CN111512426A - 比行业标准方形更长的半导体晶片 - Google Patents

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Abstract

一种半导体晶片与行业标准宽度A(目前为156mm+/‑1mm)一样宽，且比行业标准A长至少1mm，且与标准设备可合理容纳的一样大，目前大约3‑20mm且可能更长，因此获得用于吸收阳光的大量额外的表面积。模块可由多个此类较大的晶片构成。此类晶片可在常规加工设备中加工，该常规加工设备具有行业标准尺寸A的晶片保持部分以及还容纳带有比A长至少1mm且典型3‑20mm的垂直第二边缘的晶片的构造。可这样使用湿台载体以及运输和检查站。

Description

比行业标准方形更长的半导体晶片
相关申请的交叉引用
该申请要求享有于2017年10月24日提交的题为SEMI-CONDUCTOR WAFERS FOR USE INSOLAR CELLS AND MODULES THAT ARE LONGER THAN SIZE OF A SIDE OF THE INDUSTRYSTANDARD SQUARE, AND METHODS OF MAKING AND USING SAME AND SOLAR CELLS ANDMODULES INCORPORATING SAME(用于太阳能电池和模块中的比行业标准方形的侧部尺寸更长的半导体晶片，以及制造和使用其和并入其的太阳能电池和模块的方法)的编号为62/576,143的美国临时申请的优先权，其全部公开内容通过引用完全并入本文中。
背景技术
用于太阳能电池和太阳能模块的晶片大体是方形的。它们以方形制造，修剪成最终尺寸，并以该形状使用。备选地，在某些情况下，它们制造成方形，并然后切成较小的单元，这些单元以一种方式布置，使得所制造的晶片的大部分(如果不是全部)表面积暴露于阳光下，但也减小如果整个方形按其原始形状使用所产生的其它损失。
光伏行业用晶片的标准由国际半导体设备和材料(SEMI)协会的全球光伏技术委员会制定。晶片尺寸在标准编号PV022-00-1011中已标准化，以允许将通用加工设备用于多条生产线。图1和表1中示出尺寸标准的摘录。
表1 光伏太阳能电池应用的方形硅晶片的尺寸
Figure DEST_PATH_IMAGE001
如图1和表1中示出的，标准晶片形状为方形。确切地，对于标称为156mm的晶片(已成为PV行业的标准晶片尺寸)，尺寸A的尺寸(即方形一边的尺寸)可在155mm与157mm之间。最初提供的标称为156mm左右2mm(1mm+/-)范围是为了适应制造设备和加工以及材料处置机械中的误差和公差。
截至2017年10月，实际使用的产品接近该规格的较大端，即157mm。这是因为晶片的锯切和处置操作变得更加精确。另外，由于光伏模块提供的功率与暴露于太阳能的硅的表面积成正比，在其它条件相同的情况下，对于晶片，相对较大比相对较小更好。因此，由于电池面积的增加，方形边尺寸的此类逐渐增加已成为电池和模块制造商增加模块功率的重要方式，而同时却不增加所处置的零件数量。因此，即使通过每边1mm的非常小的量来增加尺寸，也可将面积从156×156mm的24336mm2的晶片增加到157×157mm的24649mm2的晶片，面积上增加313mm2或1.3％。这增加电池和模块处理操作的价值。
因此，可看到，增加用于光伏应用的晶片的面积在功率产量中具有优势。因此，在其它条件相同的情况下，将期望提供更大的晶片。
然而，由于多种原因，不可能提供更大的晶片。一个原因与硅晶体的生长和制造方式有关。这些过程产生方形晶片。可将晶片做得更大或更小，但如下文解释的，工艺仍产生方形晶片。过去已经制造较小的晶片。可制造更大的晶片，但在更大的晶片中产生一些电损耗。因而，行业选择标称标准156mm方形晶片，因为该晶片可在用于产生功率的暴露于太阳能的表面积与电气损耗(其导致功率产量减少)之间取得适当的平衡。
转到如何形成此类方形晶片的简要论述，存在两种类型的晶片：单晶和多晶。
从大的圆柱形晶体切割单晶晶片。由于有效利用硅是硅晶片生产成本中的重要参数，从圆形晶体切割方形晶片比切割矩形晶片更经济，因为从圆形切割最大可能的方形比从相同尺寸的圆形切割最大可能的矩形浪费更少。
从硅砖切割多晶晶片，硅砖从较大的锭切割。这些铸锭在大型熔炉中生长，且由于整个铸锭的工艺条件必须尽可能相同，加工单元的对称性是重要的因素。因此，这些锭也以圆形或方形生长。由于方形锭允许比圆形锭更好的硅利用率，这些熔炉的设计都集中在方形锭上。图2中示出标准多晶锭和所得到的砖。这些具有方形横截面的砖将在随后的线锯步骤中锯成方形晶片。
因此，至少由于这两个原因，行业标准晶片是方形的。如上文在标准PV022-00-1011中提到的，业界对标准化晶片的尺寸感兴趣，以便可将它们用于标准尺寸的晶片加工设备中。
使晶片为方形而不是矩形的一个优点是，因为晶片的两个边的尺寸相等，晶片的处置和使用对其定向不敏感。因此，处理器不需要跟踪晶片的哪个尺寸是其宽度，而哪个是其长度，因为它们是相等的，且加工设备对于沿任何对准轴线将哪个尺寸加载到晶片中并不敏感。
因此，晶片加工行业在用于将硅晶片从如原始状态(作为成形状态)处置和加工到其在成品太阳能模块中的最终位置的机器上投入巨额投资。简要地，裸露的硅晶片大约按照以下顺序进行以下步骤(以及其它步骤)：来料检验；湿台清洁；纹理化；POC1发射极扩散；氮化硅沉积；丝网印刷；烧制；测量/检查；以及架线。
这些步骤中的许多步骤涉及在带上的运输，带要么是单行宽，要么是几个晶片宽。图3示出检查系统，该系统涉及沿带移动晶片。取决于标准尺寸的晶片宽度，沿此类带的运输典型地设计成使用导柱、壁310或间隔来容纳标准化宽度的方形晶片。
一些步骤或步骤之间的子步骤要求将晶片放置在载体中，诸如图4中示出的。此类载体的尺寸确定为接受不大于与平行的成组轨道420a与420b之间的标准方形晶片尺寸A(156-157mm)相等的宽度的晶片。
另一处理步骤是诸如图5处示出的湿台加工步骤，其具有输送辊530，输送辊间隔开一定距离，该距离要求晶片边A的标准尺寸(156-157mm)，使得晶片将装配在引导套环530之间。图3、图4和图5中示出的加工和处置设备仅是代表性的，且不是穷举的。但它们大体上示出晶片例如在载体中处置的方式，载体在其四个边缘中的两个或三个上接触晶片，同时留下两个或三个其余边缘不接触或不支承，或在其平表面上支承晶片，以及使它们在行进方向上移动，同时还固定晶片以免在其四个边缘中的两个上滑移，同时使其余两个边缘中的至少一个(且典型为两个)是自由的。参照图4示意性示出的载体型设备在本文中可统称为边缘支承处置装置。参照图3示意性示出的带型设备和参照图5示意性示出的辊型设备在本文中可统称为平面支承处置装置。
鉴于每个单独晶片的表面积量较大而产生的优点，因此工业上需要提供更大的晶片。从即使提供157mm×157mm晶片(相比于156mm×156mm那些)的微小优势也值得努力使晶圆达到加工设备允许的最大尺寸看到该需求。然而，考虑到产生方形晶片的晶片形成的几何约束，且鉴于该行业已在可容纳这些标称为156mm×156mm(但实际上现在是157mm×157mm)方形晶片的加工设备上投入大量资金，任何一个模块制造商尝试使用大于标准上限157mm×157mm的晶片，这将非常昂贵。
因此，需要提供一种具有比156/157×156/157mm方形晶片更大的表面积的晶片。还需要提供这样较大的晶片，其可在适当位置处理A=156/157mm方形晶片的标准尺寸的设备中处置、加工和大体使用。进一步需要提供这样更大但仍可用的晶片，而不在任何切割或加工步骤中浪费硅。
发明内容
本申请报告可根据在下文引用的DW专利中描述的称为直接晶片(DW)制造过程的相对新的过程来制造晶片，且的晶片可制造成具有行业标准尺寸A(目前为156mm+/-1mm)作为一侧的尺寸(此处称为其宽度)和较长的垂直尺寸(此处称为其长度)。与尺寸为A×A的方形晶片相比，该增加的长度提供大量的额外表面积。此处公开的具有行业标准宽度且大于行业标准长度的晶片可在当前使用的绝大多数晶片加工和处置设备中进行加工，而无需对该设备进行任何修改，或具有概念上相对简单且成本适中(与使用额外表面积所节省的成本相比)的修改。晶片和模块制造成本和经济性的另一优势是，处置略大的晶片的成本几乎为零。额外硅的成本非常小，且无论如何，该硅将成为不同晶片成本的一部分。因此，实际上这并不是整个太阳能收集设备的额外成本。因此，对于相同数量的(稍大)硅晶片，处置大量表面积的经济性是值得付出努力的。
因此，在一些实施例中，其发明是一种矩形晶片，其与方形晶片宽度行业标准宽度A(目前为156mm+/-1mm)一样宽，且比行业标准方形晶片A长至少额外的1mm，且与使标准设备可合理容纳的一样大。优选的额外长度至少为3mm，且认为额外的20mm也是可管理的，而不对当前使用的加工设备进行过度困难的改变。
在一些实施例中，其半导体制品是矩形半导体晶片，该矩形半导体晶片具有第一边缘和第二边缘，第一边缘具有等于行业标准方形晶片尺寸A的宽度尺寸w，第二边缘具有比第一边缘的尺寸更大的长度尺寸L，使得L等于A+x，其中x至少为三mm。行业标准尺寸的方形晶片尺寸A等于156±1mm。第二边缘的长度尺寸L等于A+x，其中x可在三mm与二十五mm之间。
在一些实施例中，x可在3mm与20mm之间、4mm与20mm之间、5mm与20mm之间、8mm与20mm之间，或10mm与20mm之间。在一些实施例中，x可为3mm、4mm、5mm、6mm、7mm、8mm、9mm、10mm、11mm、12mm、13mm、14mm、15mm、16mm、17mm、18mm、19mm、20mm、21mm、22mm、23mm、24mm或25mm。
在一些实施例中，半导体晶片可进一步具有电传导网格线和额外载体。在其它实施例中，还可存在多个额外的基本类似的晶片，该晶片具有电传导网格线和额外的载体，布置在网格中并与电导体互连，以形成模块。网格可具有布置成多行的多个晶片，每行包括并排布置的多个晶片，它们的宽度边缘共线地布置且它们的长度边缘彼此平行布置。网格还可具有以多行布置的多个晶片，每行布置成与另一行相邻，其中行的晶片的宽度边缘彼此平行布置，且长度边缘与相邻行的相应晶片的相应长度边缘共线地布置。
在一些实施例中，其半导体制品可为矩形半导体晶片，该矩形半导体晶片的第一边缘的宽度尺寸w等于行业标准尺寸A，且第二边缘的长度尺寸F小于方形晶片尺寸A。长度尺寸F为尺寸L的分数1/n，其中n为整数，尺寸L大于第一边缘的尺寸，使得L等于A+x，且F等于L/n，F等于(A+x)/n，其中x至少为三mm。对于此类分数尺寸的半导体制品，n可为任何整数，诸如，例如2、3、4、5和6。x可在三mm与二十五mm之间。类似于上文，在一些实施例中，分数尺寸的半导体制品可进一步包括电传导网格线和额外载体。具有电传导网格线和额外载体的多个额外的基本类似的晶片可布置在网格中并与电导体互连，以形成此类半导体制品的模块。网格可展现具有布置成多行的多个晶片，每行包括并排布置的多个晶片，它们的宽度边缘共线地布置且它们的长度边缘彼此平行布置。网格可具有以多行布置的多个晶片，每行布置成与另一行相邻，其中行的晶片的宽度边缘彼此平行布置，且长度边缘与相邻行的相应晶片的相应长度边缘共线地布置。
在一些实施例中，其方法是一种处置半导体晶片的方法。该方法包括：提供矩形半导体晶片，该矩形半导体晶片具有第一边缘和第二边缘，第一边缘具有等于行业标准尺寸方形晶片尺寸A的宽度尺寸w，第二边缘具有比第一边缘的尺寸更大的长度尺寸L，使得L等于A+x，其中x至少为三mm。该方法还需要提供一种尺寸设置成处置和加工行业标准方形晶片尺寸A晶片的半导体晶片加工设备，该加工设备具有尺寸设置成保持晶片的晶片保持部分，该晶片的第一边缘的宽度尺寸w等于行业标准尺寸方形晶片A，且其构造也容纳第二边缘的长度尺寸L大于A的此类晶片。该方法还包括将此类晶片提供给晶片加工设备保持部分，使得具有宽度尺寸w的第一边缘保持在保持部分，且使得也容纳并因此处置具有大于A的长度尺寸L的第二边缘。晶片加工设备可具有边缘支承设备。在一个实施例中，晶片加工设备可为具有可移动带的检查站，该可移动带布置成在行进方向上移动，将晶片提供给晶片加工设备的步骤需要将晶片放置在带上，使得具有大于A的长度尺寸L的边缘布置成平行于行进方向。检查站可具有引导壁，在此情况下，将晶片提供给晶片加工设备的步骤还需要将晶片放置在带上，使得具有长度尺寸w的边缘垂直于行进方向布置且晶片装配在引导壁之间。
根据其发明的相关方法实施例，晶片加工设备可为采用湿法加工载体的湿法加工站，该湿法加工载体具有带有底部支承件和成对边缘支承件的晶片保持部分，每个边缘支承件具有与底部支承件相邻的下部和与底部支承件间隔开的上部，其中上部沿第一方向与底部支承件间隔开，且成对边缘支承件在垂直于第一方向的第二方向上彼此间隔开一定距离，该距离尺寸设定为在成对支承件之间牢固地保持尺寸为A的标准尺寸方形晶片的晶片。在由支承件和成对边缘支承件界定的体积中也可存在开放空间，该开放空间在第一方向上远离支承件延伸至少与L一样大的距离。将晶片提供给晶片加工设备的步骤可将晶片放置在载体中，使得长度尺寸为L的边缘平行于第一方向布置，且使得宽度尺寸为w的边缘布置成装配在成对边缘支承件之间。成对边缘支承件可为成对轨道或成对壁，或任何其它合适的机械保持构造。
在本发明的其它相关方法实施例中，晶片加工设备可为包括可移动带的湿台运输站，该可移动带布置成在行进方向上移动，将晶片提供给晶片加工设备的步骤包括放置将晶片放置在带上，使长度尺寸为L的边缘平行于行进方向排列。湿台运输站还可包括引导套环，其中将晶片提供给晶片加工设备的步骤还需要将晶片放置在带上，使得具有长度尺寸w的边缘垂直于行进方向布置，且使得晶片装配在引导套环之间。代替使用在其上运送晶片的带，湿台运输站可使用辊。
在一方面，一种处置半导体晶片的方法包括：(a)提供矩形半导体晶片，该矩形半导体晶片具有第一边缘和第二边缘，第一边缘具有等于行业标准尺寸A的宽度尺寸w，第二边缘具有比第一边缘的尺寸更大的长度尺寸L，使得L等于A+x，其中x至少为三mm；(b)
提供尺寸设置成处置和加工行业标准尺寸A晶片的半导体晶片加工设备，该加工设备具有尺寸设置成保持晶片的晶片保持部分，该晶片具有第一边缘，第一边缘具有等于行业标准尺寸A的宽度尺寸w，且该加工设备具有还容纳带有具有长度尺寸L的第二边缘的所述晶片的构造；(c)将晶片提供给晶片加工设备保持部分，使得具有宽度尺寸w的第一边缘保持在保持部分中，且使得还容纳并因此处置具有长度尺寸L的第二边缘。
在一些实施例中，晶片加工设备包括边缘支承设备。
在一些实施例中，晶片加工设备包括平面支承设备。
在一些实施例中，晶片加工设备包括检查站，该检查站包括可移动带，该可移动带布置成在行进方向上移动，且将晶片提供给晶片加工设备的步骤包括将晶片放置在带上，使得具有长度尺寸L的边缘平行于行进方向布置。
在一些实施例中，检查站包括引导壁，且将晶片提供给晶片加工设备的步骤还包括将晶片放置在带上，使得具有长度尺寸w的边缘垂直于行进方向布置，且使得晶片装配在引导壁之间。
在一些实施例中，晶片加工设备包括湿加工站，该湿加工站包括湿加工载体，该湿加工载体包括晶片保持部分，该晶片保持部分包括底部支承件和成对边缘支承件，每个边缘支承件具有与底部支承件相邻的下部以及与底部支承件间隔开的上部，其中上部在第一方向上与底部支承件间隔开，且该对边缘支承件在垂直于第一方向的第二方向上彼此间隔开一定距离，该距离尺寸设置成将尺寸A的标准晶片牢固地保持在成对支承件之间，在由支承件和成对边缘支承件界定的体积中还存在开放空间，且该开放空间在第一方向上远离支承件延伸至少与L一样大的距离，且将晶片提供给晶片加工设备的步骤包括将晶片放置在载体中，使得具有长度尺寸L的边缘平行于第一方向布置，且使得具有宽度尺寸w的边缘布置成装配在成对边缘支承件之间。
在一些实施例中，成对边缘支承件包括成对轨道。
在一些实施例中，其中成对边缘支承件包括成对壁。
在一些实施例中，晶片加工设备包括湿台运输站，该湿台运输站包括可移动带，该可移动带布置成在行进方向上移动，且将晶片提供给晶片加工设备的步骤包括将晶片放置在带上，使得具有长度尺寸L的边缘平行于行进方向布置。
在一些实施例中，晶片加工设备包括湿台运输站，该湿台运输站包括辊，该辊布置成在行进方向上移动，且将晶片提供给晶片加工设备的步骤包括将晶片放置在辊上，使得具有长度尺寸L的边缘平行于行进方向布置。
在一些实施例中，湿台运输站包括引导套环，且将晶片提供给晶片加工设备的步骤还包括将晶片放置在带上，使得具有长度尺寸w的边缘垂直于行进方向布置，且使得晶片装配在引导套环之间。
在一些实施例中，湿台运输站包括引导套环，且将晶片提供给晶片加工设备的步骤还包括将晶片放置在辊上，使得具有长度尺寸w的边缘垂直于行进方向布置，且使得晶片装配在引导套环之间。
在另一方面，半导体制品包括矩形半导体晶片，该矩形半导体晶片具有第一边缘和第二边缘，第一边缘具有等于行业标准尺寸A的宽度尺寸w，第二边缘具有比第一边缘的尺寸更大的长度尺寸L，使得L等于A+x，其中x至少为三mm。
在一些实施例中，行业标准尺寸A等于156mm加或减一mm。
在一些实施例中，x在三mm与二十五mm之间。
在一些实施例中，半导体晶片还包括电传导网格线和载体。
在一些实施例中，半导体晶片还包括布置在网格中并与电导体互连的多个额外的基本类似的晶片，以形成模块。
在一些实施例中，网格布置成多行，每行包括并排布置的多个晶片，其中晶片的宽度边缘共线地布置且它们的长度边缘彼此平行布置。
在一些实施例中，每行布置成与另一行相邻，其中成行的晶片的宽度边缘彼此平行布置，且长度边缘与相邻行的相应晶片的相应长度边缘共线地布置。
在另一方面，一种半导体制品包括矩形半导体晶片，该矩形半导体晶片具有第一边缘和第二边缘，第一边缘具有等于行业标准尺寸A的宽度尺寸w，第二边缘具有长度尺寸F，长度尺寸F为尺寸L的分数1/n，其中n是整数，尺寸L大于第一边缘的尺寸，使得L等于A+x，且F等于L/n，F等于(A+x)/n，其中x至少为三mm。
在一些实施例中，n选自由2、3、4、5和6构成的集合。
在一些实施例中，x在三mm与二十五mm之间。
在一些实施例中，半导体晶片还包括电传导网格线和载体。
在一些实施例中，半导体晶片还包括布置在网格中并与电导体互连的多个额外的基本类似的晶片，以形成模块。
在一些实施例中，包括多个晶片的每行并排布置，其中晶片的宽度边缘共线地布置且它们的长度边缘彼此平行布置。
在一些实施例中，每行布置成与另一行相邻，其中成行的晶片的宽度边缘彼此平行布置，且长度边缘与相邻行的相应晶片的相应长度边缘共线地布置。
附图说明
参照附图，将更好地理解本文中公开的发明的这些和其它目的以及方面，在附图中：
图1是根据SEMI标准PV22-00-1011设定尺寸的方形晶片的示意图，其尺寸在表1中限定；
图2(现有技术)是示意图，示出多晶硅锭和用于形成砖的锯切图案，该砖将产生方形晶片；
图3(现有技术)示意性地示出晶片进入检查阶段，示出在带上行进的行业标准方形尺寸A乘A的方形晶片；
图4(现有技术)示意性地示出行业标准尺寸A乘A的方形晶片的湿法工艺载体；
图5(现有技术)示意性地示出在典型的湿台阶段中的辊，通过该辊，需要将行业标准尺寸A的方形晶片装配在引导套环中，并沿垂直方向移动；
图6(现有技术)示意性地示出具有等边标准尺寸A=w的行业标准方形晶片；
图7示意性地示出其发明的方面的晶片，该晶片的宽度w等于行业标准尺寸A，而长度等于w(A)加额外长度x；
图8(现有技术)示意性地示出具有载流网格线的方形行业标准尺寸A=w乘w晶片；
图9示意性地示出其发明的实施例的晶片，该晶片的矩形形状的宽度为w且长度为w+x，其中设有载流网格线；
图10(现有技术)示意性地示出图8的方形行业标准A=w乘w晶片，其切割以形成两个减小的晶片，分别宽度w是行业标准尺寸A，且长度是w/2，其中设有载流网格线；
图11示意性地示出如图9中示出的其发明的实施例的晶片，具有载流网格线，晶片切成两个晶片，分别为矩形形状，宽度是w且长度是(w+x)/2；
图12(现有技术)示出由关联在一起的行业标准方形晶片组成的模块，其中电池被半切(n=2)；每个模块中有m个半切电池；电池区域的长度为h；
图13示出其发明的实施例的模块，该模块由关联在一起的其发明的方面的晶片组成，其中电池被半切(n=2)；每个模块中有m个半切电池；这导致模块具有相同的宽度，但该实施例的模块比h长；
图14示意性地示出晶片进入检查阶段，示出其发明的方面的晶片在带上行进，示出用于方形晶片的带系统可如何容纳长度上尺寸A+x的其方面的较长晶片；
图15示意性地示出用于行业标准方形晶片的湿法工艺载体，该湿法工艺载体承载尺寸A+x长度的其发明的方面的更长的晶片；以及
图16示意性地示出在湿台中的辊，通过该辊，需要行业标准尺寸A宽度的方形晶片装配在引导套环中，但其运输尺寸A+x长度的其发明的方面的较长晶片。
具体实施方式
某些加工方案和架构在于2012年10月23日授权的发明人Emanuel M. Sachs等转让给1366 Technologies Inc.的题为Methods For Efficiently Making ThinSemiconductor Bodies From Molten Material For Solar Cells and the Like(用于太阳能电池等的用于有效地从熔融材料制造薄半导体的方法)的编号为8,293,009B2的美国专利以及其相关的额外专利中公开，包括于2014年4月15日授权的编号为8,696,810的美国专利和于2017年5月9日授权的编号为9,643,342的美国专利。上文提到的专利公开内容由此通过引用完全并入本文中。在上文引用的专利中公开的技术在本文中统称为直接晶片(DW)技术。
本文中公开的本发明的方面涉及沿一个维度(在本文中将其称为宽度w)具有行业标准尺寸，且沿垂直于标准尺寸宽度的维度(在本文中称为晶片的长度nL)较长的晶片。行业标准将标准尺寸称为用于方形晶片的A，并其指定标准尺寸，其在上文表1中表达，该尺寸标称为156mm，其中加或减1mm，其中最大157mm。因此将理解的是，根据说明书，方形晶片可具有必须适合于标准A的边缘或侧面尺寸w，其范围可在155mm与157mm之间。
如上文论述的，行业标准是方形晶片。这在历史上是由于上文论述的始终制造晶片的方法所致，对于该方法，方形尺寸最有效，或在某些情况下，实际上是唯一可能的形状。由于此类制造限制，所有晶片是方形的，其中一些晶片具有不同的宽度。随着时间过去，行业将156mm的尺寸确定为标称尺寸。在历史的早期，方形标准尺寸的边缘短于156mm。
如在上文确定的直接晶片技术(DW)专利中所描述的，已经开发从熔融硅的熔体直接制造硅晶片的不同方式。因为行业标准是针对方形晶片的，且因为有利于将晶片装配行业标准机械中并易于处置，DW工艺可生产方形晶片。然而，所制造的晶片的方形度(或任何对称性)不是DW工艺的限制。DW工艺能够制造许多不同形状的晶片，且形状不需要是对称的，或方形的或圆形的。
简要地，根据直接晶片(DW)晶片形成技术，在多孔模片上施加压差，并在其上形成半导体(例如硅)晶片。压差的松弛允许晶片的释放。模具板可比熔体冷。通过成形晶片的厚度吸收热量。液体和固体界面基本平行于模具板。凝固体的温度在其整个宽度上基本上是一致的，导致低应力和位错密度以及更高的晶体学质量。多孔模具板必须具有足够的渗透性，以允许气体流过其。其必须不能渗透，以免在提供压差的时间期间允许熔融材料侵入孔隙的开口中。否则，孔隙将变为堵塞，且无法保持压差。熔体可通过下者引入到板：与熔体顶部的整个区域接触；横穿熔体与模具板的部分区域接触，无论是水平的还是竖直的，还是介于两者之间；以及将模具浸入熔体中。晶粒尺寸可通过多种手段控制。通过将熔体表面保持在大气压下并将模具板的背面保持在低于大气压下，可建立压差，有时在直接晶片技术专利、编号为8,293,009B2的美国专利和本文中称为压差范围。在另一实施例中，通过将模具板的背面直接通向大气，同时将模具板的成形面上的气氛保持在实质上高于局部大气压的压力，来产生模具板的面之间的压差。该实施例的优点是不需要真空泵。模具面和熔体表面彼此接触一段时间，这可称为接触持续时间。在接触持续时间的至少一部分期间，提供压差范围。由熔体形成晶片，并在熔体中形成凝固体，并在模具板(或模板)上形成此本体(例如晶片)是有益的。它不需要从模具板(或模板)上脱模即可构成有价值的制造产品。而且，所形成的晶片可以以多种方式从模具板去除。在某些情况下，可去除压差范围，即，如果使用真空，可将其关闭，且晶片掉落。或者，可减小压差范围，即可减小真空度，或可减小压差。此外，可使用机械手段，诸如剥离销、剥离框架或与晶片机械接触并将其压离模具板以便减小压差的其它工具。
关于模具板的孔隙率，在一个实施例中，接触首先熔融且随后凝固的半导体材料的表面的孔隙率必须足够小，以使得熔融半导体难以进入孔隙率。典型地，感兴趣的孔径可在0.1至10.0微米的范围内，以及其间的0.1微米的任何间隔。孔隙是互连的，以便通过模具的多孔介质的气体典型地以复杂模式流动，因此通过在任何障碍物周围找到迂回路径来适应局部障碍物。
形成面对并接触熔融材料表面的表面的多孔本体的外表面可为稍微非平面的(在微观或稍大的尺度上)，因此允许熔融半导体仅在特定(但众多且密集的)位置接触熔体表面。通过此类结构，气体可在熔融材料和多孔模具的表面之间稍微横向流动。这允许由压差范围提供的吸力在晶片表面的其表面积的很大一部分百分比(大约100％)上施加力。这与可提供较少数量的较大孔(通过孔可提供不同压力)的情况相反，以建立等效压差。在后一情况下，压差的轨迹限制在相对少量的大孔的相对小的表面积中。相反，在前一情况下，对于真正多孔本体，因为气体可横向流动，压差实际上以更大的分布特性存在于模具和附着的晶片的整个表面积上。本文中使用多孔这个词来描述前一情况，而不是后者。
通过直接晶片(DW)晶片形成技术方法制造的晶片相对于线锯晶片具有某些优势，例如，因为没有研磨成粉末的材料且因此没有因锯切损失，浪费的原料硅少得多。此外，如下文论述的，主要通过使模具与熔融材料的表面接触来制造它们的方法，其自身适于晶片制造的某些方面的特定控制。
重要地，根据DW制造工艺制造的晶片不需要是方形的。它们几乎可为任何形状。所需要的是提供一种具有期望晶片的形状(即周长形状)的模具表面。如果使用方形模具板，将产生方形晶片。如果矩形模具板的一个边缘尺寸w等于行业标准A，而另一边缘尺寸等于w+x，其中x大于1mm，所生产的晶片将具有尺寸w乘(w+x)的矩形形状。如果使用圆形模具板，所生产的晶片将是圆形的。对于椭圆形、三角形或任意形状的规则或不规则形状的模具板，也可这样说，这将产生具有与模具板的周边形状一致且尺寸相等的周边形状的晶片。
除了使用精确或甚至近似匹配晶片最终形式的形状的模具板之外，还可能使用形成大于最终所需形状和尺寸的晶片的模具板，并然后切出所需的形状，且然后重新融化并重新使用未使用的修剪后的片。以该方式，不浪费熔融硅。
虽然可认为更大的晶片提供更多的收集太阳能的机会，且因此，为了产生更多的功率，行业陷入具有由标准限定的尺寸的相等边缘A的方形晶片存在行业标准的局限性。这就是机器接受的，且因此，晶片必须是该尺寸。如上文解释的，随着工业技术的完善，且整个行业趋向于以A标准(157mm)的上限生产晶片。
在一些实施例中，晶片具有满足w=157mm的行业标准A的一个边缘尺寸(在此指定为宽度)，但具有比A(w+x)长的垂直尺寸(在此指定为长度)。如下文解释的，这些晶片不仅可高效且经济地使用DW技术制造，而且与满足标准尺寸A的方形晶片相比，几乎没有任何额外成本，而且此类较长的晶片也可在绝大多数行业标准设备(无需或仅进行很小改动)中进行处置和操纵和使用。虽然工业设备的尺寸和配置确实可接受在两个边缘上尺寸为A的方形晶片，大多数设备仅沿晶片定向的两个垂直尺寸之一受到尺寸限制。因此，令人惊讶地，它们可容纳沿一个维度更长的晶片，如下文更详细解释的。
在转到论述如何在此类标准设备中使用更长的晶片之前，将首先提供对此类更长的晶片的描述。
图7示出其发明的方面的晶片，其具有两个垂直尺寸。第一宽度尺寸具有行业标准长度A的尺寸，标记为w。与宽度垂直的尺寸(长度)比w大额外量x，总长度为w+x。为了比较起见，图6中示出方形行业标准晶片，其具有相等长度的两个边，两者是行业标准尺寸A，当前如表1中阐述，标称为156mm+/-1mm。
图9示出其发明的实施例的图7的晶片，该晶片已经进行进一步加工以承载电传导网格线和垂直的额外载体，用于将在晶片本体内生成的位置的电流和电荷传送到边缘或提供更多电导体以将生成的电力传送离晶片的其它位置，且传送到其将使用、存储或进一步输送离的地方。如看到的，带有电导体的该晶片具有相同尺寸，即宽度为w且长度为w+x。为了比较，在图8中示出行业标准方形晶片，该方形晶片也已经设有电传导网格线和母线。方形晶片的两侧尺寸相等，均为行业标准尺寸A，当前如表1中阐述的，标称为156mm+/-1mm。网格线和母线(垂直导线)的数量和宽度仅举例示出，而不是限制性的或不按比例的。
其发明的实施例的模块可由其发明的方面的晶片组成，布置在网格中，且用串焊机或工业上已知的其它此类电导体互连。此类模块具有沿延伸长度的尺寸排列的n行晶片行。该模块大体比具有相等数量的方形行业标准晶片的模块大一些。长度的差异将在一定程度上取决于晶片之间的间距。
现在转到论述如何将矩形、非方形、较大表面积的晶片用于设计成用于方形晶片的常规晶片加工设备并由其处置，图14是说明性的。图14示出进入的平面支承检查站，示出其发明的实施例的晶片，该晶片的尺寸为A宽乘A+x长，由带支承并在带上行进。如图3中示出的，在使用尺寸为A的方形晶片的正常操作中，晶片横向延伸，使得其比传送带的宽度更宽。晶片在该宽度方向上不能太宽以至于干扰引导壁310，从而防止干扰相邻带上的相邻晶片。
然而，如图14中示出的，在平行于行进方向和平行于带的延伸尺寸的垂直尺寸上，对晶片必须有多长时间没有限制。因此，晶片在该方向上可比A长，且检查站带和输送机仍然可运输更长的矩形晶片。所要求的是晶片在宽度方向上装配在引导壁1410之间，且额外长度x不干扰任何周围的机构。令人惊讶地，事实证明，这可在大多数制造系统中以最小的设备机械重新布置来实现，且因此，更长的矩形晶片可通过为方形晶片设计的标准尺寸的加工设备来处置。
图15示出用于方形晶片的边缘支承湿法工艺载体，但其已装载有其发明的方面的晶片，该晶片具有尺寸A=w的宽度边和尺寸A+x=w+x的较长的长度边(在图中竖直定向)。图4中示出的典型载体具有边缘支承件，诸如轨道420a、420b，或其它形式的壁在宽度尺寸上以标准距离A间隔开(加上很小的公差范围以允许晶片插入)。晶片由底部支承件421支承，该底部支承件可为实心板，或开放网，或轨道或其它合适的设计。边缘支承件具有相对靠近底部支承件421的下部420a，以及与下部间隔开足够的距离以支承并稳定行业标准方形边缘方形尺寸A晶片的边缘的上部420b。边缘支承件可为延伸足够距离以支承晶片边缘的壁，或是一个条或一个壁部分，或是多于两个轨道或条或壁部分，或网或网格或格架，而不是诸如轨道420a和420b的两个单独的元件。如参照图4可看到的，两个轨道之间的正交、竖直间距典型地小于A(w)，其中边尺寸A的方形晶片分别在竖直维度上在轨道420b和420a的上方和下方延伸，但在水平维度上紧贴在轨道420a、420a与420b和420b之间。
典型地，在这些边缘支承载体上没有顶部。因此，对垂直于轨道之间的宽度A的距离的晶片的长度尺寸没有具体限制。如图15中示出的，具有轨道1520a和1520b的载体可与图4中示出的具有轨道420a和420b的相同间距的载体相同，但图15中具有轨道1520a和1520b的载体可容纳更长的如示出的晶片。这样做的一个原因是，顶部方便地保持敞开，使得可将晶片从顶部装载到载体中，同时将其支承在其其它边缘。此外，上支承轨道足以支承长度为A+X的较长晶片。有许多湿法工艺都使用基于类似原理构造的边缘支承载体。晶片边缘搁置在类似于基座421的基座支承件1521上。
图16示出成组的典型的平面支承湿台输送辊。存在引导套环1630，其间隔开距离为A＝w，并因此，由此类输送辊处置的晶片必须具有A＝w的宽度尺寸且沿一个维度不大。但在垂直于尺寸A的该维度的晶片行进方向上，没有类似的限制或硬件，也没有理由说晶片的长度必须为A=w或更小。大体上，如图14和图16中示出的，采用通过其平坦表面支承晶片并输送晶片平面的工艺，典型地可能使晶片在晶片行进所沿的方向上比标准尺寸A=w更长。
其发明的方面的晶片也适合于结合另一行业趋势来使用和处置。此类趋势涉及将晶片沿一个维度切割成分数尺寸，诸如一半或更少的分数(1/3、1/4、1/5、1/6等)，而在其它维度上留下它们的宽度A=w。在将晶片串在一起成为模块之前完成此操作。这样做是为了减少模块中的电流，并从而减少电损耗。正如国际光伏技术路线图(ITRPV)报告(2017年第8版)所预测的那样，光伏行业的这一趋势是，半电池的市场采用率将继续增长，且四分之一电池甚至将在商业上可用。半电池通过电池加工制成完整的电池，且在模块即将制造之前，用激光将电池切成两半。这样可减少互连损耗，并以几乎全功率等级(+5W)改善模块功率。同样，四分之一切割电池有望带来更多改进。一家模块生产商(美国加利福尼亚州圣何塞的SunPower)提供一种称为P系列产品的叠瓦式电池，该电池中先切成1/6分数的分数切割的晶片，并然后与电导体连接，但然后以叠瓦方式彼此略微重叠布置，以实现后到前的电接触，从而减少损耗，同时实现最大程度地暴露在阳光下，且模块中未由硅占用的浪费空间最小。
在本发明的一个实施例中，其中的晶片是w乘w+x mm。从这些晶片切下的电池的w乘(w+x)/n mm，其中x是晶片的长度相对于其宽度w的增加。n限定为通过在串焊之前不久沿其长度切割电池而形成的切割电池的数量。如果n=1，不进行切割，且电池长度与原始晶片长度w+x匹配。如果n=2，将电池半切。如果n=3，将电池切成三分之一。如果n=4，将电池切成四分之一。如果n=5，将电池切成五分之一。如果n=6(诸如在SunPower Series P模块中)，该电池切成六分之一。这些切割电池的尺寸再次为w乘(w+x)/n。表2中示出电池尺寸的示例。
表2. 电池尺寸的示例.
电池切割 W(mm) X(mm) L(mm)
无切割(n=1) 157 2 159
无切割(n=1) 157 5 162
无切割(n=1) 157 10 167
无切割(n=1) 157 25 182
半切(n=2) 157 2 79.5
半切(n=2) 157 5 81
半切(n=2) 157 10 83.5
半切(n=2) 157 25 91
四分之一切(n=4) 157 2 39.75
四分之一切(n=4) 157 5 40.5
四分之一切(n=4) 157 10 41.75
四分之一切(n=4) 157 25 45.5
六分之一切(n=6) 157 2 26.5
六分之一切(n=6) 157 5 27
六分之一切(n=6) 157 10 27.83
六分之一切(n=6) 157 25 30.33
图12示出由相关联的常规行业标准方形晶片组成的模块，其中电池被半切(n=2)。每个模块中有m个半切电池。电池面积的长度为h，且等于w*m，其中m是模块中半切电池的数量。
图13示出本发明的实施例的模块，该模块由本发明的方面的关联在一起的晶片组成，其中电池被半切(n=2)。每个模块中有m个半切电池。这导致具有相同宽度的模块，但本发明的该实施例的模块比由方形电池形成的电池区域h长大约m*(x/2)，其中m是模块中的半切电池的数量，且x是对于w的标准A宽度的其发明的晶片的长度上的增加。这假设本发明的实施例的模块中的电池之间的间隔与常规模块中的电池之间的间隔相同。
首先，模块功率的增加将与电池面积成比例，而与切割的数量无关。因此，可将模块功率的增加建模如下。举例来说，对于72电池的模块，将晶片长度从A=w增加到A=w+x，对于每个晶片，模块的有效面积将增加1+x/w。因此，如果A=w=157mm且x=10mm，面积增加为1+10/157=1.06。由标准A方形晶片制成的模块的功率输出为340W。如果将标准A方形晶片替换为相等数量的157mm宽和167mm长的矩形晶片，模块将产生362瓦。不明显较大的晶片尺寸将为x=2mm，这将使面积和功率输出增加至1.013。因此，与340W相比，由稍长的晶片组成的模块的功率输出为344.3W。
期望的是，对于行业标准尺寸A=156mm，长度可扩展等于大约25mm的x值。这至少有两个原因。首先，我们认为可通过PECVD步骤限定当前可使用的或类似的标准电池加工设备中可容纳的最大长度的晶片，其中将氮化硅应用于晶片以钝化表面并用作抗反射涂层。该设备使用管进行等离子体增强的反应沉积，这些管的直径将限制放置在载舟中的晶片的最大尺寸。可认为，可容纳的晶片长度超过156mm标准的最大增加量是25mm。
其次，如果157mm乘157mm的标准晶片切割成最大的实际切割数量(n=6)，切割电池长度将为157/6或26.17mm。将不可能区分来自标准157/6晶片的切割电池和来自直接晶片183.17mm电池的切割电池(其中n=7)。因此，在切割晶片的领域中，超过25mm的更长晶片将没有任何优势，因为切割晶片在功能上等同于可用大约相同的努力从正常尺寸的晶片上获得的那些。关于更长的晶片的额外长度的这一潜在的实际上限，如果用于PECVD步骤的管由于独立原因而变大，或为了容纳更大，更长的晶片而变大，相应地，增加的长度的上限将更大。
在图10中示意性地示出从方形晶片切下的此类分数晶片，其中示出单个晶片，其具有一个尺寸(宽度w(满足行业标准方形A尺寸要求)，且垂直尺寸(类似于上文所说的长度)较短，只有w/2(n=2)。在将电传导网格线和其它导体施加到其上之后，通过切割单个方形晶片来从其形成两个此类半切晶片。
其发明的方面在图11中示出，其示出从矩形晶片切出的本发明实施例的两个分数晶片。每个晶片具有行业标准宽度w(对应于标准A)和垂直长度(小于w，但大于w/2)的分数晶片。较长的长度是(w+x)/2。因此，可看到，本发明的方面的一半(或其它分数尺寸，诸如1/3、1/4、1/5、1/6)尺寸的晶片将类似地在与由带有边尺寸w的方形晶片形成的半尺寸晶片基本相同的成本下具有更大的表面积。
由于较长的电池，并入此类较长电池的模块可需要更长以容纳更长的电池。由本发明的当前实施例的电池制成的模块将可能与方形电池具有相同的宽度，因为电池宽度将没有任何不同。较长的模块将需要对封装材料的长度、框架长度、前玻璃和后盖(玻璃或聚合物)进行较小的更改。增加或更改模块长度的成本(如果需要)将更高功率模块获得的溢价所抵消。用于最小化电池之间的区域的所有当前策略都将适用。
因此，其发明的方面的晶片提供更大的表面积并因此提供功率的电流，而几乎不增加电池加工的任何成本，且仅对串焊机/嵌合件和模块的材料清单(BOM)进行适度的改变。
举例来说，考虑到添加到边尺寸为A的完整尺寸方形标准晶片上每增加2mm的长度(每个半切割电池增加1mm)，模块功率将增加1.28％。对于330Wp模块，这是4Wp。下表3中示出这一点。它将使模块长24mm。
表3
电池尺寸 156.75 Mm
额外长度 2 Mm
1.28%
模块功率 330 Wp
额外模块功率 4.21 Wp
因此，涉及通过带进行平面支承的任何加工和处置步骤，诸如图3中示出的检查系统，可容纳更长的晶片。一些步骤，或有时在步骤之间，需要将处置的晶片放置在边缘支承载体中，诸如图4中示出的那些。诸如这些的边缘支承载体或盒需要满足标准化的宽度规格，但可允许更长的晶片。类似地，诸如湿台、平面支承输送辊(诸如图5中示出的那些)之类的处置设备也需要满足标准化的宽度规格，以便晶片将装配在引导套环之间，但容纳更长的晶片。
虽然将对自动化和检测系统进行一些改变以解决更长的晶片，这些改变将是最小的，且不需要大量的资本重组和支出。
然而，因为直接晶片技术工艺一次生长或形成一个晶片，而不要求晶片是方形，或对称，或实际上是任何特定形状，使用它，设计者可产生满足关于宽度A的SEMI标准但在垂直尺寸上超过关于宽度A的SEMI标准(因此具有较长的长度)的晶片。以该方式，可制造更大的矩形晶片，且令人惊讶地，可在为方形晶片设计的标准太阳能晶片和模块加工设备中方便地处置和操纵矩形晶片。
本领域普通技术人员的晶片设计者认为仅考虑方形晶片。这是行业标准。这是商业上制造和销售的唯一晶片。所有晶片加工设备均设计为容纳方形晶片，且在制造晶片时，实际上，重要的是它们为方形，使得模块制造商就不需要跟踪晶片在它们移动通过该过程中的定向。实际上，如果晶片不满足在上文阐述的行业标准中体现的方形度标准，它被拒绝且不被使用。
因此，虽然直接晶片制造工艺不限于制造方形晶片，总是且仅这样做。
令人惊讶的见解是认识到既可相对方便地在设计和专门用于加工和处置标准尺寸A尺寸和形状的方形晶片的常规设备中使用非方形晶片，又可实现此类非方形晶片实际上可使用直接晶片技术工艺制造，而没有不适当的花费或浪费，也无需修改该技术的基本原理。只需更改模具的形状以及周围的辅助设备，或更改最终切割的形状，其中任何修整后的废料被回收和再利用。
因此，其发明的方面包括但不限于行业标准尺寸宽度A和比A长的长度的晶片，在此情况下A=w=156mm。在一些实施例中，额外长度x可为如上文论述的在3mm与25mm之间的期望的任何长度，或如果将用于PECVD步骤的管做得更大，可更长。在一些实施例中，本发明还包括使用此类较大的晶片制成的电池，以及使用利用此类较大的晶片的此类电池的模块。额外的实施例包括晶片，晶片的行业标准宽度为A＝w＝156mm，且长度为较长长度w+x的整数部分，诸如(w+x)/2；(w+x)/3；(w+x)/4；等，以及用此类分数更长的晶片制成的电池和晶片。又一组实施例是使用设计为与行业标准尺寸的方形宽度A=w=156mm的晶片一起使用的标准晶片加工和处置设备的方法，以处置行业标准宽度A=w=156但比w长一定量x的晶片，其中x范围在3mm至25mm或更长，如上文论述的。使用此类标准设备的方法是将宽度=A、长度=长于A的晶片定位在载体中，其中它们的宽度限制在设备的一个维度中，其实际上受约束，诸如辊或引导壁或轨道之间的距离等于A，且其中较长的尺寸向外延伸，超出边长=A的方形晶片将延伸的正常位置。
本发明的至少一个优点是，可结合满足宽度的行业标准但比标准长的矩形晶片，来使用相同的电池和模块的加工和处置操作。由于使用对称光源制造矩形晶片的难度和经济浪费，这对于光伏晶片制造商并不明显。虽然将对自动化和检测系统进行一些改变以解决更长的晶片，这些改变将是最小的，且不需要大量的资本重组和支出。因此，另一实施例是一种使用尺寸设置成处置侧边A＝w的方形晶片的行业标准设备的方法，其中矩形晶片改为一边尺寸为A＝w，而较长的边为w+x，例如，如图14、图15和图16中示出的，可适应的长边布置成以免干扰其它硬件。
本公开描述并公开多于一个发明。本发明不仅在所提交的权利要求书中以及在相关文件的权利要求书中阐述，而且还基于本公开在实施任何专利申请期间提出。发明人旨在要求所有各种发明达到允许的极限，如随后确定的那样。本文中描述的特征对于本文中公开的每个发明都不是必不可少的。因此，发明人希望没有在此描述的特征，但在基于本公开的任何专利的任何特定权利要求中没有要求保护的特征，不应并入到任何此类权利要求中。
这里将某些硬件组件或步骤组称为发明。然而，这并不意味着任何此类组件或组必定是在专利上独特的发明，特别是如法律和法规关于一项专利申请中将要审查的发明数量或发明的整体性所预期的那样。其意图是说明发明实施例的简短方式。
前述论述应理解为是说明性的，且在任何意义上都不应认为是限制性的。虽然已经参照本发明的优选实施例具体示出和描述本发明，本领域技术人员将理解，在不脱离如由权利要求书限定的本发明的精神和范围的情况下，可在形式和细节上进行各种改变。
下文权利要求书中的所有装置或步骤加功能元件的对应结构、材料、动作和等同物旨在包括用于结合如明确提出的其它提出的元件执行功能的任何结构、材料或动作。

Claims (26)

1.一种处置半导体晶片的方法，所述方法包括：
a.提供矩形半导体晶片，所述矩形半导体晶片具有第一边缘和第二边缘，所述第一边缘具有等于行业标准尺寸A的宽度尺寸w，所述第二边缘具有比所述第一边缘的尺寸更大的长度尺寸L，使得L等于A+x，其中x至少为三mm；
b.提供尺寸设置成处置和加工行业标准尺寸A晶片的半导体晶片加工设备，所述加工设备具有尺寸设置成保持晶片的晶片保持部分，所述晶片具有第一边缘，所述第一边缘具有等于行业标准尺寸A的宽度尺寸w，且所述加工设备具有还容纳带有具有长度尺寸L的第二边缘的所述晶片的构造；
c.将所述晶片提供给晶片加工设备保持部分，使得具有宽度尺寸w的所述第一边缘保持在所述保持部分中，且使得还容纳并因此处置具有长度尺寸L的所述第二边缘。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶片加工设备包括边缘支承设备。
3.根据权利要求1-2所述的方法，其特征在于，所述晶片加工设备包括平面支承设备。
4.根据权利要求1-3所述的方法，其特征在于，所述晶片加工设备包括检查站，所述检查站包括可移动带，所述可移动带布置成在行进方向上移动，且
其中将所述晶片提供给所述晶片加工设备的步骤包括将所述晶片放置在所述带上，使得具有长度尺寸L的所述边缘平行于所述行进方向布置。
5.根据权利要求1-4所述的方法，其特征在于，所述检查站包括引导壁，且
其中将所述晶片提供给所述晶片加工设备的步骤还包括将所述晶片放置在所述带上，使得具有长度尺寸w的所述边缘垂直于所述行进方向布置，且使得所述晶片装配在所述引导壁之间。
6.根据权利要求1-5所述的方法，其特征在于，所述晶片加工设备包括湿加工站，所述湿加工站包括湿加工载体，所述湿加工载体包括晶片保持部分，所述晶片保持部分包括底部支承件和成对边缘支承件，其中的每个具有与所述底部支承件相邻的下部以及与所述底部支承件间隔开的上部，其中所述上部在第一方向上与所述底部支承件间隔开，且所述成对边缘支承件在垂直于所述第一方向的第二方向上彼此间隔开一定距离，所述距离尺寸设置成将尺寸A的标准晶片牢固地保持在成对支承件之间，在由所述支承件和所述成对边缘支承件界定的体积中还存在开放空间，且所述开放空间在所述第一方向上远离所述支承件延伸至少与L一样大的距离，且
其中将所述晶片提供给所述晶片加工设备的步骤包括将所述晶片放置在所述载体中，使得具有长度尺寸L的所述边缘平行于所述第一方向布置，且使得具有宽度尺寸w的所述边缘布置成装配在所述成对边缘支承件之间。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述成对边缘支承件包括成对轨道。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述成对边缘支承件包括成对壁。
9.根据权利要求1-3所述的方法，其特征在于，所述晶片加工设备包括湿台运输站，所述湿台运输站包括可移动带，所述可移动带布置成在行进方向上移动，且
其中将所述晶片提供给所述晶片加工设备的步骤包括将所述晶片放置在所述带上，使得具有长度尺寸L的所述边缘平行于所述行进方向布置。
10.根据权利要求1-9所述的方法，其特征在于，所述晶片加工设备包括湿台运输站，所述湿台运输站包括辊，所述辊布置成在行进方向上移动，且
其中将所述晶片提供给所述晶片加工设备的步骤包括将所述晶片放置在所述辊上，使得具有长度尺寸L的所述边缘平行于所述行进方向布置。
11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述湿台运输站包括引导套环，且
其中将所述晶片提供给所述晶片加工设备的步骤还包括将所述晶片放置在所述带上，使得具有长度尺寸w的所述边缘垂直于所述行进方向布置，且使得所述晶片装配在所述引导套环之间。
12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述湿台运输站包括引导套环，且
其中将所述晶片提供给所述晶片加工设备的步骤还包括将所述晶片放置在所述辊上，使得具有长度尺寸w的所述边缘垂直于所述行进方向布置，且使得所述晶片装配在所述引导套环之间。
13.一种半导体制品，所述半导体制品包括矩形半导体晶片，所述矩形半导体晶片具有第一边缘和第二边缘，所述第一边缘具有等于行业标准尺寸A的宽度尺寸w，所述第二边缘具有比所述第一边缘的尺寸更大的长度尺寸L，使得L等于A+x，其中x至少为三mm。
14.根据权利要求13所述的半导体制品，其特征在于，行业标准尺寸A等于156mm加或减一mm。
15.根据权利要求13-14所述的半导体制品，其特征在于，此外x在三mm与二十五mm之间。
16.根据权利要求13-15所述的半导体晶片，其特征在于，所述半导体晶片还包括电传导网格线和载体。
17.根据权利要求13-16所述的半导体晶片，其特征在于，所述半导体晶片还包括多个额外的基本类似的晶片，所述额外的基本类似的晶片布置在网格中且与电导体互连，以形成模块。
18.根据权利要求17所述的半导体晶片，其特征在于，所述网格布置成多行，每行包括并排布置的多个晶片，其中所述晶片的宽度边缘共线地布置且它们的长度边缘彼此平行布置。
19.根据权利要求18所述的半导体晶片，其特征在于，每行布置成与另一行相邻，其中成行的所述晶片的宽度边缘彼此平行布置，且所述长度边缘与相邻行的相应晶片的所述相应长度边缘共线地布置。
20.一种半导体制品，所述半导体制品包括矩形半导体晶片，所述矩形半导体晶片具有第一边缘和第二边缘，所述第一边缘具有等于行业标准尺寸A的宽度尺寸w，所述第二边缘具有长度尺寸F，长度尺寸F为尺寸L的分数1/n，其中n是整数，所述尺寸L大于所述第一边缘的尺寸，使得L等于A+x，且F等于L/n，F等于(A+x)/n，其中x至少为三mm。
21.根据权利要求20所述的半导体晶片，其特征在于，n选自由2、3、4、5和6构成的集合。
22.根据权利要求20-21所述的半导体晶片，其特征在于，x在三mm与二十五mm之间。
23.根据权利要求20-22所述的半导体晶片，其特征在于，所述半导体晶片还包括电传导网格线和载体。
24.根据权利要求20-23所述的半导体晶片，其特征在于，所述半导体晶片还包括多个额外的基本类似的晶片，所述额外的基本类似的晶片布置在网格中且与电导体互连，以形成模块。
25.根据权利要求20-24所述的半导体晶片，其特征在于，包括多个晶片的每行并排布置，其中所述晶片的宽度边缘共线地布置且它们的长度边缘彼此平行布置。
26.根据权利要求20-25所述的半导体晶片，其特征在于，每行布置成与另一行相邻，其中成行的所述晶片的宽度边缘彼此平行布置，且所述长度边缘与相邻行的相应晶片的所述相应长度边缘共线地布置。
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