CN111411380A - 一种电镀工艺 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种电镀工艺，包括以下工序：预处理工序，所述预处理工序中对磁体的表面进行预处理；抽真空工序，所述真空工序中对预处理后的磁体抽真空并保持抽真空状态；电镀工序，所述电镀工序中将抽真空后的磁体浸入电镀液中，在负压、超声波和水流冲击的条件下，在磁体表面电镀金属防护层。该电镀工艺制得的金属防护层与磁体的结合强度高，且耐蚀性好，不易脱落，并且电镀效率高。

Description

一种电镀工艺

技术领域

本发明属于磁体表面防护技术领域，具体涉及一种电镀工艺。

背景技术

烧结钕铁硼磁体是迄今为止磁性最强的一类永磁材料，广泛应用在汽车工业、电子电器、医疗器械、工业电机等领域，是当今世界上发展最快、市场前景最好的永磁材料。烧结钕铁硼磁体具有磁能积高、矫顽力高、能量密度高、性价比高、机械特性良好等突出优势，已经在高新技术领域中担当了重要的角色。经过30多年的研究发展，已经基本形成了合金熔炼→氢破碎→气流磨→成型→烧结→热处理的烧结钕铁硼磁体生产工艺路线，实现了N～TH共7大类100多个牌号磁体的批量生产和应用，满足了众多应用领域的使用要求。

然而，由粉末冶金工艺制备的烧结钕铁硼磁体具有多相结构，各相之间电位差较大，极易发生电化学腐蚀，使用前必须进行必要的表面防护处理。目前广泛采用的表面防护处理方法为电镀，通过电镀的方式在烧结钕铁硼磁体表面沉积金属防护层来保护磁体，使其免收周围环境的腐蚀。虽然电镀技术在钢铁等行业已经十分成熟，且在烧结钕铁硼行业应用多年，但是钕铁硼磁体表面电镀技术还存在一定的不足，主要体现在：(1)粉末冶金工艺生产的烧结钕铁硼磁体不可能100％致密，磁体内部必然存在一定的孔洞，孔洞中会残留一部分气体，经过电镀处理以后，孔洞中残留的气体会被封在磁体中；(2)在磁体电镀前处理过程中，特别是酸洗前处理过程中，由于晶界相和主相的腐蚀速度不一样，晶界相会优先腐蚀，晶界相腐蚀后会形成窄而深的凹坑，这些凹坑中也会残留部分气体，当磁体浸入电镀液中以后，受毛细管力的作用，电镀液很难完全进入这些凹坑，凹坑中残留的气体也会被电镀层封装在磁体内部；(3)电镀液通常为酸性，钕铁硼磁体极易与其发生反应放出氢气，这些气体会吸附在磁体表面，并被后来形成的电镀层封在磁体内部。这些被封装在磁体内部的气体，随着磁体的使用，会逐步放出，特别是当磁体温度升高时，这些气体会受热膨胀，直接导致镀层起泡脱落，进而失去防护效果。已有实验表明烧结钕铁硼磁体表面防护层的失效原因主要为内在原因，即由磁体内部失效引起，这也直接导致相同的防护层在磁体表面的防护能力与在纯金属表面的防护能力相比还有较大差距。

发明内容

有鉴于此，本发明有必要提供一种电镀工艺，通过将预处理后的磁体进行抽真空后，置于电镀液中，在负压、超声、水流冲击条件下在磁体表面电镀金属防护层，使得金属防护层与磁体的结合强度高，且耐蚀性好，不易脱落，解决了现有工艺中存在的由于磁体内封装气体导致金属防护层失效的技术问题。

为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种电镀工艺，包括以下工序：

预处理工序，所述预处理工序中对磁体的表面进行预处理；

抽真空工序，所述真空工序中对预处理后的磁体抽真空并保持抽真空状态；

电镀工序，所述电镀工序中将抽真空后的磁体浸入电镀液中，在负压、超声波和水流冲击的条件下，在磁体表面电镀金属防护层。

进一步的，所述预处理工序包括物理方法、化学方法中的至少一种，所述物理方法包括研磨、喷砂、超声清洗中的至少一种，所述化学方法包括酸洗、碱洗、有机溶剂清洗中的至少一种。

进一步的，所述抽真空工序的具体工艺为：抽真空至10Pa以下并保持1h以上。

进一步的，所述电镀工序中，将抽真空后的磁体浸入电镀液的过程中，磁体所处空间的真空度始终维持在10Pa以下。

进一步的，所述电镀工序中，所述负压指的是所述电镀液处于负压状态，所述负压的压力值为1000Pa以下；

所述超声波的频率为30kHz-50kHz；

所述水流冲击为所述电镀液流动冲击，所述电镀液的流速为0.1m/s-1m/s。

进一步的，所述电镀液包括Ni电镀液、Zn电镀液、Cu电镀液、Zn-Fe电镀液、Zn-Co电镀液中的至少一种，所述金属防护层包括Ni防护层、Zn防护层、Cu防护层、Zn-Fe防护层、Zn-Co防护层中的至少一种。

进一步的，所述金属防护层为N层，N≥2，第2至N层的制备重复所述抽真空工序和所述电镀工序。

进一步的，所述金属防护层的总厚度为3-30μm。

与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：

(1)通过对表面预处理后的烧结钕铁硼磁体进行抽真空处理，抽出磁体表面残留的气体，抽真空后将磁体浸入到电镀液中，电镀液可以进入磁体表面的所有区域，包括预处理过程中产生的窄而深的凹坑、磁体本身的孔洞等。运用该工艺，一方面可以减少镀后磁体内部的气体残留，减少磁体使用过程中镀层起泡现象；另一方面，在电镀的过程中，金属原子可以沉积在磁体表面的凹坑和孔洞里，增加金属防护层(即镀层)与磁体之间的结合面积，进而增加电镀层与磁体之间的结合强度。

(2)在电镀过程中，利用超声波和水流冲击，除去磁体表面吸附的因磁体与电镀液反应生成的氢气，使其溶解于电镀液中，由于电镀液上方为负压，可以显著减少电镀液中溶解的氢气，最终将其抽走。运用该工艺，可以减少镀后磁体内部的气体残留，减少磁体使用过程中镀层起泡现象。

(3)由于电镀过程中超声波的振荡和水流的冲击，可以使得电镀槽中的电镀液在成分、pH值等方面更加均匀，促使磁体表面均匀成膜，减少电镀过程中的边角效应；另外，冲击水流也能将更多的金属离子带到磁体表面，增加了单位时间内的沉积量，提高了电镀成膜速度，提高了镀膜效率。

通过本发明的电镀工艺制得的金属防护层与磁体的结合强度高、耐蚀性好，且不易脱落。

附图说明

图1为本发明中一较佳实施例中采用的电镀装置的结构示意图；

图2为本发明中电镀工艺获得的金属防护层与磁体结合面的剖面示意图。

图中：1-电镀槽、2-超声波发生装置、3-泵浦、4-磁体、5-电镀金属源、6-真空装置、7-电镀电源、8-真空管道、9-电镀液、10-金属防护层。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将结合具体的实施例对本发明进行更全面的描述。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本发明的公开内容理解的更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。

本发明公开了一种电镀工艺，包括以下工序：

预处理工序，所述预处理工序中对磁体的表面进行预处理；

抽真空工序，所述真空工序中对预处理后的磁体抽真空并保持抽真空状态；

电镀工序，所述电镀工序中将抽真空后的磁体浸入电镀液中，在负压、超声波和水流冲击的条件下，在磁体表面电镀金属防护层。

针对现有的电镀工艺中易存在的将气体封装在镀层内的气体导致的磁体防护层失效的问题，本发明提出了一种电镀工艺，该电镀工艺首先对磁体的表面进行预处理，可以理解的是，这里的预处理是本领域磁体电镀前的常规处理工序，因此，这里不再具体限定。然后对预处理后的磁体抽真空并保持抽真空状态，从而抽出磁体表面残留的气体，可减少镀后磁体内部的气体残留，减少磁体使用过程中镀层气泡现象。最后将抽真空后的磁体浸入电镀液中，在负压、超声波和水流冲击条件下，电镀金属防护层，利用超声波和水流冲击，可除去磁体表面吸附的因磁体和电镀液反应生成的氢气，使氢气溶解于电镀液中，由于电镀液处于负压状态，可显著减少电镀液中溶解的氢气，并将其抽走，减少镀后磁体内部的气体残留，减少磁体使用过程中的镀层气泡现象；同时超声波的振荡和水流的冲击，可以使得电镀槽中的电镀液成分、pH等更加均匀，从而使得磁体表面均匀成膜，可减少电镀过程中的边角效应，而冲击水流液可以将更多的电镀金属离子带到磁体的表面，增加单位时间内的沉积量，提高电镀的成膜速度，提高电镀效率。

进一步的，预处理的目的主要是除去磁体表面残留的铁锈、油污等杂质，所述的预处理工序可以采用本领域常规的工艺，一般来说，所述预处理工序包括物理方法、化学方法中的至少一种，在本发明一些具体的实施方式中，所述物理方法包括研磨、喷砂、超声清洗中的至少一种，所述化学方法包括酸洗、碱洗、有机溶剂清洗中的至少一种。可以理解的是，这里的预处理工序可以采用前述方法中的一种，也可以是多种方法组合进行预处理，可根据需要进行调整，因此，这里不再一一限定。

进一步的，抽真空工序主要是为了除去磁体表面的残留的气体，因此，真空度应当足够，且需保持一段时间，使得磁体表面残留的气体尽可能的去除干净，可以理解的是，真空度和保持时间的选择可以根据需要进行调整，因此未具体限定，优选的，在本发明的一些具体的实施方式中，所述抽真空工序的具体工艺为：抽真空至10Pa以下并保持1h以上。

进一步的，为了进一步的减少镀后磁体内部的气体残留，所述电镀工序中，将抽真空后的磁体浸入电镀液的过程中，磁体所处空间的真空度始终维持在10Pa以下，也就是说，磁体在抽真空后，始终保持在真空状态浸入电镀液中，这样可以进一步减少镀后磁体内部的气体残留，另一方面电镀过程中由于磁体处于真空状态，金属原子可以沉积在磁体表面的凹坑和孔洞里，从而增加电镀的金属防护层与磁体之间的结合面积，进而增加电镀层与磁体之间的结合强度。

进一步的，所述电镀工序中，所述负压指的是所述电镀液处于负压状态，所述负压的压力值为1000Pa以下；需要说明的是，这里的负压尤其指的是电镀液上部空间为负压，从而使得电镀过程中产生并溶解在电镀液中的氢气，由于电镀液上部空间为负压，溶解在电镀液中氢气不断被抽走，从而进一步减少镀后磁体内部的气体残留，减少磁体使用过程中镀层气泡现象，而所述负压的压力值是可以根据需要进行调整的，优选的，在本发明的一些具体的实施方式中，负压的压力值为1000Pa以下。

所述超声波的频率为30kHz-50kHz；

所述水流冲击为所述电镀液流动冲击，所述电镀液的流速为0.1m/s-1m/s。在电镀过程中，利用超声波和水流冲击，一方面可出去磁体表面吸附的因磁体与电镀液反应产生的氢气，使其溶解在电镀液中，配合电镀液上方的负压，使得氢气不断被抽走，另一方面超声波的振荡和水流的冲击，可以使得电镀槽中的电镀液在成分、pH等方面更加均匀，促使磁体表面均匀成膜，减少电镀过程中的边角效应；同时冲击水流将更多的金属离子带到磁体表面，增加单位时间内的沉积量，提高电镀成膜速度，提高电镀效率。超声波频率和水流冲击流速可根据需要进行调整，优选的，所述超声波的频率为30kHz-50kHz；所述电镀液的流速为0.1m/s-1m/s。

进一步的，本发明的一些优选的实施方式中采用的电镀装置结构如图1中所示的，该电镀装置包括电镀槽1，在电镀槽1的底部和侧壁上分别设有产生超声波的超声波发生装置2，本发明的实施方式中，超声波发生装置2为超声波发生器，在超声波发生装置2的两侧设有泵浦3，泵浦3同样设于电镀槽1的底部，与电镀槽1中的电镀液9连通，开启泵浦3使得电镀液9产生水流流动冲击。更进一步的，在电镀槽1的侧壁上设有电镀金属源5，在电镀槽1的外部设有电镀电源7，其具体位置没有特别限定，可根据需要进行调整，电镀电源7的正极与电镀金属源5连接，其负极与磁体4连接。继续参阅图1可以看出，这里的电镀槽1为密封电镀槽，在电镀槽1和真空装置6通过真空管道8连通，真空装置6和真空管道8位于电镀槽1的外部，且真空管道8位于电镀液9的上部，通过真空装置6抽真空，使得电镀液9的上部呈负压。更进一步的，在真空管道8中设有干燥剂。具体操作时，将抽真空后的磁体4浸入电镀液9中，将电镀槽1密封，同时开启超声波发生装置2、泵浦3和真空装置6以及电镀电源7在磁体4表面进行电镀。需要说明的是，可用于本发明中的电镀装置并不像限于图1中的结构，只要能实现负压、超声波和水流冲击同时进行的目的，任何类似的电镀装置均可。

进一步的，本发明中的电镀液采用的是本领域常规的电镀液，可提及的实例包括但不限于Ni电镀液、Zn电镀液、Cu电镀液、Zn-Fe电镀液、Zn-Co电镀液中的至少一种，根据电镀液的不同，对应制得相应的金属防护层，金属防护层包括但不限于Ni防护层、Zn防护层、Cu防护层、Zn-Fe防护层、Zn-Co防护层中的至少一种，具体的参数均为现有工艺中的常规选择，因此这里不再赘述。

进一步的，磁体表面的金属防护层可以为一层，也可以为两层以上，具体来说，所述金属防护层为N层，N≥2，第一层金属防护层电镀工艺如前所述，而第2至N层的制备只需重复所述抽真空工序和所述电镀工序即可，无需再进行预处理工序。

进一步的，磁体表面金属防护层的厚度可根据使用需要等进行调整，因此可不做具体的限定，在本发明的一些具体的实施方式中，所述金属防护层的总厚度为3-30μm。

通过本发明的电镀工艺制得金属防护层和磁体结合面示意图如图2中所示的，图2中，金属防护层10紧密贴合在磁体4的表面，且磁体4表面的凹坑也被金属防护层10填充，在金属防护层10和磁体4之间无残留气体，使得金属防护层10与磁体4的结合强度高，金属防护层10不易脱落。

下面结合具体的实施例对本发明的技术方案进行更加清楚完整的说明。

实施例1

(1)选择规格为40mm×40mm×3mm的牌号为N48的烧结钕铁硼磁体，依次采用研磨、酸洗、超声清洗的方法对磁体进行表面预处理，除去磁体表面残留的铁锈、油污等杂质；

(2)对磁体进行抽真空处理，抽真空至5Pa并保持3小时，抽出磁体表面残留的气体，抽真空后将磁体置于图1中的电镀装置中浸入到Zn电镀液中，在磁体完全浸入到Zn电镀液中之前，磁体所处空间的真空度始终维持在8Pa以下；

(3)控制电镀槽上部空间气压为800Pa，开启超声波发生器，超声波频率为30kHz，同时启动泵浦，以0.2m/s的速度将Zn电镀液冲向磁体表面。开启电镀电源，在负压、超声、水流冲击的条件下在磁体表面电镀金属Zn防护层。电镀过程中电镀液温度控制为20℃、pH值控制为4.6、电镀电源电压控制为12V，电镀时间为30分钟。

对比例1

(1)选择与实施例1相同的规格为40mm×40mm×3mm的牌号为N48的烧结钕铁硼磁体，依次利用研磨、酸洗、超声清洗的方式对磁体进行表面预处理(同实施例1)，除去磁体表面残留的铁锈、油污等杂质；

(2)将磁体浸入Zn电镀液中，通过导线将磁体连接至电镀电源的负极，通过导线将电镀金属Zn连接至电镀电源的正极；

(3)开启电镀电源，开启设置在电镀槽侧壁和底部的超声波发生器，在磁体表面电镀金属Zn防护层。电镀过程中电镀液温度控制为20℃、pH值控制为4.6、电镀电源电压控制为12V，电镀时间为35分钟，超声波频率为30kHz。

实施例2

(1)选择规格为50mm×40mm×2mm的牌号为48M的烧结钕铁硼磁体，依次利用喷砂、酸洗、超声清洗的方式对磁体进行表面预处理，除去磁体表面残留的铁锈、油污等杂质；

(2)对磁体进行抽真空处理，抽真空至8Pa并保持5小时，抽出磁体表面残留的气体，抽真空后将磁体置于图1中的电镀装置中浸入到Zn-Co电镀液中，在磁体完全浸入到Zn-Co电镀液中之前，磁体所处空间的真空度维持在10Pa以下；

(3)控制电镀槽上部空间气压为900Pa，开启超声波发生器，超声波频率为40kHz；启动泵浦，以0.5m/s的速度将电镀液冲向磁体表面。开启电镀电源，在负压、超声、水流冲击的条件下在磁体表面电镀金属Zn-Co防护层。电镀过程中电镀液温度控制为30℃、pH值控制为4.0、电镀电源电压控制为12V，电镀时间为40分钟。

对比例2

(1)选择与实施例2相同的规格为50mm×40mm×2mm的牌号为48M的烧结钕铁硼磁体，依次利用喷砂、酸洗、超声清洗的方式对磁体进行表面预处理(同实施例2)，除去磁体表面残留的铁锈、油污等杂质；

(2)将磁体浸入到Zn-Co电镀液中，通过导线将磁体连接至电镀电源的负极，通过导线将Zn-Co合金连接至电镀电源的正极；

(3)开启电镀电源，开启设置在电镀槽侧壁和底部的超声波发生器，在磁体表面电镀金属Zn-Co防护层。电镀过程中电镀液温度控制为30℃、pH值控制为4.0、电镀电源电压控制为12V，电镀时间为47分钟，超声波频率为40kHz。

实施例3

(1)选择规格为50mm×25mm×2mm的牌号为48H的烧结钕铁硼磁体，依次利用酸洗、超声清洗、酒精清洗的方式对磁体进行表面预处理，除去磁体表面残留的铁锈、油污等杂质；

(2)对磁体进行抽真空处理，抽真空至4Pa并保持6小时，抽出磁体表面残留的气体，抽真空后将磁体置于图1中的电镀装置中浸入到Zn-Fe电镀液中，在磁体完全浸入到电镀液中之前，磁体所处空间的真空度维持在6Pa以下；

(3)控制电镀槽上部空间气压为500Pa；开启电镀槽底部和侧面设置的超声波发生器，超声波频率为45kHz；启动泵浦，以0.7m/s的速度将电镀液冲向磁体表面。开启电镀电源，在负压、超声、水流冲击的条件下在磁体表面电镀金属Zn-Fe防护层。电镀过程中电镀液温度控制为40℃、pH值控制为3.5、电镀电源电压控制为12V，电镀时间为30分钟。

对比例3

(1)选择与实施例3相同的规格为50mm×25mm×2mm的牌号为48H的烧结钕铁硼磁体，依次利用酸洗、超声清洗、酒精清洗的方式对磁体进行表面预处理(同实施例3)，除去磁体表面残留的铁锈、油污等杂质；

(2)将磁体浸入到Zn-Fe电镀液中，通过导线将磁体连接至电镀电源的负极，通过导线将Zn-Fe合金连接至电镀电源的正极；

(3)开启电镀电源，开启设置在电镀槽侧壁和底部的超声波发生器，在磁体表面电镀金属Zn-Fe防护层。电镀过程中电镀液温度控制为40℃、pH值控制为3.5、电镀电源电压控制为12V，电镀时间为30分钟，超声波频率为45kHz。

实施例4

(1)选择规格为30mm×30mm×2mm的牌号为N50的烧结钕铁硼磁体，依次利用喷砂、酸洗、超声清洗、酒精清洗的方式对磁体进行表面预处理，除去磁体表面残留的铁锈、油污等杂质；

(2)对磁体进行抽真空处理，抽真空至8Pa并保持3小时，抽出磁体表面残留的气体，抽真空后将磁体置于图1中的电镀装置中浸入到Ni电镀液中，在磁体完全浸入到电镀液中之前，磁体所处空间的真空度维持在8Pa以下；

(3)控制电镀槽上部空间气压为950Pa；开启超声波发生器，超声波频率为50kHz；启动泵浦，以1.0m/s的速度将电镀液冲向磁体表面。开启电镀电源，在负压、超声、水流冲击的条件下在磁体表面电镀金属Ni防护层。电镀过程中电镀液温度控制为50℃、pH值控制为3.2、电镀电源电压控制为12V，电镀时间为40分钟。

(4)对步骤(3)中电镀后的磁体进行抽真空处理，抽真空至8Pa并保持3小时，抽出磁体表面残留的气体，抽真空后将磁体浸入到Cu电镀液中，在磁体完全浸入到电镀液中之前，磁体所处空间的真空度维持在8Pa以下；

(5)控制电镀槽上部空间气压为950Pa；开启超声波发生器，超声波频率为50kHz；启动泵浦，以1.0m/s的速度将电镀液冲向磁体表面。开启电镀电源，在负压、超声、水流冲击的条件下在磁体表面电镀金属Cu防护层。电镀过程中电镀液温度控制为45℃、pH值控制为4.2、电镀电源电压控制为12V，电镀时间为40分钟。

(6)对步骤(5)中电镀后的磁体进行抽真空处理，抽真空至8Pa并保持3小时，抽出磁体表面残留的气体，抽真空后将磁体浸入到Ni电镀液中，在磁体完全浸入到电镀液中之前，磁体所处空间的真空度维持在8Pa以下；

(7)控制电镀槽上部空间气压为950Pa；开启超声波发生器，超声波频率为50kHz；启动泵浦，以1.0m/s的速度将电镀液冲向磁体表面。开启电镀电源，在负压、超声、水流冲击的条件下在磁体表面电镀金属Ni防护层。电镀过程中电镀液温度控制为50℃、pH值控制为3.2、电镀电源电压控制为12V，电镀时间为40分钟。

对比例4

(1)选择与实施例4相同的规格为30mm×30mm×2mm的牌号为N50的烧结钕铁硼磁体，依次利用喷砂、酸洗、超声清洗、酒精清洗的方式对磁体进行表面预处理(同实施例4)，除去磁体表面残留的铁锈、油污等杂质；

(2)将磁体浸入到Ni电镀液中，通过导线将磁体连接至电镀电源的负极，通过导线将电镀金属Ni连接至电镀电源的正极；

(3)开启电镀电源，开启设置在电镀槽侧壁和底部的超声波发生器，在磁体表面电镀金属Ni防护层。电镀过程中电镀液温度控制为50℃、pH值控制为3.2、电源电压控制为12V，电镀时间为45分钟，超声波频率为50kHz。

(4)将步骤(3)中电镀后的磁体浸入到Cu电镀液中，通过导线将磁体连接至电镀电源的负极，通过导线将电镀金属Cu连接至电镀电源的正极；

(5)开启电镀电源，开启设置在电镀槽侧壁和底部的超声波发生器，在磁体表面电镀金属Cu防护层。电镀过程中电镀液温度控制为45℃、pH值控制为4.2、电源电压控制为12V，电镀时间为45分钟，超声波频率为50kHz。

(6)将步骤(5)中电镀后的磁体浸入到Ni电镀液中，通过导线将磁体连接至电镀电源的负极，通过导线将电镀金属Ni连接至电镀电源的正极；

(7)开启电镀电源，开启设置在电镀槽侧壁和底部的超声波发生器，在磁体表面电镀金属Ni防护层。电镀过程中电镀液温度控制为50℃、pH值控制为3.2、电源电压控制为12V，电镀时间为45分钟，超声波频率为50kHz。

对实施例1-4和对比例1-4中磁体表面金属防护层分别进行厚度、结合强度、耐中性盐雾、耐PCT测试，结果如表1中所示的。

表1实施例和对比例中所得磁体表面金属防护层的主要性能

注：表1中的均匀性＝(边缘厚度-中心厚度)/中心厚度×100％；

表1中镀层边缘和中心厚度的测量按GB/T 16921-2005《金属覆盖层覆盖层厚度测量X射线光谱方法》执行；

镀层结合强度的测试参照GB/T 5210-2006《色漆和清漆拉开法附着力试验》执行；

耐中性盐雾试验参照GB/T 10125-2012《人造气氛腐蚀试验盐雾试验》中的中性盐雾试验执行；

耐PCT试验的试验条件为120℃、100％RH、0.2MPa。

从表1中可以看出，采用本发明中的电镀工艺制得的金属防护层的厚度均匀性更高，与磁体的结合力更强，耐蚀性更好，并且获得相同厚度的金属防护层，本发明中电镀工艺用时更短，电镀成膜效率高。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (8)

1.一种电镀工艺，其特征在于，包括以下工序：

预处理工序，所述预处理工序中对磁体的表面进行预处理；

抽真空工序，所述真空工序中对预处理后的磁体抽真空并保持抽真空状态；

电镀工序，所述电镀工序中将抽真空后的磁体浸入电镀液中，在负压、超声波和水流冲击的条件下，在磁体表面电镀金属防护层。

2.如权利要求1所述的电镀工艺，其特征在于，所述预处理工序包括物理方法、化学方法中的至少一种，所述物理方法包括研磨、喷砂、超声清洗中的至少一种，所述化学方法包括酸洗、碱洗、有机溶剂清洗中的至少一种。

3.如权利要求1所述的电镀工艺，其特征在于，所述抽真空工序的具体工艺为：抽真空至10Pa以下并保持1h以上。

4.如权利要求1所述的电镀工艺，其特征在于，所述电镀工序中，将抽真空后的磁体浸入电镀液的过程中，磁体所处空间的真空度始终维持在10Pa以下。

5.如权利要求1所述的电镀工艺，其特征在于，所述电镀工序中，所述负压指的是所述电镀液处于负压状态，所述负压的压力值为1000Pa以下；

所述超声波的频率为30kHz-50kHz；

所述水流冲击为所述电镀液流动冲击，所述电镀液的流速为0.1m/s-1m/s。

6.如权利要求1所述的电镀工艺，其特征在于，所述电镀液包括Ni电镀液、Zn电镀液、Cu电镀液、Zn-Fe电镀液、Zn-Co电镀液中的至少一种，所述金属防护层包括Ni防护层、Zn防护层、Cu防护层、Zn-Fe防护层、Zn-Co防护层中的至少一种。

7.如权利要求1所述的电镀工艺，其特征在于，所述金属防护层为N层，N≥2，第2至N层的制备重复所述抽真空工序和所述电镀工序。

8.如权利要求1所述的电镀工艺，其特征在于，所述金属防护层的总厚度为3-30μm。

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