppm的十甘醇单十二烷基醚(CAS：9002-92-0)溶解在四甘醇(CAS:31692-85-0)中制备。使用热板，将150mL的溶液在250mL具有磁力搅拌棒(200rpm)的烧杯中加热到40℃。将具有图案化的AZ nLOF 5510抗蚀剂(EMDPerformance Materials的负性交联抗蚀剂产品，Branchburg，NJ 08876)的晶片试样浸入溶液中。1分钟后，nLOF 5510抗蚀剂从试样表面溶解。Al、Cu和Ti的暴露的金属层不被蚀刻或腐蚀。
额外的光致抗蚀剂剥离测试2
光致抗蚀剂去除剂溶液通过将5wt％DBSA和250ppm的十甘醇单十二烷基醚(CAS：9002-92-0)溶解在四甘醇(CAS:31692-85-0)中制备。使用热板，将150mL的溶液在250mL具有磁力搅拌棒(200rpm)的烧杯中加热到60℃。将具有图案化的AZ nLOF 2035抗蚀剂(EMDPerformance Materials的负性交联抗蚀剂产品，Branchburg，NJ08876)的晶片试样浸入溶液中。20分钟后，nLOF 2035提起并溶解在溶液中。暴露的Al和Ti金属层没有被蚀刻或腐蚀。
额外的光致抗蚀剂剥离测试3
光致抗蚀剂去除剂溶液通过将5wt％DBSA和250ppm的十甘醇单十二烷基醚(CAS：9002-92-0)溶解在四甘醇(CAS:31692-85-0)中制备。使用热板，将150mL的溶液在250mL具有磁力搅拌棒(200rpm)的烧杯中加热到65℃。将具有图案化的Shipley SPR-220抗蚀剂(正性DNQ/酚醛清漆抗蚀剂)的晶片试样浸入溶液中。10分钟后，ShipleySPR-220提起并溶解在溶液中。暴露的材料(Al、TiW、苯并环丁烯(BCB))没有被蚀刻或腐蚀。
额外的金属蚀刻速率测试1
光致抗蚀剂去除剂溶液通过将5wt％DBSA和250ppm的十甘醇单十二烷基醚(CAS：9002-92-0)溶解在四甘醇(CAS:31692-85-0)中制备。使用热板，将200mL的溶液在250mL具有磁力搅拌棒(300rpm)的烧杯中加热到80℃。将具有各种金属覆盖层的晶片试样浸入溶液中30和60分钟。使用Jandel 4点探针测量金属层的膜厚度。在0(浸入前)、30分钟和60分钟的时间测量膜厚度。绘制膜厚度与时间的关系。对数据进行线性回归。线性回归的斜率是测得的蚀刻速率值，如下表(表1)所示。结果表明，除了Sn以外，该光致抗蚀剂去除剂组合物对各种金属的蚀刻均低。
表1
Figure BDA0002552469310000281
出乎意料的是，已经发现与结构(II)、(III)、(IV)和(IV)的某些特定溶剂组合时，某些特定的具有大于至少两个碳原子的烷基的特定正烷基苯磺酸赋予去除剂组合物完全溶解各种抗蚀剂图案的能力，而不会形成颗粒或对金属基底造成严重腐蚀。
也已经发现，出人意料地，甚至这些溶剂和这些相同的正烷基苯磺酸的溶剂混合物还出人意料地赋予这些所需的去除剂性能。
制剂中可存在多种正烷基磺酸组分(I)，同时仍保留这些所需的脱模剂性能。
尽管不受理论的束缚，但在某些溶剂中具有表面活性剂特性的正烷基苯磺酸有可能仅在这些特定溶剂中可以出乎意料地导致形成胶束状结构。这种胶束结构的形成可以在防止去除过程中对金属基底的显著腐蚀中起作用。具体地，在该假设下，这些结构将在胶束结构中自组装，其中与苯环相连的磺酸基团在被与这些苯环相连的非极性烷基链包围的胶束结构内部。因此，这些类型的胶束结构可能会阻止烷基苯磺酸的磺酸基团与相对极性的金属表面发生有害的相互作用，从而防止显著的腐蚀，同时仍使这些胶束与相对疏水的抗蚀剂图案相互作用，从而在去除过程中溶解它们。因为不同的4-烷基苯磺酸的1wt％溶液的计算的表面张力(Molecular Modeling Pro Plus Version 7.0.8,Montgomery SoftwareInc)似乎显示出持续降低水的表面张力，可以发现对于这种可能性的某些支持。纯水的表面张力为75.64dyn/cm，而1wt％的正烷基苯磺酸溶液(乙基或更长的链长)的计算表面张力为27.3至约28.5dyn/cm，取决于苯环上烷基的链长(表2)。使用相同的计算方法，樟脑磺酸和甲苯磺酸(具有甲基烷基的烷基苯磺酸)没有任何降低表面张力的能力(表2)。这些计算支持以下假设：尽管链长大于1个碳的烷基苯磺酸可能仅在某些溶剂中(又称为(II)至(V))意外地形成保护性胶束结构。樟脑磺酸和甲苯磺酸没有发生这种的可能性，因为这些磺酸没有表面活性剂的特性。这就是说，如果这是真的，那么这种行为可能是高度基于正烷基苯磺酸与特定溶剂的特定意外组合，因为已经发现，即使是结构溶剂选择上的微小偏差也会导致这些酸引起金属基底的腐蚀(对比铜腐蚀测试1-8)。
最后，在“对比冲洗测试1”中显示了当在含正烷基苯磺酸的去除剂制剂中使用金属抑制剂化合物时不希望的颗粒形成的问题，其中使用5wt％的松香在去除抗蚀剂图案后会明显形成颗粒。相反，在“比较冲洗试验2”中，表明了在仍然使用溶剂四氢糠醇(属于结构(II)的一种溶剂，具有结构(IIe))的同时省略了该抑制剂组分，仍然会影响该抗蚀剂图案的完全溶解，同时仍不腐蚀铜基底，并且额外地不形成“对比冲洗测试1”中所见的含有其他金属抑制剂化合物的有害颗粒。
表2
Figure BDA0002552469310000291
Figure BDA0002552469310000301

Claims (38)

1.组合物，其基本由以下物质组成：
具有结构(I)的烷基苯磺酸，其中n为0-16的整数；
Figure FDA0002552469300000011
和溶剂，
所述溶剂选自由具有结构(II)的溶剂(其中R选自-(-O-CH2-CH2-)n’-OH、-OH和-O-C(＝O)-CH3，其中n’等于1、2、3或4)、具有结构(III)的溶剂、具有结构(IV)的溶剂和具有结构(V)的溶剂组成的组，或选自该组的至少两种溶剂的溶剂混合物；
Figure FDA0002552469300000012
2.组合物，其基本由以下物质组成：
具有结构(I)的烷基苯磺酸，其中n为0-16的整数；
Figure FDA0002552469300000013
溶剂，所述溶剂选自由具有结构(II)的溶剂(其中R选自-(-O-CH2-CH2-)n’-OH、-OH和-O-C(＝O)-CH3，其中n’等于1、2、3或4)、具有结构(III)的溶剂、具有结构(IV)的溶剂和具有结构(V)的溶剂组成的组，或选自该组的至少两种溶剂的溶剂混合物；和表面活性剂。
3.权利要求2的组合物，其中表面活性剂为具有结构(VI)的聚合物表面活性剂，其中n”’为聚合物重复单元的数量和na为CH2间隔基团的数量，其中na为8-14的整数；
Figure FDA0002552469300000021
4.权利要求3的组合物，其中所述聚合物表面活性剂具有结构(VIa)
Figure FDA0002552469300000022
5.根据权利要求1-4任一项的组合物，其中对所述烷基苯磺酸，n为8-16的整数。
6.根据权利要求1-5任一项的组合物，其中对所述烷基苯磺酸，n为8-14的整数。
7.根据权利要求1-6任一项的组合物，其中对所述烷基苯磺酸，n为8-10的整数。
8.根据权利要求1-7任一项的组合物，其中对于所述烷基苯磺酸，其具有结构(Ia)
Figure FDA0002552469300000031
9.根据权利要求1-4任一项的组合物，其中对于所述烷基苯磺酸，n为0-10的整数。
10.根据权利要求1-4任一项的组合物，其中对于所述烷基苯磺酸，n为0-5的整数。
11.根据权利要求1-4任一项的组合物，其中对于所述烷基苯磺酸，n为0-2的整数。
12.根据权利要求1-4任一项的组合物，其中对于所述烷基苯磺酸，其具有结构(Ib)；
Figure FDA0002552469300000032
13.根据权利要求1-4任一项的组合物，其中所述烷基苯磺酸具有结构(Ic)，其中nb为0-16的整数；
Figure FDA0002552469300000033
14.权利要求13的组合物，其中nb为10-14的整数。
15.权利要求13或14的组合物，其中nb为8-10的整数。
16.权利要求13-15任一项的组合物，其中所述烷基苯磺酸具有结构(Id)；
Figure FDA0002552469300000041
17.权利要求13的组合物，其中nb为0-10的整数。
18.权利要求13的组合物，其中nb为0-5的整数。
19.权利要求13的组合物，其中所述烷基苯磺酸具有结构(Ie)；
Figure FDA0002552469300000042
20.根据权利要求1-19任一项的组合物，其中所述溶剂为具有落入结构(II)的范围内的结构的单一溶剂。
21.根据权利要求1-19任一项的组合物，其中所述溶剂是至少两种具有结构(II)的不同溶剂的混合物。
22.根据权利要求1-19任一项的组合物，其中所述溶剂具有结构(IIa)，其中n’为1、2、3或4；
Figure FDA0002552469300000043
23.根据权利要求1-19任一项的组合物，其中所述溶剂是至少两种具有结构(IIa)的溶剂的混合物，其具有1、2、3或4的不同n’值。
24.根据权利要求1-19任一项的组合物，其中所述溶剂具有结构(IIb)；
Figure FDA0002552469300000051
25.根据权利要求1-19任一项的组合物,其中所述溶剂具有结构(IIc)；
Figure FDA0002552469300000052
26.根据权利要求1-19任一项的组合物，其中所述溶剂具有结构(IId)；
Figure FDA0002552469300000053
27.根据权利要求1-19任一项的组合物,其中所述溶剂具有结构(IIe)；
Figure FDA0002552469300000054
28.根据权利要求1-19任一项的组合物,其中所述溶剂具有结构(IIf)；
Figure FDA0002552469300000061
29.根据权利要求1-19任一项的组合物,其中所述溶剂具有结构(IIg)；
Figure FDA0002552469300000062
30.根据权利要求1-19任一项的组合物，其中所述溶剂具有结构(III)；
Figure FDA0002552469300000063
31.根据权利要求1-19任一项的组合物，其中所述溶剂具有结构(IV)；
Figure FDA0002552469300000064
32.根据权利要求1-19任一项的组合物，其中所述溶剂具有结构(V)；
Figure FDA0002552469300000071
33.方法，包括以下步骤：
i)在约室温至约100℃的温度下加热根据权利要求1-32任一项的组合物；
ii)将涂覆有图案化的光致抗蚀剂膜的基底浸入所述加热的组合物中约1分钟至约60分钟的时间，直到得到去除了光致抗蚀剂膜的浸渍的基底；
iii)在浸渍步骤ii)之后，用异丙醇、水或异丙醇与水的混合物冲洗所述去除了光致抗蚀剂膜的浸渍的基底以去除来自浸渍步骤ii)的任何残余组合物，制备清洁的基底；
iv)通过将所述清洁的基底在空气中旋转干燥或通过使用氮气或空气流干燥所述清洁的基底以将其干燥。
34.权利要求33的方法，其中在步骤i)中将组合物由约60℃加热至约100℃。
35.权利要求33或34的方法，其中在步骤ii)中，基底是金属。
36.权利要求33-35任一项的方法，其中在步骤ii)中，基底是铜。
37.权利要求33-36任一项的方法，其中在步骤ii)中，基底浸渍约1分钟至约5分钟。
38.权利要求33-37任一项的方法，其中在步骤iii)中冲洗用水进行。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111527453B (zh) 2018-01-25 2024-10-11 默克专利股份有限公司 光致抗蚀剂去除剂组合物
TWI748741B (zh) * 2020-11-11 2021-12-01 暉盛科技股份有限公司 電漿晶圓清潔機及使用其清潔晶圓的方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1612927A (zh) * 2002-01-09 2005-05-04 气体产品及化学制品公司 含水的溶脱和洗涤组合物
CN1713077A (zh) * 2004-06-21 2005-12-28 东进世美肯株式会社 用于去除(光致)抗蚀剂的组合物
KR20080031565A (ko) * 2006-10-04 2008-04-10 동우 화인켐 주식회사 포토레지스트 박리용 조성물 및 이를 이용한 박리 방법
CN101356629A (zh) * 2005-11-09 2009-01-28 高级技术材料公司 用于将其上具有低k介电材料的半导体晶片再循环的组合物和方法
CN107406697A (zh) * 2015-03-12 2017-11-28 Az电子材料卢森堡有限公司 在低pka驱动的聚合物剥离过程中促进电荷络合铜保护的组合物和方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5950056B2 (ja) * 1976-11-24 1984-12-06 ジェイエスアール株式会社 剥離液組成物
ZA848159B (en) * 1983-11-18 1985-06-26 Amchem Prod Paint stripper compositions
JPH0727222B2 (ja) * 1987-10-28 1995-03-29 日本合成ゴム株式会社 ホトレジスト用剥離液
JP2002508431A (ja) 1997-12-18 2002-03-19 エセックス スペシャリティ プロダクツ，インコーポレイティド プリント表面へのウレタン接着剤の接着性を向上させる方法
DE19848548C2 (de) 1998-10-21 2001-06-13 Cognis Deutschland Gmbh Verfahren zur Aufarbeitung verunreinigter Fettalkohol-Gemische
DE19928923A1 (de) 1999-06-24 2000-12-28 Cognis Deutschland Gmbh Schaumkontrollierte feste Waschmittel
US6576394B1 (en) 2000-06-16 2003-06-10 Clariant Finance (Bvi) Limited Negative-acting chemically amplified photoresist composition
US6551973B1 (en) 2001-10-09 2003-04-22 General Chemical Corporation Stable metal-safe stripper for removing cured negative-tone novolak and acrylic photoresists and post-etch residue
KR100843984B1 (ko) * 2002-02-22 2008-07-07 주식회사 동진쎄미켐 감광성 수지 조성물을 제거하기 위한 씬너 조성물
JP4442376B2 (ja) * 2004-09-22 2010-03-31 東ソー株式会社 レジスト除去用組成物
JP4656308B2 (ja) * 2005-05-23 2011-03-23 日産化学工業株式会社 反射防止剤固化物の除去用洗浄液および洗浄方法
US7700533B2 (en) * 2005-06-23 2010-04-20 Air Products And Chemicals, Inc. Composition for removal of residue comprising cationic salts and methods using same
US7601482B2 (en) 2006-03-28 2009-10-13 Az Electronic Materials Usa Corp. Negative photoresist compositions
US8288330B2 (en) * 2006-05-26 2012-10-16 Air Products And Chemicals, Inc. Composition and method for photoresist removal
JP5657318B2 (ja) * 2010-09-27 2015-01-21 富士フイルム株式会社 半導体基板用洗浄剤、これを利用した洗浄方法及び半導体素子の製造方法
WO2014047428A1 (en) * 2012-09-21 2014-03-27 Segetis, Inc. Cleaning, surfactant, and personal care compositions
KR102420338B1 (ko) * 2014-06-04 2022-07-13 엔테그리스, 아이엔씨. 금속, 유전체 및 니트라이드 상용성을 가진 반사-방지 코팅 세정 및 에칭-후 잔류물 제거 조성물
KR101617169B1 (ko) * 2015-07-17 2016-05-03 영창케미칼 주식회사 포토리소그래피용 세정액 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 형성방법
US10696932B2 (en) * 2015-08-03 2020-06-30 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Cleaning composition
EP3601514A4 (en) * 2017-03-24 2020-04-08 Fujifilm Electronic Materials USA, Inc. CLEANING COMPOSITIONS FOR REMOVING RESIDUES ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATES
US11365379B2 (en) * 2018-01-25 2022-06-21 Merck Patent Gmbh Photoresist remover compositions
CN111527453B (zh) * 2018-01-25 2024-10-11 默克专利股份有限公司 光致抗蚀剂去除剂组合物

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1612927A (zh) * 2002-01-09 2005-05-04 气体产品及化学制品公司 含水的溶脱和洗涤组合物
CN1713077A (zh) * 2004-06-21 2005-12-28 东进世美肯株式会社 用于去除(光致)抗蚀剂的组合物
CN101356629A (zh) * 2005-11-09 2009-01-28 高级技术材料公司 用于将其上具有低k介电材料的半导体晶片再循环的组合物和方法
KR20080031565A (ko) * 2006-10-04 2008-04-10 동우 화인켐 주식회사 포토레지스트 박리용 조성물 및 이를 이용한 박리 방법
CN107406697A (zh) * 2015-03-12 2017-11-28 Az电子材料卢森堡有限公司 在低pka驱动的聚合物剥离过程中促进电荷络合铜保护的组合物和方法

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Publication number Publication date
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