CN111386614B - 发光二极管及其制造方法、阵列基板和显示面板 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及发光二极管。发光二极管包括：第一透明电极层；发光层，其位于第一透明电极层上；反射电极层，其位于发光层的远离第一透明电极层的表面上；以及第二透明电极层。反射电极层可以包括透光孔。第二透明电极层可以覆盖或填充透光孔。透光孔可以构造为传播从发光层发射的光以穿过第二透明电极层。

Description

发光二极管及其制造方法、阵列基板和显示面板
技术领域
本公开涉及显示技术，更具体地，涉及发光二极管及其制造方法、阵列基板、以及显示面板。
背景技术
与诸如液晶显示(LCD)设备之类的其它显示设备相比，有机发光二极管(OLED)显示设备是无需背光的自发光设备。OLED显示设备具有快速响应、更广视角、高对比度、更鲜艳的色彩渲染以及更薄更轻的优点，在显示领域获得广泛应用。
发明内容
本公开涉及发光二极管。发光二极管可以包括具有透光孔的反射电极层。形成第二透明电极层以覆盖或填充透光孔。来自发光二极管的像素区域的光可以穿过透光孔并透过第二透明电极层以到达光敏传感器。光敏传感器可以实时地感测从每个像素区域发射的光的强度。
因此，本公开的一个示例是一种发光二极管。发光二极管可以包括：第一透明电极层；发光层，其位于第一透明电极层上；反射电极层，其位于发光层的远离第一透明电极层的表面上，反射电极层包括透光孔和覆盖和/或填充透光孔的第二透明电极层。透光孔可以构造为传播从发光层发射的光以透过第二透明电极层。
本公开的另一示例是一种阵列基板。阵列基板可以包括根据本公开的一个实施例的发光二极管和驱动发光二极管的薄膜晶体管(TFT)。
本公开的另一示例提供了一种阵列基板。显示面板可以包括根据本公开的一个实施例的发光二极管。
本公开的另一个示例是一种制造发光二极管的方法。制造发光二极管的方法可以包括：形成第一透明电极层；在第一透明电极层上形成发光层；在发光层上形成反射电极层；在反射电极层中形成透光孔；以及形成第二透明电极层以覆盖和/或填充透光孔。透光孔构造为传播从发光层发射的光以透过第二透明电极层。
附图说明
本说明书所附的权利要求书中具体地指出并清楚地要求视为本发明的主题。根据结合附图给出的以下具体实施方式，本发明的前述内容和其它目的、特征和优点是显而易见的，在附图中：
图1是示出根据本发明的一些实施例的发光二极管的结构的示意图。
图2是示出根据本发明的一些实施例的发光二极管的结构的示意图。
图3是示出根据本发明的一些实施例的发光二极管的结构的示意图。
图4是示出根据本发明的一些实施例的发光二极管的多个像素区域中的每一个中的透光孔的相对位置的示意图。
图5是示出根据本发明的一些实施例的发光二极管的结构的示意图。
图6是示出根据本发明的一些实施例的发光二极管的多个像素区域中的每一个中的透光孔的相对位置的示意图。
图7是示出根据本发明的一些实施例的发光二极管的结构的示意图。
图8是示出根据本发明的一些实施例的发光二极管的结构的示意图。
图9是示出根据本发明的一些实施例的光敏传感器的结构的示意图。
图10是根据本公开的一些实施例的发光二极管的制造方法的流程图。
具体实施方式
将参照附图和实施例更具体地描述本公开，以提供本领域技术人员对本公开技术方案的更好的理解。在本公开的整个描述内容中，参考了图1至图10。当参考附图时，以相似附图标记表示整个附图中的相似结构和元素。
在大尺寸有机发光二极管(OLED)面板中，经常采用电子补偿结构和方法。然而，这些结构和方法仅能补偿由于OLED中的薄膜晶体管的特性导致的异常显示，而无法补偿OLED中的发光层材料的老化导致的异常显示。
因此，图1示出根据本发明的一些实施例的发光二极管的示意结构。在一些实施例中，如图1所示，发光二极管10包括：第一透明电极层200；发光层500，其形成在第一透明电极层200上；反射电极层300，其形成在发光层500的远离第一透明电极层200的表面上。反射电极层包括透光孔600。发光二极管10还包括第二透明电极层400，其用于覆盖和/或填充透光孔600。透光孔600构造为传播从发光层500发射的光以透过第二透明电极层400。也就是说，从发光层500发射的光穿过透光孔600，随后到达第二透明电极层400，并且之后透过第二透明电极层400。
在一些实施例中，如图1的虚线圈中所示，在反射电极层300中形成透光孔600。在一些实施例中，透光孔600部分地穿入反射电极层300。在一些实施例中，透光孔600完全穿透反射电极层300。
在一些实施例中，发光二极管可以包括其它层(未在附图中示出)，比如位于反射电极层300和发光层500之间的电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)；以及位于第一透明电极层200和发光层500之间的空穴传输层(HTL)和空穴注入层(HIL)。在一些实施例中，透光孔600穿透反射电极层300并且与发光层500物理接触。在一些实施例中，透光孔600穿透反射电极层300并且与最靠近的层(比如EIL)物理接触。
在一些实施例中，如图4所示，每个像素区域具有一个透光孔600。在一些实施例中，至少一个像素区域具有多个透光孔600。在一些实施例中，一些像素区域各自具有一个透光孔，并且一些像素区域各自具有多个透光孔。
透光孔的一个功能是将从发光层500发射的光传播至第二透明电极层400。对透光孔穿入反射电极层300中的程度或深度没有限制。透光孔的深度可以为反射电极层的厚度的50％、65％、75％、85％、90％、99％或100％。例如，透光孔600可以100％穿透反射电极层300。在一些实施例中，透光孔600可以从反射电极层300的面对发光层或远离发光层的表面穿入反射电极层300到反射电极层的厚度的大约99％、90％至98％、85％至89％、75％至84％、65％至74％或50％至64％的深度。如果透光孔未穿透反射电极层300，则透光孔可以具有在反射电极层的面对发光层或远离发光层的表面上的开口。所述多个像素区域中的全部透光孔各自可以在反射电极层300内具有相同或不同的深度。在一些实施例中，如图6所示，透光孔600包括穿入反射电极层300的多个子孔601。在一些实施例中，子孔601部分地穿入反射电极层300。在一些实施例中，子孔601完全穿透反射电极层300。
在一些实施例中，如图6所示，反射电极层300可以包括多个子孔601，并且至少一个像素区域具有多个子孔601。在一些实施例中，一些像素区域各自具有一个透光孔600，并且一些像素区域各自具有多个子孔601。在一些实施例中，每个像素区域均具有多个子孔601。在一些实施例中，一些像素区域各自具有一个透光孔600，一些像素区域各自具有多个子孔601，并且一些像素区域各自具有多个透光孔600。
透光孔600和子孔601的一个功能是将从发光层500发射的光传播至第二透明电极层400。对子孔穿入反射电极层中的程度或深度没有限制。例如，子孔601可以100％穿透反射电极层300。在一些实施例中，子孔的深度可以为反射电极层的厚度的大约50％、65％、75％、85％、90％、95％、98％或100％。全部子孔各自可以在反射电极层内具有相同或不同的深度。
在一些实施例中，透光孔可以为在反射电极层300的面对发光层或远离发光层的表面上形成的凹槽。换言之，凹槽不穿透反射电极层300，并且从凹槽的底部到反射电极层300的相对表面存在一定距离。反射电极层300的所述相对表面是与反射电极层的其上形成有凹槽的表面相对的表面。所述距离必须足够小以实现透光孔的功能。在一些实施例中，凹槽穿透反射电极层300。
在一些实施例中，如图1的虚线圈中所示，第二透明电极层400被填充在透光孔600内并且还延伸至透光孔600以外以覆盖反射电极层300的至少一部分。在一些实施例中，第二透明电极层400是除透光孔600以外的连续层，并且第二透明电极层400与反射电极层300共形。在一些实施例中，第二透明电极层400的位于透光孔600内的部分与反射电极层300的侧表面相接触。在一些实施例中，第二透明电极层400仅位于透光孔600内并且与反射电极层300的侧表面相接触。在一些实施例中，发光二极管还包括位于透光孔内的透明导电材料并且第二透明电极层400接触所述透明导电材料。例如，透明导电材料可以完全地填充透光孔600。在一些实施例中，透明导电材料可以填充透光孔600至透光孔600的深度的99％、90％至98％、85％至89％、75％至84％、65％至74％或50％至64％的高度。当透明导电材料填充在透光孔中时，第二透明电极层400可以形成在透明导电材料上。
在一些实施例中，如图1所示，发光二极管还包括像素限定层103，其用于分别限定多个像素区域和相邻像素区域之间的多个像素间区域。如图4所示，每个矩形表示像素区域，并且所述多个像素区域中的每一个具有一个透光孔。在一些实施例中，所述多个像素区域中的至少一个具有透光孔。在一些实施例中，像素区域中透光孔的面积为相应像素区域的面积的约0.5％至10％、或约1％至9％、或约2％至8％、或约3％至7％、或约4％至6％、或约5％。所述多个像素区域中的每一个中的透光孔的面积可以相同或不同。透光孔的面积指的是透光孔在与反射电极层的表面平行的平面上的截面的面积。
在一些实施例中，如图4所示，透光孔在所述多个像素区域的每一个中的相对位置实质上相同。透光孔可以位于像素区域的任何位置，并且对透光孔的位置没有限制，这是因为透光孔的面积与像素区域的面积相比很小。在一些实施例中，透光孔在所述多个像素区域的每一个中的相对位置相同。
在一些实施例中，如图4所示，每个像素区域具有透光孔，也就是说，反射电极层具有多个透光孔并且每个透光孔位于一个像素区域。
透光孔在每个像素区域中的位置或相对位置没有特别要求，因为每个透光孔占据每个像素区域的非常小的面积。在一些实施例中，如图4所示，透光孔600在所述多个像素区域的每一个中的相对位置相同。即，所述多个像素区域中的全部透光孔在第一方向或第二方向上沿着直线排列。在一些实施例中，透光孔600在所述多个像素区域的每一个中的相对位置实质上相同。即，所述多个像素区域中的全部透光孔的中心在第一方向或第二方向上实质上沿着直线排列。本文所使用的“实质上”意即所述直线穿过每个透光孔的至少一部分。
在一些实施例中，第一方向是行方向，第二方向是列方向。在一些实施例中，像素区域沿着第一方向和第二方向排列成矩阵，如图4所示。每个像素区域具有透光孔，并且位于相应像素区域中的每个透光孔的相对位置相同或实质上相同。
在一些实施例中，如图1所示，发光二极管包括光敏传感器700并且光敏传感器700构造为感测从反射电极层300中的透光孔600传播的光的强度的改变。由于透光孔的存在，从发光层500发射的光穿过透光孔600，并且随后透过第二透明电极层400以到达光敏传感器700。透光孔的尺寸或大小与光敏传感器的光敏能力和/或检测精确度要求相关。对透光孔的形状没有限制，例如，透光孔在垂直于反射电极层的平面中的截面可以为矩形或梯形。
在一些实施例中，如图1所示，光敏传感器700形成在第二透明电极层400的远离第一透明电极层200的一侧上。光敏传感器在第一透明电极层200上的正投影与透光孔600在第一透明电极层200上的正投影至少部分地重叠。在一些实施例中，如图1所示，发光二极管还包括平坦化层102，其位于第二透明电极层400的远离反射电极层300的一侧上。光敏传感器700形成在平坦化层102的远离第二透明电极层400的一侧上。在一些实施例中，光敏传感器700形成在凹槽上，所述凹槽形成在平坦化层102上，如图1所示。在一些实施例中，光敏传感器在第一透明电极层200上的正投影与透光孔600在第一透明电极层200上的正投影完全重叠。
光敏传感器和透光孔的位置关系不限，只要光敏传感器可以感测从透光孔传播的光的强度的改变即可。在一些实施例中，光敏传感器在第一透明电极层200上的正投影与透光孔600在第一透明电极层200上的正投影不重叠。在一些实施例中，如图7所示，光敏传感器可以位于平坦化层的面对反射电极层300的一侧，或者可以位于平坦化层102和反射电极层300之间的任意位置处。发光二极管还包括反光元件800。反光元件800可以为具有将光反射至光敏传感器中的功能的层、图案或颗粒。反光元件800构造为将光反射至光敏传感器700中。在一些实施例中，如图7所示，反光元件800在第一透明电极层200上的正投影与透光孔600在第一透明电极层200上的正投影至少部分地重叠。在一些实施例中，反光元件800在第一透明电极层200上的正投影与透光孔600在第一透明电极层200上的正投影完全重叠。
本发明的一些实施例提供了用于发光二极管(比如底部发光二极管)的补偿装置。底部发光二极管中的反射电极层包括透光孔。底部发光二极管还可以包括第二透明电极层，其用于覆盖或填充透光孔。来自底部发光二极管的像素区域的光可以穿过透光孔并透过第二透明电极层以到达光敏传感器。光敏传感器可以实时地感测从每个像素区域发射的光的强度。在收集到基于光强度的改变的信号之后，可以检测或确定每个像素发出的光的强度。如果光强度低或信号改变，可以基于检测到的信号补偿底部发光二极管的光。因此，可以基于信号和/或光强度的改变来实现实时的光学补偿。与电子补偿相比，这是补偿发光二极管的光的直接方式。该补偿装置可以实现实时地对由于发光层的材料老化导致的光强度改变的补偿。
本公开的另一示例提供了一种阵列基板。阵列基板包括上述任一实施例的发光二极管。在一些实施例中，阵列基板还包括用于驱动发光二极管的TFT。在一些实施例中，如图1至图3和图7所示，所述TFT包括栅极203、源极201和漏极202、栅绝缘层204、以及有源层205。阵列基板还可以包括功能层，比如遮挡层108、缓冲层107、层间介电层106、树脂层104、钝化层105、以及彩膜层603。漏极202电耦接至第一透明电极层200。在一些实施例中，所述阵列基板可以为OLED阵列基板。
在一些实施例中，第一透明电极层200可以为阳极层，并且反射电极层300可以为阴极层。阳极层电耦接至漏极202。
本公开的另一示例提供了一种显示面板20。显示面板20包括根据本公开任一上述实施例的发光二极管。在一些实施例中，显示面板20包括根据本公开的一个实施例的阵列基板。
在一些实施例中，光敏传感器700是发光二极管10的一部分，如图1和图7所示。
在一些实施例中，光敏传感器700可以布置为显示面板20的一部分。在一些实施例中，如图2和图3所示，显示面板20包括第一基板100、第二基板101、以及光敏传感器700。光敏传感器700构造为感测从反射电极层300中的透光孔600传播的光的强度的改变。第一透明电极层200、发光层500、反射电极层300和第二透明电极层400布置在第一基板100和第二基板101之间。在一些实施例中，如图2所示，光敏传感器700位于第二基板101的远离第一基板100的一侧，并且光敏传感器700在第一透明电极层200上的正投影与透光孔600在第一透明电极层200上的正投影至少部分地重叠。在一些实施例中，如图2所示，显示面板还包括第三基板302，其位于光敏传感器700的远离第二基板101的一侧。光敏传感器700形成于第二基板101和第三基板302之间。在一些实施例中，光敏传感器700在第一透明电极层200上的正投影与透光孔600在第一透明电极层200上的正投影完全重叠。在制造过程中，光敏传感器可以形成在第三基板302上。第三基板和光敏传感器可以附接至发光二极管以形成显示面板或显示设备。
在一些实施例中，如图3所示，光敏传感器700位于第二基板101的远离第一基板100的一侧，并且光敏传感器700在第一透明电极层200上的正投影与透光孔600在第一透明电极层200上的正投影至少部分地重叠。在一些实施例中，如图3所示，发光二极管还包括保护层301，其位于光敏传感器700的远离第二基板101的一侧，用于覆盖光敏传感器700。光敏传感器700形成于第二基板101和保护层301之间。在一些实施例中，光敏传感器700在第一透明电极层200上的正投影与透光孔600在第一透明电极层200上的正投影完全重叠。在制造过程中，光敏传感器可以形成在发光二极管上，并且随后形成保护层以覆盖光敏传感器，从而形成显示面板或显示设备。
光敏传感器和透光孔的位置关系不限，只要光敏传感器可以感测从透光孔传播的光的强度的改变即可。在一些实施例中，光敏传感器在第一透明电极层200上的正投影与透光孔600在第一透明电极层200上的正投影不重叠。例如，如图8所示，除了与透光孔直接对应的位置以外，光敏传感器也可以位于任意位置。发光二极管还可以包括反光元件800。反光元件800可以为具有将光反射至光敏传感器中的功能的层、图案或颗粒。反光元件800构造为将光反射至光敏传感器700中。在一些实施例中，如图8所示，反光元件800在第一透明电极层200上的正投影与透光孔600在第一透明电极层200上的正投影至少部分地重叠。在一些实施例中，反光元件800在第一透明电极层200上的正投影与透光孔600在第一透明电极层200上的正投影完全重叠。光敏传感器700具有面对反光元件800的感测面，用于接收光。
在一些实施例中，如图2所示，显示面板包括与光敏传感器700耦接的检测器，其用于检测来自光敏传感器700的信号。所述信号基于发光层的光的强度的改变。
在一些实施例中，显示面板包括用于基于检测器检测到的信号补偿发光层的电路。
本公开的另一示例提供了一种显示设备。所述设备包括根据本公开的任一上述实施例的上述发光二极管。在一些实施例中，显示设备包括根据本公开的一个实施例的阵列基板。在一些实施例中，显示设备包括根据本公开的一个实施例的显示面板。所述显示设备可以为具有显示功能的任意产品或部件，比如电子纸显示器、移动电话、平板计算机、电视机、显示器、笔记本计算机、数字相框、导航装置等。
本发明的一些实施例公开了用于具有发光二极管(比如根据本公开的一个实施例的底部发光二极管)的显示设备、显示面板和阵列基板的补偿装置。底部发光二极管中的反射电极层包括透光孔。形成第二透明电极层以覆盖或填充透光孔。来自底部发光二极管的像素区域的光可以穿过透光孔并透过第二透明电极层以到达光敏传感器。光敏传感器可以实时地感测从每个像素区域发射的光的强度。在收集到基于光强度的改变的信号之后，可以检测或确定从每个像素发射的光的强度。如果光强度低或信号改变，可以补偿底部发光二极管的光。可以基于信号和/或光强度的改变来实现实时的光学补偿。与电子补偿相比，这是补偿发光二极管的光的直接方式。该补偿装置可以实现实时地对发光层的材料老化的补偿。
本公开的另一个示例提供了一种制造发光二极管的方法。如图10所示，所述制造方法包括以下步骤102至110：
步骤102包括形成第一透明电极层；
步骤104包括在第一透明电极层上形成发光层；
步骤106包括在发光层上形成反射电极层；
步骤108包括在反射电极层中形成透光孔；以及
步骤110包括形成第二透明电极层以覆盖或填充透光孔。
透光孔构造为传播从发光层发射的光以透过第二透明电极层。
在一些实施例中，反射电极层中的透光孔可以通过包括刻蚀反射电极层中的过孔的方法形成，比如低温干法刻蚀。在一些实施例中，步骤106和步骤108可以在一个处理中执行，例如，通过在发光层上打印具有透光孔的反射电极层而在一个处理中执行。
在一些实施例中，透光孔形成在底部发光二极管的阴极层中。阴极层由铝(Al)制成并且具有约150nm的厚度。在一些实施例中，步骤106包括在发光层上形成Al层并且刻蚀Al层以形成穿入Al层的过孔。在步骤110，形成ITO层以覆盖和/或填充透光孔。
在一些实施例中，步骤108包括形成穿入反射电极层的透光孔。
在一些实施例中，步骤108包括形成穿入反射电极层的多个子孔，从而形成透光孔。
在一些实施例中，步骤108包括在反射电极层上形成凹槽，从而形成透光孔。
在一些实施例中，如图10所示，发光二极管的制造方法还包括步骤112：
步骤112包括在第二透明电极层的远离第一透明电极层的一侧形成光敏传感器，其中光敏传感器构造为感测从透光孔传播的光的强度的改变。
本公开的另一个示例提供了补偿显示面板中的发光二极管的光的方法。所述补偿方法包括步骤200至步骤206：
步骤200包括通过传感器感测透过透光孔和第二透明电极层的光；
步骤202包括检测来自传感器的信号；
步骤204包括基于传感器的信号计算补偿值；以及
步骤206包括基于补偿值来补偿发光二极管的光。
在一些实施例中，所述补偿方法可以包括通过CCD(电荷耦合器件)调整像素图像以确保从所有像素发射的光符合伽马曲线。在一些实施例中，所述补偿方法可以包括调整光敏传感器以使得传感器的值对应于从0至255的灰度值并存储该值。传感器的值基于来自传感器的信号。可以使用集成电路(IC)来存储该值。在一些实施例中，所述补偿方法可以在发光二极管的导通和/或关断期间执行。例如，在发光二极管导通期间，随机选择若干固定灰度值和/或与若干固定灰度值对应的若干固定显示亮度值。传感器可检测光并产生传感器的值，并随后将所产生的传感器的值与存储值进行比较。可以根据比较结果调整输入至发光二极管的数据信号。伽马曲线会由于OLED的老化而漂移。如果比较结果显示亮度过强，则可以减小亮度值。传感器随后在显示图像期间再次检测发光二极管的光并再次执行比较，之后再次相应地进行补偿。整个补偿过程可以实现实时调整，从而确保伽马曲线在容许范围内漂移。
如图5所示，发光二极管均为底部发光型。光敏传感器700形成在第三基板302上。第三基板302和光敏传感器700附接至第二基板的远离发光层的一侧。每个子像素具有光敏传感器以感测光。在一些实施例中，可以以一定间隔布置光敏传感器。在一个实施例中，每三个子像素具有光敏传感器。光敏传感器可以布置在三个子像素中任一个的上方。光敏传感器可以检测来自该子像素的光并使用检测到的光作为包括这三个子像素的像素的表示。
光敏传感器的结构不限制。在一些实施例中，如图9所示，光敏传感器包括PIN结和TFT。PIN结具有与电源端VSS耦接的第一端和与TFT的第一电极耦接的第二端。TFT的第二电极耦接至读取线以将来自PIN结的信号传输至读取线用于进一步处理。
在本说明书中阐述了本公开的原理和实施例。对本公开的实施例的描述仅用于帮助理解本公开的方法及其核心构思。同时，对于本领域普通技术人员而言，本公开涉及本公开的范围，并且技术实施例不限于技术特征的特定组合，并且还应该覆盖通过在不脱离本发明构思的情况下组合技术特征或技术特征的等同特征而形成的其他技术实施例。例如，可以通过将本公开中所公开的上述特征替换为类似特征而获得技术实施例。

Claims (16)

1.一种发光二极管，包括：
第一透明电极层；
发光层，其位于所述第一透明电极层上；
反射电极层，其位于所述发光层的远离所述第一透明电极层的表面上，所述反射电极层包括透光孔；以及
第二透明电极层，其覆盖和/或填充所述透光孔；
所述第一透明电极层为阳极层，所述反射电极层为阴极层；
其中，所述透光孔构造为传播从所述发光层发射的光以透过所述第二透明电极层；
所述发光二极管还包括平坦化层，位于所述第二透明电极层的远离所述反射电极层的一侧上；
所述发光二极管还包括：光敏传感器，其构造为感测从所述透光孔传播的光的强度的改变；
所述光敏传感器位于所述反射电极层的靠近所述第二透明电极层的一侧；
所述发光二极管还包括反光元件，位于所述平坦化层的远离所述第二透明电极层的一侧；所述反光元件构造为将光反射至所述光敏传感器中；
所述反光元件在所述第一透明电极层上的正投影与所述透光孔在所述第一透明电极层上的正投影至少部分地重叠。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述透光孔穿透所述反射电极层。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述透光孔包括穿透所述反射电极层的多个子孔。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述透光孔位于所述反射电极层中的凹槽中。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第二透明电极层位于所述透光孔中。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，还包括位于所述透光孔内的透明导电材料，其中所述第二透明电极层覆盖所述透明导电材料和所述透光孔。
7.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第二透明电极层覆盖所述透光孔并且还延伸以覆盖所述反射电极层的至少一部分。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的发光二极管，其中，所述透光孔在与像素区域的表面平行的平面中的截面的面积为所述像素区域的面积的0.5%至10%。
9.根据权利要求8所述的发光二极管，其中，所述透光孔在多个像素区域的每一个中的相对位置实质上相同。
10.一种阵列基板，包括根据权利要求1至9中任一项所述的发光二极管和用于驱动所述发光二极管的薄膜晶体管。
11.一种显示面板，包括根据权利要求1至9中任一项所述的发光二极管。
12.根据权利要求11所述的显示面板，还包括：
第一基板；和
第二基板；其中：
所述第一透明电极层、所述发光层、所述反射电极层和所述第二透明电极层位于所述第一基板和所述第二基板之间；
所述光敏传感器位于所述第二基板的面对所述第一基板的一侧。
13.根据权利要求12所述的显示面板，还包括：
第三基板或保护层，其位于所述光敏传感器的远离所述第二基板的一侧。
14.根据权利要求11至13中任一项所述的显示面板，还包括：
检测器，其耦接至光敏传感器以检测来自所述光敏传感器的信号，所述信号基于来自所述发光层的光的强度的改变。
15.根据权利要求14所述的显示面板，还包括电路，其构造为基于所述检测器检测到的信号补偿所述发光层。
16.一种制造发光二极管的方法，包括：
形成第一透明电极层；
在所述第一透明电极层上形成发光层；
在所述发光层上形成反射电极层；所述第一透明电极层为阳极层，所述反射电极层为阴极层；
在所述反射电极层中形成透光孔；以及
形成第二透明电极层以覆盖和/或填充所述透光孔；
其中，所述透光孔构造为传播从所述发光层发射的光以透过所述第二透明电极层；
还包括：在所述第二透明电极层的远离所述反射电极层的一侧上形成平坦化层；
还包括：在所述反射电极层的靠近所述第二透明电极层的一侧形成光敏传感器，其中所述光敏传感器构造为感测从所述透光孔传播的光的强度的改变；
还包括：在所述平坦化层的远离所述第二透明电极层的一侧形成反光元件，所述反光元件构造为将光反射至所述光敏传感器中；
所述反光元件在所述第一透明电极层上的正投影与所述透光孔在所述第一透明电极层上的正投影至少部分地重叠。
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