CN111463113B - 一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法 - Google Patents

一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法 Download PDF

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Abstract

一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，它属于碳化硅晶片制备技术领域。本发明将SiC分散液旋涂于石墨坩埚内壁及坩埚内盖，将旋涂后的石墨坩埚放置于烧结炉中抽真空，随后充入氩气进行保护，温度升至1800～1900℃，保温2～3h；在无尘状态下将待处理的SiC晶片表面旋涂光刻胶，干燥后重复旋涂光刻胶1～5次，然后置于烘箱中干燥，得到处理后的SiC晶片置于处理后的石墨坩埚，然后在真空条件下，将石墨坩埚加热至200℃，然后以2～5℃/min的升温速度缓慢加热至370℃，保温100min，得到用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的SiC晶片。本发明有效避免退火过程中的晶体表面的损伤。

Description

一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法
技术领域
本发明属于碳化硅晶片制备技术领域；具体涉及一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法。
背景技术
与其他半导体材料不同，SiC很难生长出高纯的高阻材料。SiC单晶生长需要极高的温度(物理气相沉积法生长温度在2000℃到2400℃之间)，生长过程中难以避免杂质的掺入，使得晶体中存在浓度极高的剩余杂质，如Ni、B、Ti、N和V等。在SiC晶体中普遍存在受主杂质硼，这是因为在SiC晶体生长过程中，使用的石墨基座中B是主要杂质，而在生长温度下，B的蒸气压大于10-4atm，导致了SiC升华气源中杂质B的存在。此外，SiC生长环境如石墨基座中吸附大量的氮是SiC中主要的施主能级，因此不进行任何有意掺杂生长的SiC单晶都表现为N型导电类型。
生成SiC高阻材料的方法：在SiC晶体中掺入某种替位式掺杂杂质，在其禁带中引入一些深能级，起到束缚中心的作用，通过束缚SiC中的剩余载流子提高材料的电阻率。过渡态金属钒是一种理想的深能级杂质，掺杂方式分为两种，一是材料生长过程中的原位掺杂，另外一种是通过离子注入。离子注入在选择区域掺杂方面有重要的意义，但离子注入会在SiC中产生大量的晶格损伤，因此注入后的高温退火工艺对于修复晶格损伤具有非常重要的作用，同时可以提高掺杂杂质的激活率达到所需的有效掺杂浓度。
高温退火工艺在提高注入杂质激活率的同时，会对SiC材料表面形貌和杂质浓度分布产生很大影响。较高的退火温度会导致比较严重的表面损伤，在表面损伤比较严重的SiC上制作器件或集成电路。会产生很大的漏电流，导致器件性能下降。通常情况下，退火导致SiC表面Si的析出，会以Si，Si2C，SiC2形式重新沉积在SiC表面形成复杂的缺陷，表观呈现为犁状沟槽，因此退火过程中SiC晶片表面的保护是一个关键问题。
发明内容
本发明目的是提供了一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法。
本发明通过以下技术方案实现：
一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，包括如下步骤：
步骤1、将SiC粉末加入到乙醇溶液中，搅拌的条件下调节溶液PH值为碱性条件，搅拌均匀后得的SiC分散液，待用；
步骤2、将步骤1得到的SiC分散液旋涂于石墨坩埚内壁及坩埚内盖，将旋涂后的石墨坩埚放置于烧结炉中抽真空，随后充入氩气进行保护，温度升至1800～1900℃，保温2～3h，冷却后得到处理后的石墨坩埚；
步骤3、在无尘状态下将待处理的SiC晶片表面旋涂光刻胶，SiC晶片表面常温干燥后再进行表面旋涂光刻胶，重复旋涂光刻胶1～5次，然后置于烘箱中干燥，得到处理后的SiC晶片，待用；
步骤4、将步骤3得到的处理后的SiC晶片置于步骤2得到的处理后的石墨坩埚，然后在真空条件下，将石墨坩埚以5～10℃/min的升温速度加热至200℃，然后以2～5℃/min的升温速度缓慢加热至370℃，保温100min，得到用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的SiC晶片。
本发明所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤1中SiC粉末和乙醇溶液的料液比为1～5g/100ml。
本发明所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤1中PH值为9～10。
本发明所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤2中旋涂的转速为500rpm，旋涂时间60～120s。
本发明所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤2中充入的氩气为20Mpa，升温速度为5～10℃/min。
本发明所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤3中在无尘状态下是在百级超净间中操作。
本发明所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤3中旋涂的转速为3000rpm，旋涂时间60～120s，重复旋涂光刻胶的次数为3次。
本发明所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤3中烘箱温度为80℃，烘干时间为10～15min。
本发明所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤4中将石墨坩埚以10℃/min的升温速度加热至200℃，然后以2℃/min的升温速度缓慢加热至370℃，保温100min。
本发明所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，使用内壁涂有多晶SiC粉的高纯石墨坩埚作为表面处理装置及退火保护装置，表面处理时能够在SiC晶体表面将光刻胶碳化后转化为无定型C膜，退火时由于坩埚内壁涂了多晶SiC粉，有利于在富Si的蒸汽氛中进行退火，减少退火过程中Si的析出。
本发明所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，内壁涂有多晶SiC粉的高纯石墨坩埚的多晶SiC粉的厚度为2～3mm。
本发明所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，碳化硅晶体在Ar气氛中保护下进行高温退火，能够有效避免退火过程中的晶体表面的损伤。
附图说明
图1为本发明内壁涂有多晶SiC粉的高纯石墨坩埚的俯视照片；
图2为未处理的SiC晶片的X射线散射谱曲线；
图3为具体实施方式一方法制备的用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的SiC晶片的X射线散射谱曲线；
图4为未处理的SiC晶片的退火后的SEM照片；
图5为具体实施方式一方法制备的用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的SiC晶片的退火后的SEM照片。
具体实施方式
具体实施方式一：
一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，其特征在于：包括如下步骤：
步骤1、将SiC粉末加入到乙醇溶液中，搅拌的条件下调节溶液PH值为碱性条件，搅拌均匀后得的SiC分散液，待用；
步骤2、将步骤1得到的SiC分散液旋涂于石墨坩埚内壁及坩埚内盖，将旋涂后的石墨坩埚放置于烧结炉中抽真空，随后充入氩气进行保护，温度升至1900℃，保温2h，冷却后得到处理后的石墨坩埚；
步骤3、在无尘状态下将待处理的SiC晶片表面旋涂光刻胶，SiC晶片表面常温干燥后再进行表面旋涂光刻胶，重复旋涂光刻胶3次，然后置于烘箱中干燥，得到处理后的SiC晶片，待用；
步骤4、将步骤3得到的处理后的SiC晶片置于步骤2得到的处理后的石墨坩埚，然后在真空条件下，将石墨坩埚以5～10℃/min的升温速度加热至200℃，然后以2～5℃/min的升温速度缓慢加热至370℃，保温100min，得到用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的SiC晶片。
本实施方式所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤1中SiC粉末和乙醇溶液的料液比为5g/100ml。
本实施方式所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤1中PH值为10。
本实施方式所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤2中旋涂的转速为500rpm，旋涂时间60s。
本实施方式所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤2中充入的氩气为20Mpa，升温速度为10℃/min。
本实施方式所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤3中在无尘状态下是在百级超净间中操作。
本实施方式所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤3中旋涂的转速为3000rpm，旋涂时间60s。
本实施方式所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤3中烘箱温度为80℃，烘干时间为10min。
本实施方式所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤4中将石墨坩埚以10℃/min的升温速度加热至200℃，然后以2℃/min的升温速度缓慢加热至370℃，保温100min。
本实施方式所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤2得到的处理后的石墨坩埚的俯视图如图1所示，从图中能够看出，碳化硅均匀的覆盖于石墨坩埚的内壁。
本实施方式所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤2得到的处理后的石墨坩埚中碳化硅的厚度为3mm。
本实施方式所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，未处理的碳化硅晶片和用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的SiC晶片X射线散射谱如图2和图3所示，从图2和图3中的对比能够看出，所述的用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的SiC晶片的表面的C元素含量明显增加，C元素的原子含量占到了总原子数的85.59％，结果充分说明了用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的SiC晶片表面碳膜的形成。
本实施方式所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，未处理的SiC晶片的退火后的SEM照片和所述的用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的SiC晶片的退火后的SEM照片如图4和图5所示，退火条件为热压烧结炉在真空中1600℃-1700℃退火1-2小时，所述的用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的SiC晶片在退火后在950℃条件下，干氧氧化30min除去C膜。从图4和图5的对比中能够看出，所述的用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的SiC晶片经过高温退火并没有引起表面粗糙，没有沟槽缺陷的形成，所述的用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的SiC晶片退火后表面粗糙度为0.924nm，未处理的SiC晶片退火后的SiC样品的表面粗糙度为4.8-8.1nm。
本实施方式所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，能够有效避免退火过程中的晶体表面的损伤。
具体实施方式二：
一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，包括如下步骤：
步骤1、将SiC粉末加入到乙醇溶液中，搅拌的条件下调节溶液PH值为碱性条件，搅拌均匀后得的SiC分散液，待用；
步骤2、将步骤1得到的SiC分散液旋涂于石墨坩埚内壁及坩埚内盖，将旋涂后的石墨坩埚放置于烧结炉中抽真空，随后充入氩气进行保护，温度升至1800℃，保温3h，冷却后得到处理后的石墨坩埚；
步骤3、在无尘状态下将待处理的SiC晶片表面旋涂光刻胶，SiC晶片表面常温干燥后再进行表面旋涂光刻胶，重复旋涂光刻胶4次，然后置于烘箱中干燥，得到处理后的SiC晶片，待用；
步骤4、将步骤3得到的处理后的SiC晶片置于步骤2得到的处理后的石墨坩埚，然后在真空条件下，将石墨坩埚以5℃/min的升温速度加热至200℃，然后以5℃/min的升温速度缓慢加热至370℃，保温100min，得到用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的SiC晶片。
本实施方式所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤1中SiC粉末和乙醇溶液的料液比为4g/100ml。
本实施方式所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤1中PH值为9。
本实施方式所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤2中旋涂的转速为500rpm，旋涂时间120s。
本实施方式所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤2中充入的氩气为20Mpa，升温速度为5℃/min。
本实施方式所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤3中在无尘状态下是在百级超净间中操作。
本实施方式所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤3中旋涂的转速为3000rpm，旋涂时间100s。
本实施方式所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤3中烘箱温度为80℃，烘干时间为15min。
本实施方式所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，使用内壁涂有多晶SiC粉的高纯石墨坩埚作为表面处理装置及退火保护装置，表面处理时能够在SiC晶体表面将光刻胶碳化后转化为无定型C膜，退火时由于坩埚内壁涂了多晶SiC粉，有利于在富Si的蒸汽氛中进行退火，减少退火过程中Si的析出。
本实施方式所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，内壁涂有多晶SiC粉的高纯石墨坩埚的多晶SiC粉的厚度为3mm。
本实施方式所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，碳化硅晶体在Ar气氛中保护下进行高温退火，能够有效避免退火过程中的晶体表面的损伤。
具体实施方式三：
一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，包括如下步骤：
步骤1、将SiC粉末加入到乙醇溶液中，搅拌的条件下调节溶液PH值为碱性条件，搅拌均匀后得的SiC分散液，待用；
步骤2、将步骤1得到的SiC分散液旋涂于石墨坩埚内壁及坩埚内盖，将旋涂后的石墨坩埚放置于烧结炉中抽真空，随后充入氩气进行保护，温度升至1850℃，保温2.5h，冷却后得到处理后的石墨坩埚；
步骤3、在无尘状态下将待处理的SiC晶片表面旋涂光刻胶，SiC晶片表面常温干燥后再进行表面旋涂光刻胶，重复旋涂光刻胶5次，然后置于烘箱中干燥，得到处理后的SiC晶片，待用；
步骤4、将步骤3得到的处理后的SiC晶片置于步骤2得到的处理后的石墨坩埚，然后在真空条件下，将石墨坩埚以5℃/min的升温速度加热至200℃，然后以4℃/min的升温速度缓慢加热至370℃，保温100min，得到用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的SiC晶片。
本实施方式所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤1中SiC粉末和乙醇溶液的料液比为2g/100ml。
本实施方式所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤1中PH值为9.5。
本实施方式所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤2中旋涂的转速为500rpm，旋涂时间100s。
本实施方式所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤2中充入的氩气为20Mpa，升温速度为10℃/min。
本实施方式所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤3中在无尘状态下是在百级超净间中操作。
本实施方式所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤3中旋涂的转速为3000rpm，旋涂时间100s。
本实施方式所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤3中烘箱温度为80℃，烘干时间为10min。
本实施方式所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，使用内壁涂有多晶SiC粉的高纯石墨坩埚作为表面处理装置及退火保护装置，表面处理时能够在SiC晶体表面将光刻胶碳化后转化为无定型C膜，退火时由于坩埚内壁涂了多晶SiC粉，有利于在富Si的蒸汽氛中进行退火，减少退火过程中Si的析出。
本实施方式所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，内壁涂有多晶SiC粉的高纯石墨坩埚的多晶SiC粉的厚度为2mm。
本实施方式所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，碳化硅晶体在Ar气氛中保护下进行高温退火，能够有效避免退火过程中的晶体表面的损伤。
具体实施方式四：
一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，其特征在于：包括如下步骤：
步骤1、将SiC粉末加入到乙醇溶液中，搅拌的条件下调节溶液PH值为碱性条件，搅拌均匀后得的SiC分散液，待用；
步骤2、将步骤1得到的SiC分散液旋涂于石墨坩埚内壁及坩埚内盖，将旋涂后的石墨坩埚放置于烧结炉中抽真空，随后充入氩气进行保护，温度升至1800～1900℃，保温2～3h，冷却后得到处理后的石墨坩埚；
步骤3、在无尘状态下将待处理的SiC晶片表面旋涂光刻胶，SiC晶片表面常温干燥后再进行表面旋涂光刻胶，重复旋涂光刻胶1～5次，然后置于烘箱中干燥，得到处理后的SiC晶片，待用；
步骤4、将步骤3得到的处理后的SiC晶片置于步骤2得到的处理后的石墨坩埚，然后在真空条件下，将石墨坩埚以5～10℃/min的升温速度加热至200℃，然后以2～5℃/min的升温速度缓慢加热至370℃，保温100min，得到用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的SiC晶片。
本实施方式所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，使用内壁涂有多晶SiC粉的高纯石墨坩埚作为表面处理装置及退火保护装置，表面处理时能够在SiC晶体表面将光刻胶碳化后转化为无定型C膜，退火时由于坩埚内壁涂了多晶SiC粉，有利于在富Si的蒸汽氛中进行退火，减少退火过程中Si的析出。
本实施方式所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，内壁涂有多晶SiC粉的高纯石墨坩埚的多晶SiC粉的厚度为2～3mm。
本实施方式所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，碳化硅晶体在Ar气氛中保护下进行高温退火，能够有效避免退火过程中的晶体表面的损伤。
具体实施方式五：
根据具体实施方式四所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤1中SiC粉末和乙醇溶液的料液比为1～5g/100ml。
具体实施方式六：
根据具体实施方式四所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤1中PH值为9～10。
具体实施方式七：
根据具体实施方式四所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤2中旋涂的转速为500rpm，旋涂时间60～120s。
具体实施方式八：
根据具体实施方式四所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤2中充入的氩气为20Mpa，升温速度为5～10℃/min。
具体实施方式九：
根据具体实施方式四所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤3中在无尘状态下是在百级超净间中操作。
具体实施方式十：
根据具体实施方式四所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤3中旋涂的转速为3000rpm，旋涂时间60～120s，重复旋涂光刻胶的次数为3次。
具体实施方式十一：
根据具体实施方式四所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤3中烘箱温度为80℃，烘干时间为10～15min。
具体实施方式十二：
根据具体实施方式四所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，步骤4中将石墨坩埚以10℃/min的升温速度加热至200℃，然后以2℃/min的升温速度缓慢加热至370℃，保温100min。

Claims (9)

1.一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，其特征在于：包括如下步骤：
步骤1、将SiC粉末加入到乙醇溶液中，搅拌的条件下调节溶液PH值为碱性条件，搅拌均匀后得的SiC分散液，待用；
步骤2、将步骤1得到的SiC分散液旋涂于石墨坩埚内壁及坩埚内盖，将旋涂后的石墨坩埚放置于烧结炉中抽真空，随后充入氩气进行保护，温度升至1800～1900℃，保温2～3h，冷却后得到处理后的石墨坩埚；
步骤3、在无尘状态下将待处理的SiC晶片表面旋涂光刻胶，SiC晶片表面常温干燥后再进行表面旋涂光刻胶，重复旋涂光刻胶1～5次，然后置于烘箱中干燥，得到处理后的SiC晶片，待用；
步骤4、将步骤3得到的处理后的SiC晶片置于步骤2得到的处理后的石墨坩埚，然后在真空条件下，将石墨坩埚以5～10℃/min的升温速度加热至200℃，然后以2～5℃/min的升温速度缓慢加热至370℃，保温100min，得到用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的SiC晶片。
2.根据权利要求1所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，其特征在于：步骤1中SiC粉末和乙醇溶液的料液比为1～5g/100ml。
3.根据权利要求1所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，其特征在于：步骤1中PH值为9～10。
4.根据权利要求1所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，其特征在于：步骤2中旋涂的转速为500rpm，旋涂时间60～120s。
5.根据权利要求1所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，其特征在于：步骤2中充入的氩气为20Mpa，升温速度为5～10℃/min。
6.根据权利要求1所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，其特征在于：步骤3中在无尘状态下是在百级超净间中操作。
7.根据权利要求1所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，其特征在于：步骤3中旋涂的转速为3000rpm，旋涂时间60～120s，重复旋涂光刻胶的次数为3次。
8.根据权利要求1所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，其特征在于：步骤3中烘箱温度为80℃，烘干时间为10～15min。
9.根据权利要求1所述的一种用于半绝缘SiC离子掺杂退火过程的保护碳化硅表面的处理方法，其特征在于：步骤4中将石墨坩埚以10℃/min的升温速度加热至200℃，然后以2℃/min的升温速度缓慢加热至370℃，保温100min。
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