CN111492024A - 用于sti工艺的抛光浆科组合物 - Google Patents

用于sti工艺的抛光浆科组合物 Download PDF

Info

Publication number
CN111492024A
CN111492024A CN201880082836.7A CN201880082836A CN111492024A CN 111492024 A CN111492024 A CN 111492024A CN 201880082836 A CN201880082836 A CN 201880082836A CN 111492024 A CN111492024 A CN 111492024A
Authority
CN
China
Prior art keywords
acid
polishing
slurry composition
sti process
polishing slurry
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201880082836.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111492024B (zh
Inventor
金廷润
黄晙夏
朴光洙
梁海元
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Si Technology Co ltd
Original Assignee
Si Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Si Technology Co ltd filed Critical Si Technology Co ltd
Publication of CN111492024A publication Critical patent/CN111492024A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111492024B publication Critical patent/CN111492024B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/02—Polyamines
    • C08G73/0233—Polyamines derived from (poly)oxazolines, (poly)oxazines or having pendant acyl groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L77/00—Compositions of polyamides obtained by reactions forming a carboxylic amide link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/04—Aqueous dispersions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1409—Abrasive particles per se
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1436—Composite particles, e.g. coated particles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/76224—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using trench refilling with dielectric materials
    • H01L21/76229—Concurrent filling of a plurality of trenches having a different trench shape or dimension, e.g. rectangular and V-shaped trenches, wide and narrow trenches, shallow and deep trenches
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/76224—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using trench refilling with dielectric materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及一种用于STI工艺的抛光浆料组合物，更具体地，涉及一种用于STI工艺的抛光浆料组合物，包括：抛光液，其包括抛光粒子；以及添加液，其包括具有酰胺键的聚合物的多晶硅膜抛光抑制剂。

Description

用于STI工艺的抛光浆科组合物
技术领域
本发明涉及用于STI工艺的抛光浆科组合物，更具体地，本发明涉及具有优越的抛光停止功能的用于STI工艺的抛光浆科组合物。
背景技术
随着半导体器件的多样化及高度集成化，人们开始使用更精细的图案形成技术，随之，半导体器件的表面结构也变得更加复杂，表面膜之间的段差也越来越大。为了制造半导体器件，使用化学机械抛光(CMP，chemical mechanical polishing)工艺作为平坦化技术用于去除在基板上形成的特定膜中的段差。例如，它被广泛使用于：用于去除为层间绝缘而过度形成的绝缘膜的工艺、用于隔离将层间绝缘膜(interlayer dielectric；ILD)与芯片(chip)之间绝缘的浅沟槽隔离(shallow trench isolation；STI)的绝缘膜的平坦化的工艺、以及用于形成金属导电膜的工艺，如布线、接触插塞、接触通孔等。
为了在STI工艺中保护图案化多晶硅膜质，需要提高绝缘膜层的抛光率并降低多晶硅膜层的抛光率，即所谓的选择性抛光特性。尤其，即使在单元式(Cell Type)图案中过度抛光，也应减少对多晶硅膜的损耗。
此外，当STI工艺中的抛光选择比过高时，由于埋在沟槽中的绝缘膜层过度抛光，可能导致凹陷(dishing)现象并恶化器件性能。尤其，此类凹陷问题可能导致在超细器件中的活性区域和场区域之间出现段差，对器件的性能及可靠性造成不利影响。
发明内容
要解决的技术问题
本发明的目的在于解决上述问题，即提供一种对绝缘膜具有高的抛光率；并通过抑制对多晶硅膜的抛光而具有抛光停止功能及高抛光选择比；在过度抛光图案化晶片时，具有抑制抛光后凹陷功能的用于STI工艺的抛光浆料组合物。
然而，本发明要解决的问题并非受限于上述言及的问题，未言及的其他问题能够通过以下记载由本领域普通技术人员所明确理解。
解决问题的技术方法
根据本发明的一实施例的用于STI工艺的抛光浆料组合物包括：抛光液，其包括抛光粒子；以及添加液，其包括具有酰胺键的聚合物的多晶硅膜抛光抑制剂。
根据一方面，所述聚合物可以表示为下述化学式1：
[化学式1]
Figure BDA0002548729500000021
(在所述化学式1中，n是1以上的整数，R2是简单键、经取代或未经取代的C1-30的亚烷基、亚烯基、亚环烷基、亚芳基、芳基亚烷基或亚炔基，R1、R3及R4是彼此独立的氢、羟基、官能团经取代或未经取代的C1-30的烷基、烷氧基、芳基或芳烷基。)
根据一方面，所述聚合物可以包括从由聚(2-甲基-2-恶唑啉)、具有羟基末端的聚(2-甲基-2-唑啉)、具有α-苯甲基及ω-叠氮化物末端的聚(2-甲基-2-唑啉)、具有叠氮化物末端聚(2-甲基-2-唑啉)、具有呱嗪末端的聚(2-甲基-2-唑啉)、聚(2-乙基-2-唑啉)、具有炔属烃末端的聚(2-乙基-2-唑啉)、具有α-苯甲基及ω-硫醇末端的聚(2-乙基-2-唑啉)、α-甲基及ω-2-羟乙胺的聚(2-乙基-2-唑啉)、具有胺末端的聚(2-乙基-2-唑啉)、具有呱嗪末端的聚(2-乙基-2-唑啉)、聚(2-丙基-2-唑啉)、具有叠氮化物末端聚的聚(2-丙基-2-唑啉)及其衍生物组成的群组中选择的至少任一种。
根据一方面，所述聚合物的分子量可以是1000至5000000。
根据一方面，所述聚合物在所述用于STI工艺的抛光浆料组合物中可以占0.001重量％至1重量％。
根据一方面，所述添加液作为氧化膜抛光调节剂，还可以包括氨基化合物。
根据一方面，所述氨基化合物还可以包括从由二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、四乙基五胺、五亚乙基六胺、六亚乙基七胺、二(六亚乙基)三胺、N-(3-氨基丙基)乙二胺、N,N'-二(3-氨基丙基)乙二胺、N,N,N'-三(3-氨基丙基)乙二胺、N-3-氨基丙基-1，3-丙二胺、N,N'-二(3-氨基丙基)-1，3-丙二胺、N,N,N'-三(3-氨基丙基)-1，3-丙二胺、二-(3-氨基丙基)胺、二丙烯三胺及三丙烯四胺组成的群组中选择的至少任一中胺单体；从聚(二亚乙基三胺)-co-环氧氯丙烷、聚(三亚乙基四胺)-co-环氧氯丙烷、四乙基五胺-co-环氧氯丙烷及五亚乙基六胺-co-环氧氯丙烷组成的群组中选择的至少任一种胺聚合物，或两者的组合。
根据一方面，所述氨基化合物在所述用于STI工艺的抛光浆料组合物中可以占0.1ppm至1000ppm。
根据一方面，所述添加液还可以包括从由羧酸、硝酸、盐酸、磷酸、硫酸、氢氟酸、溴酸、碘酸、庚二酸、苹果酸、丙二酸、马来酸、乙酸、肥酸、草酸、琥珀酸、酒石酸、柠檬酸、乳酸、戊二酸、乙醇酸、甲酸、富马酸、丙酸、丁酸、羟丁酸、天冬氨酸、衣康酸、丙三羧酸、辛二酸、苯甲酸、苯乙酸、萘甲酸、苯基乙醇酸、吡啶甲酸、烟酸、异烟酸、喹啉酸、邻氨基苯甲酸、富马酸、邻苯二甲酸、间苯二甲酸、对苯二甲酸、吡啶甲酸、水杨酸、谷氨酸、聚丙烯酸、聚丙烯酸共聚物及聚砜酸组成的群组中选择的至少任一种以上的酸性物质。
根据一方面，所述添加液还包括碱性物质，所述碱性物质可以包括从由四甲基氢氧化铵、氨、氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化镁、氢氧化铷、氢氧化铯、碳酸氢钠、碳酸钠、精氨酸、组氨酸、赖氨酸、甲胺、乙醇胺、丙胺、丁胺、异丙胺、单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二丙胺、乙二胺、丙二酰胺、乙胺、三丁胺、四亚甲基、无乙烯羟化四甲铵、四乙基五胺、N-甲基二乙醇胺、N-异丙基二乙醇胺、N-异丙基二乙醇胺、N-(2-甲基丙基)二乙醇胺、N-n-丁基二乙醇胺、N-t-丁基乙醇胺、N-环己基二乙醇胺、N，N-二(2-羟丙基)乙醇胺、三异丙醇胺、2-氨基-2-乙基-1，3-丙二醇、2-二甲氨基-2-甲基-1-丙醇、1-二甲氨基-2-丙醇、3-二甲氨基-1-丙醇、2-二甲氨基-1-丙醇、2-二甲氨基-1-丙醇、2-二甲氨基-1-乙醇、2-乙胺基-1-乙醇、1-(二甲氨基)2-丙醇、3-氨基-1-丙醇、2-氨基-1-丙醇、1-氨基-2-丙醇、1-氨基-丙醇、2-(二甲氨基)乙醇、2-二乙基氨基乙醇、2-二丙基氨基乙醇、2-丁氨基乙醇、2-t-丁氨基乙醇、2-环氨基乙醇、2-氨基-2-丙醇、2-[双(2-羟乙基)氨基]-2-甲基-1-丙醇、2-[双(2-羟乙基)氨基]-2-丙醇、2-氨基-2-甲基-1-丙醇及三(羟甲基)甲胺组成的群组中选择的至少任一种。
根据一方面，所述抛光粒子可以通过固相法或液相法来制备，并进行分散使得抛光粒子的表面具有正电荷。
根据一方面，所述抛光粒子可以包括从由金属氧化物、经有机物或无机物涂覆的金属氧化物及处于胶体状态的金属氧化物组成的群组中选择的至少任一种，并且，所述金属氧化物包括从由二氧化硅、二氧化铈、氧化锆、氧化铝、二氧化钛、钡二氧化钛、氧化锗、氧化锰及氧化镁组成的群组中选择的至少任一种。
根据一方面，所述抛光粒子的大小可以包括5nm至150nm的一次粒径及30nm至300nm的二次粒径。
根据一方面，所述抛光粒子在所述用于STI工艺的抛光浆料组合物中可以占0.1重量％至10重量％。
根据一方面，所述用于STI工艺的抛光浆料组合物的pH范围可以是3至6。
根据一方面，用于STI工艺的抛光浆料组合物还包括水，并且，所述抛光液：水：添加液的比例可以是1:3至10:1至10。
根据一方面，所述用于STI工艺的抛光浆料组合物的ζ电位范围可以是+5mV至+70mV。
根据一方面，绝缘膜：多晶硅膜的抛光选择比可以是10:1至1000:1。
发明的效果
根据本发明的用于STI工艺的抛光浆料组合物，对绝缘膜层具有高抛光率，并可以对多晶硅膜层起到抛光抑制的作用，从而可以保护图案化多晶硅膜质。此外，对图案化晶片进行抛光时，可以减少绝缘膜的凹陷(dishing)发生量。因此，本发明可以应用于半导体器件的浅沟槽隔离(shallow trench isolation；STI)工艺等，从而可以制备出具有更高可靠性及更加优秀特性的半导体器件。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施例进行详细说明。在说明本发明的过程中，当判断对于相关公知功能或者构成的具体说明不必要地混淆本发明的要旨时，省略对其进行详细说明。并且，本说明书中使用的术语用于准确地表达本发明的优选实施例，能够根据使用者、利用者的意图或者本发明所属技术领域的惯例有所不同。由此，对于本术语的定义应根据本说明书的整体内容进行定义。显示在各附图中的相同的附图标记表示相同的结构要素。
在整体说明书中，当记载某个部件位于其他部件“上”时，不仅表示某一部件接触其他部件的情况，也包括两个部件之间存在其他部件的情况。
在整体说明书中，当说明某一部分“包括”某一构成要素时，不表示排除其他构成要素，还能够包括其他构成要素。
以下，参照实施例及附图对本发明的用于STI工艺的抛光浆料组合物进行具体说明。然而，本发明并非限定于上述实施例及附图。
根据本发明的一实施例的用于STI工艺的抛光浆科组合物，包括：抛光液，其包括抛光粒子；以及添加液，其包括具有酰胺键的聚合物的多晶硅膜抛光抑制剂。
根据本发明的用于STI工艺的抛光浆料组合物，对绝缘膜层具有高抛光率，并可以对多晶硅膜层起到抛光抑制的作用，从而可以保护图案化多晶硅膜质。此外，对图案化晶片进行抛光时，可以减少绝缘膜的凹陷(dishing)发生量。因此，本发明可以应用于半导体器件的浅沟槽隔离(shallow trench isolation；STI)工艺等，从而可以制备出具有更高可靠性及更加优秀特性的半导体器件。
根据一方面，所述聚合物可以由以下化学式1表示：
[化学式1]
Figure BDA0002548729500000061
(在所述化学式1中，n是1以上的整数，R2是简单键、经取代或未经取代的C1-30的亚烷基、亚烯基、亚环烷基、亚芳基、芳基亚烷基或亚炔基，R1、R3及R4是彼此独立的氢、羟基、官能团经取代或未经取代的C1-30的烷基、烷氧基、芳基或芳烷(aralkyl)基。)
根据一方面，所述聚合物可以包括从由聚(2-甲基-2-恶唑啉)、具有羟基末端的聚(2-甲基-2-恶唑啉)、具有α-苄基及ω叠氮化物末端的聚(2-甲基-2-恶唑啉)、具有叠氮化物末端的聚(2-甲基-2-恶唑啉)、具有哌嗪末端的聚(2-甲基-2-恶唑啉)、聚(2-乙基-2-恶唑啉)、具有炔烃末端的聚(2-乙基-2-恶唑啉)、具有α-苄基及ω硫羟末端的聚(2-乙基-2-恶唑啉)、具有α-甲基及ω羟乙基胺末端的聚(2-乙基-2-恶唑啉)、具有胺末端的聚(2-乙基-2-恶唑啉)、具有哌嗪末端的聚(2-乙基-2-恶唑啉)、聚(2-丙基-2-恶唑啉)、具有叠氮化物末端的聚(2-丙基-2-恶唑啉)及其衍生物组成的群组中选择的至少任一种。
根据一方面，所述聚合物的分子量可以是1000至5000000，根据一方面，在所述用于STI工艺的抛光浆料组合物中，所述聚合物可以占0.001重量％至1重量％。当小于0.001重量％时，可能对多晶硅膜无法启动自动抛光停止功能；当超过1重量％时，会因高分子网络而无法得到充分抛光，导致残留问题的发生。
根据一方面，所述添加液作为氧化膜抛光调节剂，还可以包括氨基化合物。
根据一方面,所述氨基化合物还可以包括从由二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、四乙基五胺、五亚乙基六胺、六亚乙基七胺、二(六亚乙基)三胺、N-(3-氨基丙基)乙二胺、N,N'-二(3-氨基丙基)乙二胺、N,N,N'-三(3-氨基丙基)乙二胺、N-3-氨基丙基-1，3-丙二胺、N,N'-二(3-氨基丙基)-1，3-丙二胺、N,N,N'-三(3-氨基丙基)-1，3-丙二胺、二-(3-氨基丙基)胺、二丙烯三胺及三丙烯四胺组成的群组中选择的至少任一中胺单体；从聚(二亚乙基三胺)-co-环氧氯丙烷、聚(三亚乙基四胺)-co-环氧氯丙烷、四乙基五胺-co-环氧氯丙烷及五亚乙基六胺-co-环氧氯丙烷组成的群组中选择的至少任一种胺聚合物，或两者的组合。
根据一方面，在所述用于STI工艺的抛光浆料组合物中，所述氨基化合物可以是0.1ppm至1000ppm。当小于0.1ppm时，由于氧化膜拋光率过于高，可能会发生凹陷或缺陷现象，当超过1000ppm时，会出现无法拋光的问题。
根据一方面,所述添加液还可以包括从由羧酸、硝酸、盐酸、磷酸、硫酸、氢氟酸、溴酸、碘酸、庚二酸、苹果酸、丙二酸、马来酸、乙酸、肥酸、草酸、琥珀酸、酒石酸、柠檬酸、乳酸、戊二酸、乙醇酸、甲酸、富马酸、丙酸、丁酸、羟丁酸、天冬氨酸、衣康酸、丙三羧酸、辛二酸、苯甲酸、苯乙酸、萘甲酸、苯基乙醇酸、吡啶甲酸、烟酸、异烟酸、喹啉酸、邻氨基苯甲酸、富马酸、邻苯二甲酸、间苯二甲酸、对苯二甲酸、吡啶甲酸、水杨酸、谷氨酸、聚丙烯酸、聚丙烯酸共聚物及聚砜酸组成的群组中选择的至少任一种以上的酸性物质。所述聚丙烯酸共聚物，例如，可以包括聚丙烯酸磺酸共聚物(polyacrylic acid-sulfonic acid copolymer)、聚丙烯酸丙二酸共聚物(polyacrylic acid-malonic acid copolymer)及聚丙烯酸-聚苯乙烯共聚物(polyacrylic acid-polystyrene copolymer)。
根据一方面，在所述用于STI工艺的抛光浆料组合物中，所述酸性物质可以是0.001重量％至1重量％。当在所述用于STI工艺的抛光浆科组合物中所述酸性物质小于0.001重量％或超过1重量％时，由于无法确保浆科组合物的安全性，导致无法实现理想的功能，或可能会出现缺陷等现象。
根据一方面，所述添加液还可以包括碱性物质，并且，所述碱性物质可以包括从由四甲基氢氧化铵、氨、氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化镁、氢氧化铷、氢氧化铯、碳酸氢钠、碳酸钠、精氨酸、组氨酸、赖氨酸、甲胺、乙醇胺、丙胺、丁胺、异丙胺、单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二丙胺、乙二胺、丙二酰胺、乙胺、三丁胺、四亚甲基、无乙烯羟化四甲铵、四乙基五胺、N-甲基二乙醇胺、N-异丙基二乙醇胺、N-异丙基二乙醇胺、N-(2-甲基丙基)二乙醇胺、N-n-丁基二乙醇胺、N-t-丁基乙醇胺、N-环己基二乙醇胺、N，N-二(2-羟丙基)乙醇胺、三异丙醇胺、2-氨基-2-乙基-1，3-丙二醇、2-二甲氨基-2-甲基-1-丙醇、1-二甲氨基-2-丙醇、3-二甲氨基-1-丙醇、2-二甲氨基-1-丙醇、2-二甲氨基-1-丙醇、2-二甲氨基-1-乙醇、2-乙胺基-1-乙醇、1-(二甲氨基)2-丙醇、3-氨基-1-丙醇、2-氨基-1-丙醇、1-氨基-2-丙醇、1-氨基-丙醇、2-(二甲氨基)乙醇、2-二乙基氨基乙醇、2-二丙基氨基乙醇、2-丁氨基乙醇、2-t-丁氨基乙醇、2-环氨基乙醇、2-氨基-2-丙醇、2-[双(2-羟乙基)氨基]-2-甲基-1-丙醇、2-[双(2-羟乙基)氨基]-2-丙醇、2-氨基-2-甲基-1-丙醇及三(羟甲基)甲胺组成的群组中选择的至少任一种。
根据一方面，在所述用于STI工艺的抛光浆料组合物中，所述碱性物质可以是0.01重量％至1重量％。当所述碱性物质在所述用于STI工艺的抛光浆料组合物中的重量％小于0.001重量％或超过1重量％时，由于无法确保浆料组合物的安全性，导致无法实现理想的功能，或可能会出现缺陷等现象。
根据一方面，所述抛光粒子可以包括从由金属氧化物、经有机物或无机物涂覆的金属氧化物及处于胶体状态的金属氧化物组成的群组中选择的至少任一种，所述金属氧化物可以包括从由二氧化硅、二氧化铈、氧化锆、氧化铝、二氧化钛、钡二氧化钛、氧化锗、氧化锰及氧化镁组成的群组中选择的至少任一种。例如，所述抛光粒子可以是分散为正电荷的氧化铈。通过将所述分散为正电荷的氧化铈与活化为正电荷的添加液进行混合，从而可以提高段差去除性能及自动抛光停止功能。
根据一方面，所述抛光粒子可以通过固相法或液相法来制备，并进行分散使得抛光粒子的表面具有正电荷。所述液相法可以通过适用溶胶凝胶(sol-gel)法(使晶体生长从而获得微粒子)或共沉淀法(将抛光粒子离子在水溶液中沉淀)及水热合成法(在高温高压下形成抛光粒子)等来制备。另外，所述固相法可以通过在400℃至1000℃的温度下煅烧抛光粒子前体来制备。
根据一方面，所述抛光粒子可以是单晶。使用单晶抛光粒子时，与多晶抛光粒子相比，可以达到减少划痕的效果，可以改善凹陷现象及抛光后的清洁度。
根据一方面，所述抛光粒子的形状可以包括从由球形、矩形、针状及板状组成的群组中选择的至少任一种，优选地，可以是球形。
根据一方面，所述抛光粒子的大小可以包括5nm至150nm的一次粒径及30nm至300nm的二次粒径。所述抛光粒子的平均粒径的测量是在可通过扫描电子显微分析或动态光散射来测量的可视范围内的多个粒子粒径的平均值。对于一次粒子的大小，为了保证粒子均匀性，应为150nm以下，若小于5nm则可能降低抛光率。对于所述用于STI工艺的抛光浆料组合物中二次粒子的大小，当二次粒子的大小小于30nm时，由于研磨而产生的过多小粒子将会降低洗涤性，并在晶片表面上造成过多的缺陷；当超过300nm时，则会出现过度抛光，使难以控制选择比，并有可能出现凹陷、腐蚀及表面缺陷。
根据一方面，除了单粒径粒子以外，所述抛光粒子可以使用包含多分散(multidispersion)形式的粒子分布的混合粒子，例如，可以是通过两种不同平均粒径的抛光粒子混合来具有双峰(bimodal)形式的粒子分布；或可以是通过三种不同平均粒径的抛光粒子混合来具有三个峰值的粒子分布。或者，可以是通过四种以上不同平均粒径的抛光粒子混合来具有多分散形式的粒子分布。通过混合较大的抛光粒子和相对较小的抛光粒子，能够实现更好的分散性，并可以减少晶片表面上的划痕。
根据一方面，在所述用于STI工艺的抛光浆料组合物中，所述抛光粒子可以占0.1重量％至10重量％。在所述用于STI工艺的抛光浆料组合物中，当所述抛光粒子占小于1重量％时，抛光速度将会降低；当超过10重量％时，抛光速度则过高，且由于抛光粒子数量的增加及残留在表面的粒子的吸附性，将可能导致表面缺陷现象。
根据一方面，所述用于STI工艺的抛光浆料组合物的pH范围可以是3至6。当pH值超出上述范围时，分散稳定性急剧降低，从而导致絮凝问题。
根据一方面，所述用于STI工艺的抛光浆料组合物在制备过程中可以包括浓缩制备及稀释(Dilution)过程。根据一方面，所述用于STI工艺的抛光浆料组合物还包括水，所述抛光液：水：添加液的比例可以是1:3至10:1至10。例如，所述水可以包括去离子水、离子交换水及超纯水。当所述添加液的比例在1至4的范围内时，添加液的比例越小，越适合用于大块(bulk)高段差的抛光；在5至10的范围内，添加液的比例越高，氮化硅膜的抛光停止功能越被强化，从而可以在STI抛光工艺过程中有效地将元件分离。
根据一方面，提供抛光浆料组合物的方式可以是分别准备抛光液与添加液之后，在抛光前混合使用的二液型；也可以是抛光液与添加液混合在一起的一液型。
根据一方面，所述用于STI工艺的抛光浆料组合物可以是呈现正(positive)电荷的正浆料组合物，所述浆料组合物的ζ电位范围可以是+5mV至+70mV。由于带正电的抛光粒子，可以保持高分散稳定性，使得抛光粒子不会絮凝，从而可以减少划痕的发生。
根据一方面，所述用于STI工艺的抛光浆料组合物的绝缘膜：多晶硅膜的抛光选择比可以是10:1至1000:1。所述绝缘膜的抛光率可以是
Figure BDA0002548729500000101
Figure BDA0002548729500000102
/min至
Figure BDA0002548729500000103
/min，所述多晶硅膜的抛光率可以在
Figure BDA0002548729500000104
/min以下。由于根据本发明的用于STI工艺的抛光浆料组合物可以包括具有酰胺键的聚合物的多晶硅膜抛光抑制剂，由此可以在多晶硅膜的表面上对抛光进行抑制，从而具有多晶硅膜自动抛光停止功能。
即，根据本发明的用于STI工艺的抛光浆料组合物，对绝缘膜层具有高抛光率，并可以对多晶硅膜层起到抛光抑制的作用，从而可以保护图案化多晶硅膜质。此外，对图案化晶片进行抛光时，可以减少绝缘膜的凹陷(dishing)发生量。因此，本发明可以应用于半导体器件的浅沟槽隔离(shallow trench isolation；STI)工艺等，从而可以制备出具有更高可靠性及更加优秀特性的半导体器件。
以下，将参照以下实施例对本发明进行详细说明，然而，下例实施例仅以说明为目的举出，本发明的技术思想并不限于此。
[实施例1]
制备了包括粒径为150nm的二氧化铈拋光粒子的拋光液。
将具有酰胺键的聚合物0.1重量％、属于胺单体的聚乙二醇(PEHA)50ppm、属于碱性物质的组氨酸0.08重量％、属于酸性物质的乳酸0.024重量％一起混合，制备了pH5.0的添加液。
将所述拋光液：水：添加液的比例设定为1:6:3，从而制备了用于STI工艺的拋光浆料组合物。
[实施例2]
制备了包括粒径为150nm的二氧化铈拋光粒子的拋光液。
将具有酰胺键的聚合物0.1重量％、属于胺单体的聚乙二醇(PEHA)50ppm、属于碱性物质的组氨酸0.08重量％、属于酸性物质的乳酸0.024重量％一起混合，制备了pH4.5的添加液。
将所述拋光液：水：添加液的比例设定为1:6:3，从而制备了用于STI工艺的拋光浆料组合物。
[实施例3]
制备了包括粒径为150nm的二氧化铈拋光粒子的拋光液。
将具有酰胺键的聚合物0.1重量％、属于碱性物质的组氨酸0.08重量％、属于酸性物质的乳酸0.024重量％一起混合，制备了pH4.5的添加液。
将所述拋光液：水：添加液的比例设定为1:6:3，从而制备了用于STI工艺的拋光浆料组合物。
[实施例4]
制备了包括粒径为150nm的二氧化铈拋光粒子的拋光液。
将具有酰胺键的聚合物0.1重量％、属于碱性物质的组氨酸0.08重量％、属于酸性物质的乳酸0.024重量％一起混合，制备了pH4.5的添加液。
将所述拋光液：水：添加液的比例设定为1:6:3，从而制备了用于STI工艺的拋光浆料组合物。
[实施例5]
制备了包括粒径为150nm的二氧化铈拋光粒子的拋光液。
将具有酰胺键的聚合物0.01重量％、属于胺聚合物的聚(二亚乙基三胺)-co-环氧氯丙烷(DT-EH)20ppm、属于碱性物质的组氨酸0.08重量％、属于酸性物质的乳酸0.024重量％一起混合，制备了pH4.5的添加液。
将所述拋光液：水：添加液的比例设定为1:6:3，从而制备了用于STI工艺的拋光浆料组合物。
[实施例6]
制备了包括粒径为150nm的二氧化铈拋光粒子的拋光液。
将具有酰胺键的聚合物0.05重量％、属于胺聚合物的聚(二亚乙基三胺)-co-环氧氯丙烷(DT-EH)20ppm、属于碱性物质的组氨酸0.08重量％、属于酸性物质的乳酸0.024重量％一起混合，制备了pH4.5的添加液。
将所述拋光液：水：添加液的比例设定为1:6:3，从而制备了用于STI工艺的拋光浆料组合物。
[实施例7]
制备了包括粒径为150nm的二氧化铈拋光粒子的拋光液。
将具有酰胺键的聚合物0.1重量％、属于胺聚合物的聚(二亚乙基三胺)-co-环氧氯丙烷(DT-EH)20ppm、属于碱性物质的组氨酸0.08重量％、属于酸性物质的乳酸0.024重量％一起混合，制备了pH4.5的添加液。
将所述拋光液：水：添加液的比例设定为1:6:3，从而制备了用于STI工艺的拋光浆料组合物。
[实施例8]
制备了包括粒径为150nm的二氧化铈拋光粒子的拋光液。
将具有酰胺键的聚合物0.05重量％、属于胺单体的五亞乙基六胺(TEPA)300ppm、属于碱性物质的组氨酸0.08重量％、属于酸性物质的乳酸0.024重量％一起混合，制备了pH4.5的添加液。
将所述拋光液：水：添加液的比例设定为1:6:3，从而制备了用于STI工艺的拋光浆料组合物。
[实施例9]
制备了包括粒径为150nm的二氧化铈拋光粒子的拋光液。
将具有酰胺键的聚合物0.05重量％、属于胺单体的聚乙二醇(PEHA)75ppm、属于碱性物质的组氨酸0.08重量％、属于酸性物质的乳酸0.024重量％一起混合，制备了pH5.0的添加液。
将所述拋光液：水：添加液的比例设定为1:6:3，从而制备了用于STI工艺的拋光浆料组合物。
[比较例1]
制备了包括粒径为150nm的二氧化铈拋光粒子的拋光液。
将聚乙二醇4K0.05重量％、属于胺聚合物的聚(二亚乙基三胺)-co-环氧氯丙烷(DT-EH)20ppm、属于碱性物质的组氨酸0.08重量％、属于酸性物质的乳酸0.024重量％一起混合，制备了pH4.5的添加液。
将所述拋光液：水：添加液的比例设定为1:6:3，从而制备了用于STI工艺的拋光浆料组合物。
[比较例2]
制备了包括粒径为150nm的二氧化铈拋光粒子的拋光液。
将聚乙二醇8K0.05重量％、属于胺聚合物的聚(二亚乙基三胺)-co-环氧氯丙烷(DT-EH)20ppm、属于碱性物质的组氨酸0.08重量％、属于酸性物质的乳酸0.024重量％一起混合，制备了pH4.5的添加液。
将所述拋光液：水：添加液的比例设定为1:6:3，从而制备了用于STI工艺的拋光浆料组合物。
[比较例3]
制备了包括粒径为150nm的二氧化铈拋光粒子的拋光液。
将聚乙二醇8K0.1重量％、属于胺聚合物的聚(二亚乙基三胺)-co-环氧氯丙烷(DT-EH)20ppm、属于碱性物质的组氨酸0.08重量％、属于酸性物质的乳酸0.024重量％一起混合，制备了pH4.5的添加液。
将所述拋光液：水：添加液的比例设定为1:6:3，从而制备了用于STI工艺的拋光浆料组合物。
[抛光条件]
1.抛光器：AP-300(300mm,KCTECH社)
2.垫子：IC 1000(DOW社)
3.抛光时间：60秒
4.压板RPM(Platen RPM)：93rpm
5.主轴RPM(Spindle RPM)：87rpm
6.压力：4psi
7.流量(Flow rate)：250ml/分
8.使用的晶片：PE-TEOS 20K
Figure BDA0002548729500000142
STI图案化多晶片5000K
Figure BDA0002548729500000143
沟槽深度5K
Figure BDA0002548729500000144
以下表1示出了当通过使用实施例1至实施例9及比较例1至比较例3的用于STI工艺的抛光浆料组合物及比较例的浆料组合物来抛光晶片时的四乙氧基硅烷(TetraethlyOrthosilicate，TEOS)绝缘膜及多晶硅膜(P-Poly)的抛光率(Removal Rate；RR)。
[表1]
Figure BDA0002548729500000141
Figure BDA0002548729500000151
参照上述表1，可以确定，根据本发明的一实施例的用于STI工艺的抛光浆料组合物的绝缘膜：多晶硅膜的抛光选择比为10:1至1000:1。具体地，可以确定，所述绝缘膜(TEOS)的抛光率为
Figure BDA0002548729500000152
/分至
Figure BDA0002548729500000153
/分，并且，所述多晶硅膜(P-Poly)的抛光率为
Figure BDA0002548729500000154
/3分以下。与此相反，包括聚乙二醇的比较例1至比较例3的浆料组合物的多晶硅膜(P-Poly)的抛光率超过
Figure BDA0002548729500000155
/3分。
即，由于根据本发明的用于STI工艺的抛光浆料组合物包括具有酰胺键的聚合物的多晶硅膜抛光抑制剂，由此可以在多晶硅膜的表面上对抛光进行抑制，从而具有多晶硅膜自动抛光停止功能。因此，根据本发明的用于STI工艺的抛光浆料组合物，对绝缘膜层具有高抛光率，并可以对多晶硅膜层起到抛光抑制的作用，从而可以保护图案化多晶硅膜质。
以上，通过有限的实施例与附图对实施例进行了说明，本领域的普通技术人员能够对上述记载进行多种修改与变形。由此，其他体现、其他实施例及权利要求范围的均等物全部属于专利权利要求的范围。

Claims (18)

1.一种用于STI工艺的抛光浆料组合物，包括：
抛光液，其包括抛光粒子；以及
添加液，其包括具有酰胺键的聚合物的多晶硅膜抛光抑制剂。
2.根据权利要求1所述的用于STI工艺的抛光浆料组合物，
所述聚合物表示为下述化学式1：
[化学式1]
Figure FDA0002548729490000011
(在所述化学式1中，n是1以上的整数，R2是简单键、经取代或未经取代的C1-30的亚烷基、亚烯基、亚环烷基、亚芳基、芳基亚烷基或亚炔基，R1、R3及R4是彼此独立的氢、羟基、官能团经取代或未经取代的C1-30的烷基、烷氧基、芳基或芳烷基)。
3.根据权利要求1所述的用于STI工艺的抛光浆料组合物，
所述聚合物包括从由聚(2-甲基-2-恶唑啉)、具有羟基末端的聚(2-甲基-2-唑啉)、具有α-苯甲基及ω-叠氮化物末端的聚(2-甲基-2-唑啉)、具有叠氮化物末端聚(2-甲基-2-唑啉)、具有呱嗪末端的聚(2-甲基-2-唑啉)、聚(2-乙基-2-唑啉)、具有炔属烃末端的聚(2-乙基-2-唑啉)、具有α-苯甲基及ω-硫醇末端的聚(2-乙基-2-唑啉)、α-甲基及ω-2-羟乙胺的聚(2-乙基-2-唑啉)、具有胺末端的聚(2-乙基-2-唑啉)、具有呱嗪末端的聚(2-乙基-2-唑啉)、聚(2-丙基-2-唑啉)、具有叠氮化物末端聚的聚(2-丙基-2-唑啉)及其衍生物组成的群组中选择的至少任一种。
4.根据权利要求1所述的用于STI工艺的抛光浆料组合物，
所述聚合物的分子量为1000至5000000。
5.根据权利要求1所述的用于STI工艺的抛光浆料组合物，
所述聚合物在所述用于STI工艺的抛光浆料组合物中占0.001重量％至1重量％。
6.根据权利要求1所述的用于STI工艺的抛光浆料组合物，
所述添加液作为氧化膜抛光调节剂，还包括氨基化合物。
7.根据权利要求6所述的用于STI工艺的抛光浆料组合物，
所述氨基化合物还包括从由二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、四乙基五胺、五亚乙基六胺、六亚乙基七胺、二(六亚乙基)三胺、N-(3-氨基丙基)乙二胺、N,N'-二(3-氨基丙基)乙二胺、N,N,N'-三(3-氨基丙基)乙二胺、N-3-氨基丙基-1，3-丙二胺、N,N'-二(3-氨基丙基)-1，3-丙二胺、N,N,N'-三(3-氨基丙基)-1，3-丙二胺、二-(3-氨基丙基)胺、二丙烯三胺及三丙烯四胺组成的群组中选择的至少任一中胺单体；从聚(二亚乙基三胺)-co-环氧氯丙烷、聚(三亚乙基四胺)-co-环氧氯丙烷、四乙基五胺-co-环氧氯丙烷及五亚乙基六胺-co-环氧氯丙烷组成的群组中选择的至少任一种胺聚合物，或两者的组合。
8.根据权利要求6所述的用于STI工艺的抛光浆料组合物，
所述氨基化合物在所述用于STI工艺的抛光浆料组合物中占0.1ppm至1000ppm。
9.根据权利要求1所述的用于STI工艺的抛光浆料组合物，
所述添加液还包括从由羧酸、硝酸、盐酸、磷酸、硫酸、氢氟酸、溴酸、碘酸、庚二酸、苹果酸、丙二酸、马来酸、乙酸、肥酸、草酸、琥珀酸、酒石酸、柠檬酸、乳酸、戊二酸、乙醇酸、甲酸、富马酸、丙酸、丁酸、羟丁酸、天冬氨酸、衣康酸、丙三羧酸、辛二酸、苯甲酸、苯乙酸、萘甲酸、苯基乙醇酸、吡啶甲酸、烟酸、异烟酸、喹啉酸、邻氨基苯甲酸、富马酸、邻苯二甲酸、间苯二甲酸、对苯二甲酸、吡啶甲酸、水杨酸、谷氨酸、聚丙烯酸、聚丙烯酸共聚物及聚砜酸组成的群组中选择的至少任一种以上的酸性物质。
10.根据权利要求1所述的用于STI工艺的抛光浆料组合物，
所述添加液还包括碱性物质，
所述碱性物质包括从由四甲基氢氧化铵、氨、氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化镁、氢氧化铷、氢氧化铯、碳酸氢钠、碳酸钠、精氨酸、组氨酸、赖氨酸、甲胺、乙醇胺、丙胺、丁胺、异丙胺、单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二丙胺、乙二胺、丙二酰胺、乙胺、三丁胺、四亚甲基、无乙烯羟化四甲铵、四乙基五胺、N-甲基二乙醇胺、N-异丙基二乙醇胺、N-异丙基二乙醇胺、N-(2-甲基丙基)二乙醇胺、N-n-丁基二乙醇胺、N-t-丁基乙醇胺、N-环己基二乙醇胺、N，N-二(2-羟丙基)乙醇胺、三异丙醇胺、2-氨基-2-乙基-1，3-丙二醇、2-二甲氨基-2-甲基-1-丙醇、1-二甲氨基-2-丙醇、3-二甲氨基-1-丙醇、2-二甲氨基-1-丙醇、2-二甲氨基-1-丙醇、2-二甲氨基-1-乙醇、2-乙胺基-1-乙醇、1-(二甲氨基)2-丙醇、3-氨基-1-丙醇、2-氨基-1-丙醇、1-氨基-2-丙醇、1-氨基-丙醇、2-(二甲氨基)乙醇、2-二乙基氨基乙醇、2-二丙基氨基乙醇、2-丁氨基乙醇、2-t-丁氨基乙醇、2-环氨基乙醇、2-氨基-2-丙醇、2-[双(2-羟乙基)氨基]-2-甲基-1-丙醇、2-[双(2-羟乙基)氨基]-2-丙醇、2-氨基-2-甲基-1-丙醇及三(羟甲基)甲胺组成的群组中选择的至少任一种。
11.根据权利要求1所述的用于STI工艺的抛光浆料组合物，
所述抛光粒子通过固相法或液相法来制备，并进行分散使得抛光粒子的表面具有正电荷。
12.根据权利要求1所述的用于STI工艺的抛光浆料组合物，
所述抛光粒子包括从由金属氧化物、经有机物或无机物涂覆的金属氧化物及处于胶体状态的金属氧化物组成的群组中选择的至少任一种，并且，所述金属氧化物包括从由二氧化硅、二氧化铈、氧化锆、氧化铝、二氧化钛、钡二氧化钛、氧化锗、氧化锰及氧化镁组成的群组中选择的至少任一种。
13.根据权利要求1所述的用于STI工艺的抛光浆料组合物，
所述抛光粒子的大小包括5nm至150nm的一次粒径及30nm至300nm的二次粒径。
14.根据权利要求1所述的用于STI工艺的抛光浆料组合物，
所述抛光粒子在所述用于STI工艺的抛光浆料组合物中占0.1重量％至10重量％。
15.根据权利要求1所述的用于STI工艺的抛光浆料组合物，
所述用于STI工艺的抛光浆料组合物的pH范围为3至6。
16.根据权利要求1所述的用于STI工艺的抛光浆料组合物，还包括：
水，
所述抛光液：水：添加液的比例为1:3至10:1至10。
17.根据权利要求1所述的用于STI工艺的抛光浆料组合物，
所述用于STI工艺的抛光浆料组合物的ζ电位范围为+5mV至+70mV。
18.根据权利要求1所述的用于STI工艺的抛光浆料组合物，
绝缘膜：多晶硅膜的抛光选择比为10:1至1000:1。
CN201880082836.7A 2017-12-20 2018-11-13 用于sti工艺的抛光浆科组合物 Active CN111492024B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2017-0176070 2017-12-20
KR1020170176070A KR20190074594A (ko) 2017-12-20 2017-12-20 Sti 공정용 연마 슬러리 조성물
PCT/KR2018/013762 WO2019124740A1 (ko) 2017-12-20 2018-11-13 Sti 공정용 연마 슬러리 조성물

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111492024A true CN111492024A (zh) 2020-08-04
CN111492024B CN111492024B (zh) 2022-12-30

Family

ID=66993716

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880082836.7A Active CN111492024B (zh) 2017-12-20 2018-11-13 用于sti工艺的抛光浆科组合物

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20210163785A1 (zh)
KR (1) KR20190074594A (zh)
CN (1) CN111492024B (zh)
SG (1) SG11202005141UA (zh)
TW (1) TWI704198B (zh)
WO (1) WO2019124740A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113195658A (zh) * 2018-12-20 2021-07-30 凯斯科技股份有限公司 用于sti工艺的抛光料浆组合物
CN113195659A (zh) * 2018-12-21 2021-07-30 凯斯科技股份有限公司 抛光浆料组合物

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102337949B1 (ko) * 2019-07-10 2021-12-14 주식회사 케이씨텍 멀티 필름 연마용 ｃｍｐ 슬러리 조성물 및 그를 이용한 연마 방법
KR102316237B1 (ko) 2019-12-19 2021-10-25 주식회사 케이씨텍 멀티선택비 구현이 가능한 연마용 슬러리 조성물
US11472984B1 (en) * 2021-09-27 2022-10-18 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of enhancing the removal rate of polysilicon

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040060472A1 (en) * 2000-05-24 2004-04-01 International Business Machines Corporation Selective polishing with slurries containing polyelectrolytes
CN104284960A (zh) * 2012-03-14 2015-01-14 嘉柏微电子材料股份公司 具有高移除速率和低缺陷率的对氧化物和氮化物有选择性的cmp组合物
CN105308129A (zh) * 2013-04-25 2016-02-03 日本嘉柏微电子株式会社 浆料组合物以及基材抛光方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2002067309A1 (ja) * 2001-02-20 2004-06-24 日立化成工業株式会社 研磨剤及び基板の研磨方法
TW200521217A (en) * 2003-11-14 2005-07-01 Showa Denko Kk Polishing composition and polishing method
CN101451047B (zh) * 2007-11-30 2013-10-23 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
JP5220428B2 (ja) * 2008-02-01 2013-06-26 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物を用いた研磨方法
US9346977B2 (en) * 2012-02-21 2016-05-24 Hitachi Chemical Company, Ltd. Abrasive, abrasive set, and method for abrading substrate
KR101472858B1 (ko) * 2012-11-07 2014-12-17 한양대학교 산학협력단 친환경 sti 공정용 슬러리 및 첨가제 조성물
JP6654696B2 (ja) * 2015-07-10 2020-02-26 フエロ コーポレーション 有機ポリマー系眼用基材を研磨するためのスラリー組成物及び方法、並びに眼用レンズ
KR20190074597A (ko) * 2017-12-20 2019-06-28 주식회사 케이씨텍 Sti 공정용 연마 슬러리 조성물
KR102316237B1 (ko) * 2019-12-19 2021-10-25 주식회사 케이씨텍 멀티선택비 구현이 가능한 연마용 슬러리 조성물

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040060472A1 (en) * 2000-05-24 2004-04-01 International Business Machines Corporation Selective polishing with slurries containing polyelectrolytes
CN104284960A (zh) * 2012-03-14 2015-01-14 嘉柏微电子材料股份公司 具有高移除速率和低缺陷率的对氧化物和氮化物有选择性的cmp组合物
CN105308129A (zh) * 2013-04-25 2016-02-03 日本嘉柏微电子株式会社 浆料组合物以及基材抛光方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113195658A (zh) * 2018-12-20 2021-07-30 凯斯科技股份有限公司 用于sti工艺的抛光料浆组合物
CN113195659A (zh) * 2018-12-21 2021-07-30 凯斯科技股份有限公司 抛光浆料组合物

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190074594A (ko) 2019-06-28
TWI704198B (zh) 2020-09-11
US20210163785A1 (en) 2021-06-03
SG11202005141UA (en) 2020-07-29
WO2019124740A1 (ko) 2019-06-27
TW201927951A (zh) 2019-07-16
CN111492024B (zh) 2022-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111492024B (zh) 用于sti工艺的抛光浆科组合物
CN111511856A (zh) 用于sti工艺的抛光浆料组合物
US7005382B2 (en) Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, chemical mechanical polishing process, production process of semiconductor device and material for preparing an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing
KR20160009644A (ko) 적어도 하나의 iii-v 재료를 포함하는 물질 또는 층을 연마하기 위한 cmp 조성물의 용도
TWI793158B (zh) 用於淺溝槽隔離之水性二氧化矽漿料及胺羧酸組合物及其使用方法
KR101916929B1 (ko) Sti 공정용 연마 슬러리 조성물
EP4048751A1 (en) Polishing composition and method with high selectivity for silicon nitride and polysilicon over silicon oxide
JP7274845B2 (ja) 浅溝分離に使用するための水性低砥粒シリカスラリー及びアミンカルボン酸組成物並びにその製造方法及び使用方法
CN113195659A (zh) 抛光浆料组合物
KR101935965B1 (ko) Ild 연마 공정용 슬러리 조성물
KR20200076990A (ko) Sti 공정용 연마 슬러리 조성물
KR101733163B1 (ko) 슬러리 및 이를 이용한 기판 연마 방법
JP7152217B2 (ja) シャロートレンチアイソレーションにおいて使用するための水性シリカスラリー組成物、及びそれらの使用方法
KR102213533B1 (ko) Sti 공정용 연마 슬러리 조성물
KR20190071268A (ko) Sti 공정용 연마 슬러리 조성물
TWI732300B (zh) 用於sti工藝的拋光料漿組合物
CN113242891B (zh) 抛光料浆组合物
KR102533088B1 (ko) 다결정실리콘을 함유하는 웨이퍼의 연마 슬러리 조성물
KR20210008430A (ko) Sti 공정용 연마 슬러리 조성물
CN114867802A (zh) 用于抛光有机膜的浆料组合物
CN114958207A (zh) 用于对氧化硅膜进行抛光的cmp浆料组合物
KR20190071269A (ko) Sti 공정용 연마 슬러리 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant