CN111512368B - 伺服图案记录方法及装置、带状磁记录介质及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

根据本技术一个实施方式的伺服图案记录方法是一种在带状磁记录介质上记录伺服图案的伺服图案记录方法，所述带状磁记录介质包括含5个以上伺服带的磁性层，所述方法包括：确定在其中待记录由多个位构成的第一伺服带识别信息的至少3个第一伺服带，和在其中待记录由多个位构成的第二伺服带识别信息的至少2个第二伺服带，所述第二伺服带识别信息不同于所述第一伺服带识别信息；以及在相同相位上将所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息中的每一者记录在所述第一伺服带和所述第二伺服带中。

Description

伺服图案记录方法及装置、带状磁记录介质及其制造方法
技术领域
本技术涉及一种用于在磁性层中写入伺服图案的伺服图案记录方法、一种伺服图案记录装置、一种具有在其中记录有伺服图案的磁性层的带状磁记录介质、和一种所述带状磁记录介质的制造方法。
背景技术
近年来，磁记录介质已被广泛用于电子数据及类似者的备份。磁记录介质之一例如是磁带盒。磁带盒因其大容量和长期存储而作为存储大数据或类似者的介质已受到越来越多的关注。
例如，在根据线性磁带开放(LTO)标准的磁带的磁性层中设有平行于磁带纵向的多个数据带。数据被记录在那些数据带内部的多个记录磁道中。而且，磁带中设有平行于磁带纵向的多个伺服带。每个数据带在磁性层中布置成夹在多个伺服带之间。预定形状的伺服图案记录在每个伺服带中。伺服图案执行记录/再现磁头相对于每个记录磁道的定位(寻道)控制。除此之外，用于识别数据带的磁带信息和伺服带识别信息已嵌入伺服图案中。
在LTO标准所采用的基于定时的伺服型驱动系统中，使用了通过利用非平行伺服图案和时间变量或距离变量来识别磁头位置的伺服技术。非平行伺服图案典型地包括在磁带纵向上布置的两个不同的方位角斜率。这种类型的驱动系统通过读取伺服图案而生成位置误差信号(PES)，并相对于记录磁道适当定位驱动磁头。
除此之外，专利文献1已经公开了一种使伺服图案的记录位置在伺服带之间在磁带行进方向偏移的技术，例如，作为从多个数据带中识别任意数据带的技术。根据该技术，通过读取伺服图案而获得的伺服图案的再现波形的相位在各个伺服带之间不同。因此，可以通过从PES获取两个相邻伺服带之间的再现波形的相位差来识别待执行记录/再现的数据带的位置。
引文列表
专利文献
专利文献1：日本未审查专利申请公开第2011-523487号。
发明内容
技术问题
然而，PES也具有相位差，并因此存在着发生因PES平均化所致的精度增强的误差和驱动磁头方位角调整的误差的问题。特别是，如果因近年来对高密度记录磁带的需求而导致数据带数量进一步增加，则伺服带的数量也会增加。因此，与之相伴在2个伺服带之间提供再现波形的多个相位差使得难以稳定检测伺服带位置。
鉴于以上提及的情况，本技术的发明目的在于提供一种伺服图案记录方法、一种伺服图案记录装置、一种带状磁记录介质的制造方法、以及一种带状磁记录介质，其能容易地应对数据带的增加。
技术方案
根据本技术一个实施方式的伺服图案记录方法是一种在带状磁记录介质上记录伺服图案的伺服图案记录方法，所述带状磁记录介质包括含5个以上伺服带的磁性层，所述方法包括：
确定至少3个第一伺服带和至少2个第二伺服带，其中，在所述第一伺服带中待记录由多个位构成的第一伺服带识别信息，在所述第二伺服带中待记录由多个位构成的与所述第一伺服带识别信息不同的第二伺服带识别信息；以及
在相同相位上将所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息中的每一者记录在所述第一伺服带和所述第二伺服带中。
在所述伺服图案记录方法，所述第一伺服带和所述第二伺服带可被确定为使得所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息的组合在两个相邻伺服带之间并非是重复的。
所述伺服图案记录方法可进一步包括确定在其中待记录由多个位构成的第三伺服带识别信息的第三伺服带，所述第三伺服带识别信息与所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息不同。
所述第一伺服带识别信息可包括含两种以上不同类型的方位角斜率并编码所述第一伺服带识别信息的多个伺服帧，并且所述第二伺服带识别信息可包括含两种以上不同类型的方位角斜率并编码所述第二伺服带识别信息的多个伺服帧。在这种情况下，当将编码所述第一伺服带识别信息的多个伺服帧和编码所述第二伺服带识别信息的多个伺服帧彼此进行比较时，至少一个方位角斜率的一部分的布置间隔彼此不同。
根据本技术一个实施方式的伺服图案记录装置是一种在带状磁记录介质上记录伺服图案的伺服图案记录装置，所述带状磁记录介质包括含5个以上伺服带的磁性层，所述装置包括伺服写入磁头和驱动单元。
所述伺服写入磁头包括对应所述伺服带布置的多个记录部。
所述驱动单元输出用于相对于第一记录部记录第一伺服带识别信息的第一记录信号，所述第一记录部对应于至少3个第一伺服带，在所述至少3个伺服带中待记录由多个位构成的所述第一伺服带识别信息，并且输出用于在与所述第一伺服带识别信息相同的相位上相对于第二记录部记录所述第二伺服带识别信息的第二记录信号，所述第二记录部对应于至少2个第二伺服带，所述至少2 个伺服带中待记录由多个位构成的所述第二伺服带识别信息，所述第二伺服带识别信息与所述第一伺服带识别信息不同。
所述伺服写入磁头可被配置成在所述伺服带中记录所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息，使得所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息的组合在两个相邻伺服带之间并非是重复的。
所述多个记录部可分别包括在其中多个伺服帧能够被记录为所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息中的每一者的磁隙，所述多个伺服帧包括所述伺服带中两种以上不同类型的方位角斜率并编码所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息。在这种情况下，所述驱动单元根据所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息之间的差在彼此不同的脉冲上升时间输出所述第一记录信号和所述第二记录信号。
根据本技术一个实施方式的带状磁记录介质的制造方法是一种带状磁记录介质的制造方法，所述带状磁记录介质包括含5个以上伺服带的磁性层，所述方法包括：
确定至少3个第一伺服带和至少2个第二伺服带，其中，在所述第一伺服带中待记录由多个位构成的第一伺服带识别信息，在所述第二伺服带中待记录由多个位构成的与所述第一伺服带识别信息不同的第二伺服带识别信息；以及
在相同相位上将所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息中的每一者记录在所述第一伺服带和所述第二伺服带中。
根据本技术一个实施方式的带状磁记录介质是一种带状磁记录介质，包括含5个以上伺服带的磁性层，其中所述伺服带包括在其中待记录由多个位构成的第一伺服带识别信息的至少3个第一伺服带，和在其中待记录由多个位构成的第二伺服带识别信息的至少2个第二伺服带，所述第二伺服带识别信息不同于所述第一伺服带识别信息。
所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息可被记录在相同相位上。
所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息可被记录在所述伺服带中，使得所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息的组合在两个相邻伺服带之间并非是重复的。
所述第一伺服带识别信息可包括含两种以上不同类型的方位角斜率并编码所述第一伺服带识别信息的多个伺服帧，并且所述第二伺服带识别信息可包括含两种以上不同类型的方位角斜率并编码所述第二伺服带识别信息的多个伺服帧。在这种情况下，当将编码所述第一伺服带识别信息的多个伺服帧和编码所述第二伺服带识别信息的多个伺服帧彼此进行比较时，至少一个方位角斜率的一部分的布置间隔彼此不同。
所述伺服带可进一步包括在其中待记录由多个位构成的第三伺服带识别信息的第三伺服带，所述第三伺服带识别信息与所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息不同。
附图说明
图1是示出根据本技术一个实施方式的伺服图案记录装置的前视图。
图2是示出该伺服图案记录装置一部分的局部和放大图示。
图3是示出构成该伺服图案一部分的伺服带识别信息的磁带的俯视图。
图4A是描述伺服图案中嵌入的LPOS字的数据结构的图示，图4B是描述制造商字的图示。
图5A是示出伺服图案的布置示例的示意性图示，图5B是示出再现波形的图示。
图6是示出根据比较例的伺服图案的布置示例的示意性图示。
图7是示出第一伺服带识别信息和第二伺服带识别信息的配置示例的示意性图示。
图8是示出第一伺服带识别信息和第二伺服带识别信息的再现波形的图示。
图9是示出5ch(信道)伺服带的分配示例的示意性视图。
图10是示出7ch、9ch、和11ch伺服带的分配示例的示意性视图。
图11是示意性示出伺服图案记录装置中伺服写入磁头的配置的透视图。
图12是示出驱动伺服写入磁头的驱动单元的配置的方块图。
图13是示出输入伺服写入磁头中的第一脉冲信号和第二脉冲信号的波形的一部分的示意性视图。
图14是描述根据本技术实施方式的伺服图案记录方法的流程图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图描述根据本技术的实施方式。
图1是根据本技术一个实施方式的伺服图案记录装置100的前视图。图2 是示出伺服图案记录装置100一部分的局部和放大图示。图3是示出其上记录有伺服图案6的磁带1的俯视图。
[磁带的配置]
首先，将参照图2描述磁带1的配置。磁带1是带状磁记录介质。磁带1 包括长基底材料(基底)41、设在基底材料41的一个主表面(第一主表面)上的底层42、设在底层42上的磁性层43、和设在基底材料41的另一个主表面(第二主表面)上的背层44。应当注意的是，底层42和背层44可根据需要进行设置，并且可以省略。磁带1可以是垂直记录型磁记录介质、或者可以是纵向记录型磁记录介质。
磁带1具有长带状。在记录/再现中令磁带1在纵向方向上行进。应当注意的是，磁性层43的表面是记录/再现装置(未示出)中设置的磁头在其上行进的表面。磁带1有利地用于设有环型磁头作为记录磁头的记录/再现装置中。磁带 1有利地用于配置为能够用1500nm以下或者1000nm以下的数据磁道宽度记录数据的记录/再现装置中。
(基底材料)
基底材料41是支撑底层42和磁性层43的非磁性载体。基底材料41具有长膜状。基底材料41平均厚度的上限值有利地是4.2μm以下、更有利地是3.8μm 以下、进一步更有利地是3.4μm以下。在基底材料42平均厚度的上限值是4.2μm 以下的情况下，可以使单个数据盒的记录容量大于常规磁带的记录容量。基底材料41平均厚度的下限值有利地是3μm以上、更有利地是3.2μm以上。在基底材料41平均厚度的下限值是3μm以上的情况下，可抑制基底材料41强度的降低。
按如下方式测定基底材料41的平均厚度。首先，制备宽度为1/2英寸的磁带1，将其切割成长度为250mm，并制作了样品。随后，用诸如甲乙酮(MEK) 和稀盐酸之类的溶剂移除样品除基底材料41以外的层(即，底层42、磁性层 43、和背层44)。接下来，使用由MitutoyoCorporation制造的激光全息测微计 (LGH-110C)作为测量装置在五个以上位置处测量样品(基底材料41)的厚度，并简单平均(算数平均)测量值，以计算基底材料41的平均厚度。注意，假设测量位置是从样品中随机选择的。
基底材料41包括聚酯。由于基底材料41包括聚酯，因而可降低基底材料 41纵向上的杨氏模量。因此，在行进通过记录/再现装置期间可通过调整磁带1 在纵向上的张力而使磁带1的宽度保持恒定或实质上恒定。
聚酯包括以下中的至少一者：聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚萘二甲酸丁二醇酯(PBN)、聚对苯二甲酸环己烷二甲醇酯(PCT)、聚对氧苯甲酸乙二醇酯(PEB)、或聚双苯氧基羧酸乙二醇酯。在基底材料41包括两种以上聚酯的情况下，那些两种以上聚酯可以进行混合、共聚、或者堆叠。聚酯的末端或侧链中的至少一者可进行修饰。
例如，按如下方式确认基底材料41包括聚酯的事实。首先，如在基底材料 41平均厚度的测量方法中那样，移除样品除基底材料41以外的层。接下来，使用红外吸收光谱法(IR)获取样品(基底材料41)的IR光谱。基于这一IR光谱，可以确认的是，基底材料41包括聚酯。
除聚酯以外，基底材料41例如可进一步包括聚酰胺、聚酰亚胺、或聚酰胺酰亚胺中的至少一者，并且可进一步包括聚酰胺、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚烯烃、纤维素衍生物、乙烯基树脂、或另一种聚合物树脂中的至少一者。聚酰胺可以是芳香族聚酰胺(芳族聚酰胺)。聚酰亚胺可以是芳香族聚酰亚胺。聚酰胺酰亚胺可以是芳香族聚酰胺酰亚胺。
在除聚酯以外基底材料41还包括聚合物树脂的情况下，基底材料41有利地包括聚酯作为主要组分。在此，主要组分意指在基底材料41中包含的聚合物树脂中最大含量(质量比)的组分。在除聚酯以外基底材料41还包括聚合物树脂的情况下，聚酯和除聚酯以外的聚合物树脂可进行混合或者可进行共聚。
基底材料41可在纵向和宽度方向上进行双轴拉伸。基底材料41中包括的聚合物树脂有利地相对于基底材料41的宽度方向倾斜定向。
(磁性层)
磁性层43是用于以磁化图案记录信号的记录层。磁性层43可以是垂直记录型的记录层或者可以是纵向记录型的记录层。例如，磁性层43包括磁性粉末、粘合剂、和润滑剂。磁性层43可根据需要进一步包括以下至少一种添加剂：抗静电剂、研磨剂、固化剂、腐蚀抑制剂、非磁性增强颗粒、或类似者。
磁性层43表面的算术平均粗糙度Ra是2.5nm以下、有利地是2.2nm以下、更有利地是1.9nm以下。在算术平均粗糙度Ra是2.5nm以下的情况下，可抑制因间距损失所致的输出的降低，并因此可获得优异的电磁转换特性。磁性层 43表面的算术平均粗糙度Ra的下限值有利地是1.0nm以上、更有利地是1.2nm 以上、进一步更有利地是1.4nm以上。在磁性层43表面的算术平均粗糙度Ra 的下限值是1.0nm以上的情况下，可抑制因摩擦增加所致的行进性质的劣化。
按如下方式测定算术平均粗糙度Ra。首先，通过原子力显微镜(AFM)观测磁性层43的表面，并获得40μm×40μm的AFM图像。使用由Digital Instruments制造的Nano ScopeIIIa D3100作为该AFM。由单晶硅制成的悬臂用作悬臂(注释1)。通过以200至400Hz作为敲击频率进行调谐来实施测量。接下来，将AFM图像分为512×512(＝262,144)个测量点。在每一个测量点处测量高度Z(i)(i：测量点数，i＝1至262,144)。将在各个测量点处测量的高度Z(i)进行简单平均(算术平均)以测定平均高度(平均平面)Zave(＝Z(1)+Z(2) +…+Z(262,144))/262,144)。随后，测定在每一个测量点处与平均中心线的偏差 Z“(i)(＝|Z(i)-Zave|)。计算算术平均粗糙度Ra[nm](＝(Z”(1)+Z“(2)+…+ Z”(262,144))/262,144)。这时，作为图像处理，将已由作为图像处理的2阶Flatten 和3阶XY平面拟合进行滤波处理的数据用作数据。
(注释1)SPM探针NCH常规型PointProbe L
(悬臂长度)＝由NanoWorld Corporation制造的125μm
磁性层43的平均厚度tm的上限值是80nm以下、有利地是70nm以下、更有利地是50nm以下。由于磁性层43的平均厚度tm的上限值是80nm以下，因而在使用环型磁头作为记录磁头的情况下可缓和抗磁场的影响，并因此可获得更优异的电磁转换特性。
磁性层43的平均厚度tm的下限值有利地是35nm以上。由于磁性层43的平均厚度tm的下限值是35nm以上，因而在使用MR型磁头作为再现磁头的情况下可确保输出，并因此可获得更优异的电磁转换特性。
可按如下方式测定磁性层43的平均厚度tm。首先，使用FIB技术或类似者对作为待测量的对象的磁带1进行薄化处理。在使用FIB技术的情况下，作为用于观测TEM图像(即以后描述的横截面)的处理，将碳层和钨层形成为保护膜。通过使用气相沉积法将碳层形成在磁带1的磁性层43一侧的表面上和磁带 1的背层44一侧的表面上。然后，通过使用气相沉积法或者溅射法将钨层进一步形成在磁带1的在磁性层43一侧的表面上。在磁带1的长度方向(纵向)上执行薄化。这就是说，该薄化形成了与磁带1的纵向和厚度方向两者均平行的横截面。
在以下条件下通过透射电子显微镜(TEM)观测获得的薄化样品的这种横截面。应注意的是，可根据装置类型适当地调整放大倍数和加速电压。
装置：TEM(由Hitachi,Ltd.制造的H9000NAR)
加速电压：300kV
放大倍数：100,000倍
接下来，使用获得的TEM图像，在磁带1的至少10个以上纵向位置处测量磁性层43的厚度。将获得的测量值进行简单平均(算术平均)，并将获得的测量值用作磁性层43的平均厚度tm[nm]。注意，假设实施测量的位置是从试样中随机选择的。
(磁性粉末)
磁性粉末包括大量磁性颗粒。磁性颗粒是，例如，包括六方晶系铁氧体的颗粒(下文中被称为“六方晶系铁氧体颗粒”)、包括艾普西隆-氧化铁(ε-氧化铁)的颗粒(下文中被称为“ε-氧化铁颗粒”)、或者包括含Co的尖晶石铁氧体的颗粒(下文中被称为“钴铁氧体颗粒”)。关于磁性粉末，晶体在磁带1 的厚度方向(垂直方向)上进行择优定向是有利的。
(六方晶系铁氧体颗粒)
例如，每一个六方晶系铁氧体颗粒具有诸如六方板状之类的板状。在本说明书中，六方板状包括实质上六方板状。六方晶系铁氧体有利地包括Ba、Sr、 Pb、或者Ca中的至少一者、更有利地包括Ba或者Sr中的至少一者。例如，六方晶系铁氧体可具体是钡铁氧体或者锶铁氧体。除Ba以外，钡铁氧体可进一步包括Sr、Pb、或者Ca中的至少一者。除Sr以外，锶铁氧体可进一步包括Ba、 Pb、或者Ca中的至少一者。
更具体而言，六方晶系铁氧体具有由通用表达式MFe12O19表示的平均组成。应注意的是，例如，M是Ba、Sr、Pb、或Ca中的至少一种金属、有利地是Ba 或Sr中的至少一种金属。M可以是Ba和选自Sr、Pb、和Ca的群组中的一种或者多种金属的组合。进一步地，M可以是Sr和选自Ba、Pb、和Ca的群组中的一种或者多种金属的组合。在这种通用表达式中，部分Fe可被另一种金属元素取代。
在磁性粉末包括六方晶系铁氧体颗粒粉末的情况下，磁性粉末的平均粒径有利地是30nm以下、更有利地是12nm以上且25nm以下、进一步更有利地是15nm以上且22nm以下、尤其有利地是15nm以上且20nm以下、最有利地是15nm以上且18nm以下。在磁性粉末的平均粒径是30nm以下的情况下，可在高记录密度的磁带1中获得更加优异的电磁转换特性(例如，SNR)。另一方面，在磁性粉末的平均粒径是12nm以上的情况下，进一步增强了磁性粉末的分散度，并可获得更加优异的电磁转换特性(例如，SNR)。
磁性粉末的平均纵横比有利地是1.0以上且2.5以下、更有利地是1.0以上且2.1以下、进一步更有利地是1.0以上且1.8以下。在磁性粉末的平均纵横比在1.0以上且2.5以下的范围内的情况下，可抑制磁性粉末的聚集。进一步地，可抑制在磁性层43的形成过程中磁性粉末垂直定向时施加至磁性粉末的阻力。因此，可增强磁性粉末的垂直定向性质。
在磁性粉末包括六方晶系铁氧体颗粒粉末的情况下，可按如下方式测定磁性粉末的平均粒径和平均纵横比。首先，使用FIB技术或类似者对作为待测量对象的磁带1进行薄化处理。在使用FIB技术的情况下，作为用于观测TEM图像(即以后描述的横截面)的预处理，将碳层和钨层形成为保护膜。通过使用气相沉积法将碳层形成在磁带1的在磁性层43一侧的表面上和磁带1的在背层 44一侧的表面上。然后，通过使用气相沉积法或者溅射法将钨层进一步形成在磁带1的在磁性层43一侧的表面上。在磁带1的长度方向(纵向)上执行薄化。这就是说，该薄化形成了与磁带1的纵向和厚度方向两者均平行的横截面。
透射电子显微镜(由Hitachi High-Technologies Corporation制造的H-9500)用于在获得的薄化样品的这一横截面上执行横截面观测，以便在200kV加速电压和500,000倍总放大倍数下包括相对于磁性层43厚度方向的全部磁性层43并拍摄TEM照片。接下来，从拍摄的TEM照片中选择在观测表面的方向上具有侧表面且可明显检查其厚度的50个颗粒。测量可明显检查其厚度的选定的50 个颗粒中每一个的最大板厚度DA。将按这一方式测定的最大板厚度DA进行简单平均(算术平均)以测定平均最大板厚度DAave。随后，测量磁性粉末的每一个颗粒的板直径DB。为了测量颗粒的板直径DB，从拍摄的TEM照片中选择可明显检查其板直径的50个颗粒。测量选定的50个颗粒中每一个的板直径DB。将按这一方式测定的板直径DB进行简单平均(算术平均)以测定平均板直径 DBave。平均板直径DBave是平均粒径。然后在平均最大板厚度DAave和平均板直径DBave的基础上测定颗粒平均纵横比(DBave/DAave)。
在磁性粉末包括六方晶系铁氧体颗粒粉末的情况下，磁性粉末的平均颗粒体积有利地是5900nm3以下、更有利地是500nm3以上且3400nm3以下、进一步更有利地是1000nm3以上且2500nm3以下、尤其有利地是1000nm3以上且 1800nm3以下、最有利地是1000nm3以上且1500nm3以下。在磁性粉末的平均颗粒体积是5900nm3以下的情况下，可提供与磁性粉末的平均粒径是30nm以下的情况下类似的效果。另一方面，在磁性粉末的平均颗粒体积是500nm3以上的情况下，可提供与磁性粉末的平均粒径是12nm以上的情况下类似的效果。
可按如下方式测定磁性粉末的平均颗粒体积。首先，如上所述针对磁性粉末的平均粒径的计算方法，测定平均长轴长度DAave和平均板直径DBave。接下来，根据以下计算式测定磁性粉末的平均体积V。
[运算式1]
Figure GDA0003763117460000101
(ε-氧化铁颗粒)
ε-氧化铁是即使作为细微颗粒也能提供高矫顽力的刚质磁性颗粒。ε-氧化铁颗粒具有球形形状或者立方体形状。在本说明书中，球形形状包括实质上球形的形状。进一步地，立方体形状包括实质上立方体的形状。与使用具有六方板状的钡铁氧体颗粒作为磁性颗粒的情况相比，在使用ε-氧化铁颗粒作为磁性颗粒的情况下，由于ε-氧化铁颗粒具有这种形状，因而可减小颗粒在磁带1厚度方向上的接触区域，并且可抑制颗粒的聚集。因此，可增强磁性粉末的分散度，并且可获得更加优异的电磁转换特性(例如，SNR)。
每一个ε-氧化铁颗粒具有核壳状结构。具体而言，ε-氧化铁包括核部和具有在该核部周围设置的双层结构的壳部。具有双层结构的壳部包括设在核部上的第一壳部和设在第一壳部上的第二壳部。
核部包括ε-氧化铁。核部中包括的ε-氧化铁有利地具有ε-Fe2O3晶体作为主相、更有利地包括单一相ε-Fe2O3。
第一壳部至少覆盖核部周围的一部分。具体而言，第一壳部可部分地覆盖核部的周围、或者可全部覆盖核部的周围。有利地是，第一壳部覆盖核部的全部表面，以便使核部和第一壳部充分交换耦合并增强磁特性。
第一壳部是所谓的软磁性层，并且例如包括诸如α-Fe、Ni-Fe合金、和 Fe-Si-Al合金之类的软磁性材料。可通过核部中包括的ε-氧化铁的还原-氧化来获得α-Fe。
第二壳部是作为抗氧化层的氧化盖膜。第二壳部包括α-氧化铁、氧化铝、或者二氧化硅。例如，α-氧化铁包括Fe3O4、Fe2O3、或FeO中的至少一种氧化铁。在第一壳部包括α-Fe(软磁性材料)的情况下，可通过氧化第一壳部中包括的α-Fe来获得α-氧化铁。
由于ε-氧化铁颗粒包括如上所述的第一壳部，因而在全部ε-氧化铁颗粒(核和壳颗粒)的矫顽力Hc可被调整至适于记录的矫顽力Hc的同时，可仅将核部的矫顽力Hc保持得较高以便确保对热量的稳定性。进一步地，由于ε-氧化铁颗粒包括如上所述的第二壳部，因而可抑制例如因在磁带1的制造过程中或在该过程之前ε-氧化铁颗粒暴露于空气以及颗粒表面生锈的过程所致的ε-氧化铁特性的降低。因此，可抑制磁带1的特性的降低。
ε-氧化铁颗粒可包括具有单层结构的壳部。在这种情况下，壳部可具有与第一壳部类似的配置。应当注意的是，为了抑制ε-氧化铁颗粒特性的降低，有利地是，如上所述，ε-氧化铁颗粒包括具有双层结构的壳部。
ε-氧化铁颗粒可包括助剂以代替以上提及的核壳结构，或者除核壳结构以外还可包括助剂。在这种情况下，ε-氧化铁颗粒中的部分Fe被助剂取代。此外，利用包括助剂的ε-氧化铁颗粒，全部ε-氧化铁颗粒(核和壳颗粒)的矫顽力Hc 可被调整至适于记录的矫顽力Hc，并因此可增强记录的容易性。助剂是除铁以外的金属元素、有利地是三价金属元素、更有利地是Al、Ga、或In中的至少一者、进一步更有利地是Al或Ga中的至少一者。
具体而言，包括助剂的ε-氧化铁是ε-Fe2-xMxO3晶体(注意，M是除铁以外的金属元素、有利地是三价金属元素、更有利地是Al、Ga、或In中的至少一者、进一步更有利地是Al或Ga中的至少一者。例如，符号x是0<x<1)。
磁性粉末的平均粒径(平均最大粒径)例如是22.5nm以下。磁性粉末的平均粒径(平均最大粒径)有利地是22nm以下、更有利地是8nm以上且22nm 以下、进一步更有利地是12nm以上且22nm以下、尤其有利地是12nm以上且15nm以下、最有利地是12nm以上且14nm以下。在磁带1中，记录波长 1/2尺寸的区域是实际磁化区域。因此，通过将磁性粉末的平均粒径设定为等于或者小于最短记录波长的一半，可获得更加优异的电磁转换特性(例如，SNR)。因此，在磁性粉末的平均粒径是22nm以下的情况下，在高记录密度磁带1(例如，配置为能够以44nm以下的最短记录波长记录信号的磁带1)中可获得更加优异的电磁转换特性(例如，SNR)。另一方面，在磁性粉末的平均粒径是8nm 以上的情况下，进一步增强了磁性粉末的分散度，并可获得更加优异的电磁转换特性(例如，SNR)。
磁性粉末的平均纵横比有利地是1.0以上且3.0以下、更有利地是1.0以上且2.5以下、进一步更有利地是1.0以上且2.1以下、尤其有利地是1.0以上且 1.8以下。在磁性粉末的平均纵横比在1.0以上且3.0以下的范围内的情况下，可抑制磁性粉末的聚集。进一步地，可抑制在磁性层43的形成过程中在磁性粉末垂直定向时施加至磁性粉末的阻力。因此，可增强磁性粉末的垂直定向性质。
在磁性粉末包括ε-氧化铁颗粒粉末的情况下，按如下方式测定磁性粉末的平均粒径和平均纵横比。首先，使用聚焦离子束(FIB)技术或类似者对作为待测量对象的磁带1进行处理并薄化。在使用FIB技术的情况下，作为用于观测 TEM图像(即以后描述的横截面)的预处理，将碳层和钨层形成为保护膜。通过使用气相沉积法将碳层形成在磁带1的磁性层43一侧的表面上和磁带1的背层44一侧的表面上。然后，通过使用气相沉积法或者溅射法将钨层进一步形成在磁带1的磁性层43一侧的表面上。在磁带1的长度方向(纵向)上执行薄化。这就是说，该薄化形成了与磁带1的纵向和厚度方向两者均平行的横截面。
透射电子显微镜(由Hitachi High-Technologies Corporation制造的H-9500)用于在获得的薄化样品的这一横截面上执行横截面观测，以便在200kV加速电压和500,000倍总放大倍数下包括相对于磁性层43厚度方向的全部磁性层43并拍摄TEM照片。接下来，从拍摄的TEM照片中选择可明显检查其形状的50个颗粒，并测量每一个颗粒的长轴长度DL和短轴长度DS。在此，长轴长度DL 意指从任一角度拉伸出以便与每一个颗粒的轮廓接触的两条平行直线之间的距离中的最大距离(所谓的最大Feret直径)。另一方面，短轴长度DS意指在与颗粒的长轴(DL)正交的方向上的颗粒长度中的最大长度。随后，测量的50 个颗粒的长轴长度DL进行简单平均(算术平均)以测定平均长轴长度DLave。按这种方式测定的平均长轴长度DLave被设定为磁性粉末的平均粒径。进一步地，测量的50个颗粒的短轴长度DS进行简单平均(算术平均)以测定平均短轴长度DSave。然后，在平均长轴长度DLave和平均短轴长度DSave的基础上测定颗粒的平均纵横比(DLave/DSave)。
磁性粉末的平均颗粒体积有利地是5600nm3以下、更有利地是250nm3以上且5600nm3以下、进一步更有利地是900nm3以上且5600nm3以下、尤其有利地是900nm3以上且1800nm3以下、最有利地是900nm3以上且1500nm3以下。由于一般而言磁带1的噪声与颗粒数量的平方根成反比(即，与颗粒体积的平方根成正比)，因而可通过使颗粒体积更小而获得更加优异的电磁转换特性(例如，SNR)。因此，在磁性粉末的平均颗粒体积是5600nm3以下的情况下，如在磁性粉末的平均粒径是22nm以下的情况下一样可获得更加优异的电磁转换特性(例如，SNR)。另一方面，在磁性粉末的平均颗粒体积是250nm3以上的情况下，可提供与在磁性粉末的平均粒径是8nm以上的情况下类似的效果。
在ε-氧化铁颗粒各自具有球形形状的情况下，可按如下方式测定磁性粉末的平均颗粒体积。首先，如在以上提及的磁性粉末的平均粒径的计算方法中一样测定平均长轴长度DLave。接下来，根据以下计算式测定磁性粉末的平均体积 V。
V＝(π/6)×DLave 3
在ε-氧化铁颗粒各自具有立方体形状的情况下，可按如下方式测定磁性粉末的平均体积。首先，使用聚焦离子束(FIB)技术或类似者对作为待测量对象的磁带1进行薄化处理。在使用FIB技术的情况下，作为用于观测TEM图像(即以后描述的横截面)的预处理，将碳膜和钨薄膜形成为保护膜。通过使用气相沉积法将碳层形成在磁带1的磁性层43一侧的表面上和磁带1的背层44一侧的表面上。然后，通过使用气相沉积法或者溅射法将钨薄膜进一步形成在磁带1 的磁性层43一侧的表面上。在磁带1的长度方向(纵向)上执行薄化。这就是说，该薄化形成了与磁带1的纵向和厚度方向两者均平行的横截面。
透射电子显微镜(由Hitachi High-Technologies Corporation制造的H-9500)用于在获得的薄化样品上执行横截面观测，以便在200kV加速电压和500,000 倍总放大倍数下包括相对于磁性层43厚度方向的全部磁性层43并拍摄TEM照片。应注意的是，可根据装置类型适当地调整放大倍数和加速电压。接下来，从拍摄的TEM照片中选择其形状明显的50个颗粒，并测量每一个颗粒的边长 DC。随后，测量的50个颗粒的边长DC进行简单平均(算术平均)以测定平均边长DCave。接下来，通过使用平均边长DCave，基于以下计算式测定磁性粉末的平均体积Vave(颗粒体积)。
Vave＝DCave 3
(钴铁氧体颗粒)
有利地是，钴铁氧体颗粒各自具有单轴晶体各向异性。由于钴铁氧体颗粒具有单轴晶体各向异性，因而磁性粉末的晶体可在磁带1的厚度方向(垂直方向)上进行择优定向。例如，钴铁氧体颗粒具有立方体形状。在本说明书中，立方体形状包括实质上立方体形状。除Co以外，含Co的尖晶石铁氧体可进一步包括Ni、Mn、Al、Cu、和Zn中的至少一者。
含Co的尖晶石铁氧体具有例如由以下表达式表示的平均组合：
CoxMyFe2OZ
(其中符号M例如是Ni、Mn、Al、Cu、或Zn中的至少一种金属。符号x 是在0.4≤x≤1.0的范围内的值。符号y是在0≤y≤0.3的范围内的值。应当注意的是，x、y满足关系(x+y)≤1.0。符号z是在3≤z≤4的范围内的值。部分 Fe可被另一种金属元素取代。)
在磁性粉末包括钴铁氧体颗粒粉末的情况下，磁性粉末的平均粒径有利地是25nm以下、更有利地是8nm以上且23nm以下、进一步更有利地是8nm 以上且12nm以下、尤其有利地是8nm以上且11nm以下。在磁性粉末的平均粒径是25nm以下的情况下，在高记录密度的磁带1中可获得更加优异的电磁转换特性(例如，SNR)。另一方面，在磁性粉末的平均粒径是8nm以上的情况下，进一步增强了磁性粉末的分散度，并可获得更加优异的电磁转换特性(例如，SNR)。磁性粉末平均粒径的计算方法与在磁性粉末包括ε-氧化铁颗粒粉末的情况下的磁性粉末平均粒径的计算方法类似。
磁性粉末的平均纵横比有利地是1.0以上且3.0以下、更有利地是1.0以上且2.5以下、进一步更有利地是1.0以上且2.1以下、尤其有利地是1.0以上且 1.8以下。在磁性粉末的平均纵横比在1.0以上且3.0以下的范围内的情况下，可抑制磁性粉末的聚集。进一步地，可抑制在磁性层43的形成过程中在磁性粉末垂直定向时施加至磁性粉末的阻力。因此，可增强磁性粉末的垂直定向性质。磁性粉末平均纵横比的计算方法与在磁性粉末包括ε-氧化铁颗粒粉末的情况下的磁性粉末平均纵横比的计算方法类似。
磁性粉末的平均颗粒体积有利地是15000nm3以下、更有利地是500nm3以上且12000nm3以下、尤其有利地是500nm3以上且1800nm3以下、最有利地是 500nm3以上且1500nm3以下。在磁性粉末的平均颗粒体积是15000nm3以下的情况下，可提供与在磁性粉末的平均粒径是25nm以下的情况下类似的效果。另一方面，在磁性粉末的平均颗粒体积是500nm3以上的情况下，可提供与在磁性粉末的平均粒径是8nm以上的情况下类似的效果。磁性粉末平均颗粒体积的计算方法与在ε-氧化铁颗粒各自具有立方体形状的情况下的平均颗粒体积的计算方法类似。
(粘合剂)
粘合剂的示例可包括热塑性树脂、热固性树脂、和反应性树脂。热塑性树脂的示例可包括氯乙烯、乙酸乙烯酯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、氯乙烯-偏二氯乙烯共聚物、氯乙烯-丙烯腈共聚物、丙烯酸酯-丙烯腈共聚物、丙烯酸酯-氯乙烯-偏二氯乙烯共聚物、丙烯酸酯-丙烯腈共聚物、丙烯酸酯-偏二氯乙烯共聚物、甲基丙烯酸酯-偏二氯乙烯共聚物、甲基丙烯酸酯-氯乙烯共聚物、甲基丙烯酸酯-乙烯共聚物、聚氟乙烯、偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、丙烯腈-丁二烯共聚物、聚酰胺树脂、聚乙烯醇缩丁醛、纤维素衍生物(乙酸丁酸纤维素、二乙酸纤维素、三乙酸纤维素、丙酸纤维素、硝基纤维素)、苯乙烯丁二烯共聚物、聚氨酯树脂、聚酯树脂、氨基树脂、和合成橡胶。
热固性树脂的示例可包括酚醛树脂、环氧树脂、可固化的聚氨酯树脂、尿素树脂、三聚氰胺树脂、醇酸树脂、硅酮树脂、聚胺树脂和脲醛树脂
出于改善磁性粉末分散度的目的，可将-SO3M、-OSO3M、-COOM、P＝ O(OM)2(其中M表示诸如氢原子、锂、钾、钠、或类似者之类的碱金属)、具有由-NR1R2、-NR1R2R3+X-表示的末端官能团的侧链胺、由>NR1R2+X-表示的主链胺(其中R1、R2、R3表示氢原子或者烃基，且X-表示诸如氟、氯、溴、和碘之类的卤族元素离子、无机离子、或有机离子)和进一步的诸如-OH、-SH、 -CN和环氧官能团之类的极性官能团引入至上述的所有粘合剂中。那些极性官能团向粘合剂的引入量有利地是10-1至10-8mol/g、更有利地是10-2至10-6mol/g。
(润滑剂)
润滑剂例如包括脂肪酸或者脂肪酸酯中的至少一者、有利地包括脂肪酸和脂肪酸酯两者。磁性层43包括润滑剂的配置、特别是磁性层43包括脂肪酸和脂肪酸酯两者的配置有助于增强磁带1的行进稳定性。更特别是，当磁性层43 包括润滑剂并具有薄细孔时，可实现有利的行进稳定性。可以认为：由于用以上提及的润滑剂将磁带1的磁性层43一侧的表面的动摩擦系数调整至适于磁带 1行进的值，因而可实现行进稳定性的增强。
脂肪酸可有利地是由以下通用表达式(1)或(2)示出的化合物。例如，脂肪酸可包括在以下通用表达式(1)中示出的化合物或在以下通用表达式(2) 中示出的化合物中的一者或者可包括两者。
进一步地，脂肪酸酯可有利地是在以下通用表达式(3)或(4)中示出的化合物。例如，脂肪酸酯可包括在以下通用表达式(3)中示出的化合物或在以下通用表达式(4)中示出的化合物中的一者或者可包括两者。
当润滑剂包括在通用表达式(1)中示出的化合物或在通用表达式(2)中示出的化合物中的一者或者两者和在通用表达式(3)中示出的化合物或在通用表达式(4)中示出的化合物中的一者或者两者时，可抑制因磁带1反复记录或再现所致的动摩擦系数的增加。
CH3(CH2)kCOOH...(1)
(注意，在通用表达式(1)中，k是选自14以上且22以下的范围、更有利地是14以上且18以下的范围的整数)
CH3(CH2)nCH＝CH(CH2)mCOOH...(2)
(注意，在通用表达式(2)中，n和m的加和是选自12以上且20以下的范围、更有利地是14以上且18以下的范围的整数)
CH3(CH2)pCOO(CH2)qCH3...(3)
(注意，在通用表达式(3)中，p是选自14以上且22以下的范围、更有利地是14以上且18以下的范围的整数，且q是选自2以上且5以下的范围、更有利地是2以上且4以下的范围的整数)
CH3(CH2)rCOO-(CH2)sCH(CH3)2...(4)
(注意，在通用表达式(4)中，r是选自14以上且22以下的范围的整数，且s是选自1以上且3以下的范围的整数)
(抗静电剂)
抗静电剂的示例可包括炭黑、天然表面活性剂、非离子表面活性剂、和阳离子表面活性剂。
(研磨剂)
研磨剂的示例可包括α-氧化铝、β-氧化铝、具有90％以上的α转化率的γ- 氧化铝、碳化硅、氧化铬、氧化铈、α-氧化铁、刚石、氮化硅、碳化钛、氧化钛、二氧化硅、氧化锡、氧化镁、氧化钨、氧化锆、氮化硼、氧化锌、碳酸钙、硫酸钙、硫酸钡、二硫化钼、由原材料磁性氧化铁进行脱水和退火得到的针状α- 氧化铁、以及在必要时用铝和/或硅进行表面处理所得到的针状α-氧化铁。
(固化剂)
固化剂的示例可包括聚异氰酸酯。聚异氰酸酯的示例可包括诸如甲苯二异氰酸酯(TDI)与活性氢化合物的加和物之类的芳香族聚异氰酸酯和诸如六亚甲基二异氰酸酯(HMDI)与活性氢化合物的加和物之类的脂肪族聚异氰酸酯。那些聚异氰酸酯的重均分子量期望地在100至3000的范围内。
(腐蚀抑制剂)
腐蚀抑制剂的示例可包括酚、萘酚、醌、含氮原子的杂环化合物、含氧原子的杂环化合物、和含硫原子的杂环化合物。
(非磁性强化颗粒)
非磁性强化颗粒可包括氧化铝(α-、β-、或者γ-氧化铝)、氧化铬、氧化硅、金刚石、石榴石、刚玉粉、氮化硼、碳化钛、碳化硅、氧化钛(金红石型或者锐钛矿型氧化钛)。
(底层)
底层42用于缓和基底材料41表面的不规则性并调整磁性层43表面的不规则性。底层42是包括非磁性粉末、粘合剂、和润滑剂的非磁性层。底层42向磁性层43的表面提供润滑剂。底层42根据需要可进一步包括抗静电剂、固化剂、腐蚀抑制剂、或类似者中的至少一种添加剂。
底层42的平均厚度有利地是0.3μm以上且2.0μm以下、更有利地是0.5μm 以上且1.4μm以下。应当注意的是，可按与磁性层43平均厚度类似的方式测定底层42的平均厚度。应当注意的是，TEM图像的放大倍数根据底层42的厚度进行适当调整。在底层42的平均厚度是2.0μm以下的情况下，磁带1因外力所致的弹性进一步增加，因此因张力调整所致的磁带1的宽度调整变得更加容易。
(非磁性粉末)
非磁性粉末例如包括无机颗粒粉末或有机颗粒粉末中的至少一者。进一步地，非磁性粉末可包括诸如炭黑之类的碳粉。应当注意的是，可单独使用一种非磁性粉末或者可组合使用两种以上非磁性粉末。无机颗粒的示例可包括金属、金属氧化物、金属碳酸盐、金属硫酸盐、金属氮化物、金属碳化物、和金属硫化物。诸如针状、球状、立方体状、和板状之类的各种形状可被例示为非磁性粉末的形状，尽管不限于那些形状。
(粘合剂和润滑剂)
粘合剂和润滑剂与磁性层43的那些类似。
(添加剂)
抗静电剂、固化剂、和腐蚀抑制剂分别与磁性层43的那些类似。
(背层)
背层44包括粘合剂和非磁性粉末。背层44根据需要可进一步包括润滑剂、固化剂、抗静电剂、或类似者中的至少一种添加剂。粘合剂和非磁性粉末与底层42的那些类似。
非磁性粉末的平均粒径有利地是10nm以上且150nm以下、更有利地是15 nm以上且110nm以下。可按与以上提及的磁性粉末平均粒径类似的方式测定非磁性粉末的平均粒径。非磁性粉末可包括具有两种以上粒径分布的非磁性粉末。
背层44平均厚度的上限值有利地是0.6μm以下。在背层44平均厚度的上限值是0.6μm以下的情况下，即使磁带1的平均厚度是5.6μm以下，底层42 和基底材料41也可保持较厚。因此可保持记录/再现装置内部的磁带1的行进稳定性。尽管没有特别的限制，但背层44平均厚度的下限值例如是0.2μm以上。
可按如下方式测定背层44的平均厚度tb。首先，测量磁带1的平均厚度tT。在以下“磁带的平均厚度”中描述平均厚度tT的测量方法。随后，用诸如甲乙酮 (MEK)或稀盐酸之类的溶剂去除样品的背层44。接下来，使用由Mitutoyo Corporation制造的激光全息测微计(LGH-110C)在5个以上点处测量样品的厚度，并将测量值进行简单平均(算术平均)以计算平均值tB(μm)。在此之后，根据以下计算式测定背层44的平均厚度tb(μm)。注意，假设测量位置是从样品中随机选择的。
tb[μm]＝tT[μm]-tB[μm]
背层44包括设有多个凸起的表面。这些多个凸起用于在已将磁带1卷绕成卷状的状态下在磁性层43的表面中形成大量细孔部。例如，这些大量细孔部由从背层44的表面投射的大量非磁性颗粒构成。
(磁带的平均厚度)
磁带1平均厚度(平均总厚度)tT的上限值是5.6μm以下、有利地是5.0 以下、更有利地是4.6μm以下、进一步更有利地是4.4μm以下。在磁带1的平均厚度tT是5.6μm以下的情况下，单个数据盒的记录容量可比常规磁带的记录容量更大。尽管没有特别的限制，但磁带1平均厚度tT的下限值例如是3.5μm 以上。
可按如下方式测定磁带1的平均厚度tT。首先，制备宽度为1/2inch的磁带 1、将其切割成250mm的长度，并制造样品。接下来，使用由Mitutoyo Corporation 制造的激光全息测微计(LGH-110C)作为测量装置以在五个以上位置处测量样品的厚度，并将那些测量值进行简单平均(算术平均)以计算平均值tT[μm]。注意，假设测量位置是从样品中随机选择的。
(矫顽力Hc)
磁性层43在磁带1的纵向上的矫顽力Hc2的上限值有利地是2000Oe以下、更有利地是1900Oe以下、进一步更有利地是1800Oe以下。在磁性层43纵向上的矫顽力Hc2是2000Oe以下的情况下，即使在高记录密度下也可提供足够的电磁转换特性。
磁性层43在磁带1的纵向上测量的矫顽力Hc2的下限值有利地是1000Oe 以上。在磁性层43在纵向上测量的矫顽力Hc2是1000Oe以上的情况下，可抑制因来自于记录磁头的磁通量泄露所致的退磁。
可按如下方式测定以上提及的矫顽力Hc2。首先，用双面胶使3个磁带1 彼此重叠，然后用
Figure GDA0003763117460000191
打细孔器对其进行打细孔，以便制造测量样品。此时，用任意无磁性的墨水执行标记，以便可以识别磁带1的纵向(行进方向)。然后使用振动样品磁强计(VSM)测量与磁带1的纵向(行进方向)相对应的测量样品(整个磁带1)的磁滞曲线。接下来，用丙酮、乙醇、或类似者擦除涂膜(诸如底层42、磁性层43、和背层44)，使得仅留下基底材料41。然后，用双面胶使获得的3个基底材料41彼此重叠，然后用
Figure GDA0003763117460000201
打细孔器对其进行打细孔，以便制造背景修正样品(下文中被简称为“修正样品”)。在此之后，通过使用VSM测量对应基底材料41垂直方向(磁带1的垂直方向)的修正样品(基底材料41)的磁滞曲线。
在测量样品(全部磁带1)的磁滞曲线和修正样品(基底材料41)的磁滞曲线的测量中，使用由Toei Industry Co.,Ltd.制造的高敏感振动样品磁强计“VSM-P7-15 type”。测量条件是测量模式：完整一圈，最大磁场强度：15kOe，磁场步进：40bit，锁定放大器的时间常数：0.3sec，等待时间：1sec，MH平均数：20。
获得了测量样品(全部磁带1)的磁滞曲线和修正样品(基底材料41)的磁滞曲线。然后，执行背景修正，使得从测量样品(全部磁带1)的磁滞曲线中减去修正样品(基底材料41)的磁滞曲线。结果，获得了背景修正后的磁滞曲线。使用属于“VSM-P7-15型”的测量和分析程序进行该背景修正计算。在获得的背景修正后的磁滞曲线的基础上测定矫顽力Hc2。应当注意的是，使用属于“VSM-P7-15型”的测量和分析程序进行该计算。应当注意的是，均在25℃下执行这些磁滞曲线的测量过程。进一步地，在磁带1的纵向上测量磁滞曲线中未执行“抗磁场修正”。
(矩形比)
磁性层43在磁带1的垂直方向(厚度方向)上的矩形比S1有利地是65％以上、更有利地是70％以上、进一步更有利地是75％以上、尤其有利地是80％以上、最有利地是85％以上。在矩形比S1是65％以上的情况下，充分增强了磁性粉末的垂直定向性质，并因此可获得更加优异的电磁转换特性(例如，SNR)。
按如下方式测定垂直方向上的矩形比S1。首先，用双面胶使3个磁带1彼此重叠。然后用
Figure GDA0003763117460000202
打细孔器对其进行打细孔，以便制造测量样品。此时，用任意无磁性的墨水执行标记，以便可以识别磁带1的纵向(行进方向)。然后，通过使用VSM测量对应磁带1垂直方向(厚度方向)的测量样品(全部磁带1)的磁滞曲线。接下来，用丙酮、乙醇、或类似者擦除涂膜(诸如底层42、磁性层43、和背层44)，使得仅留下基底材料41。然后，用双面胶使获得的3 个基底材料41彼此重叠，然后用
Figure GDA0003763117460000203
打细孔器对其进行打细孔，以便制造背景修正样品(下文中被简称为“修正样品”)。在此之后，通过使用VSM 测量与基底材料41垂直方向(磁带1的垂直方向)相对应的修正样品(基底材料41)的磁滞曲线。
在测量样品(全部磁带1)的磁滞曲线和修正样品(基底材料41)的磁滞曲线的测量中，使用由Toei Industry Co.,Ltd.制造的高敏感振动样品磁强计“VSM-P7-15 type”。设定测量条件，使得测量模式：完整一圈，最大磁场强度： 15kOe，磁场步进：40bit，锁定放大器的时间常数：0.3sec，等待时间：1sec， MH平均数：20。
获得了测量样品(全部磁带1)的磁滞曲线和修正样品(基底材料41)的磁滞曲线。然后，执行背景修正，使得从测量样品(全部磁带1)的磁滞曲线中减去修正样品(基底材料41)的磁滞曲线。结果，获得了背景修正后的磁滞曲线。使用属于“VSM-P7-15型”的测量和分析程序进行该背景修正计算。
将背景修正后获得的磁滞曲线的饱和磁化强度Ms(emu)和剩余磁化强度 Mr(emu)代入以下计算式中，并计算矩形比S1(％)。应当注意的是，均在 25℃下执行以上提及的磁滞曲线的测量过程。进一步地，在磁带1的垂直方向上测量磁滞曲线中未执行“抗磁场修正”。应当注意的是，使用属于“VSM-P7-15 型”的测量和分析程序进行该计算。
矩形比S1(％)＝(Mr/Ms)×100
磁性层43在磁带1的纵向(行进方向)上的矩形比S2有利地是35％以下、更有利地是30％以下、进一步更有利地是25％以下、尤其有利地是20％以下、最有利地是15％以下。在矩形比S2是35％以下的情况下，充分增强了磁性粉末的垂直定向性质，并因此可获得更加优异的电磁转换特性(例如，SNR)。
可按与矩形比S1类似的方式测定纵向上的矩形比S2，区别之处在于：测量磁带1和基底材料41的纵向(行进方向)上的磁滞曲线。
(背表面的表面粗糙度Rb)
有利地是，背表面的表面粗糙度Rb(背层44的表面粗糙度)是Rb≤6.0[nm]。在背表面的表面粗糙度Rb在这一范围内的情况下，可获得更加优异的电磁转换特性。
[伺服图案记录装置的配置]
随后，将描述伺服图案记录装置的配置。
如图3中所示，磁性层43包括多个数据带d(数据带d0至d3)和布置在位置处以在宽度方向(Y轴方向)上夹住数据带d的多个伺服带s(伺服带s0 至s4)。数据带d包括多个在纵向上伸长的记录磁道5，并针对那些记录磁道5 中的每一者记录数据。伺服带s包括作为由伺服图案记录装置100记录的预定图案的伺服图案6。例如，记录诸如电子数据之类的各种类型数据的记录装置的记录磁头(未示出)通过读取磁性层4中记录的伺服图案6来识别记录磁道5的位置。
参照图1和图2，在磁带1的运送方向上按从上游侧起的指定顺序，伺服图案记录装置100包括进给辊11、预处理单元12、伺服写入磁头13、再现磁头单元14、和卷取辊15。应当注意的是，如以下将述，伺服图案记录装置100包括驱动伺服写入磁头13的驱动单元20、以及控制器30。控制器30包括全面控制伺服图案记录装置100各个组块的控制单元、存储处理控制单元所需的各种程序和各种类型数据的记录单元、显示数据的显示单元、输入数据的输入单元、以及类似者。
使进给辊11能可旋转地支撑卷状的磁带1(在记录伺服图案6之前)。进给辊11根据诸如马达之类的驱动源的驱动而旋转，并根据旋转向下游进给磁带 1。
使卷取辊15能可旋转地支撑卷状的磁带1(在记录伺服图案6之后)。卷取辊15根据诸如马达之类的驱动源的驱动而与进给辊11同步地旋转，并根据旋转卷绕其中记录有伺服图案6的磁带1。使进给辊11和卷取辊15能在运送方向上以恒定速度移动磁带1。
例如，将伺服写入磁头13布置在磁带1的上侧(磁性层43一侧)上。应当注意的是，可将伺服写入磁头13布置在磁带1的下侧(基底材料41一侧) 上。伺服写入磁头13根据矩形波脉冲信号在预定的定时产生磁场，并将该磁场施加至磁带1的部分磁性层43(在预处理之后)。
因此，伺服写入磁头13在第一方向上磁化部分磁性层43，并将伺服图案6 记录在磁性层43中(参见图2中用于磁化方向的黑色箭头)。当磁性层43通过伺服写入磁头13的下侧时，使伺服写入磁头13能相对于5个伺服带s0至s4 中的每一个记录伺服图案6。
作为伺服图案6的磁化方向的第一方向包括垂直于磁性层43上表面的垂直部件。这就是说，在这一实施方式中，磁性层43包括垂直定向或未定向的磁性粉末，并因此磁性层43中待记录的伺服图案6包括垂直磁化部件。
例如，将预处理单元12布置在与伺服写入磁头13相比上游侧处的磁带1 的下侧(基底材料41一侧)上。可将预处理单元12布置在磁带1的上侧(磁性层43一侧)上。预处理单元12包括可围绕在Y轴方向(磁带1的宽度方向) 上旋转的中心轴旋转的永磁体12a。永磁体12a的形状可具有例如柱状或多边形柱状，尽管不限于此。
在伺服写入磁头13记录伺服图案6并使全部磁性层43退磁之前，永磁体 12a因直流磁场而将磁场施加至全部磁性层43。因此，永磁体12a能在作为与伺服图案6的磁化方向相对的方向的第二方向上预先磁化磁性层43(参见图2中的白色箭头)。通过按这种方式将两个磁化方向分别设定为相对的方向，可在上方向和下方向上(±)对称地做出由读取伺服图案6获得的伺服信号的再现波形 (参见图4(B))。
将再现磁头单元14布置在与伺服写入磁头13相比下游侧处的磁带1的上侧(磁性层43一侧)上。通过预处理单元12对再现磁头单元14进行预处理，并且伺服写入磁头13读取其中记录有伺服图案6的磁带1的磁性层43的伺服图案6。在显示单元的屏幕上显示由再现磁头单元14读取的伺服图案6的再现波形。典型地，当磁性层43通过再现磁头单元14的下侧时，再现磁头单元14 检测从伺服带s的表面产生的磁通量。此时检测的磁通量是伺服信号中伺服图案 6的再现波形。
[伺服图案]
伺服图案6具有根据“ECMA-319标准”的数据结构。图4(A)是示出伺服图案6中嵌入的LPOS字的数据结构的图示。图4(B)是描述制造商字的图示。
如图4(A)中所示，在磁带纵向上连续布置的多个纵向位置(LPOS)字 LW嵌入伺服图案6中。每一个LPOS字LW由36位数据构成，包括：意指磁头的8位同步标记Sy、每一个由指示磁带纵向上位置(地址)的4位构成的6 个LPOS值Ls(总计24位)、和4位制造商数据Tx。
制造商数据Tx在磁带1上形成制造商字TW。如图4(B)中所示，制造商字TW具有97条制造商数据Tx的长度，并且可通过连续读取97个LPOS字 LW来获得。制造商字Tw按如下配置。
制造商字TW：D,A0,A1,A0,A1,...,A0,A1
作为第一制造商数据Tx的“D”是指示制造商字TW前端的符号。将按预定表格转换的4位数据(典型地，“0001”)写入其中。
在第一制造商数据Tx之后的96条制造商数据Tx由交替布置的“A0”和“A1”构成，并且两个相邻的“A0”和“A1”形成了符号对。将除“D”以外的任意13个基础符号(典型地，0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、A、B、和C) 中的每一个写入每一个“A0”和“A1”的符合对中。那些13个基础符号也由按以上提及的预定表格转换的4位数据构成。然后，识别根据13个基础符号中特定的2个基础符号的组合(对应符合对)确定的单个符号(下文中也被称为 LPOS记录值)。
LPOS记录值由8位数据构成。形成符号对的2个基础符号可以是相同符号 (例如，0和0)的组合，或者可以是不同符号(例如，0和1)的组合。
用于识别伺服带以及类似者的伺服带识别信息以及表示为LPOS记录值的制造商信息和有关诸如磁带的制造日期、序列号、以及类似者之类的管理信息典型地嵌入按以上提及的方式配置的96条制造商数据Tx中。
图5(A)是示出伺服图案6的布置示例的示意性平面图。图5(B)是示出再现波形的图示。
在基于定时的伺服型磁头寻道伺服中，伺服图案包括两种以上不同形状的多个方位角斜率图案。在读取不同形状的2个倾斜图案所耗费的持续时间和读取相同形状的2个倾斜图案所耗费的持续时间的基础上识别伺服磁头的位置。在因此识别的伺服磁头位置的基础上控制磁带宽度方向上的磁头(再现磁头或记录磁头)位置。
如图5(A)中所示，伺服图案6形成伺服帧SF，每一伺服帧包括第一伺服副帧SSF1和第二伺服副帧SSF2。在磁带纵向上以预定间隔连续地布置伺服帧 SF。每一个伺服帧SF编码单个位的“1”或者“0”。这就是说，1个伺服帧SF 对应1位。
第一伺服副帧SSF1由A突发6a和B突发6b构成。A突发6a由在相对于磁带纵向的第一方向上倾斜的5条直线的图案构成。B突发6b由在与相对于磁带纵向的第一方向的第二方向上倾斜的5条直线的图案构成。
另一方面，第二伺服副帧SSF2由C突发6c和D突发6d构成。C突发6c 由在以上提及的第一方向上倾斜的4条直线的图案构成。D突发6d由在以上提及的第二方向上倾斜的4条直线的图案构成。
可根据磁带类型、规格、以及类似者任意设定伺服帧SF和各个伺服副帧 SSF1和SSF2的长度、在各个突发6a至6d中倾斜的倾斜部的布置间隔、以及类似者。
伺服图案6的再现波形典型地表现如图5(B)中示出一样的突发波形。信号S6a对应A突发6a，信号S6b对应B突发6b，信号S6c对应C突发6c，并且信号S6d对应D突发6d。
在基于定时的伺服型磁头寻道伺服中，通过在相邻于1个数据带的2个伺服带上读取伺服图案6而产生位置误差信号(PES)，并在该数据带中相对于记录磁道适当地定位记录/再现磁头。典型地，从以预定速度行进的磁带中读取伺服图案6。然后，计算作为彼此相同形状的倾斜图案阵列的A突发6a和C突发6c之间的距离(持续时间)AC相对于作为彼此不同形状的倾斜图案阵列的A 突发6a和B突发6b之间的距离(持续时间)AB的比例(或者C突发6c和A 突发6a之间的距离CA相对于C突发6c和D突发6d之间的距离CD的比例)。然后在磁带的宽度方向上移动磁头，使得这一值等于针对每一个记录磁道设定的设定值。
[数据带的识别]
将针对每一个数据带的伺服带识别信息不同组合写入每一个伺服带s(s0至 s4)中。例如，在相邻于数据带d0的2个伺服带s2和s3的基础上获得的伺服带识别信息组合不同于在相邻于数据带d1的伺服带s1和s2的基础上获得的伺服带识别信息组合、在相邻于数据带d2的伺服带s3和s4的基础上获得的伺服带识别信息组合、和在相邻于数据带d3的伺服带s0和s1的基础上获得的伺服带识别信息组合中的每一者。单独的数据带可通过按这种方式将在相邻于1个数据带的2个伺服带的基础上获得的伺服带识别信息设定为与在相邻于另一个数据带的2个伺服带的基础上获得的伺服带识别信息不同来识别。
作为如上所述针对每一个数据带将伺服带识别信息组合设定为不同的方法，已知如图6中所示一样将伺服图案的再现波形的相位在2个伺服带之间设定为不同的方法。图6是示出根据比较例伺服图案6’的布置示例的示意性图示。
图6中示出的磁带1’包括4个数据带d0至d4和5个伺服带s0和s4。将以与图5(A)中类似的形式的伺服图案6’记录在伺服带s0至s4中的每一者中。然而，记录位置不同。
这就是说，如图6中所示，将待记录在伺服带s0至s4中的伺服带s0、s2、和s4中的伺服图案6’的端部布置为沿与磁带宽度方向(Y轴方向)平行的虚拟线P1对齐。另一方面，将待记录在定位于伺服带s0和伺服带s2之间的伺服带s1中的伺服图案6’的端部布置于在磁带纵向方向上与虚拟线P1偏离预定距离的虚拟线P2上。除此之外，将待记录在定位于伺服带s2和伺服带s4之间的伺服带s3中的伺服图案6’的端部布置于在磁带纵向方向上与虚拟线P2偏离预定距离的虚拟线P3上。
根据这一方法，伺服图案的再现波形的相位差在各个伺服带之间不同，并因此可在2个相邻伺服带之间的再现波形的相位差的基础上识别待进行记录/再现的数据带位置。通常在PES的基础上获取2个相邻伺服带之间的再现波形的相位差，这被称为寻道控制。
然而，PES也具有相位差，并因此存在着发生因PES平均化所致的精度增强的误差和驱动磁头方位角调整的误差的问题。特别是，如果因近年来对高密度记录磁带的需求而导致数据带数量进一步增加，则伺服带的数量也会增加。因此，在2个伺服带之间提供再现波形的多个相位差使得难以稳定检测伺服带位置。
有鉴于此，在这一实施方式中，如图3中所示，将各个伺服图案6的端部布置在与磁带宽度方向平行的虚拟线P0上，使得在各个伺服带中待记录的伺服图案6均在相同相位上。因此，可高精确度地检测每个伺服带上的伺服图案而不受PES相位差的影响。
本文中阐述的相同相位指当在相同时刻针对所有伺服带s0至s4记录伺服图案6时获得的图案形状，并指在2个伺服图案之间实质上没有相位差。
而且，在这一实施方式中使用用于识别待进行记录/再现的数据带d0至d4 的两种类型伺服带。如上所述，伺服带识别信息被嵌入伺服带中。伺服带识别信息是多个位信息。伺服带识别信息被嵌入制造商字TW中第一制造商数据Tx 之后的96条制造商数据Tx中预定位置处。伺服带识别信息典型地具有4位。或者，伺服带识别信息可具有8位(“A0”和“A1”的符合对的组合)，或者可具有除4位或8位以外的多个位。下文中，将通过示出伺服带识别信息具有4 位作为示例的情况来给出描述。
在这一实施方式中，两种类型的伺服带包括在其中记录有第一伺服带识别信息的第一伺服带和在其中记录有第二伺服带识别信息的第二伺服带。第一伺服带识别信息是4位信息(例如，“1001”)。第二伺服带识别信息是不同于第一伺服带识别信息的4位信息(例如，“0111”)。
在伺服图案6的再现波形的基础上识别构成第一伺服带识别信息和第二伺服带识别信息的标记“0”和“1”的组合。这就是说，伺服图案6的再现波形对应标记“0”和“1”的调制波，并且例如由解调再现波形并组合4位来读取第一伺服带识别信息和第二伺服带识别信息。下文中，将参照图7和图8描述第一伺服带识别信息和第二伺服带识别信息。
图7(A)和图7(B)是各自示出在其中嵌入有第一伺服带识别信息的伺服图案(下文中也被称为第一伺服图案61)和在其中嵌入有第二伺服带识别信息的伺服图案(下文中也被称为第二伺服图案62)的示意性图示。如图中所示，第一伺服图案61和第二伺服图案62均由包括表示一个标记(例如，“1”)的伺服帧SF1和表示另一标记(例如，“0”)的伺服帧SF0的两类伺服帧SF的组合构成。伺服帧SF1和SF0的共同之处在于，伺服帧SF1和SF0每一个均包括由第一伺服副帧SSF1和第二伺服副帧SF2构成的伺服帧SF作为组成单元。然而，第一伺服副帧SSF1(A突发6a和B突发6b)彼此不同。例如，第一伺服带识别信息和第二伺服带识别信息由彼此不同的第一伺服副帧SSF1的4个组合构成。
如图7(A)中所示，当在指示标记“1”的伺服帧SF1中按从附图左手侧起的指定顺序分别将构成A突发6a和B突发6b中每一者的5个倾斜图案设定为第一倾斜部、第二倾斜部、第三倾斜部、第四倾斜部、和第五倾斜部时，第二倾斜部和第四倾斜部分别布置在朝向第一倾斜部和第五倾斜部偏离的位置处。另一方面，如图7(B)中所示，在指示标记“0”的伺服帧SF0中，构成A 突发6a和B突发6b的倾斜图案中的一些的布置间隔不同于伺服帧SF1中的那些。在示出的示例中，关于构成A突发6a和B突发6b中每一者的5个倾斜图案，第二倾斜部和第四倾斜部分别布置在朝向第三倾斜部偏离的位置处。因此，关于伺服帧SF0中的A突发6a和B突发6b，第二倾斜部和第三倾斜部之间的间隔与第三倾斜部和第四倾斜部之间的间隔最短，而第一倾斜部和第二倾斜部之间的间隔与第四倾斜部和第五倾斜部之间的间隔最长。
图8(A)和图8(B)分别示出第一伺服图案61和第二伺服图案62的再现波形SP1和SP2。伺服帧SF1和SF0中每一者的再现波形由在对应各个突发6a 至6d中每一者的倾斜位置的位置处具有峰值的突发信号构成。如上所述，关于伺服帧SF0，A突发6a和B突发6b的配置不同于伺服帧SF1的A突发6a和B 突发6b。因此，突发信号S6a和S6b的峰值位置对应不同倾斜部的间隔偏离。因此，可通过检测偏离该峰值位置的位点、偏离量、和偏离方向来读取伺服帧SF中写入的信息。在此，例如，图8(A)中示出的伺服帧SF1指示一位“1”，而图8(B)中示出的伺服帧SF0指示另一位“0”。例如，可通过任意组合那些两种伺服帧SF1和SF0的4位来配置第一伺服带识别信息和第二伺服带识别信息。
在以上描述中，使A突发6a和B突发6b的第二倾斜部和第四倾斜部的记录位置不同，但不限于此。可使A突发6a、B突发6b、C突发6c、或者D突发 6d中的至少一者不同。使记录位置不同的倾斜部也不受限于第二倾斜部和第四倾斜部。这就是说，如果构成伺服帧SF的两种以上类型方位角斜率中的至少一些的布置间隔不同，可识别位。例如，其4位的位序列仅需要在伺服帧SF1和伺服帧SF0之间不同。
构成伺服帧SF1和SF0的方位角斜率的角度和布置间隔没有特别的限制，并且可根据磁带宽度、伺服带数量、或类似者进行任意设定。例如，可将距离 AB和AC设定至30μm以上且100μm以下，可将每一个方位角斜率相对于磁带宽度方向的倾斜角度设定为6°以上且25°以下，并且可将每一个方位角斜率在磁带宽度方向上的长度设定为30μm以上且192μm以下。
根据这一实施方式的磁带包括在其中记录有第一伺服带识别信息的3个第一伺服带A和在其中记录有第二伺服带识别信息的2个第二伺服带B。在图3 的示例中，伺服带s0、s1、和s4对应第一伺服带A，而伺服带s1和s2对应第二伺服带B。按这种方式，设定在其中待记录第一伺服带识别信息的第一伺服带 A和在其中待记录第二伺服带识别信息的第二伺服带B，使得第一伺服带识别信息和第二伺服带识别信息的组合在两个相邻伺服带之间并非是重复的。
图9是示出在图3中示出的5ch(信道)伺服带的磁带中分配伺服带A和 B的示意性视图。如该图中所示，在彼此相邻的伺服带对是AA、AB、BB、和 BA的情况下，它们分别对应数据带d3、d1、d0、和d2。
图10是与图9类似在磁带1包括7ch、9ch、和11ch伺服带的情况的示意性视图。
在7ch的情况下，设有在其中待记录与那些第一伺服带A和第二伺服带B 的不同的伺服带识别信息的第三伺服带C以及第一伺服带A和第二伺服带B。将与第一伺服带识别信息和第二伺服带识别信息不同的包括4位信息(例如，“0110”)的第三伺服图案记录为第三伺服带C中的第三伺服带识别信息。
在9ch的情况下，设有在其中待记录与那些第一伺服带A至第三伺服带C 的不同的伺服带识别信息的第四伺服带D以及第一伺服带A至第三伺服带C。将与第一伺服带识别信息、第二伺服带识别信息和第三伺服带识别信息不同的包括4位信息(例如，“0101”)的第四伺服图案记录为第四伺服带D中的第四伺服带识别信息。
类似地，在11ch的情况下，设有在其中待记录与那些第一伺服带A至第四伺服带D的不同的伺服带识别信息的第五伺服带E以及第一伺服带A至第四伺服带D。将与第一伺服带识别信息、第二伺服带识别信息、第三伺服带识别信息、和第四伺服带识别信息不同的包括4位信息(例如，“0100”)的第五伺服图案记录为第五伺服带E中的第五伺服带识别信息。
可通过使与第一伺服带识别信息和第二伺服带识别信息的那些不同的伺服帧SF1和伺服帧SF0组合来任意设定第三伺服带识别信息至第五伺服带识别信息。
第一伺服带A至第五伺服带E的分配示例不限于图10中示出的示例。例如，在7ch的情况下，可将伺服带布置为AABBCCB、AABBACB、AABBCBA、或类似者以代替在该图中将伺服带布置为AABBCCA。
从图9和图10的示例中将清楚的是，根据这一实施方式，伺服带识别信息的条数少于伺服带数目一半的数字((伺服带数目-1)/2)便足够：在5ch的情况下2条；在7ch的情况下3条；在9ch的情况下4条；在11ch的情况下5 条。
如上所述，根据这一实施方式的磁带1包括在其中记录有第一伺服带识别信息的3个第一伺服带A和在其中记录有第二伺服带识别信息的2个第二伺服带B。将数据带配置为在由夹住数据带d的一对伺服带的4位构成的伺服带识别信息组合的差的基础上被识别。因此，可抑制因数据带数量增加所致的伺服带识别信息的增加，并且可易于出处理数据带数量的增加。进一步地，无需向单独的伺服带加入具体的伺服带识别信息，并因此可抑制伺服带识别信息类型的增加，并且可易于执行将伺服带识别信息分配给每一个伺服带。
[伺服图案记录装置的细节]
随后，将描述伺服图案记录装置100的细节。
如图1中所示，伺服图案装置100包括驱动伺服写入磁头13的驱动单元。图11是示意性示出伺服写入磁头13的配置的透视图。图12是示出驱动单元20 的配置的方块图。
如图11中所示，伺服写入磁头13包括用于在磁带1的伺服带s0至s4每一者中记录伺服图案6的多个磁头组块h0至h4。各个磁头组块h0至h4经由粘合层hs而彼此连接。各个磁头组块h0至h4构成对应磁带1的各个伺服带s0至s4 布置的记录部，并包括用于在每一个伺服带中记录伺服图案的磁隙g。
磁隙g由在相对方向上倾斜的一对直线部(“/”和“\”)构成。一条直线部“/”记录A突发6a和C突发6c。另一条直线部“\”记录B突发6b和D突发6d。在与伺服写入磁头13的纵向平行的轴上布置并对齐各个磁头组块h0至 h4的磁隙。各个磁头组块h0至h4彼此磁分离，并被配置为能够在相同时刻在两个以上伺服带中记录不同类型的伺服图案。
在来自于控制器30的输出的基础上(参见图1)，驱动单元20包括将伺服信息转换成脉冲信息的转换器21、在转换器21的输出的基础上生成脉冲信号的信号生成单元22、和放大生成的脉冲信号的放大器23。对应磁头组块h0至h4 每一者设有多个信号生成单元22和多个放大器23。多个信号生成单元22和多个放大器23被配置为能够向记录磁头h0至h4每一者输出特定脉冲信号。
控制器30包括存储关于在其中待记录第一伺服带识别信息的伺服带的位置 (在这一示例中，s0、s1、和s4)和在其中待记录第二伺服带识别信息的伺服带的位置(在这一示例中，s2和s3)的数据的存储器。控制器30在存储器中存储的数据的基础上控制驱动单元20。
转换器21单独地向对应各个磁头组块h0至h4的信号生成单元22输出对应各个伺服带s0至s4中待记录的伺服带识别信息的多条信息。在这一实施方式中，输出了用于在对应伺服带s0、s1、和s4的磁头组块h0、h1、和h4中记录包括第一伺服带识别信息的第一伺服图案61(图(7A))的第一脉冲信号PS1 (第一记录信号)，并输出了用于在对应伺服带s2和s3的磁头组块h2和h3中记录包括第二伺服带识别信息的第二伺服图案62(图(7B))的第二脉冲信号 PS2(第二记录信号)。
图13(A)和图13(B)分别示意性地示出第一脉冲信号PS1和第二脉冲信号PS2中的第一伺服副帧SSF1的记录信号波形。如图中所示，第一脉冲信号 PS1和第二脉冲信号PS2各自包括由5个脉冲组构成的第一脉冲组SPF1和由4 个脉冲组构成的第二脉冲组SPF2。第一脉冲组SPF1是用于记录A突发6a的各个倾斜部的信号。第二脉冲组SPF2是用于记录B突发6b的各个倾斜部的信号。
如图中所示，在第一脉冲组SPF1中的第二脉冲上升时间和第四脉冲上升时间在第一脉冲信号PS1和第二脉冲信号PS2之间不同。第二脉冲信号PS2的第二脉冲上升时间晚于第一脉冲信号PS1的第二脉冲上升时间。同时，第二脉冲信号PS2的第四脉冲上升时间早于第一脉冲信号PS1的第四脉冲上升时间。因此，形成了在其中如图7(A)和图7(B)中所示A突发6a的倾斜部的一些布置间隔彼此不同的第一伺服副帧SSF1。
除此之外，在相同相位上(在相同时刻)将第一脉冲信号PS1和第二脉冲信号PS2各自传输到磁头组块h0至h4。因此，磁头组块h0至h4每一者在相同相位上将第一伺服图案61(第一伺服带识别信息)记录在伺服带s0、s1、和s4 中和将第二伺服图案62(第二伺服带识别信息)记录在伺服带s2和s3中。
图14是描述以上提及的伺服图案记录方法的流程图。
首先，确定对应于伺服带数量(信道数量)的伺服图案(ST101)。在这一实施方式中，将伺服图案记录在包括5ch伺服带s0至s4的磁带1中，并因此确定了在伺服带识别信息中彼此不同的两种类型伺服图案(第一伺服图案61和第二伺服图案62)。例如，经由控制器30的输入单元输入确定的伺服图案，并将其存储在以上提及的存储器中。
应当注意的是，例如，确定了在7ch的情况下包括彼此不同的伺服带的三种类型伺服带识别信息(例如，“1001”、“0111”、和“0110”)，例如，确定了在9ch的情况下包括彼此不同的伺服带的四种类型伺服带识别信息(例如，“1001”、“0111”、“0110”、和“0101”)，例如，确定了在11ch的情况下包括彼此不同的伺服带的五种类型伺服带识别信息(例如，“1001”、“0111”、“0110”、“0101”、和“0100”)(参见图10)。
随后，确定了在其中记录有第一伺服带识别信息的第一伺服带A和在其中记录有第二伺服带识别信息的第二伺服带B(ST102)。在这一实施方式中，如上所述，将伺服带s0、s1、和s4确定为第一伺服带A，并将伺服带s2和s3确定为第二伺服带B。例如，经由控制器30的输入单元输入各个确定的伺服带A 和伺服带B。应当注意的是，在伺服带是7ch以上的情况下，例如按图10中示出的形式进一步确定第三伺服带至第五伺服带C、D、和E。
随后，驱动单元20将第一脉冲信号PS1和第二脉冲信号PS2输入伺服写入磁头13中。按这种方式，在相同的相位上将包括第一伺服带识别信息的第一伺服图案61和包括第二伺服带识别信息的第二伺服图案62记录在第一伺服带A 和第二伺服带B中(ST103)。因此，制造了图3中示出的磁带1。
如上所述，根据这一实施方式，将待记录在各个伺服带s0至s4中的伺服图案6分别布置在相同相位上，并因此可高精确度地检测各个伺服带s0至s4上的伺服图案6，而不受PES相位差的影响。因此，也可充分地处理因数据带数量增加所致的伺服带数量的增加。
而且，根据这一实施方式，通过使伺服副帧SSF1中一些倾斜部的布置间隔不同而形成了多种类型的伺服帧SF1和SF0。因此，可适当地获取对应每一个伺服带的伺服带识别信息而不干扰寻道控制。
而且，根据这一实施方式，可将伺服带识别信息类型的数量设定为小于伺服带数量一半的数字。因此，可实现记录的信息的简化。因此，可减少对于写入和读取有关伺服带的信息所必需的存储器的使用量。
[变形例]
在以上提及的实施方式中，采用了构成伺服图案6的伺服帧SF的两类方位角斜率“/”和“\”。伺服图案也可进一步包括具有不同于它们的倾斜角度的方位角斜率。
进一步地，在以上提及的实施方式中，根据LTO标准的磁带已被例示为带状磁记录介质。或者，本技术也可适用于根据另一标准的磁带。
应注意的是，本技术也可采取以下配置。
(1)一种在带状磁记录介质上记录伺服图案的伺服图案记录方法，所述带状磁记录介质包括含5个以上伺服带的磁性层，所述方法包括：
确定至少3个第一伺服带和至少2个第二伺服带，其中，在所述第一伺服带中待记录由多个位构成的第一伺服带识别信息，在所述第二伺服带中待记录由多个位构成的与所述第一伺服带识别信息不同的第二伺服带识别信息；以及
在相同相位上将所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息中的每一者记录在所述第一伺服带和所述第二伺服带中。
(2)根据(1)所述的伺服图案记录方法，其中
所述第一伺服带和所述第二伺服带被确定为使得所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息的组合在两个相邻伺服带之间并非是重复的。
(3)根据(1)或(2)所述的伺服图案记录方法，进一步包括
确定第三伺服带，在其中待记录由多个位构成的第三伺服带识别信息，所述第三伺服带识别信息与所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息不同。
(4)根据(1)至(3)中任一项所述的伺服图案记录方法，其中
所述第一伺服带识别信息包括含两种以上不同类型的方位角斜率并编码所述第一伺服带识别信息的多个伺服帧，
所述第二伺服带识别信息包括含两种以上不同类型的方位角斜率并编码所述第二伺服带识别信息的多个伺服帧，并且
当将编码所述第一伺服带识别信息的多个伺服帧和编码所述第二伺服带识别信息的多个伺服帧彼此进行比较时，至少一个方位角斜率的一部分的布置间隔彼此不同。
(5)一种伺服图案记录装置，其在带状磁记录介质上记录伺服图案，所述带状磁记录介质包括含5个以上伺服带的磁性层，所述装置包括：
伺服写入磁头，包括对应所述伺服带布置的多个记录部；和
驱动单元，其
输出用于相对于第一记录部记录第一伺服带识别信息的第一记录信号，所述第一记录部对应于至少3个第一伺服带，在所述至少3个第一伺服带中待记录由多个位构成的所述第一伺服带识别信息，并且
输出用于在与所述第一伺服带识别信息相同的相位上相对于第二记录部记录第二伺服带识别信息的第二记录信号，所述第二记录部对应于至少2个第二伺服带，在所述至少2个第二伺服带中待记录由多个位构成的与所述第一伺服带识别信息不同的所述第二伺服带识别信息。
(6)根据(5)所述的伺服图案记录装置，其中
所述伺服写入磁头在所述伺服带中记录所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息，使得所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息的组合在两个相邻伺服带之间并非是重复的。
(7)根据(5)或(6)所述的伺服图案记录装置，其中
所述多个记录部分别包括磁隙，多个伺服帧在所述磁隙中能够被记录为所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息中的每一者，所述多个伺服帧包括所述伺服带中两种以上不同类型的方位角斜率并编码所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息，并且
所述驱动单元根据所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息之间的差，在彼此不同的脉冲上升时间输出所述第一记录信号和所述第二记录信号。
(8)一种带状磁记录介质的制造方法，所述带状磁记录介质包括含5个以上伺服带的磁性层，所述方法包括：
确定至少3个第一伺服带和至少2个第二伺服带，其中，在所述第一伺服带中待记录由多个位构成的第一伺服带识别信息，在所述第二伺服带中待记录由多个位构成的与所述第一伺服带识别信息不同的第二伺服带识别信息；以及
在相同相位上将所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息中的每一者记录在所述第一伺服带和所述第二伺服带中。
(9)一种带状磁记录介质，包括
含5个以上伺服带的磁性层，其中
所述伺服带包括
至少3个第一伺服带，在其中待记录由多个位构成的第一伺服带识别信息，和
至少2个第二伺服带，在其中待记录由多个位构成与所述第一伺服带识别信息不同的第二伺服带识别信息。
(10)根据(9)所述的带状磁记录介质，其中
所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息被记录在相同相位上。
(11)根据(9)或(10)所述的带状磁记录介质，其中
所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息被记录在所述伺服带中，使得所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息的组合在两个相邻伺服带之间并非是重复的。
(12)根据(9)至(11)中任一项所述的带状磁记录介质，其中
所述第一伺服带识别信息包括含两种以上不同类型的方位角斜率并编码所述第一伺服带识别信息的多个伺服帧，
所述第二伺服带识别信息包括含两种以上不同类型的方位角斜率并编码所述第二伺服带识别信息的多个伺服帧，并且
当将编码所述第一伺服带识别信息的多个伺服帧和编码所述第二伺服带识别信息的多个伺服帧彼此进行比较时，至少一个方位角斜率的一部分的布置间隔彼此不同。
(13)根据(9)至(12)中任一项所述的带状磁记录介质，其中
所述伺服带进一步包括第三伺服带，在其中待记录由多个位构成的第三伺服带识别信息，所述第三伺服带识别信息与所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息不同。
附图标记列表
1 磁带
4 磁性层
6 伺服图案
13 伺服写入磁头
20 驱动单元
30 控制器
61 第一伺服图案
62 第二伺服图案
100 伺服图案记录装置
d0至d3 数据带
s0至s4 伺服带
SF、SF1、SF0 伺服帧

Claims (12)

1.一种在带状磁记录介质上记录伺服图案的伺服图案记录方法，所述带状磁记录介质包括含5个以上伺服带的磁性层，所述方法包括：
确定至少3个第一伺服带和至少2个第二伺服带，其中，在所述第一伺服带中待记录由多个位构成的第一伺服带识别信息，在所述第二伺服带中待记录由多个位构成的与所述第一伺服带识别信息不同的第二伺服带识别信息；以及
在相同相位上将所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息中的每一者记录在所述第一伺服带和所述第二伺服带中的相应伺服带中。
2.根据权利要求1所述的伺服图案记录方法，其中
所述第一伺服带和所述第二伺服带被确定为使得所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息的组合在两个相邻伺服带之间并非是重复的。
3.根据权利要求1所述的伺服图案记录方法，进一步包括
确定第三伺服带，在其中待记录由多个位构成的第三伺服带识别信息，所述第三伺服带识别信息与所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息不同。
4.根据权利要求1所述的伺服图案记录方法，其中
所述第一伺服带识别信息包括含两种以上不同类型的方位角斜率并编码所述第一伺服带识别信息的多个伺服帧，
所述第二伺服带识别信息包括含两种以上不同类型的方位角斜率并编码所述第二伺服带识别信息的多个伺服帧，并且
当将编码所述第一伺服带识别信息的多个伺服帧和编码所述第二伺服带识别信息的多个伺服帧彼此进行比较时，至少一个方位角斜率的一部分的布置间隔彼此不同。
5.一种伺服图案记录装置，其在带状磁记录介质上记录伺服图案，所述带状磁记录介质包括含5个以上伺服带的磁性层，所述装置包括：
伺服写入磁头，包括对应所述伺服带布置的多个记录部；和
驱动单元，其
输出用于相对于第一记录部记录第一伺服带识别信息的第一记录信号，所述第一记录部对应于至少3个第一伺服带，在所述至少3个第一伺服带中待记录由多个位构成的所述第一伺服带识别信息，并且
输出用于在与所述第一伺服带识别信息相同的相位上相对于第二记录部记录第二伺服带识别信息的第二记录信号，所述第二记录部对应于至少2个第二伺服带，在所述至少2个第二伺服带中待记录由多个位构成的与所述第一伺服带识别信息不同的所述第二伺服带识别信息。
6.根据权利要求5所述的伺服图案记录装置，其中
所述伺服写入磁头在所述伺服带中记录所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息，使得所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息的组合在两个相邻伺服带之间并非是重复的。
7.根据权利要求5所述的伺服图案记录装置，其中
所述多个记录部分别包括磁隙，多个伺服帧在所述磁隙中能够被记录为所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息中的每一者，所述多个伺服帧包括所述伺服带中两种以上不同类型的方位角斜率并编码所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息，并且
所述驱动单元根据所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息之间的差，在彼此不同的脉冲上升时间输出所述第一记录信号和所述第二记录信号。
8.一种带状磁记录介质的制造方法，所述带状磁记录介质包括含5个以上伺服带的磁性层，所述方法包括：
确定至少3个第一伺服带和至少2个第二伺服带，其中，在所述第一伺服带中待记录由多个位构成的第一伺服带识别信息，在所述第二伺服带中待记录由多个位构成的与所述第一伺服带识别信息不同的第二伺服带识别信息；以及
在相同相位上将所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息中的每一者记录在所述第一伺服带和所述第二伺服带中的相应伺服带中。
9.一种带状磁记录介质，包括
含5个以上伺服带的磁性层，其中
所述伺服带包括
至少3个第一伺服带，在其中待记录由多个位构成的第一伺服带识别信息，和
至少2个第二伺服带，在其中待记录由多个位构成与所述第一伺服带识别信息不同的第二伺服带识别信息，并且
所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息被记录在相同相位上。
10.根据权利要求9所述的带状磁记录介质，其中
所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息被记录在所述伺服带中，使得所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息的组合在两个相邻伺服带之间并非是重复的。
11.根据权利要求9所述的带状磁记录介质，其中
所述第一伺服带识别信息包括含两种以上不同类型的方位角斜率并编码所述第一伺服带识别信息的多个伺服帧，
所述第二伺服带识别信息包括含两种以上不同类型的方位角斜率并编码所述第二伺服带识别信息的多个伺服帧，并且
当将编码所述第一伺服带识别信息的多个伺服帧和编码所述第二伺服带识别信息的多个伺服帧彼此进行比较时，至少一个方位角斜率的一部分的布置间隔彼此不同。
12.根据权利要求9所述的带状磁记录介质，其中
所述伺服带进一步包括第三伺服带，在其中待记录由多个位构成的第三伺服带识别信息，所述第三伺服带识别信息与所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息不同。
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