CN111498853A - 多晶硅生产副产氯硅烷高沸物的裂解工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种多晶硅生产副产氯硅烷高沸物的裂解工艺。该裂解工艺包括：对多晶硅生产副产氯硅烷高沸物进行过滤以去除其中的无定形硅，得到净化高沸物；利用催化剂对氯化氢和净化高沸物进行裂解，得到裂解产物体系，其中催化剂包括大孔树脂和负载在大孔树脂上的有机胺，有机胺选自三正丁胺、三正辛胺和N、N‑二甲基苯胺、双十八烷基仲胺和全氟三乙胺中的任意一种或多种。催化剂中作为载体的大孔树脂的骨架与氯硅烷高沸物相容性高提供更多的反应界面，骨架上负载的有机胺在微孔内富集，使树脂内外表面反应更彻底，可提高转化率，降低热解温度。该催化剂可循环使用。进入大孔树脂前过滤将多晶硅生产副产中的无定形硅去除，避免堵塞树脂孔隙。

Description

多晶硅生产副产氯硅烷高沸物的裂解工艺
技术领域
本发明涉及多晶硅生产技术领域，具体而言，涉及一种多晶硅生产副产氯硅烷高沸物的裂解工艺。
背景技术
改良西门子法生产多晶硅过程中，SiHCl3和H2气体按一定比例进入还原炉，炉内硅芯载体温度达到1050℃以上，SiHCl3和H2的混合气体在载体表面发生还原反应SiHCl3+H2＝Si+3HCl和热分解反应4SiHCl3＝Si+3SiCl4+2H2，生成的硅沉积在硅芯表面，形成多晶硅硅棒。在还原过程中，除了硅、SiCl4、SiH2Cl2、H2和HCl等生成外，还有Si2Cl6、Si2HCl5、Si2H2Cl4、Cl6OSi2和Si3Cl8等一些列的双硅和多硅原子化合物副产物产生，相对于三氯氢硅和四氯化硅，双硅和多硅原子化合物的沸点较高，即为氯硅烷高沸物。
上述硅之外的物质以还原尾气的方式排出，该还原尾气经过干法回收和精馏提纯后，SiHCl3、SiCl4、SiH2Cl2、H2和HCl等物料返回系统重复利用，而氯硅烷高沸物和部分四氯化硅从精馏塔釜排出后，大部分企业一般采用的方法是将氯硅烷高沸物进一步浓缩回收四氯化硅后直接水解处理，即在特制水解装置中使氯硅烷高沸物与水进行反应，水解产生的氯化氢气体经过淋洗吸收，再用碱液进行中和反应，调节pH直到中性后，大量金属化合物的沉淀产生，经过过滤、离心等手段使固液进一步分离，固态物经直接外运进行填埋或利用，该方法虽然简单，但十分粗暴，不仅造成大量的硅、氯等有价元素损失，还需要大量碱液以中和水解液，提高了生产成本，且污染环境严重。
现在也有少数多晶硅企业借鉴有机硅高沸物的裂解工艺，采用液态的三正丁胺、三正辛胺和N，N-二甲基苯胺等有机胺作为催化剂，使氯硅烷高沸物和HCl发生裂解反应，但该方法引入了新的有机基团，导致生成一些新的物质，且这类均相催化剂价格高，无法回收再利用，会随着污水排放，导致环境的污染，且绝大多数为间歇操作，处理能力有限。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种多晶硅生产副产氯硅烷高沸物的裂解工艺，以解决现有技术中的氯硅烷高沸物裂解催化剂成本高的问题。
为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种多晶硅生产副产氯硅烷高沸物的裂解工艺，包括：对多晶硅生产副产氯硅烷高沸物进行过滤以去除其中的无定形硅，得到净化高沸物；利用催化剂对氯化氢和净化高沸物进行裂解，得到裂解产物体系，其中催化剂包括大孔树脂和负载在大孔树脂上的有机胺，有机胺选自三正丁胺、三正辛胺和N、N-二甲基苯胺、双十八烷基仲胺和全氟三乙胺中的任意一种或多种。
进一步地，上述过滤的过滤精度为1微米。
进一步地，上述有机胺为三正丁胺、三正辛胺和N、N-二甲基苯胺以1：(0.3～0.5)：(0.5～0.8)的重量比组成的组合物。
进一步地，上述大孔树脂为大孔聚苯乙烯树脂，大孔树脂的粒度为0.5～0.7mm、孔径为50～150nm、比表面积为30～40m2/g。
进一步地，上述有机胺在大孔树脂上的负载量为0.8～1.2％。
进一步地，上述裂解的温度为60～80℃，优选为65～75℃，压力为1～3bar。
进一步地，上述利用催化剂对氯化氢和净化高沸物进行裂解的过程包括：在裂解反应器中填充催化剂；将净化高沸物预热后送入裂解反应器中，并使净化高沸物在裂解反应器中自上向下流动，将氯化氢送入裂解反应器中并使氯化氢在裂解反应器中自下向上流动，净化高沸物和氯化氢在催化剂的作用下发生裂解，优选预热的温度低于裂解的温度2～8℃。
进一步地，上述氯化氢与净化高沸物的重量比为1.0％～6.0％。
进一步地，上述裂解产物体系包括顶部气相产物和底部液相产物，裂解工艺还包括：对顶部气相进行冷凝处理，得到气相氯化氢和液相氯硅烷；将气相氯化氢返回裂解反应器进行重复利用；将底部液相产物和液相氯硅烷进行精馏处理，得到底部氯硅烷高沸物和顶部气相氯硅烷，优选精馏处理时，精馏塔的塔顶压力为2.8～3.2bar、温度为66～68℃，塔釜压力为3.3～3.7bar温度为101～103℃；将底部氯硅烷高沸物返回裂解反应器进行再次裂解。
进一步地，上述气相氯化氢在返回裂解反应器之前经过压缩处理。
应用本发明的技术方案，本申请催化剂中作为载体的大孔树脂的骨架与氯硅烷高沸物相容性高，可以充分溶胀，从而提供球体表面和内部微孔表面作为反应界面，骨架上负载的有机胺在微孔内富集，使树脂内外表面反应更彻底，可提高转化率，降低热解温度。同时该催化剂可循环使用，有效地减少了传统的液体有机胺对环境的污染，并节约了催化剂成本。另外多晶硅生产副产氯硅烷高沸物通常含有一定量的无定形硅，这些无定形硅粒度一般为1～10微米，极易堵塞树脂层中的孔隙，也会覆盖在树脂表面，降低树脂的转化效率，因此进入大孔树脂前通过过滤将多晶硅生产副产中的无定形硅去除。
附图说明
构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1示出了根据本发明的实施例1的裂解工艺流程示意图。
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
如本申请背景技术所分析的，现有技术的多晶硅生产副产氯硅烷高沸物的裂解采用的催化剂无法回收利用，导致裂解成本较高。为了解决该问题，本申请提供了一种多晶硅生产副产氯硅烷高沸物的裂解工艺，该裂解工艺包括：对多晶硅生产副产氯硅烷高沸物进行过滤以去除其中的无定形硅，得到净化高沸物；利用催化剂对氯化氢和净化高沸物进行裂解，得到裂解产物体系，其中催化剂包括大孔树脂和负载在大孔树脂上的有机胺，有机胺选自三正丁胺、三正辛胺和N、N-二甲基苯胺、双十八烷基仲胺和全氟三乙胺中的任意一种或多种。
本申请的多晶硅生产副产氯硅烷高沸物是指Si2Cl6、Si2HCl5、Si2H2Cl4、Cl6OSi2和Si3Cl8等一些列的双硅和多硅原子化合物副产物。
本申请催化剂中作为载体的大孔树脂的骨架与氯硅烷高沸物相容性高，可以充分溶胀，从而提供球体表面和内部微孔表面作为反应界面，骨架上负载的有机胺在微孔内富集，使树脂内外表面反应更彻底，可提高转化率，降低热解温度。同时该催化剂可循环使用，有效地减少了传统的液体有机胺对环境的污染，并节约了催化剂成本。另外多晶硅生产副产氯硅烷高沸物通常含有一定量的无定形硅，这些无定形硅粒度一般为1～10微米，极易堵塞树脂层中的孔隙，也会覆盖在树脂表面，降低树脂的转化效率，因此进入大孔树脂前通过过滤将多晶硅生产副产中的无定形硅去除。
为了实现对无定形硅的高去除率，优选上述过滤的过滤精度为1微米。
上述所列举的有机胺均可以用于高沸物的催化裂解，为了针对本申请的多晶硅生产副产氯硅烷高沸物，优选上述有机胺为三正丁胺、三正辛胺和N、N-二甲基苯胺以1：(0.3～0.5)：(0.5～0.8)的重量比组成的组合物，经过试验验证，上述组合的有机胺的催化裂解效果尤为突出。
如前所述，大孔树脂是作为支撑有机胺的载体使用，原则上现有技术中所有的大孔树脂均可考虑应用于本申请中，为了更好地适应多晶硅生产副产氯硅烷高沸物的裂解，优选上述大孔树脂为大孔聚苯乙烯树脂(比如大孔弱碱性聚苯乙烯系阴离子交换树脂)，大孔树脂的孔径为粒度为0.5～0.7mm、孔径为50～150nm、比表面积为30～40m2/g。
在本申请一种实施例中，为了尽可能提高催化效率，优选上述有机胺在大孔树脂上的负载量为0.8～1.2％。本申请的大孔树脂负载有机胺的催化剂可以采用现有技术中常规的固体碱催化剂的制备方法制备。
在采用了上述催化剂后，可以适当降低裂解温度，优选上述裂解的温度为60～80℃，优选为65～75℃，压力为1～3bar，以降低对裂解设备的耐温和耐压要求。
在本申请一种实施例中，上述利用催化剂对氯化氢和净化高沸物进行裂解的过程包括：在裂解反应器中填充催化剂；将净化高沸物预热后送入裂解反应器中，并使净化高沸物在裂解反应器中自上向下流动，将氯化氢送入裂解反应器中并使氯化氢在裂解反应器中自下向上流动，净化高沸物和氯化氢在催化剂的作用下发生裂解。
在上述实施例中，预热后的净化高沸物和氯化氢逆向流动，通过控制二者的流速使二者在催化剂填充位置充分接触，具体地净化高沸物以很薄的膜状沿催化剂颗粒自上而下流动，氯化氢作为裂解气体，在催化剂作用下发生裂解后应，反应后的气体主要为多余的HCL气体、夹带少量的SiHCl3和SiCl4气体，从设备顶部排出，而反应后的液体为生成的SiHCl3、SiCl4和未反应氯硅烷高沸，从裂解反应器底部排出。由于上述裂解反应为放热反应，因此优选预热的温度低于裂解的温度2～8℃。
为了进一步提高净化高沸物和氯化氢的接触均匀性，在裂解反应器中设置液体分布器和气体分布器，预热后的净化高沸物在进入裂解反应器上部空间后经液体分布器均匀流出，而HCl气体从裂解反应器底部经气体分布器进入，其中具体的液体分布器形式和气体分布器形式及二者的设置方式均可参照现有技术，在此不再赘述。
为了提高氯化氢的利用率，优选上述氯化氢与净化高沸物的重量比为1.0％～6.0％。通过调整净化高沸物在裂解反应器中的流速和氯化氢在裂解反应器中的流速为来控制二者的重量比在上述范围内。
在裂解完成后，优选直接对裂解产物进行处理，以提高裂解工艺的整体经济效益，优选上述裂解产物体系包括顶部气相产物和底部液相产物，上述裂解工艺还包括：对顶部气相进行冷凝处理，得到气相氯化氢和液相氯硅烷；将气相氯化氢返回裂解反应器进行重复利用；将底部液相产物和液相氯硅烷进行精馏处理，得到底部氯硅烷高沸物和顶部气相氯硅烷，优选精馏处理时，精馏塔的塔顶压力为2.8～3.2bar、温度为66～68℃，塔釜压力为3.3～3.7bar温度为101～103℃；将底部氯硅烷高沸物返回裂解反应器进行再次裂解。
对顶部气相进行冷凝处理后，得到的气相氯化氢回用降低了氯化氢成本。对底部液相进行精馏处理后，得到的底部氯硅烷高沸物返回裂解反应器进行再次裂解，提高了多晶硅生产副产氯硅烷高沸物的硅回收率，该部分的底部氯硅烷高沸物可以直接进入裂解器进行再次裂解，也可以和多晶硅生产副产氯硅烷高沸物混合后经过过滤再进行裂解。另外，所得到的液相氯硅烷和顶部气相氯硅烷可以直接回收返回多晶硅生产物料中再次利用。
为了提高气相氯化氢的作用效率，优选上述气相氯化氢在返回裂解反应器之前经过压缩处理。
以下将结合实施例和对比例，进一步说明本申请的有益效果。
实施例1
参考图1进行以下操作。
对50000g多晶硅生产副产氯硅烷高沸物进行过滤以去除其中的无定形硅，得到净化高沸物，其中采用过滤精度为1微米的碳化硅质陶瓷膜滤芯进行过滤；在裂解反应器中填充催化剂，催化剂为大孔弱碱性聚苯乙烯阴离子交换树脂负载的有机胺，大孔弱碱性聚苯乙烯阴离子交换树脂的粒径为0.5～0.7mm、孔径为50～150nm、比表面积为30～40m2/g，有机胺为三正丁胺、三正辛胺和N、N-二甲基苯胺以1：0.4：0.7的重量比组成的组合物，有机胺在大孔弱碱性聚苯乙烯阴离子交换树脂上的负载量为1.0％。将净化高沸物预热至60℃送入裂解反应器中，并使净化高沸物在裂解反应器中自上向下流动，流速为0.0006m/s，将氯化氢送入裂解反应器中并使氯化氢在裂解反应器中自下向上流动，流速为0.0012m/s，以使氯化氢与净化高沸物的重量比为3.0:100。控制裂解的温度为65～75℃，压力为1～3bar，使净化高沸物和氯化氢在催化剂的作用下发生裂解，得到顶部气相产物和底部液相产物。
对顶部气相进行冷凝处理,，冷凝温度为30℃，得到气相氯化氢和液相氯硅烷；将气相氯化氢压缩后返回上述裂解反应器进行重复利用；将底部液相产物和液相氯硅烷进行精馏处理，精馏塔的塔顶压力为2.8～3.2bar、温度为66～68℃，塔釜压力为3.3～3.7bar温度为101～103℃，得到底部氯硅烷高沸物和顶部气相氯硅烷；将底部氯硅烷高沸物返回裂解反应器进行再次裂解。
进料氯硅烷高沸物中四氯化硅：三氯氢硅：高沸物的重量比为45:0:55；得到的底部液相产物中四氯化硅：三氯氢硅：高沸物的重量比为67:28:7。
实施例2
与实施例1不同之处在于，有机胺为三正丁胺、三正辛胺和N、N-二甲基苯胺以1：0.5：0.5的重量比组成的组合物
进料氯硅烷高沸物中四氯化硅：三氯氢硅：高沸物的重量比为45:0:55；得到的底部液相产物中四氯化硅：三氯氢硅：高沸物的重量比为66:27:9。
实施例3
参考图1进行以下操作。
与实施例1不同之处在于，有机胺为三正丁胺、三正辛胺和N、N-二甲基苯胺以1：0.3：0.8的重量比组成的组合物。
进料氯硅烷高沸物中四氯化硅：三氯氢硅：高沸物的重量比为45:0:55；得到的底部液相产物中四氯化硅：三氯氢硅：高沸物的重量比为65:28:9。
实施例4
参考图1进行以下操作。
与实施例1不同之处在于，有机胺为三正丁胺、三正辛胺和N、N-二甲基苯胺以0.5：0.5：0.5的重量比组成的组合物。
进料氯硅烷高沸物中四氯化硅：三氯氢硅：高沸物的重量比为45:0:55；得到的底部液相产物中四氯化硅：三氯氢硅：高沸物的重量比为65:26:11。
实施例5
参考图1进行以下操作。
与实施例1不同之处在于，有机胺为三正丁胺、三正辛胺和全氟三乙胺以1：0.4：0.7的重量比组成的组合物。
进料氯硅烷高沸物中四氯化硅：三氯氢硅：高沸物的重量比为45:0:55；得到的底部液相产物中四氯化硅：三氯氢硅：高沸物的重量比为62:23:17
实施例6
参考图1进行以下操作。
与实施例1不同之处在于，有机胺为三正丁胺、双十八烷基仲胺和N、N-二甲基苯胺以1：0.4：0.7的重量比组成的组合物。
进料氯硅烷高沸物中四氯化硅：三氯氢硅：高沸物的重量比为45:0:55；得到的底部液相产物中四氯化硅：三氯氢硅：高沸物的重量比为61:22:19。
实施例7
参考图1进行以下操作。
与实施例1不同之处在于，有机胺为三正辛胺、双十八烷基仲胺和N、N-二甲基苯胺以1：0.4：0.7的重量比组成的组合物。
进料氯硅烷高沸物中四氯化硅：三氯氢硅：高沸物的重量比为45:0:55；得到的底部液相产物中四氯化硅：三氯氢硅：高沸物的重量比为59:20:23。
实施例8
与实施例1的不同之处在于，有机胺在大孔弱碱性聚苯乙烯阴离子交换树脂上的负载量为1.2％。
进料氯硅烷高沸物中四氯化硅：三氯氢硅：高沸物的重量比为45:0:55；得到的底部液相产物中四氯化硅：三氯氢硅：高沸物的重量比为67:28:7。
实施例9
与实施例1的不同之处在于，有机胺在大孔弱碱性聚苯乙烯阴离子交换树脂上的负载量为0.8％。
进料氯硅烷高沸物中四氯化硅：三氯氢硅：高沸物的重量比为45:0:55；得到的底部液相产物中四氯化硅：三氯氢硅：高沸物的重量比为66:27:9。
实施例10
与实施例1的不同之处在于，有机胺在大孔弱碱性聚苯乙烯阴离子交换树脂上的负载量为0.5％。
进料氯硅烷高沸物中四氯化硅：三氯氢硅：高沸物的重量比为45:0:55；得到的底部液相产物中四氯化硅：三氯氢硅：高沸物的重量比为65:26:11。
实施例11
与实施例1的不同之处在于，裂解的温度为60～65℃。
进料氯硅烷高沸物中四氯化硅：三氯氢硅：高沸物的重量比为45:0:55；得到的底部液相产物中四氯化硅：三氯氢硅：高沸物的重量比为66:27:9。
实施例12
与实施例1的不同之处在于，裂解的温度为75～80℃。
进料氯硅烷高沸物中四氯化硅：三氯氢硅：高沸物的重量比为45:0:55；得到的底部液相产物中四氯化硅：三氯氢硅：高沸物的重量比为67:28:7。由于裂解温度较高，导致催化剂使用寿命缩短。
实施例13
与实施例1的不同之处在于，氯化氢与净化高沸物的重量比为1.0:100。
进料氯硅烷高沸物中四氯化硅：三氯氢硅：高沸物的重量比为45:0:55；得到的底部液相产物中四氯化硅：三氯氢硅：高沸物的重量比为65:26:11。
实施例14
与实施例1的不同之处在于，氯化氢与净化高沸物的重量比为6.0:100。
进料氯硅烷高沸物中四氯化硅：三氯氢硅：高沸物的重量比为45:0:55；得到的底部液相产物中四氯化硅：三氯氢硅：高沸物的重量比为65:28:9。
对比例1
对50,000g多晶硅生产副产氯硅烷高沸物进行过滤以去除其中的无定形硅，得到净化高沸物，其中采用过滤精度为1微米的碳化硅质陶瓷膜滤芯进行过滤；在裂解反应器中填充催化剂，催化剂为大孔弱碱性聚苯乙烯阴离子交换树脂负载的三正丁胺，大孔弱碱性聚苯乙烯阴离子交换树脂的粒径为0.5～0.7mm、孔径为50～150nm、比表面积为30～40m2/g，三正丁胺在大孔弱碱性聚苯乙烯阴离子交换树脂上的负载量为1.0％。将净化高沸物预热至60℃送入裂解反应器中，并使净化高沸物在裂解反应器中自上向下流动，流速为0.0006m/s，将氯化氢送入裂解反应器中并使氯化氢在裂解反应器中自下向上流动，流速为0.0012m/s，以使氯化氢与净化高沸物的重量比为3.0:100。控制裂解的温度为65～75℃，压力为1～3bar，使净化高沸物和氯化氢在催化剂的作用下发生裂解，得到顶部气相产物和底部液相产物。
对顶部气相进行冷凝处理,，冷凝温度为30℃，得到气相氯化氢和液相氯硅烷；将气相氯化氢压缩后返回上述裂解反应器进行重复利用；将底部液相产物和液相氯硅烷进行精馏处理，精馏塔的塔顶压力为2.8～3.2bar、温度为66～68℃，塔釜压力为3.3～3.7bar温度为101～103℃，得到底部氯硅烷高沸物和顶部气相氯硅烷；将底部氯硅烷高沸物返回裂解反应器进行再次裂解。
进料氯硅烷高沸物中四氯化硅：三氯氢硅：高沸物的重量比为45:0:55；得到的产品液相氯硅烷中四氯化硅：三氯氢硅：高沸物的重量比为57:18:27。
从以上的描述中，可以看出，本发明上述的实施例实现了如下技术效果：
本申请催化剂中作为载体的大孔树脂的骨架与氯硅烷高沸物相容性高，可以充分溶胀，从而提供球体表面和内部微孔表面作为反应界面，骨架上负载的有机胺在微孔内富集，使树脂内外表面反应更彻底，可提高转化率，降低热解温度。同时该催化剂可循环使用，有效地减少了传统的液体有机胺对环境的污染，并节约了催化剂成本。另外多晶硅生产副产氯硅烷高沸物通常含有一定量的无定形硅，这些无定形硅粒度一般为1～10微米，极易堵塞树脂层中的孔隙，也会覆盖在树脂表面，降低树脂的转化效率，因此进入大孔树脂前通过过滤将多晶硅生产副产中的无定形硅去除。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种多晶硅生产副产氯硅烷高沸物的裂解工艺，其特征在于，包括：
对多晶硅生产副产氯硅烷高沸物进行过滤以去除其中的无定形硅，得到净化高沸物；
利用催化剂对氯化氢和所述净化高沸物进行裂解，得到裂解产物体系，其中所述催化剂包括大孔树脂和负载在所述大孔树脂上的有机胺，所述有机胺选自三正丁胺、三正辛胺和N、N-二甲基苯胺、双十八烷基仲胺和全氟三乙胺中的任意一种或多种。
2.根据权利要求1所述的裂解工艺，其特征在于，所述过滤的过滤精度为1微米。
3.根据权利要求1所述的裂解工艺，其特征在于，所述有机胺为三正丁胺、三正辛胺和N、N-二甲基苯胺以1：(0.3～0.5)：(0.5～0.8)的重量比组成的组合物。
4.根据权利要求1所述的裂解工艺，其特征在于，所述大孔树脂为大孔聚苯乙烯树脂，所述大孔树脂的粒度为0.5～0.7mm、孔径为50～150nm、比表面积为30～40m2/g。
5.根据权利要求1所述的裂解工艺，其特征在于，所述有机胺在所述大孔树脂上的负载量为0.8～1.2％。
6.根据权利要求1所述的裂解工艺，其特征在于，所述裂解的温度为60～80℃，优选为65～75℃，压力为1～3bar。
7.根据权利要求1所述的裂解工艺，其特征在于，所述利用催化剂对氯化氢和净化高沸物进行裂解的过程包括：
在裂解反应器中填充所述催化剂；
将所述净化高沸物预热后送入所述裂解反应器中，并使所述净化高沸物在所述裂解反应器中自上向下流动，将所述氯化氢送入所述裂解反应器中并使所述氯化氢在所述裂解反应器中自下向上流动，所述净化高沸物和所述氯化氢在所述催化剂的作用下发生所述裂解，优选所述预热的温度低于所述裂解的温度2～8℃。
8.根据权利要求7所述的裂解工艺，其特征在于，所述氯化氢与所述净化高沸物的重量比为1.0％～6.0％。
9.根据权利要求7所述的裂解工艺，其特征在于，所述裂解产物体系包括顶部气相产物和底部液相产物，所述裂解工艺还包括：
对所述顶部气相进行冷凝处理，得到气相氯化氢和液相氯硅烷；
将所述气相氯化氢返回所述裂解反应器进行重复利用；
将所述底部液相产物和所述液相氯硅烷进行精馏处理，得到底部氯硅烷高沸物和顶部气相氯硅烷，优选所述精馏处理时，精馏塔的塔顶压力为2.8～3.2bar、温度为66～68℃，塔釜压力为3.3～3.7bar温度为101～103℃；
将所述底部氯硅烷高沸物返回所述裂解反应器进行再次裂解。
10.根据权利要求9所述的裂解工艺，其特征在于，所述气相氯化氢在返回所述裂解反应器之前经过压缩处理。
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