CN116828902A - 显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示面板和显示装置，其能够简化制造工艺，更具体地，涉及一种显示面板，所述显示面板具有显示区，所述显示区包括第一光学区和位于所述第一光学区的外部的正常区，所述第一光学区包括中心区和位于所述中心区的外部的边框区，其中所述显示面板包括：设置在所述中心区中的多个发光元件；设置在所述边框区中的多个发光元件；设置在所述边框区中的包括多个源极‑漏极图案的多个晶体管；以及至少一个连接图案，所述连接图案在所述边框区中接触所述多个源极‑漏极图案中的至少一个源极‑漏极图案并且延伸到所述中心区的一部分，并且其中所述至少一个源极‑漏极图案和所述至少一个连接图案设置在相同层中并包含不同的材料。

Description

显示面板和显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求享有于2022年3月28日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2022-0038387的优先权权益，通过引用将上述韩国专利申请整体并入本文。
技术领域
本发明涉及电子装置，更具体地，涉及一种能够改进设置有光学装置的区域的透射率并且简化工艺的显示面板和包括显示面板的显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展，显示装置除了图像显示功能之外，还可提供增加的功能，比如图像捕捉功能、感测功能等。为了提供这些功能，显示装置可需要包括光电子装置，比如摄像机、用于检测图像的传感器等。。
为了接收穿过显示装置的前表面的光，期望这种光电子装置位于显示装置的一区域中，其中来自前表面的入射光在该区域可被更多地接收并检测到。由此，在典型的显示装置中，光电子装置被设计为位于显示装置的前部中，以允许作为光电子装置的摄像机和/或传感器等更多地暴露到入射光。为了以这种实施方案安装光电子装置，显示装置的边框区可增大，或者切口(notch)或孔可形成在显示装置的显示面板的显示区中。
因此，为了接收入射光并执行期望的功能，在显示装置配备有诸如摄像机和/或传感器等之类的光电子装置时，显示装置的前部中的边框区可增大，或者在设计显示装置的前部时可遇到实质性缺陷。
发明内容
本发明的发明人开发了在不减小显示装置的显示面板的显示区面积的条件下在显示装置中设置或放置一个或多个光电子装置的技术。通过开发，本发明的发明人发明了一种具有光透射结构的显示面板和显示装置，其中即使光电子装置位于显示面板的显示区下方并因而不暴露在显示装置的前表面时，光电子装置也能够正常地且更多地接收并检测光。
此外，本发明的发明人发明了一种显示面板和显示装置，其具有如下结构：设置有光电子装置的区域被配置为具有高透射率。
本发明的一个或多个示例性实施方式可提供一种显示面板和显示装置，其通过将诸如摄像机、传感器等之类的光电子装置设置在显示面板的显示区的下方或者下部中，能够减小显示面板的非显示区并且使得光电子装置能够不暴露到显示面板的前表面。
本发明的一个或多个示例性实施方式可提供一种光透射结构的显示面板和显示装置，其使得位于显示面板的显示区下方或下部中的光电子装置能够正常地接收并检测透过显示面板的光。
本发明的一个或多个示例性实施方式可提供一种显示面板和显示装置，其在显示面板的显示区中包括的与光电子装置交叠的光学区中能够正常地执行显示驱动。
根据本发明的多个方面，提供一种显示装置，包括显示面板以及用于驱动所述显示面板的显示驱动电路，所述显示面板具有显示区，所述显示区包括第一光学区和位于所述第一光学区的外部的正常区，所述第一光学区具有中心区和位于所述中心区的外部的边框区，其中所述显示面板包括：设置在所述中心区中的多个发光元件；设置在所述边框区中的多个发光元件；多个晶体管，所述多个晶体管的每一个包括设置在所述边框区中的多个源极-漏极图案的相应一个；以及第一连接图案，所述第一连接图案在所述边框区中接触所述多个源极-漏极图案中的第一源极-漏极图案并且延伸到所述中心区的一部分，其中所述第一源极-漏极图案和所述第一连接图案设置在相同层上并包含不同的材料。
根据本发明的多个方面，提供一种显示面板，所述显示面板具有显示区，所述显示区包括第一光学区和位于所述第一光学区的外部的正常区，所述第一光学区包括中心区和位于所述中心区的外部的边框区，其中所述显示面板可包括：设置在所述中心区中的多个发光元件；设置在所述边框区中的多个发光元件；设置在所述边框区中的包括多个源极-漏极图案的多个晶体管；以及至少一个连接图案，所述连接图案在所述边框区中接触所述多个源极-漏极图案中的至少一个源极-漏极图案并且延伸到所述中心区的一部分，并且其中所述至少一个源极-漏极图案和所述至少一个连接图案设置在相同层中并包含不同的材料。
根据本发明的多个方面，提供一种显示面板，包括：显示区，所述显示区具有第一光学区和位于所述第一光学区的外部的正常区，所述第一光学区具有中心区和位于所述中心区的外部的边框区，其中所述显示面板包括：设置在所述中心区中的多个发光元件；设置在所述边框区中的多个发光元件；设置在所述边框区中的多个晶体管，所述多个晶体管的每一个包括在其中具有源极-漏极区的半导体有源区；覆盖所述多个晶体管的电绝缘层，所述电绝缘层具有顶表面；多个源极-漏极图案，所述源极-漏极图案覆盖设置在所述边框区中的多个晶体管并且具有第一部分和第二部分，所述第一部分穿过所述电绝缘层延伸并且接触相应晶体管的相应源极-漏极区，所述第二部分覆盖并且接触所述电绝缘层的顶表面，所述源极-漏极图案包括第一导电金属；第一连接图案，所述第一连接电极覆盖并且接触所述电绝缘层，并且还覆盖并且接触在所述边框区中的多个源极-漏极图案中的至少一个，所述第一连接图案包括不同于所述第一导电金属的第二导电金属。
根据本发明的一个或多个示例性实施方式，可提供一种显示面板和显示装置，其通过将光电子装置设置在显示面板的显示区的下方或者下部中，能够减小显示面板的非显示区并且使得光电子装置能够不暴露到显示面板的前表面。
根据本发明的一个或多个示例性实施方式，可提供一种显示面板和显示装置，其通过将多个晶体管设置在光学区的边框区中而不将晶体管设置在光学区的中心区中，能够改进中心区的透射率。
根据本发明的一个或多个示例性实施方式，可提供一种显示面板和显示装置，其通过将包括不同材料并设置在光学区中的、至少一个晶体管的至少一个源极-漏极图案和至少一个连接图案布置在相同层中，能够减小其厚度并简化制造工艺。
根据本发明的一个或多个示例性实施方式，可提供一种具有光透射结构的显示面板和显示装置，其使得位于显示面板的显示区下方或下部中的光电子装置能够正常地接收并检测透过显示面板的光。
根据本发明的一个或多个示例性实施方式，可提供一种显示面板和显示装置，其在显示面板的显示区中包括的与光电子装置交叠的光学区中能够正常地执行显示驱动。
本发明的附加特点和优点将在下文描述中部分地阐述，部分地根据下文描述将变得显而易见，或者可通过本文提供的发明构思的实践而获悉。本发明构思的其他特点和方面可通过书面说明书及其权利要求书和附图中具体指出的结构来实现和获得。
其他系统、方法、特点和优点对于所属领域的普通技术人员而言在研究附图和详细描述之后将很明显或将变得明显。本发明旨在所有这些附加的系统、方法、特点和优点都包含在本说明书中、落入本发明的范围内并且受到所附权利要求书的保护。本部分中的内容不应视为对权利要求书的限制。
将理解，本发明前面的大致描述和下文的详细描述都是示例性和解释性的，其旨在对要求保护的发明构思提供进一步解释。
附图说明
给本发明提供进一步理解并且并入本申请组成本申请一部分的附图图解了本发明的多个方面，并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1A、1B、1C和1D是图解根据本发明多个方面的示例性显示装置的平面图；
图2图解根据本发明多个方面的显示装置的示例性系统配置；
图3图解在根据本发明多个方面的显示面板中的子像素的示例性等效电路；
图4图解在根据本发明多个方面的显示面板的显示区中包括的三个区中的子像素的示例性布置；
图5A图解在根据本发明多个方面的显示面板中的第一光学区和正常区的每一个中的信号线的示例性布置；
图5B图解在根据本发明多个方面的显示面板中的第二光学区和正常区的每一个中的信号线的示例性布置；
图6和7是在根据本发明多个方面的显示面板的显示区中包括的正常区、第一光学区和第二光学区的示例性剖视图；
图8是根据本发明多个方面的显示面板的边缘的示例性剖视图；
图9是根据本发明多个方面的显示装置的第一光学区的示例性平面图；
图10是图9中的区域X的放大图；
图11和12图解在根据本发明多个方面的具有布线结构的显示装置的显示区的示例性正常区和示例性第一光学区。
具体实施方式
现在将详细参考本发明的实施方式进行描述，其中的一些示例在附图中示出。在下文描述中，在此描述的结构、实施方式、实现方案、方法和操作不限于本文阐述的具体示例，而是可如本领域已知的那样进行改变，除非有明确相反描述。仅为了便于书写说明书的目的选择了下文说明中使用的各元件名称，因而其可不同于实际产品中使用的那些。
为了描述本发明的各示例性实施方式而在附图中示出的形状、大小、比例、角度和数量等仅仅是以示例的方式给出。因此，本发明不限于图中的例示。在整个申请文件中，相似的参考标记指代相似的元件，除非有相反描述。在下文描述中，当对相关已知功能或构造的详细描述可不必要地模糊本发明的多个方面时，可省略对这种已知功能或构造的详细描述。在使用术语“包括”、“具有”、“包含”、“构成”等时，可添加一个或多个其他元件，除非使用了诸如“仅”之类的术语。
在解释一要素时，该要素应解释为包括误差或容差范围，即使没有提供这种误差或容差范围的明确描述。
当描述位置关系时，例如当使用“在……上”、“在……上方”、“在……下方”、“上部”、“在……下”、“在……旁边”、“在……附近”等描述两部分之间的位置关系时，在这两部分之间可放置一个或多个其他部分，除非使用了更限制性的术语比如“紧接”、“直接”或“接近”。例如，当一个元件或层设置在另一元件或层“上”时，可在他们之间插入第三元件或层。此外，术语“左”、“右”、“顶”、“底”、“向下”、“向上”、“上”、“下”等是指任意参考系。用于描述事件、操作等之间的时间关系的时间相对术语比如“在……之后”、“随后”、“接下来”、“在……之前”等通常旨在包含未连续发生的事件、条件、情形、操作等，除非使用了诸如“直接”、“紧接”等之类的术语。
当讨论信号流时，例如，信号从节点A传输到节点B可包括信号经由另一节点从节点A传输到节点B的情形，除非使用了“直接”。
尽管本文可使用术语“第一”、“第二”、A、B、(a)、(b)等来描述各要素，但这些要素不应解释为受这些术语限制，因为这些术语不用来限定特定的顺序或先后关系。这些术语仅在本文中用来将一要素与其他要素区分开来。第一要素、第二要素和/或第三要素的表述应当理解为第一要素、第二要素和第三要素的其中之一，或者第一要素、第二要素和第三要素的任意和所有组合。
举例来说，A、B和/或C可指仅仅A、仅仅B、或仅仅C；A、B和C的任意或一些组合；或者A、B和C的全部。因此，下文提及的第一要素在本发明的技术构思的范围内可以是第二要素。此外，术语“可”完全涵盖术语“能够”的全部含义。
术语“至少一个”应理解为包括相关所列项目中的一个或多个的任意或全部组合。例如，“第一要素、第二要素和第三要素的至少一个”涵盖所有三个所列要素的组合、三个要素中的任意两个的组合、以及第一要素、第二要素和第三要素中的每个单独要素。
下文，将参照附图详细描述本发明的各实施方式。
图1A、1B、1C和1D是图解根据本发明多个方面的示例性显示装置的平面图。
参照图1A、1B、1C和1D，根据本发明多个方面的显示装置100可包括用于显示图像的显示面板110以及一个或多个光电子装置(11和/或12)。
显示面板110可包括其中显示图像的显示区DA以及其中不显示图像的非显示区NDA。
在显示区DA中可布置多个子像素，并且在其中可布置用于驱动多个子像素的多种类型的信号线。
非显示区NDA可以指位于显示区DA的外部的区域。在非显示区NDA中可布置多种类型的信号线并且可连接多种类型的驱动电路。非显示区NDA的至少一部分可被弯曲，以便从显示面板的前部看不见或者可被显示面板110或显示装置100的外壳(未示出)覆盖。非显示区NDA也可称为边框或边框区。
参照图1A、1B、1C和1D，在根据本发明多个方面的显示装置100中，一个或多个光电子装置(11和/或12)可位于显示面板110的下方或下部(与其观看表面相反的一侧)。
光可进入到显示面板110的前表面(观看表面)，穿过显示面板110，抵达位于显示面板110的下方或下部(观看表面的相反侧)的一个或多个光电子装置(11和/或12)。
一个或多个光电子装置(11和/或12)可接收透过显示面板110的光并且基于接收的光执行预定功能。例如，一个或多个光电子装置(11和/或12)可包括下述的一种或多种：诸如摄像机(图像传感器)等之类的图像捕捉装置；以及诸如接近度传感器(proximitysensor)和/或照度传感器等之类的传感器。
参照图1A、1B、1C和1D，在根据本发明多个方面的显示面板110中，显示区DA可包括正常区NA以及一个或多个光学区(OA1和/或OA2)。在此，术语“正常区”NA是指在显示区DA中存在的同时不与一个或多个光电子装置(11和/或12)交叠的区域，并且还可指非光学区。
参照图1A、1B、1C和1D，一个或多个光学区(OA1和/或OA2)可以是与一个或多个光电子装置(11和/或12)至少部分地交叠的一个或多个区域。
根据图1A的示例，显示区DA可包括正常区NA和第一光学区OA1。在此示例中，第一光学区OA1的至少一部分可与第一光电子装置11交叠。
尽管图1A示出了第一光学区OA1具有圆形形状的结构，但是根据本发明实施方式的第一光学区OA1的形状不限于此。
例如，如图1B所示，第一光学区OA1可具有八边形，或者各种多边形。
根据图1C的示例，显示区DA可包括正常区NA、第一光学区OA1和第二光学区OA2。在图1C的示例中，在第一光学区OA1和第二光学区OA2之间可存在正常区NA的至少一部分。在此示例中，第一光学区OA1的至少一部分可与第一光电子装置11交叠，第二光学区OA2的至少一部分可与第二光电子装置12交叠。
根据图1D的示例，显示区DA可包括正常区NA、第一光学区OA1和第二光学区OA2。在图1D的示例中，在第一光学区OA1和第二光学区OA2之间未存在正常区NA。例如，第一光学区OA1和第二光学区OA2可彼此接触(例如彼此直接接触)。在此示例中，第一光学区OA1的至少一部分可与第一光电子装置11交叠，第二光学区OA2的至少一部分可与第二光电子装置12交叠。
期望的是，图像显示结构和光透射结构都形成在一个或多个光学区(OA1和/或OA2)中。例如，由于一个或多个光学区(OA1和/或OA2)是显示区DA的部分，所以用于显示图像的子像素需要设置在一个或多个光学区(OA1和/或OA2)中。此外，为了使光能够透过一个或多个光电子装置(11和/或12)，光透射结构需要形成在一个或多个光学区(OA1和/或OA2)中。
即使一个或多个光电子装置(11和/或12)需要接收光，一个或多个光电子装置(11和/或12)也可位于显示面板110的后方(例如其观看表面的相反侧)。在本实施方式中，一个或多个光电子装置(11和/或12)例如可位于显示面板110的下方或下部中，并且可接收透过显示面板110的光。
例如，一个或多个光电子装置(11和/或12)不会暴露在显示面板110的前表面(观看表面)。因此，当用户观看显示装置100的前部时，一个或多个光电子装置(11和/或12)可被定位为对于用户不可见。
在一个实施方式中，第一光电子装置11可以是摄像机，第二光电子装置12可以是诸如接近度传感器、照度传感器和/或红外传感器等之类的传感器。例如，摄像机可以是摄像机透镜、图像传感器、或者包括摄像机透镜和图像传感器的至少之一的单元。传感器例如可以是能够检测红外线的红外传感器。
在另一实施方式中，第一光电子装置11可以是传感器，第二光电子装置12可以是摄像机。
下文，为了便于描述，下文的讨论将涉及第一光电子装置11是摄像机并且第二光电子装置12是传感器的实施方式。但是，应理解，本发明的范围包括第一光电子装置11是传感器并且第二光电子装置12是摄像机的实施方式。例如，摄像机可以是摄像机透镜、图像传感器、或者包括摄像机透镜和图像传感器的至少之一的单元。
在第一光电子装置11是摄像机的示例中，此摄像机可位于显示面板110的后方(例如下方或下部)，并且可以是能够捕捉显示面板110的前向方向(front direction)上的目标或图像的前摄像机。因此，用户可在观看显示面板110的观看表面的同时经由在观看表面上不可见的摄像机捕捉图像或目标。
尽管在图1A、1B、1C和1D的每一个中的显示区DA中包括的正常区NA和一个或多个光学区(OA1和/或OA2)是可显示图像的区域，但是正常区NA是不需要形成光透射结构的区域，而一个或多个光学区(OA1和/或OA2)是需要形成光透射结构的区域。由此，在一些实施方式中，正常区NA是未实现或包括光透射结构的区域，一个或多个光学区(OA1和/或OA2)是实现或包括光透射结构的区域。
因此，一个或多个光学区(OA1和/或OA2)可具有大于或等于预定水平的透射率，即，相对较高的透射率；而正常区NA可不具有高透射率或者可具有低于预定水平的透射率，即，相对较低的透射率。
例如，一个或多个光学区(OA1和/或OA2)可具有与正常区NA不同的分辨率、子像素布置结构、每单位面积的子像素数量、电极结构、线结构、电极布置结构和/或线布置结构等。
在一个实施方式中，在一个或多个光学区(OA1和/或OA2)中每单位面积的子像素数量可低于在正常区NA中每单位面积的子像素数量。例如，一个或多个光学区(OA1和/或OA2)的分辨率可低于正常区NA的分辨率。在此，每单位面积的子像素数量可以是分辨率测量单元，例如称为每英寸像素(或子像素)(PPI)，其表示在一平方英寸(1in2)内的像素(或子像素)数量。
在一个实施方式中，在图1A、1B、1C和1D的每一个中，在第一光学区OA1中每单位面积的子像素数量可低于在正常区NA中每单位面积的子像素数量。在一个实施方式中，在图1C和1D的每一个中，在第一光学区OA1中每单位面积的子像素数量可等于或大于在第二光学区OA2中每单位面积的子像素数量。
在图1A、1B、1C和1D的每一个中，第一光学区OA1可具有诸如圆形、椭圆形、四边形、六边形或八边形等之类的各种形状。在图1C和1D的每一个中，第二光学区OA2可具有诸如圆形、椭圆形、四边形、六边形或八边形等之类的各种形状。第一光学区OA1和第二光学区OA2可具有相同的形状或不同的形状。
参照图1C，在第一光学区OA1和第二光学区OA2彼此接触的示例中，包括第一光学区OA1和第二光学区OA2的整个光学区也可具有诸如圆形、椭圆形、四边形、六边形或八边形等之类的各种形状。
下文，为了便于描述，将基于第一光学区OA1和第二光学区OA2的每一个具有圆形的实施方式来提供讨论。但是，应理解，本发明的范围包括第一光学区OA1和第二光学区OA2的其中之一或者两者具有圆形之外的其他形状的实施方式。
在此，根据本发明多个方面的显示装置100(其具有如下结构：被定位为覆盖在显示面板110的下方或下部而不暴露到外部的第一光电子装置11是摄像机)可称为应用了屏下摄像机(under-display camera)(UDC)技术的显示器(或显示装置)。
根据这种配置的显示装置100可由于不需要在显示面板110中形成用于暴露摄像机的切口或者摄像机孔而具有防止显示区DA的尺寸减小的优点。
由于不需要在显示面板110中形成用于暴露摄像机的切口或摄像机孔，所以显示装置100可具有减小边框区尺寸、并且由此消除对设计的这些限制而改进设计自由度的进一步的优点。
在根据本发明多个方面的显示装置100中，尽管一个或多个光电子装置(11和/或12)被定位为覆盖在显示面板110的后方(下方或下部)，即，隐藏在显示面板110的后方(下方或下部)从而不暴露到外部，但是一个或多个光电子装置(11和/或12)需要能够接收并检测光以正常地执行预定功能。
此外，在根据本发明多个方面的显示装置100中，尽管一个或多个光电子装置(11和/或12)被定位为覆盖在显示面板110的后方(下方或下部)并被定位为与显示区DA交叠，但是需要在与显示区DA中的一个或多个光电子装置(11和/或12)交叠的一个或多个光学区(OA1和/或OA2)中正常地执行图像显示。
图2图解根据本发明多个方面的显示装置100的示例性系统配置。
参照图2，作为显示图像的组件，显示装置100可包括显示面板PNL(例如图1A至1D中所示的显示面板)以及显示驱动电路。
显示驱动电路是用于驱动显示面板PNL的电路，并且可包括数据驱动电路DDC、栅极驱动电路GDC、显示控制器DCTR及其他组件。
显示面板PNL可包括其中显示图像的显示区DA以及其中不显示图像的非显示区NDA。非显示区NDA可以是位于显示区DA的外部的区域，并且也可称为边缘区或边框区。非显示区NDA的全部或部分可以是从显示装置100的前表面可见的区域，或者是弯曲并且不会从显示装置100的前表面可见的区域。
显示面板PNL可包括基板SUB以及设置在基板SUB上的多个子像素SP。显示面板PNL可进一步包括各种类型的信号线，以便驱动多个子像素SP。
在一些实施方式中，本文的显示装置100可以是液晶显示装置等，或者显示面板PNL自发光的自发光显示装置。在一些实施方式中，当显示装置100是自发光显示装置时，多个子像素SP的每一个可包括发光器件。
在一个实施方式中，根据本发明多个方面的显示装置100可以是其发光元件使用有机发光二极管(OLED)实现的有机发光显示装置。在另一实施方式中，根据本发明多个方面的显示装置100可以是其发光元件使用基于无机材料的发光二极管实现的无机发光显示装置。在又一实施方式中，根据本发明多个方面的显示装置100可以是其发光元件使用作为自发光半导体晶体的量子点实现的量子点显示装置。
多个子像素SP的每一个的结构可根据显示装置100的类型而改变。例如，当显示装置100是包括自发光子像素SP的自发光显示装置时，每个子像素SP可包括自发光的发光元件、一个或多个晶体管以及一个或多个电容器。
布置在显示装置100中的各种类型的信号线例如可包括用于传输数据信号(也可称为数据电压或图像信号)的多条数据线DL、用于传输栅极信号(也可称为扫描信号)的多条栅极线GL等。
多条数据线DL与多条栅极线GL可彼此交叉。多条数据线DL的每一条可在第一方向上延伸。多条栅极线GL的每一条可在第二方向上延伸。
例如，第一方向可以是列方向或垂直方向，第二方向可以是行方向或水平方向。在另一示例中，第一方向可以是行方向，第二方向可以是列方向。
数据驱动电路DDC是用于驱动多条数据线DL的电路，并且可向多条数据线DL提供数据信号。栅极驱动电路GDC是用于驱动多条栅极线GL的电路，并且可向多条栅极线GL提供栅极信号。
显示控制器DCTR可以是用于控制数据驱动电路DDC和栅极驱动电路GDC的装置，并且可控制多条数据线DL的驱动时序以及多条栅极线GL的驱动时序。
显示控制器DCTR可向数据驱动电路DDC提供用于控制数据驱动电路DDC的数据驱动控制信号DCS并且向栅极驱动电路GDC提供用于控制栅极驱动电路GDC的栅极驱动控制信号GCS。
显示控制器DCTR可从主机系统HSYS接收输入图像数据，并且基于输入图像数据将图像数据Data传输给数据驱动电路DDC。
数据驱动电路DDC可根据显示控制器DCTR的驱动时序控制向多条数据线DL传输数据信号。
数据驱动电路DDC可从显示控制器DCTR接收数字图像数据Data，将接收到的图像数据Data转换成模拟数据信号，并且向多条数据线DL提供产生的模拟数据信号。
栅极驱动电路GDC可根据显示控制器DCTR的时序控制向多条栅极线GL提供栅极信号。栅极驱动电路GDC可与各种栅极驱动控制信号GCS一起接收对应于导通电平电压的第一栅极电压以及对应于截止电平电压的第二栅极电压，产生栅极信号并将产生的栅极信号提供给多条栅极线GL。
在一些实施方式中，数据驱动电路DDC可通过带式自动接合(TAB)方式连接至显示面板PNL，或者通过玻上芯片(COG)方式或面板上芯片(COP)方式连接至显示面板PNL的导电焊盘比如接合焊盘，或者通过膜上芯片(COF)方式连接至显示面板PNL。
在一些实施方式中，栅极驱动电路GDC可通过带式自动接合(TAB)方式连接至显示面板PNL，或者通过玻上芯片(COG)方式或面板上芯片(COP)方式连接至显示面板PNL的导电焊盘比如接合焊盘，或者通过膜上芯片(COF)方式连接至显示面板PNL。在另一实施方式中，栅极驱动电路GCD可通过面板内栅极(GIP)方式设置在显示面板PNL的非显示区NDA中。栅极驱动电路GDC可设置在基板上或上方，或者连接至基板。也就是说，在GIP方式的情形下，栅极驱动电路GDC可设置在基板的非显示区NDA中。在玻上芯片(COG)型、膜上芯片(COF)型等的情形下，栅极驱动电路GDC可连接至基板。
在一些实施方式中，数据驱动电路DDC和栅极驱动电路GDC的至少之一可设置在显示面板PNL的显示区DA中。例如，数据驱动电路DDC和栅极驱动电路GDC中的至少一个驱动电路可被设置为不与子像素SP交叠，或者可被设置为与子像素SP的一个或多个或全部交叠。
数据驱动电路DDC还可位于显示面板PNL的仅一侧或部分(例如上边缘或下边缘)中，但不限于此。在一些实施方式中，数据驱动电路DDC根据驱动机制或面板设计机制等，可位于显示面板PNL的两侧或部分(例如上边缘和下边缘)，或者显示面板PNL的四侧或部分中的至少两侧或部分(例如上边缘、下边缘、左边缘和右边缘)，但不限于此。
栅极驱动电路GDC还可位于显示面板PNL的仅一侧或部分(例如上边缘或下边缘)中，但不限于此。在一些实施方式中，栅极驱动电路GDC根据驱动机制或面板设计机制等，可位于显示面板PNL的两侧或部分(例如上边缘和下边缘)，或者连接至显示面板PNL的四侧或部分中的至少两侧或部分(例如上边缘、下边缘、左边缘和右边缘)，但不限于此。
显示控制器DCTR可与数据驱动电路DDC实现为分离的组件，或者可与数据驱动电路DDC集成，由此实现为集成电路。
显示控制器DCTR可以是在典型显示技术中使用的时序控制器，或者除了典型时序控制器的功能之外还能够执行其他控制功能的控制器或控制装置。在一些实施方式中，显示控制器DCTR可以是不同于时序控制器的控制器或控制装置，或者控制器或控制装置中包括的电路或组件。显示控制器DCTR可利用诸如集成电路(IC)、场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)和/或处理器等之类的各种电路或电子组件来实现。
显示控制器DCTR可安装在印刷电路板和/或柔性印刷电路等上，并且经由印刷电路板和/或柔性印刷电路等电连接至数据驱动电路DDC和栅极驱动电路GDC。
显示控制器DCTR可经由一个或多个预定接口向/从数据驱动电路DDC发送/接收信号。在一些实施方式中，这种接口例如可包括低压差分信令(LVDS)接口、嵌入式时钟点对点(EP)接口、串行外围接口(SPI)等。
在一些实施方式中，为了除了图像显示功能之外还进一步提供触摸感测功能，显示装置100可包括至少一个触摸传感器以及能够通过感测触摸传感器来检测是否出现由触摸物体比如手指或笔等执行的触摸事件或者检测相应的触摸位置的触摸感测电路。
触摸感测电路可包括：通过驱动和感测触摸传感器来产生并提供触摸感测数据的触摸驱动电路TDC；能够使用触摸感测数据来检测是否出现触摸事件或者检测触摸位置的触摸控制器TCTR；以及一个或多个其他组件。
触摸传感器可包括多个触摸电极。触摸传感器可进一步包括用于将多个触摸电极电连接至触摸驱动电路TDC的多条触摸线。
触摸传感器可实现在触摸面板内，或者以触摸面板的形式实现在显示面板PNL的外部，或者实现在显示面板PNL的内部。在触摸传感器实现在触摸面板内或者以触摸面板的形式实现在显示面板PNL的外部的示例中，这种触摸传感器称为附加式(add-on type)。在设置附加式触摸传感器的示例中，触摸面板和显示面板PNL可分开制造，并且在组装工艺中彼此结合。附加式触摸面板可包括触摸面板基板以及在触摸面板基板上的多个触摸电极。
在触摸传感器实现在显示面板PNL的内部的示例中，制造显示面板PNL的工艺可包括：与关于驱动显示装置100的信号线和电极一起将触摸传感器设置在基板SUB上。
触摸驱动电路TDC可向多个触摸电极的至少之一提供触摸驱动信号，并且感测多个触摸电极的至少之一来产生触摸感测数据。
触摸感测电路可使用自电容感测技术或互电容感测技术来执行触摸感测。
在触摸感测电路使用自电容感测技术执行触摸感测的示例中，触摸感测电路可基于在每个触摸电极和触摸物体(例如手指、笔等)之间的电容来执行触摸感测。
根据自电容感测方法，多个触摸电极的每一个既可用作驱动触摸电极又可用作感测触摸电极。触摸驱动电路TDC可驱动多个触摸电极的全部或者一个或多个，并且感测多个触摸电极的全部或者一个或多个。
在触摸感测电路使用互电容感测技术执行触摸感测的示例中，触摸感测电路可基于触摸电极之间的电容来执行触摸感测。
根据互电容感测方法，多个触摸电极被划分为驱动触摸电极和感测触摸电极。触摸驱动电路TDC可对驱动触摸电极进行驱动并且对感测触摸电极进行感测。
在触摸感测电路中包括的触摸驱动电路TDC和触摸控制器TCTR可被实现为分离的器件或组件或者单个器件或组件。此外，触摸驱动电路TDC和数据驱动电路DDC可被实现为分离的器件或组件或者单个器件或组件。
显示装置100可进一步包括用于向显示驱动电路和/或触摸感测电路提供各种电源的电源电路等。
在一些实施方式中，显示装置100可以是诸如智能电话或平板等之类的移动装置，或者显示器或电视(TV)等。这种装置可具有各种类型、尺寸和形状。根据本发明实施方式的显示装置100不限于此，其包括用于显示信息或图像的具有各种类型、尺寸和形状的显示器。
如上所述，显示面板PNL的显示区DA可包括正常区NA(例如图1A、1B、1C和1D的正常区NA)以及一个或多个光学区(例如图1A、1B、1C和1D的第一和/或第二光学区OA1和/或OA2)。
正常区NA以及一个或多个光学区(OA1和/或OA2)可以是可显示图像的区域。在一些实施方式中，正常区NA可以是不需要实现光透射结构的区域，而一个或多个光学区(OA1和/或OA2)可以是需要实现光透射结构的区域。
如上结合图1A、1B、1C和1D的示例讨论的，除了正常区NA之外，显示面板PNL中的显示区DA还可包括一个或多个光学区(OA1和/或OA2)，但是为了便于描述，在下文讨论中，假设显示区DA包括第一和第二光学区(OA1和OA2)以及正常区NA；其正常区NA和第一光学区OA1分别包括图1A至1D的正常区NA和第一光学区OA1，并且其第二光学区OA2包括图1C和1D的第二光学区OA2，除非有明确相反描述。
图3图解在根据本发明多个方面的显示面板PNL中的子像素SP的示例性等效电路。
在显示面板PNL的显示区DA中包括的正常区NA、第一光学区OA1和第二光学区OA2中设置的每个子像素SP可包括：发光元件ED；用于驱动发光元件ED的驱动晶体管DRT；用于向驱动晶体管DRT的第一节点N1传输数据电压Vdata的扫描晶体管SCT；用于在一帧内保持适当恒定电平的电压的存储电容器Cst等。
驱动晶体管DRT可包括：可被施加数据电压的第一节点N1；电连接至发光元件ED的第二节点N2；以及经由驱动电压线DVL被施加驱动电压ELVDD的第三节点N3。在驱动晶体管DRT中，第一节点N1可以是栅极节点，第二节点N2可以是源极节点或漏极节点，第三节点N3可以是漏极节点或源极节点。
发光元件ED可包括阳极AE、发光层EL和阴极CE。阳极AE可以是像素电极，其设置在每个子像素SP中并且可电连接至每个子像素SP的驱动晶体管DRT的第二节点N2。阴极CE可以是对于多个子像素SP共同设置的公共电极，诸如低电平电压之类的基础电压ELVSS可被施加给阴极CE。
例如，阳极AE可以是像素电极，阴极CE可以是公共电极。在另一示例中，阳极AE可以是公共电极，阴极CE可以是像素电极。为了便于描述，在下文讨论中，假设阳极AE是像素电极，阴极CE是公共电极，除非有明确相反描述。
例如，发光元件ED可以是有机发光二极管(OLED)、无机发光二极管、量子点发光元件等。在有机发光二极管用作发光元件ED的示例中，发光元件ED中包括的发光层EL可包括包含有机材料的有机发光层。
扫描晶体管SCT可通过经由栅极线DL施加的作为栅极信号的扫描信号SCAN而导通/截止，并且可电连接在驱动晶体管DRT的第一节N1以及数据线DL之间。
存储电容器Cst可电连接在驱动晶体管DRT的第一节点N1和第二节点N2之间。
如图3所示，每个子像素SP可包括两个晶体管(2T:DRT和SCT)以及一个电容器(1C:Cst)(可称为2T1C结构)；在一些情形下，每个子像素SP可进一步包括一个或多个晶体管或者进一步包括一个或多个电容器。
在一些实施方式中，可存在于驱动晶体管DRT的第一节点N1和第二节点N2之间的存储电容器Cst可以是有意配置或设计为位于驱动晶体管DRT的外部的外部电容器，而不是内部电容器比如寄生电容器(例如栅极-源极电容Cgs、栅极-漏极电容Cgd等)。
驱动晶体管DRT和扫描晶体管SCT的每一个可以是n型晶体管或者p型晶体管。
由于在每个子像素SP中的电路元件(例如，尤其是发光元件ED)易受外部湿气或氧气的影响，所以封装层ENCAP可设置在显示面板PNL中以防止外部湿气或氧气渗透到电路元件(例如，尤其是发光元件ED)中。封装层ENCAP可设置在发光元件ED上以便覆盖发光元件ED。
在一些实施方式中，作为用于提高第一光学区OA1和第二光学区OA2的至少之一的透射率的方法，可采用如下技术：像素(或子像素)的密度或像素(或子像素)的密集程度可区分开(可称为像素密度差分设计方案)。根据像素密度差分设计方案，在一个实施方式中，显示面板PNL可被设计为：使得第一光学区OA1和第二光学区OA2的至少之一的每单位面积的子像素数量大于正常区NA的每单位面积的子像素数量。
在另一实施方式中，作为用于提高第一光学区OA1和第二光学区OA2的至少之一的透射率的不同方法，可采用另一技术：像素(或子像素)的尺寸可区分开(可称为像素尺寸差分设计方案)。根据像素尺寸差分设计方案，显示面板PNL可被设计为：使得第一光学区OA1和第二光学区OA2的至少之一的每单位面积的子像素数量等于或类似于正常区NA的每单位面积的子像素数量；但是，设置在第一光学区OA1和第二光学区OA2的至少之一中的每个子像素SP的尺寸(即相应发光区的尺寸)小于设置在正常区NA中的每个子像素SP的尺寸(即相应发光区的尺寸)。
为了便于描述，基于用于提高第一光学区OA1和第二光学区OA2的至少之一的透射率的两种方法(即像素密度差分设计方案和像素尺寸差分设计方案)中的像素密度差分设计方案来提供下文的讨论，除非有明确相反描述。
图4图解在根据本发明多个方面的显示面板PNL的显示区DA中包括的三个区(NA、OA1和OA2)中的子像素SP的示例性布置。
参照图4，在一些实施方式中，多个子像素SP可设置在显示区DA中包括的正常区NA、第一光学区OA1和第二光学区OA2的每一个中。
例如，多个子像素SP可包括发射红色光的红色子像素Red SP、发射绿色光的绿色子像素Green SP以及发射蓝色光的蓝色子像素Blue SP。
因此，正常区NA、第一光学区OA1和第二光学区OA2的每一个可包括一个或多个红色子像素Red SP的一个或多个发光区EA、一个或多个绿色子像素Green SP的一个或多个发光区EA以及一个或多个蓝色子像素Blue SP的一个或多个发光区EA。
参照图4，正常区NA可不包括光透射结构，但可包括发光区EA。
与此相对照，期望的是，第一光学区OA1和第二光学区OA2不仅包括发光区EA，而且包括光透射结构。
因此，在一些实施方式中，第一光学区OA1可包括一个或多个发光区EA以及一个或多个第一透射区TA1，第二光学区OA2可包括一个或多个发光区EA以及一个或多个第二透射区TA2。
发光区EA以及透射区(TA1和/或TA2)可根据是否允许光透射来进行区分。例如，发光区EA可以是不允许光透过(例如，不允许光透射到显示面板的后方)的区域，透射区(TA1和/或TA2)可以是允许光透过(例如，允许光透射到显示面板的后方)的区域。
发光区EA以及透射区(TA1和/或TA2)还可根据是否包括具体金属层来进行区分。例如，图3所示的阴极CE可设置在发光区EA中，而在透射区(TA1和/或TA2)中可不设置阴极CE。在一些实施方式中，光屏蔽层可设置在发光区EA中，而透射区(TA1和/或TA2)中可不设置光屏蔽层。
由于第一光学区OA1包括第一透射区TA1并且第二光学区OA2包括第二透射区TA2，所以第一光学区OA1和第二光学区OA2都是光可透过其中的区域。
在一个实施方式中，第一光学区OA1的透射率(透射程度)和第二光学区OA2的透射率(透射程度)可基本相同。
例如，第一光学区OA1的第一透射区TA1与第二光学区OA2的第二透射区TA2可具有基本相同的形状或尺寸。在另一示例中，即使第一光学区OA1的第一透射区TA1和第二光学区OA2的第二透射区TA2具有不同的形状或尺寸，第一透射区TA1相对于第一光学区OA1的尺寸比率也可与第二透射区TA2相对于第二光学区OA2的尺寸比率基本相同。在一个示例中，每个第一透射区TA1具有相同的形状和尺寸。在一个示例中，每个第二透射区TA2具有相同的形状和尺寸。
在另一实施方式中，第一光学区OA1的透射率(透射程度)和第二光学区OA2的透射率(透射程度)可不同。
例如，第一光学区OA1的第一透射区TA1和第二光学区OA2的第二透射区TA2可具有不同的形状或尺寸。在另一示例中，即使第一光学区OA1的第一透射区TA1与第二光学区OA2的第二透射区TA2具有基本相同的形状或尺寸，第一透射区TA1相对于第一光学区OA1的尺寸比率也可不同于第二透射区TA2相对于第二光学区OA2的尺寸比率。
例如，在与第一光学区OA1交叠的如图1A、1B、1C和1D所示的第一光电子装置11是摄像机并且与第二光学区OA2交叠的如图1C和1D所示的第二光电子装置12是用于检测图像的传感器的示例中，摄像机可需要比传感器更大量的光。
由此，第一光学区OA1的透射率(透射程度)可高于第二光学区OA2的透射率(透射程度)。
例如，第一光学区OA1的第一透射区TA1的尺寸可大于第二光学区OA2的第二透射区TA2的尺寸。在另一示例中，即使第一光学区OA1的第一透射区TA1的尺寸基本等于第二光学区OA2的第二透射区TA2的尺寸，第一透射区TA1相对于第一光学区OA1的尺寸比率也可大于第二透射区TA2相对于第二光学区OA2的尺寸比率。
为了便于描述，基于第一光学区OA1的透射率(透射程度)高于第二光学区OA2的透射率(透射程度)的实施方式提供了下文的讨论。
此外，如图4所示的透射区TA1和TA2可称为透明区，术语“透射率”可称为透明度。
此外，在下文讨论中，假设第一光学区OA1和第二光学区OA2位于显示面板PNL的显示区DA的上边缘中并且被设置为彼此水平相邻，例如如图4所示设置在上边缘延伸的方向上，除非有明确相反描述。
参照图4，设置有第一光学区OA1和第二光学区OA2的水平显示区称为第一水平显示区HA1，未设置第一光学区OA1和第二光学区OA2的另一水平显示区称为第二水平显示区HA2。
参照图4，第一水平显示区HA1可包括一部分正常区NA、第一光学区OA1和第二光学区OA2。第二水平显示区HA2可仅包括正常区NA。
图5A图解根据本发明多个方面的显示面板PNL的第一光学区(例如上述图中讨论的第一光学区OA1)和正常区(例如上述图中讨论的正常区NA)的每一个中的信号线的示例性布置。图5B图解根据本发明多个方面的显示面板PNL的第二光学区(例如上述图中讨论的第二光学区OA2)和正常区NA的每一个中的信号线的示例性布置。
图5A和5B中所示的第一水平显示区HA1是显示面板PNL的第一水平显示区(例如图4的第一水平显示区HA1)的一部分，而第二水平显示区HA2是显示面板PNL的第二水平显示区(例如图4的第二水平显示区HA2)的一部分。
图5A所示的第一光学区OA1是显示面板PNL的第一光学区(例如上述图中讨论的第一光学区OA1)的一部分，而图5B所示的第二光学区OA2是显示面板PNL的第二光学区(例如上述图中讨论的第二光学区OA2)的一部分。
参照图5A和5B，第一水平显示区HA1可包括一部分正常区NA、第一光学区OA1和第二光学区OA2。第二水平显示区HA2可仅包括正常区NA。
各种类型的水平线HL1和HL2以及各种类型的垂直线VLn、VL1和VL2可设置在显示面板PNL中。
在一些实施方式中，术语“水平”和术语“垂直”用于指与显示面板相交的两个方向；但是，应注意，水平方向和垂直方向可根据观看方向而变化。水平方向例如可表示一条栅极线GL延伸的方向，垂直方向例如可表示一条数据线DL延伸的方向。以这种方式，采用术语“水平”和术语“垂直”来表示两个方向。
参照图5A和5B，设置在显示面板PNL中的水平线可包括设置在第一水平显示区HA1中的第一水平线HL1以及设置在第二水平显示区HA2中的第二水平线HL2。
设置在显示面板PNL中的水平线可以是栅极线GL。也就是说，第一水平线HL1和第二水平线HL2可以是栅极线GL。栅极线GL根据一个或多个子像素SP的结构可包括各种类型的栅极线。
参照图5A和5B，设置在显示面板PNL中的垂直线可包括：仅设置在正常区NA中的正常垂直线VLn；穿过第一光学区OA1和正常区NA延伸的第一垂直线VL1；以及穿过第二光学区OA2和正常区NA延伸的第二垂直线VL2。
设置在显示面板PNL中的垂直线可包括数据线DL、驱动电压线DVL等，还可包括基准电压线、初始化电压线等。也就是说，正常垂直线VLn、第一垂直线VL1和第二垂直线VL2可包括数据线DL、驱动电压线DVL等，还可包括基准电压线、初始化电压线等。
在一些实施方式中，应注意，在第二水平线HL2中的术语“水平”可仅表示从显示面板的左侧到右侧(或从右侧到左侧)传输的信号，但不表示第二水平线HL2仅在恰好水平方向(direct horizontal direction)上以直线延伸。例如，在图5A和5B中，尽管第二水平线HL2被图示为直线，但是一条或多条第二水平线HL2可包括与图5A和5B所示的构造不同的一个或多个弯曲或折叠部分。以相同的方式，一条或多条第一水平线HL1也可包括一个或多个弯曲或折叠部分。
在一些实施方式中，应注意，在正常垂直线VLn中的术语“垂直”可仅表示信号从显示面板的上部向下部(或从下部向上部)传输，但不表示正常垂直线VLn仅在恰好垂直方向(direct vertical direction)上以直线延伸。例如，在图5A和5B中，尽管正常垂直线VLn被图示为直线，但是一条或多条正常垂直线VLn可包括与图5A和5B所示的构造不同的一个或多个弯曲或折叠部分。以相同的方式，一条或多条第一垂直线VL1和一条或多条第二垂直线VL2也可包括一个或多个弯曲或折叠部分。
参照图5A，在第一水平显示区HA1中包括的第一光学区OA1可包括如图4所示的发光区EA和第一透射区TA1。在第一光学区OA1中，在第一透射区TA1外部的区域可包括发光区EA。
参照图5A，为了改进第一光学区OA1的透射率，第一水平线HL1可在绕过第一光学区OA1中的第一透射区TA1的同时穿过第一光学区OA1延伸。
因此，穿过第一光学区OA1延伸的第一水平线HL1的每一条可包括在一个或多个第一透射区TA1的一个或多个相应外边缘周围延伸的一个或多个弯曲或弯折部分。
因此，设置在第一水平显示区HA1中的第一水平线HL1和设置在第二水平显示区HA2中的第二水平线HL2可具有不同的形状或长度。例如，穿过第一光学区OA1延伸的第一水平线HL1和未穿过第一光学区OA1延伸的第二水平线HL2可具有不同的形状或长度。
此外，为了改进第一光学区OA1的透射率，第一垂直线VL1可在绕过第一光学区OA1中的第一透射区TA1的同时穿过第一光学区OA1延伸。
因此，穿过第一光学区OA1延伸的第一垂直线VL1的每一条可包括在一个或多个第一透射区TA1的一个或多个相应外边缘周围延伸的一个或多个弯曲或弯折部分。
因此，穿过第一光学区OA1延伸的第一垂直线VL1与未穿过第一光学区OA1延伸并且设置在正常区NA中的正常垂直线VLn可具有不同的形状或长度。
参照图5A，在第一水平显示区HA1中的第一光学区OA1中包括的第一透射区TA1可布置在斜线(diagonal)方向上。
参照图5A，在第一水平显示区HA1中的第一光学区OA1中，一个或多个发光区EA可设置在水平相邻的两个第一透射区TA1之间。在第一水平显示区HA1中的第一光学区OA1中，一个或多个发光区EA可设置在上下方向上彼此相邻的两个第一透射区TA1(例如垂直相邻的两个第一透射区TA1)之间。
参照图5A，设置在第一水平显示区HA1中的每条第一水平线HL1(例如，穿过第一光学区OA1延伸的第一水平线HL1的每一条)可包括在一个或多个第一透射区TA1的一个或多个相应外边缘周围延伸的一个或多个弯曲或弯折部分。
参照图5B，在第一水平显示区HA1中包括的第二光学区OA2可包括发光区EA和第二透射区TA2。在第二光学区OA2中，在第二透射区TA2外部的区域可包括发光区EA。
在一个实施方式中，在第二光学区OA2中的发光区EA和第二透射区TA2与图5A所示的第一光学区OA1中的发光区EA和第一透射区TA1可具有基本相同的位置和布置。
在另一实施方式中，如图5B所示，在第二光学区OA2中的发光区EA和第二透射区TA2与图5A所示的第一光学区OA1中的发光区EA和第一透射区TA1可具有不同的位置和布置。
例如，参照图5B，在第二光学区OA2中，第二透射区TA2可布置在水平方向(从左到右或者从右到左的方向)上。在此示例中，在左右方向(例如水平方向)上彼此相邻的两个第二透射区TA2之间，可不设置发光区EA。此外，在第二光学区OA2中的一个或多个发光区EA可在上下方向(例如垂直方向)上设置在彼此相邻的两个第二透射区TA2之间。例如，一个或多个发光区EA可设置在两行(row)第二透射区之间。
当在第一水平显示区HA1中，第一水平线HL1穿过第一光学区OA1以及与第一光学区OA1相邻的正常区NA延伸时，在一个实施方式中，第一水平线HL1可与图5A所示的第一水平线HL1具有基本相同的布置。
在另一实施方式中，如图5B所示，当在第一水平显示区HA1中，第一水平线HL1穿过第二光学区OA2以及与第二光学区OA2相邻的正常区NA延伸时，第一水平线HL1可具有与图5A所示的第一水平线HL1不同的布置。
这是因为：图5B所示的第二光学区OA2中的发光区EA和第二透射区TA2的位置和布置不同于图5A所示的第一光学区OA1中的发光区EA和第一透射区TA1的位置和布置状态。
参照图5B，当在第一水平显示区HA1中，第一水平线HL1穿过第二光学区OA2以及与第二光学区OA2相邻的正常区NA延伸时，第一水平线HL1可在不具有弯曲或弯折部分的条件下以直线形式在垂直相邻的第二透射区TA2之间延伸。
例如，一条第一水平线HL1在第一光学区OA1中可具有一个或多个弯曲或弯折部分，但是在第二光学区OA2中可不具有弯曲或弯折部分。
为了改进第二光学区OA2的透射率，第二垂直线VL2可在绕过第二光学区OA2中的第二透射区TA2的同时穿过第二光学区OA2延伸。
因此，穿过第二光学区OA2延伸的每条第二垂直线VL2可包括在一个或多个第二透射区TA2的一个或多个相应外边缘周围延伸的一个或多个弯曲或弯折部分。
因此，穿过第二光学区OA2延伸的第二垂直线VL2与未穿过第二光学区OA2延伸并且设置在正常区NA中的正常垂直线VLn可具有不同的形状或长度。
如图5A所示，穿过第一光学区OA1延伸的第一水平线HL1的每一条或者一条或多条可具有在一个或多个第一透射区TA1的一个或多个相应外边缘周围延伸的一个或多个弯曲或弯折部分。
因此，穿过第一光学区OA1和第二光学区OA2延伸的第一水平线HL1的长度可略长于未穿过第一光学区OA1和第二光学区OA2延伸并且仅设置在正常区NA中的第二水平线HL2的长度。
因此，穿过第一光学区OA1和第二光学区OA2延伸的第一水平线HL1的电阻(称为第一电阻)可略大于仅设置在正常区NA中而未穿过第一光学区OA1和第二光学区OA2延伸的第二水平线HL2的电阻(称为第二电阻)。
参照图5A和5B，根据光透射结构，由于至少部分地与第一光电子装置11交叠的第一光学区OA1包括第一透射区TA1并且至少部分地与第二光电子装置12交叠的第二光学区OA2包括第二透射区TA2，所以第一光学区OA1和第二光学区OA2的每单位面积的子像素数量可低于正常区NA的每单位面积的子像素数量。
因此，与穿过第一光学区OA1和第二光学区OA2延伸的第一水平线HL1的每一条或者一条或多条连接的子像素的数量可不同于与仅设置在正常区NA中而不穿过第一光学区OA1和第二光学区OA2延伸的第二水平线HL2的每一条或者一条或多条连接的子像素的数量。
与穿过第一光学区OA1和第二光学区OA2延伸的第一水平线HL1的每一条或者一条或多条连接的子像素的数量(称为第一数量)可少于与仅设置在正常区NA中而不穿过第一光学区OA1和第二光学区OA2延伸的第二水平线HL2的每一条或者一条或多条连接的子像素的数量(称为第二数量)。
第一数量和第二数量之差可根据第一光学区OA1和第二光学区OA2的每一个的分辨率与正常区NA的分辨率之差而改变。例如，随着第一光学区OA1和第二光学区OA2的每一个的分辨率与正常区NA的分辨率之差的增大，第一数量和第二数量之差可增大。
如上所述，由于与穿过第一光学区OA1和第二光学区OA2延伸的第一水平线HL1的每一条或者一条或多条连接的子像素的数量(第一数量)少于与仅设置在正常区NA中而不穿过第一光学区OA1和第二光学区OA2延伸的第二水平线HL2的每一条或者一条或多条连接的子像素的数量(第二数量)，所以第一水平线HL1与邻近于第一水平线HL1的一个或多个其他电极或线交叠的面积可小于第二水平线HL2与邻近于第二水平线HL2的一个或多个其他电极或线交叠的面积。
因此，在第一水平线HL1和邻近于第一水平线HL1的一个或多个其他电极或线之间形成的寄生电容(称为第一电容)可显著低于在第二水平线HL2和邻近于第二水平线HL2的一个或多个其他电极或线之间形成的寄生电容(称为第二电容)。
考虑到在第一电阻和第二电阻之间的幅度(magnitude)关系(第一电阻≥第二电阻)以及在第一电容和第二电容之间的幅度关系(第一电容《第二电容)，穿过第一光学区OA1和第二光学区OA2延伸的第一水平线HL1的电阻-电容(RC)值(称为第一RC值)可显著低于仅设置在正常区NA中而不穿过第一光学区OA1和第二光学区OA2延伸的第二水平线HL2的RC值(称为第二RC值)。由此，在此示例中，第一RC值可远小于第二RC值(即，第一RC值《第二RC值)。
由于第一水平线HL1的第一RC值与第二水平线HL2的第二RC值之间的这种差(称为RC负载差)，第一水平线HL1上的信号传输特性可不同于第二水平线HL2上的信号传输特性。
图6和7是在根据本发明多个方面的显示面板PNL的显示区DA中包括的第一光学区(例如上述图中讨论的第一光学区OA1)、第二光学区(例如上述图中讨论的第二光学区OA2)以及正常区(例如上述图中讨论的正常区NA)的示例性剖视图。
图6示出了在触摸传感器以触摸面板的形式存在于显示面板PNL的外部的示例中的显示面板PNL，图7示出了在触摸传感器TS存在于显示面板PNL的内部的示例中的显示面板PNL。
图6和图7的每一个示出了在显示区DA中包括的正常区NA、第一光学区OA1和第二光学区OA2的示例性剖视图。
首先，将参照图6和7描述正常区NA的堆叠构造(stach-up configuration)。第一光学区OA1和第二光学区OA2的相应发光区EA可具有与正常区NA的发光区EA相同的堆叠构造。
参照图6和图7，基板SUB可包括第一基板SUB1、层间绝缘层IPD和第二基板SUB2。层间绝缘层IPD可插置在第一基板SUB1和第二基板SUB2之间。由于基板SUB包括第一基板SUB1、层间绝缘层IPD和第二基板SUB2，所以基板SUB可防止或减少湿气渗透。例如，第一基板SUB1和第二基板SUB2可以是聚酰亚胺(PI)基板。第一基板SUB1可称为第一PI基板，而第二基板SUB2可称为第二PI基板。
参照图6和图7，用于设置诸如驱动晶体管DRT、扫描晶体管等之类的一个或多个晶体管的各种图案(ACT1、SD1和/或GATE1)；各种绝缘膜(MBUF、ABUF1、ABUF2、GI、ILD1、ILD2和/或PAS0)；以及各种金属图案(TM1、GM、ML1和/或ML2)可设置在基板SUB上或上方。
参照图6和图7，多重缓冲层(multi-buffer layer)MBUF可设置在第二基板SUB2上，第一有源缓冲层ABUF1可设置在多重缓冲层MBUF上。
第一金属层ML1和第二金属层ML2可设置在第一有源缓冲层ABUF1上。例如，第一金属层ML1和第二金属层ML2可以是用于屏蔽光的光屏蔽层LS。
第二有源缓冲层ABUF2可设置在第一金属层ML1和第二金属层ML2上。晶体管TFT(例如驱动晶体管DRT)的第一有源层ACT1可设置在第二有源缓冲层ABUF2上。
第一栅极绝缘层GI1可设置在第一有源层ACT1上从而覆盖第一有源层ACT1。
驱动晶体管DRT的第一栅极GATE1可设置在第一栅极绝缘层GI1上。在实施方式中，栅极材料层GM可在与设置有驱动晶体管DRT的位置不同的位置处，与驱动晶体管DRT的第一栅极GATE1一起设置在第一栅极绝缘层GI1上。
第一层间绝缘层ILD1可设置在第一栅极GATE1和栅极材料层GM上从而覆盖第一栅极GATE1和栅极材料层GM。金属图案TM1可设置在第一层间绝缘层ILD1上。金属图案TM1可位于与设置有驱动晶体管DRT的位置不同的位置处。第二层间绝缘层ILD2可设置在位于第一层间绝缘层ILD1上的金属图案TM1上，从而覆盖金属图案TM1。
两个第一源极-漏极图案SD1可设置在第二层间绝缘层ILD2上。两个第一源极-漏极图案SD1的其中之一可以是驱动晶体管DRT的源极节点，两个第一源极-漏极图案SD1的其中另一个可以是驱动晶体管DRT的漏极节点。
两个第一源极-漏极图案SD1可经由第二层间绝缘层ILD2、第一层间绝缘层ILD1和第一栅极绝缘层GI1中形成的接触孔分别电连接至第一有源层ACT1的第一和第二部分(例如第一和第二侧部)。
与第一栅极GATE1交叠的第一有源层ACT1的一部分可称为沟道区。两个第一源极-漏极图案SD1的其中之一可连接至第一有源层ACT1的沟道区的第一部分(例如第一侧部)，两个第一源极-漏极图案SD1的其中另一个可连接至第一有源层ACT1中的沟道区的第二部分(例如第二侧部)。
钝化层PAS0可设置在两个第一源极-漏极图案SD1上以便覆盖两个第一源极-漏极图案。平坦化层PLN可设置在钝化层PAS0上。平坦化层PLN可包括第一平坦化层PLN1和第二平坦化层PLN2。
例如，第一平坦化层PLN1可设置在钝化层PAS0上。
第二源极-漏极图案SD2可设置在第一平坦化层PLN1上。第二源极-漏极图案SD2可经由第一平坦化层PLN1中形成的接触孔连接至两个第一源极-漏极图案SD1中的一个第一源极-漏极图案(对应于图3所示的子像素SP中的驱动晶体管DRT的第二节点N2)。
第二平坦化层PLN2可设置在第二源极-漏极图案SD2上以便覆盖第二源极-漏极图案SD2。子像素SP的发光元件ED可设置在第二平坦化层PLN2上。
根据发光元件ED的示例性堆叠构造，阳极AE可设置在第二平坦化层PLN2上。阳极AE可经由第二平坦化层PLN2中形成的接触孔电连接至第二源极-漏极图案SD2。
堤部BANK可设置在阳极AE上以便覆盖阳极AE的一部分。与子像素SP的发光区EA对应的一部分堤部BANK可被开口。
一部分阳极AE可经由堤部BANK的开口(即，被开口的部分)暴露。发光层EL可位于堤部BANK的一个或多个侧表面上以及堤部BANK的开口(即，被开口的部分)中。发光层EL的全部或至少一部分可位于相邻的堤部之间。
在堤部BANK的开口中，发光层EL可与阳极AE接触。阴极CE可设置在发光层EL上。
通过包括阳极AE、发光层EL和阴极CE，可形成发光元件ED。发光层EL可包括有机材料层。
封装层ENCAP可设置在发光元件ED的叠层上。
封装层ENCAP可具有单层叠层(stack)或多层叠层。例如，如图6和图7所示，封装层ENCAP可包括依次堆叠的第一封装层PAS1、第二封装层PCL和第三封装层PAS2。
例如，第一封装层PAS1和第三封装层PAS2可以是无机材料层，而第二封装层PCL例如可以是有机材料层。在第一封装层PAS1、第二封装层PCL和第三封装层PAS2之中，第二封装层PCL可以是最厚的，并且用作平坦化层。
第一封装层PAS1可设置在阴极CE上，并且可被设置为最靠近发光元件ED的叠层。第一封装层PAS1可包括能够使用低温沉积方式来沉积的无机绝缘材料。例如，第一封装层PAS1可包括硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)、硅氮氧化物(SiON)或铝氧化物(Al2O3)等，但不限于此。由于第一封装层PAS1可在低温气氛下沉积，所以第一封装层PAS1可防止包括易受高温气氛影响的有机材料的发光层EL在沉积工艺期间损坏。
第二封装层PCL可具有小于第一封装层PAS1的面积或尺寸。例如，第二封装层PCL可被设置为：使得第一封装层PAS1的两端或边缘暴露。第二封装层PCL可用作减轻当显示装置100弯曲或弯折时在相应层之间产生的应力的缓冲部(buffer)，并且还可用于增强平坦化性能。例如，第二封装层PCL可包括有机绝缘材料，比如丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺、聚乙烯或硅碳氧化物(SiOC)等。例如，第二封装层PCL可使用喷墨技术设置。
第三封装层PAS2可设置在设置有第二封装层PCL的基板SUB上，以便第三封装层PAS2覆盖第二封装层PCL和第一封装层PAS1的相应顶表面和侧表面。第三封装层PAS2可最小化或防止外部湿气或氧气向第一封装层PAS1和第二封装层PCL的渗透。例如，第三封装层PAS2可包括诸如硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)、硅氮氧化物(SiON)或铝氧化物(Al2O3)等之类的无机绝缘材料。
参照图7，在触摸传感器TS内置在显示面板PNL中的示例中，触摸传感器TS可设置在封装层ENCAP上。将详细描述触摸传感器的结构如下。
触摸缓冲层T-BUF可设置在封装层ENCAP上。触摸传感器TS可设置在触摸缓冲层T-BUF上。
触摸传感器TS可包括位于不同层中的触摸传感器金属TSM和至少一个桥接金属BRG。
触摸层间绝缘层T-ILD可设置在触摸传感器金属TSM和桥接金属BRG之间。
例如，触摸传感器金属TSM可包括彼此相邻设置的第一触摸传感器金属TSM、第二触摸传感器金属TSM和第三触摸传感器金属TSM。在第三触摸传感器金属TSM设置在第一触摸传感器金属TSM和第二触摸传感器金属TSM之间并且第一触摸传感器金属TSM和第二触摸传感器金属TSM需要彼此电连接的实施方式中，第一触摸传感器金属TSM和第二触摸传感器金属TSM可经由位于不同层中的桥接金属BRG彼此电连接。桥接金属BRG可通过触摸层间绝缘层T-ILD与第三触摸传感器金属TSM电绝缘。
当触摸传感器TS形成在显示面板PNL上时，可产生或引入在相应工艺中使用的化学溶液(例如显影剂或蚀刻剂)或者来自外部的湿气。在一些实施方式中，通过将触摸传感器TS设置在触摸缓冲层T-BUF上，可防止化学溶液或湿气在触摸传感器TS的制造工艺期间渗透到包含有机材料的发光层EL中。因此，触摸缓冲层T-BUF可防止易受化学溶液或湿气影响的发光层EL损坏。
为了防止包括易受高温影响的有机材料的发光层EL损坏，触摸缓冲层T-BUF可在低于或等于预定温度(例如100℃)的低温下形成并且使用具有1至3的低介电常数的有机绝缘材料形成。例如，触摸缓冲层T-BUF可包括丙烯酸基材料、环氧基(epoxy-based)材料或硅氧烷基材料。在显示装置100弯曲时，封装层ENCAP可被损坏，并且位于触摸缓冲层T-BUF上的触摸传感器金属可破裂或断开。即使在显示装置100弯曲时，作为有机绝缘材料的具有平坦化层性能的触摸缓冲层T-BUF也可防止对封装层ENCAP的损坏和/或触摸传感器TS中包括的金属(TSM、BRG)的破裂或断开。
保护层PAC可设置在触摸传感器TS上以便覆盖触摸传感器TS。保护层PAC例如可以是有机绝缘层。
接下来，将参照图6和图7描述第一光学区OA1的堆叠构造。
参照图6和图7，第一光学区OA1的发光区EA可具有与正常区NA的发光区EA相同的堆叠构造。因此，在下文讨论中，为了简便起见，代替重复描述第一光学区OA1的发光区EA，将详细描述第一光学区OA1的第一透射区TA1的堆叠构造如下。
在一些实施方式中，阴极CE可设置在正常区NA和第一光学区OA1中包括的发光区EA中，但是在第一光学区OA1中包括的第一透射区TA1中可不设置阴极。例如，在第一光学区OA1中的第一透射区TA1可对应于阴极CE的开口。
此外，在一些实施方式中，在正常区NA和第一光学区OA1中包括的发光区中，可设置包括第一金属层ML1和第二金属层ML2的至少之一的光屏蔽层LS，但是，在第一光学区OA1中包括的第一透射区TA1中，可不设置光屏蔽层LS。例如，在第一光学区OA1中的第一透射区TA1可对应于光屏蔽层LS的开口。
在正常区NA和第一光学区OA1中包括的发光区EA中设置的基板SUB以及各种绝缘层MBUF、ABUF1、ABUF2、GI、ILD1、ILD2、PAS0、PLN(PLN1、PLN2)、BANK、ENCAP(PAS1、PCL、PAS2)、T-BUF、T-ILD和PAC也可等同地、基本等同地或类似地设置在第一光学区OA1中的第一透射区TA1中。
但是，在一些实施方式中，在正常区NA和第一光学区OA1中包括的发光区EA中设置的除了绝缘材料或层之外的、具有电特性的一种或多种材料层(例如一种或多种金属材料层、和/或一种或多种半导体层)的全部或者一个或多个可不设置在第一光学区OA1中的第一透射区TA1中。
例如，参照图6和图7，与至少一个晶体管相关的金属材料层ML1、ML2、GATE1、GM、TM1、SD1和SD2以及半导体层ACT1的全部或者一个或多个不会设置在第一透射区TA1中。
参照图6和图7，在一些实施方式中，在发光元件ED中包括的阳极AE和阴极CE不会设置在第一透射区TA1中。在一些实施方式中，在发光元件ED中包括的发光层EL可根据设计要求设置在第一透射区TA1中或者可不设置在第一透射区TA1中。
此外，参照图7，在一些实施方式中，在触摸传感器TS中包括的触摸传感器金属TSM和桥接金属BRG不会设置在第一光学区OA1中的第一透射区TA1中。
因此，由于具有电特性的材料层(例如一种或多种金属材料层、和/或一种或多种半导体层)不设置在第一光学区OA1中的第一透射区TA1中，所以在第一光学区OA1中的第一透射区TA1可具有光透射性或者可具有改进的光透射率。因此，第一光电子装置11可通过接收透过了第一透射区TA1的光而执行预定功能(例如图像感测)。
在一些实施方式中，由于在第一光学区OA1中的第一透射区TA1的全部或者一个或多个与第一光电子装置11交叠，所以为了实现第一光电子装置11的正常操作，在第一光学区OA1中的第一透射区TA1的透射率需要进一步提高。
为了实现这个目的，在根据本发明多个方面的显示装置100的显示面板PNL中，向第一光学区OA1中的第一透射区TA1提供透射率改进结构(TIS)。
参照图6和图7，在显示面板PNL中包括的多个绝缘层可包括：位于至少一个基板(SUB1和/或SUB2)和至少一个晶体管(DRT和/或SCT)之间的至少一个缓冲层(MBUF、ABUF1和/或ABUF2)；位于晶体管DRT和发光元件ED之间的至少一个平坦化层(PLN1和/或PLN2)；在发光元件ED上的至少一个封装层ENCAP；等等。
参照图7，在显示面板PNL中包括的多个绝缘层可进一步包括位于封装层ENCAP上的触摸缓冲层T-BUF和触摸层间绝缘层T-ILD等。
参照图6和图7，在第一光学区OA1中的第一透射区TA1可具有作为透射率改进结构(TIS)的结构，其中第一平坦化层PLN1和钝化层PAS0具有从其相应表面向下延伸的凹陷部(depressed portions)。
参照图6和图7，在多个绝缘层中，第一平坦化层PLN1可包括至少一个凹凸部(例如凹陷、沟槽、凹部、突部(protrusion)等)。例如，第一平坦化层PLN1可以是有机绝缘层。
在第一平坦化层PLN1具有从其表面向下延伸的凹陷部的示例中，第二平坦化层PLN2可实质上用于提供平坦化。在一个实施方式中，第二平坦化层PLN2也可具有从其表面向下延伸的凹陷部。在此实施方式中，第二封装层PCL可实质上用于提供平坦化。
参照图6和图7，第一平坦化层PLN1和钝化层PAS0的凹陷部可穿过用于形成晶体管DR的绝缘层比如第一层间绝缘层ILD1、第二层间绝缘层ILD2、栅极绝缘层GI等；以及位于绝缘层下方的缓冲层比如第一有源缓冲层ABUF1、第二有源缓冲层ABUF2、多重缓冲层MBUF等，并且一直延伸到第二基板SUB2的上部。
参照图6和图7，基板SUB可包括作为透射率改进结构(TIS)的至少一个凹部或凹陷部。例如，在第一透射区TA1中，第二基板SUB2的上部可向下缩进或凹陷，或者第二基板SUB2可被打孔。
参照图6和图7，在封装层ENCAP中包括的第一封装层PAS1和第二封装层PCL也可具有透射率改进结构(TIS)，其中第一封装层PAS1和第二封装层PCL具有从其相应表面向下延伸的凹陷部。第二封装层PCL例如可以是有机绝缘层。
参照图7，为了保护触摸传感器TS，保护层PAC可设置在位于封装层ENCAP上的触摸传感器TS上，从而保护层PAC覆盖触摸传感器TS。
参照图7，保护层PAC可在其与第一透射区TA1交叠的部分中具有作为透射率改进结构(TIS)的至少一个凹凸部(例如凹陷、沟槽、凹部、突部等)。例如，保护层PAC可以是有机绝缘层。
参照图7，触摸传感器TS可包括网型(mesh-type)的一个或多个触摸传感器金属TSM。在触摸传感器金属TSM形成为网型的示例中，多个开口可形成在触摸传感器金属TSM中。多个开口的每一个可定位为对应于子像素SP的发光区EA。
为了使第一光学区OA1具有高于正常区NA的透射率，在第一光学区PA1中每单位面积的触摸传感器金属TSM的面积或尺寸可小于在正常区NA中每单位面积的触摸传感器金属TSM的面积或尺寸。
参照图7，在一些实施方式中，触摸传感器TS可设置在第一光学区OA1中的发光区EA中，但可不设置在第一光学区OA1中的第一透射区TA1中。
接下来，将参照图6和图7描述第二光学区OA2的堆叠构造。
参照图6和图7，第二光学区OA2的发光区EA可与正常区NA的发光区EA具有相同的堆叠构造。因此，在下文讨论中，为了简便起见，代替重复描述第二光学区OA2的发光区EA，将详细描述在第二光学区中的第二透射区TA2的堆叠构造如下。
在一些实施方式中，在正常区NA和第二光学区OA2中包括的发光区EA中可设置阴极CE，而在第二光学区OA2中包括的第二透射区TA2中可不设置阴极。例如，在第二光学区OA2中的第二透射区TA2可对应于阴极CE的开口。
在实施方式中，包括第一金属层ML1和第二金属层ML2的至少之一的光屏蔽层LS可设置在正常区NA和第二光学区OA2中包括的发光区EA中，而光屏蔽层LS可不设置在第二光学区OA2中的第二透射区TA2中。例如，在第二光学区OA2中的第二透射区TA2可对应于光屏蔽层LS的开口。
在第二光学区OA2的透射率与第一光学区OA1的透射率相同的示例中，在第二光学区OA2中的第二透射区TA2的堆叠构造可与在第一光学区OA1中的第一透射区TA1的堆叠构造相同。
在第二光学区OA2的透射率不同于第一光学区OA1的透射率的示例中，在第二光学区OA2中的第二透射区TA2的堆叠构造可至少部分地不同于在第一光学区OA1中的第一透射区TA1的堆叠构造。
例如，如图6和图7所示，在一些实施方式中，当第二光学区OA2的透射率低于第一光学区OA1的透射率时，在第二光学区OA2中的第二透射区TA2可不具有透射率改进结构(TIS)。结果，第一平坦化层PLN1和钝化层PAS0可不缩进或下陷。在实施方式中，在第二光学区OA2中的第二透射区TA2的宽度可窄于在第一光学区OA1中的第一透射区TA1的宽度。
在正常区NA和第二光学区OA2中包括的发光区EA中设置的基板SUB以及各种绝缘层MBUF、ABUF1、ABUF2、GI、ILD1、ILD2、PAS0、PLN(PLN1、PLN2)、BANK、ENCAP(PAS1、PCL、PAS2)、T-BUF、T-ILD和PAC可等同地、基本等同地或者类似地设置在第二光学区OA2中的第二透射区TA2中。
但是，在一些实施方式中，在正常区NA和第二光学区OA2中包括的发光区EA中设置的除了绝缘材料或层之外的、具有电特性的一种或多种材料层(例如一种或多种金属材料层、和/或一种或多种半导体层)的全部或者一个或多个可不设置在第二光学区OA2中的第二透射区TA2中。
例如，参照图6和图7，与至少一个晶体管相关的金属材料层ML1、ML2、GATE1、GM、TM1、SD1和SD2中的全部或者一个或多个不会设置在第二光学区OA2中的第二透射区TA2中。
此外，参照图6和图7，在一些实施方式中，在发光元件ED中包括的阳极AE和阴极CE不会设置在第二光学区OA2中的第二透射区TA2中。在一些实施方式中，发光元件ED的发光层EL可设置在第二光学区OA2中的第二透射区TA2中或者可不设置在第二光学区OA2中的第二透射区TA2中。
此外，参照图7，在一些实施方式中，在触摸传感器TS中包括的触摸传感器金属TSM和桥接金属BRG不会设置在第二光学区OA2中的第二透射区TA2中。
因此，由于具有电特性的材料层(例如一种或多种金属材料层、和/或一种或多种半导体层)不设置在第二光学区OA2中的第二透射区TA2中，所以在第二光学区OA2中的第二透射区TA2可具有光透射性或者可具有改进的光透射率。因此，第二光电子装置12可通过接收透过了第二透射区TA2的光而执行预定功能(例如检测物体或人体，或者执行外部照度检测)。
图8是根据本发明多个方面的显示面板PNL的边缘的示例性剖视图。
为了简便起见，在图8中，示出了包括第一基板SUB1和第二基板SUB2的单个基板SUB，并且以简化的结构示出了位于堤部BANK下方的层或部分。此外，图8示出了包括第一平坦化层PLN1和第二平坦化层PLN2的单个平坦化层PLN，以及位于平坦化层PLN下方的包括第二层间绝缘层ILD2和第一层间绝缘层ILD1的单个层间绝缘层INS。
参照图8，第一封装层PAS1可设置在阴极CE上并且被设置为最靠近发光元件ED的叠层。第二封装层PCL可具有小于第一封装层PAS1的面积或尺寸。例如，第二封装层PCL可被设置为：暴露第一封装层PAS1的两端或边缘。
第三封装层PAS2可设置在其上设置有第二封装层PCL的基板SUB上，以便第三封装层PAS2覆盖第二封装层PCL和第一封装层PAS1的相应顶表面和侧表面。
第三封装层PAS2可最小化或防止外部湿气或氧气向第一封装层PAS1和第二封装层PCL的渗透。
参照图8，为了防止封装层ENCAP塌陷，显示面板PNL可包括一个或多个堰部(dam)(DAM1和/或DAM2)，其位于封装层ENCAP的倾斜表面SLP处或附近、端部或边缘。一个或多个堰部(DAM1和/或DAM2)可存在于显示区DA和非显示区DNA之间的边界点处或附近。
一个或多个堰部(DAM1和/或DAM2)可包括与堤部BANK的材料相同的材料DFP。
参照图8，在一个实施方式中，包括有机材料的第二封装层PCL可仅位于堰部中的最靠近封装层ENCAP的倾斜表面SLP设置的第一堰部DAM1的内侧上。例如，第二封装层PCL可不位于堰部(DAM1和DAM2)的全部上。在另一实施方式中，包括有机材料的第二封装层PCL可至少位于第一堰部DAM1和第二堰部DAM2中的第一堰部DAM1上。
例如，第二封装层PCL可仅一直延伸到第一堰部DAM1的上部的全部或者至少一部分。在又一实施方式中，第二封装层PCL可延伸超出第一堰部DAM1的上部，并且一直延伸到第二堰部DAM2的上部的全部或者至少一部分。
参照图8，与图2所示的触摸驱动电路TDC电连接的触摸焊盘TP可设置在位于一个或多个堰部(DAM1和/或DAM2)的外部的基板SUB的一部分中。
触摸线TL可将包括在或者用作位于显示区DA中的触摸电极的、触摸传感器金属TSM或桥接金属BRG电连接至触摸焊盘TP。
触摸线TL的一端或边缘可电连接至触摸传感器金属TSM或桥接金属BRG，而触摸线TL的另一端或边缘可电连接至触摸焊盘TP。
触摸线TL可沿着封装层ENCAP的倾斜表面SLP向下延伸，沿着一个或多个堰部(DAM1和/或DAM2)的相应上部延伸，并且一直延伸到位于一个或多个堰部(DAM1和/或DAM2)的外部的触摸焊盘TP。
参照图8，在一个实施方式中，触摸线TL的至少一部分可用作桥接金属BRG。在另一实施方式中，触摸线TL的至少一部分可用作触摸传感器金属TSM。
图9是根据本发明多个方面的显示装置的第一光学区OA1的示例性平面图。
参照图9，第一光学区OA1可包括中心区910和位于中心区910的外部的边框区920。
第一光学区OA1可包括多条水平线HL。位于边框区920中的晶体管和位于中心区910中的发光元件可经由多条水平线HL连接。
在一些实施方式中，显示装置可包括布线结构(routing structure)940。中心区910可通过布线结构940扩大预定面积a。这是因为：位于预定面积a中的像素可经由布线结构940连接至位于边框区920中的晶体管。
将详细讨论包括布线结构940的第一光学区OA1的结构如下。
图10是图9中的区域X的放大图。
参照图10，第一光学区可包括位于中心区910和边框区920中的多个发光元件ED。由于第一光学区OA1包括多个发光元件ED，所以第一光学区中可显示图像。
第一光学区可包括位于边框区920中的多个晶体管1050。晶体管1050可不位于中心区910中。由于没有晶体管位于中心区910中，所以中心区910可具有更高的透射率。
第一光学区OA1可包括多个行，包括第一行R1和第二行R2。在第一光学区OA1中包括的多个行可以是在水平方向上限定第一光学区的区域，并且可由晶体管1050的图案限定。在边框区920中，在多个行的每一个中设置有多个晶体管1050的晶体管区在行方向上可具有预定长度d2。多个晶体管1050可仅设置在作为多个行的每一个的整个区域中的局部区域的晶体管区中。因此，在行方向上晶体管区的长度d2可短于多个行的每一个在行方向上的长度。
显示装置可包括位于中心区910中以及位于第一行R1中的发光元件ED、以及位于边框区920中以及位于第二行R2中的晶体管1050。
显示装置可包括将位于第一行R1中的发光元件ED与位于第二行R2中的晶体管1050电连接的布线结构940。
由于位于不同行中的晶体管1050和发光元件ED可通过布线结构940彼此连接，所以位于设置有比发光元件的数量多的晶体管的行中的晶体管可连接至位于设置有比晶体管的数量多的发光元件的行中的发光元件。边框区920的多个晶体管中的一个或多个晶体管(第一组)可电连接至设置在边框区920中的多个发光元件，多个晶体管中的其余一个或多个晶体管(第二组)可电连接至设置在中心区910中的多个发光元件。
中心区910在第一行R1中包括的发光元件ED的数量可大于中心区910在第二行R2中包括的发光元件ED的数量。例如，需要较多数量的晶体管来驱动第一行R1中包括的发光元件ED，而需要较少数量的晶体管来驱动第二行R2中包括的发光元件ED。因此，在位于边框区920的第二行R2中的晶体管之中，未电连接至位于第二行R2中的发光元件的一个或多个额外晶体管可通过布线结构940电连接至位于第一行R1中的发光元件ED。
在中心区910的整个区域中设置的每单位面积的像素数量可基本相同。例如，这意味着一个像素图案在中心区910的整个区域中是基本一致的。因此，由于相比第二行R2，第一行R1与中心区910交叠了更大面积，所以可在第一行R1中放置更多数量的发光元件ED。
例如，边框区920在第一行R1中包括的晶体管1050的数量可基本等于边框区920在第二行R2中包括的晶体管1050的数量。在这个示例中，当中心区910在第一行R1中包括相对更多数量的发光元件ED并且中心区910在第二行R2中包括相对更少数量的发光元件ED时，在第二行R2中包括的一个或多个晶体管1050可电连接至位于第一行R1中的发光元件ED，而不是电连接至位于第二行R2中的发光元件ED。
在边框区920的整个区域中设置的每单位面积的像素数量可基本相同。例如，这意味着一个像素图案在边框区920的整个区域中是基本一致的。
与第一行R1交叠的一部分边框区920的尺寸或面积可基本等于与第二行R2交叠的一部分边框区920的尺寸或面积。在此示例中，在边框区920的第一行R1中包括的晶体管1050的数量可基本等于在边框区920的第二行R2中包括的晶体管1050的数量。
作为如上所述形成边框区920的结果，位于边框区920的每一行中的晶体管1050的数量可均匀或规则地设置，在具体行中的一个或多个额外晶体管可通过布线结构940电连接至位于另一行中的一个或多个发光元件。由此，根据上述实施方式的显示装置的中心区910可比典型的显示装置的中心区更大。
将简要描述上述实施方式如下。
根据本发明多个方面的显示装置100可包括显示区DA、一个或多个发光元件ED、一个或多个晶体管1050以及布线结构940。
显示区DA可包括第一光学区OA1和正常区NA。第一光学区OA1可包括中心区910和位于中心区910的外部的边框区920。第一光学区OA1可包括具有第一行R1和第二行R2的多个行。
发光元件ED可位于中心区910中以及位于第一行R1中。
晶体管1050可位于边框区920中以及位于第二行R2中。
布线结构940可将位于中心区910中以及位于第一行R1中的发光元件ED与位于边框区920中以及位于第二行R2中的晶体管1050电连接。
第一光学区OA1可包括位于中心区910和边框区920中的多个发光元件ED。
第一光学区OA1可包括位于边框区920中的多个晶体管1050。
晶体管1050可不位于中心区910中。
显示装置100可包括第一公共电极CE1。第一公共电极CE1可用作位于中心区910中的多个发光元件的元件。
第一公共电极可包括与位于中心区910中的一个或多个发光区对应的一个或多个第一部、连接一个或多个第一部的一个或多个第二部、以及位于一个或多个第一部和一个或多个第二部之间的一个或多个开口。
显示装置100可包括位于中心区910中并对应于一个或多个发光区的光屏蔽层LS。
中心区910可包括多个发光元件ED。中心区910在第一行R1中包括的发光元件ED的数量可远远大于中心区910在第二行R2中包括的发光元件ED的数量。
在中心区910的整个区域中设置的每单位面积的像素数量可基本相同。与第一行R1交叠的一部分中心区910的尺寸或面积可基本大于与第二行R2交叠的一部分中心区910的尺寸或面积。
边框区920可包括多个晶体管1050。边框区920在第一行R1中包括的晶体管1050的数量可基本等于边框区920在第二行R2中包括的晶体管1050的数量。
在边框区920的整个区域中设置的每单位面积的晶体管1050的数量可基本相同。与第一行R1交叠的一部分边框区920的尺寸或面积可基本等于与第二行R2交叠的一部分边框区920的尺寸或面积。
将详细讨论根据本发明多个方面的具有上述结构的显示装置如下。
图11和12图解在根据本发明多个方面的具有布线结构(例如在上述图中讨论的布线结构940)的显示装置的显示区DA中的示例性正常区(例如在上述图中讨论的正常区NA)和示例性第一光学区(例如在上述图中讨论的第一光学区OA1)。
图11和12的布线结构可使用多个连接图案来实现。
图11是在触摸传感器以触摸面板的形式包括在显示面板PNL的外部的示例中显示面板PNL的示例性剖视图，图12是在触摸传感器TS包括在显示面板PNL的内部的示例中显示面板PNL的示例性剖视图。
图11和12是图解在显示面板PNL的显示区DA中包括的正常区NA以及第一光学区中的中心区(例如在上述图中讨论的中心区910)以及边框区(例如在上述图中讨论的边框区920)的剖面结构的图。
参照图11和12，将描述正常区NA的堆叠构造。图11和12的正常区NA的堆叠构造可类似于图6和图7中示出的正常区NA的堆叠构造。
与图6和7的正常区NA的构造相比，图11和12示出了多个晶体管可设置在正常区NA的至少一个子像素中。
例如，多个晶体管T1和T2可设置在正常区NA的至少一个子像素中。在此示例中，多个晶体管可包括第一晶体管T1和第二晶体管T2。第一晶体管T1可以是驱动晶体管，而第二晶体管T2可以是扫描晶体管。根据本发明实施方式的晶体管的类型和结构不限于此。例如，第一晶体管T1可以是扫描晶体管，第二晶体管T2可以是驱动晶体管；第一晶体管T1和第二晶体管T2可以是相同类型的薄膜晶体管。
图11和12示出了两个晶体管设置在正常区NA中的结构，但是本发明的实施方式不限于此。例如，在正常区NA的子像素中可设置至少两个或更多个晶体管。
参照图11和12，基板SUB可包括第一基板SUB1、层间绝缘层IPD和第二基板SUB2。
用于设置诸如第一晶体管T1等之类的一个或多个晶体管的各种图案ACT1、SD1和/或GATE1；各种绝缘层MBUF、ABUF1、ABUF2、GI、ILD1、ILD2和/或PAS0；以及各种金属图案TM1、GM、ML1和/或ML2可设置在基板SUB上或上方。
在实施方式中，在第二晶体管T2中包括的各种图案ACT1、GATE1、SD3和/或SD4可设置在基板SUB上。
参照图11和12，第二金属图案TM2可设置在第一层间绝缘层ILD1上。
第三有源缓冲层ABUF3可设置在第二金属图案TM2上。
第二晶体管T2的第二有源层ACT2可设置在第三有源缓冲层ABUF3上。
在实施方式中，第一晶体管T1的第一有源层ACT1和第二晶体管T2的第二有源层ACT2可以是不同类型的晶体管。
例如，第一有源层ACT1可包括多晶硅材料，第二有源层ACT2可包括金属氧化物材料。在此示例中，第一晶体管T1可以是使用低温多晶硅半导体(LTPS)的薄膜晶体管，而第二晶体管T2可以是氧化物半导体薄膜晶体管。各晶体管的有源层包括相应的源极和漏极区。
但是，根据本发明实施方式的晶体管类型不限于此。
在实施方式中，第一晶体管T1的第一有源层ACT1的类型和第二晶体管T2的第二有源层ACT2的类型可相同。
例如，第一有源层ACT1和第二有源层ACT2的每一个可包括金属氧化物材料或多晶硅材料。
层ILD2可以是层间介电层，即，覆盖(overlying)多个晶体管比如T1、T2和其他晶体管的电绝缘层。此层ILD2在一个实施方式中是具有平坦顶表面的平坦化层。覆盖电绝缘层的平坦化层可以是电绝缘体并具有平坦的顶表面。包括源极-漏极图案SD1、SD3等的多个源极-漏极区电极图案覆盖设置在边框区中的多个晶体管。这些源极-漏极图案的每一个具有穿过电绝缘层延伸并且接触其覆盖的相应晶体管的相应源极-漏极区的第一部分以及覆盖并且接触电绝缘层ILD2的顶表面的第二部分。第二源极-漏极图案可覆盖用于覆盖设置在边框中的多个晶体管的多个源极-漏极图案的至少之一，第二源极-漏极图案具有第一部分和第二部分，第二源极-漏极图案的第一部分穿过平坦化层延伸并且接触其覆盖的相应源极-漏极，第二源极-漏极图案的第二部分覆盖并接触平坦化层的顶表面。这些电极图案包括具有高导电率的第一导电金属，其中的一些示例包括铝(Al)、金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、钨(W)、钼(Mo)、铬(Cr)、钽(Ta)和钛(Ti)及其合金中的一种或多种。这些金属具有不透光的厚度。第一连接图案也覆盖并且接触电绝缘层ILD2的顶表面。这些图案的至少之一，CP1也覆盖并接触边框区中的多个源极-漏极图案的至少之一。连接图案包括不同于第一导电金属的第二导电金属。例如，其可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟镓锌(IGZO)的任一种，但是本发明的实施方式不限于此。在一个实施方式中，所有的连接图案都是透明导体或者对于光至少是半透明的。
第二栅极绝缘层GI2可设置在第二有源层ACT2上。
第二晶体管T2的第二栅极GATE2可设置在第二栅极绝缘层GI2上。
第二层间绝缘层ILD2可设置在第二栅极GATE2上。
两个第三源极-漏极图案SD3可设置在第二层间绝缘层ILD2上。
与第二栅极GATE2交叠的第二有源层ACT2的一部分可用作沟道区。
两个第三源极-漏极图案SD3的其中之一可连接至第二有源层ACT2的第一部分(例如第一侧部)，而两个第三源极-漏极图案SD3的其中另一个可连接至第二有源层ACT2的第二部分(例如第二侧部)。
参照图11和12，第二有源层ACT2可与第二金属图案TM2交叠。在实施方式中，第二金属图案TM2可与第二有源层ACT2的沟道区交叠，由此用于阻挡光入射在第二有源层ACT2上。
钝化层PAS0可设置在一个或多个第一源极-漏极图案SD1(如参照图6和7讨论的)和一个或多个第三源极-漏极图案SD3上。
在图11和12中的正常区NA中，在钝化层PAS0上设置的堆叠构造可分别与图6和图7的堆叠构造相同。
例如，图11所示的钝化层PAS0、第一平坦化层PLN1、第二平坦化层PLN2、第二源极-漏极图案SD2、阳极AE、堤部BANK、发光层EL、阴极CE以及封装层ENCAP的堆叠构造可与图6所示的钝化层PAS0、第一平坦化层PLN1、第二平坦化层PLN2、第二源极-漏极图案SD2、阳极AE、堤部BANK、发光层EL、阴极CE以及封装层ENCAP的堆叠构造相同。
例如，图12所示的钝化层PAS0、第一平坦化层PLN1、第二平坦化层PLN2、第二源极-漏极图案SD2、阳极AE、堤部BANK、发光层EL、阴极CE、封装层ENCAP、触摸缓冲层T-BUF、触摸传感器TS、触摸层间绝缘层T-ILD以及保护层PAC的堆叠构造可与图7所示的钝化层PAS0、第一平坦化层PLN1、第二平坦化层PLN2、第二源极-漏极图案SD2、阳极AE、堤部BANK、发光层EL、阴极CE、封装层ENCAP、触摸缓冲层T-BUF、触摸传感器TS、触摸层间绝缘层T-ILD以及保护层PAC的堆叠构造相同。
尽管图11和12示出了在正常区NA和第一光学区OA1中第二平坦化层PLN2设置在第一平坦化层PLN1上的构造，但是在一个实施方式中，与正常区NA和第一光学区OA1的堆叠结构不同，一个平坦化层可设置在根据本发明多个方面的显示面板PNL的非显示区NDA(如图2所示)中。
接下来，将参照图11和12详细描述第一光学区OA1的中心区910和边框区920的堆叠构造。
参照图11和12，多个晶体管可设置在第一光学区OA1的边框区920中，而在中心区910中可不设置晶体管。
例如，多个第一晶体管T1和多个第二晶体管T2可设置在边框区920中。
设置在边框区920中的多个第一晶体管T1的各种图案ACT3、SD4、SD5、GATE3、ACT5、SD7和/或GATE5可设置在与位于正常区NA中的第一晶体管的各种图案ACT1、SD1和/或GATE1相同的层中。
例如，正常区NA的第一有源层ACT1可与边框区920的第三有源层ACT3和第五有源层ACT5设置在相同层中。
正常区NA的第一栅极GATE1可与边框区920的第三栅极GATE3和第五栅极GATE5设置在相同层中。
正常区NA的一个或多个第一源极-漏极图案SD1可设置在与边框区920的一个或多个第四源极-漏极图案SD4以及一个或多个第七源极-漏极图案SD7相同的层中。
设置在边框区920中的多个第二晶体管T2的各种图案ACT4、SD6和/或GATE4可与设置在正常区NA中的第二晶体管的各种图案ACT2、SD3和/或GATE2设置在相同的层中。
例如，正常区NA的第二有源层ACT2可与边框区920的第四有源层ACT4设置在相同层中。
正常区NA的第二栅极GATE2可设置在与边框区920的第四栅极GATE4相同的层中。
正常区NA的一个或多个第三源极-漏极图案SD3可设置在与边框区920的一个或多个第六源极-漏极图案SD6相同的层中。
参照图11和12，在实施方式中，在设置在边框区920中的多个第一晶体管T1之中，一个或多个第一晶体管T1的每一个的一个或多个第七源极-漏极图案D7可接触第一连接图案CP1。在实施方式中，在多个第一晶体管T1之中，其余的一个或多个第一晶体管T1的每一个的一个或多个第四源极-漏极图案SD4可接触第五源极-漏极图案SD5。
例如，一个或多个第一晶体管T1的每一个的两个第七源极-漏极图案SD7的其中之一可接触第一连接图案CP1。
在实施方式中，第七源极-漏极图案SD7可设置在第二层间绝缘层ILD2上，第一连接图案CP1也可设置在第二层间绝缘层ILD2上。
在实施方式中，一个或多个第七源极-漏极图案SD7以及第一连接图案CP1可在第二层间绝缘层ILD2上彼此直接接触。
例如，如图11和12所示，一个或多个第七源极-漏极图案SD7可设置在第二层间绝缘层ILD2上，并且第一连接图案CP1可至少部分地设置在一个或多个第七源极-漏极图案SD7上。
一个或多个第七源极-漏极图案SD7可包括不透明金属。例如，一个或多个第七源极-漏极图案SD7可包括诸如铝(Al)、金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、钨(W)、钼(Mo)、铬(Cr)、钽(Ta)或钛(Ti)等之类的金属及其合金中的任一种，但本发明的实施方式不限于此。
第一连接图案CP1可包含透明导电材料。例如，第一连接图案CP1可包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟嫁锌(IGZO)的任一种，但本发明的实施方式不限于此。
如图11和12所示，设置在第一光学区OA1的边框区920中的第一连接图案CP1可一直延伸到中心区910或中心区910的一部分。
多个连接图案CP3、CP4、CP5和CP6可设置在中心区910的第二层间绝缘层ILD2上。
设置在第二层间绝缘层ILD2上的多个连接图案CP3、CP4、CP5和CP6的每一个可包含透明导电材料。例如，多个连接图案CP3、CP4、CP5和CP6的每一个可包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟嫁锌(IGZO)的任一种，但本发明的实施方式不限于此。
在实施方式中，至少一个或多个连接图案CP3、CP4、CP5和/或CP6可电连接至设置在边框区920中的一个或多个第一晶体管T1的一个或多个第七源极-漏极图案SD7，以执行与第一连接图案CP1相似的功能。
在实施方式中，其余的一个或多个第一晶体管T1的每一个的一个或多个第四源极-漏极图案SD4可接触一个或多个第五源极-漏极图案SD5。
一个或多个第五源极-漏极图案SD5可设置在与正常区NA的一个或多个第二源极-漏极图案SD2相同的层中。
例如，第五源极-漏极图案SD5可设置在第一平坦化层PLN1上，如图11和12所示。
设置在第一光学区OA1的边框区920中的第四和第五源极-漏极图案SD4和SD5可包括不透明金属。例如，第四和第五源极-漏极图案SD4和SD5可包括诸如铝(Al)、金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、钨(W)、钼(Mo)、铬(Cr)、钽(Ta)或钛(Ti)等之类的金属及其合金中的任一种，但本发明的实施方式不限于此。
尽管图11和12示出了一个或多个第四源极-漏极图案SD4和第五源极-漏极图案SD5具有单层的结构，但是本发明的实施方式不限于此。
例如，设置在显示面板中的多个源极-漏极图案的至少之一可包括多层叠层。
第五源极-漏极图案SD5可接触设置在第一平坦化层PLN1上的第二连接图案CP2。
例如，第五源极-漏极图案SD5可与第二连接图案CP2设置在相同层中。
第二连接图案CP2可包含透明导电材料。例如，第二连接图案CP2可包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟嫁锌(IGZO)的任一种，但本发明的实施方式不限于此。
如图11和12所示，设置在第一光学区OA1的边框区920中的第二连接图案CP2可一直延伸到中心区910。
多个连接图案CP7、CP8、CP9、CP10、CP11、CP12和CP13可设置在中心区910的第一平坦化层PLN1上。
设置在第一平坦化层PLN1上的多个连接图案CP7、CP8、CP9、CP10、CP11、CP12和CP13的每一个可包含透明导电材料。例如，多个连接图案CP7、CP8、CP9、CP10、CP11、CP12和CP13的每一个可包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟嫁锌(IGZO)的任一种，但本发明的实施方式不限于此。
在实施方式中，多个连接图案CP7、CP8、CP9、CP10、CP11、CP12和CP13中的一个或多个可电连接至位于边框区920中的驱动晶体管DRT(例如第一晶体管T1或第二晶体管T2)，以执行与第二连接图案CP2类似的功能。
在实施方式中，如图11和12所示，在中心区910中设置在第二层间绝缘层ILD2上的多个连接图案CP3、CP4、CP5和CP6的至少一个可经由形成在第一平坦化层PLN1中的接触孔接触位于第一平坦化层PLN1上的多个连接图案CP7、CP8、CP9、CP10、CP11、CP12和CP13的其中之一。
例如，设置在第一平坦化层PLN1上的多个连接图案CP7、CP8、CP9、CP10、CP11、CP12和CP13的至少一个可电连接至位于第二层间绝缘层ILD2上的多个连接图案CP3、CP4、CP5和CP6的其中之一，因此，电连接至位于边框区920中的至少一个第一晶体管T1。
在此示例中，设置在第一平坦化层PLN1上的多个连接图案CP7、CP8、CP9、CP10、CP11、CP12和CP13可按照相似的方式，经由位于第二层间绝缘层ILD2上的多个连接图案CP3、CP4、CP5和CP6的至少一个电连接至位于边框区920中的一个或多个第一晶体管T1，或者可电连接至与一个或多个第一晶体管T1的一个或多个第四源极-漏极图案SD4连接的一个或多个第五源极-漏极图案SD5，以执行与第二连接图案CP2类似的功能。
如图11和12所示，在实施方式中，包含不同材料的一个或多个第七源极-漏极图案SD7与多个连接图案CP1、CP3、CP4、CP5和CP6可设置在相同层中(例如在第二层间绝缘层ILD2上)，一个或多个第七源极-漏极图案SD7可接触多个连接图案CP1、CP3、CP4、CP5和CP6的至少一个。
在实施方式中，包含不同材料的一个或多个第五源极-漏极图案SD5与多个连接图案CP2、CP7、CP8、CP9、CP10、CP11、CP12和CP13可设置在相同层中(例如在第一平坦化层PLN1上)，一个或多个第五源极-漏极图案SD5可接触多个连接图案CP2、CP7、CP8、CP9、CP10、CP11、CP12和CP13的至少一个。
例如，由于包含不同材料的至少一个源极-漏极图案和至少一个连接图案被配置为在第一光学区OA1的边框区920中彼此接触，所以本发明的实施方式可提供简化相应制造工艺的优点。
在典型实施方案中，为了将包含不同材料的组件布置为彼此接触，可在其间设置绝缘层，然后可将两个组件布置为经由接触孔彼此接触。
与此相对照，在根据本发明多个方面的显示装置的示例性实施方式中，由于包含不同材料的至少一个源极-漏极图案和至少一个连接图案被布置为在第一光学区OA1的边框区920中的相同层中彼此接触，所以可消除包含位于至少一个源极-漏极图案和至少一个连接图案之间的接触孔的绝缘层，因此，可减小显示装置的厚度，并且可消除至少两个掩模工艺。
例如，由于设置在一个或多个第七源极-漏极图案SD7与多个连接图案CP1、CP3、CP4、CP5和CP6之间的绝缘层可消除，所以可减小相应厚度，并且可消除用于形成使得一个或多个第七源极-漏极图案SD7与多个连接图案CP1、CP3、CP4、CP5和CP6接触的接触孔的工艺(例如至少一个掩模工艺)。
此外，由于设置在一个或多个第五源极-漏极图案SD5与多个连接图案CP2、CP7、CP8、CP9、CP10、CP11、CP12和CP13之间的绝缘层可消除，所以可减小相应厚度，并且可消除用于形成使得一个或多个第五源极-漏极图案SD5与多个连接图案CP2、CP7、CP8、CP9、CP10、CP11、CP12和CP13接触的接触孔的工艺(例如至少两个掩模工艺)。
参照图11和12，第二平坦化层PLN2可设置在第一平坦化层PLN1上。
诸如有机发光二极管之类的一个或多个有机发光元件ED的一个或多个阳极AE可设置在第二平坦化层PLN2上。
阳极AE可包含透明导电材料。例如，阳极AE可包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟嫁锌(IGZO)的任一种，但本发明的实施方式不限于此。
设置在第一光学区OA1中的阳极AE可电连接至位于第一光学区OA1的边框区920中的一个或多个第一晶体管T1。
尽管图中未示出，但是设置在第一光学区OA1的边框区920中的至少一个发光元件ED的至少一个阳极AE可电连接至位于边框区920中的至少一个第一晶体管T1。
此外，设置在第一光学区OA1的中心区910中的至少一个发光元件ED的至少一个阳极AE也可电连接至位于边框区920中的至少一个第一晶体管T1。
例如，如图11和12所示，在中心区910中设置在第二平坦化层PLN2上的一个或多个阳极AE可经由一个或多个接触孔电连接至位于第一平坦化层PLN1上的一个或多个连接图案(例如第二连接图案CP2或第十二连接图案CP12)。在此示例中，与阳极AE电连接的连接图案可以是与位于边框区920中的第一晶体管T1的第五源极-漏极图案SD5接触的连接图案(例如第二连接图案CP2)。
在一个示例中，其余的一个或多个阳极AE中的一个或多个可电连接至与位于第二层间绝缘层ILD2上的连接图案(例如第四连接图案CP4)接触的第一平坦化层PLN1上设置的一个连接图案(例如第十连接图案CP10)。在此示例中，作为设置在第二层间绝缘层ILD2上的连接图案的第四连接图案CP4可以是用于接触位于边框区920中的扫描晶体管SCT(或驱动晶体管DRT)的一个或多个第四源极-漏极图案SD4的连接图案。
以这种方式，设置在中心区910和边框区920中的阳极AE可电连接至位于边框区920中的一个或多个驱动晶体管DRT或者一个或多个扫描晶体管SCT。
在正常区NA和第一光学区OA1中，不与发光区EA交叠的堤部BANK可设置在第二平坦化层PLN2上。
设置有堤部的区域可以是非发光区。
在实施方式中，附加连接图案CPA可在中心区910中设置在第二平坦化层PLN2和堤部BANK之间。
附加连接图案CPA可设置在与至少一个阳极AE相同的层中，并且包含与阳极AE相同的材料。例如，附加连接图案CPA可在形成阳极AE的工艺中与阳极AE一起形成。
在实施方式中，附加连接图案CPA可用于连接位于第二平坦化层PLN2上的至少两个阳极AE。
在此实施方式中，经由附加连接图案CPA连接的阳极AE可以是位于从中发出基本相同的颜色的光的多个发光区中的阳极AE。
附加连接图案CPA可电连接至与位于边框区920中的至少一个驱动晶体管DRT或至少一个扫描晶体管SCT电连接的一个或多个连接图案(设置在第二层间绝缘层ILD2或第一平坦化层PLN1上的连接图案)。
例如，其余的一个或多个阳极AE中的其他一个或多个可经由位于第二平坦化层PLN2上的附加连接图案CPA电连接至位于边框区920中的第一晶体管T1。
尽管图11和12示出了发光元件ED的阳极AE包括单层叠层，但是本发明的实施方式不限于此。
阳极AE可包括多层叠层。例如，阳极AE可包括三层叠层，并且可包括具有透明导电材料以及插置在其间的反射电极的多个层的叠层。
如图11和12所示，一个或多个发光层EL和阴极CE可设置在一个或多个阳极AE上。
封装层ENCAP可设置在阴极CE上。
在实施方式中，如图12所示，触摸缓冲层T-BUF、触摸传感器TS、触摸层间绝缘层T-ILD以及保护层PAC可设置在封装层ENCAP上。
如图12所示，触摸传感器TS可设置在正常区NA和第一光学区OA1的边框区920中，但可不设置在中心区910中。但是，根据本发明多个方面的显示装置的示例性构造不限于此。例如，一个或多个触摸传感器TS或者触摸传感器TS的一部分也可根据设计要求设置在一部分中心区910中。
触摸传感器TS可设置在显示面板中，并且不与发光区EA交叠。
尽管图12中未示出，但是滤色器层可设置在触摸传感器TS上。
滤色器层可被设置为对应于正常区NA中的发光区EA。
但是，根据本发明多个方面的显示装置的示例性结构不限于此。例如，滤色器层可根据设计要求被布置为对应于第一光学区OA1的发光区EA的一部分。在滤色器层设置在第一光学区OA1中的示例中，滤色器层的面积、位置和厚度可考虑到第一光学区OA1的透射率而被不同地确定。
尽管针对正常区NA和第一光学区OA1的堆叠构造提供了关于图11和12的讨论，但是第二光学区OA2也可包括与第一光学区OA1的堆叠构造对应的堆叠构造。因此，应理解，本发明的范围包括与上述关于第一光学区OA1讨论的实施方式或示例对应的第二光学区OA2的这种构造。
根据本发明多个方面的显示装置可包括显示面板，显示面板包括显示区DA，显示区DA包括第一光学区OA1和位于第一光学区OA1的外部的正常区NA，第一光学区OA1包括中心区910和位于中心区910的外部的边框区920。显示面板可包括：设置在中心区910中的多个发光元件ED；设置在边框区920中的多个发光元件ED以及包括多个源极-漏极图案(例如SD4和SD5)的多个晶体管；以及多个连接图案(例如CP1和CP2)，连接图案在边框区920中接触源极-漏极图案(SD4和SD5)并且延伸至中心区910的一部分。多个源极-漏极图案(例如SD4和SD5)的至少一个源极-漏极图案以及多个连接图案(例如CP1和CP2)的至少一个连接图案可设置在相同层中并且包含不同的材料。
设置在边框区920中的多个晶体管可包括多个驱动晶体管DRT或多个扫描晶体管SCT。第一晶体管T1中的一些第一晶体管可电连接至设置在边框区920中的多个发光元件ED，第一晶体管T1中的其他第一晶体管可电连接至设置在中心区910中的多个发光元件ED。
至少一些源极-漏极图案(SD4、SD5和SD7)可包括不透明金属，至少一些连接图案(CP1至CP13)可包括透明导电材料。
源极-漏极图案可包括至少一个第四源极-漏极图案SD4、电连接至至少一个第四源极-漏极图案SD4的至少一个第五源极-漏极图案SD5；以及与至少一个第四源极-漏极图案SD4设置在相同层中的至少一个第七源极-漏极图案SD7。连接图案(CP1至CP13)除了第一和第二连接图案(CP1和CP2)之外还可包括多个连接图案(CP3至CP13)。例如，多个连接图案(CP3至CP13)中的至少两个连接图案以及第一和第二连接图案(CP1和CP2)可设置在不同层中。
显示装置可包括：设置在基板上的第一绝缘层ILD2；设置在第一绝缘层ILD2上的至少一个第七源极-漏极图案SD7；以及与至少一个第七源极-漏极图案SD7设置在相同层中的第一连接图案CP1。第一连接图案CP1可接触至少一个第七源极-漏极图案SD7。
第一连接图案CP1可接触至少一个第七源极-漏极图案SD7的顶表面。在一些实施方式中，第一连接图案CP1可接触至少一个第七源极-漏极图案SD7的至少一个侧表面的一部分、或者顶表面以及至少一个侧表面。
显示装置可包括：设置在至少一个第七源极-漏极图案SD7和第一连接电极CP1上的第二绝缘层PLN1；以及设置在第二绝缘层PLN1上的多个连接图案(CP7、CP8、CP9、CP10、CP11、CP12和CP13)。第一连接图案CP1可电连接至多个连接图案(CP7、CP8、CP9、CP10、CP11、CP12和CP13)中的至少一个连接图案。
显示装置可包括设置在第二绝缘层PLN1上的第三绝缘层PLN2。设置在第二绝缘层PLN1上并且电连接至第一连接图案CP1的至少一个连接图案可电连接至位于中心区中的第三绝缘层PLN2上的多个发光元件ED中的至少一个发光元件的至少一个阳极AE。
显示装置可包括连接图案(CP3、CP4、CP5和CP6)，其设置在与第一连接图案CP1相同的层中并且电连接至设置在边框区920中的至少一个驱动晶体管DRT或者至少一个扫描晶体管SCT。至少一个连接图案(CP3、CP4、CP5和CP6)可电连接至设置在连接图案(CP3、CP4、CP5和CP6)上的多个连接图案(CP7、CP8、CP9、CP10、CP11、CP12和CP13)中的至少一个连接图案。电连接至连接图案(CP3、CP4、CP5和CP6)的多个连接图案(CP7、CP8、CP9、CP10、CP11、CP12和CP13)中的至少一个连接图案可连接至多个发光元件ED的至少一个阳极AE。
显示装置可包括：设置在基板上的第一绝缘层ILD2；设置在第一绝缘层ILD2上的至少一个第四源极-漏极图案SD4；设置在至少一个第四源极-漏极图案SD4上的第二绝缘层PLN1；电连接至至少一个第四源极-漏极图案SD4的至少一个第五源极-漏极图案SD5；以及与至少一个第五源极-漏极图案SD5设置在相同层中的第二连接图案CP2。第二连接图案CP2可接触第五源极-漏极图案SD5。
第二连接图案CP2可接触第五源极-漏极图案SD5的顶表面。在一些实施方式中，第二连接图案CP2可接触第五源极-漏极图案SD5的至少一个侧表面的一部分，或者顶表面以及至少一个侧表面。
显示装置可包括设置在第五源极-漏极图案SD5和第二连接图案CP2上的第三绝缘层PLN2。在中心区910中设置在第三绝缘层PLN2上的多个发光元ED中的至少一个发光元件的至少一个阳极AE可电连接至第二连接图案CP2。
显示装置还可包括与一个或多个阳极AE设置在相同层中的附加连接图案CPA。附加连接图案可电连接至多个阳极中的一个或多个，并且可经由一个或多个连接图案(CP1至CP13)电连接至设置在边框区中的一个或多个第一晶体管T1。
设置有经由附加连接图案CPA连接的阳极AE的多个发光区可被配置为发出基本相同颜色的光。
根据本发明多个方面的显示面板可包括显示区DA，显示区DA包括第一光学区OA1和位于第一光学区OA1的外部的正常区NA，第一光学区OA1包括中心区910和位于中心区910的外部的边框区920。显示面板可包括：设置在中心区910中的多个发光元件ED；设置在边框区920中的多个发光元件ED以及包括多个源极-漏极图案(例如SD4、SD5和SD7)的多个晶体管；以及多个连接图案(例如CP1和CP2)，连接图案在边框区920中接触源极-漏极图案(SD4、SD5和SD7)并且延伸至中心区910的一部分。多个源极-漏极图案(例如SD4、SD5和SD7)的至少一个源极-漏极图案以及多个连接图案(例如CP1和CP2)的至少一个连接图案可设置在相同层中并且包含不同的材料。
根据本文描述的一个或多个示例性实施方式，可提供一种显示面板和显示装置，其通过将多个晶体管设置在光学区的边框区中而不将晶体管设置在光学区的中心区中，能够改进中心区的透射率。
根据本文描述的一个或多个示例性实施方式，可提供一种显示面板和显示装置，其通过将包括不同材料并设置在光学区中的、至少一个晶体管的至少一个源极-漏极图案和至少一个连接图案布置在相同层中，能够减小其厚度并简化制造工艺。
给出上述描述以使得所属领域的普通技术人员能够实现并使用本发明，并且上述描述在具体应用及其要求的语境中提供。对于所描述实施方式的各种修改、添加和替换对于所属领域的普通技术人员来说将是显而易见的，本文限定的大致原理可在不脱离本发明的精神和范围的条件下应用于其他实施方式和应用。尽管为了示例性的目的描述了示例性实施方式，但是所属领域的普通技术人员将认识到，在不脱离本发明的必要特征的条件下各种修改和应用是可能的。例如，示例性实施方式的具体组件可进行各种修改。上述描述和附图仅为了示例的目的提供了本发明的技术构思的示例。也就是说，公开的实施方式旨在例示本发明的技术构思的范围。因此，本发明的范围不限于所示的实施方式，而是与权利要求书一致的最宽范围。应该基于权利要求书来解释本发明的保护范围，权利要求书的范围内的所有技术构思都应解释为包含在本发明的范围内。

Claims (30)

1.一种显示装置，包括显示面板以及用于驱动所述显示面板的显示驱动电路，所述显示面板具有显示区，所述显示区包括第一光学区和位于所述第一光学区的外部的正常区，所述第一光学区具有中心区和位于所述中心区的外部的边框区，其中所述显示面板包括：
设置在所述中心区中的多个发光元件；
设置在所述边框区中的多个发光元件；
多个晶体管，所述多个晶体管的每一个包括设置在所述边框区中的多个源极-漏极图案的相应一个；以及
第一连接图案，所述第一连接图案在所述边框区中接触所述多个源极-漏极图案中的第一源极-漏极图案并且延伸到所述中心区的一部分，
其中所述第一源极-漏极图案和所述第一连接图案设置在相同层上并包含不同的材料。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述边框区的多个晶体管中的第一组电连接至设置在所述边框区中的多个发光元件，
其中所述多个晶体管中的第二组电连接至设置在所述中心区中的多个发光元件。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述多个源极-漏极图案包括不透明金属，所述第一连接图案包括透明导电材料。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述多个源极-漏极图案包括第一源极-漏极图案、与所述第一源极-漏极图案设置在相同层中的第二源极-漏极图案、以及电连接至所述第二源极-漏极图案的第三源极-漏极图案，其中所述至少一个连接图案包括第一连接图案、第二连接图案和第三连接图案，
其中所述第一连接图案、所述第二连接图案和所述第三连接图案中的至少两个连接图案设置在不同层中。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中所述显示面板还包括：
设置在基板上方的第一绝缘层；
设置在所述第一绝缘层上的所述第一源极-漏极图案；以及
与所述第一源极-漏极图案设置在相同层中的第一连接图案，
其中所述第一连接图案接触所述第一源极-漏极图案。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中所述第一连接图案接触所述第一源极-漏极图案的顶表面。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其中所述显示面板还包括：
设置在所述第一源极-漏极图案和所述第一连接图案上的第二绝缘层；以及
设置在所述第二绝缘层上的多个第二连接图案，
其中所述第一连接图案电连接至所述多个第二连接图案中的至少一个第二连接图案。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中所述显示面板还包括：
在所述中心区中设置在所述第二绝缘层上的第三绝缘层，所述第三绝缘层在其上设置有所述多个发光元件中的第一组，
其中设置在所述第二绝缘层上并且电连接至所述第一连接图案的第二连接图案在所述中心区中电连接至设置在所述第三绝缘层上的多个发光元件中的至少一个发光元件的至少一个阳极。
9.根据权利要求4所述的显示装置，其中所述显示面板还包括：
设置在基板上方的第一绝缘层；
设置在所述第一绝缘层上的所述第二源极-漏极图案；
设置在所述第二源极-漏极图案上的第二绝缘层；
电连接至所述第二源极-漏极图案的第三源极-漏极图案；以及
与所述第三源极-漏极图案设置在相同层中的第三连接图案，
其中所述第三连接图案接触所述第三源极-漏极图案。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中所述第三连接图案接触所述第三源极-漏极图案的顶表面，或者接触所述第三源极-漏极图案的顶表面和至少一个侧表面。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其中所述显示面板还包括：
设置在所述第三源极-漏极图案和所述第三连接图案上的第三绝缘层，
其中在所述中心区中设置在所述第三绝缘层上的多个发光元件中的至少一个发光元件的至少一个阳极电连接至所述第三连接图案。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述显示面板还包括：
多个阳极；以及
与所述多个阳极中的至少一个阳极设置在相同层中的附加连接图案，
其中所述附加连接图案电连接至所述多个阳极，并且经由所述至少一个连接图案电连接至设置在所述边框区中的晶体管。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中设置有经由所述附加连接图案连接的多个阳极的多个发光区被配置为发出基本相同颜色的光。
14.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
第一光电子装置，所述第一光电子装置位于显示面板的下方或下部并且与包括在所述显示区中的第一光学区的至少一部分交叠。
15.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述显示区还包括与所述第一光学区和所述正常区不同的第二光学区，
所述显示装置还包括：
第二光电子装置，所述第二光电子装置位于所述显示面板的下方或下部并且与所述第二光学区的至少一部分交叠，
其中所述正常区的一部分设置在所述第一光学区和所述第二光学区之间，或者不设置在所述第一光学区和所述第二光学区之间。
16.根据权利要求9所述的显示装置，其中所述显示面板还包括：
设置在所述多个发光元件的阳极上以覆盖所述阳极的一部分的堤部；以及
在所述第一光学区中设置在所述第三绝缘层和所述堤部之间的附加连接图案，
其中所述附加连接图案与所述多个发光元件的至少一个阳极设置在相同的层中并且包含相同的材料。
17.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述显示面板还包括：
封装层，所述封装层设置在所述多个发光元件上；
设置在所述封装层上的触摸缓冲层；以及
设置在所述触摸缓冲层上的触摸传感器。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中所述封装层包括依次堆叠的第一封装层、第二封装层和第三封装层，其中所述第二封装层的面积小于所述第一封装层的面积。
19.根据权利要求17所述的显示装置，其中所述触摸传感器包括位于不同层上的触摸传感器金属和桥接金属，其中在所述触摸传感器金属和所述桥接金属之间设置有触摸层间绝缘层。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中所述触摸传感器金属包括彼此相邻设置的第一触摸传感器金属、第二触摸传感器金属和第三触摸传感器金属，其中所述第三触摸传感器金属存在于所述第一触摸传感器金属和所述第二触摸传感器金属之间，所述第一触摸传感器金属和所述第二触摸传感器金属经由位于不同层上的桥接金属彼此电连接，所述桥接金属通过所述触摸层间绝缘层与所述第三触摸传感器金属绝缘。
21.根据权利要求19所述的显示装置，其中在所述第一光学区中每单位面积的触摸传感器金属的面积小于在所述正常区中每单位面积的触摸传感器金属的面积。
22.根据权利要求1所述的显示装置，其中第一光学区包括一个或多个发光区以及一个或多个第一透射区，具有电特性的材料层不设置在所述第一透射区中。
23.根据权利要求5所述的显示装置，其中所述第一连接图案接触所述第一源极-漏极图案的顶表面以及至少一个侧表面。
24.一种显示面板，具有显示区，所述显示区包括第一光学区和位于所述第一光学区的外部的正常区，所述第一光学区包括中心区和位于所述中心区的外部的边框区，其中所述显示面板包括：
设置在所述中心区中的多个发光元件；
设置在所述边框区中的多个发光元件；
设置在所述边框区中的包括多个源极-漏极图案的多个晶体管；以及
至少一个连接图案，所述连接图案在所述边框区中接触所述多个源极-漏极图案中的至少一个源极-漏极图案并且延伸到所述中心区的一部分，
其中所述至少一个源极-漏极图案和所述至少一个连接图案设置在相同层中并包含不同的材料。
25.根据权利要求24所述的显示面板，其中所述第一光学区包括一个或多个发光区以及一个或多个第一透射区，其中具有电特性的材料层不设置在所述第一透射区中。
26.一种显示面板，包括：
显示区，所述显示区具有第一光学区和位于所述第一光学区的外部的正常区，所述第一光学区具有中心区和位于所述中心区的外部的边框区，其中所述显示面板包括：
设置在所述中心区中的多个发光元件；
设置在所述边框区中的多个发光元件；
设置在所述边框区中的多个晶体管，所述多个晶体管的每一个包括在其中具有源极-漏极区的半导体有源区；
覆盖所述多个晶体管的电绝缘层，所述电绝缘层具有顶表面；
多个源极-漏极图案，所述源极-漏极图案覆盖设置在所述边框区中的多个晶体管并且具有第一部分和第二部分，所述第一部分穿过所述电绝缘层延伸并且接触相应晶体管的相应源极-漏极区，所述第二部分覆盖并且接触所述电绝缘层的顶表面，所述源极-漏极图案包括第一导电金属；
第一连接图案，所述第一连接电极覆盖并且接触所述电绝缘层，并且还覆盖并且接触在所述边框区中的多个源极-漏极图案中的至少一个，所述第一连接图案包括不同于所述第一导电金属的第二导电金属。
27.根据权利要求26所述的显示面板，其中所述电绝缘层是具有平坦顶表面的平坦化层。
28.根据权利要求26所述的显示面板，还包括：
覆盖所述电绝缘层的平坦化层，所述平坦化层是电绝缘体并且具有平坦的顶表面。
29.根据权利要求26所述的显示面板，还包括：
第二源极-漏极图案，所述第二源极-漏极图案覆盖用于覆盖设置在所述边框中的多个晶体管的多个源极-漏极图案的至少之一，所述第二源极-漏极图案具有第一部分和第二部分，所述第二源极-漏极图案的第一部分穿过平坦化层延伸并且接触其覆盖的相应源极-漏极，所述第二源极-漏极图案的第二部分覆盖并接触所述平坦化层的顶表面。
30.根据权利要求29所述的显示面板，还包括：
第二连接图案，所述第二连接图案覆盖并接触所述平坦化层的顶表面，并且还覆盖并接触所述第二-源极漏极图案。
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