CN111373474A - 用于裸片上存储器终止的方法和采用所述方法的存储器装置和系统 - Google Patents

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Abstract

本发明提供涉及具有裸片上终止ODT的存储器操作的方法、系统和设备。存储器装置可被配置成在第二部分(例如，排)处的通信期间在第一部分(例如，排)处提供ODT。举例来说，存储器装置可接收指示第一部分执行第一通信的第一命令。所述装置可从所述第一部分发射指示第二部分进入ODT模式的信号。所述装置可在所述第二部分处于所述ODT模式中时执行所述第一部分与主机的所述第一通信。可在耦合到所述第二部分的ODT I/O端子的所述第一部分的ODT I/O端子处提供所述信号。

Description

用于裸片上存储器终止的方法和采用所述方法的存储器装置 和系统
相关申请的交叉引用
本申请案主张2017年11月22日申请的美国临时申请案第62/590,116号的权益，所述申请案以全文引用的方式并入本文中。
技术领域
本公开大体上涉及用于裸片上存储器终止的方法和采用所述方法的存储器装置和系统。
背景技术
存储器装置广泛用于存储与例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置有关的信息。通过编程存储器单元的不同状态来存储信息。存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)等。存储器装置可为易失性或非易失性的。改进存储器装置通常可包含增加存储器单元密度、增加读取/写入速度或另外减少操作等待时间、增加可靠性、增加数据保持、减少功率消耗或减少制造成本等。
附图说明
图1是示意性地说明根据本发明技术的实施例的存储器装置的简化框图。
图2和3是示意性地说明根据本发明技术的实施例的存储器系统的操作的简化时序图。
图4是示意性地说明根据本发明技术的实施例的存储器系统的简化框图。
图5是说明根据本发明技术的实施例的操作存储器系统的方法的流程图。
具体实施方式
存储器装置和存储器系统可包含多个可单独寻址的存储器阵列、排(rank)、库(bank)、通道或存储器容量的其它细分部。在一些这类装置和系统中，多个可单独寻址的存储器部分可具有连接到一或多个共同总线(例如，数据总线、命令/地址总线、时钟信号总线等)的端子。为在与可单独寻址的部分中的一个通信期间改进总线上的信号质量，另一不进行通信的存储器部分的一或多个端子可进入“裸片上终止”(ODT)模式，其中所述不进行通信的部分的一或多个端子处的阻抗增加(例如，以使信号反射或其它可能使信号降级或促成噪声的效应降到最低)。
在一些存储器系统中，连接的主机装置可通过特定寻址到非目标存储器部分的命令(例如，在命令/地址总线上)指示不进行通信的(例如，非目标)存储器部分进入裸片上终止模式。进入ODT模式的每一命令可致使非目标存储器部分的命令解码器在解码命令时消耗功率，这可造成存储器系统的功率消耗显著增加。因此，需要提供以较大功率效率管理存储器系统的ODT模式的方式。
因此，本发明技术的数个实施例针对于存储器装置、包含存储器装置的系统以及操作存储器装置的方法，其中可在第一部分处的通信期间在第二部分处提供裸片上终止，而不需要将裸片上终止命令提供给第二部分或由第二部分解码。在一个实施例中，一种方法可包括接收指示存储器系统的第一部分执行与存储器主机的第一通信的第一命令；将指示第二部分进入裸片上终止模式的信号从存储器系统的第一部分发射到存储器系统的第二部分；和至少部分地基于所述信号，在第二部分处于裸片上终止模式中时，执行与第一部分的第一通信。
图1是示意性地说明根据本发明技术的实施例的存储器装置100的框图。存储器装置100可包含存储器单元阵列，例如存储器阵列150。存储器阵列150可包含多个库(例如，在图1的实例中的库0-15)，且每一库可包含多个字线(WL)、多个位线(BL)，以及布置在字线与位线的交叉点处的多个存储器单元。字线WL的选择可由行解码器140执行，且位线BL的选择可由列解码器145执行。可为对应的位线BL提供感测放大器(SAMP)，并将所述位线BL连接到至少一个相应的本地I/O线对(LIOT/B)，所述本地I/O线对随后可经由传输门(TG)耦合到至少一个相应的主I/O线对(MIOT/B)，所述传输门可充当开关。
存储器装置100可采用包含耦合到命令总线和地址总线的命令和地址端子的多个外部端子，以分别接收命令信号CMD和地址信号ADDR。存储器装置可另外包含用于接收片选信号CS的片选端子、用于接收时钟信号CK和CKF的时钟端子、用于接收数据时钟信号WCK和WCKF的数据时钟端子、数据端子DQ、RDQS、DBI和DMI、电源端子VDD、VSS、VDDQ和VSSQ，以及裸片上终止端子ODT。
可从外部向命令端子和地址端子供应地址信号和库地址信号。可经由命令/地址输入电路105将供应到地址端子的地址信号和库地址信号传送到地址解码器110。地址解码器110可接收地址信号并将经解码行地址信号(XADD)供应到行解码器140，将经解码列地址信号(YADD)供应到列解码器145。地址解码器110还可接收库地址信号(BADD)并将库地址信号供应到行解码器140和列解码器145两者。
可从存储器控制器向命令端子和地址端子供应命令信号CMD、地址信号ADDR和片选信号CS。命令信号可表示来自存储器控制器的各种存储器命令(例如，包含存取命令，所述存取命令可包含读取命令和写入命令)。选择信号CS可用于选择存储器装置100以对提供到命令端子和地址端子的命令和地址作出响应。当有源CS信号被提供到存储器装置100时，可对命令和地址进行解码，并且可执行存储器操作。可经由命令/地址输入电路105将命令信号CMD作为内部命令信号ICMD提供到命令解码器115。命令解码器115可包含用于对内部命令信号ICMD进行解码以产生用于执行存储器操作的各种内部信号和命令的电路，例如用于选择字线的行命令信号和用于选择位线的列命令信号。内部命令信号还可包含输出和输入激活命令，例如钟控命令CMDCK。
当发出读取命令并及时向行地址和列地址供应读取命令时，可从存储器阵列150中的通过这些行地址和列地址指定的存储器单元读取读取数据。可由命令解码器115接收读取命令，所述命令解码器115可向输入/输出电路160提供内部命令，以使得可根据RDQS时钟信号经由读取/写入放大器155和输入/输出电路160从数据端子DQ、RDQS、DBI和DMI输出读取数据。可在由可编程于存储器装置100中例如编程于模式寄存器(图1中未示出)中的读取时延信息RL界定的时间处提供读取数据。可在CK时钟信号的时钟循环方面界定读取时延信息RL。举例来说，读取时延信息RL可为当提供相关联读取数据时在读取命令被存储器装置100接收之后的CK信号的时钟循环的数目。
当发出写入命令并及时向行地址和列地址供应所述命令时，可根据WCK和WCKF时钟信号将写入数据供应到数据端子DQ、DBI和DMI。写入命令可由命令解码器115接收，所述命令解码器115可将内部命令提供到输入/输出电路160，以使得写入数据可由输入/输出电路160中的数据接收器接收，且经由输入/输出电路160和读取/写入放大器155供应到存储器阵列150。写入数据可写入由行地址和列地址指定的存储器单元中。可以由写入时延WL信息界定的时间向数据端子提供写入数据。写入时延WL信息可编程于存储器装置100中，例如编程于模式寄存器(图1中未示出)中。可在CK时钟信号的时钟循环方面界定写入时延WL信息。举例来说，写入时延信息WL可为当接收相关联写入数据时在写入命令由存储器装置100接收之后的CK信号的时钟循环的数目。
可向电源端子供应电源电势VDD和VSS。这些电源电势VDD和VSS可被供应到内部电压发生器电路170。内部电压发生器电路170可基于电源电势VDD和VSS而产生各种内部电势VPP、VOD、VARY、VPERI等等。内部电势VPP可在行解码器140中使用，内部电势VOD和VARY可在存储器阵列150中包含的感测放大器中使用，且内部电势VPERI可在许多其它电路块中使用。
还可向电源端子供应电源电势VDDQ。电源电势VDDQ以及电源电势VSS可被供应到输入/输出电路160。在本发明技术的实施例中，电源电势VDDQ可为与电源电势VDD相同的电势。在本发明技术的另一个实施例中，电源电势VDDQ可为与电源电势VDD不同的电势。然而，可针对输入/输出电路160使用专用电源电势VDDQ，以使得由输入/输出电路160产生的电源噪声不会传播到其它电路块。
可向裸片上终止端子供应裸片上终止信号ODT。裸片上终止信号ODT可供应给输入/输出电路160以指示存储器装置100进入裸片上终止模式(例如，在存储器装置100的其它端子中的一或多个处提供预定数目的阻抗电平中的一个)。
可向时钟端子和数据时钟端子供应外部时钟信号和互补外部时钟信号。外部时钟信号CK、CKF、WCK、WCKF可被供应到时钟输入电路120。CK和CKF信号可互补，并且WCK和WCKF信号也可互补。互补时钟信号可同时具有相反的时钟电平和相反的时钟电平之间的转变。举例来说，当时钟信号处于低时钟电平时，互补时钟信号处于高电平，且当时钟信号处于高时钟电平时，互补时钟信号处于低时钟电平。此外，当时钟信号从低时钟电平转变到高时钟电平时，互补时钟信号从高时钟电平转变到低时钟电平，且当时钟信号从高时钟电平转变到低时钟电平时，互补时钟信号从低时钟电平转变到高时钟电平。
时钟输入电路120中包含的输入缓冲器可接收外部时钟信号。举例来说，当通过来自命令解码器115的CKE信号启用时，输入缓冲器可接收CK和CKF信号以及WCK和WCKF信号。时钟输入电路120可接收外部时钟信号以产生内部时钟信号ICLK。内部时钟信号ICLK可被供应到内部时钟电路130。内部时钟电路130可基于从命令/地址输入电路105接收的内部时钟信号ICLK和时钟启用信号CKE而提供各种相位和频率受控制的内部时钟信号。举例来说，内部时钟电路130可包含时钟路径(图1中未示出)，所述时钟路径接收内部时钟信号ICLK并向命令解码器115提供各种时钟信号。内部时钟电路130可进一步提供输入/输出(IO)时钟信号。IO时钟信号可供应到输入/输出电路160，并且可用作用于确定读取数据的输出定时和写入数据的输入定时的定时信号。可以多个时钟频率提供IO时钟信号，以使得可以不同数据速率从存储器装置100输出数据和将数据输入到存储器装置100。当期望高存储器速度时，较高时钟频率可为合意的。当期望较低功率消耗时，较低时钟频率可为合意的。内部时钟信号ICLK还可被供应到定时发生器135，并因此可产生各种内部时钟信号。
存储器装置，例如图1的存储器装置100可通过多个存储器阵列，或通过细分成多个可单独寻址的部分(例如，细分成多个通道、库、排等)的单个阵列提供存储器容量。替代地，存储器系统可包含多个存储器装置，例如图1的存储器装置100，其中每一存储器装置表示系统的存储器容量的可单独寻址的细分部(例如，存储器排等)。因此，存储器装置或具有多个存储器装置、存储器排、存储器通道、存储器库等的存储器系统可包含专用于一或多个但非全部的可单独寻址的部分的多个端子(例如，时钟端子、CMD/ADD端子、I/O端子等)。举例来说，多通道存储器装置可包含多个端子，每一端子对应于存储器的多个通道中的一个。当操作这类存储器装置时，为减小共同信号路径(例如，时钟路径、数据总线等)上的非所要噪声，所述存储器装置可利用裸片上终止在存储器装置的对应于存储器的可单独寻址的部分并且不在共同信号路径上进行通信的那些端子处提供高阻抗。举例来说，当连接的主机或存储器控制器存取存储器装置的第一通道时，可通过裸片上终止电路(例如，与对应的I/O电路160、时钟输入电路120等成一体)为存储器装置的对应于第二通道的端子提供高阻抗。
一种起始裸片上终止的方法包含主机将用于在由目标部分执行的通信期间提供终止的信号(例如，经由专用或共享的引脚或端子，例如裸片上终止端子ODT)提供到存储器系统或装置的非目标部分。然而，一些存储器主机不被配置成提供裸片上终止信号，(例如，存储器主机遵守在例如DDR5存储器装置的存储器装置中不包含主机可存取的裸片上终止端子的存储器标准)。因此，另一种起始裸片上终止的方法包含主机将用于在由目标部分执行的通信期间提供终止的命令(例如，经由命令/地址总线)提供到存储器系统或装置的非目标部分。举例来说，共享命令/地址总线上的命令可指示将执行通信(例如，读取操作、写入操作、擦除操作、状态查询操作等)的目标和非目标部分，而用于每一部分的专用片选端子可指示哪个部分是目标(例如，通过持续单个时钟循环的脉冲)且哪个是非目标(例如，通过持续两个时钟循环的脉冲)。根据本发明技术的一个方面，在图2的时序图200中示意性地说明这类方法。
如参考图2可见，在具有两个或更多个可单独寻址的部分(例如，存储器装置的两个通道、存储器系统的两个存储器装置等)的存储器装置或系统中，共同命令/地址总线220可用以向所述部分指示将由所述部分中的一个执行通信(例如，经由读取命令)。用于每一部分的专用片选端子(例如，CS_A 230和CS_B 240)可用以向每一部分提供所述部分是用于通信的目标还是非目标的指示。响应于接收到不是命令进行通信的目标的指示，非目标部分可在通信的持续时间内进入裸片上终止模式。在这方面，图2的时序图200说明以存储器装置的不同通道为目标的读取命令序列。
如所说明，第一读取命令221与片选端子230和240上的对应指示231和241一起发送，其中第一读取命令的目标对应于存储器装置的第一通道250(例如，通过在时钟210的一个循环内使片选线脉动为低以指示目标部分，并且在时钟210的两个循环内使片选线脉动为低以指示非目标部分)。因此，存储器装置的第二通道260在第一通道250的通信251的持续时间内进入裸片上终止模式261。在通信251之后，第二通道260返回到阻抗的默认或“停置”模式。第二读取命令222类似地与片选端子230和240上的对应指示232和242一起发送，其中第二读取命令的目标对应于存储器装置的第一通道250。因此，存储器装置的第二通道260在第一通道250的通信252的持续时间内进入裸片上终止模式262。在通信252之后，第二通道260返回到阻抗的停置模式。第三读取命令223与片选端子230和240上的对应指示233和243一起发送，其中第三读取命令的目标对应于存储器装置的第二通道260。因此，存储器装置的第一通道250在第二通道260的通信263的持续时间内进入裸片上终止模式253。在通信263之后，第一通道250返回到阻抗的停置模式。
将裸片上终止命令与针对目标部分的每一命令一起(例如，与片选端子上的对应指示一起)提供到非目标存储器部分的此方法的缺点是非目标存储器部分在解码每一命令时消耗功率。在这方面，存储器装置的命令解码器(例如，命令解码器115)可被配置成响应于使对应片选线脉动为低(例如，是在一个时钟循环内还是在两个时钟循环内)而“苏醒”(例如，以将功率或信号电压递送到先前处于无功率、低功率或信号断连状态的一或多个组件)。此外，使阻抗在停置模式与终止模式(例如，读取终止模式、写入终止模式等)之间交替可进一步消耗额外功率。因此，本发明技术的实施例可通过在非目标存储器部分处提供裸片上终止而无由解码非目标通信(例如，读取、写入、状态等)命令所导致敌的功率消耗来解决上述问题。确切地说，在一个实施例中，非目标存储器部分可被配置成在非目标部分的裸片上终止端子处响应于从目标存储器部分接收到的裸片上终止信号而提供裸片上终止。
转向图3，简化时序图300示意性地说明根据本发明技术的实施例的存储器系统的操作。如参考图3可见，在具有两个或更多个可单独寻址的部分(例如，存储器装置的两个通道、存储器系统的两个存储器装置)的存储器装置或系统中，共同命令/地址总线320可用以向所述部分指示将由所述部分中的一个执行通信(例如，经由读取命令)。然而，不同于图2中所说明的方法，在图3中所说明的方法中，非目标存储器部分不在其片选端子上从主机接收指示。而是，目标存储器部分响应于指示其执行通信的命令而将指示其提供裸片上终止的信号发射到第二存储器部分(例如，从第一部分的第一ODT端子到第二部分的第二ODT端子)。在这方面，第一读取命令321与片选端子330上的对应指示331一起发送，其中第一读取命令的目标对应于存储器装置的第一通道350(例如，通过在时钟310的一个循环内使片选线脉动为低以指示目标部分)。存储器装置的第一通道350响应于第一读取命令321而在执行通信351之前经由连接的裸片上终止端子345将裸片上终止信号346发射到存储器装置的第二通道360。
根据本发明技术的一个方面，裸片上终止信号346不同于在命令/地址总线320上所接收的命令，其不触发第二通道360执行能源密集解码，而是替代地可直接触发第二通道的对应电路在通信351的持续时间内进入裸片上终止模式361(例如，非目标读取终止模式)。在通信351之后，第二通道360返回到阻抗的默认或“停置”模式。
如参考图3可见，裸片上终止信号346不仅可指示非目标存储器部分进入裸片上终止模式，而且也可指示非目标存储器部分进入哪个裸片上终止模式。在这方面，裸片上终止信号346指示裸片上终止模式361是通过将裸片上终止端子345处的电压驱动为高的非目标读取终止模式。然而，对于写入操作，不同的裸片上终止模式可为所要的。举例来说，写入命令322与片选端子330上的对应指示332一起发送，其中写入命令的目标对应于存储器装置的第一通道350。因此，存储器装置的第一通道350响应于写入命令322而经由连接的裸片上终止端子345将裸片上终止信号347发射到存储器装置的第二通道360。裸片上终止信号347指示裸片上终止模式362是通过将裸片上终止端子345处的电压驱动为低的非目标写入裸片上终止模式。因此，存储器装置的第二通道360响应于裸片上终止信号347而在第一通道350执行通信352时进入裸片上终止模式362。在通信352之后，第二通道360返回到阻抗的停置模式。
在本发明技术的一个实施例中，第一存储器部分的裸片上终止端子345可为输入/输出端子，其被配置成将指示第二存储器部分提供裸片上终止的第一指示发射到第二存储器部分，以及从第二存储器部分接收指示第一存储器部分提供裸片上终止的第二指示。在这方面，如参考图3可见，第二读取命令323与片选端子340上的对应指示343一起发送，其中第二读取命令的目标对应于存储器装置的第二通道360。因此，存储器装置的第二通道360响应于第二读取命令323而经由连接的裸片上终止端子345将裸片上终止信号348(例如，对应于裸片上终止端子345处的高电压的非目标读取裸片终止信号)发射到存储器装置的第一通道350。响应于裸片上终止信号348，存储器装置的第一通道350在第二通道360执行通信353时进入裸片上终止模式(例如，非目标读取裸片终止模式)。在通信353之后，第一通道350返回到阻抗的停置模式。
虽然在前述实施例中，裸片上终止信号已说明且描述为通过电压电平指示所要裸片上终止模式(例如，高电压对应于非目标读取终止电平，且低电压对应于非目标写入终止电平)，但在本发明技术的其它实施例中，可使用指示所要裸片上终止模式的其它方法。举例来说，裸片上终止信号可指示针对不同持续时间的不同裸片上终止模式(例如，一个时钟循环对应于第一模式，两个时钟循环对应于第二模式等)。在又其它实施例中，裸片上终止信号的电压、持续时间和/或其它性质的组合可类似地传送关于所要裸片上终止模式、持续时间等的信息。
根据本发明技术的一个方面，电耦合两个存储器部分(例如，存储器装置、通道、库、排等)中的每一个上的单个裸片上终止I/O端子可允许上述裸片上终止方法以每部分单个端子的方式起作用。然而，在其它实施例中，多个端子可被配置成提供类似功能性(例如，每一部分中的两个端子，其对应于ODT输入信号和ODT输出信号)。
在本发明技术的一个实施例中，裸片上终止端子可为专用端子(例如，仅其功能是传送裸片上终止信号的端子)。然而，在另一实施例中，裸片上终止端子可为多功能端子(例如，可提供用于在第一存储器部分和第二存储器部分之间通信的额外功能性的端子)。
虽然在上述实例实施例中，已说明具有刚好两个存储器部分的存储器装置和系统，但上述裸片上终止方法适用于具有大于两个通道或其它可寻址子部分的存储器装置和系统。如所属领域的技术人员将易于理解，这些方法的节省功率益处对于其中可省略对应于单个通信命令的更多裸片上终止命令的装置的情况甚至更显著。
虽然在上述实例实施例中，在一个存储器部分处于裸片上终止模式中时由另一个存储器部分执行的通信已经描述和说明为读取和写入操作(例如，通过裸片上终止的对应读取和写入电平)，但在本发明技术的其它实施例中，上述和以下方法可类似地通过对应终止电平(例如，非目标状态电平终止等)应用于其它通信(例如，状态操作等)。
图4是示意性地说明根据本发明技术的实施例的存储器系统400的简化框图。存储器系统400包含以可操作方式耦合到存储器模块420(例如，双列直插式存储器模块(DIMM))的主机装置410。存储器模块420可包含通过总线440可操作地连接到多个存储器装置450的控制器430。根据本公开的一个实施例，主机装置410可与存储器装置450中的第一个通信(例如，经由在总线440上传送的读取命令、写入命令等)，从而触发第一存储器装置将裸片上终止信号(例如，时序图300中的裸片上终止信号346)发射到其它存储器装置450中的一或多个(例如，在总线440上，或经由与总线440隔开的一或多个专用端子)。在替代实施例中，控制器430可与存储器装置450中的第一个通信(例如，经由在总线440上传送的读取命令、写入命令等)，从而触发第一存储器装置将裸片上终止信号(例如，时序图300中的裸片上终止信号346)发射到其它存储器装置450中的一或多个(例如，在总线440上，或经由与总线440隔开的一或多个专用端子)。在这方面，控制器430可介于主机装置410(例如，其可将通信(例如，读取、写入等)命令与导向非目标存储器装置的ODT命令并行地发送到目标存储器装置)与存储器装置450之间，以将命令提供到目标存储器装置而无需将ODT命令提供到其它存储器装置，如上文更详细地阐述，这替代地依赖于目标存储器装置提供ODT命令。
图5是说明根据本发明技术的实施例的操作存储器系统的方法的流程图。所述方法包含接收指示存储器系统的第一部分执行与存储器主机的第一通信的第一命令(方框510)。根据本公开的一个方面，方框510的命令接收特征可以如上文在图1中更详细地说明的命令/地址输入电路105和/或连接到其的端子予以实施。
所述方法另外包含将指示第二部分进入裸片上终止模式的信号从存储器系统的第一部分发射到存储器系统的一部分装置(方框520)。根据本公开的一个方面，方框520的信号发射特征可以如上文在图1中更详细地说明的输入/输出电路160和/或连接到其的端子予以实施。
所述方法另外包含至少部分地基于所述信号，在第二部分处于裸片上终止模式中时执行与第一部分的第一通信(方框530)。根据本公开的一个方面，方框530的通信特征可以如上文在图1中更详细地说明的存储器阵列150、连接的到其的解码器(例如，地址解码器110、命令解码器115、行解码器140、列解码器145等)和/或IO电路160予以实施。
应注意，上文描述的方法描述了可能的实施方案，且操作和步骤可以重新布置或以其它方式加以修改，且其它实施方案是可能的。此外，可组合来自所述方法中的两个或更多个的实施例。
可使用多种不同技术和技艺中的任一种表示本文中所描述的信息和信号。举例来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。一些图式可将信号示出为单个信号；然而，所属领域的一般技术人员将理解，所述信号可表示信号总线，其中总线可具有多种位宽度。
本文中论述的装置，包含存储器装置，可形成于例如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等的半导体衬底或裸片上。在一些情况下，衬底为半导体晶片。在其它情况下，衬底可为绝缘体上硅(SOI)衬底，例如玻璃上硅(SOG)或蓝宝石上硅(SOP)，或另一衬底上的半导体材料的外延层。可以通过使用包含但不限于磷、硼或砷的各种化学物种的掺杂来控制衬底或衬底的子区的导电性。可以在衬底的初始形成或生长期间，通过离子植入或通过任何其它掺杂方法来执行掺杂。
本文中所描述的功能可以硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合来实施。其它实例和实施方案在本公开和所附权利要求书的范围内。实施功能的特征也可在物理上位于各个位置处，包含经分布以使得功能的各部分在不同物理位置处实施。
如本文中(包含在权利要求书中)所使用，如在项列表(例如，后加例如“中的至少一个”或“中的一或多个”的短语的项列表)中所使用的“或”指示包含端点的列表，使得例如A、B或C中的至少一个的列表意指A或B或C或AB或AC或BC或ABC(即，A和B和C)。另外，如本文所用，短语“基于”不应理解为提及封闭条件集。举例来说，在不脱离本公开的范围的情况下，描述为“基于条件A”的示范性步骤可基于条件A和条件B两者。换句话说，如本文中所使用，短语“基于”应同样地解释为短语“至少部分地基于”。
从上文中将了解，本文中已经出于说明的目的描述了本发明的具体实施例，但是可以在不偏离本发明的范围的情况下进行各种修改。确切地说，在以上描述中，论述了众多具体细节以提供对本发明技术的实施例的透彻且启发性描述。然而，相关领域的技术人员将认识到，可在并无具体细节中的一个或多个的情况下实践本公开。在其它情况下，通常与存储器系统和装置相关联的众所周知的结构或操作未经展示，或未经详细描述，以避免混淆所述技术的其它方面。一般来说，应理解，除了本文中所公开的那些具体实施例之外的各种其它装置、系统和方法可在本发明技术的范围内。

Claims (23)

1.一种操作存储器系统的方法，其包括：
接收指示所述存储器系统的第一部分执行与存储器主机的第一通信的第一命令；
将指示所述第二部分进入裸片上终止模式的信号从所述存储器系统的所述第一部分发射到所述存储器系统的第二部分；和
在所述第二部分处于所述裸片上终止模式中时，执行与所述第一部分的所述第一通信。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述信号的电压指示所述裸片上终止模式的阻抗电平。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述信号的持续时间指示所述裸片上终止模式的阻抗电平。
4.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第一通信完成之后，所述第二部分退出所述裸片上终止模式。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述信号的所述发射在电连接到所述第二部分的第二裸片上终止端子的所述第一部分的第一裸片上终止端子上发生。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一和第二裸片上终止端子是输入/输出端子。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一命令包含所述第一存储器装置的第一片选端子上的第一指示，所述第一指示用以指示所述第一命令以所述第一部分为目标。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一命令不包含所述第二存储器装置的第二片选端子上的第二指示，所述第二指示用以指示所述第一命令不以所述第二部分为目标。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一通信是读取或写入操作中的一个。
10.一种存储器系统，其包括：
第一存储器装置，其包含第一裸片上终止端子；和
第二存储器装置，其包含电耦合到所述第一裸片上终止端子的第二裸片上终止端子；
其中所述第一存储器装置包含第一电路，所述第一电路被配置成：
接收指示所述第一存储器装置执行与存储器主机的第一通信的第一命令；
至少部分地基于所述第一命令，在所述第一裸片上终止端子处发射指示所述第二存储器装置进入裸片上终止模式的信号。
11.根据权利要求10所述的存储器系统，其中所述第二存储器装置包含第二电路，所述第二电路被配置成：
至少部分地基于在所述第二裸片上终止端子处接收到所述信号，进入所述裸片上终止模式。
12.根据权利要求11所述的存储器系统，其中所述第二电路被进一步配置成在所述第一通信完成之后退出所述裸片上终止模式。
13.根据权利要求10所述的存储器系统，其中所述信号的电压指示所述裸片上终止模式的阻抗电平。
14.根据权利要求10所述的存储器系统，其中所述信号的持续时间指示所述裸片上终止模式的阻抗电平。
15.根据权利要求10所述的存储器系统，其中所述第一和第二裸片上终止端子是输入/输出端子。
16.根据权利要求10所述的存储器系统，其中单个半导体裸片包括所述第一存储器装置和所述第二存储器装置。
17.根据权利要求10所述的存储器系统，其中第一半导体裸片包括所述第一存储器装置，且第二半导体裸片包括所述第二存储器装置。
18.一种操作存储器系统的方法，其包括：
发射指示所述存储器系统的第一部分执行与存储器主机的第一通信的第一命令；和
至少部分地基于从所述存储器系统的所述第一部分发射到所述存储器系统的所述第二部分的信号，在所述存储器系统的第二部分在裸片上终止模式中操作时执行与所述存储器系统的所述第一部分的所述第一通信。
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述信号的电压指示所述裸片上终止模式的阻抗电平。
20.根据权利要求18所述的方法，其中所述信号的持续时间指示所述裸片上终止模式的阻抗电平。
21.根据权利要求18所述的方法，其中所述第一命令包含所述第一部分的第一片选端子处的第一指示，所述第一指示用以指示所述第一命令以所述第一部分为目标。
22.根据权利要求18所述的方法，其中所述第一命令不包括所述第二部分的第二片选端子上的指示。
23.根据权利要求18所述的方法，其中所述第一通信包括读取操作或写入操作中的至少一个。
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