CN106977235A - 一种在碳材料表面制备Si‑SiC抗氧化涂层的方法 - Google Patents
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Abstract
一种在碳材料表面制备Si‑SiC抗氧化涂层的方法,属于材料技术领域,按以下步骤进行:(1)将高密度石墨块打磨抛光并洗涤烘干,获得石墨基体;(2)将SiC、酚醛树脂和无水乙醇混合搅拌均匀,超声分散;(3)将石墨基体置于料浆浸渍,自然风干再置于100~150℃烘箱中固化,形成预涂层;(4)置于管式炉中,在氮气气氛条件下700~900℃保温裂解;(5)将硅块和裂解后试样置于石墨坩埚并通过石墨板隔开;(6)抽真空升温至1650~1850℃进行气相渗硅,随炉冷却。本发明首次采用料浆浸涂结合气相硅浸渗制备Si‑SiC抗氧化涂层,易操作、成本低、涂层厚度可控制,制备周期短;过渡层可增加涂层的抗热震性能。
Description
技术领域
本发明属于材料技术领域,特别是涉及一种在碳材料表面制备Si-SiC抗氧化涂层的方法。
背景技术
碳材料(石墨材料、C/C复合材料)具有优异的耐高温性(强度随温度升高而增强)、热膨胀系数小、导电导热性、化学稳定性、抗热震性等特性,因此在冶金、机械、化工、建材、电气、电子、航空航天及核工业中得到广泛应用。
然而,碳材料的诸多优异特性只有在惰性气氛下才能够保持,在高于400℃空气环境下的氧化问题极大地限制了其应用范围,而且温度越高碳材料的氧化越快。当碳材料的氧化失重率达到2%-5%时,它的力学性能会下降40%-50%,因此解决碳材料的氧化问题是其作为高温结构材料的关键。
抗氧化涂层技术是解决碳材料高温氧化问题的有效方法,在众多抗氧化涂层中SiC类涂层热膨胀系数较小,而且与碳材料之间具有较好的物理化学相容性。同时,SiC在高温下氧化后生成的SiO2具有较低的氧扩散系数,可有效的防止碳材料的氧化。
目前,SiC涂层的制备方法主要有包埋法、化学气相沉积法、化学气相反应法(CVR)和料浆涂刷法等,这些方法制备的涂层都可以有效的防止碳材料的氧化,但是仍然存在一些不足。文献“Hu M, Li K, Li H, et al. Influence of β-SiC on themicrostructures and thermal properties of SiC coatings for C/C composites[J].Surface and Coatings Technology, 2016, 304: 188-194.”报道了一种采用包埋法制备的涂层,该涂层具有较好的抗热震性能,但是涂层中存在裂纹及孔洞等缺陷使涂层的抗氧化性能受到限制。文献“Huang D, Zhang M, Huang Q, et al. Preparation of a doublelayer SiC coating and its oxidation resistance at 1773K[J]. CorrosionScience, 2014, 87: 134-140”报道了一种采用CVR结合CVD的方法制备SiC涂层,由CVR法制备的涂层中存在裂纹与微孔,这些缺陷会为氧气进入涂层提供通道从而氧化基体,降低涂层的抗氧化性能。料浆涂刷法制备的涂层与碳基体间具有较好的结合力,抗热震性能较好,但是在制备过程中很难获得致密的结构,抗氧化性能较差。化学气相沉积法制备涂层的技术比较成熟,但成本较高,制备周期长,效率较低,而且涂层与基体之间结合力较弱,抗热震性能较差。
专利CN 103030427 A报道了一种碳/碳复合材料抗氧化涂层的制备方法,该专利先在碳基体表面采用富硅浆料浸渍法引入富硅层,然后在富硅层表面采用化学气相沉积法形成一层沉积碳,碳源为烷烃或烯烃;最后在真空或者惰性气体保护下进行烧结,烧结温度1200℃~2000℃。该专利中富硅料浆原料为热固性树脂、糖类、聚乙烯醇、沥青、甲基纤维素、200目硅粉,原料繁多制备富硅料浆复杂,同时采用CVD法在富硅层表面沉积碳,然后进行烧结,周期较长,效率较低。
专利CN 106083192 A报道了一种具有SiC涂层的石墨材料及其制备方法,该专利首先采用气相渗硅烧结的方法在石墨表面形成初级碳化硅层,然后再在初级碳化硅上边化学气相沉积次级碳化硅。该方法可解决CVD法制备碳化硅涂层抗热震性能差的问题,但是制备过程比较繁琐,周期较长。
发明内容
针对现有碳材料表面制备抗氧化涂层技术存在的上述缺陷,本发明提供一种在碳材料表面制备Si-SiC抗氧化涂层的方法,通过配制料浆并浸渍基体获得预涂层后,进行气相渗硅的方法,在降低成本、简化工艺的同时,获得涂层厚度可控、制备周期短、效率高、抗氧化能力强的涂层。
本发明的方法按以下步骤进行:
1、将密度为1.72~1.83g/cm3的石墨块打磨抛光后用无水乙醇洗涤干净,然后烘干,获得石墨基体;
2、将SiC、酚醛树脂和无水乙醇混合搅拌均匀,然后经超声分散的方式形成均匀的料浆;SiC、酚醛树脂和无水乙醇的混合比例按SiC占全部物料总重量的35~45%,酚醛树脂占全部物料总重量的10~15%,其余为无水乙醇;
3、将石墨基体置于料浆浸渍至少3次然后取出,每次浸渍的时间为3~5s,每次浸渍后自然风干再置于100~150℃烘箱中固化,在石墨基体表面形成均匀的预涂层,获得预涂层基体;其中最后一次固化时间至少1小时,相邻两次浸渍之间的固化时间至少15分钟;
4、将预涂层基体置于管式炉中,在氮气气氛条件下升温至700~900℃保温裂解0.5~2h,升温过程中控制升温速率为2~5℃/min,获得裂解后试样;
5、将硅块置于小石墨坩埚内,用带有通孔的石墨板盖住石墨坩埚,然后将盖有石墨板的小石墨坩埚置于大石墨坩埚内,将裂解后试样放置在石墨板上,通过石墨板将裂解后试样和硅块隔开;
6、在真空状态下,将大石墨坩埚及其内部的物料升温至1650~1850℃,保温0.5~2h,硅块形成蒸汽并从石墨板上的通孔通过,与裂解后试样进行气相渗硅反应;气相渗硅结束后随炉冷却,在石墨基体表面获得Si-SiC抗氧化涂层。
上述的酚醛树脂残碳量的质量百分数≥40%。
上述步骤1中的烘干是指放入烘箱中120±5℃烘干1~3小时。
上述的SiC为小颗粒SiC或大颗粒SiC,或者为小颗粒SiC和大颗粒SiC的混合物;其中小颗粒SiC的粒度为0.5μm,大颗粒SiC的粒度为10μm。
上述的步骤4中,氮气气氛是选用纯度≥99%的氮气作为保护气体,控制氮气在管式炉内保持流通。
上述的步骤5中,硅块含Si的质量百分数≥99.4%。
上述述步骤6中,升温速率为5±0.5℃/min。
与现有技术相比,本发明的优点在于:
1、首次采用料浆浸涂结合气相硅浸渗制备Si-SiC抗氧化涂层,与现有碳材料表面SiC抗氧化涂层相比,该方法具备料浆涂刷法易操作、成本低、涂层厚度可控制和周期短等特点;经过气相硅浸渗后的涂层十分致密,涂层与碳基体界面之间具有过渡结构,过渡层可增加涂层的抗热震性能;
2、制备的Si-SiC抗氧化涂层,对设备要求低,且抗氧化性能良好;表现出了较好的高温(1500℃)及中温(1000℃)的抗氧化性能;同时该涂层具有较好的抗热震性能,在1000℃—室温热震循环67次后样品无失重。
附图说明
图1为本发明实施例1中预涂层的XRD图;
图2为本发明实施例1中Si-SiC抗氧化涂层进行抗氧化试验前后的XRD对比图;
图3为本发明实施例1中预涂层表面SEM图;
图4为本发明实施例1中预涂层截面SEM图;
图5为本发明实施例1中Si-SiC抗氧化涂层表面SEM图;
图6为本发明实施例1中Si-SiC抗氧化涂层截面SEM图;
图7为本发明实施例1中Si-SiC抗氧化涂层在1500℃氧化48h后表面SEM图;
图8为本发明实施例1中Si-SiC抗氧化涂层在1500℃氧化48h后截面SEM图;
图9为本发明实施例2中Si-SiC抗氧化涂层截面SEM图;
图10为本发明实施例2中Si-SiC抗氧化涂层在1500℃氧化200h后截面SEM图;
图11为本发明实施例3中Si-SiC抗氧化涂层截面SEM图;
图12为本发明实施例3中Si-SiC抗氧化涂层在1500℃氧化200h后截面SEM图;
图13为本发明实施例4中Si-SiC抗氧化涂层表面SEM图;
图14为本发明实施例4中Si-SiC抗氧化涂层截面SEM图;
图15为本发明实施例4中Si-SiC抗氧化涂层在1200℃空气条件下氧化16h后表面SEM图;
图16为本发明实施例4中Si-SiC抗氧化涂层在1200℃空气条件下氧化16h后截面SEM图;
图17为本发明实施例5中Si-SiC抗氧化涂层截面SEM图;
图18为本发明实施例5中Si-SiC抗氧化涂层在1500℃空气条件下氧化200h后表面SEM图;
图19为本发明实施例5中Si-SiC抗氧化涂层在1500℃空气条件下氧化200h后截面SEM图;
图20为本发明实施例5中Si-SiC抗氧化涂层在1000℃空气条件下氧化468h后截面SEM图。
具体实施方式
本发明实施例中采用的石墨基体为高强石墨材料,密度为1.72~1.83 g/cm3,试验时试样尺寸为10×10×5 mm3。
本发明实施例中选用的超声设备为上海科导超声仪器有限公司,SK3300H超声波清理器,工作频率为53kHz。
本发明实施例中管式炉出气口的氮气流量为50~100ml/min。
本发明实施例中获得的厚度150~450μm。
本发明实施例中选用的X射线衍射设备为SmartLab多晶X射线衍射仪;选用的电镜扫描设备为JSM-7001F热场发射扫描电子显微镜。
本发明实施例中打磨抛光是采用400号砂纸进行打磨,然后用800号砂纸进行抛光。
实施例1
将密度为1.72g/cm3的石墨块打磨抛光后用无水乙醇洗涤干净,然后烘干,获得石墨基体;烘干是指放入烘箱中120±5℃烘干1小时;
将SiC、酚醛树脂和无水乙醇混合搅拌均匀,然后经超声分散的方式形成均匀的料浆;SiC、酚醛树脂和无水乙醇的混合比例按SiC占全部物料总重量的35%,酚醛树脂占全部物料总重量的10%,其余为无水乙醇;其中酚醛树脂残碳量的质量百分数≥40%,SiC为小颗粒SiC和大颗粒SiC按质量比为3:7的混合物;小颗粒SiC的粒度为0.5μm,大颗粒SiC的粒度为10μm;
将石墨基体置于料浆浸渍6次然后取出,每次浸渍的时间为3s,每次浸渍后自然风干再置于100℃烘箱中固化,在石墨基体表面形成均匀的预涂层,获得预涂层基体;其中最后一次固化时间2小时,相邻两次浸渍之间的固化时间30分钟;
将预涂层基体置于管式炉中,在氮气气氛条件下升温至900℃保温裂解0.5h,升温过程中控制升温速率为5℃/min,获得裂解后试样;其中氮气气氛是选用纯度≥99%的氮气作为保护气体,控制氮气在管式炉内保持流通;
将硅块置于小石墨坩埚内,用带有通孔的石墨板盖住石墨坩埚,然后将盖有石墨板的小石墨坩埚置于大石墨坩埚内,将裂解后试样放置在石墨板上,通过石墨板将裂解后试样和硅块隔开;硅块含Si的质量百分数≥99.4%;
在真空状态下,将大石墨坩埚及其内部的物料升温至1800℃,保温2h,其中升温速率为5±0.5℃/min;硅块形成蒸汽并从石墨板上的通孔通过,与裂解后试样进行气相渗硅反应;气相渗硅结束后随炉冷却,在石墨基体表面获得Si-SiC抗氧化涂层;
Si-SiC抗氧化涂层厚度280μm,在1500℃空气条件下氧化48小时后试样增重0.19 %,1000℃氧化468小时后试样增重量为0.06%,在1000℃—室温热震循环67次后样品无失重;
上述的预涂层的XRD如图1所示;Si-SiC抗氧化涂层进行抗氧化试验前后的XRD对比结果如图2所示,其中上方曲线为抗氧化试验后,下方曲线为抗氧化试验前;预涂层表面SEM如图3所示,截面SEM如图4所示;Si-SiC抗氧化涂层表面SEM如图5所示,截面SEM如图6所示;Si-SiC抗氧化涂层在1500℃氧化48h后表面SEM如图7所示,截面SEM如图8所示。
实施例2
方法同实施例 1,不同点在于:
(1)石墨块密度为1.83g/cm3;烘干2小时;
(2)SiC、酚醛树脂和无水乙醇的混合比例按SiC占全部物料总重量的45%,酚醛树脂占全部物料总重量的15%,其余为无水乙醇;其中SiC为小颗粒SiC和大颗粒SiC按质量比1:2的混合物;
(3)将石墨基体置于料浆浸渍3次然后取出,每次浸渍的时间为5s,每次浸渍后自然风干再置于110℃烘箱中固化,在石墨基体表面形成均匀的预涂层,获得预涂层基体;其中最后一次固化时间2.5小时,相邻两次浸渍之间的固化时间25分钟;
(4)将预涂层基体置于管式炉中,在氮气气氛条件下升温至700℃保温裂解2h,升温过程中控制升温速率为5℃/min;
(5)在真空状态下,将大石墨坩埚及其内部的物料升温至1700℃,保温1h,其中升温速率为5±0.5℃/min;硅块形成蒸汽并从石墨板上的通孔通过,与裂解后试样进行气相渗硅反应;气相渗硅结束后随炉冷却,在石墨基体表面获得Si-SiC抗氧化涂层;
(6)Si-SiC抗氧化涂层厚度180μm,在1500℃空气条件下氧化200小时后试样失重为4.516×10-4g/cm2;在1000℃—室温热震循环67次后样品无失重;
上述的Si-SiC抗氧化涂层截面SEM如图9所示,在1500℃氧化200h后截面SEM如图10所示。
实施例3
方法同实施例 1,不同点在于:
(1)石墨块密度为1.76g/cm3;烘干3小时;
(2)SiC、酚醛树脂和无水乙醇的混合比例按SiC占全部物料总重量的40%,酚醛树脂占全部物料总重量的12%,其余为无水乙醇;其中SiC为小颗粒SiC和大颗粒SiC按质量比1:2的混合物;
(3)将石墨基体置于料浆浸渍9次然后取出,每次浸渍的时间为4s,每次浸渍后自然风干再置于120℃烘箱中固化,在石墨基体表面形成均匀的预涂层,获得预涂层基体;其中最后一次固化时间1.5小时,相邻两次浸渍之间的固化时间30分钟;
(4)将预涂层基体置于管式炉中,在氮气气氛条件下升温至800℃保温裂解1h,升温过程中控制升温速率为4℃/min;
(5)在真空状态下,将大石墨坩埚及其内部的物料升温至1750℃,保温1h,其中升温速率为5±0.5℃/min;硅块形成蒸汽并从石墨板上的通孔通过,与裂解后试样进行气相渗硅反应;气相渗硅结束后随炉冷却,在石墨基体表面获得Si-SiC抗氧化涂层;
(6)Si-SiC抗氧化涂层厚度450μm,在1500℃空气条件下氧化200小时后试样增重为4.006×10-4g/cm2;在1000℃—室温热震循环67次后样品无失重;
上述的Si-SiC抗氧化涂层截面SEM如图11所示,在1500℃氧化200h后截面SEM如图12所示。
实施例4
方法同实施例 1,不同点在于:
(1)石墨块密度为1.79g/cm3;烘干1小时;
(2)SiC、酚醛树脂和无水乙醇的混合比例按SiC占全部物料总重量的38%,酚醛树脂占全部物料总重量的11%,其余为无水乙醇;其中SiC为小颗粒SiC;
(3)将石墨基体置于料浆浸渍6次然后取出,每次浸渍的时间为4s,每次浸渍后自然风干再置于140℃烘箱中固化,在石墨基体表面形成均匀的预涂层,获得预涂层基体;其中最后一次固化时间2小时,相邻两次浸渍之间的固化时间20分钟;
(4)将预涂层基体置于管式炉中,在氮气气氛条件下升温至750℃保温裂解1.5h,升温过程中控制升温速率为3℃/min;
(5)在真空状态下,将大石墨坩埚及其内部的物料升温至1850℃,保温0.5h,其中升温速率为5±0.5℃/min;硅块形成蒸汽并从石墨板上的通孔通过,与裂解后试样进行气相渗硅反应;气相渗硅结束后随炉冷却,在石墨基体表面获得Si-SiC抗氧化涂层;
(6)Si-SiC抗氧化涂层厚度150μm,在1200℃空气条件下氧化16小时后试样增重2.18mg/cm2;
上述的Si-SiC抗氧化涂层表面SEM如图13所示,截面SEM图如图14所示,在1200℃空气条件下氧化16h后表面SEM如图15所示,在1200℃空气条件下氧化16h后截面SEM如图16所示。
实施例5
方法同实施例 1,不同点在于:
(1)石墨块密度为1.81g/cm3;烘干2小时;
(2)SiC、酚醛树脂和无水乙醇的混合比例按SiC占全部物料总重量的43%,酚醛树脂占全部物料总重量的10%,其余为无水乙醇;其中SiC为大颗粒SiC;
(3)将石墨基体置于料浆浸渍3次然后取出,每次浸渍的时间为3s,每次浸渍后自然风干再置于150℃烘箱中固化,在石墨基体表面形成均匀的预涂层,获得预涂层基体;其中最后一次固化时间1小时,相邻两次浸渍之间的固化时间15分钟;
(4)将预涂层基体置于管式炉中,在氮气气氛条件下升温至850℃保温裂解1h,升温过程中控制升温速率为2℃/min;
(5)在真空状态下,将大石墨坩埚及其内部的物料升温至1650℃,保温2h,其中升温速率为5±0.5℃/min;硅块形成蒸汽并从石墨板上的通孔通过,与裂解后试样进行气相渗硅反应;气相渗硅结束后随炉冷却,在石墨基体表面获得Si-SiC抗氧化涂层;
(6)Si-SiC抗氧化涂层厚度150μm,在1500℃空气条件下氧化200小时后试样增重1.6762×10-3g/cm2;在1000℃—室温热震循环67次后样品无失重;
上述的Si-SiC抗氧化涂层截面SEM如图17所示,在1500℃空气条件下氧化200h后表面SEM如图18所示,在1500℃空气条件下氧化200h后截面SEM如图19所示,在1000℃空气条件下氧化468h后截面SEM如图20所示。
Claims (6)
1.一种在碳材料表面制备Si-SiC抗氧化涂层的方法,其特征在于按以下步骤进行:
(1)将密度为1.72~1.83g/cm3的石墨块打磨抛光后用无水乙醇洗涤干净,然后烘干,获得石墨基体;
(2)将SiC、酚醛树脂和无水乙醇混合搅拌均匀,然后经超声分散的方式形成均匀的料浆;SiC、酚醛树脂和无水乙醇的混合比例按SiC占全部物料总重量的35~45%,酚醛树脂占全部物料总重量的10~15%,其余为无水乙醇;
(3)将石墨基体置于料浆浸渍至少3次然后取出,每次浸渍的时间为3~5s,每次浸渍后自然风干再置于100~150℃烘箱中固化,在石墨基体表面形成均匀的预涂层,获得预涂层基体;其中最后一次固化时间至少1小时,相邻两次浸渍之间的固化时间至少15分钟;
(4)将预涂层基体置于管式炉中,在氮气气氛条件下升温至700~900℃保温裂解0.5~2h,升温过程中控制升温速率为2~5℃/min,获得裂解后试样;
(5)将硅块置于小石墨坩埚内,用带有通孔的石墨板盖住石墨坩埚,然后将盖有石墨板的小石墨坩埚置于大石墨坩埚内,将裂解后试样放置在石墨板上,通过石墨板将裂解后试样和硅块隔开;
(6)在真空状态下,将大石墨坩埚及其内部的物料升温至1650~1850℃,保温0.5~2h,硅块形成蒸汽并从石墨板上的通孔通过,与裂解后试样进行气相渗硅反应;气相渗硅结束后随炉冷却,在石墨基体表面获得Si-SiC抗氧化涂层。
2.根据权利要求1所述的一种在碳材料表面制备Si-SiC抗氧化涂层的方法,其特征在于所述的SiC为小颗粒SiC或大颗粒SiC,或者为小颗粒SiC和大颗粒SiC的混合物;其中小颗粒SiC的粒度为0.5μm,大颗粒SiC的粒度为10μm。
3.根据权利要求1所述的一种在碳材料表面制备Si-SiC抗氧化涂层的方法,其特征在于所述的步骤(4)中,氮气气氛是选用纯度≥99%的氮气作为保护气体,控制氮气在管式炉内保持流通。
4.根据权利要求1所述的一种在碳材料表面制备Si-SiC抗氧化涂层的方法,其特征在于所述的步骤(5)中,硅块含Si的质量百分数≥99.4%。
5.根据权利要求1所述的一种在碳材料表面制备Si-SiC抗氧化涂层的方法,其特征在于所述的步骤(6)中,升温速率为5±0.5℃/min。
6.根据权利要求1所述的一种在碳材料表面制备Si-SiC抗氧化涂层的方法,其特征在于所述的酚醛树脂残碳量的质量百分数≥40%。
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