WO2022196225A1

WO2022196225A1 - サーボパターン記録方法、サーボパターン記録装置、磁気テープの製造方法、磁気テープ及びテープカートリッジ

Info

Publication number: WO2022196225A1
Application number: PCT/JP2022/006074
Authority: WO
Inventors: 博司森田; 和男阿武
Original assignee: ソニーグループ株式会社
Priority date: 2021-03-18
Filing date: 2022-02-16
Publication date: 2022-09-22
Also published as: US20240161775A1; JPWO2022196225A1

Abstract

本技術の一形態に係るサーボパターン記録方法は、磁気テープの磁性層の幅方向に間隔をおいて配列された複数のサーボバンドにサーボパターンを記録する方法であって、前記磁気テープを所定のテンションで走行させ、前記磁性層にデータを記録し又は前記磁性層に記録されたデータを再生するテープドライブ装置における２つのサーボリードヘッドの配置間隔である第１のピッチよりも狭い第２のピッチで、前記複数のサーボバンドにサーボパターンを記録する。

Description

サーボパターン記録方法、サーボパターン記録装置、磁気テープの製造方法、磁気テープ及びテープカートリッジ

　本技術は、サーボパターン記録方法、サーボパターン記録装置、磁気テープの製造方法、磁気テープ及びテープカートリッジに関する。

　近年、電子データのバックアップなどの用途で磁気記録媒体が広く利用されている。磁気記録媒体の一つとして、例えば磁気テープカートリッジは、大容量・長期保存が可能なことから、ビッグデータ等の蓄積媒体としてますます注目が集まっている。

　ＬＴＯ（Linear Tape Open）規格の磁気テープには、テープ長手方向に平行な複数のデータバンドが設けられており、これら複数のデータバンド内の複数の記録トラックに対してデータが記録される。さらに当該磁気テープには、テープ長手方向に平行な複数のサーボバンドが設けられており、各データバンドは複数のサーボバンド間に挟み込まれるように磁性層に配置される。各サーボバンドには、各記録トラックに対する記録再生ヘッドの位置決め（トラッキング）制御を実行し、更には、テープ情報やデータバンドを特定するためのサーボバンド識別情報が埋め込まれた所定形状のサーボパターンが記録されている（例えば特許文献１，２参照）。

特表２０１１－５２３４８７号公報特開２００５－２８５２６８号公報

　磁気テープは、典型的には、ベースフィルムへの磁性材料の塗布、カレンダー処理、裁断処理、サーボパターンの記録処理などを経て製造される。これらの処理は、ベースフィルムを一定のテンションで巻き取りながら行われるため、完成した磁気テープは内部歪を有し、時間の経過に伴って磁気テープの幅が広がる傾向にある。このため、テープドライブ装置によってデータの記録あるいは再生をする際に、サーボパターンの記録時と同じテンションで磁気テープを走行させたとしても、磁気テープの幅寸法がサーボパターン記録時における磁気テープの幅寸法よりも増加する場合がある。この場合、隣接するサーボバンド間の間隔が変化するため、これらサーボバンドに記録されたサーボパターンの間隔にも変動が生じることになる結果、所望とするトラッキング制御が困難になる。このような問題は、近年における高記録容量化に伴う磁気テープの薄厚化により、顕著に発生し得る。

　以上のような事情に鑑み、本技術の目的は、所望とするトラッキング制御を確保することができるサーボパターン記録方法、サーボパターン記録装置、磁気テープの製造方法、磁気テープ及びテープカートリッジを提供することにある。

　本技術の一形態に係るサーボパターン記録方法は、磁気テープの磁性層の幅方向に間隔をおいて配列された複数のサーボバンドにサーボパターンを記録する方法であって、
　前記磁気テープを所定のテンションで走行させ、
　前記磁性層にデータを記録し又は前記磁性層に記録されたデータを再生するテープドライブ装置における２つのサーボリードヘッドの配置間隔である第１のピッチよりも狭い第２のピッチで、前記複数のサーボバンドにサーボパターンを記録する。

　本技術の一形態に係るサーボパターン記録装置は、磁気テープの磁性層の幅方向に間隔をおいて配列された複数のサーボバンドにサーボパターンを記録する装置であって、前記複数のサーボバンドに対応して配置された複数の記録部を有するサーボライトヘッドを具備する。
　前記複数の記録部は、前記磁性層にデータを記録し又は前記磁性層に記録されたデータを再生するテープドライブ装置における２つのサーボリードヘッドの配置間隔である第１のピッチよりも狭い第２のピッチで、前記複数のサーボバンドにサーボパターンを記録する磁気ギャップをそれぞれ有する。

　本技術の一形態に係る磁気テープの製造方法は、幅方向に間隔をおいて配列された複数のサーボバンドを有する磁性層を備えた磁気テープの製造方法であって、
　前記磁気テープを所定のテンションで走行させ、
　前記磁性層にデータを記録し又は前記磁性層に記録されたデータを再生するテープドライブ装置における２つのサーボリードヘッドの配置間隔である第１のピッチよりも狭い第２のピッチで、前記複数のサーボバンドにサーボパターンを記録する。

　本技術の一形態である磁気テープは、幅方向に間隔をおいて配列された複数のサーボバンドを有する磁性層を具備する。
　前記磁性層は、隣接する２つのサーボバンド間の距離であるサーボバンドピッチが、前記磁性層に情報を記録し又は前記磁性層に記録された情報を再生するテープドライブ装置における２つのサーボリードヘッドの配置間隔よりも狭い領域を、少なくとも一部に有する。

　本技術の一形態に係るテープカートリッジは、カートリッジケースと、前記カートリッジケースの内部に回転可能に収容されたテープリールと、前記テープリールに巻き付けられた磁気テープとを具備する。
　前記磁気テープは、テープ幅方向に間隔をおいて記録された複数のサーボパターンが記録された磁性層を有する。
　前記磁性層は、隣接する２つのサーボバンド間の距離であるサーボバンドピッチが、前記磁性層に情報を記録し又は前記磁性層に記録された情報を再生するテープドライブ装置における２つのサーボリードヘッドの配置間隔よりも狭い第１の領域と、前記サーボバンドピッチが前記２つのサーボリードヘッドの配置間隔よりも広い第２の領域と、を有する。

本技術の一実施形態に係るテープカートリッジを示す分解斜視図である。本技術の一実施形態に係る磁気テープを側方から見た模式図である。上記磁気テープを上方（磁性層側）からみた模式図である。上記磁気テープのデータバンドにおける記録トラックを示す拡大図である。上記磁気テープのサーボバンドに書き込まれたサーボパターンを示す拡大図である。テープドライブ装置を示す図である。上記テープドライブ装置におけるドライブヘッドの概略図である。上記テープドライブ装置がデータ信号の記録／再生を行っているときの様子を示す図である。本技術の一実施形態に係るサーボパターン記録装置を示す正面図である。上記サーボパターン記録装置の一部を示す部分拡大図である（Ａ）は、サーボパターンに埋め込まれるＬＰＯＳワードのデータ構造を示す図であり、（Ｂ）は製造業者ワードを説明する図である。（Ａ）はサーボパターン６の配置例を示す概略平面図、（Ｂ）はその再生波形を示す図である。第１のサーボパターン及び第２のサーボパターンの構成例を示す概略図である。上記第１のサーボパターン及び上記第２のサーボパターンの再生波形をそれぞれ示す図である。上記サーボパターン記録装置におけるサーボライトヘッドの構成を概略的に示す斜視図である。上記サーボパターン記録装置における駆動部の構成を示すブロック図である。第１のパルス信号及び第２のパルス信号における第１サーボサブフレームの記録信号波形をそれぞれ模式的に示す図である。上記サーボライトヘッドに設けられた磁気ギャップの配置間隔を示す図である。上記テープドライブ装置を用いて測定された磁気テープのサーボバンドピッチの一実験結果を示す図である。上記テープドライブ装置を用いて測定された磁気テープのサーボバンドピッチの他の実験結果を示す図である。上記テープドライブ装置を用いて測定された磁気テープのサーボバンドピッチのさらに他の実験結果を示す図である。上記テープドライブ装置を用いたサーボバンドピッチの測定方法を説明する図である。サーボトレースラインの測定方法の説明図である。磁性粉である六方晶フェライトの粒子形状の説明図である。

　以下、本技術に係る実施形態を、図面を参照しながら説明する。

＜システムの全体構成及び各部の構成＞
　［テープカートリッジ］
　図１は本技術の一実施形態に係るテープカートリッジ１０を示す分解斜視図である。本実施形態の説明では、テープカートリッジ１０として、ＬＴＯ規格に準拠するテープカートリッジを例に挙げて説明する。

　図１に示すように、テープカートリッジ１０は、カートリッジケース１１と、テープリール１３と、磁気テープ１とを備えている。カートリッジケース１１は、上シェル１１ａと下シェル１１ｂとを複数本のネジ部材により結合することで構成されている。カートリッジケース１１の内部には、磁気テープ１を巻装した単一のテープリール１３が回転可能に収容されている。

　テープリール１３の底部中央には、テープドライブ装置３０のスピンドル３１（図６参照）と係合するチャッキングギヤ（図示略）が環状に形成されている。このチャッキングギヤは、下シェル１１ｂの中央に形成された開口部１４を介して外部へ露出している。このチャッキングギヤの内周側には、スピンドル３１と磁気的に吸着される環状の金属プレート１５が固定されている。

　上シェル１１ａの内面とテープリール１３との間には、リールスプリング１６、リールロック部材１７及びスパイダ１８が配置されている。これらにより、カートリッジ１０の非使用時におけるテープリール１３の回転を抑止するリールロック機構が構成される。

　カートリッジケース１１の一側壁部には、磁気テープ１の一端を外部へ引き出すためのテープ引出し口１９が設けられている。この側壁部の内方には、テープ引出し口１９を開閉するスライドドア２０が配置されている。スライドドア２０は、テープドライブ装置３０のテープローディング機構（不図示）との係合によりトーションバネ２１の付勢力に抗してテープ引出し口１９を開放する方向にスライドするように構成される。

　磁気テープ１の一端部には、リーダーピン２２が固着されている。リーダーピン２２は、テープ引出し口１９の内方側に設けられたピン保持部２３に対して着脱可能に構成される。ピン保持部２３は、カートリッジケース１１の上壁内面（上シェル１１ａの内面）及び底壁内面（下シェル１１ｂの内面）において、リーダーピン２２の上端部及び下端部をそれぞれ弾性的に保持する弾性保持具２４を備えている。

　そして、カートリッジケース１１の他の側壁内方には、磁気テープ１に記録された情報の誤消去防止用のセイフティタブ２５のほか、磁気テープ１に記録されたデータに関する内容を非接触で読み書き可能なカートリッジメモリ９が配置されている。

　図２は、磁気テープ１を側方から見た模式図であり、図３は、磁気テープ１を上方（磁性層４３側）からみた模式図である。図２及び図３に示すように、磁気テープ１は、長手方向（Ｘ軸方向）に長く、幅方向（Ｙ軸方向）に短く、厚さ方向（Ｚ軸方向）に薄いテープ状に構成されている。

　磁気テープ１は、長手方向（Ｘ軸方向）に長いテープ状の基材４１と、基材４１の一方の主面上に設けられた下地層（非磁性層）４２と、下地層４２上に設けられた磁性層４３と、基材４１の他方の主面上に設けられたバック層４４とを含む。なお、バック層４４は、必要に応じて設けられればよく、このバック層４４は省略されてもよい。磁気テープ１は、垂直記録型の磁気記録媒体であってもよいし、長手記録型の磁気記録媒体であってもよい。また、磁性層４３は、磁性材料の塗布膜であってもよいし、磁性材料の蒸着膜あるいはスパッタ膜であってもよい。
　なお、磁気テープ１を構成する各層の詳細については後述する。

　図３に示すように、磁性層４３は、データが書き込まれる長手方向（Ｘ軸方向）に長い複数のデータバンドｄ（データバンドｄ０～ｄ３）と、サーボパターン６が書き込まれる長手方向に長い複数のサーボバンドｓ（サーボバンドｓ０～ｓ４）とを有している。サーボバンドｓは、幅方向（Ｙ軸方向）で各データバンドｄを挟み込む位置に配置される。

　本技術において、磁性層４３の表面全体の面積に対するサーボバンドｓの面積の比率は、典型的には、４．０％以下とされる。なお、サーボバンドｓの幅は、１／２インチのテープ幅で、例えば９６μｍ以下とされる。磁性層４３の表面全体の面積に対するサーボバンドｓの面積の比率は、例えば、磁気テープ１を、フェリコロイド現像液等の現像液を用いて現像し、その後、現像した磁気テープ１を光学顕微鏡で観察することで測定することができる。

　図３に示す例では、データバンドｄの本数が４本とされ、サーボバンドｓの本数が５本とされた場合の例が示されている。なお、データバンドｄの本数、サーボバンドｓの本数は、適宜変更することができる。

　データバンドｄは、長手方向に長く、幅方向に整列された複数の記録トラック５を含む。１本のデータバンドｄに含まれる記録トラック５の本数は、例えば、１０００本から２０００本程度とされる。データは、この記録トラック５に沿って、記録トラック５内に記録される。データバンドｄに記録されるデータにおける長手方向の１ビット長は、例えば、４８ｎｍ以下とされる。サーボバンドｓは、後述するサーボパターン記録装置（図９参照）によって記録される所定形状のサーボパターン６を含む。

　ここで、ＬＴＯ規格の磁気テープ１は、世代ごとに記録トラック５の数が増加して記録容量が飛躍的に向上している。一例を挙げると、初代のＬＴＯ－１では記録トラック５の数が３８４本であったが、ＬＴＯ－２からＬＴＯ８では記録トラック５の数がそれぞれ順に、５１２本、７０４本、８９６本、１２８０本、２１７６本、３５８４本及び６６５６本である。データの記録容量についても同様に、ＬＴＯ－１では１００ＧＢ（ギガバイト）であったのが、ＬＴＯ－２からＬＴＯ－８ではそれぞれ順に、２００ＧＢ、４００ＧＢ、８００ＧＢ、１．５ＴＢ（テラバイト）、２．５ＴＢ、６．０ＴＢ及び１２ＴＢである。

　本実施形態では、記録トラック５の本数や記録容量は、特に限定されず、適宜変更可能である。但し、例えば、記録トラック５の本数や記録容量が多く（例えば、６６５６本以上、１２ＴＢ以上：ＬＴＯ８以降）、磁気テープ１の幅の変動の影響を受けやすいような磁気テープ１に適用されると有利である。

［データバンド及びサーボバンド］

　図４は、データバンドｄにおける記録トラック５を示す拡大図である。図４に示すように、記録トラック５は、長手方向に長く、幅方向に整列され、また、幅方向でトラック毎に所定の記録トラック幅（トラックピッチ）Ｗｄを有している。この記録トラック幅Ｗｄは、典型的には、２．０μｍ以下とされる。なお、このような記録トラック幅Ｗｄは、例えば、磁気テープ１の磁性層４３を、フェリコロイド現像液等の現像液を用いて現像し、その後、現像した磁気テープ１の磁性層４３を光学顕微鏡で観察することで測定することができる。
　もしくは、ドライブヘッドを利用した測定方法として、テープ走行時の変動を無視するため、ドライブヘッドをRead While Write（記録時再生）状態とし、ドライブヘッドのAzimuthを変化させた場合の出力変化から記録トラック幅Ｗｄを測定することができる。（IEEE_Sept1996_Crosstrack Profiles of Thin Film MR Tape Heads Using the Azimuth Displacement Method）

　図５は、サーボバンドｓに書き込まれたサーボパターン６を示す拡大図である。図５に示すように、サーボパターン６は、その詳細については後述するが、幅方向（Ｙ軸方向）に対して所定のアジマス角αを持って傾斜する複数のストライプを含む。この複数のストライプは、幅方向（Ｙ軸方向）に対して時計回りに傾斜する第１のストライプ群６１と、幅方向に対して反時計回りに傾斜する第２のストライプ群６２とに分類される。第１のストライプ群６１及び第２のストライプ群６２は、典型的には、４本又は５本のストライプを含む。なお、サーボパターン６の形状などは、例えば、磁気テープ１の磁性層４３を、フェリコロイド現像液等の現像液を用いて現像し、その後、現像した磁気テープ１の磁性層４３を光学顕微鏡で観察することで測定することができる。

　図５には、サーボパターン６上を後述するサーボリードヘッド１３２（図７参照）によってトレースされるラインであるサーボトレースラインＴが破線により示されている。サーボトレースラインＴは、長手方向（Ｘ軸方向）に沿って設定され、また、幅方向に所定の間隔Ｐｓを開けて設定される。

　１本のサーボバンドｓあたりのサーボトレースラインＴの本数は、例えば、３０本から６０本程度とされる。隣接する２つのサーボトレースラインＴの間隔Ｐｓは、記録トラック幅Ｗｄの値と同じであり、例えば、２．０μｍ以下とされる。ここで、隣接する２つのサーボトレースラインＴの間隔Ｐｓは、記録トラック幅Ｗｄを決定付ける値とされている。つまり、サーボトレースラインＴの間隔Ｐｓが狭められると、記録トラック幅Ｗｄが小さくなり、１本のデータバンドｄに含まれる記録トラック５の本数が増える。結果として、データの記録容量が増えることになる。

［テープドライブ装置］
　図６は、テープドライブ装置３０を示す図である。テープドライブ装置３０は、磁気テープ１にデータを記録し、又は、磁気テープ１に記録されたデータを再生することが可能なデータ記録／再生装置である。

　図６に示すように、テープドライブ装置３０は、カートリッジ１０を装填可能に構成されている。テープドライブ装置３０は、１つのカートリッジ１０を装填可能に構成されるが、複数のカートリッジ１０を同時に装填可能に構成されてもよい。

　テープドライブ装置３０は、スピンドル３１と、巻取りリール３２と、スピンドル駆動装置３３と、リール駆動装置３４と、複数のガイドローラ３５と、ドライブヘッド３６と、リーダライタ３７と、制御装置３８とを備える。テープドライブ装置３０は、温度計３９、湿度計４０などをさらに備えてもよい。

　スピンドル３１は、カートリッジ１０の下シェル１１ｂに形成された開口部１４を介してテープリール１３のチャッキングギヤに係合するヘッド部を有する。スピンドル３１は、リールスプリング１６の付勢力に抗してテープリール１３を所定距離上昇させ、リールロック部材１７によるリールロック機能を解除する。これによりテープリール１３は、スピンドル３１によりカートリッジケース１１の内部において回転可能に支持される。

　スピンドル駆動装置３３は、制御装置３８からの指令に応じて、スピンドル３１を回転させる。巻取りリール３２は、テープローディング機構（不図示）を介してカートリッジ１０から引き出された磁気テープ１の先端（リーダーピン２２）を固定可能に構成される。

　複数のガイドローラ３５は、カートリッジ１０と巻取りリール３２との間に形成されるテープパスがドライブヘッド３６に対して所定の相対位置関係となるように磁気テープ１の走行をガイドする。リール駆動装置３４は、制御装置３８からの指令に応じて、巻取りリール３２を回転させる。

　磁気テープ１に対してデータの記録／再生が行われるとき、スピンドル駆動装置３３及びリール駆動装置３４により、スピンドル３１及び巻取りリール３２が回転し、磁気テープ１が走行する。磁気テープ１の走行方向は、図６において矢印Ａ１で示す順方向（テープリール１３側から巻取りリール３２側へ巻き出す方向）、及び、矢印Ａ２で示す逆方向（巻取りリール３２側からテープリール１３側へ巻き戻す方向）での往復が可能とされている。

　なお、本実施形態では、スピンドル駆動装置３３によるスピンドル３１の回転、及びリール駆動装置３４による巻取りリール３２の回転の制御により、データ記録／再生時における磁気テープ１の長手方向（Ｘ軸方向）でのテンションが調整可能とされる。なお、磁気テープ１のテンションの調整は、スピンドル３１、巻取りリール３２の回転の制御に代えて（あるいは、この制御に加えて）、ガイドローラ３５の移動の制御、ダンサーローラを含むテンション制御ユニット等により行われてもよい。

　リーダライタ３７は、制御装置３８からの指令に応じて、カートリッジメモリ９に対して管理情報を記録することが可能に構成されている。また、リーダライタ３７は、制御装置３８からの指令に応じて、カートリッジメモリ９から管理情報を読み出すことが可能に構成されている。リーダライタ３７とカートリッジメモリ９との間の通信方式としては、例えば、ＩＳＯ１４４４３方式が採用される。

　制御装置３８は、例えば、制御部、記憶部、通信部などを含む。制御部は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等により構成されており、記憶部に記憶されたプログラムに従い、テープドライブ装置３０の各部を統括的に制御する。

　記憶部は、各種のデータや各種のプログラムが記録される不揮発性のメモリと、制御部の作業領域として用いられる揮発性のメモリとを含む。上記各種のプログラムは、光ディスク、半導体メモリ等の可搬性の記録媒体から読み取られてもよいし、ネットワーク上のサーバ装置からダウンロードされてもよい。記憶部は、リーダライタ２７から読み出されたカートリッジメモリ９の情報、温度計３９及び湿度計４０の出力等を一時的に又は非一時的に記憶する。通信部は、ＰＣ（Personal Computer）、サーバ装置等の他の装置との間で互いに通信可能に構成されている。

　ドライブヘッド３６は、制御装置３８からの指令に応じて、磁気テープ１に対してデータを記録することが可能に構成されている。また、ドライブヘッド３６は、制御装置３８からの指令に応じて、磁気テープ１に書き込まれたデータを再生することが可能に構成されている。

　ドライブヘッド３６は、例えば、２つのサーボリードヘッド、複数のデータライト／リードヘッド等を有するヘッドユニットで構成される。図７は、ドライブヘッド３６を下側（テープ走行面）から見た概略図である。

　図７に示すように、ドライブヘッド３６は、第１のドライブヘッド部３６ａと、第２のドライブヘッド部３６ｂとを含む。第１のドライブヘッド部３６ａ及び第２のドライブヘッド部３６ｂは、Ｘ'軸方向（磁気テープ１の走行方向（図３においてＸ軸方向））で対称に構成されている。第１のドライブヘッド部３６ａ及び第２のドライブヘッド部３６ｂは、磁気テープ１の幅方向（図３においてＹ軸方向）に移動可能に構成されている。

　第１のドライブヘッド部３６ａは、磁気テープ１が順方向（図６においてＡ１方向）に走行しているときに使用されるドライブヘッドである。一方、第２のドライブヘッド部３６ｂは、磁気テープ１が逆方向（図６においてＡ２方向）に走行しているときに使用されるドライブヘッドである。第１のドライブヘッド部３６ａ及び第２のドライブヘッド部３６ｂは、基本的に同様の構成であるため、第１のドライブヘッド部３６ａについて代表的に説明する。

　第１のドライブヘッド部３６ａは、ヘッド本体１３１と、２つのサーボリードヘッド１３２と、複数のデータライト／リードヘッド１３３とを有する。

　サーボリードヘッド１３２は、磁気テープ１のサーボバンドｓに記録された磁気的情報から発生する磁束をＭＲ素子（ＭＲ：Magneto Resistive effect）などにより読み取ることで、サーボ信号を再生可能に構成されている。つまり、サーボリードヘッド１３２により、サーボバンドｓ上に記録されたサーボパターン６が読み取られることで、サーボ信号が再生される。

　サーボリードヘッド１３２は、ヘッド本体１３１における幅方向（図７においてＹ'軸方向）の両端側にそれぞれ１つずつ設けられる。ＭＲ素子としては、異方性磁気抵抗効果素子（ＡＭＲ：Anisotropic Magneto Resistive effect）、巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ：Giant Magneto Resistive effect）、トンネル磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ：Tunnel Magneto Resistive effect）などを含む。２つのサーボリードヘッド１３２の幅方向（Ｙ'軸方向）における間隔は、磁気テープ１における隣接するサーボバンドｓ間の距離と略同じとされるが、その詳細については後述する。

　データライト／リードヘッド１３３は、幅方向（Ｙ'軸方向）に沿って、等間隔に配置されている。また、データライト／リードヘッド１３３は、２つのサーボリードヘッド１３２に挟み込まれる位置に配置されている。データライト／リードヘッド１３３の数は、例えば、２０個～４０個程度とされるが、この個数ついては特に限定されない。

　データライト／リードヘッド１３３は、データライトヘッド１３４と、データリードヘッド１３５とを含む。データライトヘッド１３４は、磁気ギャップから発生する磁界によって、磁気テープ１のデータバンドｄに対してデータ信号を記録することが可能に構成されている。また、データリードヘッド１３５は、磁気テープ１のデータバンドｄに記録された磁気的情報から発生する磁界をＭＲ素子（ＭＲ：Magneto Resistive effect）などにより読み取ることで、データ信号を再生可能に構成されている。ＭＲ素子としては、異方性磁気抵抗効果素子（ＡＭＲ：Anisotropic Magneto Resistive effect）、巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ：Giant Magneto Resistive effect）、トンネル磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ：Tunnel Magneto Resistive effect）などを含む。

　第１のドライブヘッド部３６ａにおいては、データライトヘッド１３４が、データリードヘッド１３５の左側（磁気テープ１が順方向に流れる場合の上流側）に配置される。一方、第２のドライブヘッド部３６ｂにおいては、データライトヘッド１３４が、データリードヘッド１３５の右側（磁気テープ１が逆方向に流れる場合の上流側）に配置される。なお、データリードヘッド１３５は、データライトヘッド１３４が磁気テープ１にデータ信号を書き込んだ直後に、このデータ信号を再生可能とされている。

　図８は、第１のドライブヘッド部３６ａがデータ信号の記録／再生を行っているときの様子を示す図である。なお、図８に示す例では、磁気テープ１が順方向（Ａ１方向）に走行しているときの様子が示されている。

　図８に示すように、第１のドライブヘッド部３６ａがデータ信号の記録／再生を行うとき、２つのサーボリードヘッド１３２のうち一方のサーボリードヘッド１３２は、隣接する２つのサーボバンドｓのうち一方のサーボバンドｓ上に位置し、このサーボバンドｓ上のサーボパターン６を読み取る。また、２つのサーボリードヘッド１３２のうち他方のサーボリードヘッド１３２は、隣接する２つのサーボバンドｓのうち他方のサーボバンドｓ上に位置し、このサーボバンドｓ上のサーボパターン６を読み取る。

　制御装置３８は、サーボパターン６の再生波形に基づいて、サーボリードヘッド１３２が、目的とするサーボトレースラインＴ（図５参照）上を正確にトレースしているかどうかを判定する。

　この原理について説明する。図５に示すように、サーボパターン６における第１のストライプ群６１と、第２のストライプ群６２とでは、幅方向（Ｙ軸方向）に対して傾斜する方向が逆となっている。このため、上側のサーボトレースラインＴでは、第１のストライプ群６１と第２のストライプ群６２との間の長手方向（Ｘ軸方向）での距離は、相対的に狭くなっている。一方、下側のサーボトレースラインＴ上では、第１のストライプ群６１と、第２のストライプ群６２との間の長手方向（Ｘ軸方向）での距離は、相対的に広くなっている。

　このため、第１のストライプ群６１の再生波形が検出された時刻と、第２のストライプ群６２の再生波形が検出された時刻との差を求めれば、サーボリードヘッド１３２が磁気テープ１に対して幅方向（Ｙ軸方向）で、現在どの位置に位置するかが分かる。

　従って、制御装置３８は、サーボパターン６の再生波形に基づいて、目的とするサーボトレースラインＴ上をサーボリードヘッド１３２が正確にトレースしているかどうかを判定することができる。そして、制御装置３８は、目的とするサーボトレースラインＴ上をサーボリードヘッド１３２が正確にトレースしていない場合には、ドライブヘッド３６を幅方向（Ｙ'軸方向）に移動させて、ドライブヘッド３６の位置を調整する。なお、サーボリードヘッド１３２がトレースするサーボトレースラインＴの測定方法については、図２３を参照して後述する。

　図８に戻り、データライト／リードヘッド１３３は、磁気テープ１の走行時に磁気テープ１が幅方向に変動した場合、サーボトレースラインＴに沿うように位置を調整し、記録トラック５内にデータ信号を記録する。

　ここで、磁気テープ１がテープカートリッジ１０から全て引き出されると、今度は、逆方向（Ａ２方向）に磁気テープ１が走行される。このとき、ドライブヘッド３６として、第２のドライブヘッド部３６ｂが使用される。サーボトレースラインＴは、先ほどのサーボトレースラインＴに隣接するサーボトレースラインＴが使用される。この場合、ドライブヘッド３６は、幅方向（Ｙ'軸方向）において、サーボトレースラインＴの間隔Ｐｓ分（＝記録トラック幅Ｗｄ分）、移動される。この場合、先ほどデータ信号が記録された記録トラック５に隣接する記録トラック５に対して、データ信号が記録される。

　このように、磁気テープ１は、順方向及び逆方向に走行方向が変えられて何往復もされながら、記録トラック５に対してデータ信号が記録される。例えば、サーボトレースラインＴの本数が、５０本であり、第１のドライブヘッド部３６ａ（あるいは、第２のドライブヘッド部３６ｂ）に含まれるデータライト／リードヘッド１３３の数が３２個の場合を想定する。この場合、１本のデータバンドｄに含まれる記録トラック５の本数は、５０×３２で１６００本であり、この記録トラック５すべてにデータ信号を記録するためには、磁気テープ１を２５往復させる必要がある。

［サーボパターン記録装置］
　続いて、磁気テープ１のサーボバンドｓにサーボパターン６を記録するサーボパターン記録装置の構成について説明する。図９は、本技術の一実施形態に係るサーボパターン記録装置１００を示す正面図である。図１０は、サーボパターン記録装置１００の一部を示す部分拡大図である

　サーボパターン記録装置１００は、磁気テープ１の搬送方向の上流側から順番に、送り出しローラ１１１、前処理部１１２、サーボライトヘッド１１３、再生ヘッド部１１４及び巻き取りローラ１１５を備えている。サーボパターン記録装置１００はさらに、駆動部１２０及びコントローラ１３０を備えている。コントローラ１３０は、サーボパターン記録装置１００の各部を統括的に制御する制御部や、制御部の処理に必要な各種のプログラムやデータが記憶された記録部、データを表示させる表示部、データを入力する入力部などを有する。

　送り出しローラ１１１は、ロール状の磁気テープ１（サーボパターン６記録前）を回転可能に支持することが可能とされている。送り出しローラ１１１は、モータなどの駆動源の駆動に応じて回転され、回転に応じて磁気テープ１を下流側に向けて送り出す。

　巻き取りローラ１１５は、ロール状の磁気テープ１（サーボパターン６記録後）を回転可能に支持することが可能とされている。巻き取りローラ１１５は、モータなどの駆動源の駆動に応じて送り出しローラ１１１と同調して回転し、サーボパターン６が記録された磁気テープ１を回転に応じて巻き取っていく。送り出しローラ１１１及び巻き取りローラ１１５は、搬送経路上において磁気テープ１を一定の速度で移動させることが可能とされている。

　サーボライトヘッド１１３は、例えば、磁気テープ１の上方側（磁性層４３側）に配置される。なお、サーボライトヘッド１１３は、磁気テープ１の下側（基材４１側）に配置されてもよい。サーボライトヘッド１１３は、矩形波のパルス信号に応じて所定のタイミングで磁界を発生し、磁気テープ１が有する磁性層４３（前処理後）の一部に対して磁場を印加する。

　これにより、サーボライトヘッド１１３は、第１の方向に磁性層４３の一部を磁化させて磁性層４３にサーボパターン６を記録する（磁化方向は図１０中、黒の矢印参照）。サーボライトヘッド１１３は、サーボライトヘッド１１３の下側を磁性層４３が通過するときに、５つのサーボバンドｓ０～ｓ４に対してそれぞれサーボパターン６を記録することが可能とされている。

　サーボパターン６の磁化方向である第１の方向は、磁性層４３の上面に垂直な垂直方向の成分を含む。すなわち、本実施形態では、垂直配向若しくは無配向の磁性粉が磁性層４３に含まれるので、磁性層４３に記録されるサーボパターン６は、垂直方向の磁化成分を含む。

　前処理部１１２は、例えば、サーボライトヘッド１１３よりも上流側において、磁気テープ１の下側（基材４１側）に配置される。前処理部１１２は、磁気テープ１の上側（磁性層４３側）に配置されてもよい。前処理部１１２は、Ｙ軸方向（テープ１の幅方向）を回転の中心軸として回転可能な永久磁石１１２ａを含む。永久磁石１１２ａの形状は、例えば、円柱形状や、多角柱形状とされるが、これらに限られない。

　永久磁石１１２ａは、サーボライトヘッド１１３によってサーボパターン６が記録される前に、直流磁界によって磁性層４３の全体に対して磁場を印加して、磁性層４３全体を消磁する。これにより、永久磁石１１２ａは、サーボパターン６の磁化方向とは反対方向の第２の方向に予め磁性層４３を磁化させることができる（図１０中、白の矢印参照）。このように、２つの磁化方向をそれぞれ反対方向にさせることで、サーボパターン６を読み取ることで得られるサーボ信号の再生波形を上下方向（±）で対称とすることができる。
　なお、上記第２の方向の調整方法としては、例えば、永久磁石１１２ａの回転角度を任意とし、磁性層４３全体を消磁後に、磁性層４３にサーボパターン６を記録し、その再生波形の傾きに基づいて、磁気テープ１の幅方向を中心とする永久磁石１１２ａの回転角度を調整するようにしてもよい。

　再生ヘッド部１１４は、サーボライトヘッド１１３よりも下流側において、磁気テープ１の上側（磁性層４３側）に配置される。再生ヘッド部１１４は、前処理部１１２によって前処理され、かつ、サーボライトヘッド１１３によってサーボパターン６が記録された磁気テープ１の磁性層４３から上記サーボパターン６を読み取る。再生ヘッド部１１４によって読み取られたサーボパターン６の再生波形は、表示部の画面上に表示される。典型的には、再生ヘッド部１１４は、再生ヘッド部１１４の下側を磁性層４３が通過するときに、サーボバンドｓの表面から発生する磁束を検出する。このとき検出された磁束がサーボ信号としてのサーボパターン６の再生波形となる。

［サーボパターン］
　続いて、サーボパターン６の詳細について説明する。サーボパターン６は、「ＥＣＭＡ－３１９規格」に準拠したデータ構造を有する。図１１（Ａ）は、サーボパターン６に埋め込まれるＬＰＯＳワードのデータ構造を示す図であり、図１１（Ｂ）は製造業者ワードを説明する図である。

　図１１（Ａ）に示すように、サーボパターン６には、テープ長手方向に連続的に配置された複数のＬＰＯＳ（Longitudinal position）ワードＬＷが埋め込まれている。各ＬＰＯＳワードＬＷは、その先頭を意味する８ビットの同期マークＳｙ、テープ長手方向における位置（アドレス）を示す６個の４ビット（計２４ビット）からなるＬＰＯＳ値Ｌｓ、及び、４ビットの製造業者データＴｘを有する３６ビットのデータで構成される。

　製造業者データＴｘは、磁気テープ１上に製造業者ワードＴＷを形成する。製造業者ワードＴＷは、図１１（Ｂ）に示すように、９７個の製造業者データＴｘの長さをもち、９７個のＬＰＯＳワードＬＷを連続的に読み込むことで得られる。製造業者ワードＴＷは、次のように構成される。
　　製造業者ワードＴＷ：Ｄ，Ａ０，Ａ１，Ａ０，Ａ１，・・・，Ａ０，Ａ１

　最初の製造業者データＴｘである「Ｄ」は、製造業者ワードＴＷの先頭であることを示すシンボルであり、これには所定のテーブルで変換された４ビットのデータ（典型的には、「０００１」）が書き込まれている。

　２番目以降の９６個の製造業者データＴｘは「Ａ０」及び「Ａ１」が交互に配列されたものからなり、隣接する２つの「Ａ０」及び「Ａ１」は一組のシンボル対を形成する。各シンボル対「Ａ０」及び「Ａ１」には、「Ｄ」以外の任意の１３個の基本シンボル（典型的には、０，１，２，３，４，５，６，７，８，９、Ａ，Ｂ，Ｃ）がそれぞれ書き込まれている。これら１３個の基本シンボルもまた、上記所定のテーブルで変換された４ビットのデータからなる。そして、当該１３個の基本シンボルのうち特定の２つの基本シンボル（上記シンボル対に相当）の組み合わせに応じて定まる１つのシンボル（以下、ＬＰＯＳ記録値ともいう）が特定される。

　ＬＰＯＳ記録値は、８ビットのデータからなる。シンボル対を形成する２つの基本シンボルは、同種の組み合わせ（例えば、０，０）であってもよいし、異種の組み合わせ（例えば、０，１）であってもよい。

　以上のように構成される９６個の製造業者データＴｘには、典型的には、ＬＰＯＳ記録値によって表せられる製造者情報、磁気テープの製造日やシリアル番号などの管理情報のほか、サーボバンドを識別するためのサーボバンド識別情報などが埋め込まれている。

　図１２（Ａ）はサーボパターン６の配置例を示す概略平面図、図１２（Ｂ）はその再生波形を示す図である。

　タイミングベースサーボ方式のヘッドトラッキングサーボでは、サーボパターンは、２種以上の異なる形状の複数の方位角傾斜（azimuthal slope）パターンを含む。異種の形状の２つの傾斜パターンを読み取った時間間隔と、同種の形状の２つの傾斜パターンを読み取った時間間隔とにより、サーボリードヘッド１３２の位置を認識する。こうして認識されたサーボリードヘッド１３２の位置に基づき、磁気テープ１の幅方向（Ｙ軸方向）におけるドライブヘッド３６の位置が制御される（図７，８参照）。

　図１２（Ａ）に示すように、サーボパターン６は、第１サーボサブフレームＳＳＦ１と、第２サーボサブフレームＳＳＦ２とを有するサーボフレームＳＦを形成する。サーボフレームＳＦは、テープ長手方向に沿って所定の間隔をおいて連続的に配列される。各サーボフレームＳＦは、「１」又は「０」の一つのビットを符号化する。つまり、１つのサーボフレームＳＦは、１ビットに相当する。

　第１サーボサブフレームＳＳＦ１は、Ａバースト６ａとＢバースト６ｂとにより構成される。Ａバースト６ａは、テープ長手方向に対して第１の方向に傾斜した５本の直線パターン（図５における第１のストライプ群６１に相当）からなり、Ｂバースト６ｂは、テープ長手方向に上記第１の方向とは逆の第２の方向に傾斜した５本の直線パターン（図５における第２のストライプ群６２に相当）からなる。

　一方、第２サーボサブフレームＳＳＦ２は、Ｃバースト６ｃとＤバースト６ｄとにより構成される。Ｃバースト６ｃは、上記第１の方向に傾斜した４本の直線パターン（図５における第１のストライプ群６１に相当）からなり、Ｄバースト６ｄは、上記第２の方向に傾斜した４本の直線パターン（図５における第２のストライプ群６２に相当）からなる。

　サーボフレームＳＦ及び各サーボサブフレームＳＳＦ１，ＳＳＦ２の長さ、各バースト６ａ～６ｄを傾斜する傾斜部の配列間隔等は、磁気テープの種類や仕様等に応じて任意に設定可能である。

　サーボパターン６の再生波形は、典型的には図１２（Ｂ）に示すようなバースト波形を示し、信号Ｓ６ａはＡバースト６ａに、信号Ｓ６ｂはＢバースト６ｂに、信号Ｓ６ｃはＣバースト６ｃに、そして、信号Ｓ６ｄはＤバースト６ｄに、それぞれ相当する。

　タイミングベースサーボ方式のヘッドトラッキングサーボでは、一のデータバンドに隣接する２つのサーボバンド上のサーボパターン６を読み取ることで、位置誤差信号（ＰＥＳ：Position Error Signal）を生成し、当該データバンド内の記録トラックに対する記録再生ヘッドを適切に位置決めする。典型的には、所定速度で走行する磁気テープ１からサーボパターン６を読み取り、互いに同種形状の傾斜パターンの配列体であるＡバースト６ａとＣバースト６ｃとの間の距離（時間間隔）ＡＣと、互いに異種形状の傾斜パターンの配列体であるＡバースト６ａとＢバースト６ｂとの間の距離（時間間隔）ＡＢとの比（あるいは、Ｃバースト６ｃとＡバースト６ａとの距離ＣＡと、Ｃバースト６ｃとＤバースト６ｄとの距離ＣＤとの比）を算出し、その値が記録トラックごとに定められた設定値となるようにドライブヘッド３６をテープ幅方向（Ｙ軸方向）に移動させる（図８参照）。

［データバンドの特定］
　各サーボバンドｓ（ｓ０～ｓ４）には、各データバンドについて異なる組み合わせのサーボバンド識別情報が書き込まれる。例えば、データバンドｄ０に隣接する２つのサーボバンドｓ２，ｓ３から得られるサーボバンド識別情報の組み合わせは、データバンドｄ１に隣接するサーボバンドｓ１，ｓ２から得られるサーボバンド識別情報の組み合わせと、データバンドｄ２に隣接するサーボバンドｓ３，ｓ４から得られるサーボバンド識別情報の組み合わせと、データバンドｄ３に隣接する２つのサーボバンドｓ０，ｓ１から得られるサーボバンド識別情報の組み合わせと、それぞれ異なる。このように、一のデータバンドに隣接する２つのサーボバンドから得られるサーボバンド識別情報を、他のデータバンドに隣接する２つのサーボバンドから得られるサーボバンド識別情報と異ならせることにより、個々のデータバンドの特定が可能となる。

　本実施形態においては、記録再生するべきデータバンドｄ０～ｄ４を特定するために、２種類のサーボバンドが用いられる。上述のように、サーボバンドには、サーボバンド識別情報が埋め込まれる。サーボバンド識別情報は、複数ビットの情報であり、製造業者ワードＴＷにおける２番目以降の９６個の製造業者データＴｘの所定位置に埋め込まれる。サーボバンド識別情報は、典型的には、４ビットであるが、８ビット（シンボル対「Ａ０」及び「Ａ１」の組み合わせ）であってもよいし、４ビット及び８ビット以外の他の複数ビットであってもよい。

　本実施形態において、上記２種類のサーボバンドは、第１のサーボバンド識別情報が記録される第１のサーボバンドと、第２のサーボバンド識別情報が記録される第２のサーボバンドとを有する。第１のサーボバンド識別情報は、４ビットの情報（例えば「１００１」）であり、第２のサーボバンド識別情報は、第１のサーボバンド識別情報とは異なる４ビットの情報（例えば「０１１１」）である。

　第１及び第２のサーボバンド識別情報を構成する符号「０」、「１」の組み合わせは、サーボパターン６の再生波形から識別される。つまり、サーボパターン６の再生波形は、符号「０」、「１」の変調波に相当し、当該再生波形を復調し、且つ、例えば４ビット組み合わせることで、第１及び第２のサーボバンド識別情報が読み出される。以下、第１及び第２のサーボバンド識別情報について、図１３及び図１４を参照して説明する。

　図１３（Ａ），（Ｂ）は、第１のサーボバンド識別情報が埋め込まれるサーボパターン（以下、第１のサーボパターン６０１ともいう）及び第２のサーボバンド識別情報が埋め込まれるサーボパターン（以下、第２のサーボパターン６０２ともいう）の構成例を示す概略図である。同図に示すように、第１のサーボパターン６０１及び第２のサーボパターン６０２はいずれも、一方の符号（例えば「１」）を表すサーボフレームＳＦ１と、他方の符号（例えば「０」）を表すサーボフレームＳＦ０とを含む２種のサーボフレームＳＦの組み合わせからなる。各サーボフレームＳＦ１，ＳＦ０は、第１サーボサブフレームＳＳＦ１及び第２サーボサブフレームＳＳＦ２からなるサーボフレームＳＦを構成単位とする点で共通するが、第１サーボサブフレームＳＳＦ１（Ａバースト６ａ及びＢバースト６ｂ）が相互に異なる。

　図１３（Ａ）に示すように、符号「１」を表すサーボフレームＳＦ１においては、Ａバースト６ａ及びＢバースト６ｂをそれぞれ構成する５本の傾斜パターンを図中左側から順に第１傾斜部、第２傾斜部、第３傾斜部、第４傾斜部及び第５傾斜部としたとき、第２、第４傾斜部がそれぞれ第１、第５傾斜部側に偏った位置に配置される。これに対して、図１３（Ｂ）に示すように、符号「０」を表すサーボフレームＳＦ０においては、Ａバースト６ａ及びＢバースト６ｂを構成する傾斜パターンの一部の配列間隔がサーボフレームＳＦ１と異なっている。図示の例では、Ａバースト６ａ及びＢバースト６ｂをそれぞれ構成する５本の傾斜パターンは、第２、第４傾斜部がそれぞれ第３傾斜部側に偏った位置に配置される。このため、サーボフレームＳＦ０におけるＡバースト６ａ及びＢバースト６ｂについては、第２傾斜部と第３傾斜部、並びに第３傾斜部と第４傾斜部との間隔が最も小さく、第１傾斜部と第２傾斜部、並びに第４傾斜部と第５傾斜部との間隔が最も大きくなっている。

　図１４（Ａ），（Ｂ）は、第１のサーボパターン６０１及び第２のサーボパターン６０２の再生波形ＳＰ１，ＳＰ２をそれぞれ示している。各サーボフレームＳＦ１，ＳＦ０の再生波形は、各バースト部６ａ～６ｄ各々の傾斜部に対応する位置にピークを有するバースト信号で構成される。上述のように、サーボフレームＳＦ０については、Ａバースト６ａ及びＢバースト６ｂの構成がサーボフレームＳＦ１のＡバースト６ａ及びＢバースト６ｂと異なるため、その異なる傾斜部の間隔に対応してバースト信号Ｓ６ａ及びＳ６ｂのピーク位置にずれが生じる。したがって、このピーク位置のずれが生じている部位とそのずれ量、ずれ方向を検出することにより、サーボフレームＳＦに書き込まれた情報の読み出しが可能となる。ここでは例えば、図１４（Ａ）に示すサーボフレームＳＦ１が１つのビット「１」を表し、図１４（Ｂ）に示すサーボフレームＳＦ０が他の１つのビット「０」を表す。これら２つのサーボフレームＳＦ１，ＳＦ０を任意に例えば４ビット組み合わせることで、第１及び第２のサーボバンド識別情報を構成することができる。

　サーボパターン記録装置１００は、図１０に示すように、サーボライトヘッド１１３を駆動する駆動部１２０を有する。図１５は、サーボライトヘッド１１３の構成を概略的に示す斜視図、図１６は、駆動部１２０の構成を示すブロック図である。

　図１５に示すように、サーボライトヘッド１１３は、磁気テープ１の各サーボバンドｓ０～ｓ４にサーボパターン６を記録するための複数のヘッドブロックｈ０～ｈ４を有する。各ヘッドブロックｈ０～ｈ４は、接着層ｈｓを介して相互に接合される。各ヘッドブロックｈ０～ｈ４は、磁気テープ１の各サーボバンドｓ０～ｓ４に対応して配置された記録部を構成し、各サーボバンドにサーボパターンを記録するための磁気ギャップｇを有する。

　磁気ギャップｇは、相互に逆方向に傾斜する一対の直線部（「／」及び「＼」）からなり、一方の直線部「／」はＡバースト６ａ及びＣバースト６ｃを、他方の直線部「＼」はＢバースト６ｂ及びＤバースト６ｄをそれぞれ記録する。各ヘッドブロックｈ１～ｈ５の磁気ギャップｇは、サーボライトヘッド１１３の長手方向に平行な軸線上に整列するように配置される。各ヘッドブロックｈ０～ｈ４は相互に磁気的に分離されており、２つ以上のサーボバンドに同時に異なる種類のサーボパターン６を記録可能に構成される。

　図１６に示すように、駆動部１２０は、コントローラ１３０（図９参照）からの出力に基づき、サーボ情報をパルス情報に変換する変換器１２１と、変換器１２１の出力に基づいてパルス信号を生成する信号生成部１２２と、生成されたパルス信号を増幅する増幅器１２３とを有する。信号生成部１２２及び増幅器１２３は、各ヘッドブロックｈ０～ｈ４に対応して複数ずつ設けられており、各サーボライトヘッド１１３のヘッドブロックｈ０～ｈ４に固有のパルス信号を出力することが可能に構成される。

　コントローラ１３０は、第１のサーボバンド識別情報を記録するべきサーボバンドの位置（本例では、ｓ０，ｓ１，ｓ４）と、第２のサーボバンド識別情報を記録するべきサーボバンドの位置（本例では、ｓ２，ｓ３）とに関するデータを格納したメモリを備える。コントローラ１３０は、当該メモリに格納されたデータに基づいて、駆動部１２０を制御する。

　変換器１２１は、各サーボバンドｓ０～ｓ４に記録するべきサーボバンド識別情報に対応する情報を各ヘッドブロックｈ０～ｈ４に対応する信号生成部１２２へ個々に出力する。本実施形態では、サーボバンドｓ０、ｓ１、ｓ４に対応するヘッドブロックｈ０、ｈ１及びｈ４に第１のサーボバンド識別情報を含む第１のサーボパターン６０１（図１３（Ａ））を記録するための第１のパルス信号ＰＳ１を出力し、サーボバンドｓ２，ｓ３に対応するヘッドブロックｈ２，ｈ３に第２のサーボバンド識別情報を含む第２のサーボパターン６０２（図１３（Ｂ））を記録するための第２のパルス信号ＰＳ２を出力する。

　図１７（Ａ），（Ｂ）に、第１のパルス信号ＰＳ１及び第２のパルス信号ＰＳ２における第１サーボサブフレームＳＳＦ１の記録信号波形をそれぞれ模式的に示す。同図に示すように、第１及び第２のパルス信号ＰＳ１，ＰＳ２は、５つのパルス群からなる第１パルス群ＳＰＦ１と、４つのパルス群からなる第２パルス群ＳＰＦ２とを含む。第１パルス群ＳＰＦ１は、Ａバースト６ａの各傾斜部を記録するための信号であり、第２パルス群ＳＰＦ２は、Ｂバースト６ｂの各傾斜部を記録するための信号である。

　同図に示すように、第１のパルス信号ＰＳ１と第２のパルス信号ＰＳ２との間には、第１パルス群ＳＰＦ１における２番目及び４番目のパルスの立ち上がり時刻が異なっており、パルス信号ＰＳ２の方がパルス信号ＰＳ１よりも２番目のパルスの立ち上がり時刻が遅く、４番目のパルスの立ち上がり時刻が早い。これにより、図１３（Ａ），（Ｂ）に示したようなＡバースト６ａの傾斜部の配列間隔の一部が相互に相違する第１サーボサブフレームＳＳＦ１が形成される。

　さらに、第１のパルス信号ＰＳ１と第２のパルス信号ＰＳ２は、それぞれ同位相（同一のタイミング）でヘッドブロックｈ０～ｈ４に送信される。これにより、各ヘッドブロックｈ０～ｈ４においてサーボバンドｓ０，ｓ１，ｓ４には第１のサーボパターン６０１（第１のサーボバンド識別情報）が、サーボバンドｓ２，ｓ３には第２のサーボパターン６０２（第２のサーボバンド識別情報）が同位相で記録される。

＜本技術の詳細＞
　［テープ幅の変動について］
　ところで、磁気テープ１は、一般に、ベースフィルム（基材４１）への磁性材料の塗布、カレンダー処理、裁断処理、サーボパターン６の記録処理などを経て製造される。これらの処理は、ベースフィルムを一定のテンションで巻き取りながら行われるため、完成した磁気テープ１は内部歪を有し、時間の経過に伴って磁気テープ１の幅は広がる傾向にある。また、磁気テープ１の保管環境が高温度あるいは高湿度になるほど、テープ幅は広がりやすい。さらに、テープカートリッジ１０のテープリール１３に巻装された磁気テープ１においては、テープリール１３の内周側の方が外周側よりも高い巻き圧が加わるため、外周側に比べてテープ幅は広がる傾向にある。特に、高容量が求められる近年の磁気テープにおいては、ベースフィルムの厚みや塗布厚の薄膜化によりテープ全厚が薄く、磁気テープのリールへの巻回数が増加しているため、磁気テープの幅寸法の変動による影響が益々大きくなる。

　このため、テープドライブ装置によってデータの記録あるいは再生をする際に、サーボパターンの記録時と同じテンションで磁気テープを走行させたとしても、磁気テープの幅寸法がサーボパターン記録時における磁気テープの幅寸法よりも増加する場合がある。この場合、隣接するサーボバンド間の間隔が変化するため、これらサーボバンドに記録されたサーボパターンの間隔にも変動が生じることになる結果、所望とするトラッキング制御が困難になる。このような問題は、近年における高記録容量化に伴う磁気テープの薄厚化により、顕著に発生し得る。

　より具体的に、「ＥＣＭＡ－３１９規格」にはサーボバンドｓの配列間隔（サーボバンドピッチ）が規定されており、その値は、２８５８．８μｍ±４．６μｍである。ＬＴＯ規格のテープドライブ装置３０においては、典型的には、ドライブヘッド３６における２つのサーボリードヘッド１３２の配置間隔である第１のピッチＰ１（図７参照）は、サーボバンドピッチの規格値の中心値（２８５８．８μｍ）に設定される。第１のピッチＰ１は、２つのサーボリードヘッド１３２のテープ幅方向における中心間の距離である。

　一方、サーボパターン記録装置１００におけるサーボライトヘッド１１３は、磁気テープ１の各サーボバンドｓにサーボパターン６を記録するための複数の磁気ギャップｇ（図１５参照）を有する。各磁気ギャップｇは、図１８に示すように、一定の間隔である第２のピッチＰ２で配置される。第２のピッチＰ２は、隣接する２つの磁気ギャップｇのテープ幅方向のパターン幅Ｐｗにおける中心間の距離である。

　ここで、第２のピッチＰ２を第１のピッチＰ１と同じ値（２８５８．８μｍ）とした場合、磁気テープ１の幅寸法の変動によって、テープドライブ装置３０のサーボリードヘッド１３２によるサーボパターン６のトレース位置が、サーボパターン６のパターン幅Ｐｗの中心値からずれる場合がある。一例として、第２のピッチＰ２が第１のピッチＰ１と同じ値であるサーボライトヘッドを用いてサーボパターンを記録した磁気テープのサーボバンドピッチを、テープドライブ装置３０の２つのサーボリードヘッド１３２を用いて測定した実験結果を図１９に示す。

　サーボバンドピッチの測定方法としては、テープドライブ装置３０によって磁気テープ１を走行させ、２つのサーボリードヘッド１３２の各サーボバンド上でのサーボトレースラインＴをそれぞれ測定し、測定した各サーボトレースラインＴのサーボパターン６に対する相対位置からサーボバンドピッチを測定する。
　ここで、磁気テープ１のサーボバンドピッチが第１のピッチＰ１と同一である場合、一方のサーボリードヘッド１３２のサーボトレースラインＴが一方のサーボバンド上のサーボパターン６の中心に位置していれば、他方のサーボリードヘッド１３２のサーボトレースラインＴも他方のサーボバンド上のサーボパターン６の中心に位置する。一方、他方のサーボトレースラインＴが他方のサーボパターン６の中心位置から外れている場合、磁気テープ１のサーボバンドピッチは、第１のピッチＰ１とは異なる値になる。
　ここでは図１９の縦軸に示すように、各サーボトレースラインＴの測定値の差分をとり、その差が正の場合ならばサーボバンドピッチは狭まり、負の場合ならばサーボバンドピッチが広がったものとする。

　図１９において、横軸は、テープリール１３に巻回された磁気テープ１の外周側の端部（以下、ＢＯＴともいう）から、テープリール１３に巻回された磁気テープ１の内周側の端部（以下、ＥＯＴともいう）までの長さをいい、ここでは約１０００ｍとした。また、縦軸はサーボパターンの再生信号であるサーボ信号から求められたサーボバンドピッチであって、ここでは、第１のピッチＰ１からのずれ量を示す。したがって、そのセンター値である「０μｍ」は、各サーボトレースラインＴの差分がゼロであることを意味し、第１のピッチＰ１に相当する（後述する図２０および図２１においても同様）。
　なお、テープ走行時のテンションは、サーボパターン記録時及びサーボパターン再生時のいずれにおいても、０．５５Ｎとした。また、図中ＴＡ１は、製作直後のテープカートリッジの磁気テープに関する測定値であり、ＴＢ１は、恒温槽内で２９±２℃、８０±５％ＲＨの条件で一週間保管したテープカートリッジの磁気テープに関する測定値である。

　図１９に示すように、製作直後の磁気テープＴＡ１については、その全長にわたってほぼ一定のサーボバンドピッチであり、その値は、センター値よりもやや広かった。これは、テープ走行時のテンションでテープ幅は若干減少するものの、磁気テープＴＡ１の内部歪の緩和によりテープ幅が増加に転じた結果によるものと考えられる。

　これに対して、所定条件で保管された磁気テープＴＢ１については、テープ幅の広がり量が大きくなり、特に、ＢＯＴからＥＯＴにかけて徐々にテープ幅が広がる傾向を示している。これは、高温高湿度環境下による磁気テープの膨潤及びテープの巻き圧の影響による結果と考えられる。この結果によれば、データバンドｄの記録トラック５のトラック幅（Ｗｄ）が２μｍである場合、磁気テープＴＢは、ＥＯＴから約５００ｍ以上の長さ領域において、記録トラックをトレースすることができなくなり、安定した記録再生精度が得られなくなることを意味する。

　このような問題を解消するため、本実施形態では、サーボライトヘッド１１３のパターンピッチ（第２のピッチＰ２、図１８参照）を、テープドライブ装置３０における２つのサーボリードヘッド１３２の配置間隔である第１のピッチＰ１よりも狭く形成する。すなわち、磁気テープ１を所定のテンションで走行させながら、テープドライブ装置３０における２つのサーボリードヘッド１３２の配置間隔である第１のピッチＰ１よりも狭い第２のピッチＰ２で、複数のサーボバンドｓにサーボパターン６を記録する。

　ここでは、第２のピッチＰ２を第１のピッチＰ１（サーボバンドピッチのセンター値）よりも０．７５μｍだけ狭く形成した（Ｐ２＝２８５８．０５μｍ）。そして、上述と同様の条件でサーボバンドピッチの測定を行ったところ、図２０に示すような実験結果が得られた。

　図２０において、ＴＡ２は製作直後のテープカートリッジの磁気テープに関する測定値であり、ＴＢ２は、恒温槽内で２９±２℃、８０±５％ＲＨの条件で一週間保管したテープカートリッジの磁気テープに関する測定値である。本実施形態によれば、製作直後の磁気テープＴＡ２はもちろん、所定条件で保管された磁気テープＴＢ２においても、その全長にわたってサーボバンドピッチがテープドライブ装置３０の読み取り可能範囲に収めることができる。これにより、テープ全長にわたって安定したトラッキング制御が可能となるため、所望とする高精度のデータの記録再生が実現可能となる。

　図２０に示すように、本実施形態のサーボパターン記録方法を用いて製造された磁気テープ１を備えたテープカートリッジ１０においては、磁気テープ１の磁性層４３は、２つのサーボリードヘッド１３２の配置間隔である第１のピッチＰ１よりも狭いサーボバンドピッチを有する第１の領域と、第１のピッチＰ１よりも広いサーボバンドピッチを有する第２の領域とを有する。第１の領域は、ＢＯＴ側の領域であり、第２の領域は、ＥＯＴ側の領域である。そして、磁性層４３のサーボバンドピッチは、ＢＯＴ側からＥＯＴ側に向かって漸次広くなる傾向にある。第１の領域と第２の領域との境界に位置するテープ長は、ＢＯＴから例えば２００ｍ以上４００ｍ以下であることが好ましく、図２０の例では、約３００ｍであった。

　なお、テープドライブ装置３０で測定される磁気テープ１のサーボバンドピッチは、サーボパターン６の記録時のテンションの大きさによっても変動し得る。例えば図２１に、サーボパターン記録時のテンション効果を示す実験結果を示す。図中ＴＡ３は、サーボパターン記録時の走行テンションが０．３Ｎである磁気テープの製作直後の測定値であり、ＴＡ４は、サーボパターン記録時の走行テンションが０．６Ｎである磁気テープの製作直後の測定値である。なお、テープドライブ装置３０によるサーボ信号再生時の走行テンションは、上述と同様に０．５５Ｎとした。

　図２１に示すように、データ記録再生時のテープテンションよりもサーボパターン記録時のテープテンションが低いほど、サーボバンドピッチは狭くなる。反対に、データ記録再生時のテープテンションよりもサーボパターン記録時のテープテンションが高い場合は、サーボバンドピッチは広がる方向に変化する（ＴＡ２及びＴＡ４の測定結果参照）。このことは、テープドライブ装置３０で測定される磁気テープ１のサーボバンドピッチは、サーボパターン記録装置１００におけるテープテンションによっても制御できることを示している。

　サーボパターン記録装置１００におけるテープテンションは、テープドライブ装置３０におけるテープテンション、データバンドの記録トラック幅Ｗｄなどに応じて任意に設定可能である。例えば、テープドライブ装置３０におけるテープテンションが０．５５Ｎ、記録トラック幅Ｗｄが２μｍ以下の場合、サーボ記録装置１００におけるテープテンションは、０．３Ｎ以上０．６Ｎ以下とすることができる。つまり、サーボパターン記録装置１００によるサーボパターン６の書き込み時のテープテンションを調整することでも、サーボバンドピッチを調整することができる。

　また、サーボライトヘッド１１３における磁気ギャップｇのパターンピッチ（第２のピッチＰ２）は、テープドライブ装置３０における２つのサーボリードヘッド１３２のピッチ（第１のピッチＰ１）よりも小さければその値は特に限定されず、磁気テープ１の種類（例えば基材４１の厚み）などによって任意に調整可能である。例えば、第２のピッチＰ２に対する第１のピッチの差分は、５μｍ以下である。より好ましくは、第１のピッチＰ１が２８５８．８μｍの場合、第２のピッチＰ２は、２８５４．２μｍ以上２８５８．７μｍ以下である。

　［サーボバンドピッチの測定方法］
　続いて、サーボバンドピッチの測定方法について説明する。

　（測定例１）
　磁気テープ１を、フェリコロイド現像液として、例えば、シグマハイケミカル社製現像液「シグマーカーＱ」等の磁性コロイド溶液を用いて現像し、隣接する２つのサーボバンドに記録されたサーボパターン６の現像パターンの中心位置の間隔を測定することで、サーボバンドピッチを算出する。

　（測定例２）
　テープドライブ装置３０を用いてサーボバンドピッチを測定することができる。ここでは図２２に示すように、サーボバンドｓ２とサーボバンドｓ３との間に挟まれたデータバンドｄ０をドライブヘッド３６がトラッキングする例について説明する。

　テープドライブ装置３０を用いたサーボバンドピッチの測定方法は、上述のように、テープドライブ装置３０によって磁気テープ１を走行させ、２つのサーボリードヘッド１３２の各サーボバンド上でのサーボトレースラインＴをそれぞれ測定し、測定した各サーボトレースラインＴのサーボパターン６に対する相対位置からサーボバンドピッチを測定する。図２２において実線で示すサーボトレースラインＴの間隔は、磁気テープ１の幅が変化していないときのサーボバンドピッチ（ドライブヘッド３６の２つのサーボリードヘッド１３２の配置間隔である第１のピッチＰ１）を示している。また、図２２において破線で示すサーボトレースラインＴの間隔は、磁気テープ１の幅が広がったときのサーボバンドピッチ（Ｐ２'）に相当する。

　図２３は、サーボトレースラインＴの測定方法を説明する図である。テープドライブ装置３０は、サーボパターン６に対するサーボトレースラインＴの位置に応じた波形のサーボ再生信号を出力する（図１９参照）。典型的には、互いに同種形状の傾斜パターンの配列体であるＡバーストおよびＣバースト間の距離ＡＣと、互いに異種形状の傾斜パターンの配列体であるＡバーストおよびＢバースト間の距離ＡＢとを算出し、下記［数１］式で各サーボリードヘッド１３２のサーボトレースラインＴの位置を測定する。なお、θは、図５における角度αに相当する上記各傾斜パターンのアジマス角であり、本例では、１２°とする。

　ここで、距離ＡＣは、ＡバーストおよびＣバーストの第１傾斜部同士の間の距離ＡＣ１でもよいし、それらの第２傾斜部同士の間の距離ＡＣ２でもよいし、それらの第３傾斜部同士の間の距離ＡＣ３でもよいし、それらの第４傾斜部同士の間の距離ＡＣ４でもよい。これらの距離ＡＣ（ＡＣ１～ＡＣ４）は、サーボ再生波形における振幅の正の最大値を示す位置（上ピーク位置）間の距離をいう。

　距離ＡＢについても同様に、ＡバーストおよびＢバーストの第１傾斜部同士の間の距離ＡＢ１でもよいし、それらの第２傾斜部同士の間の距離ＡＢ２でもよいし、それらの第３傾斜部同士の間の距離ＡＢ３でもよいし、それらの第４傾斜部同士の間の距離ＡＢ４でもよい。典型的には、距離ＡＣ１が採用される場合は距離ＡＢ１が採用され、距離ＡＣ２が採用される場合は距離ＡＢ２が採用され、距離ＡＣ３が採用される場合は距離ＡＢ３が採用され、距離ＡＣ４が採用される場合は距離ＡＢ４が採用される。

　そして、［数１］式を用いて算出された、距離ＡＢおよび距離ＡＣの割合から求められるサーボパターン上の各サーボトレースラインＴの位置を表す数値の差分から、サーボバンドピッチを求める。ここでは、測定する２つのサーボバンドのうち、テープエッジ側のサーボバンド（サーボバンドｓ３）の測定値からの、テープ中央側のサーボバンド（サーボバンドｓ２）の測定値の差分をとる。その値の正負は、テープ幅の変化の方向を意味し、正の場合はサーボバンドピッチが狭まったことに相当し、負の場合はサーボバンドピッチが広がったことに相当する。上記差分がゼロの場合は、テープ幅の変動が無いことを意味する。

　サーボバンドピッチは、多数のサーボフレームの差分から求めることが好ましく、例えば、１００～１０００００個のサーボフレームの差分から計算される測定値の平均値であってもよい。測定時におけるテープテンションは０．５５Ｎとし、磁気テープ１の全長にわたって一定のテンションで測定を行う。

　なお、サーボトレースラインＴの測定方法は上記の例に限られず、例えば、ＣバーストおよびＡバースト間の距離ＣＡと、ＣバーストおよびＤバースト間の距離ＣＤとを算出し、下記［数２］式でサーボトレースラインＴの位置を測定してもよい。

　ここで、距離ＣＡは、ＣバーストおよびＡバーストの第１傾斜部同士の間の距離ＣＡ１でもよいし、それらの第２傾斜部同士の間の距離ＣＡ２でもよいし、それらの第３傾斜部同士の間の距離ＣＡ３でもよいし、それらの第４傾斜部同士の間の距離ＣＡ４でもよい。これらの距離ＣＡ（ＣＡ１～ＣＡ４）は、サーボ再生波形における振幅の正の最大値を示す位置間の距離をいう。

　距離ＣＤについても同様に、ＣバーストおよびＤバーストの第１傾斜部同士の間の距離ＣＤ１でもよいし、それらの第２傾斜部同士の間の距離ＣＤ２でもよいし、それらの第３傾斜部同士の間の距離ＣＤ３でもよいし、それらの第４傾斜部同士の間の距離ＣＤ４でもよい。典型的には、距離ＣＡ１が採用される場合は距離ＣＤ１が採用され、距離ＣＡ２が採用される場合は距離ＣＤ２が採用され、距離ＣＡ３が採用される場合は距離ＣＤ３が採用され、距離ＣＡ４が採用される場合は距離ＣＤ４が採用される。

　さらに、サーボバンドピッチの測定値として、［数１］式を用いた測定値と［数２］式を用いた測定値との平均値が用いられてもよい。
　さらに、［数１］式における距離ＡＣ，ＡＢおよび［数２］式における距離ＣＡ，ＣＤとして、サーボ再生波形における振幅の負の最大値を示す位置（下ピーク位置）間の距離が採用されてもよい。
　あるいは、［数１］式における距離ＡＣ，ＡＢおよび［数２］式における距離ＣＡ，ＣＤとして、サーボ再生波形における振幅の正の最大値を示す位置（上ピーク位置）間の距離と負の最大値を示す位置（下ピーク位置）間の距離との平均値が採用されてもよい。

　図２２に示すように、サーボトレースラインＴが破線で示す位置にある場合、サーボバンドｓ２においては距離ＡＢが３８．５μｍ、距離ＡＣが７６μｍ、サーボバンドｓ３においては距離ＡＢが３７．５μｍ、距離ＡＣが７６μｍであるとする。
　サーボバンドｓ２においては、
　（３８．５／７６）×（７６／２ｔａｎ１２°）＝９０．５６４１［μｍ］
　サーボバンドｓ３においては、
　（３７．５／７６）×（７６／２ｔａｎ１２°）＝８８．２１１８［μｍ］
となる。これらの値の差分は、
　８８．２１１８－９０．５６４１＝－２．３５２３［μｍ］
となる。
　したがって、この場合におけるサーボバンドピッチは、サーボリードヘッド間の間隔である第１のピッチＰ１より、２．３５２３μｍだけ広い値として求められる。

　なお、図２２に示すように、サーボトレースラインＴが実線で示す位置にある場合、サーボバンドｓ２およびサーボバンドｓ３のいずれにおいても距離ＡＢが３８μｍ、距離ＡＣが７６μｍとなる。この場合、サーボバンドｓ２およびサーボバンドｓ３のいずれにおいてもサーボバンドピッチは８９．３８８０［μｍ］、それらの差分は０［μｍ］となる。

　本実施形態では、第１のピッチＰ１よりも狭い第２のピッチＰ２で配置された磁気ギャップｇを有するサーボライドヘッド１１３を用いて磁気テープ１にサーボパターン６が記録される。このようにして製造された磁気テープ１においては、隣接する２つのサーボバンド間の距離であるサーボパターンピッチが第１のピッチＰ１よりも狭い領域（第１の領域、図２０参照）を少なくとも一部に存在する。典型的には、当該第１の領域は、上述のようにＢＯＴ側の領域に偏って分布する。

　第１の領域におけるサーボパターンピッチと第１のピッチＰ１との差分は、例えば、０．１μｍ以上４．６μｍ以下であり、好ましくは、０．５μｍ以上４．６μｍ以下である。上記差分の下限値である０．１μｍは、例えば、第１のピッチＰ１および「ＥＣＭＡ－３１９規格」のセンター値である２８５８．８μｍより０．１μｍ狭いことを意味する。上記差分の上限値である４．６μｍは、例えば、「ＥＣＭＡ－３１９規格」の下限値である２８５４．２μｍを意味する。上記差分の下限値および上限値は、将来的な経時変化によるテープ上のサーボパターンピッチの広がりを補正する寸法となる。これにより、テープの全長にわたってドライブヘッド３６の安定したトラッキング制御が可能となり、所望とするデータの記録再生精度を確保することができる。

［磁気テープの詳細］
　続いて、磁気テープ１の詳細について説明する。

　磁気テープ１は長尺のテープ状を有し、記録再生の際には長手方向に走行される。なお、磁性層４３の表面が、図示しない記録再生装置が備える磁気ヘッドが走行される表面となる。磁気テープ１は、記録用ヘッドとしてリング型ヘッドを備える記録再生装置で用いられることが好ましい。磁気テープ１は、１５００ｎｍ以下または１０００ｎｍ以下のデータトラック幅でデータを記録可能に構成された記録再生装置に用いられることが好ましい。

（基材）
　図２に示すように、基材４１は、下地層４２および磁性層４３を支持する非磁性支持体である。基材４１は、長尺のフィルム状を有する。基材４１の平均厚みの上限値は、好ましくは４．２μｍ以下、より好ましくは４．０μｍ以下、さらに好ましくは３．８μｍ以下、最も好ましくは３．４μｍ以下である。基材４１の平均厚みの上限値が４．２μｍ以下であると、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を一般的な磁気テープよりも高めることができる。基材４１の平均厚みの下限値は、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは３．２μｍ以上である。基材４１の平均厚みの下限値が３μｍ以上であると、基材４１の強度低下を抑制することができる。

　基材４１の平均厚みは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気テープ１を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。続いて、サンプルの基材４１以外の層（すなわち下地層４２、磁性層４３およびバック層４４）をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプル（基材４１）の厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、基材４１の平均厚みを算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。

　基材４１は、ポリエステルを含むことが好ましい。基材４１がポリエステルを含むことで、基材４１の長手方向のヤング率を低減することができる。したがって、走行時における磁気テープ１の長手方向のテンションを記録再生装置により調整することで、磁気テープ１の幅を一定またはほぼ一定に保つことができる。基材４１の長手方向のヤング率は、例えば、５ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下であり、好ましくは２．５ＧＰａ以上７．８ＧＰａ以下、より好ましくは３．０ＧＰａ以上７．０ＧＰａ以下である。

　ポリエステルは、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ）、ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート（ＰＣＴ）、ポリエチレン－ｐ－オキシベンゾエート（ＰＥＢ）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの少なくとも１種を含む。基材４１が２種以上のポリエステルを含む場合、それらの２種以上のポリエステルは混合されていてもよいし、共重合されていてもよいし、積層されていてもよい。ポリエステルの末端および側鎖の少なくとも一方が変性されていてもよい。

　基材４１にポリエステルが含まれていることは、例えば、次のようにして確認される。まず、基材４１の平均厚みの測定方法と同様、磁気テープ１を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製した後、サンプルの基材４１以外の層を除去する。次に、赤外吸収分光法（Infrared Absorption Spectrometry：ＩＲ）によりサンプル（基材４１）のＩＲスペクトルを取得する。このＩＲスペクトルに基づき、基材４１にポリエステルが含まれていることを確認することができる。

　基材４１は、ポリエステル以外に、例えば、ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミドおよびポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）のうちの少なくとも１種を含んでいてもよいし、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、およびその他の高分子樹脂のうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。ポリアミドは、芳香族ポリアミド（アラミド）であってもよい。ポリイミドは、芳香族ポリイミドであってもよい。ポリアミドイミドは、芳香族ポリアミドイミドであってもよい。

　基材４１が、ポリエステル以外の高分子樹脂を含む場合、基材４１はポリエステルを主成分とすることが好ましい。ここで、主成分とは、基材４１に含まれる高分子樹脂のうち、最も含有量（質量比率）が多い成分を意味する。基材４１がポリエステル以外の高分子樹脂を含む場合、ポリエステルと、ポリエステル以外の高分子樹脂は、混合されていてもよいし、共重合されていてもよい。

　基材４１は、長手方向および幅方向に二軸延伸されていてもよい。基材４１に含まれる高分子樹脂は、基材４１の幅方向に対して斜め方向に配向されていることが好ましい。

（磁性層）
　磁性層４３は、信号を磁化パターンにより記録するための記録層である。磁性層４３は、垂直記録型の記録層であってもよいし、長手記録型の記録層であってもよい。磁性層４３は、例えば、磁性粉、結着剤および潤滑剤を含む。磁性層４３が、必要に応じて、帯電防止剤、研磨剤、硬化剤、防錆剤および非磁性補強粒子等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。磁性層４３は、磁性材料の塗布膜で構成される場合に限られず、磁性材料のスパッタ膜や蒸着膜で構成されてもよい。

　磁性層４３の表面の算術平均粗さＲａは、２．０ｎｍ以下、好ましくは１．８ｎｍ以下、より好ましくは１．６ｎｍ以下である。算術平均粗さＲａが２．０ｎｍ以下であると、スペーシングロスによる出力低下を抑制することができるため、優れた電磁変換特性を得ることができる。磁性層４３の表面の算術平均粗さＲａの下限値は、好ましくは１．０ｎｍ以上、より好ましくは１．２ｎｍ以上である。磁性層４３の表面の算術平均粗さＲａの下限値が１．０ｎｍ以上であると、摩擦の増大による走行性の低下を抑制することができる。

　算術平均粗さＲａは次のようにして求められる。まず、磁性層４３の表面をＡＦＭ（Atomic Force Microscope）により観察し、４０μｍ×４０μｍのＡＦＭ像を得る。ＡＦＭとしてはDigital Instruments社製、Nano Scope IIIa D3100を用い、カンチレバーとしてはシリコン単結晶製のものを用い(注１)、タッピング周波数として、２００～４００Ｈｚのチューニングにて測定を行う。次に、ＡＦＭ像を５１２×５１２（＝２６２、１４４）個の測定点に分割し、各測定点にて高さＺ（ｉ）（ｉ：測定点番号、ｉ＝１～２６２、１４４）を測定し、測定した各測定点の高さＺ（ｉ）を単純に平均（算術平均）して平均高さ（平均面）Ｚave（＝（Ｚ（１）＋Ｚ（２）＋・・・＋Ｚ（２６２、１４４））／２６２、１４４）を求める。続いて、各測定点での平均中心線からの偏差Ｚ"（ｉ）（＝Ｚ（ｉ）－Ｚave）を求め、算術平均粗さＲａ［ｎｍ］（＝（Ｚ"（１）＋Ｚ"（２）＋・・・＋Ｚ"（２６２、１４４））／２６２、１４４）を算出する。この際には、画像処理として、Flattenorder2、ならびに、planefit order 3 XYによりフィルタリング処理を行ったものをデータとして用いる。
(注１)Nano World社製SPMプローブNCH ノーマルタイプPointProbe L
(カンチレバー長)＝１２５μｍ

　磁性層４３の平均厚みｔ_mの上限値は、８０ｎｍ以下、好ましくは７０ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以下である。磁性層４３の平均厚みｔ_mの上限値が８０ｎｍ以下であると、記録ヘッドとしてはリング型ヘッドを用いた場合に、反磁界の影響を軽減できるため、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。

　磁性層４３の平均厚みｔ_mの下限値は、好ましくは３５ｎｍ以上である。磁性層４３の平均厚みｔ_mの下限値が３５ｎｍ以上であると、再生ヘッドとしてはＭＲ型ヘッドを用いた場合に、出力を確保できるため、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。

　磁性層４３の平均厚みｔ_mは以下のようにして求められる。まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープ１を巻き出し、最外周側の一端から１０ｍ、３０ｍ、５０ｍの３か所の位置でそれぞれ磁気テープ１を切り出し３つのサンプルを作製する。続いて、各サンプル（測定対象となる磁気テープ１）をＦＩＢ法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン層およびタングステン層を形成する。当該カーボン層は蒸着法により磁気テープ１の磁性層４３側の表面およびバック層４４側の表面に形成され、そして、当該タングステン層は蒸着法またはスパッタリング法により磁性層４３側の表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気テープ１の長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気テープ１の長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

　得られた薄片化サンプルの上記断面を、透過型電子顕微鏡（TransmissionElectron Microscope：ＴＥＭ）により、下記の条件で観察し、各薄片化サンプルのＴＥＭ像を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率および加速電圧は適宜調整されてよい。
装置：ＴＥＭ（日立製作所製Ｈ９０００ＮＡＲ）
加速電圧：３００ｋＶ
倍率：１００、０００倍

　次に、得られた各薄片化サンプルのＴＥＭ像を用い、各薄片化サンプルの１０点以上の位置で磁性層４３の厚みを測定する。なお、上記のように薄片化は磁気テープ１の長手方向に沿って行われるため、各薄片化サンプルの１０点の測定位置は、磁気テープ１の長手方向においてそれぞれ異なる位置となるように試験片から無作為に選ばれる。得られた各薄片化サンプルの測定値（合計で３０点の磁性層４３の厚み）を単純に平均（算術平均）して得られた平均値を磁性層４３の平均厚みｔ_m［ｎｍ］とする。

　（磁性粉）
　磁性粉は、複数の磁性粒子を含む。磁性粒子は、例えば、六方晶フェライトを含む粒子（以下「六方晶フェライト粒子」という。）、イプシロン型酸化鉄（ε酸化鉄）を含む粒子（以下「ε酸化鉄粒子」という。）またはＣｏ含有スピネルフェライトを含む粒子（以下「コバルトフェライト粒子」という。）である。磁性粉は、磁気テープ１の厚み方向（垂直方向）に優先的に結晶配向していることが好ましい。

　（六方晶フェライト粒子）
　六方晶フェライト粒子は、例えば、六角板状等の板状または六角柱状等の柱状（但し、厚さまたは高さが板面または底面の長径より小さい。）を有する。本明細書において、六角坂状は、ほぼ六角坂状を含むものとする。六方晶フェライトは、好ましくはＢａ、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種、より好ましくはＢａおよびＳｒのうちの少なくとも１種を含む。六方晶フェライトは、具体的には例えばバリウムフェライトまたはストロンチウムフェライトであってもよい。バリウムフェライトは、Ｂａ以外にＳｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。ストロンチウムフェライトは、Ｓｒ以外にＢａ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。

　より具体的には、六方晶フェライトは、一般式ＭＦｅ₁₂Ｏ₁₉で表される平均組成を有する。但し、Ｍは、例えばＢａ、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種の金属、好ましくはＢａおよびＳｒのうちの少なくとも１種の金属である。Ｍが、Ｂａと、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。また、Ｍが、Ｓｒと、Ｂａ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。上記一般式においてＦｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。

　磁性粉が六方晶フェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは１３ｎｍ以上２２ｎｍ以下、より好ましくは１３ｎｍ以上１９ｎｍ以下、さらにより好ましくは１３ｎｍ以上１８ｎｍ以下、特に好ましくは１４ｎｍ以上１７ｎｍ以下、最も好ましくは１４ｎｍ以上１６ｎｍ以下である。磁性粉の平均粒子サイズが２２ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気テープ１において、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが１３ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

　磁性粉が六方晶フェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比は、好ましくは１．０以上３．０以下、より好ましくは１．５以上２．８以下、さらにより好ましくは１．８以上２．７以下である。磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上３．０以下の範囲内であると、磁性粉の凝集を抑制することができる。また、磁性層４３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粉の垂直配向性を向上することができる。

　磁性粉が六方晶フェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は以下のようにして求められる。まず、測定対象となる磁気テープ１をＦＩＢ法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン層およびタングステン層を形成する。当該カーボン層は蒸着法により磁気テープ１の磁性層４３側の表面およびバック層４４側の表面に形成され、そして、当該タングステン層は蒸着法またはスパッタリング法により磁性層４３側の表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気テープ１の長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気テープ１の長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

　得られた薄片サンプルの上記断面を、透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500、000倍で磁性層４３の厚み方向に対して磁性層４３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を撮影する。ＴＥＭ写真は、下記で示す板径ＤＢおよび板厚ＤＡ（図２４参照）を測定できる粒子を５０個抽出できる枚数準備する。

　本明細書では、六方晶フェライトの粒子のサイズ（以下、「粒子サイズ」という。）は、上記のＴＥＭ写真において観察される粒子の形状が、図２４に示すように、板状または柱状（但し、厚さまたは高さが板面または底面の長径より小さい。）である場合には、その板面または底面の長径を板径ＤＢの値とする。上記のＴＥＭ写真において観察される粒子の厚さまたは高さを板厚ＤＡの値とする。ＴＥＭ写真において観察される粒子の板面または底面が六角形状である場合には、長径は、最長の対角距離を意味する。一粒子内にて粒子の厚さまたは高さが一定でない場合には、最大の粒子の厚さまたは高さを板厚ＤＡとする。

　次に、撮影したＴＥＭ写真から抽出する５０個の粒子を、下記の基準に基づき選び出す。粒子の一部がＴＥＭ写真の視野の外にはみだしている粒子は測定せず、輪郭がはっきりしており、孤立して存在している粒子を測定する。粒子同士に重なりがある場合は、両者の境界が明瞭で、粒子全体の形状も判断可能な粒子は、それぞれの粒子を単独粒子として測定するが、境界がはっきりせず、粒子の全形も判らない粒子は、粒子の形状が判断できないものとして測定しない。

　選択された５０個の粒子それぞれの板厚ＤＡを測定する。このようにして求めた板厚ＤＡを単純に平均（算術平均）して平均板厚ＤＡ_ａｖｅを求める。平均板厚ＤＡ_ａｖｅが平均粒子板厚である。続いて、各磁性粉の板径ＤＢを測定する。粒子の板径ＤＢを測定するために、撮影したＴＥＭ写真から、粒子の板径ＤＢを明らかに確認できる粒子を５０個選び出す。選択された５０個の粒子それぞれの板径ＤＢを測定する。このようにして求めた板径ＤＢを単純平均（算術平均）して平均板径ＤＢ_ａｖｅを求める。平均板径ＤＢ_ａｖｅが、平均粒子サイズである。そして、平均板厚ＤＡ_ａｖｅおよび平均板径ＤＢ_ａｖｅから粒子の平均アスペクト比（ＤＢ_ａｖｅ／ＤＡ_ａｖｅ）を求める。

　磁性粉が六方晶フェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５００ｎｍ^３以上２５００ｎｍ^３以下、より好ましくは５００ｎｍ^３以上１６００ｎｍ^３以下、さらに好ましくは５００ｎｍ^３以上１５００ｎｍ^３以下、特に好ましくは６００ｎｍ^３以上１２００ｎｍ^３以下、最も好ましくは６００ｎｍ^３以上１０００ｎｍ^３以下である。磁性粉の平均粒子体積が２５００ｎｍ^３以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを２２ｎｍ以下とする場合と同様の効果が得られる。一方、磁性粉の平均粒子体積が５００ｎｍ^３以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを１３ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。

　磁性粉の平均粒子体積は以下のようにして求められる。まず、上記の磁性粉の平均粒子サイズの算出方法に関して述べた通り、平均長軸長ＤＡ_aveおよび平均板径ＤＢ_aveを求める。次に、以下の式により、磁性粉の平均体積Ｖを求める。

　（ε酸化鉄粒子）
　ε酸化鉄粒子は、微粒子でも高保磁力を得ることができる硬磁性粒子である。ε酸化鉄粒子は、球状を有しているか、または立方体状を有している。本明細書において、球状は、ほぼ球状を含むものとする。また、立方体状には、ほぼ立方体状を含むものとする。ε酸化鉄粒子が上記のような形状を有しているため、磁性粒子としてε酸化鉄粒子を用いた場合、磁性粒子として六角板状のバリウムフェライト粒子を用いた場合に比べて、磁気テープ１の厚み方向における粒子同士の接触面積を低減し、粒子同士の凝集を抑制することができる。したがって、磁性粉の分散性を高め、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

　ε酸化鉄粒子は、コアシェル型構造を有する。具体的には、ε酸化鉄粒子は、コア部と、このコア部の周囲に設けられた２層構造のシェル部とを備える。２層構造のシェル部は、コア部上に設けられた第１シェル部と、第１シェル部上に設けられた第２シェル部とを備える。

　コア部は、ε酸化鉄を含む。コア部に含まれるε酸化鉄は、ε－Ｆｅ₂Ｏ₃結晶を主相とするものが好ましく、単相のε－Ｆｅ₂Ｏ₃からなるものがより好ましい。

　第１シェル部は、コア部の周囲のうちの少なくとも一部を覆っている。具体的には、第１シェル部は、コア部の周囲を部分的に覆っていてもよいし、コア部の周囲全体を覆っていてもよい。コア部と第１シェル部の交換結合を十分なものとし、磁気特性を向上する観点からすると、コア部の表面全体を覆っていることが好ましい。

　第１シェル部は、いわゆる軟磁性層であり、例えば、α－Ｆｅ、Ｎｉ－Ｆｅ合金またはＦｅ－Ｓｉ－Ａｌ合金等の軟磁性体を含む。α－Ｆｅは、コア部に含まれるε酸化鉄を還元することにより得られるものであってもよい。

　第２シェル部は、酸化防止層としての酸化被膜である。第２シェル部は、α酸化鉄、酸化アルミニウムまたは酸化ケイ素を含む。α酸化鉄は、例えばＦｅ₃Ｏ₄、Ｆｅ₂Ｏ₃およびＦｅＯのうちの少なくとも１種の酸化鉄を含む。第１シェル部がα－Ｆｅ（軟磁性体）を含む場合には、α酸化鉄は、第１シェル部に含まれるα－Ｆｅを酸化することにより得られるものであってもよい。

　ε酸化鉄粒子が、上述のように第１シェル部を有することで、熱安定性を確保するためにコア部単体の保磁力Ｈｃを大きな値に保ちつつ、ε酸化鉄粒子（コアシェル粒子）全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できる。また、ε酸化鉄粒子が、上述のように第２シェル部を有することで、磁気テープ１の製造工程およびその工程前において、ε酸化鉄粒子が空気中に暴露されて、粒子表面に錆び等が発生することにより、ε酸化鉄粒子の特性が低下することを抑制することができる。したがって、磁気テープ１の特性劣化を抑制することができる。

　ε酸化鉄粒子が単層構造のシェル部を有していてもよい。この場合、シェル部は、第１シェル部と同様の構成を有する。但し、ε酸化鉄粒子の特性劣化を抑制する観点からすると、上述したように、ε酸化鉄粒子が２層構造のシェル部を有していることが好ましい。

　ε酸化鉄粒子が、上記コアシェル構造に代えて添加剤を含んでいてもよいし、コアシェル構造を有すると共に添加剤を含んでいてもよい。この場合、ε酸化鉄粒子のＦｅの一部が添加剤で置換される。ε酸化鉄粒子が添加剤を含むことによっても、ε酸化鉄粒子全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できるため、記録容易性を向上することができる。添加剤は、鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうちの少なくとも１種、さらにより好ましくはＡｌおよびＧａのうちの少なくとも１種である。

　具体的には、添加剤を含むε酸化鉄は、ε－Ｆｅ_2-xＭ_xＯ₃結晶（但し、Ｍは鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうちの少なくとも１種、さらにより好ましくはＡｌおよびＧａのうちの少なくとも１種である。ｘは、例えば０＜ｘ＜１である。）である。

　磁性粉がε酸化鉄粒子を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上１８ｎｍ以下、さらにより好ましくは１０ｎｍ以上１６ｎｍ以下、特に好ましくは１０ｎｍ以上１５ｎｍ以下、最も好ましくは１０ｎｍ以上１４ｎｍ以下である。磁気テープ１では、記録波長の１／２のサイズの領域が実際の磁化領域となる。このため、磁性粉の平均粒子サイズを最短記録波長の半分以下に設定することで、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。したがって、磁性粉の平均粒子サイズが２０ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気テープ１（例えば４０ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成された磁気テープ１）において、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが１０ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

　磁性粉がε酸化鉄粒子を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比は、好ましくは１．０以上３．０以下、より好ましくは１．０以上２．５以下、さらにより好ましくは１．０以上２．１以下、特に好ましくは１．０以上１．８以下である。磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上３．０以下の範囲内であると、磁性粉の凝集を抑制することができる。また、磁性層４３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粉の垂直配向性を向上することができる。

　磁性粉がε酸化鉄粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は、以下のようにして求められる。まず、測定対象となる磁気テープ１をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護層としてカーボン層およびタングステン層を形成する。当該カーボン層は蒸着法により磁気テープ１の磁性層４３側の表面およびバック層４４側の表面に形成され、そして、当該タングステン層は蒸着法またはスパッタリング法により磁性層４３側の表面にさらに形成される。薄片化は磁気テープ１の長さ方向（長手方向）に沿うかたちで行って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気テープ１の長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

　得られた薄片サンプルの上記断面を、透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500、000倍で磁性層４３の厚み方向に対して磁性層４３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、粒子の形状を明らかに確認することができる５０個の粒子を選び出し、各粒子の長軸長ＤＬと短軸長ＤＳを測定する。ここで、長軸長ＤＬとは、各粒子の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のもの（いわゆる最大フェレ径）を意味する。一方、短軸長ＤＳとは、粒子の長軸（ＤＬ）と直交する方向における粒子の長さのうち最大のものを意味する。続いて、測定した５０個の粒子の長軸長ＤＬを単純に平均（算術平均）して平均長軸長ＤＬ_aveを求める。このようにして求めた平均長軸長ＤＬ_aveを磁性粉の平均粒子サイズとする。また、測定した５０個の粒子の短軸長ＤＳを単純に平均（算術平均）して平均短軸長ＤＳ_aveを求める。そして、平均長軸長ＤＬ_aveおよび平均短軸長ＤＳ_aveから粒子の平均アスペクト比（ＤＬ_ave／ＤＳ_ave）を求める。

　磁性粉がε酸化鉄粒子を含む場合、磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５００ｎｍ^３以上４０００ｎｍ^３以下、より好ましくは５００ｎｍ^３以上３０００ｎｍ^３以下、さらにより好ましくは５００ｎｍ^３以上２０００ｎｍ^３以下、特に好ましくは６００ｎｍ^３以上１６００ｎｍ^３以下、最も好ましくは６００ｎｍ^３以上１３００ｎｍ^３以下である。一般的に磁気テープ１のノイズは粒子個数の平方根に反比例（すなわち粒子体積の平方根に比例）するため、粒子体積をより小さくすることで、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。したがって、磁性粉の平均粒子体積が４０００ｎｍ^３以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを２０ｎｍ以下とする場合と同様に、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子体積が５００ｎｍ^３以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを１０ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。

　ε酸化鉄粒子が球状を有している場合には、磁性粉の平均粒子体積は以下のようにして求められる。まず、上記の磁性粉の平均粒子サイズの算出方法と同様にして、平均長軸長ＤＬ_aveを求める。次に、以下の式により、磁性粉の平均体積Ｖを求める。
Ｖ＝（π/６）×ＤＬ_ave ³

　ε酸化鉄粒子が立方体状を有している場合、磁性粉の平均体積は以下のようにして求められる。磁気テープ１をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜およびタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気テープ１の磁性層４３側の表面およびバック層４４側の表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法またはスパッタリング法により磁性層４３側の表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気テープ１の長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気テープ１の長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

　得られた薄片サンプルを透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500、000倍で磁性層４３の厚み方向に対して磁性層４３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率および加速電圧は適宜調整されてよい。次に、撮影したＴＥＭ写真から粒子の形状が明らかである５０個の粒子を選び出し、各粒子の辺の長さＤＣを測定する。続いて、測定した５０個の粒子の辺の長さＤＣを単純に平均（算術平均）して平均辺長ＤＣ_aveを求める。次に、平均辺長ＤＣ_aveを用いて以下の式から磁性粉の平均体積Ｖ_ave（粒子体積）を求める。
Ｖ_ave＝ＤＣ_ave ³

　（コバルトフェライト粒子）
　コバルトフェライト粒子は、一軸結晶異方性を有することが好ましい。コバルトフェライト粒子が一軸結晶異方性を有することで、磁性粉を磁気テープ１の厚み方向（垂直方向）に優先的に結晶配向させることができる。コバルトフェライト粒子は、例えば、立方体状を有している。本明細書において、立方体状は、ほぼ立方体状を含むものとする。Ｃｏ含有スピネルフェライトが、Ｃｏ以外にＮｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。

　Ｃｏ含有スピネルフェライトは、例えば以下の式で表される平均組成を有する。
　Ｃｏ_xＭ_yＦｅ₂Ｏ_Z
（但し、式中、Ｍは、例えば、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎのうちの少なくとも１種の金属である。ｘは、０．４≦ｘ≦１．０の範囲内の値である。ｙは、０≦ｙ≦０．３の範囲内の値である。但し、ｘ、ｙは（ｘ＋ｙ）≦１．０の関係を満たす。ｚは３≦ｚ≦４の範囲内の値である。Ｆｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。）

　磁性粉がコバルトフェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは８ｎｍ以上１６ｎｍ以下、より好ましくは８ｎｍ以上１３ｎｍ以下、さらにより好ましくは８ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。磁性粉の平均粒子サイズが１６ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気テープ１において、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが８ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。磁性粉の平均粒子サイズの算出方法は、磁性粉がε酸化鉄粒子粉を含む場合における磁性粉の平均粒子サイズの算出方法と同様である。

　磁性粉がコバルトフェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比が、好ましくは１．０以上３．０以下、より好ましくは１．０以上２．５以下、さらにより好ましくは１．０以上２．１以下、特に好ましくは１．０以上１．８以下である。磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上３．０以下の範囲内であると、磁性粉の凝集を抑制することができる。また、磁性層４３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粉の垂直配向性を向上することができる。磁性粉の平均アスペクト比の算出方法は、磁性粉がε酸化鉄粒子粉を含む場合における磁性粉の平均アスペクト比の算出方法と同様である。

　磁性粉がコバルトフェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５００ｎｍ^３以上４０００ｎｍ^３以下、より好ましくは６００ｎｍ^３以上２０００ｎｍ^３以下、さらにより好ましくは６００ｎｍ^３以上１０００ｎｍ^３以下である。磁性粉の平均粒子体積が４０００ｎｍ^３以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを１６ｎｍ以下とする場合と同様の効果が得られる。一方、磁性粉の平均粒子体積が５００ｎｍ^３以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを８ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。磁性分の平均粒子体積の算出方法は、ε酸化鉄粒子が立方体状を有している場合の平均粒子体積の算出方法と同様である。

　（結着剤）
　結着剤としては、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、反応型樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、塩化ビニル、酢酸ビニル、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、アクリル酸エステル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－塩化ビニル共重合体、メタクリル酸エステル－エチレン共重合体、ポリフッ化ビニル、塩化ビニリデン－アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル－ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース）、スチレンブタジエン共重合体、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、合成ゴム等が挙げられる。

　熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン硬化型樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミン樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂等が挙げられる。

　上記の全ての結着剤には、磁性粉の分散性を向上させる目的で、－ＳＯ₃Ｍ、－ＯＳＯ₃Ｍ、－ＣＯＯＭ、Ｐ＝Ｏ（ＯＭ）₂（但し、式中Ｍは水素原子またはリチウム、カリウム、ナトリウム等のアルカリ金属を表す）や、－ＮＲ１Ｒ２、－ＮＲ１Ｒ２Ｒ３⁺Ｘ^-で表される末端基を有する側鎖型アミン、＞ＮＲ１Ｒ２⁺Ｘ^-で表される主鎖型アミン（但し、式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は水素原子または炭化水素基を表し、Ｘ^-はフッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン元素イオン、無機イオンまたは有機イオンを表す。）、さらに－ＯＨ、－ＳＨ、－ＣＮ、エポキシ基等の極性官能基が導入されていてもよい。これら極性官能基の結着剤への導入量は、１０^-1～１０^-8モル／ｇであるのが好ましく、１０^-2～１０^-6モル／ｇであるのがより好ましい。

　（潤滑剤）
　潤滑剤は、例えば脂肪酸および脂肪酸エステルから選ばれる少なくとも１種、好ましくは脂肪酸および脂肪酸エステルの両方を含む。磁性層４３が潤滑剤を含むことが、特には磁性層４３が脂肪酸および脂肪酸エステルの両方を含むことが、磁気テープ１の走行安定性の向上に貢献する。より特には、磁性層４３が潤滑剤を含み且つ細孔を有することによって、良好な走行安定性が達成される。当該走行安定性の向上は、磁気テープ１の磁性層４３側表面の動摩擦係数が上記潤滑剤により、磁気テープ１の走行に適した値へ調整されるためと考えられる。

　脂肪酸は、好ましくは下記の一般式（１）または（２）により示される化合物であってよい。例えば、脂肪酸として下記の一般式（１）により示される化合物および一般式（２）により示される化合物の一方が含まれていてよく、または両方が含まれていてもよい。

　また、脂肪酸エステルは、好ましくは下記一般式（３）または（４）により示される化合物であってよい。例えば、脂肪酸エステルとして下記の一般式（３）により示される化合物および一般式（４）により示される化合物の一方が含まれていてよく、または両方が含まれていてもよい。

　潤滑剤が、一般式（１）に示される化合物および一般式（２）に示される化合物のいずれか一方若しくは両方と、一般式（３）に示される化合物および一般式（４）に示される化合物のいずれか一方若しくは両方と、を含むことによって、磁気テープ１を繰り返しの記録または再生による動摩擦係数の増加を抑制することができる。

　　ＣＨ₃（ＣＨ₂）_kＣＯＯＨ・・・（１）
（但し、一般式（１）において、ｋは１４以上２２以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）

　　ＣＨ₃（ＣＨ₂）_nＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ₂）_mＣＯＯＨ・・・（２）
（但し、一般式（２）において、ｎとｍとの和は１２以上２０以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）

　　ＣＨ₃（ＣＨ₂）_pＣＯＯ（ＣＨ₂）_qＣＨ₃・・・（３）
（但し、一般式（３）において、ｐは１４以上２２以下、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数であり、且つ、ｑは２以上５以下の範囲、より好ましくは２以上４以下の範囲から選ばれる整数である。）

　ＣＨ₃（ＣＨ₂）_rＣＯＯ－（ＣＨ₂）_sＣＨ（ＣＨ₃）₂ ・・・（４）
（但し、一般式（４）において、ｒは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数であり、ｓは１以上３以下の範囲から選ばれる整数である。）

　（帯電防止剤）
　帯電防止剤としては、例えば、カーボンブラック、天然界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤等が挙げられる。

　（研磨剤）
　研磨剤としては、例えば、α化率９０％以上のα－アルミナ、β－アルミナ、γ－アルミナ、炭化ケイ素、酸化クロム、酸化セリウム、α－酸化鉄、コランダム、窒化珪素、チタンカ－バイト、酸化チタン、二酸化珪素、酸化スズ、酸化マグネシウム、酸化タングステン、酸化ジルコニウム、窒化ホウ素、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、２硫化モリブデン、磁性酸化鉄の原料を脱水、アニール処理した針状α酸化鉄、必要によりそれらをアルミおよび／またはシリカで表面処理したもの等が挙げられる。

　（硬化剤）
　硬化剤としては、例えば、ポリイソシアネート等が挙げられる。ポリイソシアネートとしては、例えば、トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）と活性水素化合物との付加体等の芳香族ポリイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＭＤＩ）と活性水素化合物との付加体等の脂肪族ポリイソシアネート等が挙げられる。これらポリイソシアネートの重量平均分子量は、１００～３０００の範囲であることが望ましい。

　（防錆剤）
　防錆剤としては、例えばフェノール類、ナフトール類、キノン類、窒素原子を含む複素環化合物、酸素原子を含む複素環化合物、硫黄原子を含む複素環化合物等が挙げられる。

　（非磁性補強粒子）
　非磁性補強粒子として、例えば、酸化アルミニウム（α、βまたはγアルミナ）、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン（ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン）等が挙げられる。

（下地層）
　下地層４２は、基材４１の表面の凹凸を緩和し、磁性層４３の表面の凹凸を調整するためのものである。下地層４２は、非磁性粉、結着剤および潤滑剤を含む非磁性層である。下地層４２は、磁性層４３の表面に潤滑剤を供給する。下地層４２が、必要に応じて、帯電防止剤、硬化剤および防錆剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。

　下地層４２の平均厚みｔ_２は、好ましくは０．３μｍ以上１．２μｍ以下、より好ましくは０．３μｍ以上０．９μｍ以下、０．３μｍ以上０．６μｍ以下である。なお、下地層４２の平均厚みｔ_２は、磁性層４３の平均厚みｔ_１と同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、下地層４２の厚みに応じて適宜調整される。下地層４２の平均厚みｔ_２が１．２μｍ以下であると、外力による磁気テープ１の伸縮性がさらに高くなるため、テンション調整による磁気テープ１の幅の調整がさらに容易となる。

　（非磁性粉）
　非磁性粉は、例えば無機粒子粉または有機粒子粉の少なくとも１種を含む。また、非磁性粉は、カーボンブラック等の炭素粉を含んでいてもよい。なお、１種の非磁性粉を単独で用いてもよいし、２種以上の非磁性粉を組み合わせて用いてもよい。無機粒子は、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物または金属硫化物等を含む。非磁性粉の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状、板状等の各種形状が挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。

　（結着剤、潤滑剤）
　結着剤および潤滑剤は、上述の磁性層４３と同様である。

　（添加剤）
　帯電防止剤、硬化剤および防錆剤はそれぞれ、上述の磁性層４３と同様である。

（バック層）
　バック層４４は、結着剤および非磁性粉を含む。バック層４４が、必要に応じて潤滑剤、硬化剤および帯電防止剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。結着剤および非磁性粉は、上述の下地層４２と同様である。

　非磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、より好ましくは１５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。非磁性粉の平均粒子サイズは、上記の磁性粉の平均粒子サイズと同様にして求められる。非磁性粉が、２以上の粒度分布を有する非磁性粉を含んでいてもよい。

　バック層４４の平均厚みの上限値は、好ましくは０．６μｍ以下である。バック層４４の平均厚みの上限値が０．６μｍ以下であると、磁気テープ１の平均厚みが５．６μｍ以下である場合でも、下地層４２や基材４１の厚みを厚く保つことができるので、磁気テープ１の記録再生装置内での走行安定性を保つことができる。バック層４４の平均厚みの下限値は特に限定されるものではないが、例えば０．２μｍ以上である。

　バック層４４の平均厚みｔ_bは以下のようにして求められる。まず、磁気テープ１の平均厚みｔ_Tを測定する。平均厚みｔ_Tの測定方法は、以下の「磁気テープの平均厚み」に記載されている通りである。続いて、サンプルのバック層４４をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、Mitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプルの厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、平均値ｔ_B［μｍ］を算出する。その後、以下の式よりバック層４４の平均厚みｔ_b［μｍ］を求める。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。
　ｔ_b［μｍ］＝ｔ_T［μｍ］－ｔ_B［μｍ］

　バック層４４は、多数の突部が設けられた表面を有している。多数の突部は、磁気テープ１をロール状に巻き取った状態において、磁性層４３の表面に多数の孔部を形成するためのものである。多数の孔部は、例えば、バック層４４の表面から突出された多数の非磁性粒子により構成されている。

（磁気テープの平均厚み）
　磁気テープ１の平均厚み（平均全厚）ｔ_Tの上限値が、５．６μｍ以下、好ましくは５．０μｍ以下、より好ましくは４．６μｍ以下、さらにより好ましくは４．４μｍ以下である。磁気テープ１の平均厚みｔ_Tが５．６μｍ以下であると、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を一般的な磁気テープよりも高めることができる。磁気テープ１の平均厚みｔ_Tの下限値は特に限定されるものではないが、例えば３．５μｍ以上である。

　磁気テープ１の平均厚みｔ_Tは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気テープ１を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプルの厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、平均値ｔ_T［μｍ］を算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。

（保磁力Ｈｃ）
　磁気テープ１の長手方向における磁性層４３の保磁力Ｈｃ２の上限値が、好ましくは２０００Ｏｅ以下、より好ましくは１９００Ｏｅ以下、さらにより好ましくは１８００Ｏｅ以下である。長手方向における磁性層４３の保磁力Ｈｃ２が２０００Ｏｅ以下であると、高記録密度であっても十分な電磁変換特性を有することができる。

　磁気テープ１の長手方向に測定した磁性層４３の保磁力Ｈｃ２の下限値が、好ましくは１０００Ｏｅ以上である。長手方向に測定した磁性層４３の保磁力Ｈｃ２が１０００Ｏｅ以上であると、記録ヘッドからの漏れ磁束による減磁を抑制することができる。

　上記の保磁力Ｈｃ２は以下のようにして求められる。まず、カートリッジに収容された磁気テープ１を巻き出し、最外周側の一端から３０ｍの位置で磁気テープ1を切り出し、磁気テープ１の長手方向の向きが同じになるように、両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、測定サンプルが作製される。この際に、磁気テープ１の長手方向（走行方向）が認識できるように、磁性を持たない任意のインクでマーキングを行う。そして、振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて磁気テープ１の長手方向（走行方向）に対応する測定サンプル（磁気テープ１全体）のＭ－Ｈループが測定される。次に、上記で切り出した磁気テープ１の塗膜（下地層４２、磁性層４３およびバック層４４等）を、アセトンまたはエタノール等を用いて払拭し、基材４１のみを残す。そして、得られた基材４１が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、バックグラウンド補正用のサンプル（以下、単に「補正用サンプル」）が作製される。その後、ＶＳＭを用いて基材４１の垂直方向（磁気テープ１の垂直方向）に対応する補正用サンプル（基材４１）のＭ－Ｈループが測定される。

　測定サンプル（磁気テープ１の全体）のＭ－Ｈループ、補正用サンプル（基材４１）のＭ－Ｈループの測定においては、東英工業社製の高感度振動試料型磁力計「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」が用いられる。測定条件は、測定モード：フルループ、最大磁界：１５ｋＯｅ、磁界ステップ：４０ｂｉｔ、Time constant of Locking amp：０．３ｓｅｃ、Waiting time：１ｓｅｃ、ＭＨ平均数：２０とされる。

　測定サンプル（磁気テープ１の全体）のＭ－Ｈループおよび補正用サンプル（基材４１）のＭ－Ｈループが得られた後、測定サンプル（磁気テープ１の全体）のＭ－Ｈループから補正用サンプル（基材４１）のＭ－Ｈループが差し引かれることで、バックグラウンド補正が行われ、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループが得られる。このバックグラウンド補正の計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。得られたバックグラウンド補正後のＭ－Ｈループから保磁力Ｈｃ２が求められる。なお、この計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。なお、上記のＭ－Ｈループの測定はいずれも、２５℃±２℃、５０％ＲＨ±５％ＲＨにて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気テープ１の長手方向に測定する際の"反磁界補正"は行わないものとする。

（角形比）
　磁気テープ１の垂直方向（厚み方向）における磁性層４３の角形比Ｓ１が、好ましくは６５％以上、より好ましくは７０％以上、さらにより好ましくは７５％以上、特に好ましくは８０％以上、最も好ましくは８５％以上である。角形比Ｓ１が６５％以上であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

　垂直方向における角形比Ｓ１は以下のようにして求められる。まず、カートリッジに収容された磁気テープ１を巻き出し、最外周側の一端から３０ｍの位置で磁気テープ1を切り出し、磁気テープ１の長手方向の向きが同じになるように、両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、測定サンプルが作製される。この際に、磁気テープ１の長手方向（走行方向）が認識できるように、磁性を持たない任意のインクでマーキングを行う。そして、振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて磁気テープ１の長手方向（走行方向）に対応する測定サンプル（磁気テープ１全体）のＭ－Ｈループが測定される。次に、上記で切り出した磁気テープ１の塗膜（下地層４２、磁性層４３およびバック層４４等）を、アセトンまたはエタノール等を用いて払拭し、基材４１のみを残す。そして、得られた基材４１が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、バックグラウンド補正用のサンプル（以下、単に「補正用サンプル」）が作製される。その後、ＶＳＭを用いて基材４１の垂直方向（磁気テープ１の垂直方向）に対応する補正用サンプル（基材４１）のＭ－Ｈループが測定される。

　測定サンプル（磁気テープ１の全体）のＭ－Ｈループおよび補正用サンプル（基材４１）のＭ－Ｈループが得られた後、測定サンプル（磁気テープ１の全体）のＭ－Ｈループから補正用サンプル（基材４１）のＭ－Ｈループが差し引かれることで、バックグラウンド補正が行われ、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループが得られる。このバックグラウンド補正の計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。

　得られたバックグラウンド補正後のＭ－Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）および残留磁化Ｍｒ（ｅｍｕ）が以下の式に代入されて、角形比Ｓ１（％）が計算される。なお、上記のＭ－Ｈループの測定はいずれも、２５℃±２℃、５０％ＲＨ±５％ＲＨにて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気テープ１の垂直方向に測定する際の"反磁界補正"は行わないものとする。なお、この計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられ
る。
　角形比Ｓ１（％）＝（Ｍｒ／Ｍｓ）×１００

　磁気テープ１の長手方向（走行方向）における磁性層４３の角形比Ｓ２が、好ましくは３５％以下、より好ましくは３０％以下、さらにより好ましくは２５％以下、特に好ましくは２０％以下、最も好ましくは１５％以下である。角形比Ｓ２が３５％以下であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

　長手方向における角形比Ｓ２は、Ｍ－Ｈループを磁気テープ１および基材４１の長手方向（走行方向）に測定すること以外は角形比Ｓ１と同様にして求められる。

（バック面の表面粗度Ｒb）
　バック面の表面粗度（バック層４４の表面粗度）Ｒ_bが、Ｒ_b≦６．０［ｎｍ］であることが好ましい。バック面の表面粗度Ｒ_bが上記範囲であると、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。

［変形例］
　以上の実施形態では、サーボパターン６を構成するサーボフレームＳＦの方位角傾斜（アジマス角）を１２°としたが、これに限られず、例えば１１°以上３６°以下、好ましくは、１１°以上２６°以下とすることができる。また、上記方位角傾斜を「／」及び「＼」の２種類としたが、これらとは傾斜角が異なる方位角傾斜がサーボパターンにさらに含まれてもよい。

　また、以上の実施形態では、テープ状磁気記録媒体として、ＬＴＯ規格に準拠した磁気テープを例に挙げて説明したが、他の規格の磁気テープにも同様に適用可能である。

　なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
（１）　磁気テープの磁性層の幅方向に間隔をおいて配列された複数のサーボバンドにサーボパターンを記録する方法であって、
　前記磁気テープを所定のテンションで走行させ、
　前記磁性層にデータを記録し又は前記磁性層に記録されたデータを再生するテープドライブ装置における２つのサーボリードヘッドの配置間隔である第１のピッチよりも狭い第２のピッチで、前記複数のサーボバンドにサーボパターンを記録する
　サーボパターン記録方法。
（２）上記（１）に記載のサーボパターン記録方法であって、
　前記第１のピッチに対する前記第２のピッチの差分は、５μｍ以下である
　サーボパターン記録方法。
（３）上記（２）に記載のサーボパターン記録方法であって、
　前記第２のピッチは、２８５４．２μｍ以上２８５８．７μｍ以下である
　サーボパターン記録方法。
（４）上記（１）～（３）のいずれか１つに記載のサーボパターン記録方法であって、
　前記所定のテンションは、０．３Ｎ以上０．６Ｎ以下である
　サーボパターン記録方法。
（５）　磁気テープの磁性層の幅方向に間隔をおいて配列された複数のサーボバンドにサーボパターンを記録する装置であって、
　前記複数のサーボバンドに対応して配置された複数の記録部を有するサーボライトヘッドを具備し、
　前記複数の記録部は、前記磁性層にデータを記録し又は前記磁性層に記録されたデータを再生するテープドライブ装置における２つのサーボリードヘッドの配置間隔である第１のピッチよりも狭い第２のピッチで、前記複数のサーボバンドにサーボパターンを記録する磁気ギャップをそれぞれ有する
　サーボパターン記録装置。
（６）上記（５）に記載のサーボパターン記録装置であって、
　前記第１のピッチに対する前記第２のピッチの差分は、５μｍ以下である
　サーボパターン記録装置。
（７）上記（６）に記載のサーボパターン記録装置であって、
　前記第２のピッチは、２８５４．２μｍ以上２８５８．７μｍ以下である
　サーボパターン記録装置。
（８）　幅方向に間隔をおいて配列された複数のサーボバンドを有する磁性層を備えた磁気テープの製造方法であって、
　前記磁気テープを所定のテンションで走行させ、
　前記磁性層にデータを記録し又は前記磁性層に記録されたデータを再生するテープドライブ装置における２つのサーボリードヘッドの配置間隔である第１のピッチよりも狭い第２のピッチで、前記複数のサーボバンドにサーボパターンを記録する
　磁気テープの製造方法。
（９）上記（８）に記載の磁気テープの製造法方法であって、
　前記第１のピッチに対する前記第２のピッチの差分は、５μｍ以下である
　磁気テープの製造方法。
（１０）上記（８）又は（９）に記載の磁気テープの製造方法であって、
　前記第２のピッチは、２８５４．２μｍ以上２８５８．７μｍ以下である
　磁気テープの製造方法。
（１１）　幅方向に間隔をおいて配列された複数のサーボバンドを有する磁性層を具備し、
　前記磁性層は、隣接する２つのサーボバンド間の距離であるサーボバンドピッチが、前記磁性層に情報を記録し又は前記磁性層に記録された情報を再生するテープドライブ装置における２つのサーボリードヘッドの配置間隔よりも狭い領域を、少なくとも一部に有する
　磁気テープ。
（１２）上記（１１）に記載の磁気テープであって、
　前記領域におけるサーボバンドピッチと、前記２つのサーボリードヘッドの配置間隔との差分は、０．１μｍ以上４．６μｍ以下である
　磁気テープ。
（１３）上記（１２）に記載の磁気テープであって、
　前記領域におけるサーボバンドピッチと、前記２つのサーボリードヘッドの配置間隔との差分は、０．５μｍ以上４．６μｍ以下である
　磁気テープ。
（１４）　カートリッジケースと、
　前記カートリッジケースの内部に回転可能に収容されたテープリールと、
　前記テープリールに巻き付けられた磁気テープと
　を具備し、
　前記磁気テープは、テープ幅方向に間隔をおいて記録された複数のサーボパターンが記録された磁性層を有し、
　前記磁性層は、
　隣接する２つのサーボバンド間の距離であるサーボバンドピッチが、前記磁性層に情報を記録し又は前記磁性層に記録された情報を再生するテープドライブ装置における２つのサーボリードヘッドの配置間隔よりも狭い第１の領域と、
　前記サーボバンドピッチが前記２つのサーボリードヘッドの配置間隔よりも広い第２の領域と、を有する
　テープカートリッジ。
（１５）上記（１４）に記載のテープカートリッジであって、
　前記第１の領域は、前記テープリールに巻回された前記磁気テープの外周側の第１の端部側の領域であり、
　前記第２の領域は、前記テープリールに巻回された前記磁気テープの内周側の第２の端部の領域である
　テープカートリッジ。
（１６）上記（１５）に記載のテープカートリッジであって、
　前記磁性層のサーボバンドピッチは、前記磁気テープの前記第１の端部側から前記第２の端部側に向かって漸次広くなる
　テープカートリッジ。

　１…磁気テープ
　６…サーボパターン
　１０…テープカートリッジ
　１１…カートリッジケース
　１３…テープリール
　３０…テープドライブ装置
　３６…ドライブヘッド
　４３…磁性層
　１００…サーボパターン記録装置
　１１３…サーボライトヘッド
　１３２…サーボリードヘッド
　６０１，６０２…サーボパターン

Claims

　磁気テープの磁性層の幅方向に間隔をおいて配列された複数のサーボバンドにサーボパターンを記録する方法であって、
　前記磁気テープを所定のテンションで走行させ、
　前記磁性層にデータを記録し又は前記磁性層に記録されたデータを再生するテープドライブ装置における２つのサーボリードヘッドの配置間隔である第１のピッチよりも狭い第２のピッチで、前記複数のサーボバンドにサーボパターンを記録する
　サーボパターン記録方法。
　請求項１に記載のサーボパターン記録方法であって、
　前記第１のピッチに対する前記第２のピッチの差分は、５μｍ以下である
　サーボパターン記録方法。
　請求項２に記載のサーボパターン記録方法であって、
　前記第２のピッチは、２８５４．２μｍ以上２８５８．７μｍ以下である
　サーボパターン記録方法。
　請求項１に記載のサーボパターン記録方法であって、
　前記所定のテンションは、０．３Ｎ以上０．６Ｎ以下である
　サーボパターン記録方法。
　磁気テープの磁性層の幅方向に間隔をおいて配列された複数のサーボバンドにサーボパターンを記録する装置であって、
　前記複数のサーボバンドに対応して配置された複数の記録部を有するサーボライトヘッドを具備し、
　前記複数の記録部は、前記磁性層にデータを記録し又は前記磁性層に記録されたデータを再生するテープドライブ装置における２つのサーボリードヘッドの配置間隔である第１のピッチよりも狭い第２のピッチで、前記複数のサーボバンドにサーボパターンを記録する磁気ギャップをそれぞれ有する
　サーボパターン記録装置。
　請求項５に記載のサーボパターン記録装置であって、
　前記第１のピッチに対する前記第２のピッチの差分は、５μｍ以下である
　サーボパターン記録装置。
　請求項６に記載のサーボパターン記録装置であって、
　前記第２のピッチは、２８５４．２μｍ以上２８５８．７μｍ以下である
　サーボパターン記録装置。
　幅方向に間隔をおいて配列された複数のサーボバンドを有する磁性層を備えた磁気テープの製造方法であって、
　前記磁気テープを所定のテンションで走行させ、
　前記磁性層にデータを記録し又は前記磁性層に記録されたデータを再生するテープドライブ装置における２つのサーボリードヘッドの配置間隔である第１のピッチよりも狭い第２のピッチで、前記複数のサーボバンドにサーボパターンを記録する
　磁気テープの製造方法。
　請求項８に記載の磁気テープの製造法方法であって、
　前記第１のピッチに対する前記第２のピッチの差分は、５μｍ以下である
　磁気テープの製造方法。
　請求項８に記載の磁気テープの製造方法であって、
　前記第２のピッチは、２８５４．２μｍ以上２８５８．７μｍ以下である
　磁気テープの製造方法。
　幅方向に間隔をおいて配列された複数のサーボバンドを有する磁性層を具備し、
　前記磁性層は、隣接する２つのサーボバンド間の距離であるサーボバンドピッチが、前記磁性層に情報を記録し又は前記磁性層に記録された情報を再生するテープドライブ装置における２つのサーボリードヘッドの配置間隔よりも狭い領域を、少なくとも一部に有する
　磁気テープ。
　請求項１１に記載の磁気テープであって、
　前記領域におけるサーボバンドピッチと、前記２つのサーボリードヘッドの配置間隔との差分は、０．１μｍ以上４．６μｍ以下である
　磁気テープ。
　請求項１２に記載の磁気テープであって、
　前記領域におけるサーボバンドピッチと、前記２つのサーボリードヘッドの配置間隔との差分は、０．５μｍ以上４．６μｍ以下である
　磁気テープ。
　カートリッジケースと、
　前記カートリッジケースの内部に回転可能に収容されたテープリールと、
　前記テープリールに巻き付けられた磁気テープと
　を具備し、
　前記磁気テープは、テープ幅方向に間隔をおいて記録された複数のサーボパターンが記録された磁性層を有し、
　前記磁性層は、
　隣接する２つのサーボバンド間の距離であるサーボバンドピッチが、前記磁性層に情報を記録し又は前記磁性層に記録された情報を再生するテープドライブ装置における２つのサーボリードヘッドの配置間隔よりも狭い第１の領域と、
　前記サーボバンドピッチが前記２つのサーボリードヘッドの配置間隔よりも広い第２の領域と、を有する
　テープカートリッジ。
　請求項１４に記載のテープカートリッジであって、
　前記第１の領域は、前記テープリールに巻回された前記磁気テープの外周側の第１の端部側の領域であり、
　前記第２の領域は、前記テープリールに巻回された前記磁気テープの内周側の第２の端部側の領域である
　テープカートリッジ。
　請求項１５に記載のテープカートリッジであって、
　前記磁性層のサーボバンドピッチは、前記磁気テープの前記第１の端部側から前記第２の端部側に向かって漸次広くなる
　テープカートリッジ。