CN111418043A - 基板处理装置、基板处理方法和记录有执行基板处理方法的程序的存储介质 - Google Patents

基板处理装置、基板处理方法和记录有执行基板处理方法的程序的存储介质 Download PDF

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Abstract

[课题]从基板有效地去除该基板上的附着物(例如硬掩模)。[解决方案]基板处理方法包括如下工序：工序(A)，向基板供给含有附着物的去除剂、具有比去除剂的沸点还低的沸点的溶剂和增稠剂的第1处理液；工序(B)，在工序(A)后，向基板供给含有成为防气体扩散膜的有机聚合物的第2处理液；工序(C)，在工序(B)后，将基板在溶剂的沸点以上且低于去除剂的沸点的规定温度下进行加热，促进溶剂的蒸发和附着物与去除剂的反应；和，工序(D)，在工序(C)后，向基板供给冲洗液，从基板去除附着物。防气体扩散膜用来防止由工序(C)中的附着物与去除剂的反应而产生的气体状的反应性产物通过该防气体扩散膜并扩散至基板的周围。

Description

基板处理装置、基板处理方法和记录有执行基板处理方法的 程序的存储介质
技术领域
本发明涉及：用于从基板去除该基板上的附着物的基板处理装置和基板处理方法、以及记录有执行该基板处理方法的程序的存储介质。
背景技术
半导体装置的制造工序中，进行了如下工序：对于形成在半导体晶圆等基板上的被蚀刻膜(例如层间绝缘膜、金属膜等)，使用抗蚀膜作为掩模材料进行蚀刻，图案化为规定的图案。
另一方面，近来，使用低介电常数膜(Low-k膜)作为层间绝缘膜的Cu多层布线技术受到关注，这样的Cu多层布线技术中，采用在Low-k膜中形成埋入布线槽或孔，并在其中埋入Cu的双镶嵌法。作为Low-k膜，大多使用有机系者，在蚀刻这样的有机系Low-k膜的情况下，无法充分获得与作为相同的有机膜的抗蚀膜的选择比，因此，将Ti膜、TiN膜等无机系的硬掩模膜作为蚀刻用的掩模材料使用。即，将抗蚀膜作为掩模材料，将硬掩模膜蚀刻成规定的图案，将蚀刻成规定图案的硬掩模膜作为掩模材料，对Low-k膜进行蚀刻。
必须去除在蚀刻后残留于基板上的抗蚀膜、硬掩模膜等不需要的附着物。对于这些不需要的附着物的去除，例如，使用单片式清洗装置，在旋转作为被处理基板的半导体晶圆的同时，向其中心连续地供给去除液，并利用离心力将去除液散布至半导体晶圆的整面的同时进行去除(例如专利文献1、专利文献2、专利文献3)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2004-146594号公报
专利文献2：日本特开2010-114210号公报
专利文献3：日本特开2013-207080号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明的目的在于，提供：从基板能有效地去除该基板上的附着物(例如抗蚀膜、硬涂膜等)的技术。
用于解决问题的方案
根据本发明的一实施方式，提供一种基板处理装置，其为从基板去除前述基板上的附着物的基板处理装置，其具备去除处理部和控制部，所述去除处理部具有：第1处理液供给部，其向前述基板供给含有前述附着物的去除剂、具有比前述去除剂的沸点还低的沸点的溶剂和增稠剂的第1处理液；第2处理液供给部，其向供给了前述第1处理液的基板供给用于形成防气体扩散膜的第2处理液；基板加热部，其将供给了前述第2处理液的基板在前述溶剂的沸点以上且低于前述去除剂的沸点的规定温度下进行加热；和，冲洗液供给部，其向前述基板供给冲洗液，所述控制部以如下方式控制前述第1处理液供给部、前述第2处理液供给部、前述基板加热部和前述冲洗液供给部：前述第1处理液供给部向前述基板供给前述第1处理液，接着，前述第2处理液供给部向前述基板供给前述第2处理液，接着，前述基板加热部将前述基板在前述规定温度下进行加热，由此，促进前述溶剂的蒸发和前述附着物与前述去除剂的反应，接着，前述冲洗液供给部向前述基板供给前述冲洗液，由此，从前述基板去除前述附着物，前述防气体扩散膜用来防止由前述附着物与前述去除剂的反应而产生的气体状的反应性产物扩散至前述基板的周围。
根据本发明的另一实施方式，提供一种基板处理方法，其为从基板去除前述基板上的附着物的基板处理方法，所述基板处理方法包括如下工序：工序(A)，向前述基板供给含有前述附着物的去除剂、具有比前述去除剂的沸点还低的沸点的溶剂和增稠剂的第1处理液；工序(B)，在工序(A)后，向前述基板供给含有成为防气体扩散膜的有机聚合物的第2处理液；工序(C)，在工序(B)后，将前述基板在前述溶剂的沸点以上且低于前述去除剂的沸点的规定温度下进行加热，促进前述溶剂的蒸发和前述附着物与前述去除剂的反应；和，工序(D)，在工序(C)后，向前述基板供给冲洗液，从前述基板去除前述附着物，前述防气体扩散膜用来防止由前述工序(C)中的前述附着物与前述去除剂的反应而产生的气体状的反应性产物扩散至前述基板的周围。
根据本发明的进一步另一实施方式，提供一种存储介质，其记录有如下程序：通过用于控制基板处理装置的动作的计算机而执行时，前述计算机控制前述基板处理装置，执行上述基板处理方法。
发明的效果
根据本发明的基板处理装置和基板处理方法，可以有效地从基板去除该基板上的附着物(例如抗蚀膜、硬涂膜等)。另外，防气体扩散膜防止将基板加热时由前述附着物与前述去除剂的反应而产生的气体状的反应性产物通过该防气体扩散膜并扩散至前述基板的周围，因此，即使气体状的反应性产物为腐蚀性，也可以防止由于该反应性产物而使处理装置的构成要素受到损伤、或生成源自该反应性产物的颗粒。
附图说明
图1为示出本发明的一实施方式的基板处理装置的构成的简图。
图2为示出图1所示的基板处理装置所具备的基板处理单元的构成的俯视简图。
图3为示出图2所示的基板处理单元所具备的第1处理部的构成的截面简图。
图4为示出图2所示的基板处理单元所具备的第2处理部的构成的截面简图。
图5为示出图2所示的基板处理单元所具备的第3处理部的构成的截面简图。
图6为用于说明干蚀刻处理的截面简图。
图7为说明通过供给第1处理液而得到的膜的状态的截面简图。
图8说明向基于第1处理液的膜上供给第2处理液而得到的膜的状态的截面简图。
图9为对去除基板周缘部的硬掩模的方法进行说明的简图。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。
＜基板处理装置的构成＞
对本发明的一实施方式的基板处理装置的构成，参照图1进行说明。图1为示出本发明的一实施方式的基板处理装置的构成的简图。
如图1所示那样，本发明的一实施方式的基板处理装置1具备：基板处理单元2、和用于控制基板处理单元2的动作的控制单元3。
基板处理单元2进行针对基板的各种处理。对基板处理单元2所进行的各种处理如后述。
控制单元3例如为计算机，其具备控制部和存储部。控制部例如为CPU(CentralProcessingUnit)，读取存储于存储部的程序并执行，从而控制基板处理单元2的动作。存储部例如由RAM(RandomAccessMemory)、ROM(ReadOnlyMemory)、硬盘等存储器件构成，存储用于控制基板处理单元2中执行的各种处理的程序。需要说明的是，程序可以记录于能由计算机读取的存储介质，也可以从该存储介质安装于存储部。作为能由计算机读取的存储介质，例如可以举出硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光碟(MO)、记忆卡等。记录介质中记录有如下程序：通过例如用于控制基板处理装置1的动作的计算机而执行时，计算机控制基板处理装置1并执行后述的基板处理方法。
＜基板处理单元的构成＞
接着，对基板处理单元2的构成，参照图2进行说明。图2为示出基板处理单元2的构成的俯视简图。需要说明的是，图2中的虚线表示基板。
基板处理单元2进行针对基板的各种处理。本实施方式中，基板处理单元2进行如下去除处理：从干蚀刻处理后的基板去除该基板上的硬掩模膜。基板处理单元2所进行的处理只要包括从基板去除该基板上的硬掩模膜的处理就没有特别限定。基板处理单元2所进行的处理中可以包括其他处理。本实施方式中，干蚀刻后的基板上的硬掩模膜为去除对象，但硬掩模膜为基板上的附着物的一例。作为基板上的附着物的其他具体例，可以举出：干蚀刻后的基板上残留的不需要的有机膜、无机膜、有机-无机复合膜(例如，抗蚀膜、防反射膜等)、蚀刻时产生的副产物(例如源自蚀刻气体、抗蚀膜、硬掩模膜等的聚合物)、抗蚀膜灰化时产生的抗蚀剂残渣等。另外，本发明中成为去除对象的基板上的附着物不限定于干蚀刻后的基板上的附着物，例如也可以为离子注入后的抗蚀剂固化层等。
基板处理单元2具备：搬入/搬出站21；和，与搬入/搬出站21相邻地设置的处理站22。
搬入/搬出站21具备：载置部211；和，与载置部211相邻地设置的输送部212。
载置部211中，载置有以水平状态收纳多张基板的多个输送容器(以下称为“载体C”)。
输送部212具备输送机构213和传递部214。输送机构213具备用于保持基板的保持机构，以能进行沿水平方向和垂直方向的移动以及将垂直轴作为中心的旋转的方式构成。
处理站22具备：对基板进行处理液的供给的第1处理部4；对由第1处理部4供给了处理液的基板进行加热的第2处理部5；和，对由第2处理部5加热后的基板进行冲洗液的供给的第3处理部6。本实施方式中，处理站22所具有的第1处理部4的数量为2以上，也可以为1。对于第2处理部5和第3处理部6也同样。第1处理部4排列在沿规定方向延伸存在的输送路221的一侧，第2处理部5排列在输送路221的另一侧。另外，第3处理部6排列在输送路221的两侧。本实施方式的排列为一例，第1～第3处理部的排列可以根据设计上、运用上的理由等而任意确定。
输送路221上设有输送机构222。输送机构222具备用于保持基板的保持机构，以能进行沿水平方向和垂直方向的移动以及将垂直轴作为中心的旋转的方式构成。
以下，将由第1处理部4供给第1处理液L1和第2处理液L1A前的基板称为“基板W1”、由第1处理部4供给第1处理液L1和第2处理液L1A后且由第2处理部5加热前的基板称为“基板W2”、由第2处理部5加热后且由第3处理部6供给冲洗液L2前的基板称为“基板W3”、由第3处理部6供给冲洗液L2后的基板称为“基板W4”。
基板处理单元2中，搬入/搬出站21的输送机构213在载体C与传递部214之间进行基板W1、W4的输送。具体而言，输送机构213从载置于载置部211的载体C取出基板W1，将取出的基板W1载置于传递部214。另外，输送机构213通过处理站22的输送机构222取出载置于传递部214的基板W4，并收纳于载置部211的载体C。
基板处理单元2中，处理站22的输送机构222在传递部214与第1处理部4之间、第1处理部4与第2处理部5之间、第2处理部5与第3处理部6之间和第3处理部6与传递部214之间进行基板W1～W4的输送。具体而言，输送机构222取出载置于传递部214的基板W1，将取出的基板W1搬入至第1处理部4。另外，输送机构222从第1处理部4取出基板W2，将取出的基板W2搬入至第2处理部5。另外，输送机构222从第2处理部5取出基板W3，将取出的基板W3搬入至第3处理部6。另外，输送机构222从第3处理部6取出基板W4，将取出的基板W4载置于传递部214。
＜第1处理部的构成＞
接着，对第1处理部4的构成，参照图3进行说明。图3为示出第1处理部4的构成的截面简图。
第1处理部4进行包括对基板W1供给处理液的处理。第1处理部4所进行的处理中可以包括其他处理。
本实施方式中，基板W1为干蚀刻处理后的基板，在表面具有凹凸图案。
将基板W1的结构的一例示于图6的(D)。如图6的(D)所示那样，基板W1例如依次具有：半导体晶圆91、被蚀刻膜92和硬掩模膜93。被蚀刻膜92和硬掩模膜93通过干蚀刻处理而图案化为规定的图案，形成基板W1的表面的凹凸图案。半导体晶圆91例如为硅晶圆。被蚀刻膜92例如为绝缘膜、导电体膜等。绝缘膜例如为SiO2膜、被称为Low-k膜的低介电常数膜等硅系绝缘膜。Low-k膜例如为相对介电常数低于二氧化硅的相对介电常数的膜、例如SiOC膜、SiCOH膜等。导电体膜例如为Cu膜、Al膜等金属膜。硬掩模膜93例如为无机硬掩模膜、有机硬掩模膜、有机-无机复合硬掩模膜等。
作为构成无机硬掩模膜的无机材料，例如可以举出钛(Ti)、氮化钛(TiN)、硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(Si3N4)、硅氮氧化物(SiON)、氮化硅(SiN)、碳化硅(SiC)、碳化氮化硅(SiCN)等。
作为构成有机硬掩模膜的有机材料，例如可以举出非晶碳、酚醛清漆树脂、聚羟基苯乙烯系树脂等。
作为构成有机-无机硬掩模膜的有机-无机复合材料，例如可以举出聚碳硅烷、有机聚硅氮烷、有机聚硅烷、聚硅氧烷与金属氧化物(氧化钛、氧化铝、氧化钨)的共聚物等。
基板W1例如通过图6的(A)所示的原料基板W0的干蚀刻处理而得到。原料基板W0依次具有：半导体晶圆91；被蚀刻膜92’；硬掩模膜93’；和，通过光刻工序而图案化为规定图案的光致抗蚀膜94。被蚀刻膜92’和硬掩模膜93’尚未图案化为规定的图案。
原料基板W0的干蚀刻处理例如如下实施。首先，如图6的(B)所示那样，使用光致抗蚀膜94作为掩模材料，对硬掩模膜93’进行干蚀刻。由此，光致抗蚀膜94的图案被转印至硬掩模膜93’，形成图案化为规定图案的硬掩模膜93。
接着，如图6的(C)所示那样，通过灰化处理去除光致抗蚀膜94。
接着，如图6的(D)所示那样，使用硬掩模膜93作为掩模材料，对被蚀刻膜92’进行干蚀刻。由此，形成图案化为规定图案的被蚀刻膜92。
干蚀刻处理可以为各向异性蚀刻，也可以为各向同性蚀刻。作为干蚀刻处理中使用的蚀刻方法，例如可以举出ECR蚀刻法、ICP蚀刻法、CCP蚀刻法、Helicon蚀刻法、TCP蚀刻法、UHF等离子体法、SWP蚀刻法等。
如图6的(D)所示那样，基板W1上有时附着有蚀刻时产生的副产物(例如源自蚀刻气体、抗蚀膜、硬掩模膜等的聚合物)、抗蚀膜灰化时产生的抗蚀剂残渣等物质P。
第1处理部4具备腔室41，进行在腔室41内包含处理液的供给的基板处理。
第1处理部4具备基板保持部42。基板保持部42具备：在腔室41内沿垂直方向延伸存在的旋转轴421；安装于旋转轴421的上端部的转台422；设置于转台422的上表面外周部、且用于支撑基板W1的外缘部的卡盘423；和，用于旋转驱动旋转轴421的驱动部424，能保持基板W1并使其能旋转。
基板W1被卡盘423所支撑，以从转台422的上表面稍分离的状态，水平地保持于转台422。本实施方式中，基于基板保持部42的基板W1的保持方式可以为通过可动的卡盘423而固定基板W1的外缘部的所谓机械卡盘型，也可以为真空吸附基板W1的背面的所谓真空卡盘型。
旋转轴421的基端部由驱动部424能旋转地支撑，旋转轴421的前端部水平地支撑转台422。旋转轴421如果旋转，则安装于旋转轴421的上端部的转台422旋转，由此，以被卡盘423所支撑的状态，保持于转台422的基板W1旋转。控制单元3控制驱动部424的动作，控制基板W1的旋转时刻、旋转速度等。
第1处理部4具备第1处理液供给部43，其对保持于基板保持部42的基板W1供给第1处理液L1。
第1处理液供给部43具备：对保持于基板保持部42的基板W1排出第1处理液L1的喷嘴431；和，向喷嘴431供给第1处理液L1的处理液供给源432。处理液供给源432所具有的罐中，储存有第1处理液L1，喷嘴431中，从处理液供给源432通过夹设有阀433等流量调整器的供给管路434供给第1处理液L1。第1处理部4可以具备供给各自不同的处理液的多个处理液供给部。追加的处理液供给部可以与第1处理液供给部43同样地构成。
第1处理液L1含有：硬掩模膜93的去除剂(以下有时简称为“去除剂”)；具有比该去除剂的沸点还低的沸点的溶剂；和，增稠剂。需要说明的是，本实施方式中，硬掩模膜93为去除对象，因此，对硬掩模膜93的去除剂进行说明，但涉及硬掩模膜93的去除剂的说明中，可以将硬掩模膜93的去除剂替换为其他基板上的附着物的去除剂、例如干蚀刻后的基板上残留的不需要的有机膜、无机膜、有机-无机复合膜(例如抗蚀膜、防反射膜等)的去除剂、蚀刻时产生的副产物(例如源自蚀刻气体、抗蚀膜、硬掩模膜等的聚合物)的去除剂、抗蚀膜的灰化时产生的抗蚀剂残渣的去除剂、离子注入后的抗蚀剂固化层的去除剂等，可以适用于其他基板上的附着物的去除剂。涉及第1处理液L1中含有的溶剂的说明也同样地可以适用于用于去除其他附着物的处理液中含有的溶剂。
去除剂可以根据作为去除对象的附着物(本实施方式中为硬掩模膜93)的材料的种类等从公知的去除剂中适宜选择。在光刻领域中，已知有：干用于去除蚀刻后的基板上残留的不需要的有机膜、无机膜、有机-无机复合膜(例如抗蚀膜、防反射膜、硬掩模膜等)、蚀刻时产生的副产物(例如源自蚀刻气体、抗蚀膜、硬掩模膜等的聚合物)、抗蚀膜的灰化时产生的抗蚀剂残渣、离子注入后的抗蚀剂固化层等的各种去除剂(例如日本特开平7-28254号公报、日本特开平8-301911号公报、日本特开平10-239865号公报、日本特开2001-324823号公报、日本特开2004-103771号公报、日本特开2004-133153号公报、日本特开2004-177669号公报、日本特开2016-27186号公报、WO2007/020979号小册子、WO2009/096480号小册子)。公知的去除剂中，通常适合的去除对象受到限定，但本发明中使用公知的去除剂的情况下，本发明的去除对象不限定于这些。即，本发明中使用公知的去除剂的情况下，不仅可以有效地(例如迅速地)去除与公知的去除剂同样的去除对象，而且还可以去除不同于公知的去除剂的去除对象。
去除剂的作用机制没有特别限定。作为去除剂的作用机制，例如可以举出：作为去除对象的附着物(本实施方式中硬掩模膜93)的溶解、作为去除对象的附着物(本实施方式中硬掩模膜93)的附着力的降低、作为去除对象的附着物(本实施方式中硬掩模膜93)的低分子化、向对冲洗液L2具有亲和性的官能团的附着物(本实施方式中硬掩模膜93)的导入等。因此，去除剂为也包含剥离剂、溶解剂等的概念。
硬掩模膜93由无机材料构成的情况下，作为去除剂，例如可以举出过氧化氢、盐酸等。
硬掩模膜93由有机材料和/或有机-无机复合材料构成的情况下，作为去除剂，例如可以举出季铵氢氧化物、水溶性胺、过氧化氢、硫酸、氟化氢等，可以单独使用它们中的1种，只要能发挥去除性能就可以将2种以上组合而使用。作为能发挥去除性能的2种以上的组合，例如可以举出季铵盐与水溶性胺的组合、过氧化氢与硫酸的组合等。
作为季铵氢氧化物，例如可以举出四甲基氢氧化铵(TMAH)。
作为水溶性胺，例如可以举出单乙醇胺等烷醇胺类。
第1处理液L1中含有的溶剂只要具有比去除剂的沸点还低的沸点就没有特别限定，可以从公知的溶剂中适宜选择。
2种以上的去除剂包含于第1处理液L1的情况下，选择第1处理液L1中含有的全部去除剂中具有比沸点最低的去除剂的沸点还低的沸点的溶剂。
2种以上的溶剂包含于第1处理液L1的情况下，以溶剂的混合液的沸点变得低于去除剂的沸点的方式选择2种以上的溶剂。
作为第1处理液L1中含有的溶剂，可以举出水、水溶性有机溶剂等，可以单独使用它们中的1种，还可以组合2种以上而使用。
作为水溶性有机溶剂，例如可以举出二甲基亚砜等亚砜类。
作为第1处理液L1的具体例，可以举出季铵盐与水的混合物、季铵盐与二甲基亚砜等水溶性有机溶剂与水的混合物、季铵氢氧化物与烷醇胺与二甲基亚砜等水溶性有机溶剂与水的混合物等。
增稠剂只要能增加第1处理液L1的粘度就没有特别限定，可以从公知的增稠剂中适宜选择。作为增稠剂，例如可以举出甲基纤维素、羧甲基纤维素、聚乙二醇、聚丙烯酸钠、聚乙烯醇等，可以单独使用它们中的1种，还可以组合2种以上而使用。
本实施方式中，使用的是，具有超过第1处理液L1中含有的溶剂的沸点、且第1处理液L1中含有的去除剂的沸点以下或低于沸点的玻璃化转变点的增稠剂。本实施方式中，2种以上的去除剂包含于第1处理液L1的情况下，选择具有第1处理液L1中含有的全部去除剂中的沸点最低的去除剂的沸点以下的玻璃化转变点的增稠剂。另外，本实施方式中，2种以上的溶剂包含于第1处理液L1的情况下，选择具有超过溶剂的混合液的沸点的玻璃化转变点的增稠剂。但是，增稠剂的玻璃化转变点、与第1处理液L1中含有的溶剂和去除剂的沸点的关系不特别限定于本实施方式。在加热至去除剂的沸点以上的高温而进一步促进处理的情况下，增稠剂优选具有第1处理液L1中含有的去除剂的沸点以上的玻璃化转变点。
通过在第1处理液L1中含有增稠剂来提高第1处理液L1的粘度，从而如图7所示那样，可以用沿基板W1的凹凸图案的第1处理液L1的膜覆盖硬掩模膜93(即，能成为利用第1处理液L1的保形涂层(conformalcoating))。因此，第1处理液L1中含有增稠剂，从而可以降低用于形成覆盖硬掩模膜93的第1处理液L1的膜所需的第1处理液L1的用量。
第1处理部4进一步具有：供给用于形成防气体扩散膜的液体(以下，称为“第2处理液L1A”)的第2处理液供给部43A。第2处理液供给部43A的构成与第1处理液供给部43的构成实质上相同，仅要供给的液体不同。即，第2处理液供给部43A与第1处理液供给部43同样地，具有：喷嘴431A、处理液供给源432A、阀433A和供给管路434A。
对于第2处理液L1A而言，只要由该第2处理液L1A形成的膜(防气体扩散膜)能够捕捉由前述第1处理液L1与基板W1上的附着物(去除对象物)例如碳硬掩模的反应而产生的气体或气体状的物质，并通过该膜防止扩散至基板W的周围，就可以为任意液体。
第2处理液L1A可以使用：使满足上述特征的聚合物溶解于溶剂而得到者。作为具体的第2处理液L1A，可以举出：使作为ArF抗蚀剂中所含的丙烯酸类聚合物的甲基丙烯酸溶解于有机溶剂(具体而言，PGME(丙二醇单甲基醚)、PGMEA(丙二醇单甲基醚乙酸酯)、CHN(环己酮)、EL(乙内酯)，γ丁内酯等)而成者；使作为KrF抗蚀剂中所含的苯酚聚合物的聚羟基苯乙烯溶解于有机溶剂(具体而言，PGME(丙二醇单甲基醚)、PGMEA(丙二醇单甲基醚乙酸酯)、CHN(环己酮)、EL(乙内酯)、γ丁内酯等)而成者。
第1处理部4具备用于驱动喷嘴431、431A(后者为第2处理液供给部43A的喷嘴)的喷嘴移动机构44。喷嘴移动机构44具有：臂441；能沿臂441移动的驱动机构内置型的移动体442；和，使臂441旋转和升降的旋转升降机构443。喷嘴431、431A安装于移动体442。喷嘴移动机构44可以使喷嘴431、431A在保持于基板保持部42的基板W1的中心上方的位置与基板W1的周缘上方的位置之间移动，进一步，可以在俯视图中使其移动至后述的杯45外侧的待机位置。
第1处理部4具备具有排出口451的杯45。杯45设置于基板保持部42的周围，并接收从基板W1飞散的各种处理液(例如清洗液等)。杯45上设有使杯45沿上下方向驱动的升降机构46、和将从基板W1飞散的各种处理液收集至排出口451并排出的液排出机构47。
＜第2处理部的构成＞
接着，参照图4对第2处理部5的构成进行说明。图4为示出第2处理部5的构成的截面简图。
第2处理部5进行包含供给第1处理液L1的基板W2的加热的处理。第2处理部5所进行的处理中可以包含其他处理。
第2处理部5具备腔室51，在腔室51内进行包含基板W2的加热的基板处理。
第2处理部5具备设置于腔室51内的基板载置部(载置台)52。基板载置部52中，可以内置有电阻加热部、灯加热器(例如LED灯加热器)等加热器。多个基板保持构件53从基板载置部52的上表面突出。基板保持构件53支撑基板W2的下表面周缘部，从而在基板W2的下表面与基板载置部52的上表面之间形成小的间隙。
第2处理部5具备设置于腔室51内的基板载置部52的上方的基板加热部54。基板加热部54具备：电阻加热部、灯加热器(例如LED灯加热器)等加热器。基板加热部54例如为热板。基板加热部54可以将由基板保持构件53保持于基板载置部52上的基板W2在第1处理液L1中的溶剂的沸点以上且低于去除剂的沸点的规定温度下进行加热。基板W2的初始温度(加热前温度)例如为室温。基板加热部54可以在设定好的温度和时间下实施加热。基板加热部54可以边使加热温度阶段性地变化边将基板W2进行加热，也可以边将加热温度维持为恒定边将基板W2进行加热。另外，基板加热部54可以将基板W2加热充分的时间，以促进基板W2上的处理液L中的溶剂的蒸发和基板上的附着物(本实施方式中硬掩模膜93)与去除剂的反应。
腔室51中设置有使腔室51内的气氛排气的排气部55。
排气部55具有：设置于腔室51的上部的1个或2个以上的排气口551；借助排气管道(排气管)552连接于排气口551的冷却抽集器553；和，借助排气管道(排气管)552连接于冷却抽集器553的真空泵554。腔室51内的气氛通过借助由真空泵554抽吸的排气口551和排气管道552从腔室51排出，从基板W2蒸发的溶剂也从腔室51被排出，防止蒸发后的溶剂对基板W2的再附着。
＜第3处理部的构成＞
接着，参照图5对第3处理部6的构成进行说明。图5为示出第3处理部6的构成的截面简图。
第3处理部6进行包含对在供给第1处理液L1后加热的基板W3供给冲洗液的处理。第3处理部6所进行的处理中，可以包含其他处理。
第3处理部6具备腔室61，在腔室61内进行包含冲洗液的供给的基板处理。
第3处理部6具备基板保持部62。基板保持部62具备：在腔室61内沿垂直方向延伸存在的旋转轴621；安装于旋转轴621的上端部的转台622；设于转台622的上表面外周部、且用于支撑基板W3的外缘部的卡盘623；和，使旋转轴621旋转驱动的驱动部624，能保持基板W3并使其旋转。
基板W3由卡盘623支撑，以从转台622的上表面稍分离的状态，水平保持于转台622。本实施方式中，基于基板保持部62的基板W3的保持方式为由可动的卡盘623固定基板W3的外缘部的所谓机械卡盘型，也可以为真空吸附基板W3的背面的所谓真空卡盘型。
旋转轴621的基端部能由驱动部624旋转地支撑，旋转轴621的前端部水平地支撑转台622。旋转轴621如果旋转，则安装于旋转轴621的上端部的转台622旋转，由此，以由卡盘623支撑的状态，保持于转台622的基板W3旋转。控制单元3控制驱动部624的动作，控制基板W3的旋转时刻、旋转速度等。
第3处理部6具备对保持于基板保持部62的基板W3供给冲洗液L2的冲洗液供给部63。
冲洗液供给部63具备：对保持于基板保持部62的基板W3排出冲洗液L2的喷嘴631；和，向喷嘴631供给冲洗液L2的冲洗液供给源632。冲洗液供给源632所具有的罐中，储存有冲洗液L2，喷嘴631中，从冲洗液供给源632通过夹设有阀633等流量调整器的供给管路634供给冲洗液L2。第3处理部6可以具备供给各自不同的冲洗液的多个冲洗液供给部。追加的冲洗液供给部可以与冲洗液供给部63同样地构成。
冲洗液L2可以选择具有能将残留于基板W3上的物质从基板W3去除的能力的液体。残留于基板W3上的物质例如为第1处理液L1中所含的去除剂、与去除剂反应的附着物、增稠剂、第2处理液L1A中所含的聚合物等。需要说明的是，加热后的增稠剂和聚合物有时为它们的分解物、改性物等。另外，与去除剂反应的附着物(本实施方式中硬掩模膜93)有时为附着物的溶解物、分解物、改性物等。
冲洗液L2可以为适于去除源自第1处理液L1的物质的第1冲洗液和适于去除源自第2处理液L1A的物质的第2冲洗液这2种冲洗液。上述情况下，优选的是，首先，向基板W3供给第2冲洗液，之后，向基板W3供给第1冲洗液。作为第1冲洗液，例如可以使用水、异丙醇(IPA)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)等。增稠剂为甲基纤维素、羧甲基纤维素、聚乙烯醇等时的冲洗液优选水。增稠剂为聚乙二醇、聚丙烯酸钠等时的冲洗液优选NMP。对基板W3供给的冲洗液L2可以为常温，也可以加热至比常温还高温。通过将冲洗液L2加热至比常温还高温并供给，从而可以提高冲洗液L2的冲洗效率。另外，作为第2冲洗液，可以使用PGME(丙二醇单甲基醚)、PGMEA(丙二醇单甲基醚乙酸酯)、CHN(环己酮)，EL(乙内酯)等。
冲洗液L2可以为能去除源自第1处理液L1的物质、且能去除源自第2处理液L1A的物质的一种冲洗液。作为这样的冲洗液，可以举出TMAH、APM(SC1)、环戊烷等，作为使用这样的冲洗液时的去除对象，可以举出碳硬掩模、聚酰亚胺等。
需要说明的是，涉及冲洗液的说明中，去除对象为硬掩模膜93以外的附着物的情况下，例如也可以用于去除对象为残留于干蚀刻后的基板上的其他不需要的有机膜、无机膜、有机-无机复合膜(例如抗蚀膜、防反射膜等)、蚀刻时产生的副产物(例如源自蚀刻气体、抗蚀膜、硬掩模膜等的聚合物)、抗蚀膜灰化时产生的抗蚀剂残渣、离子注入后的抗蚀剂固化层等的情况。
第3处理部6具备喷嘴631和用于驱动喷嘴631的喷嘴移动机构64。喷嘴移动机构64具有：臂641；能沿臂641移动的驱动机构内置型的移动体642；和，使臂641旋转和升降的旋转升降机构643。喷嘴631安装于移动体642。喷嘴移动机构64可以使喷嘴631在保持于基板保持部62的基板W3的中心上方的位置与基板W3的周缘上方的位置之间移动，进一步，可以在俯视图中使其移动至后述的杯65外侧的待机位置。
第3处理部6具备具有排出口651的杯65。杯65设置于基板保持部62的周围，并接收从基板W3飞散的各种处理液(例如冲洗液等)。杯65上设有使杯65沿上下方向驱动的升降机构66、和将从基板W3飞散的各种处理液收集至排出口651并排出的液排出机构67。
第3处理部6可以具备干燥用溶剂供给部，该干燥用溶剂供给部具有：对保持于基板保持部62的基板W3用于排出异丙醇(IPA)等干燥用溶剂的喷嘴；和，用于向该喷嘴供给干燥用溶剂的干燥用溶剂供给源。另外，第3处理部6可以具备干燥用气体供给部，该干燥用气体供给部具有：用于对保持于基板保持部62的基板W3排出氮气气体、干燥空气等干燥用气体的喷嘴；和，用于向该喷嘴供给干燥用气体的干燥用气体供给源。
＜基板处理方法＞
以下，对通过基板处理装置1实施的基板处理方法进行说明。通过基板处理装置1实施的基板处理方法为从干蚀刻处理后的基板去除该基板上的硬掩模(例如碳硬掩模)膜的方法。本实施方式中，干蚀刻后的基板上的硬掩模膜为去除对象，硬掩模膜为基板上的附着物的一例。
作为基板上的附着物的其他具体例，可以举出残留于干蚀刻后的基板上的不需要的有机膜、无机膜、有机-无机复合膜(例如抗蚀膜、防反射膜等)、蚀刻时产生的副产物(例如源自蚀刻气体、抗蚀膜、硬掩模膜等的聚合物)、抗蚀膜灰化时产生的抗蚀剂残渣、离子注入后的抗蚀剂固化层等。
通过基板处理装置1实施的基板处理方法包括如下工序：
工序(A)，向基板W1供给含有硬掩模膜93的去除剂、具有比该去除剂的沸点还低的沸点的溶剂和增稠剂的第1处理液L1；
工序(B)，在工序(A)后，供给含有成为防气体扩散膜的有机聚合物的第2处理液L1A；
工序(C)，在工序(B)后，将基板W2在第1处理液L1中的溶剂的沸点以上且低于去除剂的沸点的规定温度下进行加热，促进基板W2上的第1处理液L1中的溶剂的蒸发和硬掩模膜93与去除剂的反应；和，
工序(D)，在工序(C)后，向基板W3供给冲洗液L2，从基板W3去除硬掩模膜93。
首先，将干蚀刻处理后的基板W1搬入至第1处理部4。此时，输送机构213从载置于载置部211的载体C取出基板W1，将取出的基板W1载置于传递部214。输送机构222取出载置于传递部214的基板W1，将取出的基板W1搬入至第1处理部4。
搬入至第1处理部4的基板W1由基板保持部42所保持。此时，基板保持部42在由卡盘423支撑基板W1的外缘部的状态下，水平地保持于转台422。驱动部424使保持于基板保持部42的基板W1以规定速度旋转。控制单元3控制驱动部424的动作，控制基板W1的旋转时刻、旋转速度等。
工序(A)对保持于基板保持部42的基板W1进行。工序(A)中，使保持于基板保持部42的基板W1以规定速度旋转不变地，使处理液供给部43的喷嘴431位于基板W1的中央上方，从喷嘴431对基板W1供给第1处理液L1。此时，控制单元3控制处理液供给部43的动作，控制第1处理液L1的供给时刻、供给时间、供给量等。供给至基板W1的第1处理液L1通过伴随基板W1的旋转的离心力而在基板W1的表面散布。由此，如图7所示那样，用沿着基板W1的凹凸图案的第1处理液L1的膜覆盖硬掩模膜93。从基板W1飞散的第1处理液L1借助杯45的排出口451和液排出机构47被排出。停止第1处理液L1的供给后，使基板W1继续旋转规定时间，从而以不妨碍执行下一工序(B)(例如第1处理液L1的膜会由第2处理液L1A所去除等)的程度，第1处理液L1的膜固化(至少流动性降低)。
接着，使保持于基板保持部42的基板W1以规定速度旋转不变地，使第2处理液供给部43A的喷嘴431A位于基板W1的中央上方，从喷嘴431A对基板W1供给第2处理液L1A。此时，控制单元3控制处理液供给部43的动作，控制第2处理液L1A的供给时刻、供给时间、供给量等。供给至基板W1的第2处理液L1A通过伴随基板W1的旋转的离心力而在第1处理液L1的膜的表面散布。由此，如图8所示那样，用第2处理液L1A的膜覆盖第1处理液L1的膜。停止第2处理液L1A的供给后，使基板W1继续旋转规定时间，从而以不妨碍输送至实施下一工序(C)的第2处理部的程度、第2处理液L1A的膜固化(至少流动性降低)。
第1处理部4中实施了上述处理的基板W2对第2处理部5输送。此时，输送机构222从第1处理部4取出基板W2，将取出的基板W2搬入至第2处理部5。
搬入至第2处理部5的基板W2由基板保持构件53保持于基板载置部52上。
工序(C)对保持于基板载置部52上的基板W2进行。工序(C)中，将硬掩模膜93用第1处理液L1和第2处理液L1A的膜覆盖不变地，通过基板加热部54，将基板W2在第1处理液L1中的溶剂的沸点以上且低于去除剂的沸点的规定温度下进行加热，促进基板W2上的第1处理液L1中的溶剂的蒸发和硬掩模膜93与去除剂的反应。通过加热促进硬掩模膜93与去除剂的反应。另外，通过加热使基板W2上的第1处理液L1中的溶剂蒸发时，存在于硬掩模膜93的界面的去除剂的浓度增加，且去除剂变得容易在硬掩模膜93内扩散，促进硬掩模膜93与去除剂的反应。通过这样的反应促进，不仅可以有效地(例如迅速地)去除与公知的去除剂同样的去除对象，而且可以去除不同于公知的去除剂的去除对象。
上述“第1处理液L1中的溶剂的沸点以上且低于去除剂的沸点的规定温度”中包括：(1)第1处理液L1中的溶剂的沸点以上且低于增稠剂的玻璃化转变点的温度、(2)第1处理液L1中的增稠剂的玻璃化转变点以上且低于去除剂的沸点的温度这2者。在工序(C)中的冲洗效率改善的方面上，温度(1)比温度(2)更优选。在可以发挥去除剂的反应性、促进硬掩模膜93与去除剂的反应的方面上，温度(2)比温度(1)更优选。
基板加热部54可以边使加热温度阶段性地变化边加热基板W2，也可以边将加热温度维持为恒定边将基板W2加热。利用基板加热部54的加热时间可以适宜调节为促进基板W2上的第1处理液L1中的溶剂的蒸发和硬掩模膜93与去除剂的反应的充分的时间。加热时间通常为60～300秒、优选140～160秒。
硬掩模膜93与去除剂反应时，产生源自去除剂的酸性的气体(去除剂例如为盐酸的情况)或碱性的气体(去除剂例如为TMAH的情况)。该气体基本都被由第2处理液L1A形成的涂布膜所捕捉，不扩散至腔室51的内部空间。另外，第1处理液L1中的溶剂的蒸气大部分被由第2处理液L1A形成的涂布膜所捕捉。因此，扩散至腔室51内的主要是第2处理液L1A中所含的溶剂的蒸气。
源自酸性或碱性的去除剂的气体扩散至腔室51的内部空间时，有由这样的气体腐蚀腔室51内的构成要素的担心，而且，有由源自气体的产物对腔室51内的构成要素附着污染物质而成为颗粒的原因的担心。本实施方式中，由第2处理液L1A形成的涂布膜防止这样的有害的气体的扩散，因此，可以防止腔室51内的构成要素的腐蚀和污染。
基板W2的加热通过排气部55边排出腔室51内的气氛边进行。腔室51内的气氛中存在的溶剂的蒸气通过排气部55从腔室51排出。溶剂的蒸气容易在腔室51内的气氛中、向上方流动，因此，设于腔室51的上部的排气部55可以有效地排出腔室51内的气氛中存在的溶剂的蒸气。这样的有效的排出在防止蒸发了的溶剂对基板W2的再附着上是有利的。从腔室51排出的气体通过冷却抽集器553时被冷却，气体中所含的溶剂在冷却抽集器553内、例如在冷却抽集器553的内壁面上液化。因此，流入至真空泵554的气体中所含的溶剂的浓度低。
将在第2处理部5中实施了上述处理的基板W3输送至第3处理部6。此时，输送机构222从第2处理部5取出基板W3，将取出的基板W3搬入至第3处理部6。
搬入至第3处理部6的基板W3由基板保持部62所保持。此时，基板保持部62在由卡盘623支撑基板W3的外缘部的状态下，水平地保持于转台622。驱动部624使保持于基板保持部62的基板W3以规定速度旋转。控制单元3控制驱动部624的动作，控制基板W3的旋转时刻、旋转速度等。
工序(D)对保持于基板保持部62的基板W3进行。工序(C)中，使保持于基板保持部62的基板W3以规定速度旋转不变地，使冲洗液供给部63的喷嘴631位于基板W3的中央上方，从喷嘴631对基板W3供给冲洗液L2。如前述，作为冲洗液L2，可以依次向基板W3供给适于去除源自第2处理液L1A的物质的第2冲洗液、和适于去除源自第1处理液L1的物质的第1冲洗液，可以向基板W3供给能去除源自第1处理液L1的物质、且能去除源自第2处理液L1A的物质的一种冲洗液。此时，控制单元3控制冲洗液供给部63的动作，控制冲洗液L2的供给时刻、供给时间、供给量等。供给至基板W3的冲洗液L2通过伴随基板W3的旋转的离心力而在基板W3的表面散布。由此，从基板W3去除与去除剂反应的硬掩模膜93。从基板W3飞散的冲洗液L2借助杯65的排出口651和液排出机构67被排出。需要说明的是，与去除剂反应的附着物(本实施方式中硬掩模膜)93以外的物质、例如第1处理液L1中所含的去除剂、增稠剂、第2处理液L1A中所含的聚合物等在残留于基板W3上的情况下，该物质也由冲洗液L2去除。需要说明的是，加热后的增稠剂和聚合物有时为它们的分解物、改性物等。另外，与去除剂反应的附着物(本实施方式中硬掩模膜93)有时为附着物的溶解物、分解物、改性物等。需要说明的是，冲洗液L2的供给后，可以对基板W3供给IPA等干燥用溶剂。
将第3处理部6中实施了上述处理的基板W4从第3处理部6取出。此时，输送机构222从第3处理部6取出基板W4，将取出的基板W4载置于传递部214。输送机构213通过输送机构222取出载置于传递部214的基板W4，收纳于载置部211的载体C。
可以对上述实施方式加以各种变更。以下，对上述实施方式的变形例进行说明。需要说明的是，以下的变更例中，也可以组合2种以上。
上述实施方式中，对基板W在第1处理部4中进行了工序(A)和(B)(液膜形成)后将基板W从第1处理部4输送至第2处理部5，在第2处理部5中进行工序(C)(加热)，但不限定于此。也可以将工序(A)～(C)(冲洗)全部在第1处理部4中进行。上述情况下，处理站22无需具备第2处理部5，可以由第1处理部4和第3处理部6构成。上述情况下，工序(A)～(C)在将基板保持于基板保持部42的状态下实施。而且，上述情况下，第1处理部4具备基板加热部，但该基板加热部可以设置于保持在基板保持部42的基板的上方，也可以设置于保持在基板保持部42的基板的下方。例如，基板加热部可以内置于转台422。第1处理部4的基板加热部例如可以由电阻加热部、灯加热器(例如LED灯加热器)等加热器构成。
上述实施方式中，将第2处理部5中实施了工序(C)(加热)的基板W输送至第3处理部6，然后实施工序(D)(冲洗)，但不限定于此。可以将第2处理部5中实施了工序(C)的基板W返回至第1处理部4，然后进行工序(D)。上述情况下，第1处理部4具备冲洗液供给部。第1处理部4的冲洗液供给部可以与第3处理部6的冲洗液供给部63同样地构成。而且，上述情况下，处理站22无需具备第3处理部6，可以由第1处理部4和第2处理部5构成。第1处理部4中的工序(C)在将基板保持于基板保持部42的状态下实施。
上述实施方式中，工序(A)～(D)全部可以在第1处理部4中进行。上述情况下，第1处理部4与上述变形例同样地具备基板加热部和冲洗液供给部。工序(A)～(D)在将基板保持于基板保持部42的状态下实施。上述情况下，处理站22可以仅由第1处理部4构成。
上述实施方式中，利用图6说明的干蚀刻处理在不同于基板处理装置1的装置中执行，图6的(D)所示的干蚀刻处理后的基板W1载置于载置部211，但不限定于此。例如，处理站22中所含的单元中的至少1个具有进行干蚀刻处理的功能，可以以输送机构222从该单元直接向第1处理部4搬入基板W1的方式构成。
实施例
对于硅晶圆上形成的碳硬掩模膜，涂布四甲基氢氧化铵(TMAH)与丙二醇单甲基醚(PGME)与聚羟基苯乙烯的混合物。需要说明的是，TMAH与PGME与聚羟基苯乙烯的混合比设为3：6：1(重量比)。之后，涂布聚羟基苯乙烯与环己酮(CHN)等有机溶剂的混合物。需要说明的是，聚羟基氢化苯乙烯与有机溶剂的混合比设为2：8(重量比)。涂布后，将硅晶圆以110℃加热15秒、30秒或60秒。加热后，即使以任意加热时间，气体发生也减少，用水、有机溶剂进行清洗，结果可以剥离碳硬掩模膜。
[其他实施方式]
作为其他实施方式，如图9(A)所示那样，对从在表面的整体形成有作为膜的例如碳硬掩模HM的基板W，仅去除位于周缘部的膜的斜角切割的实施步骤进行说明。
首先，如图9(B)所示那样，用公知的斜角涂布机(未作图示)，仅在基板W的周缘部形成上述说明的第1处理液L1的膜。此处，作为第1处理液L1，使用的是，含有氧化性的化学溶液例如盐酸作为上述去除剂。斜角涂布机如下：通过自旋卡盘(未作图示)将基板W以水平姿势保持，使其围绕垂直轴线地旋转，向该旋转的基板W的周缘部由喷嘴N1供给第1处理液L1，从而仅在基板W的周缘部形成第1处理液L1的膜。
接着，如图9(C)所示那样，将基板W搬入至具有与上述第2处理部5同样的构成的烘烤模块(未作图示)，将基板W加热。由此，与上述工序(C)同样地，使基板W上的第1处理液L1中的溶剂蒸发，且促进硬掩模与去除剂的反应。
接着，如图9(D)所示那样，用公知的斜角清洗装置(未作图示)，向基板W的周缘部供给上述基板W中说明的冲洗液L2，去除源自第1处理液的膜的残渣和与通过去除剂的反应变得容易被去除的硬掩模HM。此处，作为冲洗液L2，使用碱性化学溶液。此时，斜角清洗装置中，自旋卡盘(未作图示)将基板W以水平姿势保持，使其围绕垂直轴线旋转，向该旋转的基板W的周缘部从喷嘴供给冲洗液L2，从而进行源自第1处理液的膜的残渣和通过与去除剂的反应而变得容易被去除的硬掩模HM的去除。之后，在斜角清洗装置中，向基板W的表面供给例如纯水和IPA等，进行残留于基板的表面的冲洗液L2等的去除和基板的干燥。
附图标记说明
1 基板处理装置
2 基板处理单元
3 控制单元
4 第1处理部
43 第1处理液供给部
43A 第2处理液供给部
5 第2处理部
54 基板加热部
6 第3处理部
63 冲洗液供给部

Claims (13)

1.一种基板处理装置，其为用于从基板去除所述基板上的附着物的基板处理装置，
该基板处理装置具备去除处理部和控制部，
所述去除处理部具有：
第1处理液供给部，其向所述基板供给含有所述附着物的去除剂、具有比所述去除剂的沸点还低的沸点的溶剂和增稠剂的第1处理液；
第2处理液供给部，其向供给了所述第1处理液的基板供给用于形成防气体扩散膜的第2处理液；
基板加热部，其将供给了所述第2处理液的基板在所述溶剂的沸点以上且低于所述去除剂的沸点的规定温度下进行加热；和，
冲洗液供给部，其向所述基板供给冲洗液，
所述控制部以如下方式控制所述第1处理液供给部、所述第2处理液供给部、所述基板加热部和所述冲洗液供给部：所述第1处理液供给部向所述基板供给所述第1处理液，接着，所述第2处理液供给部向所述基板供给所述第2处理液，接着，所述基板加热部将所述基板在所述规定温度下进行加热，由此，促进所述溶剂的蒸发和所述附着物与所述去除剂的反应，接着，所述冲洗液供给部向所述基板供给所述冲洗液，由此，从所述基板去除所述附着物，
所述防气体扩散膜用来防止由所述附着物与所述去除剂的反应而产生的气体状的反应性产物扩散至所述基板的周围。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述防气体扩散膜含有有机聚合物。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述有机聚合物为苯酚聚合物或丙烯酸类聚合物。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其中，所述去除剂包含盐酸或四甲基铵。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其中，所述第1处理液供给部、所述第2处理液供给部、所述基板加热部和所述冲洗液供给部中的至少2者被收纳于相同的腔室内。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其中，所述附着物为蚀刻用硬掩模膜。
7.一种基板处理方法，其为从基板去除所述基板上的附着物的基板处理方法，所述基板处理方法包括如下工序：
工序(A)，向所述基板供给含有所述附着物的去除剂、具有比所述去除剂的沸点还低的沸点的溶剂和增稠剂的第1处理液；
工序(B)，在工序(A)后，向所述基板供给含有成为防气体扩散膜的有机聚合物的第2处理液；
工序(C)，在工序(B)后，将所述基板在所述溶剂的沸点以上且低于所述去除剂的沸点的规定温度下进行加热，促进所述溶剂的蒸发和所述附着物与所述去除剂的反应；和，
工序(D)，在工序(C)后，向所述基板供给冲洗液，从所述基板去除所述附着物，
所述防气体扩散膜用来防止由所述工序(C)中的所述附着物和所述去除剂的反应而产生的气体状的反应性产物扩散至所述基板的周围。
8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其中，所述防气体扩散膜含有有机聚合物。
9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其中，所述有机聚合物为苯酚聚合物或丙烯酸类聚合物。
10.根据权利要求7～9中任一项所述的基板处理方法，其中，所述去除剂包含盐酸或四甲基铵。
11.根据权利要求7～10中任一项所述的基板处理方法，其中，所述工序(A)～(D)中的至少2者在相同的腔室内执行。
12.根据权利要求7～11中任一项所述的基板处理方法，其中，所述附着物为蚀刻用硬掩模膜。
13.一种存储介质，其记录有如下程序：通过用于控制基板处理装置的动作的计算机而执行时，所述计算机控制所述基板处理装置，执行权利要求7～12中任一项所述的基板处理方法。
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