KR102420338B1 - 금속, 유전체 및 니트라이드 상용성을 가진 반사-방지 코팅 세정 및 에칭-후 잔류물 제거 조성물 - Google Patents

금속, 유전체 및 니트라이드 상용성을 가진 반사-방지 코팅 세정 및 에칭-후 잔류물 제거 조성물 Download PDF

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Abstract

반사-방지성 물질 및/또는 에칭-후 잔류물을 상부에 갖는 기재로부터 이들을 제거하기 위한 액체 제거 조성물 및 방법이 개시된다. 상기 조성물은, 집적 회로 제조시 ARC 물질 및/또는 에칭-후 잔류물의 적어도 부분적인 제거를 달성하면서도 기재 상의 금속 종, 예컨대 알루미늄, 구리 및 코발트 합금의 에칭을 최소화하고 반도체 구조물에 사용된 저-k 유전체 및 니트라이드-함유 물질에 대한 손상이 없다.

Description

금속, 유전체 및 니트라이드 상용성을 가진 반사-방지 코팅 세정 및 에칭-후 잔류물 제거 조성물{ANTI-REFLECTIVE COATING CLEANING AND POST-ETCH RESIDUE REMOVAL COMPOSITION HAVING METAL, DIELECTRIC AND NITRIDE COMPATIBILITY}
본 발명은, 반사-방지성 물질 및/또는 에칭-후 잔류물(post-etch residue)을, 그러한 물질을 상부에 갖는 마이크로전자 디바이스(microelectronic device)로부터 제거하는데 유용한 액체 제거 조성물 및 방법에 관한 것이다. 상기 액체 제거 조성물은 하부 유전성 물질, 상호 연결 금속, 예를 들면 알루미늄, 구리 및 코발트 합금, 및 니트라이드-함유 층과 상용될 수 있다(compatible).
강한 자외선(DUV) 복사선에 노출시, DUV 파장에 대한 기재의 고 반사성과 결합된 포토레지스트의 투과성은, DUV 복사선이 포스레지스트로 도로 반사되게 하여 포스레지스트 층 내에 정재파(standing wave)를 생성함은 널리 알려져 있다. 상기 정재파는 추가로 포스레지스트 내에서 광화학 반응을 촉발하여 상기 포스레지스트의 불균일한 노출을 야기하며 (예를 들면, 상기 복사선에 노출되도록 의도되지 않은 마스킹된 부분 내에서), 이는 선폭, 간격 및 다른 결정적인 치수의 변화를 초래한다.
투과성 및 반사성 문제를 다루기 위해, 2층 및 3층 포토레지스트, 하부 반사-방지 코팅 (BARC) 및 희생 반사-방지 코팅 (SARC)이 개발되었다. 이들 코팅은 포토레지스트 적용 전에 기재에 적용된다. 이들 반사-방지 코팅 모두는, 전형적인 이중 다마신 집적(damascene integration)에서 마주치는 웨이퍼 표면 상의 평탄화 효과를 가지며, 모두, 입사 UV 복사선을 흡수할 스핀-온(spin-on) 중합체 매트릭스 내로 UV 발색단을 혼입시킨다.
마이크로전자 디바이스 웨이퍼로부터의 반사-방지 코팅 (ARC) 물질의 세정 제거는 어렵고/어렵거나 비용이 많이 드는 것으로 입증되었다. 제거하지 않으면, 상기 층은 후속 규소화 또는 접촉부 형성에 방해가 될 수 있다. 전형적으로, 상기 층은 산화성 또는 환원성 플라즈마 애슁 또는 습윤 세정에 의해 제거된다. 그러나, 기재가 산화성 또는 환원성 플라즈마 에칭에 노출되는 플라즈마 애슁은, 특징부 형상 및 치수를 변경하거나 유전 상수를 증가시킴으로써, 유전성 물질에 손상을 줄 수 있다. 후자의 문제는, 저-k 유전성 물질, 예를 들면 오가노실리케이트 유리 (OSG) 또는 탄소-도핑된 옥사이드 유리가 하부 유전성 물질인 경우, 더 두드러진다. 따라서, ARC 층 제거를 위해 플라즈마 애슁의 사용을 피하는 것이 흔히 바람직하다.
세정제/에칭제 조성물을, 저용량 (저-k) 절연성 물질 또는 유전체에 의해 분리되는 알루미늄, 구리, 코발트 합금 또는 다른 상호 연결 금속 또는 상호 연결 배리어를 가공하기 위한 생산라인의 최종처리(back-end-of-line) (BEOL) 용도에 사용하는 경우, ARC 및/또는 에칭-후 잔류물질의 제거에 사용되는 조성물이 우수한 금속 상용성, 예를 들면 구리, 알루미늄, 코발트 등에 대한 낮은 에칭 속도를 갖고, 하부 실리케이트 물질이 세정제 조성물에 영향을 받지 않은 상태로 남아 있는 것이 중요하다. 수성 제거 용액이 더 단순한 폐기 기법 때문에 보통 바람직하나, 수성 제거 용액은 금속 상호 연결부를 에칭하거나 부식시키는 것으로 공지되어 있다.
따라서, 마이크로전자 디바이스의 표면으로부터 ARC 층 및/또는 에칭-후 잔류물을 완전하고 효율적으로 제거함과 동시에 공동으로 존재하는 유전성 물질, 상호 연결 금속, 및/또는 니트라이드-함유 물질에 대한 손상을 최소화할 수 있는 저 수분 함량의 제거 조성물이 당업계에 필요하다.
본 발명은 일반적으로, 반사-방지성 코팅 물질 및/또는 에칭-후 잔류물을, 그러한 물질을 상부에 갖는 마이크로전자 디바이스로부터 제거하는데 유용한 액체 제거 조성물 및 방법에 관한 것이다. 상기 액체 제거 조성물은 저-k 유전성 물질, 상호 연결 금속 (예를 들면 알루미늄, 구리 및 코발트 합금), 및 니트라이드-함유 층 (예를 들면 규소 니트라이드)와 상용될 수 있다.
하나의 양태에서, 액체 제거 조성물이 기술되며, 상기 액체 제거 조성물은 하나 이상의 플루오라이드-함유 화합물, 하나 이상의 유기 용매, 임의적으로 물, 및 유전성 부동태화제 및/또는 부식방지제 및/또는 하나 이상의 규소-함유 화합물 중 하나 이상을 포함하고, 상기 액체 제거 조성물은 반사-방지성 코팅(ARC) 물질 및/또는 에칭-후 잔류물을, 그러한 물질 및/또는 잔류물을 상부에 갖는 마이크로전자 디바이스로부터 제거하는데 유용하다.
또 다른 양태에서, ARC 물질 및/또는 에칭-후 잔류물을, 그러한 물질 및/또는 잔류물을 상부에 갖는 마이크로전자 디바이스로부터 제거하는 방법이 기술되며, 이 방법은, 상기 마이크로전자 디바이스를, 상기 마이크로전자 디바이스로부터 상기 물질 및/또는 잔류물을 적어도 부분적으로 제거하는데 충분한 시간 동안 액체 제거 조성물과 접촉시키는 것을 포함하며, 상기 액체 제거 조성물은 하나 이상의 플루오라이드-함유 화합물, 하나 이상의 유기 용매, 임의적으로 물, 및 유전성 부동태화제 및/또는 부식방지제 및/또는 하나 이상의 규소-함유 화합물 중 하나 이상을 포함한다.
본 발명의 다른 양태, 특징, 및 실시양태는 본원 개시내용 및 첨부 청구범위로부터 더 자명해질 것이다.
본 발명은, 반사-방지성 코팅(ARC) 물질 및/또는 에칭-후 잔류물을, 그러한 물질(들)을 상부에 갖는 마이크로전자 디바이스로부터 제거하는데 유용한 액체 제거 조성물을 포괄한다.
참조의 용이성을 위하여, "마이크로전자 디바이스"는, 마이크로전자 제품, 집적 회로, 에너지 수집 또는 컴퓨터 칩 용도에 사용하기 위해 제조되는 반도체 기판, 평면 패널 디스플레이, 상 변화 메모리 장치, 태양전지판, 및 태양 전지 장치, 태양광 발전 시스템 및 마이크로전자기계 시스템(MEMS)을 비롯한 다른 제품에 상응한다. 용어 "마이크로전자 디바이스"는 어떠한 방식으로든 한정하고자 하는 의미가 아니며, 결국 마이크로전자 디바이스 또는 마이크로전자 어셈블리가 되는 임의의 기판 또는 구조체를 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 특히, 마이크로전자 디바이스 기판은 패턴화될 수 있고/있거나 피복될 수 있고/있거나 시험 기판일 수 있다.
본원에 사용되는 "에칭-후 잔류물" 및 "플라즈마 에칭-후 잔류물"은 기상 플라즈마 에칭 공정, 예를 들어 BEOL 듀얼-다마신 가공 후에 잔류하는 물질에 상응한다. 에칭-후 잔류물은 특성상 유기, 유기 금속, 유기 규소 또는 무기일 수 있고, 예를 들어 규소-함유 물질, 티탄-함유 물질, 질소-함유 물질, 산소-함유 물질, 중합체 잔류물, 구리-함유 잔류물(산화구리 잔류물 포함), 텅스텐-함유 잔류물, 코발트-함유 잔류물, 에칭 기체 잔류물(예컨대, 염소 및 불소), 및 이들의 조합일 수 있다.
본원에서 정의되는 "저-k의 유전성 물질" 및 ELK-ILD는 층상 마이크로전자 디바이스에서 유전성 물질로서 사용되는 임의의 물질에 상응하며, 이 때 상기 물질은 약 3.5 미만의 유전 상수를 갖는다. 바람직하게는, 저-k 유전성 물질은, 규소-함유 유기 중합체, 규소-함유 하이브리드 유기/무기 물질, 유기 실리케이트 유리(OSG), TEOS, 플루오르화된 실리케이트 유리(FSG), 이산화규소 및 탄소-도핑된 옥사이드(CDO) 유리와 같은 저-극성 물질을 포함한다. 가장 바람직하게는, 저-k 유전성 물질은 유기 실란 및/또는 유기 실록산 전구체를 사용하여 침착된다. 저-k 유전성 물질이 다양한 밀도 및 다양한 공극률을 가질 수 있음을 알아야 한다.
본원에 사용되는 "약"은 언급된 값의 ±5%에 상응한다.
본원에 사용되는, ARC 물질 및/또는 에칭-후 잔류물을 상부에 갖는 마이크로전자 디바이스로부터 상기 물질(들)을 제거하기 위한 "적합성"은, 마이크로전자 디바이스로부터의 상기 ARC 물질 및/또는 에칭-후 잔류물 물질(들)의 적어도 부분적인 제거에 상응한다. 바람직하게는, 본원에 기술된 조성물을 사용하여, 상기 물질(들)의 약 90% 이상, 더욱 바람직하게는 상기 물질(들)의 95% 이상, 가장 바람직하게는 상기 물질(들)의 99% 이상을 상기 마이크로전자 디바이스로부터 제거한다.
본원에 사용되는 "ARC 물질"은 2층 및 3층 포토레지스트, 하부의 반사-방지 코팅 (BARC) 및 희생 반사-방지 코팅 (SARC)에 상응하며 특성상 유기 및/또는 무기일 수 있다.
"실질적으로 함유하지 않는"은 본원에서 2중량% 미만, 바람직하게는 1중량% 미만, 더욱 바람직하게는 0.5중량% 미만, 더더욱 바람직하게는 0.1중량% 미만, 가장 바람직하게는 0중량%를 함유하는 것으로서 정의된다.
본원에 정의된 "니트라이드-함유 물질"은 규소 니트라이드, 규소 옥시니트라이드, 규소 탄소 니트라이드, 티타늄 니트라이드, 티타늄 옥시니트라이드, 탄탈륨 니트라이드, 및 이들의 조합물에 상응한다.
본 발명의 조성물은 이후 더욱 상세하게 기재되는 바와 같이 매우 다양한 특정 배합물로 구체화될 수 있다.
조성물의 특정 성분이 0의 하한을 포함하는 중량% 범위를 참조하여 논의되는 이러한 모든 조성물에서, 이들 성분은 조성물의 다양한 특정 실시양태에 존재할 수 있거나 존재하지 않을 수 있으며, 이러한 성분이 존재하는 경우 이들은 이러한 성분이 사용되는 조성물의 총 중량에 기초하여 0.001중량% 정도의 낮은 농도로 존재할 수 있음을 이해할 것이다.
하나의 양태에서, 마이크로전자 디바이스로부터 ARC 층 및/또는 에칭-후 잔류물을 제거하는데 유용한 액체 제거 조성물이 기술된다. 상기 액체 제거 조성물은 하나 이상의 플루오라이드-함유 화합물, 하나 이상의 유기 용매, 유전성 부동태화제 및/또는 부식방지제 및/또는 규소-함유 화합물 중 하나 이상, 및 임의적으로 물을 포함한다.
제1 양태의 하나의 실시양태에서, 상기 액체 제거 조성물은 하나 이상의 플루오라이드-함유 화합물, 하나 이상의 유기 용매, 및 하나 이상의 유전성 부동태화제를 포함하거나 이들로 이루어지거나 이들로 본질적으로 이루어진다. 또 다른 실시양태에서, 상기 액체 제거 조성물은 하나 이상의 플루오라이드-함유 화합물, 하나 이상의 유기 용매, 하나 이상의 유전성 부동태화제, 및 물을 포함하거나 이들로 이루어지거나 이들로 본질적으로 이루어진다. 추가의 또 다른 실시양태에서, 상기 액체 제거 조성물은 하나 이상의 플루오라이드-함유 화합물, 하나 이상의 유기 용매, 및 하나 이상의 부식 억제제를 포함하거나 이들로 이루어지거나 이들로 본질적으로 이루어진다. 추가의 또 다른 실시양태에서, 상기 액체 제거 조성물은 하나 이상의 플루오라이드-함유 화합물, 하나 이상의 유기 용매, 하나 이상의 부식 억제제, 및 물을 포함하거나 이들로 이루어지거나 이들로 본질적으로 이루어진다. 또 다른 실시양태에서, 상기 액체 제거 조성물은 하나 이상의 플루오라이드-함유 화합물, 하나 이상의 유기 용매, 및 하나 이상의 규소-함유 화합물을 포함하거나 이들로 이루어지거나 이들로 본질적으로 이루어진다. 또 다른 실시양태에서, 상기 액체 제거 조성물은 하나 이상의 플루오라이드-함유 화합물, 하나 이상의 유기 용매, 하나 이상의 규소-함유 화합물, 및 물을 포함하거나 이들로 이루어지거나 이들로 본질적으로 이루어진다. 또 다른 실시양태에서, 상기 액체 제거 조성물은 하나 이상의 플루오라이드-함유 화합물, 하나 이상의 유기 용매, 하나 이상의 유전성 부동태화제, 및 하나 이상의 부식 억제제를 포함하거나 이들로 이루어지거나 이들로 본질적으로 이루어진다. 또 다른 실시양태에서, 상기 액체 제거 조성물은 하나 이상의 플루오라이드-함유 화합물, 하나 이상의 유기 용매, 하나 이상의 유전성 부동태화제, 하나 이상의 부식 억제제, 및 물을 포함하거나 이들로 이루어지거나 이들로 본질적으로 이루어진다. 또 하나의 실시양태에서, 상기 액체 제거 조성물은 하나 이상의 플루오라이드-함유 화합물, 하나 이상의 유기 용매, 하나 이상의 부식 억제제, 및 하나 이상의 규소-함유 화합물을 포함하거나 이들로 이루어지거나 이들로 본질적으로 이루어진다. 추가의 다른 실시양태에서, 상기 액체 제거 조성물은 하나 이상의 플루오라이드-함유 화합물, 하나 이상의 유기 용매, 하나 이상의 부식 억제제, 하나 이상의 규소-함유 화합물, 및 물을 포함하거나 이들로 이루어지거나 이들로 본질적으로 이루어진다. 또 다른 실시양태에서, 상기 액체 제거 조성물은 하나 이상의 플루오라이드-함유 화합물, 하나 이상의 유기 용매, 하나 이상의 유전성 부동태화제, 및 하나 이상의 규소-함유 화합물을 포함하거나 이들로 이루어지거나 이들로 본질적으로 이루어진다. 추가의 다른 실시양태에서, 상기 액체 제거 조성물은 하나 이상의 플루오라이드-함유 화합물, 하나 이상의 유기 용매, 하나 이상의 유전성 부동태화제, 하나 이상의 규소-함유 화합물, 및 물을 포함하거나 이들로 이루어지거나 이들로 본질적으로 이루어진다. 또 다른 실시양태에서, 상기 액체 제거 조성물은 하나 이상의 플루오라이드-함유 화합물, 하나 이상의 유기 용매, 하나 이상의 부식 억제제, 하나 이상의 유전성 부동태화제, 및 하나 이상의 규소-함유 화합물을 포함하거나 이들로 이루어지거나 이들로 본질적으로 이루어진다. 추가의 또 다른 실시양태에서, 상기 액체 제거 조성물은 하나 이상의 플루오라이드-함유 화합물, 하나 이상의 유기 용매, 하나 이상의 부식 억제제, 하나 이상의 유전성 부동태화제, 하나 이상의 규소-함유 화합물, 및 물을 포함하거나 이들로 이루어지거나 본질적으로 이들로 이루어진다.
상기 제1 양태의 상기 액체 제거 조성물은 약 1 내지 약 5, 더욱 바람직하게는 약 4 미만의 범위의 pH 값을 갖는다. 바람직하게는, 상기 조성물은 실질적으로 산화제(예를 들면 과산화수소), 4급 수산화 암모늄 화합물, 및 화학적 기계적 연마용 연마제를 함유하지 않는다.
바람직하게는, 상기 액체 제거 조성물은 하기 성분을, 조성물의 총 중량을 기준으로, 기재된 중량%로 포함하며, 이때 상기 조성물의 그러한 성분들의 총 중량%는 100 중량%를 넘지 않는다.
Figure 112017000072955-pct00001
특히 바람직한 실시양태에서, 물은 약 0.01 중량% 내지 약 1 중량% 범위의 양으로 존재하며, 탈이온되고 오존화되지 않으며, 조성물에 첨가되거나 또는 다른 성분들 중 하나에 잔류한다.
플루오라이드-함유 화합물의 적합한 공급원은, 비제한적으로, 불화수소, 불화암모늄, 불화붕산, 테트라메틸암모늄 플루오라이드 (TMAF) 및 트라이에탄올아민 불화수소산 염을 포함한다. 달리 바이플루오라이드의 염, 예를 들어 암모늄 바이플루오라이드 ((NH4)HF2) 및 테트라알킬암모늄 바이플루오라이드 ((R)4NHF2, 여기서 R은 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 페닐, 벤질, 또는 불화된 C1-C4 알킬 기임)이 사용될 수도 있다. 둘 이상의 플루오라이드 종의 조합물도 여기에 포함된다. 바람직한 실시양태에서, 플루오라이드-함유 화합물은 불화수소를 포함한다. 주목할 것은, 불화수소는 전형적으로 잔류량의 물을 동반하며, 따라서 제거 조성물에는 물이 존재할 수 있다(비록 물이 차후 의도적으로 첨가되지 않을지라도). 바람직하게는, 플루오라이드-함유 화합물(들)은 불화수소 또는 암모늄 바이플루오라이드를 포함한다.
상기 유기 용매 종은 용매로서 기능하고, ARC 및/또는 에칭-후 잔류물질에 존재할 수 있는 유기 잔류물질의 용해를 보조한다고 생각된다. 그러한 조성물에 적합한 용매 종은, 비제한적으로, 테트라메틸렌 설폰; 직쇄형 또는 분지형 C1-C6 알콜, 예를 들면, 비제한적으로, 메탄올, 에탄올, 1-프로판올, 2-프로판올, 1-부탄올, 2-부탄올, t-부탄올, 1-펜탄올, 헥산올, 사이클로헥산올, 2-에틸-1-헥산올; 벤질 알콜, 푸푸릴 알콜; 글리콜, 예컨대 에틸렌 글리콜, 다이에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜 (1,2-프로판다이올), 테트라메틸렌 글리콜 (1,4-부탄다이올), 2,3-부탄다이올, 1,3-부탄다이올, 및 네오펜틸 글리콜; 또는 글리콜 에터, 예컨대 다이에틸렌 글리콜 모노메틸 에터, 트라이에틸렌 글리콜 모노메틸 에터, 다이에틸렌 글리콜 모노에틸 에터, 트라이에틸렌 글리콜 모노에틸 에터, 에틸렌 글리콜 모노프로필 에터, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에터, 다이에틸렌 글리콜 모노부틸 에터, 트라이에틸렌 글리콜 모노부틸 에터, 프로필렌 글리콜 메틸 에터, 다이프로필렌 글리콜 메틸 에터, 트라이프로필렌 글리콜 메틸 에터, 프로필렌 글리콜 n-프로필 에터, 다이프로필렌 글리콜 n-프로필 에터, 트라이프로필렌 글리콜 n-프로필 에터, 프로필렌 글리콜 n-부틸 에터, 다이프로필렌 글리콜 n-부틸 에터, 및 트라이프로필렌 글리콜 n-부틸 에터를 포함한다. 유용한 다른 용매는 전형적인 극성 용매, 예를 들면 다이메틸아세트아미드, 포름아미드, 다이메틸포름아미드, 1-메틸-2-피롤리디논, 다이메틸 설폭사이드, 테트라하이드로푸푸릴 알콜 (THFA), 및 다른 극성 용매이다. 둘 이상의 용매 종의 조합물 또한 여기에 포함된다. 바람직하게는, 유기 용매(들)은 1,4-부탄다이올, n-부탄올, 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 및 이들의 조합을 포함한다.
존재시, 부식 억제제(들)은, 하부 층 내의 금속, 예를 들면 구리 및/또는 코발트에 대한 공격을 감소시킨다. 부식 억제제(들)은 임의의 적합한 유형의 것일 수 있고, 비제한적으로, 벤조트라이아졸 (BTA), 1,2,4-트라이아졸 (TAZ), 5-아미노테트라졸 (ATA), 1-하이드록시벤조트라이아졸, 5-아미노-1,3,4-티아다이아졸-2-티올, 3-아미노-1H-1,2,4-트라이아졸, 3,5-다이아미노-1,2,4-트라이아졸, 톨일트라이아졸, 5-페닐-벤조트라이아졸, 5-니트로-벤조트라이아졸, 3-아미노-5-머캅토-1,2,4-트라이아졸, 1-아미노-1,2,4-트라이아졸, 2-(5-아미노-펜틸)-벤조트라이아졸, 1-아미노-1,2,3-트라이아졸, 1-아미노-5-메틸-1,2,3-트라이아졸, 3-머캅토-1,2,4-트라이아졸, 3-이소프로필-1,2,4-트라이아졸, 5-페닐티올-벤조트라이아졸, 할로-벤조트라이아졸 (할로 = F, Cl, Br 또는 I), 나프토트라이아졸, 1H-테트라졸-5-아세트산, 2-머캅토벤조티아졸 (2-MBT), 1-페닐-2-테트라졸린-5-티온, 2-머캅토벤즈이미다졸 (MBI), 4-메틸-2-페닐이미다졸, 2-머캅토티아졸린, 2,4-다이아미노-6-메틸-1,3,5-트라이아진, 티아졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 트라이아진, 메틸테트라졸, 비스무티올 I, 1,3-다이메틸-2-이미다졸리디논, 1,5-펜타메틸렌테트라졸, 1-페닐-5-머캅토테트라졸, 다이아미노메틸트라이아진, 이미다졸린 티온, 4-메틸-4H-1,2,4-트라이아졸-3-티올, 5-아미노-1,3,4-티아다이아졸-2-티올, 벤조티아졸, 트라이톨일 포스페이트, 인다졸, DNA 염기, 피라졸, 프로판티올, 아스코브산, 티오우레아, 1,1,3,3-테트라메틸우레아, 우레아, 우레아 유도체, 요산, 칼륨 에틸잔타에이트, 글리세린, 도데실벤젠설폰산 (DDBSA), 타타르산, N,N-다이메틸아세토아세트아미드, 1-니트로소-2-나프톨, 폴리소르베이트 80 (트윈(Tween) 80), 도데실포스폰산 (DDPA), 에틸렌다이아민테트라아세트산 (EDTA), (1,2-사이클로헥실렌다이니트릴로)테트라아세트산 (CDTA), 다이에틸렌트라이아민 펜타아세트산 (DTPA), 2-포스포노부탄-1,2,4-트라이카복실산(PBTCA), 에틸렌다이아민 다이석신산, 및 프로필렌다이아민 테트라아세트산; 포스폰산; 포스폰산 유도체 예컨대 하이드록시에틸리덴 다이포스폰산 (HEDP) (데퀘스트 2010), 1-하이드록시에탄-1,1-다이포스폰산, 니트릴로-트리스(메틸렌 포스폰산) (NTMP), 아미노 트라이(메틸렌 포스폰산) (데퀘스트 2000), 다이에틸렌트라이아민 펜타(메틸렌 포스폰산) (데퀘스트 2060S), 에틸렌다이아민 테트라(메틸렌 포스폰산) (EDTMPA), 및 이들의 조합물을 포함할 수 있다. 둘 이상의 부식 억제제의 조합물 또한 여기에 포함된다. 바람직하게는, 부식 억제제(들)은, 존재시, DDPA를 포함한다.
유전성 부동태화제(들)은, 존재시, 첨가되어, 상기 액체 제거 조성물과 니트라이드-함유 물질의 상용성(compatibility)을 개선하며, 비제한적으로, 말론산, 붕산, 암모늄 바이보레이트, 보레이트 염 (예를 들면 암모늄 펜타보레이트, 나트륨 테트라보레이트, 및 암모늄 바이보레이트), 3-하이드록시-2-나프토산, 이미노다이아세트산, 및 이들의 조합물을 포함한다. 바람직하게는, 유전성 부동태화제(들)은, 존재시, 붕산을 포함한다.
제1 양태의 조성물은 추가로 하나 이상의 규소-함유 화합물을 포함하여 플루오라이드-함유 화합물(들)의 활성을 감소시킬 수 있다. 하나의 실시양태에서, 하나 이상의 규소-함유 화합물은 알콕시실란을 포함한다. 고려되는 알콕시실란은 일반식 SiR1R2R3R4를 가지며, 여기서 R1, R2, R3 및 R4 는 서로 동일하거나 상이하고, 직쇄형 C1-C6 알킬 기 (예를 들면 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실), 분지형 C1-C6 알킬 기, C1-C6 알콕시 기 (예를 들면, 메톡시, 에톡시, 프로폭시, 부톡시, 펜톡시, 헥속시), 페닐 기, 및 이들의 조합물로 이루어진 군 중에서 선택된다. 당업자들은, 알콕시실란으로 특징지워지기 위해서는 R1, R2, R3 또는 R4 중 하나 이상이 C1-C6 알콕시 기이어야 함을 이해하여야 한다. 고려되는 알콕시실란은 메틸트라이메톡시실란, 다이메틸다이메톡시실란, 페닐트라이메톡시실란, 테트라에톡시실란 (TEOS), N-프로필트라이메톡시실란, N-프로필트라이에톡시실란, 헥실트라이메톡시실란, 헥실트라이에톡시실란, 및 이들의 조합물을 포함한다. 알콕시실란 대신에 또는 그에 더하여 사용될 수 있는 다른 규소-함유 화합물은 암모늄 헥사플루오로실리케이트, 나트륨 실리케이트, 칼륨 실리케이트, 테트라메틸 암모늄 실리케이트 (TMAS), 테트라아세톡시실란, 다이-t-부톡시다이아세톡시실란, 아세톡시메틸트라이에톡시실란, 및 이들의 조합물을 포함한다. 바람직하게는, 규소-함유 화합물은 TMAS를 포함한다.
다양한 바람직한 실시양태에서, 상기 제거 조성물은 하기 실시양태 A1-A9로 배합되며, 여기서 모든 %는 배합물의 총 중량을 기준으로 한 중량에 의한다:
실시양태 A1
Figure 112017000072955-pct00002
실시양태 A2
Figure 112017000072955-pct00003
실시양태 A3
Figure 112017000072955-pct00004
실시양태 A4
Figure 112017000072955-pct00005
실시양태 A5
Figure 112017000072955-pct00006
실시양태 A6
Figure 112017000072955-pct00007
실시양태 A7
Figure 112017000072955-pct00008
실시양태 A8
Figure 112017000072955-pct00009
실시양태 A9
Figure 112017000072955-pct00010
본원에 기술된 상기 액체 제거 조성물은 특히, 금속 상호 연결 종, 저-k 유전성 물질, 및/또는 니트라이드-함유 물질에 대한 손상을 최소화하면서 마이크로전자 디바이스 기재로부터 ARC 층 및/또는 에칭-후 잔류물을 제거하는데 효과적이다. 관심 금속은, 비제한적으로, 구리, 텅스텐, 코발트, 알루미늄, 탄탈륨 및 루테늄을 포함한다. 바람직하게는, 상기 조성물은 상기 ARC 물질 및/또는 에칭-후 잔류물의 95% 초과량을 제거하며, 40℃에서 약 5Å분-1 미만의 코발트 에칭 속도를 갖는다.
또 다른 실시양태에서, 상기 액체 제거 조성물은 하나 이상의 플루오라이드-함유 화합물, 하나 이상의 유기 용매, 유전성 부동태화제 및/또는 부식방지제 및/또는 하나 이상의 규소-함유 화합물 중 하나 이상, 임의적으로 물, 및 잔류 물질을 포함하며, 여기서 잔류 물질은 ARC 및/또는 에칭-후 잔류물질을 포함한다. 중요하게는, 상기 잔류 물질은 본원에 기술된 상기 액체 제거 조성물에 용해 및/또는 현탁될 수 있다.
본원에 기술된 상기 액체 제거 조성물은 초기에, 각각의 성분들의 간단한 첨가 및 균질 조건으로의 혼합에 의해 배합된다. 또한, 상기 액체 제거 조성물은 단일-패키지 배합물 또는 다중-파트 배합물로 쉽게 배합될 수 있으며, 후자는, 사용 시점에 또는 그 이전에 혼합되며, 예를 들면 이 다중-파트 배합물의 개개의 부분들은 공구에서 또는 공구 상류의 저장 탱크에서 혼합될 수 있다. 각각의 성분들의 농도는, 특정의 다중 액체 제거 조성물에서 폭넓게 변할 수 있고(즉, 본 발명의 광범위한 실시에서 더 희석되거나 더 농축될 수 있다), 본 발명의 상기 액체 제거 조성물은 다양하게 및 대안적으로, 본원 개시내용과 일치되는 성분들의 임의의 조합물을 포함하거나 이들로 이루어지거나 이들로 본질적으로 이루어질 수 있다.
따라서, 본 발명의 또 다른 양태는, 하나 이상의 용기에, 본원에 기재된 조성물을 생성시키는데 적합한 하나 이상의 성분을 포함하는 키트에 관한 것이다. 예를 들어, 상기 키트는, fab에서 또는 사용 시점에 물과 배합하기 위해, 하나 이상의 용기에, 하나 이상의 플루오라이드-함유 화합물, 하나 이상의 유기 용매, 유전성 부동태화제 및/또는 부식방지제 및/또는 하나 이상의 규소-함유 화합물 중 하나 이상을 포함한다. 달리 상기 키트는, fab에서 또는 사용 시점에 하나 이상의 용매와 배합하기 위해, 하나 이상의 용기에, 하나 이상의 플루오라이드-함유 화합물, 및 유전성 부동태화제 및/또는 부식방지제 및/또는 하나 이상의 규소-함유 화합물 중 하나 이상을 포함한다. 또 다른 실시양태에서, 상기 키트는, fab에서 또는 사용 시점에 제1 유기 용매 및/또는 제2 유기 용매와 배합하기 위해, 하나 이상의 용기에, 하나 이상의 플루오라이드-함유 화합물, 제1 유기 용매, 및 유전성 부동태화제 및/또는 부식방지제 및/또는 하나 이상의 규소-함유 화합물 중 하나 이상을 포함한다. 상기 키트의 용기는, 상기 세정 조성물 성분을 저장 및 수송하는데 적합해야 하며, 예를 들어 나우팩(NOWPak)® 용기[어드밴스드 테크놀로지 머티리얼즈 인코포레이티드(Advanced Technology Materials, Inc.), 미국 코네티컷주 댄버리 소재]이다.
상기 제거 조성물의 성분을 함유하는 하나 이상의 용기는 바람직하게는, 상기 하나 이상의 용기 내의 성분을 유체 연통되어 블렌딩 및 분배되도록 하는 수단을 포함한다. 예를 들어, 나우팩® 용기를 참조하면, 상기 하나 이상의 용기의 라이너 외부에 기체 압력을 가하여, 라이너의 내용물중 적어도 일부를 방출시키고, 따라서 블렌딩 및 분배를 위해 유체 연통되게 할 수 있다. 다르게는, 통상적인 가압가능한 용기의 상부 공간에 기체 압력을 가할 수 있거나 또는 펌프를 사용하여 유체 연통되게 할 수 있다. 또한, 상기 시스템은 바람직하게는 블렌딩된 세정 조성물을 공정 도구에 분배하기 위한 분배 포트를 포함한다.
바람직하게는, 고밀도 폴리에틸렌 같은 실질적으로 화학적으로 불활성이고 불순물을 함유하지 않으며 가요성이고 탄성인 중합체 필름 물질을 사용하여 상기 하나 이상의 용기를 위한 라이너를 제조한다. 바람직한 라이너 물질은, 동시 압출 또는 차단 층을 필요로 하지 않고, 라이너에 배치될 성분에 대한 순도 요건에 불리하게 영향을 끼칠 수 있는 임의의 안료, UV 억제제 또는 가공제 없이, 가공된다. 바람직한 라이너 물질의 목록은, 순수한(첨가제-비함유) 폴리에틸렌, 순수한 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 폴리프로필렌, 폴리우레탄, 폴리비닐리덴 클로라이드, 폴리비닐클로라이드, 폴리아세탈, 폴리스타이렌, 폴리아크릴로니트릴, 폴리부틸렌 등을 포함하는 필름을 포함한다. 이러한 라이너 물질의 바람직한 두께는 약 5밀(0.005인치) 내지 약 30밀(0.030인치), 예를 들어 20밀(0.020인치)이다.
키트용 용기와 관련하여, 하기 특허 및 특허원의 개시내용을 본원에 참고로 인용한다: 미국 특허 제 7,188,644 호(발명의 명칭: "초순도 액체중의 입자의 생성을 최소화하기 위한 장치 및 방법"); 미국 특허 제 6,698,619 호(발명의 명칭: "회수가능하고 재사용가능한 백-인-드럼(bag-in-drum) 유체 저장 및 분배 용기 시스템"); 2007년 5월 9일자로 휴즈(John E.Q. Hughes)의 명의로 출원된 미국 특허원 제 60/916,966 호(발명의 명칭: "물질 블렌딩 및 분배를 위한 시스템 및 방법"), 및 2008년 5월 9일자로 어드밴스드 테크놀로지 머티리얼즈, 인코포레이티드의 명의로 출원된 PCT/US08/63276 호(발명의 명칭: "물질 블렌딩 및 분배를 위한 시스템 및 방법").
제거 용도에서, 상기 제거 조성물은 세정할 마이크로전자 디바이스에, 임의의 적합한 방식으로, 예를 들면 마이크로전자 디바이스의 표면상에 상기 제거 조성물을 분무하거나, 마이크로전자 디바이스를 소정 부피의 세정 조성물에 침지시키거나, 세정할 마이크로전자 디바이스를 다른 물질, 예를 들어 상기 제거 조성물로 포화된 패드 또는 섬유상 흡수성 어플리케이터 요소와 접촉시키거나, 또는 마이크로전자 디바이스와 순환하는 제거 조성물을 접촉시키거나, 또는 제거 조성물을 세정할 마이크로전자 디바이스와 제거 접촉시키는 임의의 다른 적합한 수단, 방식 또는 기법에 의해, 적용될 수 있다.
반도체 제조 조작에 적용될 때, 본원에 기술된 액체 제거 조성물은 ARC 및/또는 에칭-후 잔류물을, 그러한 물질 및/또는 잔류물을 상부에 갖는 마이크로전자 디바이스 구조물로부터 제거하는데 유용하게 사용된다. 상기 제거 조성물은, 마이크로전자 디바이스 상에 존재하여 상기 제거 조성물에 노출될 수 있는 다른 물질, 예를 들면 저-k 유전성 구조물, 배선, 배리어 층 등에 비해 그러한 ARC 물질 및/또는 에칭-후 잔류물에 대한 그의 높은 선택성으로 인해, 상기 ARC 및/또는 에칭-후 잔류물의 적어도 부분적인 제거를 매우 효과적인 방식으로 달성한다. 더욱이, 상기 제거 조성물은 적은 양, 예를 들면 약 1 중량% 미만의 물을 가지며, 따라서 금속 상호연결 층 예컨대 구리, 알루미늄 및 코발트와 상용될 수 있다. 본 발명의 조성물 존재 하에서 구리 및/또는 코발트 에칭 속도는 바람직하게는 5Å/분 미만, 더욱 바람직하게는 2Å/분 미만, 가장 바람직하게는 1Å/분 미만이다.
ARC 물질 및/또는 에칭-후 잔류물을 상부에 갖는 마이크로전자 디바이스 구조물로부터 그러한 물질을 제거하기 위한 제거 조성물을 사용할 때, 상기 조성물은 전형적으로 상기 디바이스 기재와 약 1 내지 약 60 분, 바람직하게는 약 20 내지 약 30 분 동안 약 20 내지 약 80℃ 범위의 온도에서 접촉된다. 그러한 접촉 시간 및 온도는 예시적이며, 상기 디바이스 기재로부터 ARC 물질 및/또는 에칭-후 잔류물을 적어도 부분적으로 제거하는데 효과적인 임의의 다른 적합한 시간 및 온도 조건들이 사용될 수도 있다. 본원에 정의된 "적어도 부분적인 제거"는 ARC 물질 및/또는 에칭-후 잔류물의 50% 이상의 제거, 바람직하게는 80% 이상의 제거에 상응한다. 가장 바람직하게는, 본원에 기재된 액체 제거 조성물을 사용하여 상기 ARC 물질 및/또는 에칭-후 잔류물의 90% 이상이 제거된다.
목적하는 세정 작용을 달성한 후, 상기 조성물은 이전에 가해진 장치로부터 용이하게, 예를 들어 헹굼, 세척 또는 다른 제거 단계(들)에 의해, 제거될 수 있으며, 이는 본원에 기술된 조성물의 주어진 최종 사용 용도에서 바람직하고 효과적일 수 있다. 예를 들어, 상기 장치는 탈이온수로 헹구어질 수 있다.
추가의 또 다른 양태는, 상기 마이크로전자 디바이스를 포함하는 제품을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 상기 방법은, ARC 및/또는 에칭-후 잔류물을 상부에 갖는 마이크로전자 디바이스로부터 상기 물질을 제거하기에 충분한 시간 동안 상기 마이크로전자 디바이스를 액체 제거 조성물과 접촉시키고, 상기 마이크로전자 디바이스를 상기 제품 내로 혼입시킴을 포함하며, 이때 상기 액체 제거 조성물은 하나 이상의 플루오라이드-함유 화합물, 하나 이상의 유기 용매, 및 유전성 부동태화제 및/또는 부식방지제 및/또는 하나 이상의 규소-함유 화합물 중 하나 이상, 및 임의적으로 물을 포함한다. 본 발명의 조성물 존재 하에 저-k 유전체 및/또는 니트라이드 에칭 속도는 바람직하게는 5Å/분 미만, 더욱 바람직하게는 2Å/분 미만, 가장 바람직하게는 1Å/분 미만이다.
또 하나의 양태는, 제거 조성물, 마이크로전자 디바이스 웨이퍼, 및 ARC 물질 및/또는 에칭-후 잔류물질을 포함하는 제조 물품에 관한 것이며, 이때 상기 제거 조성물은 하나 이상의 플루오라이드-함유 화합물, 하나 이상의 유기 용매, 유전성 부동태화제 및/또는 부식방지제 및/또는 하나 이상의 규소-함유 화합물 중 하나 이상, 및 임의적으로 물을 포함한다.
본 발명의 상기 특징 및 이점은 하기에서 언급하는 예시적인 실시예에 의해 더 자세히 보여진다.
실시예 1
하나 이상의 플루오라이드-함유 화합물 (즉, HF, 자연적으로 존재하는 물을 함유함), 하나 이상의 유기 용매, 및 하나 이상의 유전성 부동태화제를 포함하는 제거 조성물을 제조하고, TiON (20 분대) 및 SiN (60 분대)의 에칭 속도뿐 아니라 코발트 쿠폰으로부터의 코발트의 손실(5 분대)을 결정하였다. 상기 실험들은 모두 35℃에서 수행되었다. TiON의 에칭 속도를 사용하여 Ti-함유 잔류물질 및 이에 따라 표면으로부터의 상기 물질의 제거를 모의실험하였다. 그 결과는 하기 표 1에 제공되어 있다.
표 1: 배합물 A-G
Figure 112017000072955-pct00011
부동태화제(들)의 혼입은 규소 니트라이드 에칭 속도를 대조군(배합물 A)에 비해 감소시키지만, 총 성능은 플루오라이드-함유 화합물의 농도에 의존함을 알 수 있다. 각각의 경우, 5 분대의 TiN 에칭 속도는 0.5 Å/분 미만이었고, 30 분대의 W 에칭 속도는 0.5 Å/분 미만이었다.
실시예 2
하나 이상의 플루오라이드-함유 화합물, 하나 이상의 유기 용매, 및 하나 이상의 유전성 부동태화제 및/또는 하나 이상의 부식 억제제를 포함하는 제거 조성물을 제조하고, TiON (20 분대) 및 SiN (60 분대)의 에칭 속도뿐 아니라 코발트 쿠폰으로부터의 코발트의 손실(5 분대)을 결정하였다. 상기 실험들은 달리 언급되지 않으면 40℃에서 수행되었다. TiON의 에칭 속도를 사용하여 Ti-함유 잔류물질 및 이에 따라 표면으로부터의 상기 물질의 제거를 모의실험하였다. 그 결과는 하기 표 2에 제공되어 있다.
표 2: 배합물 H-FF
Figure 112017000072955-pct00012
DDBSA = 도데실벤젠설폰산
TA = 타타르산
DMA = N,N-다이메틸아세토아세트아미드
NN = 1-니트로소-2-나프톨
Bis = 비스무티올
DDPA = 도데실포스폰산
CDTA = (1,2-사이클로헥실렌다이니트릴로)테트라아세트산
DTPA = 다이에틸렌트라이아민 펜타아세트산
HEDP = 하이드록시에틸리덴 다이포스폰산
NTMP = 니트릴로-트리스(메틸렌포스폰산)
다른 것들도 SiN 제거뿐 아니라 코발트 손실을 최소화하는데 효과적이었지만 시험된 것들 중 DDPA가 가장 효과적인 부식방지제임을 알 수 있다. 부식 억제제의 존재는 세정 능력을 유지하면서도 Co 손실의 저하를 보조하였다.
실시예 3
하나 이상의 플루오라이드-함유 화합물, 하나 이상의 유기 용매, 하나 이상의 부식 방지제, 및 하나 이상의 규소-함유 화합물을 포함하는 제거 조성물을 제조하고, TiON (20 분대) 및 SiN (60 분대)의 에칭 속도뿐 아니라 코발트 쿠폰으로부터의 코발트의 손실(5 분대)을 결정하였다. 상기 실험들은 모두 40℃에서 수행되었다. 결과는 하기 표 3에 제공되어 있다.
표 3: 배합물 GG-H
Figure 112017000072955-pct00013
유전성 부동태화제가 존재하는 경우에 볼 수 있는 바와 유사하게, TMAS가 SiN 보호를 보조함을 알 수 있다.
실시예 4
하나 이상의 플루오라이드-함유 화합물, 하나 이상의 유기 용매, 하나 이상의 유전성 부동태화제, 및 하나 이상의 부식 방지제를 포함하는 제거 조성물을 제조하고, TiON (20 분대) 및 SiN (60 분대)의 에칭 속도뿐 아니라 코발트 쿠폰으로부터의 코발트의 손실(5 분대)을 결정하였다. 상기 실험들은 모두 40℃에서 수행되었다. 결과는 하기 표 4에 제공되어 있다.
표 4: 배합물 JJ-AB
Figure 112017000072955-pct00014
유전성 부동태화제(즉, 붕산)의 존재는 코발트 손실 및 규소 니트라이드 에칭 속도의 최소화에 가장 큰 영향을 미침을 알 수 있다.
실시예 5
하나 이상의 플루오라이드-함유 화합물, 프로필렌 글리콜(PG), 및 하나 이상의 유전성 부동태화제 및/또는 하나 이상의 부식 방지제 및/또는 하나 이상의 규소-함유 화합물을 포함하는 제거 조성물을 제조하고, TiON (20 분대) 및 SiN (60 분대)의 에칭 속도뿐 아니라 코발트 쿠폰으로부터의 코발트의 손실(5 분대)을 결정하였다. 상기 실험들은 모두 40℃에서 수행되었다. 결과는 하기 표 5에 제공되어 있다.
표 5: 배합물 AC-AI
Figure 112017000072955-pct00015
주목할 만한 것은, 배합물 AE가, 세정 효율의 희생없이, 45℃에서 Co 및 SiN과 상용성이었다.
실시예 6
0.25 중량% 암모늄 바이플루오라이드, 29.25 중량% n-부탄올, 에틸렌 글리콜 (EG), 하나 이상의 유전성 부동태화제 및/또는 하나 이상의 부식 억제제를 포함하는 제거 조성물을 제조하고, TiON (20 분대) 및 SiN (60 분대)의 에칭 속도뿐 아니라 코발트 쿠폰으로부터의 코발트의 손실(5 분대)을 결정하였다. 상기 실험들은 모두 35℃에서 수행되었다. 결과는 하기 표 6에 제공되어 있다.
표 6: 배합물 AJ-AL
Figure 112017000072955-pct00016
붕산이 SiN 상용성을 개선하고 DDPA/트윈 80 조합물이 초기 Co 손실의 감소를 도움을 알 수 있다.
실시예 7
하나 이상의 플루오라이드-함유 화합물, 29.250 n-부탄올, 및 하나 이상의 추가적인 유기 용매를 포함하는 제거 조성물을 제조하고, TiON (20 분대) 및 SiN (60 분대)의 에칭 속도뿐 아니라 코발트 쿠폰으로부터의 코발트의 손실(5 분대)을 결정하였다. 상기 실험들은 모두 35℃에서 수행되었다. 결과는 하기 표 7에 제공되어 있다.
표 7: 배합물 AN-AS
Figure 112017000072955-pct00017
초기 Co 손실 감소는 TMAF 양의 증가에 따라 감소하고 추가적인 유기 용매로서의 EG에 따라 더 더욱 감소함을 알 수 있다. SiN 에칭 속도는 에칭제 대체에 의해 유의적으로 감소되었다.
본 발명을 발명의 특정 양태, 특징부 및 예시적인 실시양태를 참조하여 개시하였으나, 본 발명의 유용성은 여기에 국한되지 않고 다른 양태, 특징부 및 실시양태까지 확장됨을 이해할 것이다. 따라서, 이후 기재되는 특허청구범위는 본 발명의 진의 및 범주 내에서 모든 이러한 양태, 특징부 및 예시적인 실시양태를 포괄하는 것으로 상응하게 넓게 간주되어야 한다.

Claims (17)

  1. 0.01 중량% 내지 25 중량%의 하나 이상의 플루오라이드-함유 화합물,
    0.01 중량% 내지 99.9 중량%의 하나 이상의 유기 용매,
    0.01 중량% 내지 10 중량%의 물,
    0.01 중량% 내지 20 중량%의 하나 이상의 부식방지제, 및
    0.01 중량% 내지 2 중량%의 하나 이상의 유전성 부동태화제, 하나 이상의 규소-함유 화합물 또는 둘다
    를 포함하는 액체 제거 조성물로서,
    상기 유전성 부동태화제는 붕산, 암모늄 바이보레이트, 암모늄 펜타보레이트, 나트륨 테트라보레이트, 암모늄 바이보레이트, 3-하이드록시-2-나프토산, 이미노다이아세트산, 및 이들의 조합물로 이루어진 군 중에서 선택된 종을 포함하고,
    상기 액체 제거 조성물은 반사-방지성 코팅(ARC) 물질, 에칭-후 잔류물 또는 둘다를, 그러한 물질, 잔류물 또는 둘다를 상부에 갖는 마이크로전자 디바이스로부터 제거하는데 유용한, 액체 제거 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    하나 이상의 유전성 부동태화제를 포함하되, 이때 상기 유전성 부동태화제는 붕산을 포함하는, 액체 제거 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 부식방지제는 벤조트라이아졸 (BTA), 1,2,4-트라이아졸 (TAZ), 5-아미노테트라졸 (ATA), 1-하이드록시벤조트라이아졸, 5-아미노-1,3,4-티아다이아졸-2-티올, 3-아미노-1H-1,2,4-트라이아졸, 3,5-다이아미노-1,2,4-트라이아졸, 톨일트라이아졸, 5-페닐-벤조트라이아졸, 5-니트로-벤조트라이아졸, 3-아미노-5-머캅토-1,2,4-트라이아졸, 1-아미노-1,2,4-트라이아졸, 2-(5-아미노-펜틸)-벤조트라이아졸, 1-아미노-1,2,3-트라이아졸, 1-아미노-5-메틸-1,2,3-트라이아졸, 3-머캅토-1,2,4-트라이아졸, 3-이소프로필-1,2,4-트라이아졸, 5-페닐티올-벤조트라이아졸, 할로-벤조트라이아졸 (할로 = F, Cl, Br 또는 I), 나프토트라이아졸, 1H-테트라졸-5-아세트산, 2-머캅토벤조티아졸 (2-MBT), 1-페닐-2-테트라졸린-5-티온, 2-머캅토벤즈이미다졸 (MBI), 4-메틸-2-페닐이미다졸, 2-머캅토티아졸린, 2,4-다이아미노-6-메틸-1,3,5-트라이아진, 티아졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 트라이아진, 메틸테트라졸, 비스무티올 I, 1,3-다이메틸-2-이미다졸리디논, 1,5-펜타메틸렌테트라졸, 1-페닐-5-머캅토테트라졸, 다이아미노메틸트라이아진, 이미다졸린 티온, 4-메틸-4H-1,2,4-트라이아졸-3-티올, 5-아미노-1,3,4-티아다이아졸-2-티올, 벤조티아졸, 트라이톨일 포스페이트, 인다졸, DNA 염기, 피라졸, 프로판티올, 아스코브산, 티오우레아, 1,1,3,3-테트라메틸우레아, 우레아, 우레아 유도체, 요산, 칼륨 에틸잔테이트, 글리신, 도데실벤젠설폰산 (DDBSA), 타타르산, N,N-다이메틸아세토아세트아미드, 1-니트로소-2-나프톨, 폴리소르베이트 80 (트윈(Tween) 80), 도데실포스폰산 (DDPA), 에틸렌다이아민테트라아세트산 (EDTA), (1,2-사이클로헥실렌다이니트릴로)테트라아세트산 (CDTA), 다이에틸렌트라이아민 펜타아세트산 (DTPA), 2-포스포노부탄-1,2,4-트라이카복실산(PBTCA), 에틸렌다이아민 다이석신산, 프로필렌다이아민 테트라아세트산; 포스폰산; 하이드록시에틸리덴 다이포스폰산 (HEDP) (데퀘스트(Dequest) 2010), 1-하이드록시에탄-1,1-다이포스폰산, 니트릴로-트리스(메틸렌포스폰산) (NTMP), 아미노 트라이(메틸렌 포스폰산) (데퀘스트 2000), 다이에틸렌트라이아민 펜타(메틸렌 포스폰산) (데퀘스트 2060S), 에틸렌다이아민 테트라(메틸렌 포스폰산) (EDTMPA), 및 이들의 조합물로 이루어진 군 중에서 선택된 종을 포함하는, 액체 제거 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서,
    하나 이상의 규소-함유 화합물을 포함하되, 이때 상기 규소-함유 화합물은 메틸트라이메톡시실란, 다이메틸다이메톡시실란, 페닐트라이메톡시실란, 테트라에톡시실란 (TEOS), N-프로필트라이메톡시실란, N-프로필트라이에톡시실란, 헥실트라이메톡시실란, 헥실트라이에톡시실란, 암모늄 헥사플루오로실리케이트, 나트륨 실리케이트, 칼륨 실리케이트, 테트라메틸 암모늄 실리케이트 (TMAS), 테트라아세톡시실란, 다이-t-부톡시다이아세톡시실란, 아세톡시메틸트라이에톡시실란, 및 이들의 조합물로 이루어진 군 중에서 선택된 종을 포함하는, 액체 제거 조성물.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 유기 용매가 테트라메틸렌 설폰, 메탄올, 에탄올, 1-프로판올, 2-프로판올, 1-부탄올, 2-부탄올, t-부탄올, 1-펜탄올, 헥산올, 사이클로헥산올, 2-에틸-1-헥산올, 벤질 알콜, 푸푸릴 알콜, 에틸렌 글리콜, 다이에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜 (1,2-프로판다이올), 테트라메틸렌 글리콜 (1,4-부탄다이올), 2,3-부탄다이올, 1,3-부탄다이올, 네오펜틸 글리콜, 다이에틸렌 글리콜 모노메틸 에터, 트라이에틸렌 글리콜 모노메틸 에터, 다이에틸렌 글리콜 모노에틸 에터, 트라이에틸렌 글리콜 모노에틸 에터, 에틸렌 글리콜 모노프로필 에터, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에터, 다이에틸렌 글리콜 모노부틸 에터, 트라이에틸렌 글리콜 모노부틸 에터, 프로필렌 글리콜 메틸 에터, 다이프로필렌 글리콜 메틸 에터, 트라이프로필렌 글리콜 메틸 에터, 프로필렌 글리콜 n-프로필 에터, 다이프로필렌 글리콜 n-프로필 에터, 트라이프로필렌 글리콜 n-프로필 에터, 프로필렌 글리콜 n-부틸 에터, 다이프로필렌 글리콜 n-부틸 에터, 트라이프로필렌 글리콜 n-부틸 에터, 다이메틸아세트아미드, 포름아미드, 다이메틸포름아미드, 1-메틸-2-피롤리디논, 다이메틸 설폭사이드, 테트라하이드로푸푸릴 알콜 (THFA), 및 이들의 조합물로 이루어진 군 중에서 선택된 화합물을 포함하는, 액체 제거 조성물.
  6. 제 1 항에 있어서,
    하나 이상의 유기 용매가 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 2-프로판올, 1-프로판올, 1-부탄올, 1,4-부탄다이올, 1-펜탄올, 및 이들의 조합물로 이루어진 군 중에서 선택된 화합물을 포함하는, 액체 제거 조성물.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 플루오라이드-함유 화합물이 불화수소, 암모늄 플루오라이드, 플루오로붕산, 테트라메틸암모늄 플루오라이드 (TMAF), 트라이에탄올아민 불화수소산 염, 암모늄 바이플루오라이드 ((NH4)HF2), 테트라알킬암모늄 바이플루오라이드((R)4NHF2), 및 이들의 조합물로 이루어진 군 중에서 선택된 화합물을 포함하는, 액체 제거 조성물.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 조성물의 pH가 1 내지 5 범위인, 액체 제거 조성물.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. ARC 물질, 에칭-후 잔류물 또는 둘다를, 그러한 물질, 잔류물 또는 둘다를 상부에 갖는 마이크로전자 디바이스로부터 제거하는 방법으로서,
    상기 마이크로전자 디바이스를, 상기 마이크로전자 디바이스로부터 상기 물질 및 잔류물을 적어도 부분적으로 제거하기 위하여 제 1 항 내지 제 6 항, 제 10 항 및 제 11 항 중 어느 한 항의 액체 제거 조성물과 접촉시키는 것을 포함하는 방법.
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
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