CN111384272A - 量子点发光二极管及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。所述量子点发光二极管包括底电极、顶电极以及位于所述底电极和所述顶电极之间的若干功能层，所述若干功能层中至少包括量子点发光层，其特征在于，在底电极相邻的功能层与所述底电极之间、在顶电极相邻的功能层与所述顶电极之间和/或在相邻的两个功能层之间设置有聚合物层，所述聚合物层的材料为含有亲水基团和疏水基团的聚合物。该聚合物层起到主动吸水、避免水分对器件内部的材料和界面造成影响的作用，从而提了器件的性能稳定性和器件的使用寿命。

Description

量子点发光二极管及其制备方法
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。
背景技术
半导体量子点(Quantum dot,QDs)具有荧光量子效率、可见光波段发光可调、色域覆盖度宽广等特殊特点。以量子点为发光材料的发光二极管被称为量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diode,QLED)，具有色彩饱和、能效更、色温更佳等优点，有望成为下一代固态照明和平板显示的主流技术。
对于QLED而言，器件发光效率等性能已达到产业化的水平，但是器件寿命和稳定性问题一直是制约这些新型显示器件大规模市场化的瓶颈。其中，大气中的水氧是影响器件寿命和稳定性的主要因素之一。一般而言，器件在刚制备时器件能够获得较好的器件性能，但是当器件没有封装好或者长期使用和放置后，随着时间的延长，空气中的水氧会逐步渗透到器件内部，与器件的材料发生反应，对器件造成了不可逆的严重影响，最终表现出来的是器件寿命低、性能衰减严重、使用稳定性差等问题，大大地制约着这些新型显示器件的商业化应用。此外，这些新型显示器件内部，所使用的功能层材料和发光材料大多都对水氧敏感，且容易与水等成分发生反应，例如PEDOT:PSS、发光量子点、氧化物载流子传输层材料等，这些敏感的材料会加剧水氧对器件的侵蚀，造成器件寿命的急剧下降。为了解决这些问题，有研究在器件内的界面沉积一层疏水的有机聚合物材料作为界面修饰的疏水层(如聚苯乙烯层等)，虽然疏水层具有阻隔水分的能力，但也是由于其具有强的疏水能力，润湿性较差，在器件制备过程中在其上不能很好地成膜，容易出现器件内部成膜不均匀、存在大量针孔或空洞等不利因素，这些将成为水氧侵蚀的主要不利区域，严重影响器件性能。此外，疏水层的引入，只是利用了其一定程度的疏水能力，当且仅当覆盖有疏水层的区域能够起到阻隔水分的作用，而实际上器件是有多层膜聚成的复杂结构，器件暴露的截面等区域同样容易受到水分的影响。
因此，现有技术还有待进一步的研究和发展。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有器件容易受空气的水氧侵蚀，从而降低使用寿命的技术问题。
为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：
本发明一方面提供一种量子点发光二极管，包括底电极、顶电极以及位于所述底电极和所述顶电极之间的若干功能层，所述若干功能层中至少包括量子点发光层，在底电极相邻的功能层与所述底电极之间、在顶电极相邻的功能层与所述顶电极之间和/或在相邻的两个功能层之间设置有聚合物层，所述聚合物层的材料为含有亲水基团和疏水基团的聚合物。
以及，一种量子点发光二极管，包括底电极、顶电极和位于所述底电极和所述顶电极之间的量子点发光层；所述顶电极背离所述发光层的表面设置有聚合物层，所述聚合物层背离所述发光层的表面用于设置封装层，其中，所述聚合物层的材料为含有亲水基团和疏水基团的聚合物。
以及，一种量子点发光二极管，包括底电极、顶电极和位于所述底电极和所述顶电极之间的量子点发光层；所述底电极背离所述发光层的表面置有聚合物层，所述聚合物层背离所述发光层的表面用于将所述量子点发光二极管设置在衬底上，其中，所述聚合物层的材料为含有亲水基团和疏水基团的聚合物。
本发明提供的上述量子点发光二极管中，包括至少一层含有亲水基团和疏水基团的聚合物组成的聚合物层，该聚合物层中的聚合物具有强吸水性能和保水能力，聚合物中的亲水基团能够自发吸附水分子，并与水分子相互作用形成水合状态，水分子通过氢键与亲水基团作用，当亲水基团离解后离子之间的静电排斥力使聚合物的网络扩张，从而产生渗透压，该渗透压使水分子进一步渗入被束缚在聚合物的网络结构内部，从而使水分子的热运动受到限制，而聚合物中的疏水基团则可阻挡水分子进一步渗入到功能层中，而且该聚合物层成膜性好；因此，该聚合物层起到主动吸水、避免水分对器件内部的材料和界面造成影响的作用，从而提了器件的性能稳定性和器件的使用寿命。
本发明另一方面提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：
提供基底；
将含有亲水基团和疏水基团的聚合物沉积在所述基底上，得到聚合物层。
本发明提供的量子点发光二极管的制备方法工艺简单、成本低，该制备方法中直接在基底上沉积含有亲水基团和疏水基团的聚合物，就制得了聚合物层，该聚合物层起到主动吸水、避免水分对器件内部的材料和界面造成影响的作用，从而使最终制得的器件的性能稳定性和使用寿命得到提。
附图说明
图1为本发明的一些实施方式的量子点发光二极管中聚合物层与现有技术的疏水层的作用对比图；其中，a为现有技术疏水层的阻水效果，b为本发明中聚合物层的亲水效果；
图2为本发明的一些实施方式的量子点发光二极管中聚合物层位于第一功能层与量子点发光层之间的器件结构示意图；
图3为本发明的一些实施方式的量子点发光二极管中聚合物层位于第一功能层与顶电极之间的器件结构示意图；
图4为本发明的一些实施方式的量子点发光二极管中聚合物层位于第二功能层与量子点发光层之间的器件结构示意图；
图5为本发明的一些实施方式的量子点发光二极管中聚合物层位于第二功能层与底电极之间的器件结构示意图；
图6为本发明的一些实施方式的量子点发光二极管中聚合物层位于底电极与衬底之间的器件结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
一方面，本发明的一些实施方式提供了一种量子点发光二极管，所述量子点发光二极管包括底电极、顶电极以及位于所述底电极和所述顶电极之间的若干功能层，所述若干功能层中至少包括量子点发光层，在底电极相邻的功能层与所述底电极之间、在顶电极相邻的功能层与所述顶电极之间和/或在相邻的两个功能层之间设置有聚合物层，所述聚合物层的材料为含有亲水基团和疏水基团的聚合物。
以及，一种量子点发光二极管，包括底电极、顶电极和位于所述底电极和所述顶电极之间的量子点发光层；所述顶电极背离所述发光层的表面设置有聚合物层，所述聚合物层背离所述发光层的表面用于设置封装层，其中，所述聚合物层的材料为含有亲水基团和疏水基团的聚合物。
以及，一种量子点发光二极管，包括底电极、顶电极和位于所述底电极和所述顶电极之间的量子点发光层；所述底电极背离所述发光层的表面置有聚合物层，所述聚合物层背离所述发光层的表面用于将所述量子点发光二极管设置在衬底上，其中，所述聚合物层的材料为含有亲水基团和疏水基团的聚合物。
本发明的一些实施方式提供的量子点发光二极管中，包括至少一层含有亲水基团和疏水基团的聚合物组成的聚合物层，该聚合物层中的聚合物具有强吸水性能和保水能力，聚合物中的亲水基团能够自发吸附水分子，并与水分子相互作用形成水合状态，水分子通过氢键与亲水基团作用，当亲水基团离解后离子之间的静电排斥力使聚合物的网络扩张，从而产生渗透压，该渗透压使水分子进一步渗入被束缚在聚合物的网络结构内部，从而使水分子的热运动受到限制，而聚合物中的疏水基团则可阻挡水分子进一步渗入到功能层中，而且该聚合物层成膜性好；因此，该聚合物层起到主动吸水、避免水分对器件内部的材料和界面造成影响的作用，从而提了器件的性能稳定性和器件的使用寿命。
本发明一些实施方式所述的若干功能层中至少包括量子点发光层，即除了量子点发光层之外，还可以包括其他功能层；如(1)：a.该若干功能层可以包括电子传输层和量子点发光层，b.该若干功能层可以包括电子注入层、电子传输层和量子点发光层，c.该若干功能层可以包括电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层和量子点发光层，如(2)：a.该若干功能层可以包括空穴传输层和量子点发光层，b.该若干功能层可以包括空穴注入层、空穴传输层和量子点发光层，c.该若干功能层可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层和量子点发光层。还可以是同时包括(1)和(2)中各自一种情形，等等多种情况。
而本发明的一些实施方式中，所述第一功能层为电子功能层(如包括电子传输层，或者包括电子注入层和电子传输层，或者包括电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层)或空穴功能层(如包括空穴传输层，或者包括空穴注入层和空穴传输层，或者包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层)。而第一功能层为电子功能层时，所述第二功能层为空穴功能层(如包括空穴传输层，或者包括空穴注入层和空穴传输层，或者包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层)，当所述第一功能层为空穴功能层时，所述第二功能层为电子功能层(如包括电子传输层，或者包括电子注入层和电子传输层，或者包括电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层)。
如图1所示，虽然传统技术中直接在器件内部设置疏水层(如聚苯乙烯层)，这疏水层虽然在一定程度上起到阻水的作用(图1a)，但是当且仅当覆盖有疏水层的区域能够起到阻隔水分的作用，而本发明的一些实施方式提出的方案中，所述含有亲水基团和疏水基团的聚合物组成的聚合物层(图1b)主动吸收水分保护器件，并且其优异的润湿性能够大大地利于在其上可以使其他功能层的溶液法成膜，提器件的成膜质量、器件结构可设计性等，利于器件的结构优化、性能和寿命的提升。
进一步地，本发明的一些实施方式提供的量子点发光二极管中，所述聚合物中的所述亲水基团选自-COO-、-SO3-、-OH、-CHO、-CONH2、-CH2-NH2、-CH2OH、-C≡N、-CH2-O-CH2-和-SO3H中的至少一种；所述疏水基团选自烷基(如长碳链的烷基)和芳香基(如苯环)中的至少一种。
进一步地，所述聚合物为聚合物，所述聚合物为具有优异吸水能力和保水能力的吸水性树脂，其具有低交联度的三维网络结构，具体地，聚合物选自聚丙烯酸类吸水性树脂、聚乙烯醇类吸水性树脂、淀粉类吸水性树脂和纤维素类吸水性树脂中的至少一种；具体地，所述聚丙烯酸类吸水性树脂选自聚丙烯酸盐交联物、聚乙二醇双丙烯酸盐交联物(PAGDA)、丙烯酸-乙烯醇共聚物中的至少一种；所述聚乙烯醇类吸水性树脂选自聚乙烯醇聚合物；所述淀粉类吸水性树脂选自淀粉-丙烯腈接枝聚合水解物、淀粉-丙烯酰胺接枝聚合物、淀粉-丙烯酸共聚物中的至少一种；所述纤维素类吸水性树脂选自纤维素接枝共聚物和纤维素衍生物交联物中的至少一种。
上述亲水基团分布在聚合物的主链或侧链，亲水基团分布的越多越均匀，对水分的吸收效果越好。本发明的一些实施方式中，所述聚合物的重均分子量(Mw)为1400～100000。本发明的一些具体的实施方式中，所述聚合物的重均分子量(Mw)为2000～80000，在所述范围内，聚合物分子的成膜均匀性更好，且能保证有足够量的亲水基团和疏水基团。
本发明的一些实施方式提供的量子点发光二极管中，聚合物层可以在器件的任一界面，均可以起到强吸水作用的功能。以正型结构器件为例，底电极为阳极，顶电极为阴极，该聚合物层可以设置在量子点发光二极管的封装层与阴极之间的界面，和/或阴极与电子注入层之间的界面，和/或电子出入层与电子传输层之间的界面，和/或电子传输层与空穴阻挡层之间的界面，和/或空穴阻挡层与量子点发光层之间的界面，和/或量子点发光层与电子阻挡层之间的界面，和/或电子阻挡层与空穴传输层之间的界面，和/或空穴传输层与空穴注入层之间的界面，和/或空穴注入层与阳极之间的界面，和/或阳极与放置量子点发光二极管的衬底之间的界面。进一步地，聚合物层在器件的任何界面的厚度可以为5-25nm。
在一些具体的实施方式中，如是正型结构器件，聚合物层优选在电子传输层与量子点发光层之间，和/或阴极与电子传输层之间；如是反型结构器件，聚合物层优选在量子点发光层与空穴传输层之间，和/或阳极与空穴传输层之间。
在一些的实施方式中，一种量子点发光二极管，所述量子点发光二极管包括底电极、顶电极以及设置在所述底电极和所述顶电极之间的量子点发光层，所述量子点发光层与所述顶电极之间设置有第一功能层，所述第一功能层与所述顶电极之间设置有所述聚合物层，和/或所述第一功能层与所述量子点发光层之间设置有所述聚合物层；
其中，当所述底电极为阳极、所述顶电极为阴极时，所述第一功能层为电子功能层，当所述底电极为阴极、所述顶电极为阳极时，所述第一功能层为空穴功能层。
在一些的实施方式中，所述量子点发光层与所述底电极之间设置有第二功能层，所述第二功能层与所述底电极之间设置有所述聚合物层，和/或所述第二功能层与所述量子点发光层之间设置有所述聚合物层；
其中，当第一功能层为电子功能层时，所述第二功能层为空穴功能层，当所述第一功能层为空穴功能层时，所述第二功能层为电子功能层。
在一些具体的实施方式中，因为空气中的水、氧往往更容易通过顶电极一侧进入量子点发光二极管内部，因此，为了更好的防水效果，第一功能层与所述顶电极之间设置有所述聚合物层。
在一些的实施方式中，一种量子点发光二极管，所述量子点发光二极管包括底电极、顶电极以及设置在所述底电极和所述顶电极之间的量子点发光层，所述量子点发光层与所述顶电极之间设置有第一功能层；所述第一功能层与所述顶电极之间设置有所述聚合物层。
在一些的实施方式中，一种量子点发光二极管，所述量子点发光二极管包括底电极、顶电极以及设置在所述底电极和所述顶电极之间的量子点发光层，所述量子点发光层与所述底电极之间设置有第二功能层；所述第二功能层与所述底电极之间设置有所述聚合物层。
在一些的实施方式中，一种量子点发光二极管，所述量子点发光二极管包括底电极、顶电极以及设置在所述底电极和所述顶电极之间的量子点发光层，所述量子点发光层与所述底电极之间设置有第二功能层；所述第二功能层与所述量子点发光层之间设置有所述聚合物层。
在一些的实施方式中，如图2所示，一种量子点发光二极管，所述量子点发光二极管包括底电极、顶电极以及设置在所述底电极和所述顶电极之间的量子点发光层，所述量子点发光层与所述顶电极之间设置有第一功能层，所述量子点发光层与所述底电极之间设置有第二功能层；所述第一功能层与所述量子点发光层之间设置有所述聚合物层。
在一些的实施方式中，如图3所示，一种量子点发光二极管，所述量子点发光二极管包括底电极、顶电极以及设置在所述底电极和所述顶电极之间的量子点发光层，所述量子点发光层与所述顶电极之间设置有第一功能层，所述量子点发光层与所述底电极之间设置有第二功能层；所述第一功能层与所述顶电极之间设置有所述聚合物层。
在一些的实施方式中，如图4所示，一种量子点发光二极管，所述量子点发光二极管包括底电极、顶电极以及设置在所述底电极和所述顶电极之间的量子点发光层，所述量子点发光层与所述顶电极之间设置有第一功能层，所述量子点发光层与所述底电极之间设置有第二功能层；所述第二功能层与所述量子点发光层之间设置有所述聚合物层。
在一些的实施方式中，如图5所示，一种量子点发光二极管，所述量子点发光二极管包括底电极、顶电极以及设置在所述底电极和所述顶电极之间的量子点发光层，所述量子点发光层与所述顶电极之间设置有第一功能层，所述量子点发光层与所述底电极之间设置有第二功能层；所述第二功能层与所述底电极之间设置有所述聚合物层。
在一些的实施方式中，如图6所示，一种量子点发光二极管，所述量子点发光二极管包括底电极、顶电极以及设置在所述底电极和所述顶电极之间的量子点发光层，所述量子点发光层与所述顶电极之间设置有第一功能层，所述量子点发光层与所述底电极之间设置有第二功能层；所述底电极设置于衬底上，且所述底电极与所述衬底之间设置有所述聚合物层。
在一些的实施方式中，一种量子点发光二极管，所述量子点发光二极管包括底电极、顶电极以及设置在所述底电极和所述顶电极之间的量子点发光层，所述量子点发光层与所述顶电极之间设置有第一功能层，所述量子点发光层与所述底电极之间设置有第二功能层。
上述实施例的量子点发光二极管中，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极；或者，所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极。当所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极时，所述第一功能层包括电子传输层，或者电子注入层和电子传输层，或者电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层，所述第二功能层包括空穴传输层，或者空穴注入层和空穴传输层，或者空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层；如果第一功能层包括电子注入层和电子传输层，则电子注入层和电子传输层之间也可以设置聚合物层，如果第一功能层包括电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层，则电子注入层和电子传输层之间、电子传输层与空穴阻挡层之间也可以设置聚合物层。如果第二功能层包括空穴注入层和空穴传输层，则空穴注入层和空穴传输层之间也可以设置聚合物层，如果第二功能层包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层，则空穴注入层和空穴传输层之间、空穴传输层与电子阻挡层之间也可以设置聚合物层。上述情况均在本发明保护范围内。当所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极时，亦是如此，上述情况均在本发明保护范围内。
在一些实施方式中，底电极为阳极时，阳极包括但不限于金属材料、碳材料、金属氧化物中的一种或多种。其中，所述金属材料包括Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca、Mg中的一种或多种。所述碳材料包括石墨、碳纳米管、石墨烯、碳纤维中的一种或多种。所述金属氧化物可以是掺杂或非掺杂金属氧化物，包括ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO、AMO中的一种或多种，也包括掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，其中，复合电极包括AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2中的一种或多种。
底电极为阴极时，阴极材料包括但不限于金属材料、碳材料、金属氧化物中的一种或多种。其中，所述金属材料包括Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca、Mg中的一种或多种。所述碳材料包括石墨、碳纳米管、石墨烯、碳纤维中的一种或多种。所述金属氧化物可以是掺杂或非掺杂金属氧化物，包括ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO、AMO中的一种或多种，也包括掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，其中，复合电极包括AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2中的一种或多种。
其中，空穴注入层的材料包括但不限于PEDOT:PSS、CuPc、F4-TCNQ、HATCN、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的一种或多种。其中，所述过渡金属氧化物包括NiO、MoO、WO、CrO、CuO中的一种或多种。所述金属硫系化合物包括MoS、MoSe、WS、WSe、CuS中的一种或多种。
在一些实施方式中，空穴传输层的材料包括但不限于聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(N,N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、15N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、石墨烯、C60中的至少一种。作为另一个实施例，所述空穴传输层选自具有空穴传输能力的无机材料，包括但不限于NiO、MoO、WO、CrO、CuO、MoS、MoSe、WS、WSe、CuS中的至少一种。
在一些实施方式中，量子点发光层的材料为II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物或IV族单质中的一种或多种。具体地，所述量子点发光层使用的半导体材料包括但不限于II-VI半导体的纳米晶，比如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、PbS、PbSe、PbTe和其他二元、三元、四元的II-VI化合物；III-V族半导体的纳米晶，比如GaP、GaAs、InP、InAs和其他二元、三元、四元的III-V化合物；所述的用于电致发光的半导体材料还不限于II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、IV族单质等。其中，所述的量子点发光层材料还可以为掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体、和/或有机-无机杂化钙钛矿型半导体；具体地，所述的无机钙钛矿型半导体的结构通式为AM3，其中A为Cs+离子，M为二价金属阳离子，包括但不限于Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+，为卤素阴离子，包括但不限于Cl-、Br-、I-；所述的有机-无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为BM3，其中B为有机胺阳离子，包括但不限于CH3(CH2)n-2NH3 +(n≥2)或NH3(CH2)nNH3 2+(n≥2)。当n＝2时，无机金属卤化物八面体M6 4-通过共顶的方式连接，金属阳离子M位于卤素八面体的体心，有机胺阳离子B填充在八面体间的空隙内，形成无限延伸的三维结构；当n＞2时，以共顶的方式连接的无机金属卤化物八面体M6 4-在二维方向延伸形成层状结构，层间插入有机胺阳离子双分子层(质子化单胺)或有机胺阳离子单分子层(质子化双胺)，有机层与无机层相互交叠形成稳定的二维层状结构；M为二价金属阳离子，包括但不限于Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+；为卤素阴离子，包括但不限于Cl-、Br-、I。
在一些实施方式中，电子传输层和/或电子注入层材料包括但不限于具有电子传输能力的无机材料和/或有机材料，其中，所述的无机电子传输层材料选自掺杂或非掺杂的金属氧化物、掺杂或非掺杂的金属硫化物中的一种或多种。其中，所述掺杂或非掺杂金属氧化物包括ZnO、TiO2、SnO2、Ta2O3、ZrO2、NiO、TiLiO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO中的一种或多种。所述掺杂或非掺杂金属硫化物包括CdS、ZnS、MoS、WS、CuS中的一种或多种。
一些实施方式中，所述量子点发光二极管，包括底电极、顶电极以及位于所述底电极和所述顶电极之间量子点发光层；其中，所述底电极被配置为阳极、所述顶电极被配置为阴极，所述阳极和所述量子点发光层之间设置有空穴传输层，所述空穴传输层、所述聚合物层和所述量子点发光层层叠结合；和/或，所述阴极和所述量子点发光层之间设置有电子传输层，所述电子传输层、所述聚合物层和所述量子点发光层层叠结合，其中，所述电子传输层的材料为金属氧化物纳米材料。
一些实施方式中，所述量子点发光二极管，包括底电极、顶电极以及位于所述底电极和所述顶电极之间量子点发光层；其中，所述底电极被配置为阴极、所述被配置顶电极为阳极，所述阳极和所述量子点发光层之间设置有空穴传输层，所述空穴传输层、所述聚合物层和所述量子点发光层层叠结合，其中，所述空穴传输层的材料为无机纳米颗粒材料；和/或，所述阴极和所述量子点发光层之间设置有电子传输层，所述电子传输层、所述聚合物层和所述量子点发光层层叠结合，其中，所述电子传输层的材料为金属氧化物纳米材料。
在一些实施方式中，量子点发光层的材料为II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物或IV族单质中的一种或多种。具体地，所述量子点发光层使用的半导体材料包括但不限于II-VI半导体的纳米晶，比如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、PbS、PbSe、PbTe和其他二元、三元、四元的II-VI化合物；III-V族半导体的纳米晶，比如GaP、GaAs、InP、InAs和其他二元、三元、四元的III-V化合物；所述的用于电致发光的半导体材料还不限于II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、IV族单质等。其中，所述的量子点发光层材料还可以为掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体、和/或有机-无机杂化钙钛矿型半导体；具体地，所述的无机钙钛矿型半导体的结构通式为AM3，其中A为Cs+离子，M为二价金属阳离子，包括但不限于Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+，为卤素阴离子，包括但不限于Cl-、Br-、I-；所述的有机-无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为BM3，其中B为有机胺阳离子，包括但不限于CH3(CH2)n-2NH3 +(n≥2)或NH3(CH2)nNH3 2+(n≥2)。当n＝2时，无机金属卤化物八面体M6 4-通过共顶的方式连接，金属阳离子M位于卤素八面体的体心，有机胺阳离子B填充在八面体间的空隙内，形成无限延伸的三维结构；当n＞2时，以共顶的方式连接的无机金属卤化物八面体M6 4-在二维方向延伸形成层状结构，层间插入有机胺阳离子双分子层(质子化单胺)或有机胺阳离子单分子层(质子化双胺)，有机层与无机层相互交叠形成稳定的二维层状结构；M为二价金属阳离子，包括但不限于Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+；为卤素阴离子，包括但不限于Cl-、Br-、I。
在一些实施方式中，电子传输层层材料包括无机纳米颗粒材料，所述电子传输层无机纳米颗粒材料选自的金属氧化物、金属硫化物中的一种或多种。其中，所述金属氧化物包括ZnO、TiO2、SnO2、Ta2O3、ZrO2、NiO、TiLiO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO中的一种或多种。所述金属硫化物包括CdS、ZnS、MoS、WS、CuS中的一种或多种。在一些实施方式中，在一些实施方式中，空穴传输层的材料包括但不限于NiO、MoO、WO、CrO、CuO、MoS、MoSe、WS、WSe、CuS中的至少一种。
聚合物层中具有强吸水性能的聚合物通过化学键的方式把水合亲水性物质结合在一起成为一个整体，而且含氧亲水基团的氧原子会与其相邻的量子点发光层、电子传输层、空穴传输层中的金属离子通过配位共价键连接在一起，从而起到钝化该功能层表面阴离子空位缺陷，可以进一步钝化膜层的界面缺陷，提载流子的有效传输与复合。因此，在提器件的寿命和稳定性的同时，可以进一步提器件的发光效率。具体地，含氧亲水基团(优选羟基、羧基、羰基、醛基)中的含氧键，如醚基或羰基或醛基中的碳氧键(C-O)(如PEO有机聚合物利用的是-C-O-键)，其中O原子含有孤对电子，而在QLED器件中，量子点、电子传输材料、空穴传输材料等纳米颗粒材料由于比表面积特别大，颗粒尺寸特别小，且采用溶液法合成，其表面含有大量的缺陷态，如阴离子空位等，这些缺陷态和深能级缺陷会捕获电子和空穴，造成非辐射复合，严重影响器件性能，而当本发明的一些实施方式引入含有聚合物的上述聚合物层后，以上所述的C-O键中的O氧原子的孤对电子会与纳米颗粒表面金属离子配位，形成配位共价键，或与纳米颗粒表面配体的H原子形成氢键，从而起到钝化表面缺陷的作用，提载流子的传输效果，降低非辐射复合，从而达到提器件性能和器件寿命的有益效果。
在一些实施方式中，所述空穴功能层包括空穴注入层和空穴传输层，所述空穴注入层、聚合物层和空穴传输层形成三层的叠层，所述空穴注入层和所述空穴传输层选自无机纳米颗粒材料。在一些实施方式中，所述空电子能层包括电子注入层和电子传输层，所述电子注入层、聚合物层和电子传输层形成三层的叠层，所述电子注入层和所述电子传输层选自无机纳米颗粒材料。
聚合物层中具有强吸水性能的聚合物通过化学键的方式把水合亲水性物质结合在一起成为一个整体，而且含氧亲水基团的氧原子会与其相邻的量子点发光层、电子传输层、空穴传输层中的金属离子通过配位共价键连接在一起，从而起到钝化该功能层表面阴离子空位缺陷，可以进一步钝化膜层的界面缺陷，提载流子的有效传输与复合。因此，在提器件的寿命和稳定性的同时，可以进一步提器件的发光效率。具体地，含氧亲水基团(优选羟基、羧基、羰基、醛基)中的含氧键，如醚基或羰基或醛基中的碳氧键(C-O)(如PEO有机聚合物利用的是-C-O-键)，其中O原子含有孤对电子，而在QLED器件中，量子点、电子传输材料、空穴传输材料等纳米颗粒材料由于比表面积特别大，颗粒尺寸特别小，且采用溶液法合成，其表面含有大量的缺陷态，如阴离子空位等，这些缺陷态和深能级缺陷会捕获电子和空穴，造成非辐射复合，严重影响器件性能，而当本发明的一些实施方式引入含有聚合物的上述聚合物层后，以上所述的C-O键中的O氧原子的孤对电子会与纳米颗粒表面金属离子配位，形成配位共价键，或与纳米颗粒表面配体的H原子形成氢键，从而起到钝化表面缺陷的作用，提载流子的传输效果，降低非辐射复合，从而达到提器件性能和器件寿命的有益效果。
在一些实施方式中，电子传输层和/或电子注入层材料包括但不限于具有电子传输能力的无机材料和/或有机材料，其中，所述的无机电子传输层材料选自的金属氧化物、金属硫化物中的一种或多种。其中，所述金属氧化物包括ZnO、TiO2、SnO2、Ta2O3、ZrO2、NiO、TiLiO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO中的一种或多种。所述金属硫化物包括CdS、ZnS、MoS、WS、CuS中的一种或多种。在一些实施方式中，空穴注入层的材料包括过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的一种或多种。其中，所述过渡金属氧化物包括NiO、MoO、WO、CrO、CuO中的一种或多种。所述金属硫系化合物包括MoS、MoSe、WS、WSe、CuS中的一种或多种。在一些实施方式中，空穴传输层的材料包括但不限于NiO、MoO、WO、CrO、CuO、MoS、MoSe、WS、WSe、CuS中的至少一种。
在一些实施方式中，所述底电极被配置为阳极，所述顶电极被配置为阴极，所述阳极和量子点发光层之间包括层叠设置的电子注入层和电子传输层，所述电子注入层靠近所述顶电极设置，所述电子传输层靠近所述量子点发光层设置，所述电子注入层和电子传输层之间设置有所述聚合物层，所述空穴注入层和所述空穴传输层选自无机纳米颗粒材料；或者，
所述底电极为被配置为阴极，所述顶电极被配置为阳极，且所述阳极和量子点发光层之间包括层叠设置的空穴注入层和空穴传输层，所述空穴注入层靠近所述顶电极设置，所述空穴传输层靠近所述量子点发光层设置，所述空穴注入层和空穴传输层之间设置有所述聚合物层，所述空穴注入层和所述空穴传输层选自无机纳米颗粒材料。
在一些上述的实施方式中，所述含有含氧亲水基团和疏水基团的聚合物组成的聚合物层不仅能够钝化界面缺陷、吸收水分保护器件，并且其优异的润湿性能够大大地利于其上其他功能层的溶液法成膜，提器件的成膜质量、器件结构可设计性等，利于器件的结构优化、性能和寿命的提升。虽然该含有含氧亲水基团和疏水基团的聚合物为绝缘材料，但由于其具有钝化缺陷作用，且其厚度较薄(本发明的一些实施方式的量子点发光二极管器件中，聚合物层在器件的任何界面的厚度可以为5-25nm)，即使吸水后也是具有遂穿作用，因此对载流子传输不会有太大影响，而且对器件性能和寿命有很大的提升。
在一些的实施方式中，所述顶电极上设置有聚合物层，进一步的在所述聚合物层上设置封装层，对所述发光二极管进行封装，采用这样结构的量子点发光二极管内在封装层端实现对空气中水、氧的阻隔。
在一些的实施方式中，在衬底上设置所述聚合物层，进一步的在所述聚合物层表面制备发光二极管，形成的量子点发光二极管包括底电极、顶电极和位于所述底电极和所述顶电极之间的量子点发光层，所述聚合物层背离所述发光层的表面用于与放置所述量子点发光二极管的衬底层叠结合，其中，所述聚合物层的材料为含有亲水基团和疏水基团的聚合物。采用这样结构的量子点发光二极管内在衬底端实现对空气中水、氧的阻隔。
对于本发明的一些实施方式，所述衬底为刚性衬底或柔性衬底，其中，刚性衬底包括但不限于玻璃、金属箔片中的一种或多种；柔性衬底包括但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚醚酮(PEEK)、聚苯乙烯(PS)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚芳基酸酯(PAT)、聚芳酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚氯乙烯(PV)、聚乙烯(PE)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、纺织纤维中的一种或多种。
另一方面，本发明的一些实施方式还提供了一种量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：
S01：提供基底；
S02：将含有亲水基团和疏水基团的聚合物沉积在所述基底上，得到聚合物层。
本发明的一些实施方式提供的量子点发光二极管的制备方法工艺简单、成本低，该制备方法中直接在基底上沉积含有亲水基团和疏水基团的聚合物，就制得了聚合物层，该聚合物层起到主动吸水、避免水分对器件内部的材料和界面造成影响的作用，从而使最终制得的器件的性能稳定性和使用寿命得到提。
具体地，在上述步骤S01中，提供基底表面可以设置为衬底，直接在衬底表面制备聚合物层，然后在聚合物层上制备底电极；或者，提供的基底表面可以设置为底电极，直接在底电极表面制备聚合物层，然后在聚合物层上制备第二功能；或者，提供的基底表面可以设置为第二功能层，直接在第二功能层表面制备聚合物层，然后在聚合物层上制备量子点发光层；或者，提供的基底表面可以设置为量子点发光层，直接在量子点发光层表面制备聚合物层，然后在聚合物层上制备第以功能；或者，提供的基底表面可以设置为第一功能层，直接在第一功能层表面制备聚合物层，然后在聚合物层上制备顶电极；或者，提供的基底表面可以设置为顶电极，直接在顶电极表面制备聚合物层，然后在聚合物层上形成封装层。
具体地，在上述步骤S02中，所述聚合物层的制备方法包括，将含有亲水基团和疏水基团的聚合物溶解在溶剂中，得到聚合物溶液，将聚合物溶液沉积在所述基底上，进行退火处理得到聚合物层。退火的温度优选为50-100℃。
以下举一例：首先将含有亲水基团和疏水基团的聚合物溶解在有机溶剂中，配制成浓度为0.07-120mg/mL的溶液(或墨水)，优选浓度1-20mg/mL然后沉积在器件内部结构所需的界面中。其中，所述沉积方法优选为溶液法，其中，所述的溶液法包括但不限于旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法、条状涂布法中的一种或多种。在一些具体的实施方式中，所述的溶液法为印刷法、刮涂法、喷涂法、滚涂法、狭缝式涂布法、条状涂布法中的一种或多种。其中，所述溶剂为有机溶剂，有机溶剂包括但不限于饱和烃、不饱和烃、芳香烃、醇类溶剂、醚类溶剂、酮类溶剂、腈类溶剂、酯类溶剂、以及它们的衍生物中的一种或者是多种组成的混合有机溶剂。其中，所述有机溶剂包括但不限于己烷、环己烷、庚烷、正辛烷、异辛烷、戊烷、甲基戊烷、乙基戊烷、环戊烷、甲基环戊烷、乙基环戊烷、苯、甲苯、二甲苯、乙苯、二氯甲烷、三氯甲烷、四氯化碳、二氯乙烷、三氯乙烷、氯丙烷、二氯丙烷、三氯丙烷、氯丁烷、二溴甲烷、三溴甲烷、溴乙烷、溴丙烷、碘甲烷、氯苯、溴苯、苄基氯、苄基溴、三氟甲苯、甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇、异丁醇、仲丁醇、叔丁醇、戊醇、异戊醇、叔戊醇、环己醇、辛醇、苄醇、乙二醇、苯酚、邻甲酚、乙醚、苯甲醚、苯乙醚、二苯醚、四氢呋喃、乙二醇二甲醚、丙二醇甲醚、乙二醇二乙醚、羟乙基乙醚、丙二醇单丙基醚、丙二醇单丁基醚、乙醛、苯甲醛、丙酮、丁酮、环己酮、苯乙酮、甲酸、乙酸、乙酸乙酯、草酸二乙酯、丙二酸二乙酯、乙酸丙酯、甲基丙酯、乙酸丁酯、乙酸甲基戊酯、硝基苯、乙腈、二乙胺、三乙胺、苯胺、吡啶、甲基吡啶、乙二胺、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜、六甲基磷酰胺、二硫化碳、甲硫醚、乙硫醚、二甲亚砜、硫醇、乙硫醇、甲氧基四氢呋喃中的至少一种。
其中，上述各层的制备方法可以是化学法或物理法，其中化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多种；物理法包括但不限于物理镀膜法或溶液法，其中溶液法包括但不限于旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法、条状涂布法；物理镀膜法包括但不限于热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法中的一种或多种。
其中，所述的量子点发光二极管，其封装方式可以为部分封装、全封装、或不封装，本发明没有严格限制。
本发明先后进行过多次试验，现举一部分试验结果作为参考对发明进行进一步详细描述，下面结合具体实施例进行详细说明。
实施例1
一种量子点发光二极管，其制备过程如下：
首先将聚氧化乙烯溶解在甲苯中，配制成浓度为4mg/mL的聚氧化乙烯溶液，然后按如下步骤制备量子点发光二极管：
步骤S1：在ITO导电玻璃上以4500rpm的转速旋涂一层PEDOT:PSS空穴注入层，随后于160℃加热10min。
步骤S2：在PEDOT:PSS空穴注入层上以10mg/mL，2500rpm的转速旋涂一层TFB空穴传输层。
步骤S3：在TFB空穴传输层上以45mg/mL，4000rpm的转速旋涂一层CdSe@ZnS量子点发光层。
步骤S4：将上述聚氧化乙烯溶液以4000rpm/s的转速旋涂在CdSe@ZnS量子点发光层上，然后于50℃加热10min，得到一层聚氧化乙烯组成的聚合物层。
步骤S5：在聚合物层上以45mg/mL，3500rpm的转速旋涂一层ZnO电子传输层。
步骤S6：在ZnO电子传输层上蒸镀一层Al作为阴极，得到量子点发光二极管。
实施例2
一种量子点发光二极管，其制备过程如下：
首先将聚氧化乙烯溶解在甲苯中，配制成浓度为7mg/mL的聚氧化乙烯溶液，然后按如下步骤制备量子点发光二极管：
步骤S1：在ITO导电玻璃上以4500rpm的转速旋涂一层PEDOT:PSS空穴注入层，随后于160℃加热10min。
步骤S2：在PEDOT:PSS空穴注入层上以10mg/mL，2500rpm的转速旋涂一层TFB空穴传输层。
步骤S3：在TFB空穴传输层上以45mg/mL，4000rpm的转速旋涂一层CdSe@ZnS量子点发光层。
步骤S4：在CdSe@ZnS量子点发光层上以45mg/mL，3500rpm的转速旋涂一层ZnO电子传输层。
步骤S5：将上述聚氧化乙烯溶液以4000rpm/s的转速旋涂在ZnO电子传输层上，然后于80℃加热30min，得到一层聚氧化乙烯组成的聚合物层。
步骤S6：在聚合物层上蒸镀一层Al作为阴极，得到量子点发光二极管。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (12)

1.一种量子点发光二极管，包括底电极、顶电极以及位于所述底电极和所述顶电极之间的若干功能层，所述若干功能层中至少包括量子点发光层，其特征在于，在底电极相邻的功能层与所述底电极之间、在顶电极相邻的功能层与所述顶电极之间和/或在相邻的两个功能层之间设置有聚合物层，所述聚合物层的材料为含有亲水基团和疏水基团的聚合物。
2.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，在所述聚合物中，所述亲水基团选自-COO-、-SO3-、-OH、-CHO、-CONH2、-CH2-NH2、-CH2OH、-C≡N、-CH2-O-CH2-和-SO3H中的至少一种；和/或，
所述疏水基团选自烷基和芳香基中的至少一种。
3.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述聚合物选自聚丙烯酸类吸水性树脂、聚乙烯醇类吸水性树脂、淀粉类吸水性树脂和纤维素类吸水性树脂中的至少一种；和/或，
所述聚合物层的厚度为5-25nm；和/或，
所述聚合物的重均分子量为2000～80000。
4.如权利要求3所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述聚丙烯酸类吸水性树脂选自聚丙烯酸盐交联物、聚乙二醇双丙烯酸盐交联物和丙烯酸-乙烯醇共聚物中的至少一种；和/或，
所述聚乙烯醇类吸水性树脂选自聚乙烯醇聚合物；和/或，
所述述淀粉类吸水性树脂选自淀粉-丙烯腈接枝聚合水解物、淀粉-丙烯酰胺接枝聚合物和淀粉-丙烯酸共聚物中的至少一种；和/或，
所述纤维素类吸水性树脂选自纤维素接枝共聚物和纤维素衍生物交联物中的至少一种。
5.如权利要求1-4任一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层与所述顶电极之间设置有第一功能层，所述第一功能层与所述顶电极之间设置有所述聚合物层；
其中，所述底电极被配置为阳极、所述顶电极被配置为阴极，所述第一功能层被配置为电子功能层；或者，
所述底电极被配置为阴极、所述顶电极被配置为阳极，所述第一功能层被配置为空穴功能层。
6.如权利要求1至4任一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管，包括底电极、顶电极以及位于所述底电极和所述顶电极之间量子点发光层；
其中，所述底电极被配置为阳极、所述顶电极被配置为阴极，所述阳极和所述量子点发光层之间设置有空穴功能层，所述空穴功能层包括空穴注入层和空穴传输层，所述空穴注入层、聚合物层和空穴传输层形成三层的叠层，所述空穴注入层和所述空穴传输层选自无机纳米颗粒材料；和/或，
所述阴极和所述量子点发光层之间设置有电子功能层，所述空电子能层包括电子注入层和电子传输层，所述电子注入层、聚合物层和电子传输层形成三层的叠层，所述电子注入层和所述电子传输层选自无机纳米颗粒材料。
7.如权利要求1至4任一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管，包括底电极、顶电极以及位于所述底电极和所述顶电极之间量子点发光层；
其中，所述底电极被配置为阳极、所述顶电极被配置为阴极，所述阳极和所述量子点发光层之间设置有空穴传输层，所述空穴传输层、所述聚合物层和所述量子点发光层层叠结合，其中，所述空穴传输层的材料选自无机纳米颗粒材料；和/或，
所述阴极和所述量子点发光层之间设置有电子传输层，所述电子传输层、所述聚合物层和所述量子点发光层层叠结合，其中，所述电子传输层的材料选自无机纳米颗粒材料。
8.如权利要求1至4任一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管，包括底电极、顶电极以及位于所述底电极和所述顶电极之间量子点发光层；
其中，所述底电极被配置为阴极、所述被配置顶电极为阳极，所述阳极和所述量子点发光层之间设置有空穴传输层，所述空穴传输层、所述聚合物层和所述量子点发光层层叠结合，其中，所述空穴传输层的材料为无机纳米颗粒材料；和/或，
所述阴极和所述量子点发光层之间设置有电子传输层，所述电子传输层、所述聚合物层和所述量子点发光层层叠结合，其中，所述电子传输层的材料为金属氧化物纳米材料。
9.一种量子点发光二极管，包括底电极、顶电极和位于所述底电极和所述顶电极之间的量子点发光层；其特征在于，所述顶电极背离所述量子点发光层的表面设置有聚合物层，所述聚合物层背离所述量子点发光层的表面用于设置封装层，其中，所述聚合物层的材料为含有亲水基团和疏水基团的聚合物。
10.一种量子点发光二极管，包括底电极、顶电极和位于所述底电极和所述顶电极之间的量子点发光层；其特征在于，所述底电极背离所述量子点发光层的表面置有聚合物层，所述聚合物层背离所述量子点发光层的表面用于与放置所述量子点发光二极管的衬底层叠结合，其中，所述聚合物层的材料为含有亲水基团和疏水基团的聚合物。
11.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供基底；
将含有亲水基团和疏水基团的聚合物沉积在所述基底上，得到聚合物层。
12.如权利要求11所述的制备方法，其特征在于，将含有亲水基团和疏水基团的聚合物溶解在溶剂中，得到聚合物溶液，将聚合物溶液沉积在所述基底上，进行退火处理得到聚合物层，其中，所述退火处理的温度为50-100℃；和/或，
所述聚合物溶液的浓度为1-20mg/mL。
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