CN111384283B - 叠层结构及其制备方法、发光二极管及其制备方法 - Google Patents
叠层结构及其制备方法、发光二极管及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111384283B CN111384283B CN201811633012.2A CN201811633012A CN111384283B CN 111384283 B CN111384283 B CN 111384283B CN 201811633012 A CN201811633012 A CN 201811633012A CN 111384283 B CN111384283 B CN 111384283B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- metal oxide
- layer
- metal
- oxide layer
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims description 25
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 212
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 210
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 93
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 93
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 62
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 50
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 27
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 26
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 17
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 13
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 11
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 10
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 6
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 285
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 22
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 12
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 10
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 5
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 5
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 4
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 229910000108 silver(I,III) oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N dioxomolybdenum Chemical compound O=[Mo]=O QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005289 physical deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
本发明提供了一种叠层结构，至少包括一个叠层单元，所述叠层单元包括相对设置的第一金属氧化物层和第二金属氧化物层，以及设置在所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层之间的第三金属层，且所述第一金属氧化物层和所述第三金属层之间、以及所述第二金属氧化物层和所述第三金属层之间形成第三金属氧化物薄膜。
Description
技术领域
本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种叠层结构及其制备方法、发光二极管及其制备方法。
背景技术
量子点具有发光颜色易于调节、色彩饱和度高、可溶液加工、高稳定性等诸多优点，是下一代显示技术的有力竞争者。将量子点发光二极管(QLED)制备在柔性基底上，实现柔性显示是目前显示发展的一个重要方向。目前，实现柔性QLED仍面临着诸多挑战，特别是在薄膜封装技术(TFE)上，由于QLED对于空气中的水汽较敏感，渗透进来的水汽非常容易与活泼的金属阴极或是部分传输材料发生反应，引起器件性能的下降。而且，为了保证柔性QLED器件的柔韧性，通常会选用高分子聚合物作为基底，这类基底本身对外界的水汽阻挡能力较差，容易导致水汽的渗透。因此，寻找好的TFE技术，对提升器件稳定性，拓展柔性QLED的应用前景都具有重大意义。
目前，最常用的TFE方法是通过有机-无机薄膜的组合来形成封装的阻挡层，也叫Barix封装技术，其中，无机薄膜是作为真正的阻挡层，有机薄膜主要用于提高平整度，减少机械损伤。这种技术虽然能确保较低的水汽渗透率，但是需要保证有较大的有机薄膜厚度来填补无机薄膜的针孔缺陷，因此成本很高。而近些年来开发的通过原子层沉积(ALD)方法形成薄膜封装，虽然可以在较薄的厚度上实现较低水汽透过率，但是由于生长周期慢，难以应用于大面积生产。
发明内容
本发明的目的在于提供一种叠层结构及其制备方法，旨在解决现有有机-无机薄膜的组合来形成封装的阻挡层的技术中，为了保证水汽隔绝效果，要么有机薄膜厚度，导致成本高的问题，要么采用原子层沉积的方法制备薄膜，存在生长周期慢，难以应用于大面积生产的问题。
本发明的另一目的在于提供含有上述叠层结构的发光二极管及其制备方法。
为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：
一种叠层结构，至少包括一个叠层单元，所述叠层单元包括相对设置的第一金属氧化物层和第二金属氧化物层，以及设置在所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层之间的第三金属层，且所述第一金属氧化物层和所述第三金属层之间、以及所述第二金属氧化物层和所述第三金属层之间形成有第三金属氧化物薄膜。一种叠层结构的制备方法，所述叠层结构至少包括一个叠层单元，所述叠层单元包括相对设置的第一金属氧化物层和第二金属氧化物层，以及设置在所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层之间的第三金属层，且所述第一金属氧化物层和所述第三金属层之间、以及所述第二金属氧化物层和所述第三金属层之间形成有第三金属氧化物薄膜，所述叠层结构的制备包括以下步骤：
提供基底，在所述基底上制备第一金属氧化物层，在所述第一金属氧化物层上制备第三金属层，在所述第三金属层上制备第二金属氧化物层，得到预制叠层单元；
将所述预制叠层单元进行加热处理，制备得到叠层单元。
一种发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的发光层，以及设置在所述阳极和/或所述阴极的表面的封装结构，所述封装结构为本发明所述的叠层结构。
一种发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
制备相对设置的阳极和阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的发光层；
按照本发明所述方法在所述阳极或所述阴极表面制备封装结构。
本发明提供的叠层结构，至少包括一个叠层单元，所述叠层单元包括相对设置的第一金属氧化物层和第二金属氧化物层，以及设置在所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层之间的第三金属层，且所述第一金属氧化物层和所述第三金属层之间、以及所述第二金属氧化物层和所述第三金属层之间形成第三金属氧化物薄膜。即所述叠层单元为M1O(第一金属氧化物层)/Al2O3/Al/Al2O3/M2O(第二金属氧化物层)的叠层单元。
首先，所述叠层单元中，第三金属氧化物薄膜作为主要的阻挡层提供良好的水氧阻隔能力，可以作为封装结构有效阻隔水氧；同时，薄膜金属第三金属层由于具有良好的延展性与均匀性，可以有效填补第三金属氧化物薄膜(中间层)的部分缺陷，进一步保证所述封装结构的水氧阻隔性。而金属氧化物层中的纳米金属氧化物可以吸水，将渗入的少量水汽限定在纳米金属氧化物中，实现多层水汽隔绝的效果。
其次，由于所述叠层结构中的材料如第三金属层、金属氧化物层、第三金属氧化物薄膜均具有较好的导热效果，因此，将所述叠层结构用作发热器件的封装结构时，能有效将器件内部由于辐射产生的热量传导到外部环境中，有效提高器件稳定性。
此外，本发明提供的叠层结构的材料与常规的发光器件制备材料兼容，具有成本低廉的优点。
本发明提供的叠层结构的制备方法，只需将依次层叠制备第一金属氧化物层、第三金属层、第二金属氧化物层后，进行加热处理即可制备。该方法与常规的发光器件的工艺兼容，且操作简单，具有成本低廉的优点，适合应用于大面积的工业生产。
本发明提供的发光二极管，在阳极或阴极的表面设置有本发明上述的封装结构，所述封装结构可以有效隔绝水氧进入发光二极管的功能单元，同时其他其导热效果，进而提高发光二极管的器件稳定性。
本发明提供的发光二极管的制备方法，只需在常规的制备方法的基础上，进一步制备封装结构，方法简单可控，且适合应用于大面积的工业生产。
附图说明
图1是本发明实施例提供的含有预制叠层单元的叠层结构的示意图；
图2是本发明实施例提供的含有叠层单元的叠层结构的示意图；
图3是本发明实施例提供的一种叠层结构的制备方法流程示意图。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
本发明实施例提供了一种叠层结构，至少包括一个叠层单元，所述叠层单元包括相对设置的第一金属氧化物层和第二金属氧化物层，以及设置在所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层之间的第三金属层，且所述第一金属氧化物层和所述第三金属层之间、以及所述第二金属氧化物层和所述第三金属层之间形成有第三金属氧化物薄膜。
可选地，所述第三金属层以及所述第三金属氧化物薄膜中的第三金属为能够与氧反应形成第三金属氧化物，例如Al、Mg、Ag等金属。需要说明的是，第三金属氧化物薄膜可以是第一金属氧化物层和所述第三金属层反应形成的，或第二金属氧化物层和所述第三金属层反应形成的，也可以是直接在是第一金属氧化物层和所述第三金属层之间沉积的，或第二金属氧化物层和所述第三金属层之间沉积的。
本发明实施例提供的叠层结构，至少包括一个叠层单元，所述叠层单元包括相对设置的第一金属氧化物层和第二金属氧化物层，以及设置在所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层之间的第三金属层，且所述第一金属氧化物层和所述第三金属层之间、以及所述第二金属氧化物层和所述第三金属层之间形成有第三金属氧化物薄膜。以第三金属层为Al示例，所述叠层单元为M1O(第一金属氧化物层)/Al2O3/Al/Al2O3/M2O(第二金属氧化物层)的叠层单元，第三金属氧化物薄膜Al2O3可以是第一金属氧化物层和所述第三金属层Al反应形成的，或第二金属氧化物层和所述第三金属层Al反应形成的，也可以是直接在是第一金属氧化物层和所述第三金属层之间沉积的，或第二金属氧化物层和所述第三金属层之间沉积的，即通过化学沉积或物理沉积方法沉积的。
首先，所述叠层单元中，第三金属氧化物薄膜作为主要的阻挡层提供良好的水氧阻隔能力，可以作为封装结构有效阻隔水氧；同时，薄膜金属第三金属层由于具有良好的延展性与均匀性，可以有效填补第三金属氧化物薄膜(中间层)的部分缺陷，进一步保证所述封装结构的水氧阻隔性。而金属氧化物层中的纳米金属氧化物可以吸水，将渗入的少量水汽限定在纳米金属氧化物中，实现多层水汽隔绝的效果。
其次，由于所述叠层结构中的材料如第三金属层、金属氧化物层、第三金属氧化物薄膜均具有较好的导热效果，因此，将所述叠层结构用作发热器件的封装结构时，能有效将器件内部由于辐射产生的热量传导到外部环境中，有效提高器件稳定性。
此外，本发明实施例提供的叠层结构的材料与常规的发光器件制备材料兼容，具有成本低廉的优点。
具体的，所述叠层结构中，金属氧化物层作为功能层之一，分别作为叠层结构的两端面，一方面用于提供氧空位，与中间金属层第三金属层反应生成隔绝水氧的第三金属氧化物薄膜；另一方面，金属氧化物层可以吸水，使渗入的少量水汽被限定在金属氧化物层，进一步提高阻隔水汽的效果。
本发明实施例中，所述第一金属氧化物层选自纳米金属氧化物和/或掺杂的纳米金属氧化物；所述第二金属氧化物层的材料选自纳米金属氧化物和/或掺杂的纳米金属氧化物。
在一些实施例中，所述第一金属氧化物层的材料选自纳米氧化锌、纳米氧化镍、掺杂的纳米氧化镍、纳米氧化钼、掺杂的纳米氧化钼中的至少一种。在一些实施例中，所述第二金属氧化物层的材料选自纳米氧化锌、掺杂的纳米氧化锌、纳米氧化镍、掺杂的纳米氧化镍、纳米氧化钼、掺杂的纳米氧化钼中的至少一种。优选的金属氧化物材料，导热性较好，且不仅容易在界面产生氧扩散，有利于与中间金属层第三金属层反应生成隔绝水氧的第三金属氧化物薄膜；而且，优选的金属氧化物材料本身可以吸水，进一步提高阻隔水汽的效果。此外，所述金属氧化物材料容易易于打印，具有较好的成膜性。
在优选实施例中，所述第一金属氧化物层中的金属氧化物与所述第二金属氧化物层中的金属氧化物相同，从而获得稳定性更强的叠层结构。
在上述实施例的基础上，所述掺杂的纳米金属氧化物，掺杂材料选自金属材料。具体的，所述金属材料选自易于与氧反应，且反应生成的金属氧化物具有良好的水氧阻隔能力的金属。在优选实施例中，所述掺杂材料选自镁、铝、锰、银中的至少一种。所述镁、铝、锰、银易于与氧反应，且反应生成的金属氧化物具有良好的水氧阻隔能力。
本发明实施例中，金属氧化物层(包括所述第一金属氧化物层、所述第二金属氧化物层)中的属氧化物纳米颗粒大小小于5nm，从而保证膜层致密度。
本发明实施例中，优选的，所述第一金属氧化物层的厚度为10～30nm。优选的，所述第二金属氧化物层的厚度为10～20nm。若金属氧化物层的膜层太薄，形成的膜层不够致密，会有较多针孔缺陷；若金属氧化物层的膜层太厚，会浪费材料，同时叠层结构作为封装层时，会降低封装层的透光率。
第三金属层作为又一功能层，可以与金属氧化物的氧空位反应，生成隔绝水氧的第三金属氧化物薄膜。同时，第三金属层具有较好的导热系数和良好的延展性，作为封装结构使用时，不仅可以可以有效填补第三金属氧化物薄膜(中间层)的部分缺陷，进一步保证所述封装结构的水氧阻隔性；而且有利于将器件内部由于辐射产生的热量传导到外部环境中，有效提高器件稳定性。
在一些实施例中，所述第三金属层以及所述第三金属氧化物薄膜中的第三金属选自铝、镁、银中的至少一种。此时，所述叠层单元中，第三金属氧化物薄膜作为主要的阻挡层提供良好的水氧阻隔能力，可以作为封装结构有效阻隔水氧；同时，第三金属层由于具有良好的延展性与均匀性，可以有效填补第三金属氧化物薄膜(中间层)的部分缺陷，进一步保证所述封装结构的水氧阻隔性。而金属氧化物层中的纳米金属氧化物可以吸水，将渗入的少量水汽限定在纳米金属氧化物中，实现多层水汽隔绝的效果。
本发明实施例中，优选的，所述第三金属层的厚度为10～20nm。若所述第三金属层的厚度过薄，则形成的膜层质量不佳，容易出现孔洞形成水汽渗透通道，无法起到填充金属氧化物层缺陷的作用；若所述第三金属层的厚度过厚，叠层结构作为封装层时，会降低封装层的透光率。
本发明实施例中，所述第三金属氧化物薄膜实际为相邻的第三金属层与金属氧化物层反应生成的水氧阻隔功能层。所述第三金属氧化物薄膜的厚度优选为2～5nm，此时，能够实现较好的水氧隔绝效果。
本发明实施例所述叠层结构中至少包括一个叠层单元，所述叠层单元的数量，根据叠层单元的厚度和被封装器件要达到的水汽透过率决定。器件要求的密封性越好，对应的叠层单元个数越多。优选的，所述叠层单元中，所述叠层结构包括1-10个重复设置的叠层单元。作为一个具体实施例，当被封装器件要达到的水汽透过率为1×10-6g/m2/天时，至少需要有3个以上的重复叠层单元。
值得注意的是，当所述叠层结构中包括两个或两个以上的叠层单元时，且所述第一金属氧化物层、所述第二金属氧化物层的材料相同时，相邻的金属氧化物层可以合作一层。
本发明实施例所述薄层结构，可以通过下述方法制备获得。
相应的，如图1、图2所示，本发明实施例提供了一种叠层结构的制备方法，所述叠层结构如图2所示，至少包括一个叠层单元10，所述叠层单元包括相对设置的第一金属氧化物层11和第二金属氧化物层13，以及设置在所述第一金属氧化物层11和所述第二金属氧化物层13之间的第三金属层12，且所述第一金属氧化物层11和所述第三金属层12之间、以及所述第二金属氧化物层13和所述第三金属层12之间形成有第三金属氧化物薄膜121，参照图3示出的，本发明实施例的一种叠层结构的制备方法流程示意图，所述叠层结构的制备包括以下步骤：
S01.提供基底，在所述基底上制备第一金属氧化物层11，在所述第一金属氧化物层11上制备第三金属层12，在所述第三金属层12上制备第二金属氧化物层13，得到预制叠层单元10’，如图1所示；
S02.将所述预制叠层单元10’进行加热处理，制备得到叠层单元10。
本发明实施例提供的叠层结构的制备方法，只需将依次层叠制备第一金属氧化物层、第三金属层、第二金属氧化物层后，进行加热处理即可制备。该方法与常规的发光器件的工艺兼容，且操作简单，具有成本低廉的优点，适合应用于大面积的工业生产。
具体的，上述步骤S01中，所述基底为需要制备封装结构的元器件，如发光二极管。在所述基底上制备第一金属氧化物层11，优选采用喷墨打印技术实现；在所述第一金属氧化物层11上制备第三金属层12，优选采用真空蒸镀技术实现；在所述第三金属层12上制备第二金属氧化物层13，优选采用喷墨打印技术实现。通过依次在所述基底上制备第一金属氧化物层11、第三金属层12和第二金属氧化物层13，得到如图1所示的含有预制叠层单元10’的结构。此时得到的结构，还不具备较好的水氧阻隔性能。
上述步骤S02中，将所述预制叠层单元10’进行加热处理，使第一金属氧化物层11的金属氧化物和第三金属层12中的铝、第二金属氧化物层13的金属氧化物和第三金属层12中的铝发生反应，在金属氧化物和第三金属层之间形成第三金属氧化物薄膜121，得到如图2所示的含有叠层单元10的叠层结构。
优选的，将所述预制叠层单元进行加热处理在温度为100℃～140℃的条件下进行，且所述加热处理的时间为0.5h～2h。优选的条件，不仅能够有效促进第一金属氧化物层11的金属氧化物和第三金属层12中的铝、第二金属氧化物层13的金属氧化物和第三金属层12中的铝的反应，而且也不会由于温度过高而影响各功能层的质量。
进一步的，根据实际需要，本发明实施例提供的所述方法还包括：在所述预制叠层单元的至少一金属氧化物层表面重复制备第三金属层和金属氧化物层的步骤，将得到的叠层结构进行加热处理，制备得到具有多个叠层单元的叠层结构。
值得注意的时，当在所述预制叠层单元的至少一金属氧化物层表面重复制备第三金属层和金属氧化物层的步骤时，用于重复制备第三金属层和金属氧化物层的金属氧化物层的厚度为20-40nm，以保证足够的金属氧化物能够同时与上下两层的第三金属层反应色生成合适厚度的第三金属氧化物薄膜。
本发明实施例还提供了一种发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的发光层，以及设置在所述阳极和/或所述阴极的表面的封装结构，所述封装结构为本发明实施例所述的叠层结构。
本发明实施例提供的发光二极管，在阳极或阴极的表面设置有本发明实施例上述的封装结构，所述封装结构可以有效隔绝水氧进入发光二极管的功能单元，同时其他其导热效果，进而提高发光二极管的器件稳定性。
本发明实施例中，所述发光二极管为量子点发光二极管或有机发光二极管。
具体的，所述发光二极管还包括衬底，衬底可以设置在阳极一端，形成正置发光二极管；衬底可以设置在阴极一端，形成倒置发光二极管。
在一些实施例中，所述发光二极管还包括设置在阳极和发光层之间的空穴传输层、空穴注入层中的至少一层。在优选实施例中，所述发光二极管包括设置在阳极和发光层之间的空穴传输层，以及设置在空穴传输层和发光层之间的空穴注入层。
在一些实施例中，所述发光二极管还包括设置在阴极和发光层之间的电子传输层、电子注入层中的至少一层。在优选实施例中，所述量子点发光二极管包括设置在阴极和量子点发光层之间的电子传输层，以及设置在电子传输层和发光层之间的电子注入层。
所述叠层结构在发光二极管中的设置包括几种方式。
当衬底设置在阳极一端，即发光二极管为正置发光二极管时，在一些实施例中，在阴极一端表面设置封装结构，所述封装结构为本发明实施例所述的叠层结构；在一些实施例中，在衬底背离阳极的表面设置封装结构，所述封装结构为本发明实施例所述的叠层结构；在一些实施例中，在阴极一端表面设置封装结构，同时，在衬底背离阳极的表面设置封装结构，所述封装结构为本发明实施例所述的叠层结构。
当衬底可以设置在阴极一端，形成倒置量子点发光二极管时，在一些实施例中，在阳极一端表面设置封装结构，所述封装结构为本发明实施例所述的叠层结构；在一些实施例中，在衬底背离阴极的表面设置封装结构，所述封装结构为本发明实施例所述的叠层结构；在一些实施例中，在阳极一端表面设置封装结构，同时，在衬底背离阴极的表面设置封装结构，所述封装结构为本发明实施例所述的叠层结构。
本发明实施例所述发光二极管，可以通过下述方法制备获得。
相应的，本发明实施例提供了一种发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
制备相对设置的阳极和阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的发光层；
按照本发明实施例所述方法在所述阳极或所述阴极的表面制备封装结构。
本发明实施例提供的发光二极管的制备方法，只需在常规的制备方法的基础上，进一步制备封装结构，方法简单可控，且适合应用于大面积的工业生产。
所述阳极、阴极和发光层的制备，可以采用常规方法。
在一些实施例中，所述制备方法还包括在阳极和发光层之间制备空穴传输层、空穴注入层中的至少一层。在优选实施例中，所述制备方法包括在阳极和发光层之间制备空穴传输层，以及在空穴传输层和发光层之间制备空穴注入层。
在一些实施例中，所述制备方法还包括设置在阴极和发光层之间制备电子传输层、电子注入层中的至少一层。在优选实施例中，所述制备方法包括在阴极和发光层之间制备电子传输层，以及在电子传输层和发光层之间制备电子注入层。
在所述所述阳极或所述阴极的表面制备封装结构，可以采用本发明实施例所述叠层结构的制备方法制备获得。
下面结合具体实施例进行说明。
实施例1
一种发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
提供顶发射发光二极管，所述顶发射发光二极管至少包括相对设置的底电极和顶电极，以及设置在所述底电极和所述顶电极之间的发光层，在所述顶电极上制备封装层：
利用喷墨打印或旋涂方法，在所述顶电极上制备第一氧化锌层，氧化锌纳米颗粒大小<5nm，膜层厚度10～30nm；
在第一层氧化锌层上蒸镀10-20nm的铝层；
在铝层上喷墨打印或旋涂一层10～20nm的第二氧化锌层；
将得到的叠层结构在温度为100～140℃的条件下加热0.5～2h，在氧化锌层和铝层之间生成三氧化二铝阻挡层，形成ZnO/Al2O3/Al/Al2O3/ZnO的叠层结构。
实施例2
一种发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
提供顶发射发光二极管，所述顶发射发光二极管至少包括相对设置的底电极和顶电极，以及设置在所述底电极和所述顶电极之间的发光层，在所述顶电极上制备封装层：
利用喷墨打印或旋涂方法，在所述顶电极上制备第一氧化锌层，氧化锌纳米颗粒大小<5nm，膜层厚度10～30nm；
在第一层氧化锌层上蒸镀10-20nm的第一铝层；
在第一铝层上喷墨打印或旋涂一层20～40nm的第二氧化锌层；
在第二层氧化锌层上蒸镀10-20nm的第二铝层；
在第二铝层上喷墨打印或旋涂一层10～20nm的第三氧化锌层；
将得到的叠层结构在温度为100～140℃的条件下加热0.5～2h，在氧化锌层和铝层之间生成三氧化二铝阻挡层，形成ZnO/Al2O3/Al/Al2O3/ZnO/Al2O3/Al/Al2O3/ZnO的叠层结构。
实施例3
一种发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
提供顶发射发光二极管，所述顶发射发光二极管至少包括相对设置的底电极和顶电极，以及设置在所述底电极和所述顶电极之间的发光层，在所述顶电极上制备封装层：
利用喷墨打印或旋涂方法，在所述顶电极上制备第一氧化钼层，氧化钼纳米颗粒大小<5nm，膜层厚度10～30nm；
在第一层氧化钼层上蒸镀10-20nm的第一银层；
在第一银层上喷墨打印或旋涂一层20～40nm的第二氧化钼层；
在第二层氧化钼层上蒸镀10-20nm的第二银层；
在第二银层上喷墨打印或旋涂一层10～20nm的第三氧化钼层；
将得到的叠层结构在温度为100～140℃的条件下加热0.5～2h，在氧化钼层和银层之间生成氧化银阻挡层，形成MoO/Ag2O/Ag/Ag2O/MoO/Ag2O/Ag/Ag2O/MoO的叠层结构。
实施例4
一种发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
提供顶发射发光二极管，所述顶发射发光二极管至少包括相对设置的底电极和顶电极，以及设置在所述底电极和所述顶电极之间的发光层，在所述顶电极上制备封装层：
利用喷墨打印或旋涂方法，在所述顶电极上制备第一氧化锌层，氧化锌纳米颗粒大小<5nm，膜层厚度10～30nm；
在第一层氧化锌层上蒸镀10-20nm的镁层；
在镁层上喷墨打印或旋涂一层20～40nm的第二氧化锌层；
将得到的叠层结构在温度为100～140℃的条件下加热0.5～2h，在氧化锌层和镁层之间生成氧化镁阻挡层，形成ZnO/MgO/Mg/MgO/ZnO/MgO/Mg/MgO/ZnO的叠层结构。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (15)
1.一种叠层结构，其特征在于，至少包括一个叠层单元，所述叠层单元包括相对设置的第一金属氧化物层和第二金属氧化物层，以及设置在所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层之间的第三金属层，且所述第一金属氧化物层和所述第三金属层之间、以及所述第二金属氧化物层和所述第三金属层之间形成有第三金属氧化物薄膜。
2.如权利要求1所述的叠层结构，其特征在于，所述第三金属层以及所述第三金属氧化物薄膜中的第三金属为能够与氧反应形成第三金属氧化物的金属。
3.如权利要求1所述的叠层结构，其特征在于，所述第三金属氧化物薄膜由第一金属氧化物层中的第一金属氧化物与所述第三金属层反应制得；和/或，
所述第三金属氧化物薄膜由第二金属氧化物层中的第二金属氧化物与第三金属层反应制得。
4.如权利要求1所述的叠层结构，其特征在于，所述第一金属氧化物的厚度为10～30nm；和/或
所述第二金属氧化物层的厚度为10～20nm；和/或
所述第三金属层的厚度为10～20nm；和/或
所述第三金属氧化物薄膜的厚度为2～5nm。
5.如权利要求1至4任一项所述的叠层结构，其特征在于，所述第一金属氧化物层选自纳米金属氧化物和/或掺杂的纳米金属氧化物；和/或
所述第二金属氧化物层的材料选自纳米金属氧化物和/或掺杂的纳米金属氧化物；和/或
所述第三金属层以及所述第三金属氧化物薄膜中的第三金属选自铝、镁、银中的至少一种。
6.如权利要求5所述的叠层结构，其特征在于，所述第一金属氧化物层的材料选自纳米氧化锌、纳米氧化镍、掺杂的纳米氧化镍、纳米氧化钼、掺杂的纳米氧化钼中的至少一种；和/或
所述第二金属氧化物层的材料选自纳米氧化锌、掺杂的纳米氧化锌、纳米氧化镍、掺杂的纳米氧化镍、纳米氧化钼、掺杂的纳米氧化钼中的至少一种。
7.如权利要求5所述的叠层结构，其特征在于，所述第一金属氧化物层中的金属氧化物与所述第二金属氧化物层中的金属氧化物相同。
8.如权利要求5所述的叠层结构，其特征在于，所述掺杂的纳米金属氧化物，掺杂材料选自镁、铝、锰、银中的至少一种。
9.如权利要求1至4任一项所述的叠层结构，其特征在于，所述叠层结构包括1-10个重复设置的叠层单元。
10.一种叠层结构的制备方法，其特征在于，所述叠层结构至少包括一个叠层单元，所述叠层单元包括相对设置的第一金属氧化物层和第二金属氧化物层，以及设置在所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层之间的第三金属层，且所述第一金属氧化物层和所述第三金属层之间、以及所述第二金属氧化物层和所述第三金属层之间形成有第三金属氧化物薄膜，所述叠层结构的制备包括以下步骤：
提供基底，在所述基底上制备第一金属氧化物层，在所述第一金属氧化物层上制备第三金属层，在所述第三金属层上制备第二金属氧化物层，得到预制叠层单元；
将所述预制叠层单元进行加热处理，制备得到叠层单元。
11.如权利要求10所述的叠层结构的制备方法，其特征在于，将所述预制叠层单元进行加热处理在温度为100℃～140℃的条件下进行，且所述加热处理的时间为0.5h～2h。
12.如权利要求10所述的叠层结构的制备方法，其特征在于，还包括：在所述预制叠层单元的至少一金属氧化物层表面重复制备第三金属层和金属氧化物层的步骤，将得到的叠层结构进行加热处理。
13.一种发光二极管，其特征在于，包括相对设置的阳极和阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的发光层，以及设置在所述阳极和/或所述阴极的表面的封装结构，所述封装结构为权利要求1至9任一项所述的叠层结构。
14.如权利要求13所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管为量子点发光二极管或有机发光二极管。
15.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
制备相对设置的阳极和阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的发光层；
按照权利要求10至12任一项所述方法在所述阳极或所述阴极的表面制备封装结构。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811633012.2A CN111384283B (zh) | 2018-12-29 | 2018-12-29 | 叠层结构及其制备方法、发光二极管及其制备方法 |
| PCT/CN2019/108156 WO2020134253A1 (zh) | 2018-12-29 | 2019-09-26 | 叠层结构及其制备方法、发光二极管及其制备方法 |
| US17/419,580 US20220069256A1 (en) | 2018-12-29 | 2019-09-26 | Laminated structure and preparation method therefor, led and preparation method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811633012.2A CN111384283B (zh) | 2018-12-29 | 2018-12-29 | 叠层结构及其制备方法、发光二极管及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111384283A CN111384283A (zh) | 2020-07-07 |
| CN111384283B true CN111384283B (zh) | 2021-07-02 |
Family
ID=71126132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811633012.2A Active CN111384283B (zh) | 2018-12-29 | 2018-12-29 | 叠层结构及其制备方法、发光二极管及其制备方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220069256A1 (zh) |
| CN (1) | CN111384283B (zh) |
| WO (1) | WO2020134253A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111710801A (zh) * | 2020-07-09 | 2020-09-25 | 浩物电子科技(苏州)有限公司 | 一种顶发射oled的复合薄膜封装方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10275680A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-13 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機ｅｌ素子 |
| CN102209628A (zh) * | 2008-11-11 | 2011-10-05 | 旭硝子株式会社 | 导电性层叠体及等离子显示器用保护板 |
| CN102299265A (zh) * | 2011-08-18 | 2011-12-28 | 电子科技大学 | 有机发光二极管照明器件及其散热封装层以及制备方法 |
| CN103178077A (zh) * | 2011-12-21 | 2013-06-26 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 有机电致发光显示器件及其封装方法 |
| CN104183747A (zh) * | 2013-05-22 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN106784380A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-31 | 固安翌光科技有限公司 | 一种封装结构及其制备方法和应用 |
| JP2017111886A (ja) * | 2015-12-14 | 2017-06-22 | コニカミノルタ株式会社 | 照明装置 |
| CN107658389A (zh) * | 2017-09-28 | 2018-02-02 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 无机膜及封装薄膜 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20100111117A (ko) * | 2009-04-06 | 2010-10-14 | 삼성전기주식회사 | 박막소자의 제조방법 및 이로부터 제조된 박막소자 |
| TWI473316B (zh) * | 2011-08-17 | 2015-02-11 | Nat Applied Res Laboratories | 具透明導電特性及水氣阻絕功能之奈米疊層膜及其製造方法 |
-
2018
- 2018-12-29 CN CN201811633012.2A patent/CN111384283B/zh active Active
-
2019
- 2019-09-26 US US17/419,580 patent/US20220069256A1/en active Pending
- 2019-09-26 WO PCT/CN2019/108156 patent/WO2020134253A1/zh active Application Filing
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10275680A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-13 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機ｅｌ素子 |
| CN102209628A (zh) * | 2008-11-11 | 2011-10-05 | 旭硝子株式会社 | 导电性层叠体及等离子显示器用保护板 |
| CN102299265A (zh) * | 2011-08-18 | 2011-12-28 | 电子科技大学 | 有机发光二极管照明器件及其散热封装层以及制备方法 |
| CN103178077A (zh) * | 2011-12-21 | 2013-06-26 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 有机电致发光显示器件及其封装方法 |
| CN104183747A (zh) * | 2013-05-22 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
| JP2017111886A (ja) * | 2015-12-14 | 2017-06-22 | コニカミノルタ株式会社 | 照明装置 |
| CN106784380A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-31 | 固安翌光科技有限公司 | 一种封装结构及其制备方法和应用 |
| CN107658389A (zh) * | 2017-09-28 | 2018-02-02 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 无机膜及封装薄膜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111384283A (zh) | 2020-07-07 |
| US20220069256A1 (en) | 2022-03-03 |
| WO2020134253A1 (zh) | 2020-07-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI375346B (en) | Metal compound-metal multilayer electrodes for organic electronic devices | |
| JP4001590B2 (ja) | 多孔性物質層を備えた有機ｅｌディスプレイ | |
| US10297790B2 (en) | Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing organic light emitting display apparatus | |
| CN107768529A (zh) | 钙钛矿发光二极管及其制作方法 | |
| US10355246B2 (en) | Barrier coating for opto-electronics devices | |
| CN104103660A (zh) | 一种复合薄膜封装的有机发光二极管显示器及其制造方法 | |
| CN109244256B (zh) | 高效非掺杂超薄发光层热活化延迟荧光有机发光二极管及其制备方法 | |
| CN111384283B (zh) | 叠层结构及其制备方法、发光二极管及其制备方法 | |
| Gao et al. | Improving the stability and efficiency of perovskite light-emitting diodes via an insulating layer of polyethylenimine ethoxylated | |
| KR100544126B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법 | |
| CN111048672B (zh) | 一种基于钙钛矿电致发光的白光led及其制备方法 | |
| CN103474541B (zh) | 提高氮化硅基薄膜发光二极管发光效率的器件及制备方法 | |
| JP4062981B2 (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| CN112331794B (zh) | 复合阴极结构及其制备方法、发光器件和显示装置 | |
| US11482691B2 (en) | Display panel and manufacturing method thereof | |
| KR20200075796A (ko) | 유기광전자소자의 봉지필름 및 그 제조방법 | |
| CN111384247A (zh) | 量子点发光二极管及其制备方法 | |
| CN113948647A (zh) | 一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管 | |
| CN111162188A (zh) | 薄膜封装结构及其制备方法和显示面板 | |
| US11991899B2 (en) | Display panel, including a scattering layer with micropores preparation method, and display device | |
| KR100647713B1 (ko) | 유기 발광 표시장치 | |
| CN1620214A (zh) | 一种新型有机电致发光器件 | |
| CN112652726A (zh) | Oled器件透明阴极及其制作方法 | |
| CN109524361B (zh) | 封装薄膜、电子装置及电子装置的制备方法 | |
| CN111668285A (zh) | Oled显示装置及制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 516006 TCL science and technology building, No. 17, Huifeng Third Road, Zhongkai high tech Zone, Huizhou City, Guangdong Province Applicant after: TCL Technology Group Co.,Ltd. Address before: 516006 Guangdong province Huizhou Zhongkai hi tech Development Zone No. nineteen District Applicant before: TCL RESEARCH AMERICA Inc. |
|
| CB02 | Change of applicant information | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |